JPH01239563A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアモルファスシリコンカーバイド光導電層と有
機光半導体層を積層して成る電子写真感光体に関するも
のである。

〔従来技術及びその問題点〕

電子写真感光体の光導電材料には、Ｓｅ、　５ｅ−Ｔｅ
。

ＡｓｚＳ　＊ｉ＋ＺｎＯ，ＣｄＳ、アモルファスシリコ
ンナトノ無機材料と各種有機材料がある。そのなかで最
初に実用化されたものはＳｅであり、次いで、ＺｎＯ，
ＣｄＳ、アモルファスシリコンも実用化された。他方、
有機材料ではＰＶＫ−ＴＮＦが最初に実用化され、その
後、電荷の発生並びに電荷の輸送という機能を別々の材
料に分担させるという機能分離型感光体が提案され、こ
の機能分離型感光体によって有機材料の開発が飛曜的に
発展している。

一方、上記の無機光導電層の上に有機先竿４体層を積層
した電子写真感光体も提案された。

例えばＳｅ層と有機光半導体層の積層型感光体があり、
既に実用化されたが、この感光体によれば、Ｓｅ自体有
害であり、しかも、長波長側の感度に劣るという欠点も
あった。

そこで、特開昭５６−１４２４１号公報にはアモルファ
スシリコンカーバイド光導電層と有機光半導体層から成
る積層型感光体が提案されており、この感光体によれば
、上記問題点を解消して無公害性並びに高光感度な特性
が得られた。

上記公報の電子写真感光体によれば、化学式Ｓｉ＋−ｘ
　ｃＸＨ、（但しＯ＜ｘ＜１．０．０５≦ｙ≦０．２）
で表わされるアモルファスシリコンカーバイド層と、有
機光半導体層が順次積層された構造から成る。

しかし乍ら、本発明者等がこのような電子写真感光体を
製作し、その表面電位を測定したところ、未だ満足し得
るような特性が得られず、更に改善を要することが判明
した。

従って、本発明は叙−上に鑑みて完成されたものであり
、その目的は高い表面電位が得られた電子写真感光体を
提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、導電性基板上にアモルファスシリコン
カーバイド光導電層（以下、アモルファスシリコンカー
バイドをａ−ＳｉＣと略す）と有機光半導体層が順次積
層された電子写真感光体において、前記ａ−３ｉＣ光導
電層が第１の層領域並びに第２の層領域が順次形成され
た層構成であり、第１の層領域に酸素又は窒素の少なく
とも一種の元素を０．０１〜３０原子％含有させ、更に
第２の層領域の構成元素がＳｉ元素、Ｃ元素並びに水素
又はハロゲンであって、水素はハロゲンがへ元素と表記
され、該層領域の元素比率が組成式（５ｉｎ−ｘＣｘ　
：ｌ　＋−ｙ　Ａｙとして表わされた場合、Ｘ及びｙを
それぞれ０．０５　＜　ｘ　＜　０．５．０．２　＜　
ｙ　＜　０．５の範囲内〜に設定したことを特徴とする
電子写真感光体が提供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明電子写真感光体の層構成を示しており、
同図によれば、導電性基板（１）の上にａ−ＳｉＣ光導
電層（２）及び有機光半導体層（３）が順次積層されて
いる。そして、ａ−ＳｉＣ光導電層（２）には電荷発生
という機能があり、他方の有機光半導体層（３）には電
荷輸送という機能がある。

本発明はａ−３ｉＣ光導電層（２）の内部に第１の層領
域（２ａ）と第２の層領域（２ｂ）が順次形成されてお
り、第１の層領域（２ａ）に酸素及び／又は窒素を所定
の範囲内で含有させ、しかも、第２の層領域（２ｂ）の
元素比率を所定の範囲内に設定し、これにより、表面電
位を改善したことが特徴である。

先ず、第２の層領域（２ｂ）については、実質上の光キ
ヤリア発生機能があり、その元素比率が下記の通りの範
囲内に設定された場合、この層領域（２ｂ）自体の光感
度を顕著に高めることができる。

組成式：　　〔Ｓｉ１　−ＸＣＸ　）　ｌ−ｙ　　八ｙ
（但しＡは水素又はハロゲン） ０．０５　＜　ｘ　　＜　０．５　、好適には０．１．
　＜　ｙ　＜　０．４０．２　　＜ｙ　　＜ｏ、ｓ、好
適には０．２５＜　ｙ　＜　０．４５上記Ｘ値が０．０
５以下の場合には短波長側の光感度が高められず、Ｘ値
が０．５以上の場合には光導電性が著しく低くなり、光
キャリアの励起機能が低下する。

また、ｙ値が０．２以下の場合には暗導電率が大きくな
る傾向にあり、しかも、光導電率が低下傾向にあり、そ
のために所望通りの光導電性が得られず、ｙ値が０．５
以上の場合にはａ−ＳｉＣ層の内部応力が増大し、基板
との密着性が劣化して剥離し易くなる。

また、上記第２の層領域（２ｂ）には水素（Ｈ）元素や
ハロゲン元素がダングリングボンド終端用に含有されて
いるが、これらの元素のなかでＨ元素が終端部に取り込
まれ易く、これによってバンドギャップ中の局在準位密
度が低減化されるという点で望ましい。

第２の層領域（２ｂ）の厚みは０．０５〜５μｍ１好適
には０．１〜３μｍの範囲内に設定すればよく、この範
囲内であれば高い光感度が得られ、残留電位が低くなる
。

他方の第１の層領域（２ａ）については、酸素又は窒素
の少なくとも一種の元素（以下、酸素・窒素元素と略す
）を０．０１〜３０原子％、好適には０．１〜１０原子
％含有させ、これにより、基板側のキャリアが第２の層
領域（２ｂ）へ流入されるのを阻止することができ、そ
の結果、表面電位が高くなる。

尚、上記酸素・窒素元素の含有量（原子％）は組成式（
ＳｉＣ）＋−ｚ（０・Ｎ）ｚのＺ値に対応する。

このように第１の層領域（２ａ）は酸素・窒素元素の含
有量により表わされるが、その含有量が層厚方向に亘っ
て不均一になる場合には、その平均含有量で表示される
。

かかる酸素・窒素元素が０．０１原子％未溝の場合には
基板からのキャリア注入を阻止する機能が小さくなり、
そのために表面電位が高くならず、３０原子％を超える
場合には、光キャリアの基板側への流入が阻害され、残
留電位の上昇をきたす。

また、第１の層領域（２ａ）は酸素・窒素元素含有量と
ともに、その厚みでもって更に具体的に設定するのが望
ましい。

即ち、第１の層領域（２ａ）の厚みは１００〜１０００
０人、好適には５００〜５０００人の範囲内に設定する
とよく、この範囲内であれば表面電位を高めることがで
きると共に残留電位の上昇を抑えることができるという
点で有利である。

更に、第１の層領域（２ａ）は酸素・窒素元素含有量及
び厚みと共に、そのＳｉＣｊＪ成比を下記の通りに設定
するのが望ましい。

即ち、組成式Ｓｉ＋−，Ｃつで表わした場合、０．１＜
　ｘ　＜　０．５の範囲内に設定するとよく、この範囲
内であれば、表面電位を高め、しかも、基板との密着性
を高めることができる。

また、上記のようにＣ元素比率を設定するに当たって、
その比率を第２の層領域（２ｂ）に比べて大きくすると
よく、これは表面電位を高め、基板との密着性を高める
ことができるという点で有利である。

また、本発明の電子写真感光体は有機光半導体１１ｉ　
（３）の材料選択により負帯電型又は正帯電型に設定す
ることができる。即ち、負帯電型電子写真感光体の場合
、有機光半導体層（３）に電子供与性化合物が選ばれ、
一方、正帯電型電子写真感光体の場合には有機光半導体
層（３）に電子吸引性化合物が選ばれる。

前記電子供与性化合物には例えば高分子量のものとして
、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、
ポリビニルアントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド縮
重合体などがあり、また、低分子量のものとしてオキサ
ジアゾール、オキサゾール、ピラゾリン、トリフェニル
メタン、ヒドラゾン、トリアリールアミン、Ｎ−フェニ
ルカルバゾール、スチルベンなどがあり、この低分子物
質は、ポリカーボネート、ポリエステル、メタアクリル
樹脂、ポリアミド、アクリルエポキシ、ポリエチレン、
フェノール、ポリウレタン、ブチラール樹脂、ポリ酢酸
ビニル、ユリア樹脂などのバインダに分散されて用いら
れる。

前記電子吸引性化合物には２．４．７−トリ、ニトロ　
□フルオレンなどがある。

また、前記基板（１）には銅、黄銅、ＳＯＳ　、　Ａｔ
等の金属導電体、あるいはガラス、セラミックス等の絶
縁体の表面に導電体薄膜をコーティングしたものがあり
、就中、ＡＩがコスト面並びにａ−ＳｉＣ層との密着性
という点で有利である。

かくして本発明によれば、ａ−ＳｉＣ光導電層に酸素・
窒素元素を所定の範囲内で含有した層領域を形成したこ
とにより、表面電位が改善され、更にこの光導電層のＳ
ｉＣ元素比率を所定の範囲内に設定して光感度が高めら
れた。

また、本発明の電子写真感光体については第１２図に示
す通り、第２の層領域（２ｂ）と有機光半導体層（３）
の間にＣ元素を多く含有する層領域を形成してもよく、
このカーボン（Ｃ）元素高含有層領域が形成された場合
、第２の層領域（２ｂ）と有機光半導体Ｎ（３）の間の
暗導電率の差が顕著に小さくなり、これにより、両層（
２ｂ）　（３）の界面でキャリアがトラップされなくな
る。

即ち、第２の層領域（２ｂ）の暗導電率は約ｌＯ−”　
〜１０−”（Ω・ｃ＋ｓ）−’であり、他方の有機光半
導体層（３）の暗導電率は約１０−１〜１０−”（Ω’
ｃｍ）−１であり、そのために第２の層領域（２ｂ）で
発生したキャリアは暗導電率の大きな差により有機光半
導体Ｎ（３）へスムーズに流れなくなる。従って、本発
明者等はＣ元素高含有層領域（２ｃ）を形成し、これに
より、その層領域（２ｃ）の暗導電率を小さくし、両層
（２ｂ）　（３）の間で暗導電率の差を小さ（すること
ができ、その結果、光感度及び残留電位の両特性が改善
されることを見い出した。

このようなＣ元素高含有層領域（２Ｃ）は下記の通りＣ
元素含有比率と厚みにより表わされる。

Ｃ元素含有比率は５ｉｎ−ＸＣＸのＸ値で０．２＜　ｘ
　＜０．５、好適には０．３　＜　ｙ　＜　０．５の範
囲内に設定するとよく、Ｘ値が０．２以下の場合には両
層（２ｂ）　（３）の間で暗導電率の差を所望通りに小
さくできず、これによって光感度及び残留電位のそれぞ
れの特性を改善することができず、また、Ｘ値が０．５
以上の場合には、ａ−３ｉＣ光導電層でキャリアがトラ
ップされ易くなり、光感度特性が低下する。

また、厚みは１０〜２０００人、好適には５００〜１０
００人の範囲内に設定するとよく、１０人未満の場合に
は光感度及び残留電位のそれぞれの特性を改善すること
ができず、２０００人を超えた場合には残留電位が大き
くなる傾向にある。

このような第１の層領域（２ｂ）並びにＣ元素高含有Ｎ
ＦＪ域（２ｃ）のそれぞれのＣ元素含有量は層厚方向に
亘って変化させてもよい。例えば第６図〜第１１図に示
す例があり、これらの図において、横軸は層厚方向であ
り、ａは第１の層領域（２ａ）と第２の層領域（２ｂ）
の界面、ｂは第２の層領域（２ｂ）とＣ元素高含有層領
域（２ｃ）の界面、そして、ＣはＣ元素高含有層領域（
２ｃ）と有機光半導体層（３）の界面を表わし、また、
縦軸はＣ元素含有量を表わす。

尚、第２の層領域（２ｂ）又はＣ元素高含有層領域（２
ｃ）の内部で層厚方向に亘ってＣ元素含有量を変えた場
合、そのＣ元素含有比率（Ｘ値）はそれぞれこの層領域
（２ｂ）　（２ｃ）全体当たりのＣ元素平均含有比率に
対応する。

更にまた、本発明の電子写真感光体においては、第２の
層領域（２ｂ）にｍａ族元素を１〜５００ｐｐｍ、好適
には２〜２００ｐｐｍ含有させるとよい。

このＩＩＩａ族元素含有量については、ａ−５ｉＣ層全
体当たりの平均値によって表わされ、その平均含有量が
１　ｐｐｍ以下の場合には暗導電率が大きくなる傾向に
あり、しかも、光感度の低下が認められ、一方、５００
ｐｐｍ以上の場合には暗導電率が著しく大きくなり、更
に光導電率の暗導電率に対する比率が小さくなり、所望
通りの光感度が得られない。

第２の層領域（２ｂ）にｍａ族元素を含有させるに当た
り、そのドーピング分布はその層厚方向に亘って均−又
は不均一のいずれでもよい。不均一にドーピングさせた
場合、この層領域（２ｂ）の一部にｍａ族元素が含有さ
れない層領域があってもよく、その場合にはｍａ族元素
含有のａ−ＳｉＣ！６Ｎ域並びに■族元素が含有されて
いないａ−ＳｉＣ層領域の両者から成るａ−３ｉＣ層全
体に対するｍａ族元素平均含有量が１〜５００ｐｐｍで
なくてはならない。

このｍａ族元素にはＢ、ＡＩ、Ｇａ、Ｉｎ等があるが、
Ｂが共有結合性に優れて半導体特性を敏怒に変え得る点
で、その上、優れた帯電能並びに光感度が得られるとい
う点で望ましい。

次に本発明電子写真感光体の製法を述べる。

ａ−３ｉＣ層を形成するにはグロー放電分解法、イオン
ブレーティング法、反応性スパッタリング法、真空蒸着
法、ＣＶＤ法などの薄膜形成方法がある。

グロー放電分解法を用いる場合、Ｓｉ元素含有ガスとＣ
元素含有ガスを組合せ、この混合ガスをプラズマ分解し
て成膜形成する。このＳｉ元素含有ガスには５ｉ）１４
，５ｉＪｓｌＳｉＪｓｌＳｉＦ４，５ｉＣＩ４，５ｉＨ
Ｃｈ等々があり、また、Ｃ元素含有ガスにはＣ１１４，
ＣｚＨｔ、ＣｚＨ２＋Ｃ：ＩＨＩＩ等々があり、就中、
Ｃ２ｔ（２は高速成膜性が得られるという点で望ましい
。

本実施例に用いられるグロー放電分解装置を第２図によ
り説明する。

図中、第１タンク（４）、第２タンク（５）、第３タン
ク（６）、第４タンク（７）にはそれぞれ５ｔＨｔ＋Ｃ
２）１２．１１□及びＮＯが密封され、これらのガスは
各々対応する第１調整弁（８）、第２調整弁（９）、第
３調整弁（１０）及び第４調製弁（１１）を開放するこ
とにより放出され、その放出ガスの流量はそれぞれマス
フローコントローラ（１２）　（１３）　（１４）　（
１５）により制御される。そして、ＳｉＨ４，ＣｚＨｚ
＋Ｈｚの各々のガスは混合されて第１主管（１６）へ送
られ、ＮＯガスは第２主管（１７）へ送られる。尚、（
１Ｂ）　（１９）は止め弁である。

第１主管（１６）及び第２主管（１７）を通じて流れる
ガスは反応管（２０）へ流入されるが、この反応管（２
０）の内部には容量結合型放電用電極（２１）が設置さ
れ、また、筒状の成膜用基板（２２）が基板支持体（２
３）の上に載置され、基板支持体（２３）がモータ（２
４）により回転駆動され、これに伴って基板（２２）が
回転される。そして、電極（２１）に電力５０１〜３　
Ｋｗ、周波数１〜５０ＭＨ２の高周波電力が印加され、
しかも、基板（２２）が適当な加熱手段により約２００
〜４００℃、好適には約２００〜３５０℃の温度に加熱
される。また、反応管（２０）は回転ポンプ（２５）と
拡散ポンプ（２６）に連結されており、これによってグ
ロー放電による成膜形成時に所要な真空状態（放電時の
ガス圧０．１〜２．０Ｔｏｒｒ）が維持される。

このような構成のグロー放電分解装置を用いて基板（２
２）の上にａ−ＳｉＣ層を形成する場合、第１調整弁（
８）、第２調整弁（９）、第３調整弁（１０）及び第４
調整弁（１１）を開いてＳｉＨ＊、ＣＪｚ、Ｈｚ、Ｎｏ
の各々のガスを放出し、その放出量をマスフローコント
ローラ（１２）　（１３）　（１４）　（１５）により
制御し、各々のガスは混合されて第１主管（１６）及び
第２主管（１７）を介して反応管（２０）へ流入される
。そして、反応管内部の真空状態、基板温度、電極印加
用高周波電力をそれぞれ所定の条件に設定するとグロー
放電が発生し、ガスの分解に伴ってＮ元素とＯ元素含有
のａ−５ｉＣ膜が基板上に高速に形成される。

上述した通りの薄膜形成方法によりａ４ｉＣＮが形成さ
れると、次に有機光半導体層を形成する。

有機光半導体層は浸漬塗工方法又はコーティング法によ
り形成され、前者は感光材が溶媒中に分散された塗工液
の中に浸漬し、次いで、一定な速度で引上げ、そして、
自然乾燥及び熱エージング（約１５０°Ｃ１約１時間）
を行うという方法であり、また、後者のコーティング法
によれば、コーター（塗機）を用いて、溶媒に分散され
た感光材を塗布し、次いで熱風乾燥を行う。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を述べる。

（例１） 第２図のグロー放電分解装置を用いて、５ｉＨｎガスを
２００ｓｅｃｍの流量で、Ｈ２ガスを２７０ｓｅｃｍの
流量で、そして、ＣＪｚガスの流量を変化させ、また、
ガス圧を０．６Ｔｏｒｒ　、高周波電力を１５０Ｗ、基
板温度を２５０℃に設定し、グロー放電によってａ−Ｓ
ｉＣ膜（膜厚約１μｍ）を形成した。

このようにしてａ−５ｉＣ膜のカーボン含有比率を変え
、そして、膜中のカーボン量をＸＭＡ法により測定し、
また、光導電率及び暗導電率を測定したところ、第３図
に示す通りの結果が得られた。

第３図中、横軸はカーボン含有比率、即ちＳｉ＋−Ｘｃ
　ＸのＸ値であり、縦軸は導電率を表わし、Ｏ印は発光
波長５５０ｎｍ　（光量５０μ−／ｃｍ”）の光に対す
る光導電率のプロットであり、・印は暗導電率のプロッ
トであり、また、ａ、ｂはそれぞれの特性曲線である。

更ニ上記各ａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ膜について、その水素含有
量を赤外吸収測定法により求めたところ、第４図に示す
通りの結果が得られた。

第４図中、横軸は５ｉｌ−ｘ　ＣＸのＸ値であり、縦軸
は水素含有量、即ち〔Ｓｉ１−ＸＣＸ）　ｔ−ｙＢｙの
ｙ値であり、○印はＳｔ原子に結合した水素量のプロッ
トであり、・印はＣ原子に結合した水素量のプロットで
あり、また、ｃ、ｄはそれぞれの特−性曲線である。

第４図より明らかな通り、本例のａ−３ｉＣ膜はいずれ
もｙ値が０．３〜０．４の範囲内にあることが判る。

また、第３図より明らかな通り、カーボン含有比率ｙが
０．２　＜　ｙ＜　０．５の範囲内であれば、光感電率
と暗導電率の比率が顕著に大きくなり、優れた光感度が
得られることが判る。

（例２） 次に本例においては、ＳｉＨ＜ガスを２００ｓｅｃｍの
流量で、Ｃ！Ｈ２ガスを２０ｓｅｃｍの流量で、１１□
ガスをＯ〜１０１０００ｓｃの流量で導入し、そして、
高周波電力を５０〜３００Ｌガス圧を０．３〜１．２Ｔ
ｏｒｒに設定し、グロー放電によりａ−ＳｉＣ膜（膜厚
約１μｍ）を形成した。

かくして、カーボン含有比率Ｘを０．３に設定し、そし
て、水素含有ｉｔｙを変化させた種々のａ−ＳｉＣ膜を
形成し、各々の膜について光感電率及び暗導電率を測定
したところ、第５図に示す通りの結果が得られた。

第５図中、横軸は水素含有量、即ち〔ＳｉＩ−ＸＣｘ〕
＋−ｙＨｙＯｙ値であり、縦軸は導電率を表わし、○印
は発光波長５５０ｎｍ　（光ｆｆ１５０　ｐ　Ｗ／ｃｍ
”）の光に対する光導電率のプロットであり、・印は暗
導電率のプロットであり、また、ｅ、ｆはそれぞれの特
性曲線である。

第５図より明らかな通り、ｙ値が０．２を超えた場合、
高い光導電率並びに低い暗導電率が得られることが判る
。

（例３） 次に本発明者等は第１表に示す成膜条件により第１の層
領域並びに第２の層領域をアルミニウム基板上に順次積
層し、次いで、ポリカーボネートにヒドラゾン系化合物
を分散させた有機光半導体層（膜厚約１５μｍ）を形成
し、電子写真感光体とした。

〔以下余白〕

このようにして成膜した第１の層領域（２ａ）及び第２
の層領域（２ｂ）について、それぞれのカーボン量をＸ
ＭＡ法により、また、第１の層領域（２ａ）の酸素及び
窒素のそれぞれの含有量を二次イオン質量分析計により
測定し、その合計量を求めたところ、第２表に示す通り
の結果が得られた。

第２表 かくして得られた電子写真感光体の特性評価を電子写真
特性測定装置により測定したところ、優れた光感度及び
表面電位が得られ、しかも、低い残留電位が得られた。

（例４） 上記（例３）の電子写真感光体を製作するに当たって、
第１の層領域の形成時にＮＯガスを導入せず、その他は
全く同じ成膜条件に設定し、これにより、ＮＯ元素を含
有しない第１の層領域を備えた電子写真感光体を製作し
た。

この電子写真感光体の表面電位を測定したところ、（例
３）の電子写真感光体に比べて約２ｏχ低下してした。

（例５） 上記（例３）の電子写真感光体を製作するに当二って、
第２の層領域（２ｂ）の形成時に水素ガス希沢のＢｚｌ
１６ガス（Ｂ２Ｈ４？ａ度４０ｐｐｍ）を９０ｓｅｃｍ
の流量で及出し、その他の製造条件を同一に設定し、こ
れ二より、第２の層領域にＢ元素を約１５ｐｐｍ含有さ
±た。

かくして得られた電子写真感光体の特性を評価したとこ
ろ、（例３）の電子写真感光体に比べて光感度が約１５
χ大きくなった。

（例６） また本発明者等は（例３）の電子写真感光体を製作する
に当たって、Ｎｏガス流量を変化させ、これにより、第
３表に示す通りに第１の層領域のＮ・０元素含有量を変
えた８種類の電子写真感光体（感光体Ａ−Ｈ）を製作し
た。

これらの電子写真感光体の光感度、表面電位並びに残留
電位を測定したところ、第３表に示す通りの結果が得ら
れた。

同表中、光感度は相対評価により◎印、○印及びΔ印の
３段階に区分され、■印は最も優れた光感度が得られた
場合であり、○印は幾分価れた光感度が得られた場合で
あり、Δ印は他に比べてわずかに劣る光感度になった場
合である。

表面電位の特性評価も◎印、Ｏ印及びΔ印の３段階に区
分され、■印は最も高い表面電位が得られた場合であり
、０印は幾分高い表面電位が得られた場合であり、Δ印
は他に比べて高い表面電位が認められなかった場合であ
る。

また、残留電位についても三段階に相対評価しており、
○印は残留電位が最も小さくなった場合であり、Δ印は
残留電位の上昇が幾分認められた場合であり、Ｘ印は他
に比べて残留電位の上昇が認められ、実用上問題がある
場合である。

第１表より明らかな通り、感光体Ｂ−Ｇは優れた光感度
が得られ、しかも、表面電位が高く、残留電位の上昇が
少なかった。

然るに感光体＾は光感度及び表面電位がそれぞれ改善さ
れず、また、感光体Ｈは光感度及び残留電位の両特性が
低下することが判る。

（例７） 更に本発明者等は（例３）の電子写真感光体を製作する
に当たって、ＮＯガスに代えてＮ２ガス又は０□ガスを
使用し、第１のＮＳｉ域に含有されるＮ元素又は０元素
の量を４．０原子％に設定し、これによって得られる電
子写真感光体も優れた光感度、高い表面電位並びに低い
残留電位が得られることを確認した。そして、このよう
な電子写真感光体について、（例６）と同様に第１の層
領域のＮ元素又はＯ元素のそれぞれの含有量が０．０５
．０．３．１．２．７．０，１５．０，２５．０原子％
である場合には光感度、表面電位のいずれもが改善され
、しかも、Ｎ元素又は０元素の含有量が０．００５原子
である場合には光感度及び表面電位の改善が見られず、
Ｎ元素又は０元素の含有量が４０．０原子％である場合
には光感度が低下し、残留電位が上昇することを確認し
た。

かくして、本発明の電子写真感光体は光感度、表面電位
のいずれの特性についても改善されているが、本発明者
等の実験によれば、第１の層領域に酸素・窒素元素が０
．０１〜３０原子％含有された場合、ａ−ＳｉＣ層の基
板に対する密着性が顕著に太きくなることが見い出され
た。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、ａ−５
ｉＣ光導電層の内部に酸素・窒素元素を所定の範囲内で
含有された層領域を形成したことにより優れた光感度が
得られ、表面電位を高め、しがも、残留電位の上昇を抑
えることができた。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明電子写真感光体の層構成を表わす断面図
、第２図は実施例に用いられるグロー放電分解装置の概
略図、第３図はカーボン含を比率と導電率の関係を示す
線図、第４図はカーボン含有比率と水素含有量の関係を
示す線図、第５図は水素含有量と導電率の関係を示す線
図であり、また、第６図、第７図、第８図、第９図、第
１０図及び第１１図はアモルファスシリコンカーバイド
光導電層の層厚方向に亘るカーボン含有量を表わす線図
である。そして、第１２図は本発明電子写真感光体の他
の層構成を表わす断面図である。 ｌ・・・導電性基板 ２・・・アモルファスシリコンカーバイド光導電層 ２ａ・・・第１の層領域 ２ｂ・・・第２の層領域 ３・・・有機光半導体層 特許出願人　（６６３）京セラ株式会社代表者　安城欽
寿 同　　　河村孝夫

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　導電性基板上にアモルファスシリコンカーバイド光導
   電層と有機光半導体層が順次積層された電子写真感光体
   において、前記アモルファスシリコンカーバイド光導電
   層が第１の層領域並びに第２の層領域が順次形成された
   層構成であり、第１の層領域に酸素又は窒素の少なくと
   も一種の元素を０．０１〜３０原子％含有させ、更に第
   ２の層領域の構成元素がＳｉ元素、Ｃ元素並びに水素又
   はハロゲンであって、水素又はハロゲンがＡ元素と表記
   され、該層領域の元素比率が組成式〔Ｓｉ＿１＿−＿ｘ
   Ｃ＿ｘ〕＿１＿−＿ｙＡ＿ｙとして表わされた場合、ｘ
   及びｙをそれぞれ０．０５＜ｘ０．５、０．２＜ｙ＜０
   ．５の範囲内に設定したことを特徴とする電子写真感光
   体。