JPH01309341A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01309341A JPH01309341A JP63141197A JP14119788A JPH01309341A JP H01309341 A JPH01309341 A JP H01309341A JP 63141197 A JP63141197 A JP 63141197A JP 14119788 A JP14119788 A JP 14119788A JP H01309341 A JPH01309341 A JP H01309341A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にフィルム
キャリヤ方式による半導体装置の製造方法に関する。
キャリヤ方式による半導体装置の製造方法に関する。
従来のフィルムキャリヤ方式による半導体装置の製造方
法は、第４図（ａ）、（ｂ）に示すように、搬送及び位
置決め用のスプロケットホール１ａと、半導体チップ２
ａが入る開孔部であるデバイスホール３ａを有するポリ
イミド等の絶縁フィルム上に銅等の金属箔を接着し、金
属箔をエツチング等により所望の形状のリード４ａと電
化選別のためのパッド５ａとを形成したフィルムキャリ
ヤテープ６ａと、あらかじめ電極端子上に金属突起物で
あるバンプ７ａを設けた半導体チップ２ａとを準備し、
次にフィルムキャリヤテープのリード４ａと半導体チッ
プのバンブ７ａとを熱圧着法または共晶法等によりイン
ナーリードボンデインクし、フィルムキャリヤテープの
状態で電気選別用パッド５ａ上に接触子を接触させて電
気選別やバイアス試験を実施することにより完成する。
法は、第４図（ａ）、（ｂ）に示すように、搬送及び位
置決め用のスプロケットホール１ａと、半導体チップ２
ａが入る開孔部であるデバイスホール３ａを有するポリ
イミド等の絶縁フィルム上に銅等の金属箔を接着し、金
属箔をエツチング等により所望の形状のリード４ａと電
化選別のためのパッド５ａとを形成したフィルムキャリ
ヤテープ６ａと、あらかじめ電極端子上に金属突起物で
あるバンプ７ａを設けた半導体チップ２ａとを準備し、
次にフィルムキャリヤテープのリード４ａと半導体チッ
プのバンブ７ａとを熱圧着法または共晶法等によりイン
ナーリードボンデインクし、フィルムキャリヤテープの
状態で電気選別用パッド５ａ上に接触子を接触させて電
気選別やバイアス試験を実施することにより完成する。
ここで、リード４ａの変形防止用として絶縁フィルムの
枠であるサスペンダー８ａをあらかじめフィルムキャリ
ヤテープに設けることや信頼性向上及び機械的保護のた
め第５図に示すように樹脂９ａをボッティングして樹脂
封止を行なう場合もある。
枠であるサスペンダー８ａをあらかじめフィルムキャリ
ヤテープに設けることや信頼性向上及び機械的保護のた
め第５図に示すように樹脂９ａをボッティングして樹脂
封止を行なう場合もある。
上記のようなフィルムキャリヤ方式の半導体装置を実装
する場合は、リード４ａを所望の長さに切断し、ついで
第６図に示すように、例えばプリント基板１１ａ上に接
着剤１０ａにより半導体チップ２ａを固着後、リード４
ａをプリント基板上のポンディングパッド１２ａにアウ
ターリードボンディングして実施することができる。
する場合は、リード４ａを所望の長さに切断し、ついで
第６図に示すように、例えばプリント基板１１ａ上に接
着剤１０ａにより半導体チップ２ａを固着後、リード４
ａをプリント基板上のポンディングパッド１２ａにアウ
ターリードボンディングして実施することができる。
これらのフィルムキャリヤ方式の半導体装置は、ボンデ
ィングがリード数と無関係に一度で可能であるためスピ
ードが速いこと、フィルムキャリヤテープを使用するた
め作業の自動化が容易である等の利点を有している。
ィングがリード数と無関係に一度で可能であるためスピ
ードが速いこと、フィルムキャリヤテープを使用するた
め作業の自動化が容易である等の利点を有している。
上述した従来のフィルムキャリヤ半導体装置は、フィル
ムキャリヤテープのリードがその構造−上片持ち状態に
なっているので、リード補強用のサスペンダーを設けた
場合においてもリードの変形は避けられない。また、イ
ンナーリードボンディング後においても、一般にフィル
ムキャリヤテープのインナーリード部分は３５μｍ厚で
５０〜１５０μｍ幅の銅であるため機械的強度が弱く、
取扱いが難しいという欠点があった。これを防止するた
め、樹脂封止を行なう場合があるが、リード部分は中空
状態にあるため、液状樹脂をボッティングする樹脂封止
においては、ボンティング量の制御が困難であるという
欠点もあった。
ムキャリヤテープのリードがその構造−上片持ち状態に
なっているので、リード補強用のサスペンダーを設けた
場合においてもリードの変形は避けられない。また、イ
ンナーリードボンディング後においても、一般にフィル
ムキャリヤテープのインナーリード部分は３５μｍ厚で
５０〜１５０μｍ幅の銅であるため機械的強度が弱く、
取扱いが難しいという欠点があった。これを防止するた
め、樹脂封止を行なう場合があるが、リード部分は中空
状態にあるため、液状樹脂をボッティングする樹脂封止
においては、ボンティング量の制御が困難であるという
欠点もあった。
本発明の半導体装置の製造方法は、耐熱性樹脂からなる
絶縁フィルム上に所望の形状のリード及び電気選別用パ
ッドを有し、かつスプロケットホールと前記リード先端
の内側に樹脂封止用の孔とを少なくとも有するフィルム
キャリヤテープを準備する工程と、あらかじめ電極端子
上にバンブを形成した半導体チップを準備する工程と、
前記フィルムキャリヤテープのリードと前記半導体チッ
プのバンブとをボンディングする工程と、前記フィルム
キャリヤテープの樹脂封止用の孔に樹脂を滴下して樹脂
封止する工程と、前記フィルムキャリヤテープの電気選
別用パッドに接触子を接触させて電気選別を実施する工
程とを含んで構成される。
絶縁フィルム上に所望の形状のリード及び電気選別用パ
ッドを有し、かつスプロケットホールと前記リード先端
の内側に樹脂封止用の孔とを少なくとも有するフィルム
キャリヤテープを準備する工程と、あらかじめ電極端子
上にバンブを形成した半導体チップを準備する工程と、
前記フィルムキャリヤテープのリードと前記半導体チッ
プのバンブとをボンディングする工程と、前記フィルム
キャリヤテープの樹脂封止用の孔に樹脂を滴下して樹脂
封止する工程と、前記フィルムキャリヤテープの電気選
別用パッドに接触子を接触させて電気選別を実施する工
程とを含んで構成される。
前記フィルムキャリヤテープは、絶縁フィルム上に無電
解法又は蒸着法により銅等の金属層を形成する工程と、
プレス法によりスプロケットホールと樹脂封止用の孔と
を形成する工程と、エツチング法により所望の形状のリ
ードと電気選別用パッドとを形成する工程とを含む製造
法により製造される。
解法又は蒸着法により銅等の金属層を形成する工程と、
プレス法によりスプロケットホールと樹脂封止用の孔と
を形成する工程と、エツチング法により所望の形状のリ
ードと電気選別用パッドとを形成する工程とを含む製造
法により製造される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例により製造され
た半導体装置の平面図及びＡ−Ａ′線断面図である。
た半導体装置の平面図及びＡ−Ａ′線断面図である。
フィルムキャリヤテープ６ｂには、搬送及び位置決め用
の孔であるスプロケットホール１ｂと、所望の形状のリ
ード４ｂ及び電気選別パッド５ｂと、樹脂封止用の孔１
３ｂが設けられている。ここで、リ−４ｂ及び選別用パ
ッド５ｂは片持ち状態になることなくフィルムキャリヤ
テープ上に設けられ、樹脂封止用の孔はリード先端°の
内側に設けられている。半導体チップ２ｂはバンプ７ｂ
を有し、このバンプ７ｂはり一ド４ｂとボ〉′ディング
され、少なくとも半導体チップ表面か被覆されるように
樹脂９ｂにより封止されている。
の孔であるスプロケットホール１ｂと、所望の形状のリ
ード４ｂ及び電気選別パッド５ｂと、樹脂封止用の孔１
３ｂが設けられている。ここで、リ−４ｂ及び選別用パ
ッド５ｂは片持ち状態になることなくフィルムキャリヤ
テープ上に設けられ、樹脂封止用の孔はリード先端°の
内側に設けられている。半導体チップ２ｂはバンプ７ｂ
を有し、このバンプ７ｂはり一ド４ｂとボ〉′ディング
され、少なくとも半導体チップ表面か被覆されるように
樹脂９ｂにより封止されている。
以上に示したフィルムキャリヤ方式の半導体装置の製造
方法を以下に図面を用いて説明する。
方法を以下に図面を用いて説明する。
第２図（ａ）、（ｂ）は第１の実施例を説明するための
フィルムキャリヤテープの平面図及びＢ−Ｂ’線断面図
である。
フィルムキャリヤテープの平面図及びＢ−Ｂ’線断面図
である。
スプロケットホール１ｂ、リード４ｂ、電気還開用パッ
ド５ｂ及び樹脂封止用の孔１３ｂとを少なくとも有する
フィルムキャリヤテープ６ｂを準備する。ここで、リー
ド４ｂは、フィルムキャリヤテープに設けられた孔に突
出することなく、テープ上にあり、樹脂封止用の孔１２
ｂはリード４ｂの先端の内側に設けられている。また、
リード４ｂにはボンディング性を向上させるために、金
、錫又は半田等のめっきを行なう。
ド５ｂ及び樹脂封止用の孔１３ｂとを少なくとも有する
フィルムキャリヤテープ６ｂを準備する。ここで、リー
ド４ｂは、フィルムキャリヤテープに設けられた孔に突
出することなく、テープ上にあり、樹脂封止用の孔１２
ｂはリード４ｂの先端の内側に設けられている。また、
リード４ｂにはボンディング性を向上させるために、金
、錫又は半田等のめっきを行なう。
このフィルムキャリヤテープの製造方法は次の通りであ
る。まず、インナーリード及びアウターリードボンディ
ング温度に耐える耐熱性の樹脂フィルムを準備し、次に
無電解めっき法又は蒸着法等により銅等の金属層を形成
し、必要に応じて電解めっき法等により銅等の金属層の
厚さを増加させた２層からなるベースフィルムを作製す
る。
る。まず、インナーリード及びアウターリードボンディ
ング温度に耐える耐熱性の樹脂フィルムを準備し、次に
無電解めっき法又は蒸着法等により銅等の金属層を形成
し、必要に応じて電解めっき法等により銅等の金属層の
厚さを増加させた２層からなるベースフィルムを作製す
る。
ここで、耐熱性の樹脂フィルムとしては、ボンディング
温度が２５０〜４５０°Ｃであることからポリイミド系
の樹脂が適当であり、熱伝導を良くするために１００μ
ｍ以下の厚さが適当である。
温度が２５０〜４５０°Ｃであることからポリイミド系
の樹脂が適当であり、熱伝導を良くするために１００μ
ｍ以下の厚さが適当である。
次に、ベースフィルムにプレスによるパンチング法によ
りスプロケットホール１ｂ及び樹脂封止用の孔１３ｂと
を形成して、次いでエツチング法により所望の形状のリ
ード４ｂ及び選別用パッド５ｂを形成後、金、！ｊ％又
は半田等のめっきを施してフィルムキャリヤテープを完
成させる。
りスプロケットホール１ｂ及び樹脂封止用の孔１３ｂと
を形成して、次いでエツチング法により所望の形状のリ
ード４ｂ及び選別用パッド５ｂを形成後、金、！ｊ％又
は半田等のめっきを施してフィルムキャリヤテープを完
成させる。
これらフィルムキャリヤテープの製造方法は、従来の絶
縁フィルムと金属箔からなる２層テープの製造方法と比
較して、従来の２層フィルムキャリヤテープがリード等
の金属箔のエツチングの他、スプロケットホール及びリ
ードが突出するための孔であるデバイスホールをも樹脂
フィルムをエツチングして形成しているのに対し、本発
明によるフィルムキャリヤテープはスプロケットホール
等の孔をプレスによるパンチング法により実施可能なた
め、安価でかつ精度良く製造できる利点がある。
縁フィルムと金属箔からなる２層テープの製造方法と比
較して、従来の２層フィルムキャリヤテープがリード等
の金属箔のエツチングの他、スプロケットホール及びリ
ードが突出するための孔であるデバイスホールをも樹脂
フィルムをエツチングして形成しているのに対し、本発
明によるフィルムキャリヤテープはスプロケットホール
等の孔をプレスによるパンチング法により実施可能なた
め、安価でかつ精度良く製造できる利点がある。
次に、第１図（ａ）に示すように、フィルムキャリヤテ
ープのリード４ｂと半導体チップ２ｂ上に設けられたバ
ンプ７ｂとを熱圧着法、共晶法又は溶融法等によりイン
ナーリードボンデインク。
ープのリード４ｂと半導体チップ２ｂ上に設けられたバ
ンプ７ｂとを熱圧着法、共晶法又は溶融法等によりイン
ナーリードボンデインク。
する。ボンディングは、バンプとリードとを位置合わせ
後、フィルム側から加熱したツールを押し当てること等
により実施できる。
後、フィルム側から加熱したツールを押し当てること等
により実施できる。
次いで、第１図（ｂ）に示すように、フィルムキャリヤ
テープに設けられた樹脂封止用の孔１３ｂに液状のエポ
キシ又はシリコン等からなる封止樹脂を滴下することに
より樹脂封止後、電気ｊ■別用パッドに接触子を接触さ
せて電気選別及びバイアス試験等を実施して本発明によ
るフィルムキャリヤ半導体装置が完成・する。
テープに設けられた樹脂封止用の孔１３ｂに液状のエポ
キシ又はシリコン等からなる封止樹脂を滴下することに
より樹脂封止後、電気ｊ■別用パッドに接触子を接触さ
せて電気選別及びバイアス試験等を実施して本発明によ
るフィルムキャリヤ半導体装置が完成・する。
なお、樹脂封止について、樹脂封止用の孔を設けずに、
半導体チップ２ｂの裏面から樹脂を滴下して半導体チッ
プ全体を封止することでも実施てきるが、全体厚を薄型
化するには上記方法か適当で−ある。
半導体チップ２ｂの裏面から樹脂を滴下して半導体チッ
プ全体を封止することでも実施てきるが、全体厚を薄型
化するには上記方法か適当で−ある。
また、上記実施例では耐熱樹脂フィルムと金属箔からな
る２層のフィルムキャリヤテープを使用したが、金属箔
を接着剤により樹脂フィルムに接着した３層のフィルム
キャリヤテープを使用しても実施可能である。しかし、
一般に接着剤の耐熱性が十分でないなめ、この場合はボ
ンディング温度が低い半田溶融法等によりボンディング
することが必要である。
る２層のフィルムキャリヤテープを使用したが、金属箔
を接着剤により樹脂フィルムに接着した３層のフィルム
キャリヤテープを使用しても実施可能である。しかし、
一般に接着剤の耐熱性が十分でないなめ、この場合はボ
ンディング温度が低い半田溶融法等によりボンディング
することが必要である。
第３図（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例を説明す
るための平面図及びｃ−ｃ′線断面図である。
るための平面図及びｃ−ｃ′線断面図である。
フィルムキャリヤテープ６１）には、第１の実施例と同
様に、スプロケットホール１ｂと所望の形状のり−ド４
ｂ及び電気遼別用パッド５ｂと（つ］脂封止用の孔１２
ｂとが設けられ、さらにアウターリードボンディング用
の孔１４ト）か追加されている。半導体チップ２ｂは、
バンプ７ｂを介してリード４ｂとボンディングされ、少
なくとも半導体チップ表面が被覆されるように樹脂９ｂ
により封止されている。
様に、スプロケットホール１ｂと所望の形状のり−ド４
ｂ及び電気遼別用パッド５ｂと（つ］脂封止用の孔１２
ｂとが設けられ、さらにアウターリードボンディング用
の孔１４ト）か追加されている。半導体チップ２ｂは、
バンプ７ｂを介してリード４ｂとボンディングされ、少
なくとも半導体チップ表面が被覆されるように樹脂９ｂ
により封止されている。
この第２の実施例のフィルムキャリヤ方式の半導体装置
も第１の実施例と同様に製造することができるが、フィ
ルムキャリヤテープにアウターリードボンディング用の
孔１４ｂを追加するなめ孔についてはエツチング法によ
り形成する必要がある。この実施例では、アウターリー
ドボンディング用の孔が追加されているなめ、半導体装
置をプリント基板等に実装する場合に比較的容易であり
、またフェイスアップ及びフェイスダウンの両方が可能
であるという利点がある。リード部に絶縁フィルムが無
いことにより従来のフィルムキャリヤー半導体装置と同
様に、リード成形についても容易に実施できるという利
点がある。
も第１の実施例と同様に製造することができるが、フィ
ルムキャリヤテープにアウターリードボンディング用の
孔１４ｂを追加するなめ孔についてはエツチング法によ
り形成する必要がある。この実施例では、アウターリー
ドボンディング用の孔が追加されているなめ、半導体装
置をプリント基板等に実装する場合に比較的容易であり
、またフェイスアップ及びフェイスダウンの両方が可能
であるという利点がある。リード部に絶縁フィルムが無
いことにより従来のフィルムキャリヤー半導体装置と同
様に、リード成形についても容易に実施できるという利
点がある。
以上説明したように、本発明は、リードをフィルムキャ
リヤテープ上に設け、片持ち状態にしないことによりリ
ード変形等の不良を皆無にでき、また、リード先端の内
側に設けられた樹脂封止用の孔に樹脂を滴下することで
樹脂封止することにより薄型の半導体装置を安定した寸
法精度で製造することができる効果がある。さらに、本
発明によるフィルムキャリヤテープは、スプロケットホ
ールと樹脂封止用の孔をプレス法で形成することにより
従来の２層フィルムキャリヤテープと比叙して、安価で
かつ精度良く製造できる効果がある。
リヤテープ上に設け、片持ち状態にしないことによりリ
ード変形等の不良を皆無にでき、また、リード先端の内
側に設けられた樹脂封止用の孔に樹脂を滴下することで
樹脂封止することにより薄型の半導体装置を安定した寸
法精度で製造することができる効果がある。さらに、本
発明によるフィルムキャリヤテープは、スプロケットホ
ールと樹脂封止用の孔をプレス法で形成することにより
従来の２層フィルムキャリヤテープと比叙して、安価で
かつ精度良く製造できる効果がある。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例により製造され
た半導体装置の平面図及びＡ−Ａ’線断面図、第２図（
ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明するための
フィルムキャリヤテープの平面図及びＢ−Ｂ’線断面図
、第３図（ａ）。 （ｂ）は本発明の第２の実施例を説明するための平面図
及びｃ−ｃ’線断面図、第４図（ａ〉。 （ｂ）は従来のフィルムキャリヤテープ方式半導体装置
の一例の平面図及びＤ−Ｄ’線断面図、第５図及び第６
図は従来のフィルムキャリヤテープ方式半導体装置の他
の例の断面図である。 ｌａ、１ｂ−−・スプロケットホール、２ａ、２ｂ・・
・半導体チップ、３ａ・・・デバイスホール、４ａ。 ４ｂ・・・リード、５ａ、５ｂ・・・選別用パッド、６
ａ、６ｂ・・・フィルムキャリヤテープ、７ａ、７ｂ・
・・バンブ、８ａ・・・サスペンダー、９ａ、９ｂ・・
・樹脂、１０ａ、１０ｂ・・・接着剤、］ １ ａ、
１ ｌ ｂ−プリント基板、１２ａ・・・ポンディング
パッド、１３ｂ・・・樹脂封止用の孔、１４ｂ・・・ア
ウターワードボンディング用の孔。 Ｍノ 霞 箭乙圀 第３図 ７Ｚレノ１、ンノ゛ 箒４図 消乙図
た半導体装置の平面図及びＡ−Ａ’線断面図、第２図（
ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明するための
フィルムキャリヤテープの平面図及びＢ−Ｂ’線断面図
、第３図（ａ）。 （ｂ）は本発明の第２の実施例を説明するための平面図
及びｃ−ｃ’線断面図、第４図（ａ〉。 （ｂ）は従来のフィルムキャリヤテープ方式半導体装置
の一例の平面図及びＤ−Ｄ’線断面図、第５図及び第６
図は従来のフィルムキャリヤテープ方式半導体装置の他
の例の断面図である。 ｌａ、１ｂ−−・スプロケットホール、２ａ、２ｂ・・
・半導体チップ、３ａ・・・デバイスホール、４ａ。 ４ｂ・・・リード、５ａ、５ｂ・・・選別用パッド、６
ａ、６ｂ・・・フィルムキャリヤテープ、７ａ、７ｂ・
・・バンブ、８ａ・・・サスペンダー、９ａ、９ｂ・・
・樹脂、１０ａ、１０ｂ・・・接着剤、］ １ ａ、
１ ｌ ｂ−プリント基板、１２ａ・・・ポンディング
パッド、１３ｂ・・・樹脂封止用の孔、１４ｂ・・・ア
ウターワードボンディング用の孔。 Ｍノ 霞 箭乙圀 第３図 ７Ｚレノ１、ンノ゛ 箒４図 消乙図
Claims (1)
- 耐熱性樹脂からなる絶縁フィルム上に所望の形状のリ
ード及び電気選別用パッドを有し、かつ搬送及び位置決
め用の孔と前記リード先端の内側に樹脂封止用の孔とを
少なくとも有するフィルムキャリヤテープを準備する工
程と、あらかじめ電極端子上に金属突起物を形成した半
導体チップを準備する工程と、前記フィルムキャリヤテ
ープのリードと前記半導体チップの金属突起物とをボン
ディングする工程と、前記フィルムキャリヤテープの樹
脂封止用の孔に樹脂を滴下して少なくとも半導体チップ
表面を樹脂封止する工程と、前記フィルムキャリヤテー
プの電気選別用パッドに接触子を接触させて電気選別を
実施する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63141197A JPH01309341A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63141197A JPH01309341A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01309341A true JPH01309341A (ja) | 1989-12-13 |
Family
ID=15286411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63141197A Pending JPH01309341A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01309341A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03293739A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-25 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPH07226418A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-08-22 | Nec Corp | チップキャリア半導体装置及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57187955A (en) * | 1981-05-14 | 1982-11-18 | Nitto Electric Ind Co Ltd | Sealing structure of semiconductor element |
-
1988
- 1988-06-07 JP JP63141197A patent/JPH01309341A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57187955A (en) * | 1981-05-14 | 1982-11-18 | Nitto Electric Ind Co Ltd | Sealing structure of semiconductor element |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03293739A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-25 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPH07226418A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-08-22 | Nec Corp | チップキャリア半導体装置及びその製造方法 |
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