JPH02101744A - Plasma reaction process - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の利用分野」
本発明は、一対の電極のそれぞれに独立した電磁エネル
ギ供給手段を有し、そのそれぞれを互いに位相調整手段
を用いて相互制御せしめることにより、大容量空間で均
一なプラズマを発生せしめ、そのプラズマによりプラズ
マ空間中の基体または部材上に被膜を形成したり、また
はこの基体または部材表面を全面的または選択的にエツ
チングするプラズマ反応方法を提供することにある。Detailed Description of the Invention "Field of Application of the Invention" The present invention has a pair of electrodes each having an independent electromagnetic energy supply means, and mutually controlling each of them using a phase adjustment means. To provide a plasma reaction method in which uniform plasma is generated in a capacitance space, and the plasma forms a film on a substrate or member in the plasma space, or etches the surface of the substrate or member entirely or selectively. It is in.
本発明は、その結果、被膜形成、例えば炭素または炭素
を主成分とする保護用被膜または窒化珪素または窒化珪
素を主成分とする保護用被膜で部材上を覆ったものであ
る。または工・ンチング例として、大面積で多量の基体
または部材にバイアスエツチングを行わしめるものであ
る。As a result, the present invention provides coating formation, for example, coating a member with carbon or a protective coating based on carbon or silicon nitride or a protective coating based on silicon nitride. Alternatively, as an example of etching/etching, bias etching is performed on a large number of substrates or members over a large area.
「従来技術」
一般にプラズマＣｖＤ法においては、平坦面を有する基
板上に平面状に成膜する方法が工業的に有効であるとさ
れている。さらに、プラズマＣｖＤ法でありながら、ス
パッタ効果を伴わせつつ成膜させる方法も知られている
。その代表例である炭素膜のコーティングに関しては、
本発明人の出願になる特許側ｒ炭素被膜を有する複合体
およびその作製方法ｊ （特願昭５６−１４６９３６昭
和５６年９月１７日出願）が知られている。しかし、こ
れらは一対の電極のみを用いる平行平板型を有し、１つ
の高周波電源より導出した２つの出力端をそれぞれの電
極に連結し、一方の電極（カソード側）に基板を配設し
、自ら発生するセルフバイアスを用いて平坦面の上面に
炭素膜を成膜する方法である。"Prior Art" Generally, in the plasma CVD method, a method of forming a film in a planar shape on a substrate having a flat surface is considered to be industrially effective. Furthermore, a method is also known in which a film is formed using a plasma CvD method while producing a sputtering effect. Regarding carbon film coating, which is a typical example,
A composite body having a carbon coating and a method for producing the same (Japanese Patent Application No. 56-146936, filed on September 17, 1988) is known, which has been filed by the present inventor. However, these have a parallel plate type using only a pair of electrodes, two output ends derived from one high frequency power source are connected to each electrode, and a substrate is arranged on one electrode (cathode side). This method uses self-generated self-bias to form a carbon film on the upper surface of a flat surface.
「従来の問題点」
かかる１つの高周波電源を用いるため、平行平板型のプ
ラズマ反応方法においては、電極の一方の側の電極に平
行に密接して基板を配設してその上面にプラズマＣＶＤ
がなされる、またはプラズマエッチがなされる。"Conventional Problems" In order to use such a single high-frequency power source, in the parallel plate type plasma reaction method, a substrate is disposed parallel to and close to the electrode on one side of the electrode, and the plasma CVD is applied to the upper surface of the substrate.
or plasma etch.
そのため、大量生産をせんとしても、単に電極を大面積
とし、形成する膜も被膜を一方の電極面でのみ処理する
もので生産性が悪い。この基体または部材に独立してバ
イアスを印加することがむずかしく、薄膜形成に最適な
プロセス条件を探すことが困難である。さらに基体また
は部材にバイアス印加をしたエツチング方法に関しても
、多量に同時に処理をすることができない。このため、
大容量空間で一度に多数の部材に対し膜を形成する方法
またはエツチングする方法が求められていた。Therefore, even if mass production is not required, productivity is poor because the electrode is simply made to have a large area and the film to be formed is processed only on one electrode surface. It is difficult to independently apply a bias to this substrate or member, and it is difficult to find optimal process conditions for thin film formation. Furthermore, with regard to etching methods in which a bias is applied to a substrate or a member, it is not possible to simultaneously process a large amount. For this reason,
There has been a need for a method of forming or etching a film on a large number of members at once in a large volume space.
本発明はかかる目的のためになされたものである。The present invention has been made for this purpose.
「問題を解決すべき手段」
本発明は、かかるプラズマＣｖＤまたはプラズマエツチ
ング用として、反応空間の一端側および他端側の双方か
ら互いに離間して一対の電極（第１および第２の電極）
を配設する。さらにそれぞれ独立した電磁エネルギ供給
手段およびマツチングボックスを有する。そしてそれぞ
れの電極にマツチングボックスを介して供給される電磁
エネルギの位相を互いに制御する位相調整器を有する。"Means to Solve the Problem" The present invention provides a pair of electrodes (first and second electrodes) spaced apart from both one end and the other end of a reaction space for such plasma CVD or plasma etching.
Place. Furthermore, each of them has an independent electromagnetic energy supply means and a matching box. It has a phase adjuster that mutually controls the phase of electromagnetic energy supplied to each electrode via a matching box.
そしてそれぞれの電極から発せられる電磁エネルギを用
い、反応空間にＫＷレベルの大電力を供給し、かつそれ
ぞれの電極の位相を制御して相乗効果を有するプラズマ
を反応空間で発生せしめたものである。Then, using the electromagnetic energy emitted from each electrode, a large power of KW level is supplied to the reaction space, and the phase of each electrode is controlled to generate plasma having a synergistic effect in the reaction space.
この空間内に必要に応じて直流または交流バイアスを加
えるための第３の電極を設ける。そして一対の電極間の
空間（プラズマ空間）に被処理面を有する基体、部材を
ホルダを用いて配設する。A third electrode is provided in this space for applying a direct current or alternating current bias as necessary. Then, a substrate and a member having a surface to be processed are placed in the space between the pair of electrodes (plasma space) using a holder.
反応空間は減圧にされ、反応性気体が供給される。The reaction space is evacuated and a reactive gas is supplied.
反応性気体のプラズマ化のため、一対の電極のそれぞれ
には所定の電力および周波数の電磁エネルギが電磁エネ
ルギ供給手段、マツチングボックスを介して供給される
。このそれぞれの電極には、接地に対して互いに位相が
概略１８０°または概略０°となるよう異なった高周波
電圧をそれぞれの高周波電源より印加し、互いに対称ま
たは同相の交番電圧が印加されるよう位相調整器で調整
、制御する。In order to turn the reactive gas into plasma, electromagnetic energy of a predetermined power and frequency is supplied to each of the pair of electrodes via an electromagnetic energy supply means and a matching box. Different high-frequency voltages are applied to each electrode from respective high-frequency power sources so that the phases are approximately 180° or approximately 0° with respect to the ground, and the phases are applied so that alternating voltages that are symmetrical or in phase with each other are applied. Adjust and control with a regulator.
結果として、合わせて実質的に１つの高周波の交番電圧
としてプラズマ空間を構成する枠構造内に印加し、反応
性気体を完全に分解、電離させるための高周波プラズマ
を誘起させる。さらにそのそれぞれの高周波電源の他端
を接地せしめる。As a result, a substantially single high-frequency alternating voltage is applied within the frame structure constituting the plasma space to induce a high-frequency plasma for completely decomposing and ionizing the reactive gas. Furthermore, the other end of each high frequency power source is grounded.
さらに発生させる場合、基体または部材に対して直流（
自己または外部よりの直流バイアス用電圧）または交番
（交流バイアス用電圧）電圧を印加する。すると自己直
流バイアス方式の場合、第２の交番電圧で一方の電極側
で加速されたイオンが部材の被形成面上をスパッタしつ
つ、被形成面上に強く被膜化またはエツチングをさせる
。If further generation is required, direct current (
Apply self- or external (DC bias voltage) or alternating current (AC bias voltage) voltage. Then, in the case of the self-direct current bias method, ions accelerated on one electrode side by the second alternating voltage sputter on the formation surface of the member, strongly forming a film or etching on the formation surface.
この基体または部材はそれを取り囲む枠構造をホルダを
かねて設け、ここの電位をフローティングとする場合、
接地とする場合および前記した如く外部より直流または
交流バイアスを印加する場合の３種類を選ぶことができ
る。When this base body or member is provided with a frame structure surrounding it and also serves as a holder, and the potential here is set to be floating,
Three types can be selected: grounding and applying external DC or AC bias as described above.
即ち、基体または部材は接地レベルとし、電位は零であ
るが電流は流れる状態を呈せしめ得る。That is, the base body or member is at ground level, and a state can be created in which the potential is zero but current flows.
またこの基体または部材をフローティングとすると、プ
ラズマ化されたイオンがすでに被処理物表面に到達した
正極性電荷と自己反発し、スパッタ効果を抑止しつつ成
膜またはエツチングをさせ得る。Furthermore, if the substrate or member is made floating, the ions turned into plasma will self-repel the positive charges that have already reached the surface of the object to be processed, allowing film formation or etching to be performed while suppressing the sputtering effect.
第１の交番電圧を１〜５０ＭＨｚの反応性気体のブラズ
マグロー放電の生じやすい周波数とし、バイアス用第２
の交番電圧を１０Ｈｚ〜１００ＫＨｚの周波数で基体ま
たは部材に印加すると、反応性気体に運動エネルギを加
え被形成面上にスパッタ作用を与えつつ成膜またはエツ
チングが可能である。The first alternating voltage is set to a frequency of 1 to 50 MHz where plasma glow discharge of reactive gas is likely to occur, and the second alternating voltage for bias is
By applying an alternating voltage of 10 Hz to 100 KHz to a substrate or member, it is possible to form a film or etch a film while applying kinetic energy to the reactive gas and sputtering the surface to be formed.
第１の交番電圧がそれぞれ独立した電磁エネルギ供給手
段およびマツチングボックスをへてそれぞれの電極に印
加させる場合、また概略０°即ち０±３０°以内の場合
と概略１８０°即ち１８０±３０”以内の場合では、反
応空間全体へ均一に広げるためには後者即ち１８０±３
０’以内（概略１８０°）が優れていた。また、９０±
３０’以内の位相とすると、プラズマが特に一方の電極
側にかたよってしまった。これは反応空間内でイオンを
双方の電極で一方から他方の電極にまた他方の電極から
一方の電極に大きく運動させる位相とすることにより、
空間をより広くプラズマ化し、そのイオンを運動させる
ためと推定される。When the first alternating voltage is applied to each electrode through independent electromagnetic energy supply means and matching boxes, and when the first alternating voltage is within approximately 0°, that is, 0±30°, and when the first alternating voltage is within approximately 180°, that is, 180±30”. In this case, the latter, i.e. 180±3
Within 0' (approximately 180°) was excellent. Also, 90±
When the phase was within 30', the plasma was particularly biased toward one electrode. This is achieved by creating a phase that causes ions to move significantly from one electrode to the other and from the other electrode to one electrode at both electrodes in the reaction space.
It is presumed that this is to convert more space into plasma and move the ions.
以下に図面に従って本発明の作製方法を記す。The manufacturing method of the present invention will be described below according to the drawings.
「実施例１」
第２図は、基体または部材上にプラズマ反応法により薄
膜形成またはエツチングを行う方法を実施するためのプ
ラズマ処理装置の概要を示す。"Example 1" FIG. 2 shows an outline of a plasma processing apparatus for carrying out a method of forming or etching a thin film on a substrate or member by a plasma reaction method.
図面において、プラズマ反応装置の反応容器（７）はゲ
ート弁（９）で外部と仕切られている。ガス系（３０）
において、キャリアガスである水素またはアルゴンを（
３１）より、反応性気体である炭化水素気体、例えばメ
タン（ＣＨａ）、エチレン（Ｃ２１１４）を（３２）よ
り、弗化炭素気体である弗化炭素（ＣＪｂ、Ｃ３Ｆｓ）
を（３３）より、■価またはＶ価の不純物であるＢ２）
１．またはＮＨ，を（３４）より、反応容器のエツチン
グ用気体である弗化窒素または酸素を（３５）より、バ
ルブ（２８）、流量計（２９）をへて反応系（５０）中
にノズル（２５）を経て導入する。In the drawing, a reaction vessel (7) of the plasma reactor is separated from the outside by a gate valve (9). Gas system (30)
, the carrier gas hydrogen or argon (
From (31), reactive gases such as hydrocarbon gases, such as methane (CHa) and ethylene (C2114), and from (32), fluorocarbon gases such as fluorocarbons (CJb, C3Fs).
From (33), B2) which is an impurity of ■ or V valence
1. Alternatively, NH, is supplied from (34), nitrogen fluoride or oxygen, which is an etching gas for the reaction vessel, is supplied from (35) through the valve (28) and flow meter (29) into the reaction system (50) through the nozzle (50). 25).
この反応容器（７）の上下に同一形状を有せしめて第１
の一対の電極として第１および第２の電極（３−１）
、 （３−２）をアルミニウムの金属メツシュで構成せ
しめる。The top and bottom of this reaction vessel (7) have the same shape, and the first
first and second electrodes (3-1) as a pair of electrodes;
, (3-2) are made of aluminum metal mesh.
このそれぞれの電極は第１および第２の電磁エネルギ供
給手段（１５−１） 、 （１５−２）を有する。それ
ぞれの電源である供給手段より１〜１００ＭＨ２の交番
電圧例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を発し、その
電磁エネルギをＬＣＲで構成され反応容器内のインピー
ダンスとマツチングをさせるためのマツチングボックス
（１６−１） 、 （１６−２）を有する。このマツチ
ングボックスより導入端子（４−１） 、 （４−２）
をへてそれぞれの電極（３−１） 、 （３−２）に電
磁エネルギが供給される。第１および第２の電源（１５
−１） 、 （１５−２）は同一周波数の同一波形を原
則とするが、定倍波形を用いてもよい。Each electrode has first and second electromagnetic energy supply means (15-1), (15-2). A matching box ( 16-1 ), (16-2). Terminals (4-1) and (4-2) introduced from this matching box
Electromagnetic energy is supplied to each of the electrodes (3-1) and (3-2) through the electrodes (3-1) and (3-2). First and second power supplies (15
-1) and (15-2) are basically the same waveform with the same frequency, but a constant-multiplying waveform may also be used.
それぞれの電源の位相は位相調整器（２６）で１８０゜
±３０°以内に互いに制御されている。The phases of the respective power sources are mutually controlled within 180°±30° by a phase adjuster (26).
反応性気体はノズル（２５）より下方向に放出される。The reactive gas is emitted downward from the nozzle (25).
バイアス電圧は１０Ｈｚ〜１００ＫＨｚよりなるバイア
ス手段（１７）により供給される。そしてこのバイアス
はスイッチ（１０）が（１１−２）のとき基体または部
材に供給される。The bias voltage is supplied by bias means (17) of 10 Hz to 100 KHz. This bias is then supplied to the substrate or member when the switch (10) is in (11-2).
かくして反応空間（８）にプラズマが発生する。Plasma is thus generated in the reaction space (8).
排気系（２５）は、圧力調整パルプ（２１）、ターボ分
子ポンプ（２２） 、ロータリーポンプ（２３）を経て
不要気体を排気する。The exhaust system (25) exhausts unnecessary gas through a pressure regulating pulp (21), a turbo molecular pump (22), and a rotary pump (23).
これらの反応性気体は、反応空間（８）で０．００１〜
１．０ｔｏｒｒ例えば０．０５ｔｏｒｒとした。These reactive gases are present in the reaction space (8) at a concentration of 0.001 to
It was set to 1.0 torr, for example, 0.05 torr.
かかる空間において、０．５〜５０ＫＷ （単位面積あ
たり０．００５〜５Ｗ／ｃｍ”）例えばＩＫＷ （単位
面積あたりＯ，ＩＷ／ｃｍ”の高エネルギ）の第１の高
周波電圧を加える。In this space, a first high frequency voltage of 0.5 to 50 KW (0.005 to 5 W/cm'' per unit area), for example IKW (high energy of O, IW/cm'' per unit area) is applied.
さらに第２の交番電圧による交流バイアスの印加により
、被形成面上には−５０〜−６００Ｖ （例えばその出
力はＩＫＷ）の負の自己バイアス電圧が印加されており
、この負の自己バイアス電圧により加速された反応性気
体を基体または部材上にスパッタしつつ成膜またはエツ
チングし、かつ緻密な膜形成または高速異方性エツチン
グをすることができた。Furthermore, by applying an AC bias using a second alternating voltage, a negative self-bias voltage of -50 to -600V (for example, the output is IKW) is applied to the surface to be formed, and this negative self-bias voltage It was possible to perform film formation or etching while sputtering an accelerated reactive gas onto a substrate or member, and to form a dense film or perform high-speed anisotropic etching.
「実施例２」
この実施例は、実施例１で用いたプラズマ反応装置によ
り、第１図に示す如（、有機物の部材要部上に炭素を主
成分とする膜を作製した例である。"Example 2" This example is an example in which a film containing carbon as a main component was formed on the main part of an organic material as shown in FIG. 1 using the plasma reaction apparatus used in Example 1.
第１図（Ａ）において、アルミニウムの部上に有機樹脂
が設けられたＯＰＣ（有機感光導電体）ドラムを用い、
その上に光伝導体または保護膜としてＤＬＣ膜を形成し
たものである。In FIG. 1(A), an OPC (organic photoconductor) drum in which an organic resin is provided on an aluminum part is used.
A DLC film is formed thereon as a photoconductor or a protective film.
反応性気体は、例えばエチレンと弗化炭素の混合気体と
した。その割合はＣ２Ｆ６／Ｃ２Ｈ４−１／４〜４／１
とし、代表的には１／１である。この割合を可変するこ
とにより、透過率および比抵抗を制御することができる
。バイアスはスイッチ（１０）を（１１−２）とし強く
印加した。基体または部材（１）の温度は室温〜１５０
’Ｃ１代表的には外部加熱をすることなく室温に保持
させる。かくして被形成面上はビッカース硬度７００〜
５０００Ｋｇ／ｍｍ”、光学的エネルギバンド巾１．０
〜５．５ｅＶを有し、有機樹脂上にも密着させて成膜さ
せ得る。可視光に対し、透光性のアモルファス構造また
は結晶構造を有する弗素と水素とが添加された炭素また
は炭素を主成分とする被膜を０．１〜８μｍ例えば０．
５ ａｍ （平面部）、１〜３μｍ（凸部）に生成させ
た。成膜速度は１００〜１０００λ／分を有していた。The reactive gas was, for example, a mixed gas of ethylene and carbon fluoride. The ratio is C2F6/C2H4-1/4 to 4/1
It is typically 1/1. By varying this ratio, transmittance and specific resistance can be controlled. A strong bias was applied by setting the switch (10) to (11-2). The temperature of the substrate or member (1) is room temperature to 150℃
'C1 Typically, it is kept at room temperature without external heating. Thus, the surface to be formed has a Vickers hardness of 700~
5000Kg/mm”, optical energy band width 1.0
~5.5 eV, and can be formed into a film in close contact with an organic resin. A film containing carbon or carbon as a main component to which fluorine and hydrogen are added and has an amorphous or crystalline structure that is transparent to visible light is coated with a thickness of 0.1 to 8 μm, for example, 0.1 μm.
5 am (flat area) and 1 to 3 μm (convex area). The deposition rate had a range of 100-1000 λ/min.
第１ ［ｆｆ１（Ａ） 、 （Ｂ）において、このプラ
スチックス（１）は軽量であり、この上への密着性向上
のためエチレンと水素とを用いて０．０１〜０．１ μ
ｍの厚さに形成した。その上にＣ，Ｆ＆とＮＨ３とｌｌ
ｚとの混合気体を用い、比抵抗がｌＸｌ０ｂ〜５Ｘ１０
”Ωｃｍ、好ましくは１×１０７〜５×１０′２Ωｃｍ
の膜を０．２〜２μｍの厚さに形成した。かくしてｏＰ
ｃ ドラム上に本発明方法により炭素を主成分とする
被膜を作製することができた。In the first [ff1 (A) and (B), this plastic (1) is lightweight, and in order to improve its adhesion to the plastic (1), ethylene and hydrogen are used to coat the plastic (0.01 to 0.1 μm).
It was formed to a thickness of m. On top of that, C, F & and NH3 and ll
Using a gas mixture with z, the specific resistance is lXl0b ~ 5X10
"Ωcm, preferably 1 x 107 to 5 x 10'2 Ωcm
A film of 0.2 to 2 μm in thickness was formed. Thus oP
c A film containing carbon as a main component could be produced on the drum by the method of the present invention.
「実施例３」 この実施例は窒化珪素を形成する例である。"Example 3" This example is an example in which silicon nitride is formed.
反応性気体として第２図でジシラン（ＳｉｚＨ６）を（
３３）より窒素（Ｎｚ）を（３２）より供給し、（Ｓｉ
ｚＨｂ）／Ｎｚ−１ノ３〜１／１０とした。外部より加
熱することない室温または３００°Ｃまでの温度、代表
的には室温で、基体または部材は半導体集積回路基板ま
たはこれをリードフレーム上にアッセンブルしたものま
たはハイブリッドＩＣを用いた。これを基体（１）とし
て第１図（Ｃ）で略記する。ここに実施例１と同じく、
０．０５ｔｏｒｒの圧力で高周波を加えた。すると窒化
珪素膜をこれらの上面に１００人／分の成膜速度で形成
することが可能となった。この窒化珪素膜はこの後工程
の有機樹脂モールド剤との密着性を向上させ、さらに耐
ナトリウム性の向上に優れたものであった。In Figure 2, disilane (SizH6) is used as a reactive gas (
Nitrogen (Nz) is supplied from (32) from (33), and (Si
zHb)/Nz-1-3 to 1/10. The substrate or member used was a semiconductor integrated circuit board, a semiconductor integrated circuit board assembled on a lead frame, or a hybrid IC, at a temperature of room temperature or up to 300° C. without external heating, typically room temperature. This is abbreviated as a base (1) in FIG. 1(C). Here, as in Example 1,
High frequency was applied at a pressure of 0.05 torr. This made it possible to form a silicon nitride film on these upper surfaces at a deposition rate of 100 people/min. This silicon nitride film had improved adhesion with the organic resin molding agent in the subsequent process, and was also excellent in improving sodium resistance.
実施例１において、半導体集積回路基板にスパッタによ
るプラズマ損傷を与えないため、スイッチ（１０）は（
１１−１）または（１１−３）として被形成面を有する
基体または部材にバイアスがかからないようにした。In Example 1, the switch (10) is (
11-1) or (11-3), no bias was applied to the substrate or member having the surface to be formed.
「実施例４」 この実施例は第１図（Ｄ）に示したものである。"Example 4" This embodiment is shown in FIG. 1(D).
第２図のプラズマ処理装置を実施例と同様に用いた。そ
して板状の基体ホルダを陽光柱プラズマ空間（８）内に
配設し、その両面に被形成面を有する基板（１１）、（
１１”）を保持し、ここに多層に被膜を形成した例であ
り、この基体としてはガラス板がある。このガラス板は
自動車、オートバイ、航空機、船舶のフロントウィンド
、サイドミラー、サイドウィンド、リアウィンドまたは
建築物の窓であり、その外気に触れる面側である。The plasma processing apparatus shown in FIG. 2 was used in the same manner as in the example. Then, a plate-shaped substrate holder is arranged in the positive column plasma space (8), and a substrate (11) having a formation surface on both sides thereof, (
This is an example in which a multilayer coating is formed on a glass plate (11"), and the substrate is a glass plate. This glass plate is used for front windows, side mirrors, side windows, and rear windows of automobiles, motorcycles, aircraft, and ships. A window or a window in a building, the side of which is exposed to the outside air.
この基板上にまず実施例３に示した窒化珪素膜を形成し
た。さらに反応性気体を排除し、実施例１に示した如く
、この上に弗素が添加された炭素膜を０．１〜５μｍ例
えば０．５ μｍの厚さに形成した。First, the silicon nitride film shown in Example 3 was formed on this substrate. Further, the reactive gas was removed, and as shown in Example 1, a fluorine-doped carbon film was formed thereon to a thickness of 0.1 to 5 μm, for example, 0.5 μm.
本発明において、特にこの炭素または弗素が添加された
炭素を主成分とする被膜は、排水性を有し、また静電気
の発生によるゴミの付着を防ぐため、比抵抗はｌＸｌ０
ｂ〜５Ｘ１０１３Ωｃｍの範囲、特に好ましくは１×１
０７〜ｌＸｌ０”Ωｃｍの範囲とした。In the present invention, the coating mainly composed of carbon or carbon to which fluorine is added has drainage properties and prevents the adhesion of dust due to the generation of static electricity, so that the specific resistance is lXl0
b to 5×1013 Ωcm, particularly preferably 1×1
The range was 0.07 to 1X10'' Ωcm.
第１図（Ｄ）はこのウィンドのほこりが付着するととも
に、雨があたる表面上のみに形成したものである。FIG. 1(D) shows that the dust from this window adheres and is formed only on the surface that is exposed to rain.
本実施例において、ガラスは酸化珪素よりなり、酸素を
含有し、弗化物気体とは反応しやすいため、ＤＬＣを形
成する前に耐酸素性を有するバッファ層として透光性で
かつ緻密性がよい窒化珪素または窒化珪素を主成分とす
る膜（４５−１） 、 （４５’−１）を形成した。そ
して耐弗素性を酸化珪素より有する窒化珪素上に弗素が
添加された炭素膜または炭素を主成分とする被膜（４５
−２） 、 （４５’−２）を積層した。この第１図（
Ｄ）の縦断面図はフロントウィンドのみならず、サイド
ウィンド、ミラー表面であってもよい。第１図（Ｅ）は
曲面上に対し形成したものである。これらは実使用上風
切りが強く、また鉱物質のほこりが衝突しやすく、結果
として失透、濁りが摩耗により発生しやすいため、本発
明は優れたものである。In this example, glass is made of silicon oxide, contains oxygen, and easily reacts with fluoride gas. Films (45-1) and (45'-1) containing silicon or silicon nitride as a main component were formed. Then, a fluorine-doped carbon film or a carbon-based coating (45
-2) and (45'-2) were laminated. This figure 1 (
The vertical cross-sectional view D) may be not only the front window but also the side window and mirror surface. FIG. 1(E) shows the structure formed on a curved surface. The present invention is excellent because these materials are subject to strong wind blowing in actual use, and mineral dust is likely to collide with them, resulting in devitrification and turbidity due to abrasion.
「実施例５」 この実施例は実施例１で用いた装置を用いた。"Example 5" This example used the apparatus used in Example 1.
第２図において、酸素（０２）または弗化窒素（ＮＦ３
）のみを導入し、基体または部材上の被膜のエツチング
除去を１００〜３００人／分の速度でした。この実施例
において、エツチングされる材料は炭素または炭素を主
成分とする被膜（プラズマ酸素でエツチングされる）、
窒化珪素、タングステン、モリブデン等の金属または金
属珪化物（ＮＦ３のプラズマによりエツチングされる）
である。またエツチング気体を塩素とすると、アルミニ
ウムのエツチングが可能となる。またエツチング用気体
を塩素または臭素とすると、酸化物超電導材料が可能と
なる。In Figure 2, oxygen (02) or nitrogen fluoride (NF3)
) was introduced, and the coating on the substrate or member could be etched and removed at a rate of 100 to 300 people/minute. In this example, the material being etched is a carbon or carbon-based coating (etched with plasma oxygen);
Metals or metal silicides such as silicon nitride, tungsten, molybdenum (etched by NF3 plasma)
It is. Furthermore, when chlorine is used as the etching gas, aluminum can be etched. Furthermore, when chlorine or bromine is used as the etching gas, oxide superconducting materials can be produced.
「効果」
本発明方法により、プラズマ反応空間にＫＷレベルの大
電力を提供することができた。また位相を±３０°の範
囲で微調整ができるため、装置設計上ホルダ等完全対称
構造にできない形状を電気的に保証することができるよ
うになった。またこれで初めて１辺が０．５〜３ＩＩを
有する大容量空間にもプラズマを均一のプラズマ濃度に
発生させ得、さらにバイアスを実効的に印加できなかっ
た部材に対しても可能となり、かつ大容量空間での成膜
またはエツチングが可能となった。"Effects" By the method of the present invention, it was possible to provide a large power on the KW level to the plasma reaction space. Furthermore, since the phase can be finely adjusted within a range of ±30°, it has become possible to electrically guarantee shapes that cannot be made into completely symmetrical structures, such as the holder due to device design. In addition, for the first time, it has become possible to generate plasma at a uniform plasma concentration even in a large capacity space with a side of 0.5 to 3 II, and it has also become possible to generate a large amount of plasma even for members where it was not possible to apply a bias effectively. Film formation or etching is now possible in a capacitive space.
本発明において、第２図の電極を上下ではなく前後配置
としてもよい。また第２図の反応装置を９０°横向きと
しても、それらは用途によって決められるべきものであ
る。In the present invention, the electrodes shown in FIG. 2 may be arranged front and back instead of above and below. Even if the reactor shown in FIG. 2 is oriented horizontally at 90 degrees, the orientation should be determined depending on the application.
第１図は本発明の基体または部材上に被膜を形成した例
およびその要部を示す。FIG. 1 shows an example in which a coating is formed on a substrate or member of the present invention and its essential parts.
Claims (1)
極を設け、前記一対の電極間の陽光柱内にプラズマ反応
被処理物を配設せしめ、独立した電磁エネルギ供給手段
より供給される電磁エネルギを前記一対の電極のそれぞ
れに供給せしめ、マッチング手段を介して前記一対のそ
れぞれの電極に供給される電磁エネルギの位相を位相調
整手段により制御することを特徴とするプラズマ反応方
法。 ２、特許請求の範囲第１項において、それぞれの電極の
位相は互いに０゜±３０゜以内または１８０°±３０゜
以内ずれたことを特徴とするプラズマ反応方法。[Scope of Claims] 1. A pair of electrodes for generating plasma is provided in a reaction vessel, a plasma-reacted object is placed in a positive column between the pair of electrodes, and an independent electromagnetic energy supply means is provided. A plasma reaction characterized in that the electromagnetic energy supplied from the above is supplied to each of the pair of electrodes, and the phase of the electromagnetic energy supplied to each of the pair of electrodes is controlled by a phase adjustment means via a matching means. Method. 2. The plasma reaction method according to claim 1, wherein the phases of the respective electrodes are shifted from each other by within 0°±30° or within 180°±30°.
Priority Applications (9)
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|---|---|---|---|
| JP63255489A JPH02101744A (en) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | Plasma reaction process |
| KR1019890001263A KR920003431B1 (en) | 1988-02-05 | 1989-02-03 | Plasma processing method and apparatus |
| US07/303,240 US4971667A (en) | 1988-02-05 | 1989-02-03 | Plasma processing method and apparatus |
| CN 89101741 CN1021100C (en) | 1988-02-05 | 1989-02-04 | Plasma processing method and apparatus |
| DE68928829T DE68928829T2 (en) | 1988-02-05 | 1989-02-06 | Plasma processing method and device for applying thin layers |
| EP89301126A EP0327406B1 (en) | 1988-02-05 | 1989-02-06 | Plasma processing method and apparatus for the deposition of thin films |
| US07/522,129 US4987004A (en) | 1988-02-05 | 1990-05-11 | Plasma processing method and apparatus |
| US07/606,185 US5256483A (en) | 1988-02-05 | 1990-10-31 | Plasma processing method and apparatus |
| US07/863,543 US5283087A (en) | 1988-02-05 | 1992-04-06 | Plasma processing method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63255489A JPH02101744A (en) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | Plasma reaction process |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family
ID=17279468
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|---|---|---|---|
| JP63255489A Pending JPH02101744A (en) | 1988-02-05 | 1988-10-11 | Plasma reaction process |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02101744A (en) |
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- 1988-10-11 JP JP63255489A patent/JPH02101744A/en active Pending
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