JPH01186308A - ウエハダイシング方法 - Google Patents
ウエハダイシング方法Info
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- JPH01186308A JPH01186308A JP63011251A JP1125188A JPH01186308A JP H01186308 A JPH01186308 A JP H01186308A JP 63011251 A JP63011251 A JP 63011251A JP 1125188 A JP1125188 A JP 1125188A JP H01186308 A JPH01186308 A JP H01186308A
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- Pending
Links
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 9
- 239000011295 pitch Substances 0.000 abstract 5
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Landscapes
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウエノ\を各チップに分離する為の
り工へタイシンジ方法の改良に関するものである。
り工へタイシンジ方法の改良に関するものである。
従来装置は一般に、ダイシングラインの指定は、ウェハ
上の代表的な1本の(概ね中央部の1本)ラインを光学
系と位置検出系で認識し、それを起点として、あらかじ
めマニュアル指定したラインピッチの整数倍でウェハを
自動的にダイシングする。例えば、第3図は持余61−
52573号公報に示された従来のダイシング装置の主
要部を示すもので、(1)はウェハ、(3)はブレード
、(4)は光学認識系、(6)はダイシングラインであ
る。
上の代表的な1本の(概ね中央部の1本)ラインを光学
系と位置検出系で認識し、それを起点として、あらかじ
めマニュアル指定したラインピッチの整数倍でウェハを
自動的にダイシングする。例えば、第3図は持余61−
52573号公報に示された従来のダイシング装置の主
要部を示すもので、(1)はウェハ、(3)はブレード
、(4)は光学認識系、(6)はダイシングラインであ
る。
次に動作について説明する。ウェハ(1)上の代表的な
ダイシングライン(6)の概ねウェハ(1)の中央部を
、光学的認識系(4)にて光学系の基準に合せ、その位
置を測定系で読み取る。その位置からりエバ(1)の外
部まで切削系をあらかじめマニュアルインプットした゛
ヒツチの整数倍の距離で移動させ、切削をスタートする
。切削はダイシングライン(6)に沿い順次切削系をピ
ッチ送シさせながら行なう。
ダイシングライン(6)の概ねウェハ(1)の中央部を
、光学的認識系(4)にて光学系の基準に合せ、その位
置を測定系で読み取る。その位置からりエバ(1)の外
部まで切削系をあらかじめマニュアルインプットした゛
ヒツチの整数倍の距離で移動させ、切削をスタートする
。切削はダイシングライン(6)に沿い順次切削系をピ
ッチ送シさせながら行なう。
ウェハm中の一方向(2)につき切削が完了したら、次
VC,ウェハを90’回転させ、同様にダイシングライ
ンを認識し他方向(5)の切削を実行する。
VC,ウェハを90’回転させ、同様にダイシングライ
ンを認識し他方向(5)の切削を実行する。
従来方法では、ライン:、I’)ライン指定は、あらか
じめ設定し念うイン間隔通りに指示され、設定位置の確
認読取りは、装置に内臓したスケールによシ行なわれる
。その為に、被加工物のウェハと、スケールの熱膨張係
数の違いによシ生じる誤差は取シ除く事が出来ず、装置
内部及び外部の温度変化によ)ダイシングラインの間隔
にずれを生じる問題があった。
じめ設定し念うイン間隔通りに指示され、設定位置の確
認読取りは、装置に内臓したスケールによシ行なわれる
。その為に、被加工物のウェハと、スケールの熱膨張係
数の違いによシ生じる誤差は取シ除く事が出来ず、装置
内部及び外部の温度変化によ)ダイシングラインの間隔
にずれを生じる問題があった。
この発明は、上記のような問題を解消するためになされ
たもので、装置内部及び外部の温度変化によるダイシン
グラインのずれを解消できるウェハタイシンジ方法を得
ることを目的とする。
たもので、装置内部及び外部の温度変化によるダイシン
グラインのずれを解消できるウェハタイシンジ方法を得
ることを目的とする。
この発明に係るウエハタイシング方法は、ウェハのX軸
及びY軸について予め定めた範囲におけるタイシ:、I
シラインの個数とその両端間の距離を夫々測定し、夫々
の上記個数と上記距離との関係からX軸及びY軸の夫々
のダイシングラインのピッチを演算し、この値に基づき
ウェハをタイシングするものである。
及びY軸について予め定めた範囲におけるタイシ:、I
シラインの個数とその両端間の距離を夫々測定し、夫々
の上記個数と上記距離との関係からX軸及びY軸の夫々
のダイシングラインのピッチを演算し、この値に基づき
ウェハをタイシングするものである。
この発明におけるウエハタイシンジ方法は、被加工物で
あるウェハのダイシングラインの数と両端間の距離とに
よシタイシンジライシの実際のピッチを測定し、そのピ
ッチによシタイシンジを行うので、ウェハの実際のピッ
チで加工され、正確な加工精度が得られる。
あるウェハのダイシングラインの数と両端間の距離とに
よシタイシンジライシの実際のピッチを測定し、そのピ
ッチによシタイシンジを行うので、ウェハの実際のピッ
チで加工され、正確な加工精度が得られる。
以下、この発明の一実施例を第1図ないし第2図で説明
する。図において、(10)はコンピュータ、(11)
は光学認識系(4)の信号に基づき第2図中のダイシン
グライン(6)のI3からI2までの距離を測定すると
共にその間のダイシングライン(6)の個数を測定する
X軸タイシンジ距離及び数測定手段、(I2)はこの手
段(11)の値に基づきX軸のタイシー、//)ピッチ
PXを演算するX軸タイシンジピッチ演算手段、α3)
は同様に光学認識系(4)の信号に基づき第2図中のダ
イシングライン(6)のI3からI2までの距離を測定
すると共にその間のタイシシタライy (6)の個数を
測定するY軸タイシンジ距離及び数測定手段、(+4)
はこの手段端の値に基づきY軸のダイシングラインP、
を演算するY軸タイシシジヒッチ演算手段、(1句はウ
ェハ(1)のテーブル(16)をピッチPx毎にピッチ
送シする七−夕、Q7)は同様にテーブル(11をピッ
チP。
する。図において、(10)はコンピュータ、(11)
は光学認識系(4)の信号に基づき第2図中のダイシン
グライン(6)のI3からI2までの距離を測定すると
共にその間のダイシングライン(6)の個数を測定する
X軸タイシンジ距離及び数測定手段、(I2)はこの手
段(11)の値に基づきX軸のタイシー、//)ピッチ
PXを演算するX軸タイシンジピッチ演算手段、α3)
は同様に光学認識系(4)の信号に基づき第2図中のダ
イシングライン(6)のI3からI2までの距離を測定
すると共にその間のタイシシタライy (6)の個数を
測定するY軸タイシンジ距離及び数測定手段、(+4)
はこの手段端の値に基づきY軸のダイシングラインP、
を演算するY軸タイシシジヒッチ演算手段、(1句はウ
ェハ(1)のテーブル(16)をピッチPx毎にピッチ
送シする七−夕、Q7)は同様にテーブル(11をピッ
チP。
毎にピッチ送シする七−夕、霞は七−タ(IQ同を、]
ンヒュータ(10)からの指令信号に基づき駆動制御す
る七−夕駆動手段、(xl)はX方向のウェハ外局部、
(I2)はウェハ外局部(xl)に隣接するダイシング
ライン、(I4)はウェハ外局部(xl)と相対するウ
ェハ外局部、(工3)はウェハ外局部(I4)に隣接す
るダイシングライン、(yl)はX方向のウェハ外周部
、(I2)はウェハ外局部(yl)に隣接するダイシン
グライン、(74)はウェハ外局部(yl)と相対する
ウェハ外周部、(I3)はウェハ外周部(y4〕に隣接
するダイシングラインである。 、 次に動作について説明する。テーブル(+61に第3図
のステツブシ0)で位置決めされると、光学認識系(4
)にてX軸のダイシングライン(6)が認識される。
ンヒュータ(10)からの指令信号に基づき駆動制御す
る七−夕駆動手段、(xl)はX方向のウェハ外局部、
(I2)はウェハ外局部(xl)に隣接するダイシング
ライン、(I4)はウェハ外局部(xl)と相対するウ
ェハ外局部、(工3)はウェハ外局部(I4)に隣接す
るダイシングライン、(yl)はX方向のウェハ外周部
、(I2)はウェハ外局部(yl)に隣接するダイシン
グライン、(74)はウェハ外局部(yl)と相対する
ウェハ外周部、(I3)はウェハ外周部(y4〕に隣接
するダイシングラインである。 、 次に動作について説明する。テーブル(+61に第3図
のステツブシ0)で位置決めされると、光学認識系(4
)にてX軸のダイシングライン(6)が認識される。
ステップ(社)のようにI3からI2までの距離と、そ
の間のダイシングライン(6)の個数m個が測定され、
入に、テーブル(16)が90°回転され、ステップ(
勿で同様にI3から7.2までの距離・と、その間のダ
イシングライン(6)の個数n個が測定される。次に、
ス゛テッ−jI7!lでは、PX=(13I2)/ (
m 1)でX軸のタイシン6t6ツチPxが演算され
、同様にステップ(至)では、Py=Cy372)/
(n 1)でY軸のタイシン/)ピッチP、が演算さ
れる。モータ(15)(lηはモータ駆動手段端を介し
ダイシングラインPXとP、の値に対応してピッチ送シ
される。
の間のダイシングライン(6)の個数m個が測定され、
入に、テーブル(16)が90°回転され、ステップ(
勿で同様にI3から7.2までの距離・と、その間のダ
イシングライン(6)の個数n個が測定される。次に、
ス゛テッ−jI7!lでは、PX=(13I2)/ (
m 1)でX軸のタイシン6t6ツチPxが演算され
、同様にステップ(至)では、Py=Cy372)/
(n 1)でY軸のタイシン/)ピッチP、が演算さ
れる。モータ(15)(lηはモータ駆動手段端を介し
ダイシングラインPXとP、の値に対応してピッチ送シ
される。
本実施例は、ウェハについて述べたが、その他の規則的
な繰返し割出し加工にも応用が可能である。
な繰返し割出し加工にも応用が可能である。
例えば、精密スケールの刻印、サーマルヘッドのタイシ
ンジ、等にも同様の効果を奏する。また、上記説明では
、最外周部のダイシングライン間の距離とその個数と測
定したが、要求釈度に応じて測定範囲を変更しても同゛
様の効果を奏する。
ンジ、等にも同様の効果を奏する。また、上記説明では
、最外周部のダイシングライン間の距離とその個数と測
定したが、要求釈度に応じて測定範囲を変更しても同゛
様の効果を奏する。
〔発明の効果〕 ゛
以上のようにこの発明は、ウェハのX軸及びY軸につい
て予め定めた範囲におけるダイシングラインの個数とそ
の両端間の距離を夫々測定し、夫々の上記個数と上記距
離との関係からX軸及びY軸の夫々のダイシングライン
のピッチを演算し、この痕に基づきウェハをタイシンジ
するので、熱的要因等の加工条件による誤差を防止でき
、ウェハのタイシンジ精度が向上する効果がある。
て予め定めた範囲におけるダイシングラインの個数とそ
の両端間の距離を夫々測定し、夫々の上記個数と上記距
離との関係からX軸及びY軸の夫々のダイシングライン
のピッチを演算し、この痕に基づきウェハをタイシンジ
するので、熱的要因等の加工条件による誤差を防止でき
、ウェハのタイシンジ精度が向上する効果がある。
第1図はこの発明の一実施例を示すブロック図、第2図
はそのウェハのダイシングラインを示す平面図、第3図
はこの発明の動作フローチャート、第4図は従来装置の
斜視図である。図中、(1)はウェハ、(4)は光学認
識系、t8) V′iダイシングライン、(+01はコ
ンピュータ、(1すはX軸タイシンジ距離及び数測定手
段、(12)はX軸タイシンジピッチ演算手段、03)
はY軸ダイシング距離及び数測定手段、04)はY軸タ
イシンジピッチ演算手段、u5H17)はモータである
。 なお各図中同一符号は同−又はイ・目当部分を示す。
はそのウェハのダイシングラインを示す平面図、第3図
はこの発明の動作フローチャート、第4図は従来装置の
斜視図である。図中、(1)はウェハ、(4)は光学認
識系、t8) V′iダイシングライン、(+01はコ
ンピュータ、(1すはX軸タイシンジ距離及び数測定手
段、(12)はX軸タイシンジピッチ演算手段、03)
はY軸ダイシング距離及び数測定手段、04)はY軸タ
イシンジピッチ演算手段、u5H17)はモータである
。 なお各図中同一符号は同−又はイ・目当部分を示す。
Claims (1)
- ウェハのX軸及びY軸について予め定めた範囲におけ
るダイシングラインの個数とその両端間の距離を夫々測
定し、夫々の上記個数と上記距離との関係からX軸及び
Y軸の夫々のダイシングラインのピッチを演算し、この
値に基づきウェハをダイシングするウェハダイシング方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63011251A JPH01186308A (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | ウエハダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63011251A JPH01186308A (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | ウエハダイシング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01186308A true JPH01186308A (ja) | 1989-07-25 |
Family
ID=11772722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63011251A Pending JPH01186308A (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | ウエハダイシング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01186308A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5327625A (en) * | 1992-08-13 | 1994-07-12 | Massachusetts Institute Of Technology | Apparatus for forming nanometric features on surfaces |
KR100478678B1 (ko) * | 1997-08-21 | 2005-07-11 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼쏘잉방법 |
JP2017028100A (ja) * | 2015-07-22 | 2017-02-02 | 株式会社ディスコ | アライメント方法 |
JP2017152538A (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 株式会社ディスコ | パッケージウェーハのアライメント方法 |
-
1988
- 1988-01-20 JP JP63011251A patent/JPH01186308A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5327625A (en) * | 1992-08-13 | 1994-07-12 | Massachusetts Institute Of Technology | Apparatus for forming nanometric features on surfaces |
KR100478678B1 (ko) * | 1997-08-21 | 2005-07-11 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼쏘잉방법 |
JP2017028100A (ja) * | 2015-07-22 | 2017-02-02 | 株式会社ディスコ | アライメント方法 |
JP2017152538A (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 株式会社ディスコ | パッケージウェーハのアライメント方法 |
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