JPH01251653A - 半導体装置用パッケージ - Google Patents
半導体装置用パッケージInfo
- Publication number
- JPH01251653A JPH01251653A JP63079462A JP7946288A JPH01251653A JP H01251653 A JPH01251653 A JP H01251653A JP 63079462 A JP63079462 A JP 63079462A JP 7946288 A JP7946288 A JP 7946288A JP H01251653 A JPH01251653 A JP H01251653A
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- JP
- Japan
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- package
- substratum
- fixed
- base
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用パッケージに関する。
従来の半導体装置用パッケージは複数の半導体素子を固
着する場合に、一つのパッケージ台座部に全ての半導体
素子を固着していた。
着する場合に、一つのパッケージ台座部に全ての半導体
素子を固着していた。
第５図は従来の半導体装置用パッケージを用いた半導体
装置の断面図の一例であり、パッケージ台座部５０上に
ＣＣＤ撮像素子４とトランジスタチップ５とが固着され
ている。ここで、トランジスタチップＳは金シリコンで
パッケージ台座部５０上に固着されているものである。
装置の断面図の一例であり、パッケージ台座部５０上に
ＣＣＤ撮像素子４とトランジスタチップ５とが固着され
ている。ここで、トランジスタチップＳは金シリコンで
パッケージ台座部５０上に固着されているものである。
ところで、このトランジスタチップ５が破壊されたなど
の理由で交換する場合、パッケージ台座部５０を金シリ
コンの融解温度３７０°Ｃ以上に熱するため、該パッケ
ージ台座部５０に固着されたＣＣＤ撮像素子に悪影響が
生ずる。
の理由で交換する場合、パッケージ台座部５０を金シリ
コンの融解温度３７０°Ｃ以上に熱するため、該パッケ
ージ台座部５０に固着されたＣＣＤ撮像素子に悪影響が
生ずる。
このように、複数の半導体素子を半導体装置用パッケー
ジに固着する場合、従来のように一つのパッケージの台
座部に全ての半導体素子を固着すると、一部の半導体素
子に不良があった場合、又は固着後に不良を生じた場合
に、正常な半導体素子に悪影響を及ぼさずに不良を生じ
た半導体素子だけを剥離し交換することが困難であり、
特に正常な半導体素子が貴重である場合に不良半導体素
子の交換をできないことによる損害が大きいという問題
点があった。
ジに固着する場合、従来のように一つのパッケージの台
座部に全ての半導体素子を固着すると、一部の半導体素
子に不良があった場合、又は固着後に不良を生じた場合
に、正常な半導体素子に悪影響を及ぼさずに不良を生じ
た半導体素子だけを剥離し交換することが困難であり、
特に正常な半導体素子が貴重である場合に不良半導体素
子の交換をできないことによる損害が大きいという問題
点があった。
この問題をさらに具体的に述べると以下のとおりである
。すなわち、 ＣＣＤ撮像素子の画素数の増加に伴って
出力信号のデータレ−１〜は高くなる。
。すなわち、 ＣＣＤ撮像素子の画素数の増加に伴って
出力信号のデータレ−１〜は高くなる。
そこで出力部アンプに対する負荷容量を低減し、ＣＣＤ
撮像素子の出力部アンプの高帯域化を図るために、従来
はＣＣＤ撮像素子に外付けしていたエミッタフォロワア
ンプのトランジスタをチップ状態でパッケージ内に組み
込むことが行われる。
撮像素子の出力部アンプの高帯域化を図るために、従来
はＣＣＤ撮像素子に外付けしていたエミッタフォロワア
ンプのトランジスタをチップ状態でパッケージ内に組み
込むことが行われる。
さてＣＣＤ撮像素子やエミッタフォロワアンプのトラン
ジスタチップは基板裏面を介して外部と電気的に接続さ
れる必要がある場合がある。このような場合、ＣＣＤ撮
像素子をパッケージ台座部に設けられた電極に固着する
導電性物質は、例えば銀ペーストのようなエポキシ系接
着剤でそれほど電気抵抗の低いものでなくてもよいが、
エミッタフォロワアンプのトランジスタチップをパッケ
ージ台座部に設けられた電極に固着する場合、該トラン
ジスタチップの基板裏面を介して流れる電流の電流密度
１発熱量が大きいため６．金シリコンのような導電性、
熱伝導率のよい共晶合金を用いることが必要になる。
ジスタチップは基板裏面を介して外部と電気的に接続さ
れる必要がある場合がある。このような場合、ＣＣＤ撮
像素子をパッケージ台座部に設けられた電極に固着する
導電性物質は、例えば銀ペーストのようなエポキシ系接
着剤でそれほど電気抵抗の低いものでなくてもよいが、
エミッタフォロワアンプのトランジスタチップをパッケ
ージ台座部に設けられた電極に固着する場合、該トラン
ジスタチップの基板裏面を介して流れる電流の電流密度
１発熱量が大きいため６．金シリコンのような導電性、
熱伝導率のよい共晶合金を用いることが必要になる。
ＣＣＤ撮像素子はトランジスタチップに比べて歩留りが
低くはるかに貴重であることと、１ヘランジスタチツプ
は短絡等によって容易に破壊されることを考えると、Ｃ
ＣＤ撮像素子が不良となった場合は廃棄しても損失は小
さいが、トランジスタチップだけが破壊された場合、損
失を抑えるためにトランジスタチップは交換してＣＣＤ
撮像素子はそのまま利用できることが望ましい。しかし
金シリコンのような共晶合金で、従来のようにＣＣＤ撮
像素子と同一のパッケージの台座部に固着したトランジ
スタチップを交換する場合、ＣＣＤ撮像素子が固着した
パッケージの台座部を共晶合金の融解温度（金シリコン
の場合、３７０’Ｃ）に熱するためＣＣＤ撮像素子に悪
影響を及ぼすことになるのである。
低くはるかに貴重であることと、１ヘランジスタチツプ
は短絡等によって容易に破壊されることを考えると、Ｃ
ＣＤ撮像素子が不良となった場合は廃棄しても損失は小
さいが、トランジスタチップだけが破壊された場合、損
失を抑えるためにトランジスタチップは交換してＣＣＤ
撮像素子はそのまま利用できることが望ましい。しかし
金シリコンのような共晶合金で、従来のようにＣＣＤ撮
像素子と同一のパッケージの台座部に固着したトランジ
スタチップを交換する場合、ＣＣＤ撮像素子が固着した
パッケージの台座部を共晶合金の融解温度（金シリコン
の場合、３７０’Ｃ）に熱するためＣＣＤ撮像素子に悪
影響を及ぼすことになるのである。
本発明の目的は前記従来の欠点を除去し不良半導体素子
の交換を容易ならしめる半導体装置用パッケージを提供
することにある。
の交換を容易ならしめる半導体装置用パッケージを提供
することにある。
上記目的を達成するため、本発明は、複数の半導体素子
が固着する半導体装置用パッケージにおいて、半導体素
子を設置するパッケージの台座部の一部に特定の半導体
素子を固着する基体を着脱可能に装着したものである。
が固着する半導体装置用パッケージにおいて、半導体素
子を設置するパッケージの台座部の一部に特定の半導体
素子を固着する基体を着脱可能に装着したものである。
パッケージの台座部に、半導体素子取付用基体を着脱可
能に装備し、該基体に固着した半導体素子が不良を生じ
た場合、該基体を交換することによって容易に半導体素
子を交換できる。
能に装備し、該基体に固着した半導体素子が不良を生じ
た場合、該基体を交換することによって容易に半導体素
子を交換できる。
以下、本発明のＣＣＤ撮像素子用パッケージにおける一
実施例を図面を参照して説明する。第１図は本発明の一
実施例である半導体装置用パッケージを用いた半導体装
置の主要部の平面図、第２図は断面図である。この実施
例は、パッケージ台座部１に設けられた穴２に、半導体
素子取付用基体３を着脱可能に挿入した例である。パッ
ケージ台座部１上にはＣＣＤ撮像素子４、基体３上には
トランジスタチップ５が固着されている。穴２の側面に
はパッケージ台座部１上、から連続した電極６を設け、
基体３の側面に基体３上から連続した電極７を設ける。
実施例を図面を参照して説明する。第１図は本発明の一
実施例である半導体装置用パッケージを用いた半導体装
置の主要部の平面図、第２図は断面図である。この実施
例は、パッケージ台座部１に設けられた穴２に、半導体
素子取付用基体３を着脱可能に挿入した例である。パッ
ケージ台座部１上にはＣＣＤ撮像素子４、基体３上には
トランジスタチップ５が固着されている。穴２の側面に
はパッケージ台座部１上、から連続した電極６を設け、
基体３の側面に基体３上から連続した電極７を設ける。
基体３のパッケージ台座部１への装着及び穴２の側面の
電極６と基体３の側面の電極７との接続は、基体３の側
面と穴２の側面との間の摩擦力を利用して行う。第３図
（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例である半導体装置用
パッケージの断面図の主要部の例を示す図である。第３
図（ａ）、（ｂ）のように基体３の側面又は穴２の側面
に傾斜を付けておいてもよい。また第３図（ｃ）のよう
にパッケージ台座部１に貫通した六８を設け、ここにパ
ッケージ台座部１の裏面から基体３を挿入してもよい。
電極６と基体３の側面の電極７との接続は、基体３の側
面と穴２の側面との間の摩擦力を利用して行う。第３図
（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例である半導体装置用
パッケージの断面図の主要部の例を示す図である。第３
図（ａ）、（ｂ）のように基体３の側面又は穴２の側面
に傾斜を付けておいてもよい。また第３図（ｃ）のよう
にパッケージ台座部１に貫通した六８を設け、ここにパ
ッケージ台座部１の裏面から基体３を挿入してもよい。
さらにパッケージ台座部１上の電極と基体３上の電極と
は半田付けによって接続してもよい。
は半田付けによって接続してもよい。
第４図は本発明の他の実施例である半導体装［４用パツ
ケージを用いた半導体装置の主要部の断面図で、この実
施例は、パッケージ台座部１に設けられた穴９とパッケ
ージ台座部１に着脱する基体１０とにそれぞれ対応する
ねじ１１が切ってあり、穴９の中で基体１０を回転し、
このねじ１１に沿って基体１０とパッケージ台座部１と
の着脱を行う。
ケージを用いた半導体装置の主要部の断面図で、この実
施例は、パッケージ台座部１に設けられた穴９とパッケ
ージ台座部１に着脱する基体１０とにそれぞれ対応する
ねじ１１が切ってあり、穴９の中で基体１０を回転し、
このねじ１１に沿って基体１０とパッケージ台座部１と
の着脱を行う。
上述した本発明の実施例によれば、基体３又は基体１０
上に固着されたトランジスタチップ５が破壊された場合
、基体３又は基体１０をパッケージ台座部１から分離し
、正常なトランジスタチップＳが固着された基体３又は
基体１０をパッケージ台座部１に挿入すれば、パッケー
ジ台座部１に固着されたＣＣＤ撮像素子４に何等悪影響
を及ぼすことなくトランジスタチップ５の交換をできる
。
上に固着されたトランジスタチップ５が破壊された場合
、基体３又は基体１０をパッケージ台座部１から分離し
、正常なトランジスタチップＳが固着された基体３又は
基体１０をパッケージ台座部１に挿入すれば、パッケー
ジ台座部１に固着されたＣＣＤ撮像素子４に何等悪影響
を及ぼすことなくトランジスタチップ５の交換をできる
。
上述した本発明の半導体装置用パッケージの構造によれ
ば、半導体装置用パッケージに複数の半４体素子を固着
した後、パッケージ本体との着脱が可能な基体に固着し
た半導体素子が不良を生じた場合、該基体を交換するこ
とによって容易に半導体素子を交換できる。特に、パッ
ケージ本体との着脱が可能な基体に、不良を生じ易い半
導体素子を固着したときに、上述した不良半導体素子の
交換容易性の効果は著しい。
ば、半導体装置用パッケージに複数の半４体素子を固着
した後、パッケージ本体との着脱が可能な基体に固着し
た半導体素子が不良を生じた場合、該基体を交換するこ
とによって容易に半導体素子を交換できる。特に、パッ
ケージ本体との着脱が可能な基体に、不良を生じ易い半
導体素子を固着したときに、上述した不良半導体素子の
交換容易性の効果は著しい。
第１図は本発明の一実施例である半導体装置用パッケー
ジを用いた半導体装置の主要部の平面図、第２図は同断
面図、第３図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例である
半導体装置用パッケージの断面図の主要部、第４図は本
発明の他の実施例である半導体装置用パッケージを用い
た半導体装置の主要部の断面図、第５図は従来の半導体
装置用パッケージを用いた半導体装置の断面図である。 １・・・パッケージ台座部 ２．８．９・・・パッケージ台座部１に設けられた穴３
．１０・・・パッケージ台座部１と着脱が可能な基体４
・・・ＣＣＤ撮像素子 ５・・・トランジスタチップ
６・・・パッケージ台座部１上から穴２の側面に連続し
た＠極７・・・基体３上から基体３の側面に連続した電
極特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 内 原 晋１−−−−パッ
ケージ台座邪 ２−一一一パッケージ台座部１″：空いた穴３−−−−
パッケージ台座部し：、着脱が可能な、基体４−−−−
ＣＣＤ屓随し１子 ５−−−− トランジスタチップ。 ６．７−−−−電極
ジを用いた半導体装置の主要部の平面図、第２図は同断
面図、第３図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例である
半導体装置用パッケージの断面図の主要部、第４図は本
発明の他の実施例である半導体装置用パッケージを用い
た半導体装置の主要部の断面図、第５図は従来の半導体
装置用パッケージを用いた半導体装置の断面図である。 １・・・パッケージ台座部 ２．８．９・・・パッケージ台座部１に設けられた穴３
．１０・・・パッケージ台座部１と着脱が可能な基体４
・・・ＣＣＤ撮像素子 ５・・・トランジスタチップ
６・・・パッケージ台座部１上から穴２の側面に連続し
た＠極７・・・基体３上から基体３の側面に連続した電
極特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 内 原 晋１−−−−パッ
ケージ台座邪 ２−一一一パッケージ台座部１″：空いた穴３−−−−
パッケージ台座部し：、着脱が可能な、基体４−−−−
ＣＣＤ屓随し１子 ５−−−− トランジスタチップ。 ６．７−−−−電極
Claims (1)
- １、複数の半導体素子が固着する半導体装置用パッケー
ジにおいて、半導体素子を設置するパッケージの台座部
の一部に特定の半導体素子を固着する基体を着脱可能に
装着したことを特徴とする半導体装置用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63079462A JPH01251653A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 半導体装置用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63079462A JPH01251653A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 半導体装置用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01251653A true JPH01251653A (ja) | 1989-10-06 |
Family
ID=13690548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63079462A Pending JPH01251653A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 半導体装置用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01251653A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006148005A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Canon Inc | 半導体装置、放射線撮像装置、及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-03-30 JP JP63079462A patent/JPH01251653A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006148005A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Canon Inc | 半導体装置、放射線撮像装置、及びその製造方法 |
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