JP3157751B2 - 半導体基板のダイシング方法 - Google Patents
半導体基板のダイシング方法Info
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- JP3157751B2 JP3157751B2 JP23862997A JP23862997A JP3157751B2 JP 3157751 B2 JP3157751 B2 JP 3157751B2 JP 23862997 A JP23862997 A JP 23862997A JP 23862997 A JP23862997 A JP 23862997A JP 3157751 B2 JP3157751 B2 JP 3157751B2
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- line
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
- H01L2223/5446—Located in scribe lines
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の半導体集積
回路が形成されたチップを区画するダイシングラインに
沿ってブレードを走行し半導体基板を切断し個々のチッ
プに分割する半導体基板のダイシング方法に関する。
回路が形成されたチップを区画するダイシングラインに
沿ってブレードを走行し半導体基板を切断し個々のチッ
プに分割する半導体基板のダイシング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、このダイシング方法は、半導体基
板（以下ウェハと呼ぶ）をモニタカメラを通して観察
し、ウェハのダイシングラインを決定する検出範囲（チ
ップ内の配線パターンの一部分を含む領域）にウェハを
位置決めし、その検出範囲の中心の位置座標からダイシ
ングラインの中心位置の位置座標とのずれを読み取り、
そのずれの測定値をマイクロコンピュータに記憶させ、
そして、ダイシングラインの位置を補正し自動的にウェ
ハを切断分割していた。
板（以下ウェハと呼ぶ）をモニタカメラを通して観察
し、ウェハのダイシングラインを決定する検出範囲（チ
ップ内の配線パターンの一部分を含む領域）にウェハを
位置決めし、その検出範囲の中心の位置座標からダイシ
ングラインの中心位置の位置座標とのずれを読み取り、
そのずれの測定値をマイクロコンピュータに記憶させ、
そして、ダイシングラインの位置を補正し自動的にウェ
ハを切断分割していた。
【０００３】しかしながら、この方法であると、作業者
が位置寸法を入力するため、人為的なミスによる誤って
数値を入力することがしばしば起きていた。このため、
ダイシングライン以外の領域を切断するという問題が生
じていた。
が位置寸法を入力するため、人為的なミスによる誤って
数値を入力することがしばしば起きていた。このため、
ダイシングライン以外の領域を切断するという問題が生
じていた。
【０００４】図４はダイシングライン内に形成されたタ
ーゲットマークを示すウェハの部分拡大図である。上述
した問題を解消する方法として特開平１一３０４７２１
号公報に開示されている。この方法は、図４に示すよう
に、ウェハのチップ８間にあるダイシングライン７の交
差部分にダイシングマーク１０を形成し、このダイシン
グマーク１０を検出し、このターゲットマーク１０の中
心を通るダイシングラインの中央線９を自動認識させ、
この中央線９に対して各チップの寸法を順次加算しダイ
シングしている。
ーゲットマークを示すウェハの部分拡大図である。上述
した問題を解消する方法として特開平１一３０４７２１
号公報に開示されている。この方法は、図４に示すよう
に、ウェハのチップ８間にあるダイシングライン７の交
差部分にダイシングマーク１０を形成し、このダイシン
グマーク１０を検出し、このターゲットマーク１０の中
心を通るダイシングラインの中央線９を自動認識させ、
この中央線９に対して各チップの寸法を順次加算しダイ
シングしている。
【０００５】すなわち、検出範囲の中心からダイシング
ラインの中心との距離を読取りを行なうことなく直接ダ
イシングマークを認識させることにより、人為的なミス
が介入することなくダイシングラインにブレードを正確
に合せ、ブレードを走行させ切断することを特徴として
いる。
ラインの中心との距離を読取りを行なうことなく直接ダ
イシングマークを認識させることにより、人為的なミス
が介入することなくダイシングラインにブレードを正確
に合せ、ブレードを走行させ切断することを特徴として
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したダイシングマ
ークを認識させダイシングする方法は、人為的なミスの
介入を防止できると同時に、ダイシングマークはアルミ
ニウム配線工程で同時に形成され精密な位置に形成され
位置決め用マークとして優れている。
ークを認識させダイシングする方法は、人為的なミスの
介入を防止できると同時に、ダイシングマークはアルミ
ニウム配線工程で同時に形成され精密な位置に形成され
位置決め用マークとして優れている。
【０００７】しかしながら、形成されたダイシングマー
クの表面の反射率が一様でなく、エッジ部が不明瞭とな
り、モニタカメラで正確に位置を認識できず、ダイシン
グラインにブレードを正確に合すことができないという
問題がある。
クの表面の反射率が一様でなく、エッジ部が不明瞭とな
り、モニタカメラで正確に位置を認識できず、ダイシン
グラインにブレードを正確に合すことができないという
問題がある。
【０００８】また、ダイシングしたとき、アルミニウム
製のダイシングマークの切粉が飛散し、微小な金属片が
チップ内のパッドの間に入り込み、その後の洗浄工程で
除去されず残るという問題を発生する。この残余した金
属片がその後の樹脂封止工程で包まれた状態で樹脂封止
され、パッド間の短絡事故を引き起し半導体装置の不良
を発生させる。
製のダイシングマークの切粉が飛散し、微小な金属片が
チップ内のパッドの間に入り込み、その後の洗浄工程で
除去されず残るという問題を発生する。この残余した金
属片がその後の樹脂封止工程で包まれた状態で樹脂封止
され、パッド間の短絡事故を引き起し半導体装置の不良
を発生させる。
【０００９】従って、本発明の目的は、ダイシングマー
クを形成することなくダイシングラインにブレードを正
確に合せ半導体基板を切断しチップに分割できる半導体
基板のダイシング方法を提供することにある。
クを形成することなくダイシングラインにブレードを正
確に合せ半導体基板を切断しチップに分割できる半導体
基板のダイシング方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、複数の
チップを区画するダイシングラインが縦横に施される半
導体基板の前記ダイシングラインに沿ってブレードを走
行させ切断し、前記半導体基板から前記チップのそれぞ
れを切断分割する半導体基板のダイシング方法におい
て、前記半導体基板の該チップ数および大きさならびに
該チップの間隔が同一の基準半導体基板を準備し、ステ
ージに前記基準半導体基板を載置し、前記ステージの定
位置から該ステージを一方向に移動させ前記基準半導体
基板の前記ダイシングラインを含む第１の領域と認識カ
メラの位置決め用検出パターンとを一致させ、一致した
該位置座標を記憶し、前記定位置に戻された前記ステー
ジから前記基準半導体基板と前記半導体基板と入れ換
え、しかる後、前記ステージを記憶された前記位置座標
に移動させ、前記検出パターンと前記半導体基板の前記
第１の領域に対応する第２の領域と一致しているか否か
を位置ずれ判定し、位置ずれが有れば前記ステージの移
動させ修正し、修正された前記位置座標から前記ダイシ
ングラインの中央線の位置を求め、求められた中央線に
順次ダイシングラインの間隔を加算して前記半導体基板
をステップ状に前記一方向に移動させ、一方向と直角の
方向に前記ブレードと前記ステージを移動させ前記ダイ
シングラインで切断する半導体基板のダイシング方法で
ある。
チップを区画するダイシングラインが縦横に施される半
導体基板の前記ダイシングラインに沿ってブレードを走
行させ切断し、前記半導体基板から前記チップのそれぞ
れを切断分割する半導体基板のダイシング方法におい
て、前記半導体基板の該チップ数および大きさならびに
該チップの間隔が同一の基準半導体基板を準備し、ステ
ージに前記基準半導体基板を載置し、前記ステージの定
位置から該ステージを一方向に移動させ前記基準半導体
基板の前記ダイシングラインを含む第１の領域と認識カ
メラの位置決め用検出パターンとを一致させ、一致した
該位置座標を記憶し、前記定位置に戻された前記ステー
ジから前記基準半導体基板と前記半導体基板と入れ換
え、しかる後、前記ステージを記憶された前記位置座標
に移動させ、前記検出パターンと前記半導体基板の前記
第１の領域に対応する第２の領域と一致しているか否か
を位置ずれ判定し、位置ずれが有れば前記ステージの移
動させ修正し、修正された前記位置座標から前記ダイシ
ングラインの中央線の位置を求め、求められた中央線に
順次ダイシングラインの間隔を加算して前記半導体基板
をステップ状に前記一方向に移動させ、一方向と直角の
方向に前記ブレードと前記ステージを移動させ前記ダイ
シングラインで切断する半導体基板のダイシング方法で
ある。
【００１１】また、前記位置ずれ判定と前記位置ずれ修
正とを複数回行ない前記検出パターンと前記第２の領域
と一致しないときは、その後の動作を停止することが望
ましい。
正とを複数回行ない前記検出パターンと前記第２の領域
と一致しないときは、その後の動作を停止することが望
ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１３】図１（ａ）および（ｂ）は本発明の一実施
の形態における半導体基板のダイシング方法を説明する
ための検出パターンを示す図、図２（ａ）および（ｂ）
は本発明の一実施の形態における半導体基板のダイシン
グ方法を説明するためのフローチャートおよびダイシン
グ装置の概略を示す斜視図である。まず、切断分割すべ
きウェハと外形およびチップの数ならびにダイシングラ
インの幅が同じのリファレンスウェハを準備する。ま
た、このリファレンスウェハは、チップのエッジ部が明
瞭に識別できるように、チップの表面はアルミニウム膜
を施し、その表面が汚れがないように研磨されているこ
とが望ましい。
の形態における半導体基板のダイシング方法を説明する
ための検出パターンを示す図、図２（ａ）および（ｂ）
は本発明の一実施の形態における半導体基板のダイシン
グ方法を説明するためのフローチャートおよびダイシン
グ装置の概略を示す斜視図である。まず、切断分割すべ
きウェハと外形およびチップの数ならびにダイシングラ
インの幅が同じのリファレンスウェハを準備する。ま
た、このリファレンスウェハは、チップのエッジ部が明
瞭に識別できるように、チップの表面はアルミニウム膜
を施し、その表面が汚れがないように研磨されているこ
とが望ましい。
【００１４】さらに、モニタカメラには、図１に示す検
出パターンと同等のレチクルが内蔵され、位置ずれを認
識できるようにされている。すなわち、このレチクル
は、短冊状の枠として描かれ、枠の中心を横切る中心線
３とチップ６のエッジ４に対応する基準線２が設けられ
ている。
出パターンと同等のレチクルが内蔵され、位置ずれを認
識できるようにされている。すなわち、このレチクル
は、短冊状の枠として描かれ、枠の中心を横切る中心線
３とチップ６のエッジ４に対応する基準線２が設けられ
ている。
【００１５】次に、このダイシング方法を図２を参照し
て説明する。なお、ここでは、ブレード１２とウェハ１
３とがＸ方向に相対的に移動し切断する場合についての
み説明する。まず、図２のステップＡで、予じめ準備さ
れたリファレンスウェハを定位置にあるステージに載置
する。
て説明する。なお、ここでは、ブレード１２とウェハ１
３とがＸ方向に相対的に移動し切断する場合についての
み説明する。まず、図２のステップＡで、予じめ準備さ
れたリファレンスウェハを定位置にあるステージに載置
する。
【００１６】次に、ステップＢで、図１（ａ）に示すよ
うに、ステージ１１を定位置からＹ方向に移動しリフレ
ンスウェハの所定の領域（例えば、定位置から最も近い
ダイシングラインを含む領域）とモニタカメラの検出パ
ターン１とを合せる。次に、ステップＣで、検出パター
ン１の基準線２と隣接するチップ６のエッジ４と一致し
ているか否か判定する。一致していれば、定位置から移
動距離をメモリに記憶させる。そして、次のステップＥ
に移行する。
うに、ステージ１１を定位置からＹ方向に移動しリフレ
ンスウェハの所定の領域（例えば、定位置から最も近い
ダイシングラインを含む領域）とモニタカメラの検出パ
ターン１とを合せる。次に、ステップＣで、検出パター
ン１の基準線２と隣接するチップ６のエッジ４と一致し
ているか否か判定する。一致していれば、定位置から移
動距離をメモリに記憶させる。そして、次のステップＥ
に移行する。
【００１７】もし、傾きがずれていれば、ステージ１１
を回転し修正し、しかる後、さらに、Ｙ方向にずれがあ
れば、図１（ｂ）に示すように、ステージ１１をＹ方向
に移動し修正する。そして、定位置からの移動距離に修
正した距離が加えられた補正値がメモリに記録される。
次に、ステップＥで、移動距離あるいは補正された移動
距離とダイシングライン５の幅からダイシングライン５
の中心位置の距離を演算し求めてメモリに記憶される。
そして、ステージ１１は定位置に戻る。このことによ
り、準備作業が終了する。
を回転し修正し、しかる後、さらに、Ｙ方向にずれがあ
れば、図１（ｂ）に示すように、ステージ１１をＹ方向
に移動し修正する。そして、定位置からの移動距離に修
正した距離が加えられた補正値がメモリに記録される。
次に、ステップＥで、移動距離あるいは補正された移動
距離とダイシングライン５の幅からダイシングライン５
の中心位置の距離を演算し求めてメモリに記憶される。
そして、ステージ１１は定位置に戻る。このことによ
り、準備作業が終了する。
【００１８】次に、ステップＦで、リファレンスウェハ
を取外し、切断すべきウェハ１３をステージ１１に載置
する。そして、ステップＧで、ステ一ジ１１はメモリに
記憶された距離だけ移動する。ステップＨで、モニタカ
メラで検出パターン１とウェハ１３の所定の領域範囲と
一致しているか否か自動認識する。一致していれば、次
のステップに移行する。
を取外し、切断すべきウェハ１３をステージ１１に載置
する。そして、ステップＧで、ステ一ジ１１はメモリに
記憶された距離だけ移動する。ステップＨで、モニタカ
メラで検出パターン１とウェハ１３の所定の領域範囲と
一致しているか否か自動認識する。一致していれば、次
のステップに移行する。
【００１９】もし、図１（ａ）のように、一致していな
ければ、ステップＩで、モニタカメラで傾きを検出しス
テージ１１を回転させダイシングライン５の中心線と検
出パターン１の中心線３との傾きを修正した後、それに
よるＹ方向のずれをステージの移動により修正し、その
補正値を移動すべき距離に加えてメモリに記憶する。次
に、ステージ１１を元の定位置に戻し、ステップＪでダ
イシングを開始する。これには、ブレード１２を回転さ
せ、定位置からメモリに設定された距離だけステージ１
１を移動させ、ステージをＸ方向に走行させ最初のダイ
シングライン５を切断する。そして、ステージ１１が方
向変換する毎にステージ１１を一ピッチづつＹ方向にス
テップ送りし順次ダイシングライン５を切断する。
ければ、ステップＩで、モニタカメラで傾きを検出しス
テージ１１を回転させダイシングライン５の中心線と検
出パターン１の中心線３との傾きを修正した後、それに
よるＹ方向のずれをステージの移動により修正し、その
補正値を移動すべき距離に加えてメモリに記憶する。次
に、ステージ１１を元の定位置に戻し、ステップＪでダ
イシングを開始する。これには、ブレード１２を回転さ
せ、定位置からメモリに設定された距離だけステージ１
１を移動させ、ステージをＸ方向に走行させ最初のダイ
シングライン５を切断する。そして、ステージ１１が方
向変換する毎にステージ１１を一ピッチづつＹ方向にス
テップ送りし順次ダイシングライン５を切断する。
【００２０】図３は本発明の他の実施の形態における半
導体基板のダイシング方法を説明するためのフローチャ
ートである。上述したダイシング方法では、図１のチッ
プ６のエッジ４が明瞭であって、認識が円滑に行なわれ
るという条件の基に行なわれたものである。しかしなが
ら、すべてのチップ６のエッジ４が認識できるようにコ
ントラストが得られるとは限らず不明瞭の場合がある。
導体基板のダイシング方法を説明するためのフローチャ
ートである。上述したダイシング方法では、図１のチッ
プ６のエッジ４が明瞭であって、認識が円滑に行なわれ
るという条件の基に行なわれたものである。しかしなが
ら、すべてのチップ６のエッジ４が認識できるようにコ
ントラストが得られるとは限らず不明瞭の場合がある。
【００２１】このような場合、モニタカメラで認識させ
修正させても、正確な位置決めが期待できない。また、
正確な位置決めしない限りウェハはチップに欠損を与え
歩留りを悪くすることになる。そこで、この実施の形態
では、かかるトラブルを解消するためになされたもので
ある。
修正させても、正確な位置決めが期待できない。また、
正確な位置決めしない限りウェハはチップに欠損を与え
歩留りを悪くすることになる。そこで、この実施の形態
では、かかるトラブルを解消するためになされたもので
ある。
【００２２】このダイシング方法は、図３のステップＧ
までは、前述の実施の形態と同じであるから割愛する。
まず、ステップＨで、位置ずれは無いかを判定する。こ
こで、位置ずれが無ければ、前述のように、ステップＪ
に進みダイシングを開始する。ここで、位置ずれが有れ
ば、ステップＩで位置ずれを修正する。そして、ステッ
プＫで修正回数をカウントし、ステップＨで位置ずれは
無いか確認する。
までは、前述の実施の形態と同じであるから割愛する。
まず、ステップＨで、位置ずれは無いかを判定する。こ
こで、位置ずれが無ければ、前述のように、ステップＪ
に進みダイシングを開始する。ここで、位置ずれが有れ
ば、ステップＩで位置ずれを修正する。そして、ステッ
プＫで修正回数をカウントし、ステップＨで位置ずれは
無いか確認する。
【００２３】そして、ステップＨで、まだ、位置ずれが
有れば、ステップＩで位置ずれを修正し、ステップＫで
修正回数をカウントする。
有れば、ステップＩで位置ずれを修正し、ステップＫで
修正回数をカウントする。
【００２４】このように、修正回数がステップＬで回数
オーバーとなったとき、チップ６のエッジ４が不明瞭で
モニタカメラが認識できないと判断し、ステップＭで、
アラームを発生させると同時に動作を停止させる。
オーバーとなったとき、チップ６のエッジ４が不明瞭で
モニタカメラが認識できないと判断し、ステップＭで、
アラームを発生させると同時に動作を停止させる。
【００２５】このような場合は、次の所定の領域（例え
ば、定位置より二番目に近いダイシングラインの領域）
またはコントラストが明瞭に得られる領域に検出パター
ンを位置合せすることとして、ステップＡから行なえば
良い。
ば、定位置より二番目に近いダイシングラインの領域）
またはコントラストが明瞭に得られる領域に検出パター
ンを位置合せすることとして、ステップＡから行なえば
良い。
【００２６】なお、検出パターンとして、二つのチップ
を含みダイシングラインを跨がるような短冊状のパター
ンで説明したが、本発明では、この形状に限定するもの
ではない。
を含みダイシングラインを跨がるような短冊状のパター
ンで説明したが、本発明では、この形状に限定するもの
ではない。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、位置決め
用検出パターンをモニタカメラに内蔵させ、切断すべき
ウェハと同じチップと数をもつリファレンスウェハを準
備し、予じめリファレンスウェハをステージに載置し検
出パターンをリファレンスウェハのダイシングラインに
位置合せし、必要に応じ修正し、設定された位置座標を
記憶させ、リファレンスウェハの代りにステージに載置
された切断すべきウェハを前記位置座標に移動させるこ
とによって、ウェハのダイシングライン内に識別マーク
が形成されなくとも正確にダイシングラインにブレード
を合せることができ、パッドの短絡を引起すチップの汚
染やチップの欠損を発生させることなく歩留りの向上が
図れるという効果がある。
用検出パターンをモニタカメラに内蔵させ、切断すべき
ウェハと同じチップと数をもつリファレンスウェハを準
備し、予じめリファレンスウェハをステージに載置し検
出パターンをリファレンスウェハのダイシングラインに
位置合せし、必要に応じ修正し、設定された位置座標を
記憶させ、リファレンスウェハの代りにステージに載置
された切断すべきウェハを前記位置座標に移動させるこ
とによって、ウェハのダイシングライン内に識別マーク
が形成されなくとも正確にダイシングラインにブレード
を合せることができ、パッドの短絡を引起すチップの汚
染やチップの欠損を発生させることなく歩留りの向上が
図れるという効果がある。
【図１】本発明の一実施の形態における半導体基板のダ
イシング方法を説明するための検出パターンを示す図で
ある。
イシング方法を説明するための検出パターンを示す図で
ある。
【図２】本発明の一実施の形態における半導体基板のダ
イシング方法を説明するためのフローチャートおよびダ
イシング装置の概略を示す斜視図である。
イシング方法を説明するためのフローチャートおよびダ
イシング装置の概略を示す斜視図である。
【図３】本発明の他の実施の形態における半導体基板の
ダイシング方法を説明するためのフローチャートであ
る。
ダイシング方法を説明するためのフローチャートであ
る。
【図４】ダイシングライン内に形成されたターゲットマ
ークを示すウェハの部分拡大図である。
ークを示すウェハの部分拡大図である。
１ 検出パターン ２ 基準線 ３ 中心線 ４ エッジ ５，７ ダイシングライン ６，８ チップ ９ 中央線 １０ ダイシングマーク １１ ステージ １２ ブレード １３ ウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/301 B28D 5/02 H01L 21/02
Claims (2)
- 【請求項１】 複数のチップを区画するダイシングライ
ンが縦横に施される半導体基板の前記ダイシングライン
に沿ってブレードを走行させ切断し、前記半導体基板か
ら前記チップのそれぞれを切断分割する半導体基板のダ
イシング方法において、前記半導体基板の該チップ数お
よび大きさならびに該チップの間隔が同一の基準半導体
基板を準備し、ステージに前記基準半導体基板を載置
し、前記ステージの定位置から該ステージを一方向に移
動させ前記基準半導体基板の前記ダイシングラインを含
む第１の領域と認識カメラの位置決め用検出パターンと
を一致させ、一致した該位置座標を記憶し、前記定位置
に戻された前記ステージから前記基準半導体基板と前記
半導体基板と入れ換え、しかる後、前記ステージを記憶
された前記位置座標に移動させ、前記検出パターンと前
記半導体基板の前記第１の領域に対応する第２の領域と
一致しているか否かを位置ずれ判定し、位置ずれが有れ
ば前記ステージの移動させ修正し、修正された前記位置
座標から前記ダイシングラインの中央線の位置を求め、
求められた中央線に順次ダイシングラインの間隔を加算
して前記半導体基板をステップ状に前記一方向に移動さ
せ、一方向と直角の方向に前記ブレードと前記ステージ
を移動させ前記ダイシングラインで切断することを特徴
とする半導体基板のダイシング方法。 - 【請求項２】 前記位置ずれ判定と前記位置ずれ修正と
を複数回行ない前記検出パターンと前記第２の領域と一
致しないときは、その後の動作を停止することを特徴と
する請求項１記載の半導体基板のダイシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23862997A JP3157751B2 (ja) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | 半導体基板のダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23862997A JP3157751B2 (ja) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | 半導体基板のダイシング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187278A JPH1187278A (ja) | 1999-03-30 |
| JP3157751B2 true JP3157751B2 (ja) | 2001-04-16 |
Family
ID=17032994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23862997A Expired - Fee Related JP3157751B2 (ja) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | 半導体基板のダイシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3157751B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6604715B2 (ja) * | 2014-09-12 | 2019-11-13 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
| JP6768189B2 (ja) * | 2016-03-07 | 2020-10-14 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス板の製造方法 |
| JP6698440B2 (ja) * | 2016-06-21 | 2020-05-27 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
| JP2019202356A (ja) * | 2018-05-21 | 2019-11-28 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
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1997
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