JPS6199932A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/672—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having different compositions in a plurality of magnetic layers, e.g. layer compositions having differing elemental components or differing proportions of elements
-
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- G11B5/676—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、記録媒体磁性面に対して垂直方向の残留磁化
を用いて信号の記録を行ういわゆる垂直磁化記録方式に
おいて使用される垂直磁気記録媒体の製造方法に関する
ものである。
を用いて信号の記録を行ういわゆる垂直磁化記録方式に
おいて使用される垂直磁気記録媒体の製造方法に関する
ものである。
従来、例えばコンピュータ等の記憶媒体やオーディオテ
ープレコーダやビデオテープレコーダ等の記録媒体とし
て使用される磁気記録媒体においては、一般に基板上に
被着形成される磁気記録層に対して水平方向の磁化（面
内方向磁化）を行ってその記録を行っている。
ープレコーダやビデオテープレコーダ等の記録媒体とし
て使用される磁気記録媒体においては、一般に基板上に
被着形成される磁気記録層に対して水平方向の磁化（面
内方向磁化）を行ってその記録を行っている。
ところが、この面内方向磁化による記録の場合、記録信
号が短波長になるにつれ、すなわち記録密度が高まるに
つれ、媒体内の反磁界が増して残留磁束密度が減衰し、
再生出力が減少するという欠点を有している。
号が短波長になるにつれ、すなわち記録密度が高まるに
つれ、媒体内の反磁界が増して残留磁束密度が減衰し、
再生出力が減少するという欠点を有している。
そこでさらに従来、磁気記録媒体の記録層の厚さ方向の
磁化により記録を行う垂直磁気□記録方式が提案されて
おり、この垂直磁気記録方式によれば記録波長が短波長
になるにしたがい減磁界が小さくなることから、特に短
波長記録、高密度記録において上述した面内方向磁化に
よる記録よりも有利であることが知られている そして、この種の記録方式に用いられる垂直磁気記録媒
体としては、高分子フィルム等の非磁性基板上にＧｏ−
Ｃｒ合金等により垂直磁化記録層を被着形成したものが
考えられているが、なかでも上記非磁性基板と垂直磁化
記録層との間に面内磁化層としてＦｅ−Ｎｉ合金からな
る高透磁率磁性薄膜層を設け、記録効率や再生効率の向
上を図った２層膜垂直磁気記録媒体が注目されている。
磁化により記録を行う垂直磁気□記録方式が提案されて
おり、この垂直磁気記録方式によれば記録波長が短波長
になるにしたがい減磁界が小さくなることから、特に短
波長記録、高密度記録において上述した面内方向磁化に
よる記録よりも有利であることが知られている そして、この種の記録方式に用いられる垂直磁気記録媒
体としては、高分子フィルム等の非磁性基板上にＧｏ−
Ｃｒ合金等により垂直磁化記録層を被着形成したものが
考えられているが、なかでも上記非磁性基板と垂直磁化
記録層との間に面内磁化層としてＦｅ−Ｎｉ合金からな
る高透磁率磁性薄膜層を設け、記録効率や再生効率の向
上を図った２層膜垂直磁気記録媒体が注目されている。
ところで、この２層膜垂直磁気記録媒体においては、上
記面内磁化層、すなわち高透磁率磁性薄膜層の磁気特性
が重要で、この高透磁率磁性ＷｉＩｌｌ１層としてもち
いられるＦｅ−Ｎｉ合金膜には、磁化され易いとと、す
なわち抗磁力Ｈｃが小さいこと、０．３〜０．５μ程度
の膜厚を有すること、量産性に優れていること等が要求
される０例えば上記高透磁率磁性薄膜層の抗磁力Ｈｃが
高いと、この高透磁率磁性薄膜層における磁気抵抗が大
きくなって得られる垂直磁気記録媒体の記録効率や再生
効率を低下してしまう、 従来、抗磁力Ｈｃの小さいＦｅ−Ｎｉ合金としては、２
１．５重量％Ｆｅ−７８，５重量％Ｎｉの組成のものが
知られているが、本発明者等の実験によれば、この組成
のＦｅ−Ｎｉ合金を用いて膜厚０．３９μのＦ１３−Ｎ
ｉｌｉｉ！を作製したところ、基板温度が２２０℃以下
では、抗磁力Ｈｃが２０〜３００ｅと大きくなってしま
い、抗磁力１１ｃが２０ｅ以下の膜を得るには基板温度
を２６０℃以上に設定する必要があることが判明した。
記面内磁化層、すなわち高透磁率磁性薄膜層の磁気特性
が重要で、この高透磁率磁性ＷｉＩｌｌ１層としてもち
いられるＦｅ−Ｎｉ合金膜には、磁化され易いとと、す
なわち抗磁力Ｈｃが小さいこと、０．３〜０．５μ程度
の膜厚を有すること、量産性に優れていること等が要求
される０例えば上記高透磁率磁性薄膜層の抗磁力Ｈｃが
高いと、この高透磁率磁性薄膜層における磁気抵抗が大
きくなって得られる垂直磁気記録媒体の記録効率や再生
効率を低下してしまう、 従来、抗磁力Ｈｃの小さいＦｅ−Ｎｉ合金としては、２
１．５重量％Ｆｅ−７８，５重量％Ｎｉの組成のものが
知られているが、本発明者等の実験によれば、この組成
のＦｅ−Ｎｉ合金を用いて膜厚０．３９μのＦ１３−Ｎ
ｉｌｉｉ！を作製したところ、基板温度が２２０℃以下
では、抗磁力Ｈｃが２０〜３００ｅと大きくなってしま
い、抗磁力１１ｃが２０ｅ以下の膜を得るには基板温度
を２６０℃以上に設定する必要があることが判明した。
このように基板温度を高く設定しなくてはならないこと
は、基板に使用するプラスチックフィルムに対する耐熱
性の要求が厳しくなる点で、また製造装置の耐久性等装
置上の問題等から、好ましくない。
は、基板に使用するプラスチックフィルムに対する耐熱
性の要求が厳しくなる点で、また製造装置の耐久性等装
置上の問題等から、好ましくない。
また、上記膜厚の問題を解消するために、例えば２ｒｉ
ｉのＦｅ−Ｎｉ膜の間に’ｒｔｌｌｔを挟んだ構造とし
、抗磁力Ｈｃを小さくすることが提案されているが、こ
の方法では３回蒸着操作が必要なことから量産性の点で
好ましくないばかりか、非磁性のＴｉ層が存在すること
は磁気特性の低下の原因ともなり、高透磁率磁性ｖｒ＃
膜層の目的からいって好ましくない。
ｉのＦｅ−Ｎｉ膜の間に’ｒｔｌｌｔを挟んだ構造とし
、抗磁力Ｈｃを小さくすることが提案されているが、こ
の方法では３回蒸着操作が必要なことから量産性の点で
好ましくないばかりか、非磁性のＴｉ層が存在すること
は磁気特性の低下の原因ともなり、高透磁率磁性ｖｒ＃
膜層の目的からいって好ましくない。
一方、上記量産性の点からは、上記高透磁率磁性薄膜層
の膜付は方法として真空蒸着法を採用することが望まし
い、これは、上記真空蒸着法がスパッタ法等に比べて膜
付は速度が速いことによるもので、例えばスパッタ法で
の膜付は速度がおよそ１７０人／ｓｅｃ、であるのに対
して、真空蒸着法での膜付は速度はおよそ５０００人／
ｓｅｃ、と３０倍程度である。
の膜付は方法として真空蒸着法を採用することが望まし
い、これは、上記真空蒸着法がスパッタ法等に比べて膜
付は速度が速いことによるもので、例えばスパッタ法で
の膜付は速度がおよそ１７０人／ｓｅｃ、であるのに対
して、真空蒸着法での膜付は速度はおよそ５０００人／
ｓｅｃ、と３０倍程度である。
このように、上記面内磁化膜として用いられる高透磁率
磁性ｉ！１１！層にあっては、量産性を確保しながら抗
磁力Ｈｃを低下することが大きな課題となっている。
磁性ｉ！１１！層にあっては、量産性を確保しながら抗
磁力Ｈｃを低下することが大きな課題となっている。
そこで本発明は、前述の当該技術分野の要望に応えて提
案されたものであって、磁化膜として優れた特性を示し
、特に抗磁力Ｈｃの小さな高透磁率磁性薄膜層を量産性
良く製造し得る製造方法を提供し、もって記録効率や再
生効率の優れた垂直磁気記録媒体を製造することが可能
な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的と
する。
案されたものであって、磁化膜として優れた特性を示し
、特に抗磁力Ｈｃの小さな高透磁率磁性薄膜層を量産性
良く製造し得る製造方法を提供し、もって記録効率や再
生効率の優れた垂直磁気記録媒体を製造することが可能
な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的と
する。
本発明者等は、抗磁力Ｈｃの小さなＦｅ−Ｎｉ膜の作製
方法を見出すため、まず、２１．５重量％Ｆｅ−７８，
５重量％Ｎｉの組成を有するＦｅ−Ｎｉ１ｌの高抗磁力
の原因について検討した。
方法を見出すため、まず、２１．５重量％Ｆｅ−７８，
５重量％Ｎｉの組成を有するＦｅ−Ｎｉ１ｌの高抗磁力
の原因について検討した。
その結果、上記組成のＦ ｅ −Ｎ ｉ膜においては磁
気弾性異方性を起源とする垂直磁気異方性が生じており
、この垂直磁気異方性のためにある一定の膜厚以上の膜
には縞状磁区が形成され、このために抗磁力が大きくな
るということが判明した。
気弾性異方性を起源とする垂直磁気異方性が生じており
、この垂直磁気異方性のためにある一定の膜厚以上の膜
には縞状磁区が形成され、このために抗磁力が大きくな
るということが判明した。
ここで、上記磁気弾性異方性には磁歪定数λ及び内部応
力σと なる第１式の関係にある。
力σと なる第１式の関係にある。
したがって、上記抗磁力を小さくするには、すなわち磁
気弾性異方性Ｋを小さくするには、磁歪定数λ及び内部
応力σを小さくすればよい。この内部応力σを小さくす
る方法の一つは、基板温度を上げることであるが、あま
り基板温度をあげることは先に述べた通り好ましくない
、一方、上記磁歪定数λは合金組成によって決まるもの
であって、したがって磁歪定数λの小さい組成を有する
Ｆｅ−Ｎｉ合金材料を用いることにより、抗磁力の小さ
い膜が得られることが期待できる。
気弾性異方性Ｋを小さくするには、磁歪定数λ及び内部
応力σを小さくすればよい。この内部応力σを小さくす
る方法の一つは、基板温度を上げることであるが、あま
り基板温度をあげることは先に述べた通り好ましくない
、一方、上記磁歪定数λは合金組成によって決まるもの
であって、したがって磁歪定数λの小さい組成を有する
Ｆｅ−Ｎｉ合金材料を用いることにより、抗磁力の小さ
い膜が得られることが期待できる。
本発明は以上のような知見に基づいて完成されたもので
あって、基体上にＮｉを８１重量％〜８６重量％含有す
るＦｅ−Ｎｉ合金よりなる高透磁率磁性ｉ膜層を上記基
体温度が２２０℃以上となるように制御しながら蒸着形
成した後、上記高透磁率磁性溝１１ｆｆｉ上に垂直磁気
記録層を形成することを特徴とするものである。
あって、基体上にＮｉを８１重量％〜８６重量％含有す
るＦｅ−Ｎｉ合金よりなる高透磁率磁性ｉ膜層を上記基
体温度が２２０℃以上となるように制御しながら蒸着形
成した後、上記高透磁率磁性溝１１ｆｆｉ上に垂直磁気
記録層を形成することを特徴とするものである。
（作用〕
このように、Ｆｅ−Ｎｉ合金の組成及び蒸着時の基板温
度を所定範囲内に設定することにより、抗磁力の小さな
ｐｅ−Ｎｉ合金膜が１回の操作で生産性良く得られる。
度を所定範囲内に設定することにより、抗磁力の小さな
ｐｅ−Ｎｉ合金膜が１回の操作で生産性良く得られる。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明においては、先ず、Ｆ ｅ −Ｎ ｉ合金インゴ
ットの如き蒸発源とこの蒸発源を加熱するための加熱手
段（ヒータや電子銃等）とを備えた真空蒸着装置内に、
上記蒸発源と対向してポリイミドやポリエチレンテレフ
タレート等の非磁性材料により形成される基体を配置し
、上記蒸発源を上記加熱手段によって加熱して上記基体
の表面に蒸発原子を被着し高透磁率磁性￥＃膜層を蒸着
形成する。
ットの如き蒸発源とこの蒸発源を加熱するための加熱手
段（ヒータや電子銃等）とを備えた真空蒸着装置内に、
上記蒸発源と対向してポリイミドやポリエチレンテレフ
タレート等の非磁性材料により形成される基体を配置し
、上記蒸発源を上記加熱手段によって加熱して上記基体
の表面に蒸発原子を被着し高透磁率磁性￥＃膜層を蒸着
形成する。
３こで、上記高透磁率磁性薄膜層の組成及び蒸着時の基
体の温度が重要であって、これらを所定の範囲内に設定
することにより抗磁力を小さくすることができる。
体の温度が重要であって、これらを所定の範囲内に設定
することにより抗磁力を小さくすることができる。
本発明者等の実験によれば、上記高透磁率磁性薄膜層を
構成するＦｅ−Ｎｉ合金に含まれるＮｉの含有量を制御
することによって、得られる高透磁率磁性ＷＩ＃膜層の
抗磁力）１ｃが大幅に小さくなることが判明した０例え
ば、蒸着時の基体温度を２２０℃に設定し、Ｆｅ−Ｎｉ
合金に含まれるＮｉの量を変化させ、膜厚０．３９μの
高透磁率磁性薄膜層を作製したところ、得られる高透磁
率磁性Ｗｌ＃膜層の抗磁力Ｉ％Ｃは、第１図に示すよう
に、８１ｉ１量％Ｎｉから８６重量％Ｎｉの範囲で抗磁
力Ｈｃ＜ ５０８となり、また８２重量％Ｎｉから８３
．５重量％Ｎｉの範囲で抗磁力Ｈｃ＜２０ｅとなった。
構成するＦｅ−Ｎｉ合金に含まれるＮｉの含有量を制御
することによって、得られる高透磁率磁性ＷＩ＃膜層の
抗磁力）１ｃが大幅に小さくなることが判明した０例え
ば、蒸着時の基体温度を２２０℃に設定し、Ｆｅ−Ｎｉ
合金に含まれるＮｉの量を変化させ、膜厚０．３９μの
高透磁率磁性薄膜層を作製したところ、得られる高透磁
率磁性Ｗｌ＃膜層の抗磁力Ｉ％Ｃは、第１図に示すよう
に、８１ｉ１量％Ｎｉから８６重量％Ｎｉの範囲で抗磁
力Ｈｃ＜ ５０８となり、また８２重量％Ｎｉから８３
．５重量％Ｎｉの範囲で抗磁力Ｈｃ＜２０ｅとなった。
一方、蒸着時の基体の温度を裁クシておくことによって
も、得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁力Ｈｃが大幅に
小さくなる０例えば、ＦｅｌＢ重量％、 Ｎｉ８２重量
％を含有するＦｅ−Ｎｉ合金を用い、基体温度を１００
℃〜３００℃の婦囲で変化させて膜厚０．３９μの高透
磁率磁性薄膜層を作製したところ、得られる高透磁率磁
性薄膜層の抗磁力Ｈｃは、第２図中曲線ａで示すように
、基体温度を２００℃以上にすると急激に減少し、特−
基体温度を２２０℃以上とすれば抗磁力Ｈｃが５０ｅ以
下にまで減少することが分かった。同様に、Ｆｅ１７重
量％、Ｎｉ８３重量％を含有するＦ ｅ −Ｎ ｉ合金
を用いた場合には第２図中曲線すで示すように、またＦ
ｅ１６重量％、Ｎｉ８４！ｉ量％を含有するＦｅ−Ｎｉ
合金を用いた場合には第２図中曲線Ｃで示すように、そ
れぞれ基体温度の上昇に伴って抗磁力Ｈｃが急激に小さ
くなり、基体温度を２２０℃以上とすることにより抗磁
力Ｈｃを５０ｅ以下とすることができる。
も、得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁力Ｈｃが大幅に
小さくなる０例えば、ＦｅｌＢ重量％、 Ｎｉ８２重量
％を含有するＦｅ−Ｎｉ合金を用い、基体温度を１００
℃〜３００℃の婦囲で変化させて膜厚０．３９μの高透
磁率磁性薄膜層を作製したところ、得られる高透磁率磁
性薄膜層の抗磁力Ｈｃは、第２図中曲線ａで示すように
、基体温度を２００℃以上にすると急激に減少し、特−
基体温度を２２０℃以上とすれば抗磁力Ｈｃが５０ｅ以
下にまで減少することが分かった。同様に、Ｆｅ１７重
量％、Ｎｉ８３重量％を含有するＦ ｅ −Ｎ ｉ合金
を用いた場合には第２図中曲線すで示すように、またＦ
ｅ１６重量％、Ｎｉ８４！ｉ量％を含有するＦｅ−Ｎｉ
合金を用いた場合には第２図中曲線Ｃで示すように、そ
れぞれ基体温度の上昇に伴って抗磁力Ｈｃが急激に小さ
くなり、基体温度を２２０℃以上とすることにより抗磁
力Ｈｃを５０ｅ以下とすることができる。
これに対して、Ｆｅ２１．５重量％、Ｎｉ７８．５重量
％を含有するＦｅ−Ｎｉ合金を用いた場合には、第２図
中曲線ｄで示すように基体温度の上昇に伴って抗磁力Ｈ
ｃは減少するものの、この抗磁力Ｈｃを５０ｅ以下とす
るためには基体温度を２６０℃以上としなければならな
い、・ ところで、得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁力Ｈｃは
、上述のＮｉの含有量や基体の温度に加えて、第３Ｂ！
１に示すように膜厚にも依存し、例えば基体温度を２６
０℃に設定した場合には、第３図中曲線Ａで示すように
膜厚が大きくなるにしたがって抗磁力Ｈｃがｉｌｌに小
さくなるが、基体の温度が低いと、例えば基体温度１５
０℃に設定した場合には第３図中曲線Ｂで示すように、
また基体温度１８０℃に設定した場合には第３図中曲線
Ｃでしめすように膜厚０．３９μで抗磁力Ｈｃが最大と
なることが分かった。したがって、上述のように膜厚０
．３９μにおいて抗磁力Ｈｃを満足するように基体の温
度を設定すれば、膜厚が異なっても抗磁力Ｈｃが充分に
小さくなることは明らかである。
％を含有するＦｅ−Ｎｉ合金を用いた場合には、第２図
中曲線ｄで示すように基体温度の上昇に伴って抗磁力Ｈ
ｃは減少するものの、この抗磁力Ｈｃを５０ｅ以下とす
るためには基体温度を２６０℃以上としなければならな
い、・ ところで、得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁力Ｈｃは
、上述のＮｉの含有量や基体の温度に加えて、第３Ｂ！
１に示すように膜厚にも依存し、例えば基体温度を２６
０℃に設定した場合には、第３図中曲線Ａで示すように
膜厚が大きくなるにしたがって抗磁力Ｈｃがｉｌｌに小
さくなるが、基体の温度が低いと、例えば基体温度１５
０℃に設定した場合には第３図中曲線Ｂで示すように、
また基体温度１８０℃に設定した場合には第３図中曲線
Ｃでしめすように膜厚０．３９μで抗磁力Ｈｃが最大と
なることが分かった。したがって、上述のように膜厚０
．３９μにおいて抗磁力Ｈｃを満足するように基体の温
度を設定すれば、膜厚が異なっても抗磁力Ｈｃが充分に
小さくなることは明らかである。
以上のことから、Ｎｉの含有量が８１〜８６重量％であ
るＦｅ−Ｎｉ合金を用い、蒸着時の基体温度を２２０℃
以上に設定することにより抗磁力Ｈｃを５０ｅ以下に制
御することができることがわかる。
るＦｅ−Ｎｉ合金を用い、蒸着時の基体温度を２２０℃
以上に設定することにより抗磁力Ｈｃを５０ｅ以下に制
御することができることがわかる。
上述のように、Ｆｅ−Ｎｉ合金に含まれるＮｉの含有量
を適宜設定するとともに、上記Ｎｉの含有量に応じて基
体の温度を制御しながら高透磁率磁性Ｗｔ膜層を蒸着形
成した後、この高透磁率磁性Ｗｔ膜層上にＴｉ薄膜及び
垂直磁化記録層を順次スパッタ法や真空蒸着法等により
被着形成し、垂直磁気記録媒体を完成する。なお、ここ
で被着方法としては、主産性の点から真空蒸着法を採用
することが好ましい。
を適宜設定するとともに、上記Ｎｉの含有量に応じて基
体の温度を制御しながら高透磁率磁性Ｗｔ膜層を蒸着形
成した後、この高透磁率磁性Ｗｔ膜層上にＴｉ薄膜及び
垂直磁化記録層を順次スパッタ法や真空蒸着法等により
被着形成し、垂直磁気記録媒体を完成する。なお、ここ
で被着方法としては、主産性の点から真空蒸着法を採用
することが好ましい。
上記垂直磁化記録層は、通常この種の媒体に用いられる
手法、材質により作製され、例えばＣｒを１０〜２５原
子％を含み残部ＣｏからなるＣ。
手法、材質により作製され、例えばＣｒを１０〜２５原
子％を含み残部ＣｏからなるＣ。
−Ｃｒ合金を被着することにより作製されるものである
。これによって垂直方向の配向に優れた垂直磁化記録層
が得られる。
。これによって垂直方向の配向に優れた垂直磁化記録層
が得られる。
また、上記Ｔｉ薄膜は、上記垂直磁化記録層の特性を向
上するために設けられるものであって、その膜厚は１０
０〜５００人に選定される。上記Ｔｉ１ｌ＠膜の膜厚が
１００λ未満では、Ｔｉの連続膜が形成しにくく、Ｔｉ
の下地膜としての効果が不充分となる虞れがあり、また
上記膜厚が５００人を越えても垂直磁化記録層の磁気特
性や機械的特性にこれ以上の効果が認められない、なお
、このＴｉ１ｉ膜は、場合によっては無くともよい。
上するために設けられるものであって、その膜厚は１０
０〜５００人に選定される。上記Ｔｉ１ｌ＠膜の膜厚が
１００λ未満では、Ｔｉの連続膜が形成しにくく、Ｔｉ
の下地膜としての効果が不充分となる虞れがあり、また
上記膜厚が５００人を越えても垂直磁化記録層の磁気特
性や機械的特性にこれ以上の効果が認められない、なお
、このＴｉ１ｉ膜は、場合によっては無くともよい。
ところで、本発明は理論的に計算される磁歪定数からも
説明される。
説明される。
以下、抗磁力Ｈｃが小さい膜が得られる組成範囲と磁歪
定数λの関係について述べる。
定数λの関係について述べる。
本発明で形成される高透磁率磁性薄膜層はＦｅ−Ｎｉ合
金の多結晶膜として作製されるが、この多結晶膜の磁歪
定数λは単結晶の磁歪定数から近似的に次式により計算
される。
金の多結晶膜として作製されるが、この多結晶膜の磁歪
定数λは単結晶の磁歪定数から近似的に次式により計算
される。
２う
λクーλ 十−λ ・・・第２式
％式％
この第２式から求めた磁歪定数λの値を第４図に゛示す
、なお、この第４図において、曲線■はＬＨ。
、なお、この第４図において、曲線■はＬＨ。
Ｂｏｚｏｒｔｈ ａｎｄ Ｊ、ＧＪａｌｋｅｒ （Ｐｈ
ｙｓ、Ｒｅｒ ８３（１９５１） ８７１）のデータか
ら求めたものであり、曲線■はＦ、Ｌｉｃｈｔｅｒｂｅ
ｒｇｅｒ（＾ｎｎ、Ｐｂｙｓｉｋ １５（１９５４）２
２５）のデータから求めたものである。
ｙｓ、Ｒｅｒ ８３（１９５１） ８７１）のデータか
ら求めたものであり、曲線■はＦ、Ｌｉｃｈｔｅｒｂｅ
ｒｇｅｒ（＾ｎｎ、Ｐｂｙｓｉｋ １５（１９５４）２
２５）のデータから求めたものである。
この第４図より、抗磁力Ｈｃの小さい膜が得られる組成
範囲は磁歪定数λの小さい組成範囲に対応していること
がわかる。
範囲は磁歪定数λの小さい組成範囲に対応していること
がわかる。
一方、結晶磁気異方性に、の組成依存性を第５図に示す
、なお、この第５図において、曲線■はＲｏＭ、Ｂｏｚ
ｏｒｔｈ ａｎｄ Ｊ、ＧＪａｌｋ、ｅｒ （Ｐｈｙｓ
、Ｒｅｒ ８３（１９５１）８７１）のデータから求め
たものであり、曲線■はＦ、Ｌｉｃｈｔｅｒｂｅｒｇｅ
ｒ（Ａｎｎ、Ｐｈｙｓｉｋ １５（１９５４）２２５）
のデータから求めたものである。
、なお、この第５図において、曲線■はＲｏＭ、Ｂｏｚ
ｏｒｔｈ ａｎｄ Ｊ、ＧＪａｌｋ、ｅｒ （Ｐｈｙｓ
、Ｒｅｒ ８３（１９５１）８７１）のデータから求め
たものであり、曲線■はＦ、Ｌｉｃｈｔｅｒｂｅｒｇｅ
ｒ（Ａｎｎ、Ｐｈｙｓｉｋ １５（１９５４）２２５）
のデータから求めたものである。
この第５ＴＩ！Ｊより、従来のＦｅ−Ｎｉ合金ではこの
結晶磁気異方性に、を重視し、この結晶磁気異方性に＝
Ｏに近い７８．５重量％Ｎｉの組成のものが用いられて
いることが分かる。
結晶磁気異方性に、を重視し、この結晶磁気異方性に＝
Ｏに近い７８．５重量％Ｎｉの組成のものが用いられて
いることが分かる。
すなわち、一般に抗磁力Ｈｃを小さくするには結晶磁気
異方性に１及び磁歪定数λを小さくすることであると言
われているが、本発明はＦｅ−Ｎｉ合金膜の抗磁力ｌ（
ｃを大きくしている原因を究明し、磁歪定数λを小さく
することに重点をおいたことを要点とするものである。
異方性に１及び磁歪定数λを小さくすることであると言
われているが、本発明はＦｅ−Ｎｉ合金膜の抗磁力ｌ（
ｃを大きくしている原因を究明し、磁歪定数λを小さく
することに重点をおいたことを要点とするものである。
次に、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明がこれら実施例に限定されるものでないことは言う
までもない。
発明がこれら実施例に限定されるものでないことは言う
までもない。
実施例１゜
厚さ２５μのポリイミドフィルムを赤外線ヒータで２２
０℃に加熱し、このフィルム上に真空度２、０ Ｘ １
０−ｂＴｏｒｒ、蒸着速度１３人の条件でＦｅ−Ｎｉ合
金（Ｆｅ含有量１７重量％、Ｎｉ含有量８３重量％）を
蒸着し、膜厚３９００人のＦｅ−Ｎｉ合金膜を得た。
０℃に加熱し、このフィルム上に真空度２、０ Ｘ １
０−ｂＴｏｒｒ、蒸着速度１３人の条件でＦｅ−Ｎｉ合
金（Ｆｅ含有量１７重量％、Ｎｉ含有量８３重量％）を
蒸着し、膜厚３９００人のＦｅ−Ｎｉ合金膜を得た。
次いで、上記Ｆｅ−Ｎｉ合金膜上に真空度２．Ｏｘ １
０” Ｔｏｒｒｓ Ｍ着速度１４人の条件で膜厚２００
人のＴｉ１ｉｌｉを蒸着形成し、さらにこのＴｉｉ！Ｆ
膜上に真空度２．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒ、蒸着速度２
４人の条件で膜厚０．１２μのＧｏ−Ｃｒ合金膜を形成
してサンプルテープを作製した。
０” Ｔｏｒｒｓ Ｍ着速度１４人の条件で膜厚２００
人のＴｉ１ｉｌｉを蒸着形成し、さらにこのＴｉｉ！Ｆ
膜上に真空度２．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒ、蒸着速度２
４人の条件で膜厚０．１２μのＧｏ−Ｃｒ合金膜を形成
してサンプルテープを作製した。
得られたサンプルテープの）’ｅ−Ｎｉ膜の抗磁力Ｈｃ
を測定したところ、０．９エルステツドであった。
を測定したところ、０．９エルステツドであった。
比較例１゜
先の実施例１において、ポリイミドフィルムの加熱温度
を２００℃とし、他は実施例１と同様の方法によってサ
ンプルテープを作製した。
を２００℃とし、他は実施例１と同様の方法によってサ
ンプルテープを作製した。
得られたサンプルテープのＦ ｅ −Ｎ ｉ 膜の抗磁
力Ｈｅを測定したところ、２９エルステツドであった。
力Ｈｅを測定したところ、２９エルステツドであった。
実施例２゜
厚さ２５μのポリイミドフィルムを赤外線ヒータで２２
０℃に加熱し、このフィルム上に真空度２、 ＯＸ １
０ Ｔｏｒｒ、蒸着速度１３人の条件でＦｅ−Ｎｉ合
金（Ｆ、ｅ含有量１８重量％、Ｎｔ含有量８２重量％）
を蒸着し、膜厚３９００人のＦｅ−Ｎｉ合金膜を得た。
０℃に加熱し、このフィルム上に真空度２、 ＯＸ １
０ Ｔｏｒｒ、蒸着速度１３人の条件でＦｅ−Ｎｉ合
金（Ｆ、ｅ含有量１８重量％、Ｎｔ含有量８２重量％）
を蒸着し、膜厚３９００人のＦｅ−Ｎｉ合金膜を得た。
次いで、上記Ｆｅ−Ｎｉ合金膜上に真空度２．０Ｘ −
１０＝ Ｔｏｒｒｓ蒸着速度１４人の条件で膜厚２００
人のＴｉ！ＩＩ！を蒸着形成し、さらにこのＴｉ薄膜上
に真空度２．ＯＸ １０ ＴｏｒｒＳ蒸着速度２４人
の条件で膜厚０．１２μのＣｏ−Ｃｒ合金膜を形成して
サンプルテープを作製した。
１０＝ Ｔｏｒｒｓ蒸着速度１４人の条件で膜厚２００
人のＴｉ！ＩＩ！を蒸着形成し、さらにこのＴｉ薄膜上
に真空度２．ＯＸ １０ ＴｏｒｒＳ蒸着速度２４人
の条件で膜厚０．１２μのＣｏ−Ｃｒ合金膜を形成して
サンプルテープを作製した。
得られたサンプルテープのＦｅ−Ｎｉ膜の抗磁力Ｈａを
測定したところ、１．３エルステツドであった。
測定したところ、１．３エルステツドであった。
実施例３゜
厚さ２５μのポリイミドフィルムを赤外線ヒータで２２
０℃に加熱し、このフィルム上に真空度２、 ＯＸ １
０−’ Ｔｏｒｒ、蒸着速度１３人の条件でＦｅ−Ｎｉ
合金（Ｆｅ含有量１４重量％、Ｎｉ含育量８６重量％）
を蒸着し、膜厚３９００人のＦｅ−Ｎｉ合金膜を得た。
０℃に加熱し、このフィルム上に真空度２、 ＯＸ １
０−’ Ｔｏｒｒ、蒸着速度１３人の条件でＦｅ−Ｎｉ
合金（Ｆｅ含有量１４重量％、Ｎｉ含育量８６重量％）
を蒸着し、膜厚３９００人のＦｅ−Ｎｉ合金膜を得た。
次いで、上記Ｆｅ−Ｎｉ合金膜上に真空度２．ＯＸ １
０−＆Ｔｏｒｒ、蒸着速度１４人の条件で膜厚２００人
のＴｔｉｉ膜を蒸着形成し、さらにこのＴｉ薄膜上に真
空度２． ＯＸ １０’ Ｔｏｒｒ、蒸着速度２４人の
条件で膜厚０．１２μのＣｏ−Ｃｒ合金膜を形成してサ
ンプルテープを作製した。
０−＆Ｔｏｒｒ、蒸着速度１４人の条件で膜厚２００人
のＴｔｉｉ膜を蒸着形成し、さらにこのＴｉ薄膜上に真
空度２． ＯＸ １０’ Ｔｏｒｒ、蒸着速度２４人の
条件で膜厚０．１２μのＣｏ−Ｃｒ合金膜を形成してサ
ンプルテープを作製した。
得られたサンプルテープのＦｅ−Ｎｉ膜の抗磁力Ｈｃを
測定したところ、２．７エルステツドであつ ゛た。
測定したところ、２．７エルステツドであつ ゛た。
比較例２゜
先の実施例３において、Ｆａ−Ｎｉ合金の組成を２１．
５重量％Ｆｅ、７８．５重量％Ｎｔとし、他は実施例３
と同様の方法によりサンプルテープを作製した。
５重量％Ｆｅ、７８．５重量％Ｎｔとし、他は実施例３
と同様の方法によりサンプルテープを作製した。
得られたサンプルテープのＦｅ−Ｎｉ合金膜の抗磁力Ｈ
ｃを測定したところ２７エルステツドであった・ 比較例３゜ 先の実施例３において、Ｆｅ−Ｎｉ合金の組成を１２重
量％Ｆｅ、８８重量％Ｎｔとし、他は実施例３と同様の
方法によりサンプルテープを作製した。
ｃを測定したところ２７エルステツドであった・ 比較例３゜ 先の実施例３において、Ｆｅ−Ｎｉ合金の組成を１２重
量％Ｆｅ、８８重量％Ｎｔとし、他は実施例３と同様の
方法によりサンプルテープを作製した。
得られたサンプルテープのＦｅ−Ｎｉ合金膜の抗磁力Ｈ
ｃを測定したところ８．２エルステツドであった。
ｃを測定したところ８．２エルステツドであった。
これら各実施例からも本発明を適用することにより抗υ
Ｈｃを大幅に低減できることが明らかである。
Ｈｃを大幅に低減できることが明らかである。
上述の説明からも明らかなように、本発明においては高
透磁率磁性薄膜層を構成するＦｅ−Ｎｉ合金に含まれる
Ｎｉ含有量を調節し、また二の高透磁率磁性薄膜層を蒸
着形成する際の基体温度を制御することにより、抗磁力
Ｈｃの極めて小さな高透磁率磁性ＷＩ＃膜層を形成する
ことが可能となり、したがって記録効率や再生効率の優
れた垂直磁気記録媒体を製造することが可能となる。
透磁率磁性薄膜層を構成するＦｅ−Ｎｉ合金に含まれる
Ｎｉ含有量を調節し、また二の高透磁率磁性薄膜層を蒸
着形成する際の基体温度を制御することにより、抗磁力
Ｈｃの極めて小さな高透磁率磁性ＷＩ＃膜層を形成する
ことが可能となり、したがって記録効率や再生効率の優
れた垂直磁気記録媒体を製造することが可能となる。
また、高透磁率磁性！１１層の作製方法として真空蒸着
法が採用されるため、生産性も優れたものとなる。
法が採用されるため、生産性も優れたものとなる。
第１図はＦｅ−Ｎｉ合金に含まれるＮｉの含有量と得ら
れる高透磁率磁性薄膜層の抗磁力Ｈｃの関係を示す特性
図、第２図は高透磁率磁性薄膜層を蒸着形成する際の基
体の温度と抗磁力Ｈｃの関係を示す特性図、第３図は高
透磁率磁性Ｗ／＃膜屓の膜厚と抗磁力Ｈｃの関係を示す
特性図である。 第４図はＦａ−Ｎｉ合金の組成と磁歪定数λの関係を計
算により求めた特性図、第５図はＦｅ−Ｎｉ合金の組成
と結晶磁気異方性に、の関係を示す特性図である。 ｉ’１ｗ Ｎｊ合＠＠ｒｗｔ ｍｙ、） − 第２１１ 甚ネ【１１１度 （’Ｃ） □ 第３図 Ｒ奨 厚 （ｐｍ） −−−−− 第４− ｘｔｏ” Ｎｉ＃舊童（Ｗｔ＠ム） □ 洛δ感 ｘｌｏ’（ｅｒｇ／ｃＪ） ７６ ７８ ８０ ８２ ８４ ８６ ＃ ９ＯＮ
／合引量（ｗｔ ’１０）−一→ 手続補正書帽釦 昭和６０年３月５日 昭和５９年 特許願 第２１８２５１号２、発明の名称 垂直磁気記録媒体の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用８北品用６丁目７番３５号名称 （２
１８） ソ ニ − 株 式 会 社代表者大賀典雄 ４、代理人 住所 〒１０５東京都港区虎ノ門二丁目６番４号第１１
森ビル１１階 置 （５０８） ８２６６ ｌｌＮ自発 ６、補正の対象 明細書の全文 訂正明細書 １、発明の名称 垂直磁気記録媒体の製造方法 ２、特許請求の範囲 基体上にＮｉを８１重量％〜８６重量％含有するＦｅ−
Ｎｉ合金よりなる高透磁率磁性薄膜層を上記基体温度が
２２０℃以上となるように制御しながら蒸着形成した後
、上記高透磁率磁性薄膜層上に垂直磁気記録層を形成す
ることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 ３、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は、記録媒体磁性面に対して垂直方向の残留磁化
を用いて信号の記録を行ういわゆる垂直磁化記録方式に
おいて使用される垂直磁気記録媒体の製造方法に関する
ものである。 〔従来の技術〕 従来、例えばコンピュータ等の記憶媒体やオーディオテ
ープレコーダやビデオテープレコーダ等の記録媒体とし
て使用される磁気記録媒体においては、一般に基板上に
被着形成される磁気記録層に対して水平方向の磁化（面
内方向磁化）を行ってその記録を行っている。 ところが、この面内方向磁化による記録の場合、記録信
号が短波長になるにつれ、すなわち記録密度が高まるに
つれ、媒体内の反磁界が増して残留磁束密度が減衰し、
再生出力が減少するという欠点を有している。 そこでさらに従来、磁気記録媒体の記録層の厚さ方向の
磁化により記録を行う垂直磁気記録方式が提案されてお
り、この垂直磁気記録方式によれば記録波長が短波長に
なるにしたがい減磁界が小さくなることから、特に短波
長記録、高密度記録において上述した面内方向磁化によ
る記録よりも有利であることが知られている。 そして、この種の記録方式に用いられる垂直磁気記録媒
体としては、高分子フィルム等の非磁性基板上にＣｏ−
Ｃｒ合金等により垂直磁化記録層を被着形成したものが
考えられているが、なかでも上記非磁性基板と垂直磁化
記録層との間に面内磁化層としてＦｅ−Ｎｉ合金からな
る高透磁率磁性薄膜層を設け、記録効率や再生効率の向
上を図った２層膜垂直磁気記録媒体が注目されている。 ところで、この２層膜垂直磁気記録媒体においては、上
記面内磁化層、すなわち高透磁率磁性薄膜層の磁気特性
が重要で、この高透磁率磁性薄膜層としてもちいられる
Ｆｅ−Ｎｔ合金膜には、磁化され易いこと、すなわち抗
磁力Ｈｃが小さいこと、０．３〜０．５μｍ程度の膜厚
を有すること、量産性に優れていること等が要求される
。例えば上記高透磁率磁性薄膜層の抗磁力ｌ（Ｃが高い
と、この高透磁率磁性薄膜層における磁気抵抗が大きく
なって得られる垂直磁気記録媒体の記録効率や再生効率
を低下してしまう。 従来、抗磁力Ｈｅの小さいＦｅ−Ｎｉ合金としては、２
１．５重量％Ｆｅ−７８，５重量％Ｎｉの組成のものが
知られているが、本発明者等の実験によれば、この組成
のＦｅ−Ｎｉ合金を用いて膜厚０．３９μｍのＦｅ−Ｎ
ｉ膜を作製した２ところ、基板温度が２２０℃以下では
、抗磁力Ｈｃが２０〜３００ｅと大きくなってしまい、
抗磁力Ｈｃが２０ｅ以下の膜を得るには基板温度を２６
０℃以上に設定する必要があることが判明した。このよ
うに基板温度を高く設定しなくてはならないことは、基
板に使用するプラスチックフィルムに対する耐熱性の要
求が厳しくなる点で、また製造装置の耐久性等装置上の
問題等から、好ましくない。 また、上記膜厚の問題を解消するために、例えば２ｉｉ
のＦｅ−Ｎｉ膜の間にＴｉ１ｌＩを挟んだ構造とし、抗
磁力Ｈｃを小さくすることが提案されているが、この方
法では３回蒸着操作が必要なことから量産性の点で好ま
しくないばかりか、非磁性のＴｉ層が存在することは磁
気特性の低下の原因ともなり、高透磁率磁性薄膜層の目
的からいって好ましくない。 一方、上記量産性の点からは、上記高透磁率磁性薄膜層
の膜付は方法として真空蒸着法を採用することが望まし
い。これは、上記真空蒸着法がスパッタ法等に比べて膜
付は速度が速いことによるもので、例えばスパッタ法で
の膜付は速度がおよそ１７０人／ｓｅｃ、であるのに対
して、真空蒸着法での膜付は速度はおよそ５０００人／
ｓｅｃ、と３０倍程度である。 このように、上記面内磁化膜として用いられる高透磁率
磁性薄膜層にあっては、量産性を確保しながら抗磁力Ｈ
ｃを低下することが大きな課題となっている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 そこで本発明は、前述の当該技術分野の要望に応えて提
案されたものであって、磁化膜として優れた特性を示し
、特に抗磁力Ｈｃの小さな高透磁率磁性薄膜層を量産性
良く製造し得る製造方法を提供し、もって記録効率や再
生効率の優れた垂直磁気記録媒体を製造することが可能
な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的と
する。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者等は、抗磁力Ｈｃの小さなＦｅ−Ｎｉ膜の作製
方法を見出すため、まず、２１．５重量％Ｆｅ−７８，
５重量％Ｎｉの組成を有するＦｅ−Ｎｉ膜の高抗磁力の
原因について検討した。 その結果、上記組成のＦｅ−Ｎｉ膜においては 、磁
気弾性異方性を起源とする垂直磁気異方性が生しており
、この垂直磁気異方性のためにある一定の膜厚以上の膜
には縞状磁区が形成され、このために抗磁力が大きくな
るということが判明した。 ここで、上記磁気弾性異方性には磁歪定数λ及び内部応
力σと に＝ −λσ ・・・第１式 なる第１式の関係にある。 したがって、上記抗磁力を小さくするには、すなわち磁
気弾性異方性Ｋを小さくするには、磁歪定数λ及び内部
応力σを小さくすればよい。この内部応力σを小さくす
る方法の一つは、基板温度を上げることであるが、あま
り基板温度をあげることは先に述べた通り好ましくない
、一方、上記磁歪定数λは合金組成によって決まるもの
であって、したがって磁歪定数λの小さい組成を有する
Ｆｅ−Ｎｉ合金材料を用いることにより、抗磁力の小さ
い膜が得られることが期待できる。 本発明は以上のような知見に基づいて完成されたもので
あって、基体上にＮｉを８１重量％〜８６重量％含有す
るＦｅ−Ｎｉ合金よりなる高透磁率磁性ｔｉ膜層を上記
基体温度が２２０℃以上となるように制御しながら蒸着
形成した後、上記高透磁率磁性溝ＩＪ層上に垂直磁気記
録層を形成することを特徴とするーものである。 〔作用〕 このように、Ｆｅ−Ｎｉ合金の組成及び蒸着時の基板温
度を所定範囲内に設定することにより、抗磁力の小さな
Ｆｅ−Ｎｉ合金膜が１回の操作で生産性良く得られる。 〔実施例〕 以下、本発明の詳細な説明する。 本発明においては、先ず、Ｆｅ−Ｎｉ合金インゴットの
如き蒸発源とこの蒸発源を加熱するための加熱手段（ヒ
ータや電子銃等）とを備えた真空蒸着装置内に、上記蒸
発源と対向してポリイミド等の非磁性材料により形成さ
れる基体を配置し、上記蒸発源を上記加熱手段によって
加熱して上記基体の表面に蒸発原子を被着し高透磁率磁
性薄膜層を蒸着形成する。 ここで、上記高透磁率磁性薄膜層の組成及び蒸着時の基
体の温度が重要であって、これらを所定の範囲内に設定
することにより抗磁力を小さくすることができる。 本発明者等の実験によれば、上記高透磁率磁性８１１層
を構成するＦｅ−Ｎｉ合金に含まれるＮｉの含有量を制
御することによって、得られる高透磁率磁性ｉ膜層の抗
磁力Ｈｃが大幅に小さくなることが判明した０例えば、
蒸着時の基体温度を２２０℃に設定し、Ｆｅ−Ｎｉ合金
に含まれるＮｉＯ量を変化させ、膜厚０．３９μｍの高
透磁率磁性薄膜層を作製したところ、得られる高透磁率
磁性薄膜層の抗磁力Ｈｃは、第１図に示すように、８１
重量％Ｎｉから８６重量％Ｎｉの範囲で抗磁力Ｈｅ＜５
０ｅとなり、また８２ｆｆｉ量％Ｎｉから８３．５重量
％Ｎｉの範囲で抗磁力Ｈｃ＜２０ｅとなった。 一方、蒸着時の基体の温度を高くしておくことによって
も、得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁力Ｈｃが大幅に
小さくなる０例えば、Ｆｅ１Ｂｉｉ量％、Ｎｉ８２重量
％を含有するＦｅ−Ｎｉ合金を用い、基体温度を１００
℃〜３００℃の範囲で変化させて膜厚０．３９μｍの高
透磁率磁性薄膜層を作製したところ、得られる高透磁率
磁性Ｈ膜層の抗磁力Ｈｃは、第２図中曲線ａで示すよう
に、基体温度を２００℃以上にすると急激に減少し、特
に基体温度を２２０℃以上とすれば抗磁力Ｈｃが５０ｅ
以下にまで減少することが分かった。同様に、Ｆｅ２Ｔ
ｉ量％、Ｎｉ８３重量％を含有するＦｅ−Ｎｉ合金を用
いた場合には第２図中曲線すで示すように、またＦｅ１
６重量％、Ｎｉ８４重量％を含有するＦｅ−Ｎｉ合金を
用いた場合には第２図中曲線Ｃで示すように、それぞれ
基体温度の上昇に伴って抗磁力Ｈｃが急激に小さくなり
、基体温度を２２０℃以上とすることにより抗磁力Ｈｅ
を５０ｅ以下とすることができる。 これに対して、Ｆｅ２１．５重１％、Ｎｉ７８．５重量
％を含有するＦｅ−Ｎｉ合金を用いた場合には、第２図
中曲線ｄで示すように基体温度の上昇に伴って抗磁力Ｈ
ｃは減少するものの、この抗磁力Ｈｃを５０ｅ以下とす
るためには基体温度を２６０℃以上としなければならな
い。 ところで、得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁力Ｈｅは
、上述のＮｉの含有量や基体の温度に加えて、第３図に
示すように膜厚にも依存し、例えば基体温度を２６０℃
に設定した場合には、第３図中曲線Ａで示すように膜厚
が大きくなるにしたがって抗磁力Ｈｃが単調に小さくな
るが、基体の温度が低いと、例えば基体温度１５０℃に
設定した場合には第３ｖｌＪ中曲線Ｂで示すように、ま
た基体温度１８０℃に設定した場合には第３図中曲線Ｃ
でしめす゛ように膜厚０．３９μｍで抗磁力ｌ（ｃが最
大となることが分かった。したがって、上述のように膜
厚０．３９μｍにおいて抗磁力Ｈｃを満足するように基
体の温度を設定すれば、膜厚が異なっても抗磁力）Ｃが
充分に小さくなることは明らかである。 以上のことから、Ｎｉの含有量が８１〜８６重量％であ
るｐ’ｅ−Ｎｉ合金を用い、蒸着時の基体温度を２２０
℃以上に設定することにより抗磁力Ｈｃを５０ｅ以下に
制御することができることがわかる。 上述のように、Ｆ ｅ −Ｎ ｉ合金に含まれるＮｉの
含有量を適宜設定するとともに、上記Ｎｉの含有量に応
じて基体の温度を制御しながら高透磁率磁性薄膜層を蒸
着形成した後、この高透磁率磁性ＷＩ＃膜層上にＴｉ薄
膜及び垂直磁化記録層を順次スパッタ法や真空蒸着法等
により被着形成し、垂直磁気記録媒体を完成する。なお
、ここで被着方法としては、生産性の点から真空蒸着法
を採用することが好ましい。 上記垂直磁化記録層は、通常この種の媒体に用いられる
手法、材質により作製され、例えばＣｒをｌＯ〜２５原
子％を含み残部ＣＯからなるＣ。 −Ｃｒ合金を被着することにより作製されるものである
。これによって垂直方向の配向に優れた垂直磁化記録層
が得られる。 また、上記Ｔ ｉ １４Ｊｌは、上記垂直磁化記録層の
特性を向上するために設けられるものであって、その膜
厚は１００〜５００人に選定される。上記Ｔｉ１ｉ膜の
膜厚が１００人未満では、Ｔｉの連続膜が形成しにくく
、Ｔｉの下地膜としての効果が不充分となる虞れがあり
、また上記膜厚が５００人を越えても垂直磁化記録層の
磁気特性や機械的特性にこれ以上の効果が認められない
、なお、このＴｉ薄膜は、場合によっては無くともよい
。 ところで、本発明は理論的に計算される磁歪定数からも
説明される。 以下、抗磁力Ｈｃが小さい膜が得られる組成範囲と磁歪
定数λの関係について述べる。 本発明で形成される高透磁率磁性薄膜層はＦｅ−Ｎｉ合
金の多結晶膜として作製されるが、この多結晶膜の磁歪
定数λは単結晶の磁歪定数から近似的に次式により計算
される。 う λ＝−λ、い＋−λＩｌｌ ・・・第２式％式％ この第２式から求めた磁歪定数λの値を第４図に１、示
す、なお、この第４図において、曲線Ｉはアール・エム
・ボゾルス、ジエー・ジー・ウオカー（Ｒ，Ｍ、Ｂｏｚ
ｏｒｔｈ ａｎｄ Ｊ、Ｇ、Ｗａｌｋｅｒ）共著、フィ
ジカル・レビュー ８３（１９５１）８７１ （Ｐｈｙ
ｓ、Ｒｅｖ、８３（１９５１）８７１）のデータから求
めたものであり、曲線■はエフ・リヒテンベルガーＣＦ
、Ｌｉｃｈｔｅｎｂｅｒｇｅｒ）著、アナレン・ヘア・
フイジーク１５（１９５４）２２５ （Ａｎｎ、Ｐｈ
ｙｓｉｋ１５（１９５４）２２５）のデータから求めた
ものである。 この第４図より、抗磁力Ｈａの７１％さｂ）ｌ実力（得
られる組成範囲は磁歪定数λの小さし）組成範囲に対応
していることがわかる。 一方、結晶磁気異方性に１の組成依存↑生を第５図に示
す、なお、この第５図におし）て、曲線ｍ番まアール・
エム・ポゾルス、ジエー・ジー・ウォーカー（Ｒ，Ｍ、
Ｂｏｚｏｒｔｈ ａｎｄ Ｊ、Ｇ、Ｗａｌｋｅｒ）共著
、フィシｆ）ルーＬｔビｓ −８９（１９５３）６２４
（１’ｈｙｓ、Ｒｅｖ、８９（１９５３） ６２４）
のデータから求めたものであり、曲ｉ泉■はアール・エ
ム・ボゾルス（Ｒ，Ｍ、Ｂｏｚｏｒｔｈ）著、レビュー
・オブ・モダン・フィジックス２５（１９５３）４２
（Ｒｅｖ、ｍｏｄ、Ｐｈｙｓ、２５（１９５３）４２）
のデータカ）ら求めたものである。 この第５図より、従来のＦｅ−Ｎｉ合金で番よこの結晶
磁気異方性に工を重視し、この簿占晶磁気異方性に１＝
０に近い７８．５重量％Ｎｉの組成のものが用いられて
いることが分かる。 すなわち、一般に抗磁力Ｈｃを小さくするには結晶磁気
異方性に１及び磁歪定数λを小さくすることであると言
われているが、本発明はｆｅｅ−Ｎｉ合金膜の抗磁力Ｈ
ｃを大きくしている原因を究明し、磁歪定数λを小さく
することに重点をおいたことを要点とするものである。 次に、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明がこれら実施例に限定されるものでないことは言う
までもない。 実施例１゜ 厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを赤外線ヒータで２
２０℃に加熱し、このフィルム上に真空度２． ＯＸ
１０’； ＴｏｒｒＳ蒸着速度１３人八ｅｃ、へ条件で
ｐ’ｅ−Ｎｉ合金（Ｆｅ含有量１７重量％、Ｎｉ含有量
８３重量％）を蒸着し、膜厚０．３５μｍのＦｅ−Ｎｉ
合金膜を得た。 次いで、上記Ｆ ｅ −Ｎ ｉ合金膜上に真空度２．０
Ｘ１０″６ Ｔｏｒｒ、蒸着速度１４人／ｓｅｃ、の条
件で膜厚２００人のＴｉ薄膜を蒸着形成し、さらにこの
Ｔｉｉ膜上に真空度２． ＯＸ １０（ｉ Ｔｏｒｒ、
蒸着速度２４人／ｓｅｃ、の条件で膜厚０．１２μｍの
Ｃｏ−Ｃｒ合金膜を形成してサンプルテープを作製した
。 得られたサンプルテープのＦｅ−Ｎｉ膜の抗磁力Ｈｃを
測定したところ、０．９エルステツドであった。 比較例１゜ 先の実施例１において、ポリイミドフィルムの加熱温度
を２００℃とし、他は実施例１と同様の方法によってサ
ンプルテープを作製した。 得られたサンプルテープのＦ ｅ −Ｎ ｉ膜の抗磁力
１１ｃを測定したところ、２９エルステツドであった。 実施例２゜ 厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを赤外線ヒータで２
２０℃に加熱し、このフィルム上に真空度２．０Ｘ１０
″６Ｔｏｒｒ、蒸着速度１３人八へｃ、の条件でＦｅ−
Ｎｉ合金（Ｆａ含有量１８重量％、Ｎｉ含有量８２重量
％）を蒸着、し、膜厚０．３５μｍＦｅ−Ｎｉ合金膜を
得た。 次いで、上記Ｆｅ−Ｎｉ合金膜上に真空度２．０Ｘ １
０”６ Ｔｏｒｒ、蒸着速度１４人／ｓｅｃ、の条件で
膜厚２００人のＴｉ薄膜を蒸着形成し、さらにこのＴｉ
薄膜上に真空度２． ＯＸ １０（ｉＴｏｒｒ、蒸着速
度２４人／ｓｅｃ、の条件で膜厚０．１２．ｃｒｍのＣ
ｏ−Ｃｒ合金膜を形成してサンプルテープを作製した。 得られたサンプルテープのＦｅ−ＮｉＭｔＡの抗磁力Ｈ
ｃを測定したところ、１．３エルステツドであった。 実施例３゜ 厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを赤外線ヒータで２
２０℃に加熱し、このフィルム上に、２空度２． ＯＸ
１０”６ Ｔｏｒｒ、蒸着速度１３人／ｓｅｃ、の条
件でＦｅ−Ｎｉ合金（Ｆｅ含有量１４ｆｆｉ量％、Ｎｉ
含有量８６重量％）を蒸着し、膜厚０．３５μ 、ｍ
Ｆｅ−Ｎｉ合金膜を得た。 次いで、上記Ｆｅ−Ｎｉ合金膜上に真空度２．０×１０
″′６Ｔｏｒｒ、蒸着速度１４人／ｓｅｃ、の条件で膜
厚２００人のＴｉ薄膜を蒸着形成し、さらにこのＴｉ薄
膜上に真空度２．０Ｘ１０″６Ｔｏｒｒ、蒸着速度２４
人／ｓｅｃ、の条件で膜厚０．１２μｍのＣｏ−Ｃ「合
金膜を形成してサンプルテープを作製した。 得られたサンプルテープの）’ｅ−Ｎｒ膜の抗磁力Ｈｃ
ｔ−測定したところ、２．７エルステツドであった。 比較例２゜ 先の実施例３において、Ｆｅ−Ｎｉ合金の組成を２１．
５重量％Ｆｅ、７８．５重量％Ｎｉとし、他は実施例３
と同様の方法によりサンプルテープを作製した。 得られたサンプルテープのＦｅ−Ｎｉ合金膜の抗磁力Ｈ
ｃを測定したところ２７エルステツドであった。 比較例３゜ 先の実施例３において、Ｆｅ−Ｎｉ合金の組成を１２重
量％Ｆｅ、８８ｉｉ量％Ｎｉとし、他は実施例３と同様
の方法によりサンプルテープを作製した。 得られたサンプルテープのＦｅ−Ｎｉ合金膜の抗磁力Ｈ
ｃを測定したところ８．２エルステツドであった。 これら各実施例からも本発明を通用することにより抗磁
力Ｈｃを大幅に低減できることが明らかである。 〔発明の効果〕 上述の説明からも明らかなように、本発明においては高
透磁率磁性薄膜層を構成するＦ ｅ −Ｎ ｉ合金に含
まれるＮｉ含有量を調節し、またこの高透磁率磁性薄膜
層を蒸着形成する際の基体温度を制御することにより、
抗磁力１１ｃの極めて小さな高透磁率磁性薄膜層を形成
することが可能となり、したがって記録効率や再生効率
の優れた垂直磁気記録媒体を製造することが可能となる
。 また、高透磁率磁性薄膜層の作製方法として真空蒸着法
が採用されるため、生産性も優れたものとなる。 ４、図面の簡単な説明 第１図はＦｅ−Ｎｉ合金に含まれるＮｉの含有量と得ら
れる高透磁率磁性薄膜層の抗磁力Ｈｃの関係を示す特性
図、第２図は高透磁率磁性薄膜層を蒸着形成する際の基
体の温度と抗磁力Ｈｃの関係を示す特性図、第３図は高
透磁率磁性薄膜層の膜厚と抗磁力Ｈｃの関係を示す特性
図である。 第４図はｐｅ−Ｎｉ合金の組成と磁歪定数λの関係を計
算により求めた特性図、第５図はＦｅ−Ｎｉ合金の組成
と結晶磁気異方性に１の関係を示す特性図である。
れる高透磁率磁性薄膜層の抗磁力Ｈｃの関係を示す特性
図、第２図は高透磁率磁性薄膜層を蒸着形成する際の基
体の温度と抗磁力Ｈｃの関係を示す特性図、第３図は高
透磁率磁性Ｗ／＃膜屓の膜厚と抗磁力Ｈｃの関係を示す
特性図である。 第４図はＦａ−Ｎｉ合金の組成と磁歪定数λの関係を計
算により求めた特性図、第５図はＦｅ−Ｎｉ合金の組成
と結晶磁気異方性に、の関係を示す特性図である。 ｉ’１ｗ Ｎｊ合＠＠ｒｗｔ ｍｙ、） − 第２１１ 甚ネ【１１１度 （’Ｃ） □ 第３図 Ｒ奨 厚 （ｐｍ） −−−−− 第４− ｘｔｏ” Ｎｉ＃舊童（Ｗｔ＠ム） □ 洛δ感 ｘｌｏ’（ｅｒｇ／ｃＪ） ７６ ７８ ８０ ８２ ８４ ８６ ＃ ９ＯＮ
／合引量（ｗｔ ’１０）−一→ 手続補正書帽釦 昭和６０年３月５日 昭和５９年 特許願 第２１８２５１号２、発明の名称 垂直磁気記録媒体の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用８北品用６丁目７番３５号名称 （２
１８） ソ ニ − 株 式 会 社代表者大賀典雄 ４、代理人 住所 〒１０５東京都港区虎ノ門二丁目６番４号第１１
森ビル１１階 置 （５０８） ８２６６ ｌｌＮ自発 ６、補正の対象 明細書の全文 訂正明細書 １、発明の名称 垂直磁気記録媒体の製造方法 ２、特許請求の範囲 基体上にＮｉを８１重量％〜８６重量％含有するＦｅ−
Ｎｉ合金よりなる高透磁率磁性薄膜層を上記基体温度が
２２０℃以上となるように制御しながら蒸着形成した後
、上記高透磁率磁性薄膜層上に垂直磁気記録層を形成す
ることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 ３、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は、記録媒体磁性面に対して垂直方向の残留磁化
を用いて信号の記録を行ういわゆる垂直磁化記録方式に
おいて使用される垂直磁気記録媒体の製造方法に関する
ものである。 〔従来の技術〕 従来、例えばコンピュータ等の記憶媒体やオーディオテ
ープレコーダやビデオテープレコーダ等の記録媒体とし
て使用される磁気記録媒体においては、一般に基板上に
被着形成される磁気記録層に対して水平方向の磁化（面
内方向磁化）を行ってその記録を行っている。 ところが、この面内方向磁化による記録の場合、記録信
号が短波長になるにつれ、すなわち記録密度が高まるに
つれ、媒体内の反磁界が増して残留磁束密度が減衰し、
再生出力が減少するという欠点を有している。 そこでさらに従来、磁気記録媒体の記録層の厚さ方向の
磁化により記録を行う垂直磁気記録方式が提案されてお
り、この垂直磁気記録方式によれば記録波長が短波長に
なるにしたがい減磁界が小さくなることから、特に短波
長記録、高密度記録において上述した面内方向磁化によ
る記録よりも有利であることが知られている。 そして、この種の記録方式に用いられる垂直磁気記録媒
体としては、高分子フィルム等の非磁性基板上にＣｏ−
Ｃｒ合金等により垂直磁化記録層を被着形成したものが
考えられているが、なかでも上記非磁性基板と垂直磁化
記録層との間に面内磁化層としてＦｅ−Ｎｉ合金からな
る高透磁率磁性薄膜層を設け、記録効率や再生効率の向
上を図った２層膜垂直磁気記録媒体が注目されている。 ところで、この２層膜垂直磁気記録媒体においては、上
記面内磁化層、すなわち高透磁率磁性薄膜層の磁気特性
が重要で、この高透磁率磁性薄膜層としてもちいられる
Ｆｅ−Ｎｔ合金膜には、磁化され易いこと、すなわち抗
磁力Ｈｃが小さいこと、０．３〜０．５μｍ程度の膜厚
を有すること、量産性に優れていること等が要求される
。例えば上記高透磁率磁性薄膜層の抗磁力ｌ（Ｃが高い
と、この高透磁率磁性薄膜層における磁気抵抗が大きく
なって得られる垂直磁気記録媒体の記録効率や再生効率
を低下してしまう。 従来、抗磁力Ｈｅの小さいＦｅ−Ｎｉ合金としては、２
１．５重量％Ｆｅ−７８，５重量％Ｎｉの組成のものが
知られているが、本発明者等の実験によれば、この組成
のＦｅ−Ｎｉ合金を用いて膜厚０．３９μｍのＦｅ−Ｎ
ｉ膜を作製した２ところ、基板温度が２２０℃以下では
、抗磁力Ｈｃが２０〜３００ｅと大きくなってしまい、
抗磁力Ｈｃが２０ｅ以下の膜を得るには基板温度を２６
０℃以上に設定する必要があることが判明した。このよ
うに基板温度を高く設定しなくてはならないことは、基
板に使用するプラスチックフィルムに対する耐熱性の要
求が厳しくなる点で、また製造装置の耐久性等装置上の
問題等から、好ましくない。 また、上記膜厚の問題を解消するために、例えば２ｉｉ
のＦｅ−Ｎｉ膜の間にＴｉ１ｌＩを挟んだ構造とし、抗
磁力Ｈｃを小さくすることが提案されているが、この方
法では３回蒸着操作が必要なことから量産性の点で好ま
しくないばかりか、非磁性のＴｉ層が存在することは磁
気特性の低下の原因ともなり、高透磁率磁性薄膜層の目
的からいって好ましくない。 一方、上記量産性の点からは、上記高透磁率磁性薄膜層
の膜付は方法として真空蒸着法を採用することが望まし
い。これは、上記真空蒸着法がスパッタ法等に比べて膜
付は速度が速いことによるもので、例えばスパッタ法で
の膜付は速度がおよそ１７０人／ｓｅｃ、であるのに対
して、真空蒸着法での膜付は速度はおよそ５０００人／
ｓｅｃ、と３０倍程度である。 このように、上記面内磁化膜として用いられる高透磁率
磁性薄膜層にあっては、量産性を確保しながら抗磁力Ｈ
ｃを低下することが大きな課題となっている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 そこで本発明は、前述の当該技術分野の要望に応えて提
案されたものであって、磁化膜として優れた特性を示し
、特に抗磁力Ｈｃの小さな高透磁率磁性薄膜層を量産性
良く製造し得る製造方法を提供し、もって記録効率や再
生効率の優れた垂直磁気記録媒体を製造することが可能
な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的と
する。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者等は、抗磁力Ｈｃの小さなＦｅ−Ｎｉ膜の作製
方法を見出すため、まず、２１．５重量％Ｆｅ−７８，
５重量％Ｎｉの組成を有するＦｅ−Ｎｉ膜の高抗磁力の
原因について検討した。 その結果、上記組成のＦｅ−Ｎｉ膜においては 、磁
気弾性異方性を起源とする垂直磁気異方性が生しており
、この垂直磁気異方性のためにある一定の膜厚以上の膜
には縞状磁区が形成され、このために抗磁力が大きくな
るということが判明した。 ここで、上記磁気弾性異方性には磁歪定数λ及び内部応
力σと に＝ −λσ ・・・第１式 なる第１式の関係にある。 したがって、上記抗磁力を小さくするには、すなわち磁
気弾性異方性Ｋを小さくするには、磁歪定数λ及び内部
応力σを小さくすればよい。この内部応力σを小さくす
る方法の一つは、基板温度を上げることであるが、あま
り基板温度をあげることは先に述べた通り好ましくない
、一方、上記磁歪定数λは合金組成によって決まるもの
であって、したがって磁歪定数λの小さい組成を有する
Ｆｅ−Ｎｉ合金材料を用いることにより、抗磁力の小さ
い膜が得られることが期待できる。 本発明は以上のような知見に基づいて完成されたもので
あって、基体上にＮｉを８１重量％〜８６重量％含有す
るＦｅ−Ｎｉ合金よりなる高透磁率磁性ｔｉ膜層を上記
基体温度が２２０℃以上となるように制御しながら蒸着
形成した後、上記高透磁率磁性溝ＩＪ層上に垂直磁気記
録層を形成することを特徴とするーものである。 〔作用〕 このように、Ｆｅ−Ｎｉ合金の組成及び蒸着時の基板温
度を所定範囲内に設定することにより、抗磁力の小さな
Ｆｅ−Ｎｉ合金膜が１回の操作で生産性良く得られる。 〔実施例〕 以下、本発明の詳細な説明する。 本発明においては、先ず、Ｆｅ−Ｎｉ合金インゴットの
如き蒸発源とこの蒸発源を加熱するための加熱手段（ヒ
ータや電子銃等）とを備えた真空蒸着装置内に、上記蒸
発源と対向してポリイミド等の非磁性材料により形成さ
れる基体を配置し、上記蒸発源を上記加熱手段によって
加熱して上記基体の表面に蒸発原子を被着し高透磁率磁
性薄膜層を蒸着形成する。 ここで、上記高透磁率磁性薄膜層の組成及び蒸着時の基
体の温度が重要であって、これらを所定の範囲内に設定
することにより抗磁力を小さくすることができる。 本発明者等の実験によれば、上記高透磁率磁性８１１層
を構成するＦｅ−Ｎｉ合金に含まれるＮｉの含有量を制
御することによって、得られる高透磁率磁性ｉ膜層の抗
磁力Ｈｃが大幅に小さくなることが判明した０例えば、
蒸着時の基体温度を２２０℃に設定し、Ｆｅ−Ｎｉ合金
に含まれるＮｉＯ量を変化させ、膜厚０．３９μｍの高
透磁率磁性薄膜層を作製したところ、得られる高透磁率
磁性薄膜層の抗磁力Ｈｃは、第１図に示すように、８１
重量％Ｎｉから８６重量％Ｎｉの範囲で抗磁力Ｈｅ＜５
０ｅとなり、また８２ｆｆｉ量％Ｎｉから８３．５重量
％Ｎｉの範囲で抗磁力Ｈｃ＜２０ｅとなった。 一方、蒸着時の基体の温度を高くしておくことによって
も、得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁力Ｈｃが大幅に
小さくなる０例えば、Ｆｅ１Ｂｉｉ量％、Ｎｉ８２重量
％を含有するＦｅ−Ｎｉ合金を用い、基体温度を１００
℃〜３００℃の範囲で変化させて膜厚０．３９μｍの高
透磁率磁性薄膜層を作製したところ、得られる高透磁率
磁性Ｈ膜層の抗磁力Ｈｃは、第２図中曲線ａで示すよう
に、基体温度を２００℃以上にすると急激に減少し、特
に基体温度を２２０℃以上とすれば抗磁力Ｈｃが５０ｅ
以下にまで減少することが分かった。同様に、Ｆｅ２Ｔ
ｉ量％、Ｎｉ８３重量％を含有するＦｅ−Ｎｉ合金を用
いた場合には第２図中曲線すで示すように、またＦｅ１
６重量％、Ｎｉ８４重量％を含有するＦｅ−Ｎｉ合金を
用いた場合には第２図中曲線Ｃで示すように、それぞれ
基体温度の上昇に伴って抗磁力Ｈｃが急激に小さくなり
、基体温度を２２０℃以上とすることにより抗磁力Ｈｅ
を５０ｅ以下とすることができる。 これに対して、Ｆｅ２１．５重１％、Ｎｉ７８．５重量
％を含有するＦｅ−Ｎｉ合金を用いた場合には、第２図
中曲線ｄで示すように基体温度の上昇に伴って抗磁力Ｈ
ｃは減少するものの、この抗磁力Ｈｃを５０ｅ以下とす
るためには基体温度を２６０℃以上としなければならな
い。 ところで、得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁力Ｈｅは
、上述のＮｉの含有量や基体の温度に加えて、第３図に
示すように膜厚にも依存し、例えば基体温度を２６０℃
に設定した場合には、第３図中曲線Ａで示すように膜厚
が大きくなるにしたがって抗磁力Ｈｃが単調に小さくな
るが、基体の温度が低いと、例えば基体温度１５０℃に
設定した場合には第３ｖｌＪ中曲線Ｂで示すように、ま
た基体温度１８０℃に設定した場合には第３図中曲線Ｃ
でしめす゛ように膜厚０．３９μｍで抗磁力ｌ（ｃが最
大となることが分かった。したがって、上述のように膜
厚０．３９μｍにおいて抗磁力Ｈｃを満足するように基
体の温度を設定すれば、膜厚が異なっても抗磁力）Ｃが
充分に小さくなることは明らかである。 以上のことから、Ｎｉの含有量が８１〜８６重量％であ
るｐ’ｅ−Ｎｉ合金を用い、蒸着時の基体温度を２２０
℃以上に設定することにより抗磁力Ｈｃを５０ｅ以下に
制御することができることがわかる。 上述のように、Ｆ ｅ −Ｎ ｉ合金に含まれるＮｉの
含有量を適宜設定するとともに、上記Ｎｉの含有量に応
じて基体の温度を制御しながら高透磁率磁性薄膜層を蒸
着形成した後、この高透磁率磁性ＷＩ＃膜層上にＴｉ薄
膜及び垂直磁化記録層を順次スパッタ法や真空蒸着法等
により被着形成し、垂直磁気記録媒体を完成する。なお
、ここで被着方法としては、生産性の点から真空蒸着法
を採用することが好ましい。 上記垂直磁化記録層は、通常この種の媒体に用いられる
手法、材質により作製され、例えばＣｒをｌＯ〜２５原
子％を含み残部ＣＯからなるＣ。 −Ｃｒ合金を被着することにより作製されるものである
。これによって垂直方向の配向に優れた垂直磁化記録層
が得られる。 また、上記Ｔ ｉ １４Ｊｌは、上記垂直磁化記録層の
特性を向上するために設けられるものであって、その膜
厚は１００〜５００人に選定される。上記Ｔｉ１ｉ膜の
膜厚が１００人未満では、Ｔｉの連続膜が形成しにくく
、Ｔｉの下地膜としての効果が不充分となる虞れがあり
、また上記膜厚が５００人を越えても垂直磁化記録層の
磁気特性や機械的特性にこれ以上の効果が認められない
、なお、このＴｉ薄膜は、場合によっては無くともよい
。 ところで、本発明は理論的に計算される磁歪定数からも
説明される。 以下、抗磁力Ｈｃが小さい膜が得られる組成範囲と磁歪
定数λの関係について述べる。 本発明で形成される高透磁率磁性薄膜層はＦｅ−Ｎｉ合
金の多結晶膜として作製されるが、この多結晶膜の磁歪
定数λは単結晶の磁歪定数から近似的に次式により計算
される。 う λ＝−λ、い＋−λＩｌｌ ・・・第２式％式％ この第２式から求めた磁歪定数λの値を第４図に１、示
す、なお、この第４図において、曲線Ｉはアール・エム
・ボゾルス、ジエー・ジー・ウオカー（Ｒ，Ｍ、Ｂｏｚ
ｏｒｔｈ ａｎｄ Ｊ、Ｇ、Ｗａｌｋｅｒ）共著、フィ
ジカル・レビュー ８３（１９５１）８７１ （Ｐｈｙ
ｓ、Ｒｅｖ、８３（１９５１）８７１）のデータから求
めたものであり、曲線■はエフ・リヒテンベルガーＣＦ
、Ｌｉｃｈｔｅｎｂｅｒｇｅｒ）著、アナレン・ヘア・
フイジーク１５（１９５４）２２５ （Ａｎｎ、Ｐｈ
ｙｓｉｋ１５（１９５４）２２５）のデータから求めた
ものである。 この第４図より、抗磁力Ｈａの７１％さｂ）ｌ実力（得
られる組成範囲は磁歪定数λの小さし）組成範囲に対応
していることがわかる。 一方、結晶磁気異方性に１の組成依存↑生を第５図に示
す、なお、この第５図におし）て、曲線ｍ番まアール・
エム・ポゾルス、ジエー・ジー・ウォーカー（Ｒ，Ｍ、
Ｂｏｚｏｒｔｈ ａｎｄ Ｊ、Ｇ、Ｗａｌｋｅｒ）共著
、フィシｆ）ルーＬｔビｓ −８９（１９５３）６２４
（１’ｈｙｓ、Ｒｅｖ、８９（１９５３） ６２４）
のデータから求めたものであり、曲ｉ泉■はアール・エ
ム・ボゾルス（Ｒ，Ｍ、Ｂｏｚｏｒｔｈ）著、レビュー
・オブ・モダン・フィジックス２５（１９５３）４２
（Ｒｅｖ、ｍｏｄ、Ｐｈｙｓ、２５（１９５３）４２）
のデータカ）ら求めたものである。 この第５図より、従来のＦｅ−Ｎｉ合金で番よこの結晶
磁気異方性に工を重視し、この簿占晶磁気異方性に１＝
０に近い７８．５重量％Ｎｉの組成のものが用いられて
いることが分かる。 すなわち、一般に抗磁力Ｈｃを小さくするには結晶磁気
異方性に１及び磁歪定数λを小さくすることであると言
われているが、本発明はｆｅｅ−Ｎｉ合金膜の抗磁力Ｈ
ｃを大きくしている原因を究明し、磁歪定数λを小さく
することに重点をおいたことを要点とするものである。 次に、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明がこれら実施例に限定されるものでないことは言う
までもない。 実施例１゜ 厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを赤外線ヒータで２
２０℃に加熱し、このフィルム上に真空度２． ＯＸ
１０’； ＴｏｒｒＳ蒸着速度１３人八ｅｃ、へ条件で
ｐ’ｅ−Ｎｉ合金（Ｆｅ含有量１７重量％、Ｎｉ含有量
８３重量％）を蒸着し、膜厚０．３５μｍのＦｅ−Ｎｉ
合金膜を得た。 次いで、上記Ｆ ｅ −Ｎ ｉ合金膜上に真空度２．０
Ｘ１０″６ Ｔｏｒｒ、蒸着速度１４人／ｓｅｃ、の条
件で膜厚２００人のＴｉ薄膜を蒸着形成し、さらにこの
Ｔｉｉ膜上に真空度２． ＯＸ １０（ｉ Ｔｏｒｒ、
蒸着速度２４人／ｓｅｃ、の条件で膜厚０．１２μｍの
Ｃｏ−Ｃｒ合金膜を形成してサンプルテープを作製した
。 得られたサンプルテープのＦｅ−Ｎｉ膜の抗磁力Ｈｃを
測定したところ、０．９エルステツドであった。 比較例１゜ 先の実施例１において、ポリイミドフィルムの加熱温度
を２００℃とし、他は実施例１と同様の方法によってサ
ンプルテープを作製した。 得られたサンプルテープのＦ ｅ −Ｎ ｉ膜の抗磁力
１１ｃを測定したところ、２９エルステツドであった。 実施例２゜ 厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを赤外線ヒータで２
２０℃に加熱し、このフィルム上に真空度２．０Ｘ１０
″６Ｔｏｒｒ、蒸着速度１３人八へｃ、の条件でＦｅ−
Ｎｉ合金（Ｆａ含有量１８重量％、Ｎｉ含有量８２重量
％）を蒸着、し、膜厚０．３５μｍＦｅ−Ｎｉ合金膜を
得た。 次いで、上記Ｆｅ−Ｎｉ合金膜上に真空度２．０Ｘ １
０”６ Ｔｏｒｒ、蒸着速度１４人／ｓｅｃ、の条件で
膜厚２００人のＴｉ薄膜を蒸着形成し、さらにこのＴｉ
薄膜上に真空度２． ＯＸ １０（ｉＴｏｒｒ、蒸着速
度２４人／ｓｅｃ、の条件で膜厚０．１２．ｃｒｍのＣ
ｏ−Ｃｒ合金膜を形成してサンプルテープを作製した。 得られたサンプルテープのＦｅ−ＮｉＭｔＡの抗磁力Ｈ
ｃを測定したところ、１．３エルステツドであった。 実施例３゜ 厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを赤外線ヒータで２
２０℃に加熱し、このフィルム上に、２空度２． ＯＸ
１０”６ Ｔｏｒｒ、蒸着速度１３人／ｓｅｃ、の条
件でＦｅ−Ｎｉ合金（Ｆｅ含有量１４ｆｆｉ量％、Ｎｉ
含有量８６重量％）を蒸着し、膜厚０．３５μ 、ｍ
Ｆｅ−Ｎｉ合金膜を得た。 次いで、上記Ｆｅ−Ｎｉ合金膜上に真空度２．０×１０
″′６Ｔｏｒｒ、蒸着速度１４人／ｓｅｃ、の条件で膜
厚２００人のＴｉ薄膜を蒸着形成し、さらにこのＴｉ薄
膜上に真空度２．０Ｘ１０″６Ｔｏｒｒ、蒸着速度２４
人／ｓｅｃ、の条件で膜厚０．１２μｍのＣｏ−Ｃ「合
金膜を形成してサンプルテープを作製した。 得られたサンプルテープの）’ｅ−Ｎｒ膜の抗磁力Ｈｃ
ｔ−測定したところ、２．７エルステツドであった。 比較例２゜ 先の実施例３において、Ｆｅ−Ｎｉ合金の組成を２１．
５重量％Ｆｅ、７８．５重量％Ｎｉとし、他は実施例３
と同様の方法によりサンプルテープを作製した。 得られたサンプルテープのＦｅ−Ｎｉ合金膜の抗磁力Ｈ
ｃを測定したところ２７エルステツドであった。 比較例３゜ 先の実施例３において、Ｆｅ−Ｎｉ合金の組成を１２重
量％Ｆｅ、８８ｉｉ量％Ｎｉとし、他は実施例３と同様
の方法によりサンプルテープを作製した。 得られたサンプルテープのＦｅ−Ｎｉ合金膜の抗磁力Ｈ
ｃを測定したところ８．２エルステツドであった。 これら各実施例からも本発明を通用することにより抗磁
力Ｈｃを大幅に低減できることが明らかである。 〔発明の効果〕 上述の説明からも明らかなように、本発明においては高
透磁率磁性薄膜層を構成するＦ ｅ −Ｎ ｉ合金に含
まれるＮｉ含有量を調節し、またこの高透磁率磁性薄膜
層を蒸着形成する際の基体温度を制御することにより、
抗磁力１１ｃの極めて小さな高透磁率磁性薄膜層を形成
することが可能となり、したがって記録効率や再生効率
の優れた垂直磁気記録媒体を製造することが可能となる
。 また、高透磁率磁性薄膜層の作製方法として真空蒸着法
が採用されるため、生産性も優れたものとなる。 ４、図面の簡単な説明 第１図はＦｅ−Ｎｉ合金に含まれるＮｉの含有量と得ら
れる高透磁率磁性薄膜層の抗磁力Ｈｃの関係を示す特性
図、第２図は高透磁率磁性薄膜層を蒸着形成する際の基
体の温度と抗磁力Ｈｃの関係を示す特性図、第３図は高
透磁率磁性薄膜層の膜厚と抗磁力Ｈｃの関係を示す特性
図である。 第４図はｐｅ−Ｎｉ合金の組成と磁歪定数λの関係を計
算により求めた特性図、第５図はＦｅ−Ｎｉ合金の組成
と結晶磁気異方性に１の関係を示す特性図である。
Claims (1)
- 基体上にＮｉを８１重量％〜８６重量％含有するＦｅ−
Ｎｉ合金よりなる高透磁率磁性薄膜層を上記基体温度が
２２０℃以上となるように制御しながら蒸着形成した後
、上記高透磁率磁性薄膜層上に垂直磁気記録層を形成す
ることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59218251A JPS6199932A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| CA000493186A CA1255000A (en) | 1984-10-19 | 1985-10-17 | Perpendicular magnetic recording medium and method of making same |
| EP85113267A EP0178685B1 (en) | 1984-10-19 | 1985-10-18 | Perpendicular magnetic recording medium and method of making same |
| DE8585113267T DE3578858D1 (de) | 1984-10-19 | 1985-10-18 | Medium fuer senkrechte magnetaufzeichnung und verfahren zur herstellung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59218251A JPS6199932A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6199932A true JPS6199932A (ja) | 1986-05-19 |
| JPH0517608B2 JPH0517608B2 (ja) | 1993-03-09 |
Family
ID=16716958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59218251A Granted JPS6199932A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0178685B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6199932A (ja) |
| CA (1) | CA1255000A (ja) |
| DE (1) | DE3578858D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008097822A (ja) * | 2003-09-12 | 2008-04-24 | Univ Waseda | 磁気記録媒体用基板及び磁気記録媒体 |
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| US5176965A (en) * | 1987-10-05 | 1993-01-05 | Digital Equipment Corporation | Magnetic medium for longitudinal recording |
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Family Cites Families (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5862827A (ja) * | 1981-10-12 | 1983-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
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-
1984
- 1984-10-19 JP JP59218251A patent/JPS6199932A/ja active Granted
-
1985
- 1985-10-17 CA CA000493186A patent/CA1255000A/en not_active Expired
- 1985-10-18 EP EP85113267A patent/EP0178685B1/en not_active Expired
- 1985-10-18 DE DE8585113267T patent/DE3578858D1/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008097822A (ja) * | 2003-09-12 | 2008-04-24 | Univ Waseda | 磁気記録媒体用基板及び磁気記録媒体 |
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|---|---|
| CA1255000A (en) | 1989-05-30 |
| JPH0517608B2 (ja) | 1993-03-09 |
| EP0178685B1 (en) | 1990-07-25 |
| EP0178685A3 (en) | 1988-01-20 |
| DE3578858D1 (de) | 1990-08-30 |
| EP0178685A2 (en) | 1986-04-23 |
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