JPH01184973A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH01184973A JPH01184973A JP826488A JP826488A JPH01184973A JP H01184973 A JPH01184973 A JP H01184973A JP 826488 A JP826488 A JP 826488A JP 826488 A JP826488 A JP 826488A JP H01184973 A JPH01184973 A JP H01184973A
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- gaalas
- optical waveguide
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は光情報処理や光計測等の光源として用いられる
半導体レーザＧこ関する。
半導体レーザＧこ関する。
（従来の技術）
近年、光情報処理や光通信、光計測の分野で半導体レー
ザが広く用いら牡ている。こルらの子導体レーザにはそ
の用途に応じた特性が要求される。
ザが広く用いら牡ている。こルらの子導体レーザにはそ
の用途に応じた特性が要求される。
例えばビデオディスクや文書ファイル等の光デイスクシ
ステムに用いられる半導体レーザは、開用される光出力
の範囲内で基本横モードであること。
ステムに用いられる半導体レーザは、開用される光出力
の範囲内で基本横モードであること。
および非点収差が小さいこと等が要求さする。このよう
な仕様を膚たす半導体レーザとして例えば第３図に示し
たｍ−ｇｃＯｔｆｌａＧａＡＪＡｓｖ−ザ（Ｅｘｔｅｎ
ｄｅｄ Ａｂｓｔｒｕｃｔ、１７ｔｈ Ｃｏｎｆ、ｏｎ
５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅＤｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍ
ａｔｅｒｉａｌｓ、Ｔｏｋｙｏ（１９８５）ｐｐ、６７
−７０）や窮４図憂こボしたリッジストライプｕＩｎＧ
ａＡ７ＩＰレーザ（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂａｔｒｕｃ
ｔ、１７ｔｈ Ｃｅｎｆ、ｏｎ ５ｏｌｉｄＳｔａｔｅ
１）ｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、Ｔ
ｏｋｙｏ（１９８６）ＰＰ。
な仕様を膚たす半導体レーザとして例えば第３図に示し
たｍ−ｇｃＯｔｆｌａＧａＡＪＡｓｖ−ザ（Ｅｘｔｅｎ
ｄｅｄ Ａｂｓｔｒｕｃｔ、１７ｔｈ Ｃｏｎｆ、ｏｎ
５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅＤｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍ
ａｔｅｒｉａｌｓ、Ｔｏｋｙｏ（１９８５）ｐｐ、６７
−７０）や窮４図憂こボしたリッジストライプｕＩｎＧ
ａＡ７ＩＰレーザ（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂａｔｒｕｃ
ｔ、１７ｔｈ Ｃｅｎｆ、ｏｎ ５ｏｌｉｄＳｔａｔｅ
１）ｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、Ｔ
ｏｋｙｏ（１９８６）ＰＰ。
１５３−１５６）等の横モード制御半導体レーザがある
。
。
＠３図の列では光導波層１０５がストライプ部分で活性
層１０２に近接して設けられていることにより、ストラ
イプ内とストライプ外とで実効屈折率の差が生じ、安定
した基本横モード発振が実現さする。また′４流侠窄層
１０４として活性ノー１０２より禁制帯幅の大きいＧａ
ＡｊＡｓを用いることができるため、損失が少なくかつ
低非点収差の−ｉ！性が得られる。しかしながら、この
構造は。
層１０２に近接して設けられていることにより、ストラ
イプ内とストライプ外とで実効屈折率の差が生じ、安定
した基本横モード発振が実現さする。また′４流侠窄層
１０４として活性ノー１０２より禁制帯幅の大きいＧａ
ＡｊＡｓを用いることができるため、損失が少なくかつ
低非点収差の−ｉ！性が得られる。しかしながら、この
構造は。
ストライプ溝１１０をエツチングご形成した麦。
その上に元４波層１０５．クラッド層１０６．コンタク
ト層１０７ ’、２Ｆｉ長させるため、４流が流れるス
トライプ部分でＡｌｆ＠；む結晶の上への再成長工程を
富むことになり、界面の結晶品質の点から、クラッド層
のへ１組成比が大きい場合、あるいは池の材料系１例え
ばＩｎＧａＡＪＰ系等へ適用するのは困鎌Ｃある。。
ト層１０７ ’、２Ｆｉ長させるため、４流が流れるス
トライプ部分でＡｌｆ＠；む結晶の上への再成長工程を
富むことになり、界面の結晶品質の点から、クラッド層
のへ１組成比が大きい場合、あるいは池の材料系１例え
ばＩｎＧａＡＪＰ系等へ適用するのは困鎌Ｃある。。
＠４図はこの点を解決したもので、すｖジ部をエツチン
グする際、ＧａＡａキャップ層１２５が残るため、電流
が流れる部分でＡｊを言む結晶上への再成長はぎまれな
い。この構造ではストライプ外でＱａＡｓ電流狭窄層１
２４が活性層１２２に遅疑しているため、導波モードの
損失かリッジ部より大きくなり、リッジ内外で実効屈折
率が生じ。
グする際、ＧａＡａキャップ層１２５が残るため、電流
が流れる部分でＡｊを言む結晶上への再成長はぎまれな
い。この構造ではストライプ外でＱａＡｓ電流狭窄層１
２４が活性層１２２に遅疑しているため、導波モードの
損失かリッジ部より大きくなり、リッジ内外で実効屈折
率が生じ。
横モードの閉じ込めが行われる。この構欲は損失導波型
であるため、第３図の場合よりストライプ幅Ｗを大きく
しても横モードの安定性は得られるが、嘉３図に比較す
ると損失が大きく、また非点収差も大きくなる。またこ
の図の列のようにクラッド層としてＩｎＡＪＰを用いる
と、活性層との禁制帯幅の差が大きく、低しきい匝の４
！性が得られるが、光の閉じ込め効果が大きいため、活
性層に卦ける光パワー密度が大きくなり、高出力化には
限界がある。
であるため、第３図の場合よりストライプ幅Ｗを大きく
しても横モードの安定性は得られるが、嘉３図に比較す
ると損失が大きく、また非点収差も大きくなる。またこ
の図の列のようにクラッド層としてＩｎＡＪＰを用いる
と、活性層との禁制帯幅の差が大きく、低しきい匝の４
！性が得られるが、光の閉じ込め効果が大きいため、活
性層に卦ける光パワー密度が大きくなり、高出力化には
限界がある。
嬉３図かよ、び第４図のどちらかの場合においても、横
モード特性はストライプ幅ｗｂよびそれぞれの図に紐け
る寸法りに大きく依存する。Ｗはフォトマスクの寸法Ｗ
１度により充分制御できるが。
モード特性はストライプ幅ｗｂよびそれぞれの図に紐け
る寸法りに大きく依存する。Ｗはフォトマスクの寸法Ｗ
１度により充分制御できるが。
ｈはエツチング条件によって決まる寸法であるため、清
書な寸法制御を行うには高度の技術が必要とされる。
書な寸法制御を行うには高度の技術が必要とされる。
（発明が解決しようとする課題）
以上述べたように、従来の半導体レーザでは。
電流が流する領域にＡＩを富む再成長界面がな（。
かつ低損失、低非点収差、高出力といった特性を持つ横
モード制呻構徴は実現されていなかりた。
モード制呻構徴は実現されていなかりた。
また安定な横モード特性を得るためのｍａ寸法の制御が
困雛であるという問題点があった。本発明の目的は、こ
１らの問題点を解決し、安定な−Ｉ！ｉ本横モードを得
るための寸法制（至）が容易で、高出力動作が可能な半
導体レーザを提供することにある。
困雛であるという問題点があった。本発明の目的は、こ
１らの問題点を解決し、安定な−Ｉ！ｉ本横モードを得
るための寸法制（至）が容易で、高出力動作が可能な半
導体レーザを提供することにある。
本発明はクラッド層の一部の厚さを変えたリッジ中にこ
のクラッド層より屈折率が高い光導波層を設けることに
より、活性層にかける光パワー密度を低減して高出力動
作を可能とし、また、活性層と光導波層との距離がエツ
チング条件ではなく結晶成長時間で制御される構造とす
ることによって、安定な基本横モード発振を得るための
寸法制−を容易としたものである。
のクラッド層より屈折率が高い光導波層を設けることに
より、活性層にかける光パワー密度を低減して高出力動
作を可能とし、また、活性層と光導波層との距離がエツ
チング条件ではなく結晶成長時間で制御される構造とす
ることによって、安定な基本横モード発振を得るための
寸法制−を容易としたものである。
（作用）
本発明によれば電流が流れる領域にＡＪを含む再成長界
面のない横モード制御ａｌｌＷＩＩ造において高出力動
作に適した半導体レーザが得られ、ｔた。安定な基本横
モード発振を得るための寸法制御が容易に行える。
面のない横モード制御ａｌｌＷＩＩ造において高出力動
作に適した半導体レーザが得られ、ｔた。安定な基本横
モード発振を得るための寸法制御が容易に行える。
（実施列）
以下１本発明の実施例を図面を参照して説明する。第１
図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの概略構造
を示す図である。１中、１０はｎ−ＱａＡｇ基板％ １
１はｎ−Ｇａ１−ｙＡｊｙＡ １１１ラッド層、１２は
アンドープＧ ａ １− Ｘ Ａ ｌｙｆ Ａ ”Ｉ活
性層。
図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの概略構造
を示す図である。１中、１０はｎ−ＱａＡｇ基板％ １
１はｎ−Ｇａ１−ｙＡｊｙＡ １１１ラッド層、１２は
アンドープＧ ａ １− Ｘ Ａ ｌｙｆ Ａ ”Ｉ活
性層。
１３．１４はｐ−Ｇａ１−ｙＡｊｙＡｓクラッド層。
１５はｐ−Ｇａｇ−、ＡｊｚＡｓ光導波層、１６はｎ−
Ｇａｌ−ｗＡｊｗＡＳ’ｉｌ流狭窄層、１７はｐ−Ｇａ
Ａｓキ’ｒｑプ層、１８はｐ−ｃａＡｉ：ｒｙタクト層
、１９はｎｆｉ極、２０はｐｔｔｌをそれぞれ示してい
る。
Ｇａｌ−ｗＡｊｗＡＳ’ｉｌ流狭窄層、１７はｐ−Ｇａ
Ａｓキ’ｒｑプ層、１８はｐ−ｃａＡｉ：ｒｙタクト層
、１９はｎｆｉ極、２０はｐｔｔｌをそれぞれ示してい
る。
各層のＡＪ組成比の大小関係は。
ｙ＞ｚ＞ｘ ・・・・・・・・・・・・・・・・
・・（１）となっており、これは禁制帯幅の大小関係に
一致する。また屈折率の大小はこの逆になる。第１図の
レーザは以下のようにして作製される。まず。
・・（１）となっており、これは禁制帯幅の大小関係に
一致する。また屈折率の大小はこの逆になる。第１図の
レーザは以下のようにして作製される。まず。
ｎ−ＧａＡｓ基板１０の上にｎ−ＧａＡＪＡｓクラッド
層１１．ＧａＡＪＡｓ活性層１２． ｐ −ＧａＡＪ
Ａｓクラッド層１３．ｐ−ＧａＡｊＡｓ光導波層１５．
ｐ−ＧａＡノ八８へラッド層１４．ｐ−ＧａＡｓキャッ
プ層１７を順次成長させた後、中央のリッジ部を残して
キャップ層１７．クラッド層１４．光導波層１５および
クラッド層１３の一部をエツチングにより除去する０次
に、この上にｎ −ＧａＡｊＡｓ電流狭窄層１６を成長
させる。この電流狭窄層の形成はＭ ＯＣＶ Ｄ成長お
よび中央リッジ部のリフ。
層１１．ＧａＡＪＡｓ活性層１２． ｐ −ＧａＡＪ
Ａｓクラッド層１３．ｐ−ＧａＡｊＡｓ光導波層１５．
ｐ−ＧａＡノ八８へラッド層１４．ｐ−ＧａＡｓキャッ
プ層１７を順次成長させた後、中央のリッジ部を残して
キャップ層１７．クラッド層１４．光導波層１５および
クラッド層１３の一部をエツチングにより除去する０次
に、この上にｎ −ＧａＡｊＡｓ電流狭窄層１６を成長
させる。この電流狭窄層の形成はＭ ＯＣＶ Ｄ成長お
よび中央リッジ部のリフ。
トオフあるいはＳ ｉ ０１マスクを用いたＭＯＣＶＤ
選択成長等の方法によりて行うことができる。電流狭窄
層形成後、リッジ部のマスク（レジスト。
選択成長等の方法によりて行うことができる。電流狭窄
層形成後、リッジ部のマスク（レジスト。
８１０１等）を除去し、この上に１）−ＧＩＬＡＳコン
タクト層１８を成長させ、最後に電極１９．２０を形成
することにより、第１図の横置が作製される。
タクト層１８を成長させ、最後に電極１９．２０を形成
することにより、第１図の横置が作製される。
このレーザではｔ流が流れるリッジ部上への再成長はｐ
−ＧａＡｓキャップ層１７の上への成長であるため、第
３図の場合のよりなＡｎを含む結晶上への再成長に比較
して良好な界面が得られる。
−ＧａＡｓキャップ層１７の上への成長であるため、第
３図の場合のよりなＡｎを含む結晶上への再成長に比較
して良好な界面が得られる。
また光導波層１５により１発振時の導波モードの活性層
外部へのしみ出しを大きくとることができ。
外部へのしみ出しを大きくとることができ。
光パワー密度が低減されるため、高出力動作に適してい
る。
る。
このレーザの垂直方向のビーム広がり角は各層の組成、
活性層厚、光導波層厚および活性Ｉ曽と光導波層との距
、＠（図中のｈ）によって決まる。第３図の場合憂こは
ｈがエツチング条件で決まるために寸法制御が困難であ
ったのに対し１本発明による第１図の構ａでは最初の結
晶成長条件で決定されるため、容易Ｅこ精密な寸法制御
が行える。
活性層厚、光導波層厚および活性Ｉ曽と光導波層との距
、＠（図中のｈ）によって決まる。第３図の場合憂こは
ｈがエツチング条件で決まるために寸法制御が困難であ
ったのに対し１本発明による第１図の構ａでは最初の結
晶成長条件で決定されるため、容易Ｅこ精密な寸法制御
が行える。
一方、水平方向の横モード閉じ込めに関しては電流狭窄
層１６のＡＪ組成比Ｗの大きさの遍び方として次の２つ
の場合があり得る。第１の例はｗ （ｘ ・・・
・・・・・・・・・・・・・・・（２）の場合で、電流
狭窄層の禁制帯幅より小さく、電流狭窄層が導波モード
に対して損失層として動く場合である。この場合には第
４図と同様の損失導波型となる。第２の列は ｗ ） ｚ ・・・・・・・・・・・・・・・・
・・（３）の場合で、この時には、１流侠窄層の禁制帯
幅が活性層の禁制帯幅より大きく、従りて１発振波長に
対して透明になり、損失が少ないため低しきい簾のレー
ザが得られる。この場合には第３図と同様の屈折不導ｅ
、摩の横モード制−が実現される。
層１６のＡＪ組成比Ｗの大きさの遍び方として次の２つ
の場合があり得る。第１の例はｗ （ｘ ・・・
・・・・・・・・・・・・・・・（２）の場合で、電流
狭窄層の禁制帯幅より小さく、電流狭窄層が導波モード
に対して損失層として動く場合である。この場合には第
４図と同様の損失導波型となる。第２の列は ｗ ） ｚ ・・・・・・・・・・・・・・・・
・・（３）の場合で、この時には、１流侠窄層の禁制帯
幅が活性層の禁制帯幅より大きく、従りて１発振波長に
対して透明になり、損失が少ないため低しきい簾のレー
ザが得られる。この場合には第３図と同様の屈折不導ｅ
、摩の横モード制−が実現される。
この場合の実効屈訴率差は上述のｈおよびリッジ外での
活性層と電流狭窄層との距離ｈ′とによって決まるが、
電流狭窄層とｐ−クラッド層との組成を近いものにして
おけばｈ’（Ｄ［すなわちエツチング条件によりて決ま
る直には大きく依存しないため、比較的容易に基本横モ
ードの安定性を得ることがＣきる。特に電流狭窄層１６
の屈折率がｐ−クラッド層の屈折率に等しい場合、すな
わち。
活性層と電流狭窄層との距離ｈ′とによって決まるが、
電流狭窄層とｐ−クラッド層との組成を近いものにして
おけばｈ’（Ｄ［すなわちエツチング条件によりて決ま
る直には大きく依存しないため、比較的容易に基本横モ
ードの安定性を得ることがＣきる。特に電流狭窄層１６
の屈折率がｐ−クラッド層の屈折率に等しい場合、すな
わち。
ｗ ＝ ｙ ・・・・・・・・・・・・
・・・・・・ （４）の場合には、リッジ外の実効屈折
率はｈ′によらないため、リッジ形成時のエツチングは
光導波層と活性層との間で停止すればよく、精密な制御
を必要としない。
・・・・・・ （４）の場合には、リッジ外の実効屈折
率はｈ′によらないため、リッジ形成時のエツチングは
光導波層と活性層との間で停止すればよく、精密な制御
を必要としない。
第２図は本発明の他の実施列を示したものである０図中
、３０はｎ−ＧａＡａ基板、３１はｎ−Ｉｎｏ−ｓ（Ｇ
ａｔ −ｙＡｌ ｙ ）ｏ、ｓ Ｐクラッド層、３２は
アンドープＩ ｎ ｏ、ｓ （（Ｊ ａＩ−Ｘ Ａ ｌ
ｚ ）６．ｓ Ｐ活性層、３３．３４は１１− 工ｎ
ｏ、ｌ （Ｇａｐ−ｙＡＪ、 ）６．、ＢＰクラッドｒ
６．３５はｐ −Ｉｎ６．、（Ｇａｌ −２Ａｌ ２）
ｏ、ｍＰ元導波１ｅｉＪ、３６はｎ−Ｇｎ−Ｇａ１−ｗ
Ａｌ 電流狭窄層、３７はｐ−ＩｎＧａＰキャップ層、
３８はｐ−ＧａＡｓコンタクト層３９はｎ’ｔｔｍｂ４
０はｐｌｌをそれぞれ示している＠ Ｘ ＊ ｙＴ ｚ
の大小関係は（１）式と同様である。
、３０はｎ−ＧａＡａ基板、３１はｎ−Ｉｎｏ−ｓ（Ｇ
ａｔ −ｙＡｌ ｙ ）ｏ、ｓ Ｐクラッド層、３２は
アンドープＩ ｎ ｏ、ｓ （（Ｊ ａＩ−Ｘ Ａ ｌ
ｚ ）６．ｓ Ｐ活性層、３３．３４は１１− 工ｎ
ｏ、ｌ （Ｇａｐ−ｙＡＪ、 ）６．、ＢＰクラッドｒ
６．３５はｐ −Ｉｎ６．、（Ｇａｌ −２Ａｌ ２）
ｏ、ｍＰ元導波１ｅｉＪ、３６はｎ−Ｇｎ−Ｇａ１−ｗ
Ａｌ 電流狭窄層、３７はｐ−ＩｎＧａＰキャップ層、
３８はｐ−ＧａＡｓコンタクト層３９はｎ’ｔｔｍｂ４
０はｐｌｌをそれぞれ示している＠ Ｘ ＊ ｙＴ ｚ
の大小関係は（１）式と同様である。
また、電流狭窄層の組成により、損失導波をとなること
も第１の実施列と同様である８例えば、Ｗ＝Ｏとすると
慣失導仮我となり、Ｘ＝０ ＃ ｙ＝ｏ、５ｚ＝０．１
．Ｗ＝０．８とすると損失■ない屈折率導波型となる。
も第１の実施列と同様である８例えば、Ｗ＝Ｏとすると
慣失導仮我となり、Ｘ＝０ ＃ ｙ＝ｏ、５ｚ＝０．１
．Ｗ＝０．８とすると損失■ない屈折率導波型となる。
なお、ここでは電流狭窄層をｎ −ＱａＡＪＡｓとした
が、ｎ−ＩｎＧａＡｊＰを用いてもよい。
が、ｎ−ＩｎＧａＡｊＰを用いてもよい。
、以上の説明では半導体レーザの構成材料としてｃａＡ
ｚＡｓ系およびＩｎＧａＡｊＰ系の場合について述べた
が１本発明は上述の実施例に限定されるものではなくｈ
ＩｎＧａＡｔＰ系やＩｎＧａＡｊＡｓ″ｌＦ、、Ｇ
ａＡｌＡｓ系等の他の化合物半導体材料を用いてもよい
、また基板としてｐ壁基板を用い、各層の導電型を逆を
こすることも可能である。
ｚＡｓ系およびＩｎＧａＡｊＰ系の場合について述べた
が１本発明は上述の実施例に限定されるものではなくｈ
ＩｎＧａＡｔＰ系やＩｎＧａＡｊＡｓ″ｌＦ、、Ｇ
ａＡｌＡｓ系等の他の化合物半導体材料を用いてもよい
、また基板としてｐ壁基板を用い、各層の導電型を逆を
こすることも可能である。
本発明によれば作製時の寸法制御が容易で安定に基本横
モードで発振するレーザが得られる。
モードで発振するレーザが得られる。
＠１図および第２図は本発明の実ｍ列を示す図。
第３図および第４図は従来の償モード制御半導体レーザ
の例を示す図である。 １０．３０，１００．１２０・・−ｎ−ＧａＡａ基板、
１１゜１０１・・・ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層、１２
．１０２・・・アンドープＧａＡＪＡａ活性層、１３，
１４，１０３゜１０６・・・ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド
層、１５．１０５・・・ｐ−Ｇ＆ＡｌＡｓ光導波層、１
６，３６，１０４・−・ｎ−ＧａＡｌＡｓ電流侠窄層、
１７，１２５・−ｐ−ＧａＡｓキャｙプ層。 １８．３８，１０７．１２６・・・ｐ−ＧａＡｓ コン
タクト層。 ３１．１２１・・・ｎ−ＩｎＧａＡＪＰクラッ ド層、
３２・・・アンドープＩｎＧａΔｚｐ活性１ｉ、１２２
・・・アンドープエコＧａＰ活性＋４．３３．３４，１
２３・−ｐ−ＩｎＧａＡＡｔＰクラッドＷＩｈ ３５
・−ｐ−ＩｎＧａＡｊＰ光導ｅ＋１ １２４．、。 ｎ−ＧａＡｇ’を流侠窄ｒｇＪ、３７＝・ｐ−ＩｎＱａ
ｐキャップ層、１９＋３Ｓｌ １０８ｅ １２７””ｎ
１！極、２０．４０゜１０９．１２８・・・ｐ電極。 代理人 弁理士 則 近 麿 佑 同 松山光速 第１図 第２図 第３図 第 ４ 図
の例を示す図である。 １０．３０，１００．１２０・・−ｎ−ＧａＡａ基板、
１１゜１０１・・・ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層、１２
．１０２・・・アンドープＧａＡＪＡａ活性層、１３，
１４，１０３゜１０６・・・ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド
層、１５．１０５・・・ｐ−Ｇ＆ＡｌＡｓ光導波層、１
６，３６，１０４・−・ｎ−ＧａＡｌＡｓ電流侠窄層、
１７，１２５・−ｐ−ＧａＡｓキャｙプ層。 １８．３８，１０７．１２６・・・ｐ−ＧａＡｓ コン
タクト層。 ３１．１２１・・・ｎ−ＩｎＧａＡＪＰクラッ ド層、
３２・・・アンドープＩｎＧａΔｚｐ活性１ｉ、１２２
・・・アンドープエコＧａＰ活性＋４．３３．３４，１
２３・−ｐ−ＩｎＧａＡＡｔＰクラッドＷＩｈ ３５
・−ｐ−ＩｎＧａＡｊＰ光導ｅ＋１ １２４．、。 ｎ−ＧａＡｇ’を流侠窄ｒｇＪ、３７＝・ｐ−ＩｎＱａ
ｐキャップ層、１９＋３Ｓｌ １０８ｅ １２７””ｎ
１！極、２０．４０゜１０９．１２８・・・ｐ電極。 代理人 弁理士 則 近 麿 佑 同 松山光速 第１図 第２図 第３図 第 ４ 図
Claims (4)
- （１）活性層に対して基板と反対側のクラッド層の一部
の厚さを変えたリッジを設け、このリッジ部以外のクラ
ッド層上に該クラッド層とは導電型の異なる電流狭窄層
が形成されている半導体レーザにおいて、前記リッジ部
とクラッド層中に該クラッド層より屈折率が高い光導波
層が形成されていることを特徴とする半導体レーザ。 - （２）前記リッジ部のクラッド層上部に接して、クラッ
ド層と同一導電型でアルミニウムを含まない半導体層か
ら成るキャップ層が設けられていることを特徴とする請
求項１記載の半導体レーザ。 - （３）前記電流狭窄層の禁制帯幅が前記活性層の禁制帯
幅および前記光導波層の禁制帯幅のいずれよりも大きい
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。 - （４）前記電流狭窄層の屈折率が前記クラッド層の屈折
率とほぼ等しいことを特徴とする請求項１記載の半導体
レーザ。
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP63008264A JP3015371B2 (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | 半導体レーザ |
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| JP3015371B2 JP3015371B2 (ja) | 2000-03-06 |
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ID=11688294
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP63008264A Expired - Lifetime JP3015371B2 (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | 半導体レーザ |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03227088A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-08 | Nec Corp | 半導体レーザ |
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| JP2003142769A (ja) * | 1998-02-17 | 2003-05-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
| JP2003264343A (ja) * | 1999-06-10 | 2003-09-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
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-
1988
- 1988-01-20 JP JP63008264A patent/JP3015371B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03227088A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-08 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| EP0971465A1 (en) * | 1997-03-27 | 2000-01-12 | Sharp Corporation | Compound semiconductor laser |
| EP0971465A4 (en) * | 1997-03-27 | 2000-09-13 | Sharp Kk | SEMICONDUCTOR COMBINED LASER |
| US6597716B1 (en) | 1997-03-27 | 2003-07-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Compound semiconductor laser |
| EP1437809A1 (en) * | 1997-03-27 | 2004-07-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Compound semiconductor laser |
| US6855570B2 (en) | 1997-03-27 | 2005-02-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Compound semiconductor laser |
| US7042011B2 (en) | 1997-03-27 | 2006-05-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Compound semiconductor laser |
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| EP1744419A3 (en) * | 1997-03-27 | 2007-04-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Compound semiconductor laser |
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| JP2003264343A (ja) * | 1999-06-10 | 2003-09-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
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