JPH01158618A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁気記録媒体に関する。史に詳細には、本発明
は広い記録密度範囲で高い出力を／Ｊ＜す磁気記録媒体
に関する。

［従来の技術］ 高密度記録の需要増加の伴い、種々の新しい記録方式の
検討が進められている。特に、磁気記録の分野では垂直
磁気記録方式が、将来の有望な高密度記録法の一方式と
して、盛んに検討されている。この垂直磁気記録用の記
録媒体材料としては、Ｃｏ−Ｃｒ合金薄膜を中心にＣ０
−０膜＊Ｆｅ−Ｍ−０膜（Ｍ＝　Ｓ　ｎ、　Ｇ　ｅなど
）、アルマイト微細孔中にＦｅなどを電解析出させた薄
膜などが検討され、それらの優れた高密度記録性能も数
多くの実験により実証された感がある。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、これらの記録媒体を用いた取直記録方式は、こ
のように高密度記録特性に優れる反面、従来の面内記録
方式で実現してきた低密度出力値に比較し、低いという
問題がある。

これは、垂直記録媒体を磁化した時に発生する脱去裏面
の自由磁極により、強い反磁界が生じ記録磁化を減衰さ
せるためである。従って、この問題に対する対策としこ
は、垂直磁化記録層と基板の間に、軟磁性層を介在させ
、軟磁性層に隣接する界面の自由磁極量を減少させる方
法が考えられる。この考えは、既に特公昭５８−９１に
開示され、いわゆる、二層膜媒体として広（検討が続け
られてきた。

しかし、この種の媒体の問題点としては、第一にパーマ
ロイなどの軟磁性層りに、例えばＣｏ−Ｃｒなどの垂直
磁気異方性層を形成すると、ｃ。

−Ｃｒ膜の結晶量同性が乱れること、第二に、Ｕｅｓａ
ｋａら　；Ｊｏｕｒｎａｌ　　ｏｆ　　Ａｐｐｌｉｅｄ
　　Ｐｈｙｓｉｃｓ　　５７（１９８５）３９２５に開
示されるように軟磁性層かスパイク状雑音を発生し良好
なＳ／Ｎが得られないこと、そして第三に一ニー層膜媒
体とリングヘッドを組合わせた場合、軟磁性層の存在に
より垂直方向のヘッド磁界がブロードになり高密度記録
特性が劣化するなどの問題かあった。

本発明はかかる従来垂直記録媒体か持っていた［１生出
力が低いという欠点を解消し、広い記録密度領域で品い
１１１生出力を、１＜す垂直磁気記録媒体を提供するこ
とを目的とする。

［課題を解決するための手段コ ］１記［１的を達成するために、本発明では、非磁性基
板にに、非轍性ド地層を介すかあるいは介さずに軟磁性
層を設け、更に該軟磁性層１・、に非磁性中間層を介す
かあるいは介さずに東直磁気兇力性記録層を積層した磁
気記録媒体に於いて、軟磁性層の飽和磁化か少なくとも
垂直磁気異方性記録層の飽和磁化よりも高い材料で構成
され、かつ軟磁性層の膜厚を５０Å〜１０００人未満の
範囲内とした。

軟磁性層の形成には軟磁性特性を示す材料であれば全て
使用できるが、−成約にはＮｉ−Ｆｅ（パーマロイ）膜
、ＣｏまたはＧｏ−Ｍ合金層（ここで、ＭはＣｒ、Ｇｅ
ｌ　ＭＯ，Ｏｓ、Ｐｔｌ　Ｒｅ１ＲＩＩ　Ｓ　ｂ＋　　
Ｓ　ｉ　、Ｔ　ａｔ　ｖ、　ＷおよびＺｎからなる群か
ら選択される一種類の元素である）から構成することが
好ましい。

前記軟碌性層形成材料として、Ｃｏ−Ｍ合金を使用する
場合、Ｃｏ−Ｍ合金における元素Ｍの含有率は２〜２０
ａｔ％であり、ＭがＣｒ元素である場合、Ｃｒの含有率
は１２ａｔ％以−ドであることが好ましい。

軟磁性層の膜厚は５０〜５００人の範囲内であることが
好ましい。

軟磁性層をＣｒ含有率か１２ａｔ％以下のＣｏ−Ｃｒ合
金で構成することができる。この場合、該軟磁性層１−
に積層される垂直磁気異方性記録層はＣｒ含有率１５〜
２５ａｔ％のＣｏ−Ｃｒ合金がら構成されており、その
膜厚が５００〜３０００人の範囲内であることが好まし
い。Ｃｒ含有率が１２ａｔ％以下のＣｏ−Ｃｒ合金軟磁
性層の飽和磁化はＣｒ含（ｒ率１５〜２５ａｔ％のＣｏ
−Ｃｒ合金ｌ′Ｔ！直磁気異方性記録層の飽和磁化より
も大きい。

軟磁性層と垂直磁気異方性記録層との間には、必°Ｕに
応じて、膜厚が３００人以ドの非磁性中間層を介在させ
ることができる。

非磁性中間層はＢ＋　Ｃ＋　Ｇｅｔ　Ｍｏｗ　　Ｓ　Ｌ
　Ｏｓｔ　Ｒｕ＋　Ｒｅ＊　Ｔａ、Ｔｉ、Ｗより選ばれ
る元素のり１体、またはこれらの元素の合金、酸化物も
しくは窒化物から構成できる。

所望により、非磁性基板と軟磁性層との間に非磁性下地
層を介在させることができる。非磁性下地層はアルマイ
トやＮｉ−Ｐの他、前記の非磁性中間層形成材料と同じ
材料で形成することができる。非磁性゛ド地層の膜厚は
非磁性基体の種類や媒体の用途に応じて広範囲に変化さ
せることができる。例えば、ハードディスクでは非磁性
下地層の膜厚は約１０μｍ以下であるが、−成約には５
０００人以ドである。

［作用］ 従って、本発明の磁気記録媒体は第１図〜第４図に示さ
れるような４種類の構造を有する。第１図は非磁性下地
層および非磁性中間層を全く有しない磁気記録媒体であ
り、非磁性基板１の上に軟磁性層３が積層され、この軟
磁性層十、に垂直磁気異方性記録層５が積層されている
。第２図は非磁性下地層を有する磁気記録媒体であり、
非磁性基板ｌの上に非磁性下地層２が積層され、この上
に軟磁性層３および垂直磁気異方性記録層５が順次積層
されている。第３図は非磁性中間層を有する磁気記録媒
体であり、非磁性基板１の上に軟磁性層３が積層され、
非磁性中間層４を介して垂直磁気異方性記録層５が積層
されている。第４図は非磁性下地層および非磁性中間層
を有する磁気記録媒体であり、非磁性基板１の上に非磁
性下地層２が積層され、この上に軟磁性層３、非磁性中
間層４および垂直磁気異方性記録層５が順次積層されて
いる。

正確なメカニズムは未だ完全には解明されていないので
推測の域を出ないが、本発明の磁気記録媒体の高再生出
力の原因について、第５図を参照しながら説明する。

垂直磁気異方性記録層５を図のように磁化した場合、特
にその遷移領域に強い漏減磁場が発生する。この影響で
軟磁性層３の磁化は特に磁化遷移領域に於いて強く倣う
ようになり、たとえ軟磁性層の厚さが薄いとしても、容
易に磁化遷移領域の部分のみは磁束が閉じるようになる
。かくして、反磁界の減少により遷移領域部の残留磁化
は急増するが、ビット中心付近ではそれほど自由磁極が
消失されていないので残留磁化は小さくなっている。再
生出力が磁化遷移領域部の残留磁化の大きさにより支配
されることを考えれば、軟磁性層厚が薄くとも高い残留
磁化すなわち高い再生出力が得られるであろうことは想
像に難くない。

従来の二層膜媒体の磁化状態を第６図により説明する。

非磁性基板１と垂直磁気異方性記録層５との間に、軟磁
性下地層６を介在させると、第６図の矢印に示すように
磁束は閉じ、記録層裏面に発生する自由磁極は下地層６
の存在により全体的に消失され、ビット内の残留磁化が
ほぼ一様に全体的に回復され、特定領域のみの残留磁化
向−１１作用は示されない。この場合、理想的には、垂
直記録層５から漏れる磁束を充分通過させるに足る磁束
密度及び膜厚を有することが、軟磁性下地層６に要求さ
れる。従って、単純には、飽和磁束密度が高い軟磁性材
料はど、また、その膜厚が高いほど、上記］」的にかな
う傾向となり１１シ生出力が向−ヒすることになる。従
来の二層膜媒体中の軟磁性下地層厚は、一部にこのよう
な思想からも厚めに設定されてきた。

しかし、本発明者等の実験によれば、軟磁性下地層の膜
厚を厚くすることにより、その上に形成される垂直磁気
異方性記録層自体の特性が劣化し、更に軟磁性下地層か
らの雑音も大きくなるのに対し、再生出力は一定値以上
の軟磁性層厚で飽和することがわかった。すなわち、軟
磁性下地層の厚さは再生出力レベルの点から見ればある
一定の膜厚を確保できれば充分であり、それ以上に厚く
しても記録層の垂直磁化特性劣化に起因する高密度記録
性能の劣化そして、雑音レベルの増大のみが）７きあが
るだけで特に何のメリットも無いことが確認された。

１１体的に、本発明の磁気記録媒体における軟磁性層呻
要求される条件を言えば、その飽和磁化が少なくとも垂
直磁気異方性記録層の飽和磁化より高く、かつ膜厚が５
０人以」−で１０００人未満の範囲にあれば出力レベル
の高い優れた高密度記録媒体を得ることができる。

軟磁性層の飽和磁化は垂直記録層の飽和磁化よりも極僅
か高いたけで十分であり、飽和磁化の差が大きくなって
も＋ｔｆ生出力出力向果に大差はない。

一方、軟磁性層の膜厚が５０人未満になると、ｒ１生出
力が低ドするが、これはおそらくこの程度の膜厚では連
続的な薄膜にならず、いわゆる島状構造になるためと考
えられる。また、この膜厚が１０００人を越えると、出
力が飽和しているのにも拘わらず、雑音レベルだけが高
くなり、同時に、例えばこの層−ＬにＣｏ−Ｃｒ垂直磁
気異方性膜などの多結晶膜を形成する場合には、その結
晶主軸の東向配向性を著しく乱す結果となる。これは、
軟磁性層がこの程度の厚さになると、自身の結晶性を強
（もつようになり、屯直磁気異方性多結品配向膜の垂直
配向性を阻害するためと考えられる。

好ましい軟磁性層の膜厚は５０Å〜５００人の範囲内で
ある。

このように、軟磁性層の厚さを従来の数丁−人に比べて
ンしく薄（することにより雑音が低減できる理由は定か
でないが、おそらく磁壁の状態と深い関係があるものと
考えられる。すなわち、大きい雑音が観測された膜では
、殆とブロッホ磁壁が観察されるのに対し、本発明の好
ましい膜厚範囲５０〜５００人の軟磁性層膜では、プロ
ツボ磁壁以外のネール磁壁、くさび状磁壁が観察された
。

軟磁性層と垂直磁気異方性記録層との間に非磁性中間層
を介在させると、垂直磁気異方性記録層の結晶量同性が
向１−される。この効果は軟磁性層の膜厚が薄いほど絶
大であるが、軟磁性層の膜厚が５００人程度を越えてく
る場合には、非磁性中間層の厚さを余程厚くしないさ、
組直記録層の配向性を良好な状態に戻すことは困難とな
る。

なお、このような非磁性中間層厚の１１生出力レベルに
′ｊえる影響も検討したか、その厚さが３００Å以下で
あれば大きな出力の低下は見られないことがわかった。

また、非磁性中間層の材料はその下に存在する軟磁性層
材料及びその−Ｌに形成される垂直磁気異方性記録層材
料により最適なものが存在するが、Ｂ、Ｃ，Ｇｅ、Ｍｏ
、Ｓｉ、Ｏｓ。

Ｒｕｌ　Ｒｅｌ　Ｔ　ａｌ　Ｔ　ｉ　＋　Ｗより選ばれ
る元素の１１１４体、またはこれらの元素の合金、酸化
物もしくは窒化物はあらゆる組合わせにおいて有効に配
列制御層の役割を果たした。

垂直磁気異方性記録層はＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ等の強磁性金
属の１１１体またはこれらの合金類もしくはこれらと他
の適当な元素との合金類から構成できる。その他の金属
類も使用できる。

本発明の磁気記録媒体は軟磁性層の膜厚が薄いので、軟
磁性層が磁気ヘットから発生する磁束に対し飽和しやす
く、従来の二層膜媒体に比べ記録感度が若王低ドすると
いう問題がある。しかし、この点は、実用化１・２、支
障かあるほどのものではない。

本発明の磁気記録媒体は、補助磁極励磁型薄膜ヘッドの
ような記録磁界を急峻にするタイプの磁気ヘッドには適
さないが、逆に、軟磁性層が飽和しやすい性質のために
、特にバルク型ヘッド、バルク型リングヘッドや片側ア
クセス型薄膜ヘッドを用いた場合には、軟磁性層の存在
によるへ、ド磁界の乱れがなく、東向磁気記録層中層媒
体のように高密度記録領域まで良好な垂直磁気記録を実
現することができる。

軟磁性層としてＣｒ含（Ｔ率が１２ａｔ％以ドのＣｏ−
Ｃｒ膜を使用すると、その層上に形成されるＣｏ−Ｃｒ
＋Ｒ直磁気異方性層の結晶量同性は大きく乱されない。

軟磁性層を構成するＣｏ−Ｃｒ合金におけるＣｒの配合
［配が１２ａｔ％以下であると、飽和磁化が非常に高＜
、シかもこの組成範囲内では特殊な］−程を入れずとも
、面内方向保磁力が１０〜３０００ｅの面内磁化膜が安
定に形成できる。こうした諸特性の結果、そのヒに形成
される屯直磁気兇力性層裏面の自由磁極；武か減少し、
記録磁化の東向方向成分が増加する。

また、手記Ｃｏ−Ｃｒ軟磁性層十、に設けるＣＯ−Ｃｒ
＋ｌｉ直磁気Ｗ方性層としては、Ｃｒ含有〉♀くが１５
〜２５ａｔ％で、膜厚が５００〜３０００人の範囲内に
あることが好ましい。Ｃｒ含有率が１５〜２５ａｔ％の
範囲に限定される理由は、１５ａｔ％未溝ではＧｏ−Ｃ
ｒ膜の結晶学的配向が劣化し、東向方向保磁力が高くな
らなず、また、２５ａｔ％を越えると、膜の飽和磁化が
小さくなり、Ｉ［ｆ生出力の低下を引き起こすためであ
る。

また、Ｃｏ−Ｃｒ東向直磁気異方性層層厚が５００人以
ドでは、再生出力が低ドし、３０００人を越えると、磁
気ヘッドの限界により記録層設下地まで記録が行えず、
オーバライド特性が劣化する。

史に、本発明の磁気記録媒体における軟磁性層として、
Ｃｏ−Ｍ膜（ここで、ＭはＧｅ　＋　Ｍ　ｏ　＋Ｏｓ、
Ｐｔ＋　Ｒｅ＋　Ｒｕｔ　　Ｓｂ＋　　Ｓ　ｉｔ　Ｔａ
、Ｖ＋ＷおよびＺｎからなるＪＡＹから選択される一種
類の元素である。）を用いることができるが、これらの
合金はＣｏリッチ領域におけるｈｃｐ相からｆＣＣ相へ
の転移温度が高いために、通常の薄膜製造法（１−’（
、空蒸着、スパッタリング笠）によりこれらの薄膜を製
造すると、安定なｈＣｐ構造をとりやすい。

本発明者等の研究によれば、これらの材料の薄膜はＣ軸
がＬに膜面垂直方向に配向したｈｃｐ構造をとり、しか
も磁気特性的には保磁力の低い面内磁化的膜となる。こ
うした面内磁化的挙動を示す軟磁性層−ににＣｏ−Ｃｒ
膜を形成すると、ｃ。

−Ｃｒ膜は軟磁性層トにエピタキシー的に成長するため
、結晶配向の乱されない良好なル直磁気異方性膜となる
。従って、このように積層された膜は、１■１内磁内磁
化繊軟磁性良好な垂直磁気異方性記録層の複合層となる
ので、垂直磁気異方性記録層の裏面に発生する自由磁極
Ｍが大幅に誠少し、反磁界の減少により記録磁化の膜面
重訂方向成分が大きくなる。その結果、再生出力が高め
られる。

なお、前記Ｃｏ−Ｍ層におけるＭ含イーｒ率は人体２〜
２０ａｔ％の範囲にあることが好ましく、この範囲を越
えると、飽和磁化の減少のためにＧｏ−ＣｒＩＴｌ：直
磁気異方性層裏面に生しる自由磁極晴低減効果が弱くな
る。

Ｃｏ−Ｍ系軟碌性層は結晶量同性の向１−効果が高いの
で、軟磁性層としてＣｏ−Ｍ系薄膜を使用した場合、非
磁性中間層を介在させることな（、％直磁気Ｗ方性記録
層を直接積層させることもできる。

本発明の磁気記録媒体においては、非磁性基板と軟磁性
層との間に非磁性下地層を介在させることができる。非
磁性ド地層を介在させることにより得られる効果は、−
・つには、非磁性下地層を介在させることにより、軟磁
性層形成時に基板表面から発生するガスを抑制し、その
磁気特性を数円することにある。また、例えば、軟磁性
層材料としてパーマロイ、垂直磁気異方性記録層として
Ｃｏ−Ｃｒを採用する場合には、パーマロイのド地よし
てｈｃｐ構造をとるＴｉ層を介在させると、Ｔｉミドの
Ｃ而のＬにパーマロイの（１１１）而か成長し、この＋
、にＣｃ−ＣｒのＣ而が成長しやすくなり、Ｃ’ｏ−Ｃ
ｒ層のＣ軸配向性が向１−するというメリットかある。

本発明の磁気記録媒体における１１−磁性ド地層、軟磁
性層、非磁性中間層および垂直磁気異方性記録層は全て
ペーパーデポジション法等の常用方法で成膜させること
ができる。言うまでもなく、その他の成膜方法も使用で
きる。

ペーパーデポジション法とは、気体あるいは真空空間中
において、析出させようとする物質又はその化合物を蒸
気あるいは、イオン化した蒸気として基体にに析出させ
る方法を意味し、これには真空蒸着法、スパッタリング
法、イオンブレーティング法、イオンビームデポジショ
ン法、クラスタイオンビーム法、ＣＶＤ法、プラズマ重
合法なとがある。

本発明の磁気記録媒体に使用される非磁性基板としては
、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート等の高分子
フィルム、ガラス類、セラミック。

アルミ、陽極酸化アルミ、黄銅などの金属板、Ｓｉ弔結
晶板９表面を熱酸化処理したＳ　ｉ　Ｑ’結晶板などが
ある。この非磁性基体は必要に応じて、（［ｌ面研磨や
テクスチャリング船上を行うためのニノゲルΦリン系合
金層やアルマイト処理層等の下地研磨層を設けることも
できる。

また、磁気記録媒体としては、ポリエステルフィルム、
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とす
る磁気テープや磁気ディスク、合成樹脂フィルム、アル
ミニウム板およびガラス板等からなる円盤やドラムを基
体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁気ヘッドと
摺接する構造の種々の形態を包含する。

［実施例］ 以丁、本発明の磁気記録媒体を実施例により史に詳細に
説明する。

実１１１− 厚さ４０μｍのポリイミドフィルム基板上に組成の異な
るＧｏ−Ｃｒ膜を１００人蒸着し、その磁気特性のＣｒ
含有率依存性を調べた。

その結果を第７図に示す。第７図に示された特性曲線か
ら明らかなように、Ｃｒ含有率が約１２ａｔ％以ドで保
磁力が低く、飽和磁化の高い膜となることが分かる。

次に、Ｃｒ含有率が９ａｔ％のＣｏ−Ｃｒ軟磁性層上に
連続的に、Ｃｒ含有率１９ａｔ％のＣｏ−Ｃｒ垂直磁気
異方性記録層を膜厚０．１５μｍ積層した。但し、Ｃｒ
含有率９　ａｔ％のＣｏ−Ｃｒ軟磁性層の膜厚を０〜０
．５μｍの範囲内で変化させた。軟磁性層の飽和磁化は
８００Ｇであり、垂直記録層の飽和磁化は５５０Ｇであ
った。このようにして作製された試料から、３．５イン
チディスクを打ち抜き、得られた各々の媒体をアモルフ
ァス−フェライト複合型リングへ、ド（ギャップ長０．
２１μｍ）により記録再生評価した。測定結果を第８図
および第９図に示す。

第８図は、１　ｋ　ｆ　ｃ　ｉ　（ｆｌｕｘ　ｃｈａｎ
ｇｅｓ　ｐｅｒ　Ｉｎｃｈ）の記録密度における規格化
再生出力、及び低域出力が半減する記録密度Ｄ５θの軟
磁性層厚依存性を示す。この図より、Ｃｏ−９ａｔ％Ｃ
ｒ軟磁性層厚と共に出力が増し、約５０人以トで飽和に
近づくことが分かる。またＣｏ−９ａｔ％Ｃｒ軟磁性層
厚が５００人を越えると、Ｉ）ｓｏが低下し、高密度記
録性能が劣化することが分かる。

一方、第９図はＤＣイレーズした場合のノイズを示すが
、Ｃｏ−９ａｔ％Ｃｒ軟磁性層厚が５００人を越えると
ノイズが急激に増大することが分かる。

以」−の結果より、Ｃｒ含有率が１２ａｔ％以ドのＣｏ
−ＣｒｖＣ磁性層を使用した場合、該軟磁性層の膜厚が
５０〜５００人の場合に高い低域出力及び優れた高密度
記録性能の得られることが分かる。

Ｉ巨匠１ 厚さ４０μｍのポリイミドフィルム基板−ヒに組成の異
なるＣｏ−Ｗ膜を２００人スパッタし、その磁気特性及
びＣｏ−Ｗｈｃｐ構造Ｃ軸配同性のＷ含有率依存性を調
べた。

その結果を第１０図に示すが、図中のΔＯ５θという電
は、Ｃｏ−Ｗ膜ｈｃｐ（００２）回折面のロッキング曲
線半値幅である。第１０図に示された特性曲線から明ら
かなように、Ｗ含有率が２〜２０ａｔ％の範囲内では、
飽和磁化及び結晶量同性が高く、かつ保磁力の低い膜が
形成できることが分かる。なお、これと同様の傾向はＷ
以外のＧｅ＋　Ｍｏ＋　Ｏｓ＋　　Ｐｔ＋　Ｒｅ、Ｒｕ
、Ｓｂ＋Ｓｉ、Ｔａ＋　Ｖ＋　Ｚｎでも観察され、添加
元素の違いによる最適組成の若干のズレはあるものの、
元素添加量２〜２０ａｔ％の範囲内に於いて、殆ど良好
な軟磁性層が形成できた。

次ニＷ含（−Ｔ４１カ１０．５ａｔ％　（７）Ｃｏ　−
ＷｖＣｆｉｆｆ性層ヒに連続的にＣｒ含有率約１８ａｔ
％のＣｏ−Ｃｒ垂直磁気異方性記録層を膜厚０．１７μ
ｍ積層した。但し、面内磁化下地層の膜厚は０−０゜５
μｍの範囲内で変化させた。軟磁性層の飽和磁化は９６
０Ｇであり、垂直記録層の飽和磁化は６００Ｇであった
。このようにして作製された試料から、３．５インチデ
ィスクに打ち抜き、得られた各々の媒体をアモルファス
書フェライト複合型リングヘッド（ギャップ長０．１６
μｍ）により記録再生評価した。測定結果を第１１図お
よび第１２図に示す。

第１１図は１　ｋ　ｆ　ｃ　ｉ　（ｆｌｕｘ　ｃｈａｎ
ｇｅｓ　ｐｅｒ　１ｎｃｈ）の記録密度における規格化
＋ｔＦ生出力出力低域出力が半減する記録密度Ｉ）ｓｏ
の軟磁性層厚依存性を示す。この図より軟磁性層厚の増
加と共に出力が増し、約５０人以トから飽和に近づくこ
とが分かる。

また、軟磁性層厚が１０００人を越えると、ＤＳθが低
下し高密度記録性能が劣化することが分かる。

一方、第１２図はＤＣイレーズした場合のノイズを示す
が、軟磁性層厚が１０００人を越えるとノイズが急激に
増大することが分かる。

以にの結果より、Ｃｏ−Ｍ（ここで、ＭはＧ　ｅ　＋Ｍ
ｏ、Ｏｓ＋　　Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｓｂ＋　　ｓｉ、Ｔ
ａ、Ｖ、ＷおよびＺｎからなる群から選択される一種類
の元素である）合金系軟磁性層の場合１．亥軟磁性層の
膜厚が５０Å〜１０００人の場合に高い低域出力及び高
密度記録性能の得られることが分かる。

尖丘匠１ 真空蒸着法により、厚さ５０μｍのポリイミドフィルム
基板−ヒに順次Ｔｉ、Ｎｉ７７　Ｆｅ７１゜Ｃ０７７Ｃ
ｒ２３を各々３００人、０〜２０００人、２１００人積
層した。膜形成時の基板温度は２５０°Ｃ１真空度は２
ｘ　１０−５Ｔｏｒｒ　〜４ｘ　１０−６　Ｔｏｒｒと
した。軟磁性層の飽和磁化は８３０Ｇであり、垂直記録
層の飽和磁化は３６０Ｇであった。このようにして、作
製した試料のＣｏ−Ｃｒ膜の磁気特性はＫｅｒｒ効果に
より測定し、Ｃ。

−Ｃｒ膜ｈｃｐ構造のＣ軸配向性は（００２）面ロッキ
ング曲線の゛ト値幅ΔθＳθより求めた。

第１３図はＮｉ−Ｆｅ膜厚に対するＣｏ−Ｃｒ膜垂直方
向保磁力Ｈｅよ及びΔＯ５θの依存性を示す。Ｎｉ−Ｆ
ｅ膜の厚さが１０００人程度になるとΔθ５θが増大し
、Ｈｃ工が低下することがわかる。

また、前記のようにして作製した試料を３．５インチデ
ィスクに打抜き、ギャップ長０．１９μｍのアモルファ
ス−フェライト腹合型リングヘッドにより記録再生評価
した。記録密度１０ｋＢＰＳの出力Ｓ１雑音レベルＮ及
び出力が半減する記録密度Ｄｓθの評価結果をド記の表
１に要約して示す。

なお、出力及び雑ａレベル共にＮｉ−Ｆｅ膜厚Ｏ人の場
合をＯｄＢとした。

表ＬＬ 表１に示された結果から、Ｎｉ−Ｆｅの膜厚が５０八〜
５００人の範囲では高い出力及びＤｓθを実現できるが
、５００人を越えると雑音レベルが高くなることが理解
される。

光五健生 真空蒸着法により、厚さ５０μｍのポリイミドフィルム
基板上に順次Ｔｉ、Ｎｉｑｔ　Ｆｅｔ　７１Ｇｅ、Ｃｏ
７７Ｃｒ２１を各々３００人、１００人、０〜１０００
人、１ｅｏｏ人積層した。膜形成時の基板温度は２５０
°Ｃ１真空度は２ｘｌＯ−５〜４　ｘ　１０−”　Ｔｏ
ｒｒとした。軟磁性層の飽和磁化は８３０Ｇであり、垂
直記録層の飽和磁化は４９０Ｇであった。このようにし
て作製した試料を３．５インチディスクに打抜き、実施
例１と同様の方法で記録再生評価した。結果を下記の表
２に７Ｒす。なお、この表に於いて、Ｇｅ膜厚の出力レ
ベルをＯｄｂとした。

表２に示された結果から明らかなように、非磁性中間層
を構成するＧｅの膜厚が３００人を超えてくると出力が
大幅に低下する。

実１舛山− 真空蒸着法により、厚さ７５μｍのＰＥＴフィルム−ヒ
に順次Ｇｏ、Ｔｉ、Ｃｏ−０を各々Ｏ〜■０００人、１
５０人、２５００人積層した。膜形成時の基板温度は、
２５°Ｃとし、またＣｏ−０膜形成時には真空槽内に０
２ガスを導入し、４ｘｌＯ−′１ｌＴｏｒｒ一定分圧の
もとで、ＣＯ蒸気を基板面垂直方向から堆積させた。軟
磁性層の飽和磁化は１４００Ｇであり、垂直記録層のＣ
ｏ−０膜の飽和磁化は５００〜５５０Ｇの範囲内にあり
、垂直方向保磁力及び記録再生特性評価は実施例１と同
様の方法で行った。結果を−Ｆ記の表３に要約して示す
。

表３における１ＱｋＢＰＩの出力レベルＳは、ｃ。

軟磁性層の膜厚がＯの場合をＯｄＢとした。

表３に示された結果から、ＣＯ軟磁性層の膜厚が１００
０人付近になると出力が低下し、雑音レベルが高くなる
ことが理解される。

［発明の効果コ 以１・、説明したように、本発明の磁気記録媒体では、
軟磁性層の飽和磁化が磁気異方性垂直記録層の飽和磁化
よりも高く、軟磁性層の膜厚を５０Å〜１０００人の範
囲内とすることにより、高密度記録性能を損なうことな
く、ｉｌＦ生出力出力幅に向上させることに成功した。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第４図は本発明の磁気記録媒体の断面構造を示
す部分ｉｉ図、第５図は本発明の磁気記録媒体内の磁化
状態を説明するための模式図、第６図は従来の二層膜磁
気記録媒体内の磁化状態を説明するための模式図、第７
図は実施例１の磁気記録媒体におけるＣｏ−Ｃｒ軟磁性
層磁気特性のＣｒ含有率依７ｊ性を示す特性曲線、第８
図は実施例１の磁気記録媒体における低密度出力および
高密度記録性能指数Ｉ）ｓθの軟磁性層膜厚依存性を示
す特性曲線、第９図は実施例１の磁気記録媒体における
ＤＣイレーズノイズの軟磁性層膜厚依存性を示す特性曲
線、第１０図は実施例１の磁気記録媒体におけるＣｏ−
Ｗ軟磁性層磁気特性のＷ含有率依存性を示す特性曲線、
第１１図は実施例２の磁気記録媒体における低密度出力
および高密度記録性能指数１）ｓθの軟磁性層膜厚依存
性を示す特性曲線、第１２図は実施例２の磁気記録媒体
におけるＤＣイレーズノイズの軟磁性層膜厚依存性を示
す特性曲線、第１３図はＮｉ−Ｆｅ軟磁性層膜厚に対す
るＣｏ−Ｃｒ膜垂直方向保磁力Ｈｅ工及びΔＯ５θの依
存性を示す特性図である。 ｌ・・・非磁性基板、２・・・非磁性下地層、３・・・
軟磁性層、４・・・非磁性中間層、５・・・垂直記録層
。 ６・・・従来の軟磁性下地層

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）非磁性基板上に、非磁性下地層を介すか、あるい
   は介さずに軟磁性層を設け、更に該軟磁性層上に非磁性
   中間層を介すか、あるいは介さずに垂直磁気異方性記録
   層を積層した磁気記録媒体に於いて、軟磁性層の飽和磁
   化が少なくとも記録層の飽和磁化よりも高い材料で構成
   され、かつ軟磁性層の膜厚が５０Å〜１０００Å未満の
   範囲内にあることを特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）前記軟磁性層はＮｉ−Ｆｅ（パーマロイ）膜、Ｃ
   ｏまたはＣｏ−Ｍ合金層（ここで、ＭはＣｒ、Ｇｅ、Ｍ
   ｏ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｖ、
   ＷおよびＺｎからなる群から選択される一種類の元素で
   ある）から構成される請求項（１）記載の磁気記録媒体
   。
3. （３）前記Ｃｏ−Ｍ合金における元素Ｍの含有率は２〜
   ２０ａｔ％であり、ＭがＣｒ元素である場合、Ｃｒの含
   有率は１２ａｔ％以下である請求項（２）記載の磁気記
   録媒体。
4. （４）前記軟磁性層の膜厚が５０〜５００Åの範囲内で
   ある請求項（１）〜（３）の何れかに記載の磁気記録媒
   体。
5. （５）垂直磁気異方性記録層の積層される軟磁性層が、
   Ｃｒ含有率１２ａｔ％以下のＣｏ−Ｃｒ合金である請求
   項（１）〜（４）の何れかに記載の磁気記録媒体。
6. （６）垂直磁気異方性記録層が、Ｃｒ含有率１５〜２５
   ａｔ％のＣｏ−Ｃｒ合金であり、その膜厚が５００〜３
   ０００Åの範囲内である請求項（５）記載の磁気記録媒
   体。
7. （７）非磁性中間層の膜厚が３００Å以下である請求項
   （１）記載の磁気記録媒体。
8. （８）非磁性中間層がＢ、Ｃ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｏｓ
   、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗより選ばれる元素の単体
   、またはこれらの元素の合金、酸化物もしくは窒化物か
   ら成る請求項（１）記載の磁気記録媒体。