JPH01279436A - 光メモリー素子用ガラス基板、光メモリー素子および光メモリー素子用記録再生システム - Google Patents
光メモリー素子用ガラス基板、光メモリー素子および光メモリー素子用記録再生システムInfo
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- JPH01279436A JPH01279436A JP63109151A JP10915188A JPH01279436A JP H01279436 A JPH01279436 A JP H01279436A JP 63109151 A JP63109151 A JP 63109151A JP 10915188 A JP10915188 A JP 10915188A JP H01279436 A JPH01279436 A JP H01279436A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光メモリー素子用ガラス基板、光メモリー素子
および光メモリー素子記録＋１生システムに関するもの
である。
および光メモリー素子記録＋１生システムに関するもの
である。
［従来の技術］
従来、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂基板上にトラッキ
ングサーボ用やプリフォーマット信じのためのプリピッ
トを形成した光メモリー素工やガラス基板上にトラッキ
ング用ガイド溝及びプリピットを形成した光ディスクお
よび光磁気ディスクで代表される光メモリー素子が提案
されている。
ングサーボ用やプリフォーマット信じのためのプリピッ
トを形成した光メモリー素工やガラス基板上にトラッキ
ング用ガイド溝及びプリピットを形成した光ディスクお
よび光磁気ディスクで代表される光メモリー素子が提案
されている。
しかし、ＰＣ基板にトラッキングピットやプリフォーマ
ットピットを形成したサンプルサーボ方式光メモリー素
子は、射出成型法で作製した基板を用いるため、ピット
の断面形状や平面形状が左右不均一であったり、ピット
の周辺部の形状が不鮮明であるため、プリフォーマット
信号として両生された光信号パルスの波形が歪むという
欠点を０していた。
ットピットを形成したサンプルサーボ方式光メモリー素
子は、射出成型法で作製した基板を用いるため、ピット
の断面形状や平面形状が左右不均一であったり、ピット
の周辺部の形状が不鮮明であるため、プリフォーマット
信号として両生された光信号パルスの波形が歪むという
欠点を０していた。
また、ガラス基板にガイド溝及びプリピットを形成した
光メモリー素子は、データ記録部に必ずガイド７Ｊηが
存在するため、記録信号の７１７生時にガイド溝の影響
を受け、 Ｃ／Ｎ比が低ドするという欠点を有していた
。
光メモリー素子は、データ記録部に必ずガイド７Ｊηが
存在するため、記録信号の７１７生時にガイド溝の影響
を受け、 Ｃ／Ｎ比が低ドするという欠点を有していた
。
［発明の解決しようとする課題］
本発明は従来のＰＣ基板が有する基板−Ｌに形成したプ
リピットが有している形状の不均一性や不明瞭性の改外
された光メモリー素子用ガラス基板ならびにパルス長や
パルス高さのバラツキの少いプリフォーマット４ａ ’
ｊＪが得られる光メモリー素ｆを提供することを目的と
するものである。
リピットが有している形状の不均一性や不明瞭性の改外
された光メモリー素子用ガラス基板ならびにパルス長や
パルス高さのバラツキの少いプリフォーマット４ａ ’
ｊＪが得られる光メモリー素ｆを提供することを目的と
するものである。
また本発明は基板表面のキズ、異物、粗さが少ない光メ
モリー素子用ガラス基板ならびに記録１［）生信号のノ
イズ、エラーの少ない光メモリー素子を提供することを
目的とするものである。
モリー素子用ガラス基板ならびに記録１［）生信号のノ
イズ、エラーの少ない光メモリー素子を提供することを
目的とするものである。
また本発明は表面ノイズや欠陥の少い光メモリー素子用
ガラス基板を用いて記録ｉｆ￥生信号にガイドｔ１Ｍか
らの影響を受けないサンプルサーボ方式に適した光メモ
リー素子を提供することを［１的とするものである。
ガラス基板を用いて記録ｉｆ￥生信号にガイドｔ１Ｍか
らの影響を受けないサンプルサーボ方式に適した光メモ
リー素子を提供することを［１的とするものである。
［課題を解決するための手段］
本発明は、前述の課題を解決すべくなされたものであり
、透明ガラス基板からなり、該基板の少くとも一つの主
平面りにトラッキングサーボ及びプリフォーマット信号
゛を発生ずるためのピット列が形成され、該ピットの幅
が０．４〜０．７μｍの範囲にあり、かつ該ピットの深
さが７０〜２００ｎｍの範囲にあることを特徴とする光
メモリー素子用ガラス基板を提供するものである。
、透明ガラス基板からなり、該基板の少くとも一つの主
平面りにトラッキングサーボ及びプリフォーマット信号
゛を発生ずるためのピット列が形成され、該ピットの幅
が０．４〜０．７μｍの範囲にあり、かつ該ピットの深
さが７０〜２００ｎｍの範囲にあることを特徴とする光
メモリー素子用ガラス基板を提供するものである。
また本発明は、上記光メモリー素子用ガラス基板の少く
とも一つの主平面に記録膜を設けてなることを特徴とす
る光メモリー素子を提供するものである。
とも一つの主平面に記録膜を設けてなることを特徴とす
る光メモリー素子を提供するものである。
また本発明は、上記光メモリー素子、半導体レーザー光
学系、光検出部、信号処理部、前記光メモリー素子駆動
機構および制御機構とを備えてなることを特徴とする光
メモリー素子記録Ｉ［Ｉ生システムを提供するものであ
る。
学系、光検出部、信号処理部、前記光メモリー素子駆動
機構および制御機構とを備えてなることを特徴とする光
メモリー素子記録Ｉ［Ｉ生システムを提供するものであ
る。
本発明の光メモリー素子の代表として光ディスクおよび
光磁気ディスクを挙げることができる。以下本発明にお
いてはこれらを総称して光メモリー素子と言う。
光磁気ディスクを挙げることができる。以下本発明にお
いてはこれらを総称して光メモリー素子と言う。
本発明の光メモリー素子用ガラス基板（以下本発明のガ
ラス基板と言う）としては、ソーダライムシリカガラス
、硼珪酸ガラス、アルミノアルカリ硼珪酸ガラス、ノン
アルカリガラス、アルミノアルカリシリカガラス、ホワ
イトクラウンガラス、石英ガラス、低膨張ガラス等が使
用できる。これらのうち化学強化が容易でありまた所要
の強度が得られるとの理由で、ソーダライムシリカガラ
ス、アルミノアルカリ硼珪酸ガラス、アルミノアルカリ
シリカガラス、ホワイトクラウンガラス等の含アルカリ
ガラスな使用することができる。また本発明のガラス基
板上への記録膜の製膜を高温で行う必要がある場合には
所要の温度で変形の極めて小さい耐熱性の高いガラスを
選ぶことができる。
ラス基板と言う）としては、ソーダライムシリカガラス
、硼珪酸ガラス、アルミノアルカリ硼珪酸ガラス、ノン
アルカリガラス、アルミノアルカリシリカガラス、ホワ
イトクラウンガラス、石英ガラス、低膨張ガラス等が使
用できる。これらのうち化学強化が容易でありまた所要
の強度が得られるとの理由で、ソーダライムシリカガラ
ス、アルミノアルカリ硼珪酸ガラス、アルミノアルカリ
シリカガラス、ホワイトクラウンガラス等の含アルカリ
ガラスな使用することができる。また本発明のガラス基
板上への記録膜の製膜を高温で行う必要がある場合には
所要の温度で変形の極めて小さい耐熱性の高いガラスを
選ぶことができる。
ピットの幅が０．４μｍ未満の場合はアドレス情報が読
み出し難いことがあり、また０、７ＬＬｍを超えるとピ
ットの位置の読取が不正確になってクロックに狂いが生
じることがある。またピットの深さが７０ｎｍ未満ある
いは２００ｎｍを超えると、信号のレベルが下ってアド
レス情報の読取が必ずしも正確ではなくなる。
み出し難いことがあり、また０、７ＬＬｍを超えるとピ
ットの位置の読取が不正確になってクロックに狂いが生
じることがある。またピットの深さが７０ｎｍ未満ある
いは２００ｎｍを超えると、信号のレベルが下ってアド
レス情報の読取が必ずしも正確ではなくなる。
以下本発明の実施例に従って説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すｆ面図である。１はガ
ラス基板、２はつオブルドピット、３はクロックピット
、４（まプリフォーマットピット、５は仮想トラックを
示している。
ラス基板、２はつオブルドピット、３はクロックピット
、４（まプリフォーマットピット、５は仮想トラックを
示している。
第２図は本発明の実施例の斜視図である。
第３図は本発明におけるピットの断面図、第４図は本発
明の光メモリー素子の一実施例の断面図、また第５図は
本発明から得られたブリフォーマット信号である。６（
まつオブルトピットからのトラッキング信号、７はクロ
ックピットからのクロック信号、８はへラダーピットか
らのヘッダー信号列を示している。
明の光メモリー素子の一実施例の断面図、また第５図は
本発明から得られたブリフォーマット信号である。６（
まつオブルトピットからのトラッキング信号、７はクロ
ックピットからのクロック信号、８はへラダーピットか
らのヘッダー信号列を示している。
第６図は従来技術で作製したＰＣ基板上のプリピットの
断面図である。１０はＰＣ基板を示している。１１は一
方の側壁、１２は他方の側壁であり。
断面図である。１０はＰＣ基板を示している。１１は一
方の側壁、１２は他方の側壁であり。
非対称であることを示している。
第７図は第５図のＰＣ基板を用いて作成した光メモリー
素子より得られたプリフォーマット信号である。
素子より得られたプリフォーマット信号である。
第８図は従来技術で作製した、トラッキングガイド溝を
右するガラス基板を示している。１６はトラッキング用
ガイド溝を示している。
右するガラス基板を示している。１６はトラッキング用
ガイド溝を示している。
第９図は本発明及び従来技術で作製したディスクから得
られた再生信号のＣ／Ｎ比である。１７は本発明の光メ
モリー素子から得られた再生信号Ｃ／Ｎ比、１８はガイ
ド溝付きガラス基板を用いた光メモリー素子から得られ
た再生信号Ｃ／Ｎ比、１９はＰＣ基板を用いた光メモリ
ー素子から得られた１１ｊ生信ｓ；ｃ／Ｎ比を示してい
る。
られた再生信号のＣ／Ｎ比である。１７は本発明の光メ
モリー素子から得られた再生信号Ｃ／Ｎ比、１８はガイ
ド溝付きガラス基板を用いた光メモリー素子から得られ
た再生信号Ｃ／Ｎ比、１９はＰＣ基板を用いた光メモリ
ー素子から得られた１１ｊ生信ｓ；ｃ／Ｎ比を示してい
る。
［作用］
本発明において、ガラス基板を直接エツチングするＩｆ
により、断面形状の優れたプリピットが形成できるので
、優れたプリピットのｒｒ）生信号が得られる。
により、断面形状の優れたプリピットが形成できるので
、優れたプリピットのｒｒ）生信号が得られる。
本発明において、トラッキングサーボのためにガイトン
Ｍの代わりに、つオブルドピットを用いる事により、デ
ータ記録部は、ガイド溝がなくなり、ミラー面とする事
ができ、優れたデータ（り生信号及びＣ／Ｎ比が得られ
る。
Ｍの代わりに、つオブルドピットを用いる事により、デ
ータ記録部は、ガイド溝がなくなり、ミラー面とする事
ができ、優れたデータ（り生信号及びＣ／Ｎ比が得られ
る。
［実施例］
〈実施例〉
（１）円形加工されたガラス円板を酸等を用いてＴｒ１
密洗浄を行った。
密洗浄を行った。
（２）」二記載板上にポジ型フォトレジスト（ＡＺ−１
３５０：ヘキスト社）を回転塗布法にて均一に塗布した
。膜厚は約０．４μｍであった。塗布後９０℃、３０分
間ブリベーキングした。
３５０：ヘキスト社）を回転塗布法にて均一に塗布した
。膜厚は約０．４μｍであった。塗布後９０℃、３０分
間ブリベーキングした。
（３）上記フォトレジスト塗布基板に予めプリピットパ
ターンを形成したフォトマスクを密着させ、Ｕｖ光を上
記フォトマスクを通して全面に照射した。照射光量は約
１００ｍＪ／ｃｍ”であった。
ターンを形成したフォトマスクを密着させ、Ｕｖ光を上
記フォトマスクを通して全面に照射した。照射光量は約
１００ｍＪ／ｃｍ”であった。
（４）照射後の上記ガラス基板をスプレー式現像装置内
にセットし、アルカリ性現像液を噴霧し、上記フォトレ
ジストを現像した。
にセットし、アルカリ性現像液を噴霧し、上記フォトレ
ジストを現像した。
（５）現像済の」１記ガラス基板をＣＣｌ４ガスを用い
た反応性エツチング法にてエツチングした。
た反応性エツチング法にてエツチングした。
ガス圧１０Ｐａ、エツチングパワー２００Ｗ、エツチン
グ時間は ２．５分であった。
グ時間は ２．５分であった。
（６）エツチング終了後のガラス基板上に残ったフォト
レジストをレジスト剥離液で除去し、精密洗浄した。
レジストをレジスト剥離液で除去し、精密洗浄した。
（７）ガラス基板表面に形成されたピットの幅は０．６
μｍ、深さは １４０ ｎｍであった。
μｍ、深さは １４０ ｎｍであった。
（８）」−記ブリピット形成ずみガラス基板上にスパッ
タリング法にてＺｎＳ、ＴｂＦｅＣｏ、 ＺｎＳ膜を順
次大々 ０１μｍ 、０．０８μｍ、０．１ μｍ積層
した。
タリング法にてＺｎＳ、ＴｂＦｅＣｏ、 ＺｎＳ膜を順
次大々 ０１μｍ 、０．０８μｍ、０．１ μｍ積層
した。
（９）」−配光ディスクをプリフォーマットリーダーに
かけてプリピットの１ｊ生エラー率を調べたところ５
Ｘ １０−’であった。
かけてプリピットの１ｊ生エラー率を調べたところ５
Ｘ １０−’であった。
（１０）上記光ディスクに３．７ＭＩＩｚの信号を記録
「Ｉｆ生したときのエラー率は２ Ｘ １０−’であっ
た。
「Ｉｆ生したときのエラー率は２ Ｘ １０−’であっ
た。
（１１）上記光ディスクに３．７Ｍ１ｌｚの信号を記録
再生したときのＣ／Ｎ比は一５２ｄＢであった。
再生したときのＣ／Ｎ比は一５２ｄＢであった。
く比較例１〉
（１）精密研磨された円形状のガラス原盤−■−に所定
の厚さでフォトレジストを塗布した。
の厚さでフォトレジストを塗布した。
（２）上記原盤のフォトレジストに竹レーザービームを
照射しプリピットパターンを描画した。
照射しプリピットパターンを描画した。
（３）スプレー法により−に記フォトレジストを現像し
、プリピットパターンを得た。
、プリピットパターンを得た。
（４）上記フォトレジストのパターン上にＮｉ膜をスパ
ッタリング法で形成した後、電鋳法によりＮｉ厚膜を積
層した。
ッタリング法で形成した後、電鋳法によりＮｉ厚膜を積
層した。
（５１１記Ｎ１膜を原盤から２１１離し、洗浄した後裏
面を精密研磨し、Ｎｉスタンバ−を得た。
面を精密研磨し、Ｎｉスタンバ−を得た。
（（ｉｌ ｌ、−己Ｎ１スタンパ−を射出成型機の金
ｊν（にセットし２、ポリカーボネート（Ｉ’Ｃ）製の
ディスク基扱を成−リ４した。
ｊν（にセットし２、ポリカーボネート（Ｉ’Ｃ）製の
ディスク基扱を成−リ４した。
（７）１記の得られたＰＣ基板に形成されたピットの幅
は０．６μｍ、深さは１４０ｎｍであった。
は０．６μｍ、深さは１４０ｎｍであった。
（８）１−記ＰＣ基板−ににスパッタリング法にて、Ｚ
ｎＳ、ＴｂＦｅＣｏ、 ＺｎＳ膜を順次大々、０．１μ
ｍ。
ｎＳ、ＴｂＦｅＣｏ、 ＺｎＳ膜を順次大々、０．１μ
ｍ。
００８μｍ、０１μｍ積層した。
（９）１−配光ディスクをプリフォーマットリーダーに
かｉ−ｔて、プリピットの＋Ｉｊ生エラー率を調べた所
６ＸＩＯ−’であった。
かｉ−ｔて、プリピットの＋Ｉｊ生エラー率を調べた所
６ＸＩＯ−’であった。
（１０）上記光ディスクに３．７Ｍｌ１ｚの信すな記録
ＩＩ７生した時のエラー率は３ Ｘ Ｉｎ−８であった
。
ＩＩ７生した時のエラー率は３ Ｘ Ｉｎ−８であった
。
（１１１１＝記光デイスクに３．７＋ｌ１１１７．の信
号を記録出生したどきのＣ／’Ｎ比は−４６ｄ １３で
あった。
号を記録出生したどきのＣ／’Ｎ比は−４６ｄ １３で
あった。
く比較例２２
（１１円形加「されたガラス円板を酸等を用いて精密洗
浄した。
浄した。
（２）−Ｊ−、”、己入（根土（こポジ型フォトレジス
ト （ＡＺ−１３５０：ヘキスト社）を回転塗布法にて
均一に塗布した。膜厚は約０．４μｍであった。塗布後
９０℃、３０分間ブリベーキングした。
ト （ＡＺ−１３５０：ヘキスト社）を回転塗布法にて
均一に塗布した。膜厚は約０．４μｍであった。塗布後
９０℃、３０分間ブリベーキングした。
（３）」−記フオドレジスト塗布基板に予めガイドｊ＋
が及びプリピットパターンを形成したフォトマスクを密
着させ、Ｕｖ光を」１記フォトマスクを通して全面に照
射した。照射先頃は約１００ｍＪ／ｃｍ”であった。
が及びプリピットパターンを形成したフォトマスクを密
着させ、Ｕｖ光を」１記フォトマスクを通して全面に照
射した。照射先頃は約１００ｍＪ／ｃｍ”であった。
（４）照射後の上記ガラス基板をスプレー式現像装置内
にセットし、アルカリ性現像液を噴霧し、Ｌ記フォトレ
ジストを現像した。
にセットし、アルカリ性現像液を噴霧し、Ｌ記フォトレ
ジストを現像した。
（５）現像済の−１−記ガラス基板をＣＣＬガスを用い
た反応性エツチング法にてエツチングした。
た反応性エツチング法にてエツチングした。
ガス圧１ＯＰａ、エツチングパワー２００Ｗ、エツヂン
グ時間は２．５分であった。
グ時間は２．５分であった。
（６）エツチング終ｒ後のガラス基板−にに残ったフォ
トレジストをレジスト剥離液で除去し、精密洗浄した。
トレジストをレジスト剥離液で除去し、精密洗浄した。
（７）ガラス基板表面に形成されたガイドｔｌ′４の幅
は ０．６μｍ、ピットの幅は０．５μｍ、ガイド溝及
びプリピットの深さは７０ｎｍであった。
は ０．６μｍ、ピットの幅は０．５μｍ、ガイド溝及
びプリピットの深さは７０ｎｍであった。
（８）］−記ガイド溝及びプリピット形成ずみガラス基
板上にスパッタリング法にて ＺｎＳ。
板上にスパッタリング法にて ＺｎＳ。
ＴｂＦｃＣｏ、 ＺｎＳ膜を順次大々 ０．ｌメｉｍ
、 ０．０８ｇｍ、０．１ μｍ積層した。
、 ０．０８ｇｍ、０．１ μｍ積層した。
（９１１−、ｉ己光ディスクをプリフォーマットリーダ
ーにかけてプリピットの再生エラー率を調べた所２ Ｘ
１０−７であった。
ーにかけてプリピットの再生エラー率を調べた所２ Ｘ
１０−７であった。
（１０１１記光デイスクに３．７！Ｊｌｌｚの信号を記
録再生しｌ１ときのエラー率（ま５ＸＩＯ−’であった
。
録再生しｌ１ときのエラー率（ま５ＸＩＯ−’であった
。
（１１）上記光ディスクに３．７Ｍ１１７．の信号を記
録再生したときのＣ／Ｎ比は −４８ｄＢであった。
録再生したときのＣ／Ｎ比は −４８ｄＢであった。
実施例は比較例１に対してプリピット形状が優れている
ため、アドレス信号等のプリピット情最の読取り（ｒｌ
’ｉ生）エラーが少なく、且つデータ記録部の欠陥が少
ないため、データ記録１−１３生エラーも少ない。又、
表面粗さも優れているため再生信号のノイズが小さく、
Ｃ／Ｎ比も優れている。実施例は比較例２に比べて、ガ
イド溝がないため、プリピット読取りエラー、データ記
録内生エラーが少なく、データ記録両生信号のノイズが
少ないのでＣ／Ｎ比も優れている。
ため、アドレス信号等のプリピット情最の読取り（ｒｌ
’ｉ生）エラーが少なく、且つデータ記録部の欠陥が少
ないため、データ記録１−１３生エラーも少ない。又、
表面粗さも優れているため再生信号のノイズが小さく、
Ｃ／Ｎ比も優れている。実施例は比較例２に比べて、ガ
イド溝がないため、プリピット読取りエラー、データ記
録内生エラーが少なく、データ記録両生信号のノイズが
少ないのでＣ／Ｎ比も優れている。
［発明の効果］
本発明の光メモリー素子用ガラス基板を用いた光メモリ
ー素子は、ＰＣ基板を用いたものに比べて優れたプリピ
ットｉｌＴ生信号を得ることができ、また非常に低いプ
リピット１［ｉ生エラー率を得ることができる。
ー素子は、ＰＣ基板を用いたものに比べて優れたプリピ
ットｉｌＴ生信号を得ることができ、また非常に低いプ
リピット１［ｉ生エラー率を得ることができる。
また本発明の光メモリー素子は記録データの再生信号に
おいて非常に高いＣ／Ｎ比と非常に低いピットエラー率
を得ることができる。
おいて非常に高いＣ／Ｎ比と非常に低いピットエラー率
を得ることができる。
また本発明の光メモリー素ｒは基板としてガイド溝の代
わりにつオブルドプリピットを設けたガラス基板を用い
ることにより記録データ部をミラー面とすることが可能
となり、データ両生信号において優れたＣ／Ｎ比と低い
ピットエラー率が得られる。
わりにつオブルドプリピットを設けたガラス基板を用い
ることにより記録データ部をミラー面とすることが可能
となり、データ両生信号において優れたＣ／Ｎ比と低い
ピットエラー率が得られる。
従ってまた本発明の光メモリー素子に加えて半導体レー
ザー光学系、光検出部、信シＪ処理部、前記光メモリー
素子駆動機構および制御機構とを備えてなる光メモリー
素子記録両生システムは、上記した数々の利点をもつも
のである。
ザー光学系、光検出部、信シＪ処理部、前記光メモリー
素子駆動機構および制御機構とを備えてなる光メモリー
素子記録両生システムは、上記した数々の利点をもつも
のである。
第１図は本発明の一実施例の平面図であり、第２図は第
１図の拡大斜視図、第３図は第２図のピットの拡大断面
図、第４図は本発明の光メモリー素子の一実施例の断面
図、また第５図は本発明により得られたプリピットの＋
ＴｉＴｉ形である。 第（３図は従来例の拡大断面図、第７図は第５図に示し
た従来例より得られた信号波形図、また第８図は従来例
の拡大斜視図である。また第９図は本発明及び従来例の
光ディスクから得られたデータ再生信号のＣ／Ｎ比の図
である。 １・・・ガラス基板、 ２・・・つオブルドピット、３
・・・クロックピット、 ４・・・プリフォーマットピット、 ５・・・仮想トラック、 ６．１３・・・トラッキングパルス、 ７．１４・・・クロ・ンクパルス、 ８．１５・・・プリフォーマット伝り列、１０・・・Ｐ
Ｃ基板、 Ｉ＋、＋２・・・側壁、１６−・・ガ
イドｔ１１４、 ２１．２３−７．ｎＳ膜、２２・Ｔ
ｂＦｃＣｏ膜。 ｚ−゛・ 千 ／１ｚ め ２ １”ｌ 第 、＋ｊ４ 暑） う Ｇ］ 鴇 ５１岡 第 Ｌ 口 ＼１０ 毛 ７ 回
１図の拡大斜視図、第３図は第２図のピットの拡大断面
図、第４図は本発明の光メモリー素子の一実施例の断面
図、また第５図は本発明により得られたプリピットの＋
ＴｉＴｉ形である。 第（３図は従来例の拡大断面図、第７図は第５図に示し
た従来例より得られた信号波形図、また第８図は従来例
の拡大斜視図である。また第９図は本発明及び従来例の
光ディスクから得られたデータ再生信号のＣ／Ｎ比の図
である。 １・・・ガラス基板、 ２・・・つオブルドピット、３
・・・クロックピット、 ４・・・プリフォーマットピット、 ５・・・仮想トラック、 ６．１３・・・トラッキングパルス、 ７．１４・・・クロ・ンクパルス、 ８．１５・・・プリフォーマット伝り列、１０・・・Ｐ
Ｃ基板、 Ｉ＋、＋２・・・側壁、１６−・・ガ
イドｔ１１４、 ２１．２３−７．ｎＳ膜、２２・Ｔ
ｂＦｃＣｏ膜。 ｚ−゛・ 千 ／１ｚ め ２ １”ｌ 第 、＋ｊ４ 暑） う Ｇ］ 鴇 ５１岡 第 Ｌ 口 ＼１０ 毛 ７ 回
Claims (3)
- （１）透明ガラス基板からなり、該基板の少くとも一つ
の主平面上にトラッキングサーボ及びプリフォーマット
信号を発生するためのピット列が形成され、該ピットの
幅が０．４〜０．７μｍの範囲にあり、かつ該ピットの
深さが ７０〜２００ｎｍの範囲にあることを特徴とする光メモ
リー素子用ガラス基板。 - （２）請求項１記載の光メモリー素子用ガラス基板の少
くとも一つの主平面に記録膜を設けてなることを特徴と
する光メモリー素子。 - （３）請求項２記載の光メモリー素子、半導体レーザー
光学系、光検出部、信号処理部、前記光メモリー素子駆
動機構および制御機構とを備えてなることを特徴とする
光メモリー素子記録再生システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63109151A JPH01279436A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 光メモリー素子用ガラス基板、光メモリー素子および光メモリー素子用記録再生システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63109151A JPH01279436A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 光メモリー素子用ガラス基板、光メモリー素子および光メモリー素子用記録再生システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01279436A true JPH01279436A (ja) | 1989-11-09 |
Family
ID=14502917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63109151A Pending JPH01279436A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 光メモリー素子用ガラス基板、光メモリー素子および光メモリー素子用記録再生システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01279436A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6151631A (ja) * | 1984-08-20 | 1986-03-14 | Sharp Corp | 光磁気メモリ素子 |
| JPS6275952A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-07 | Sharp Corp | 光メモリ素子の製造方法 |
-
1988
- 1988-05-06 JP JP63109151A patent/JPH01279436A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6151631A (ja) * | 1984-08-20 | 1986-03-14 | Sharp Corp | 光磁気メモリ素子 |
| JPS6275952A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-07 | Sharp Corp | 光メモリ素子の製造方法 |
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