JP2002100030A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 193
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 32
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 31
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 5
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 95
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 7
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 5
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910019586 CoZrTa Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005347 FeSi Inorganic materials 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical group [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910010169 TiCr Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000003631 expected effect Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
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- G11B5/676—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer
- G11B5/678—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer having three or more magnetic layers
-
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7369—Two or more non-magnetic underlayers, e.g. seed layers or barrier layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7379—Seed layer, e.g. at least one non-magnetic layer is specifically adapted as a seed or seeding layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Co系磁性層の垂直配向を改良し、高保磁力
及び高再生出力を有する磁気記録媒体を得る。 【解決手段】 少なくとも下記組み合わせ i)Fe/Ru/磁性層,Cr/Ru/磁性層,あるい
はFeとTa,C,Zr,N,またはCoとの合金/R
u/磁性層,ii)Co含有層/Ru/磁性層,及びi
ii)Ru/Co含有層/磁性層の少なくとも二層の積
層体からなる下地層と、Co系磁性層とを有する垂直磁
気記録媒体。
及び高再生出力を有する磁気記録媒体を得る。 【解決手段】 少なくとも下記組み合わせ i)Fe/Ru/磁性層,Cr/Ru/磁性層,あるい
はFeとTa,C,Zr,N,またはCoとの合金/R
u/磁性層,ii)Co含有層/Ru/磁性層,及びi
ii)Ru/Co含有層/磁性層の少なくとも二層の積
層体からなる下地層と、Co系磁性層とを有する垂直磁
気記録媒体。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、垂直磁気記録媒体
に関わり、特にコバルトを含む強磁性磁気記録層を有す
る垂直磁気記録媒体に関する。
に関わり、特にコバルトを含む強磁性磁気記録層を有す
る垂直磁気記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、磁性層にコバルト(Co)系
合金を用いた磁気記録媒体では、その保持力及びS/N
比を向上させるために、クロム(Cr)を添加して結晶
粒界にCrを偏析させることで磁性粒子間の磁気的相互
作用の分断を行う方法が用いられていたが、このような
方法では、結晶磁気異方性が低下するという問題点があ
った。
合金を用いた磁気記録媒体では、その保持力及びS/N
比を向上させるために、クロム(Cr)を添加して結晶
粒界にCrを偏析させることで磁性粒子間の磁気的相互
作用の分断を行う方法が用いられていたが、このような
方法では、結晶磁気異方性が低下するという問題点があ
った。
【0003】一方、磁性層にCo、プラチナ(Pt)系
合金を用いた磁気記録媒体では、Co系合金を用いた場
合よりも大きな結晶磁気異方性を持つという他の元素に
はない優れた特徴を持ちながらも、Ptが粒界に偏析し
ないという問題点があった。
合金を用いた磁気記録媒体では、Co系合金を用いた場
合よりも大きな結晶磁気異方性を持つという他の元素に
はない優れた特徴を持ちながらも、Ptが粒界に偏析し
ないという問題点があった。
【0004】これに対し、近年、例えば特開平7−23
5034号、米国特許5,792,564号に開示され
ているように、CoPt系磁性層に酸素を添加し、酸素
リッチな結晶粒界を形成することで、CoPt磁性粒子
間の磁気的相互作用を分断する方法が考案され、大きな
垂直異方性を活用した大きな保持力と良好なS/N比を
併せ持つ記録媒体を作成することが可能となった。
5034号、米国特許5,792,564号に開示され
ているように、CoPt系磁性層に酸素を添加し、酸素
リッチな結晶粒界を形成することで、CoPt磁性粒子
間の磁気的相互作用を分断する方法が考案され、大きな
垂直異方性を活用した大きな保持力と良好なS/N比を
併せ持つ記録媒体を作成することが可能となった。
【0005】しかしながら、現在の面内磁気記録媒体に
おける磁性層の主流ともなっているCoCr系合金は、
面内配向、垂直配向とも最適な下地層が充分調べられて
いるのに対し、後発のCoPtO系磁性層に対してその
特性を向上させる下地層については、面内配向に関して
はV下地層などの研究が行われているものの、垂直配向
に関してはあまり調べられていないのが現状である。良
好な垂直配向が得られる下地層としては、CoCr系合
金層に対してはチタン(Ti)系の材料が良く知られて
おり、その他ジルコニウム(Zr)、ルテニウム(R
u)やハフニウム(Hf)なども含めてCoPt系合金
層に対しても有効であることが知られている。しかしな
がら、CoPt合金を酸化させたCoPtO系磁性層の
下地層として実際に用いてみたところ、TiやTiCr
を下地層とした場合の垂直配向は明らかに不十分であ
り、ルテニウムを下地層とした場合のほうが多少良好と
いえる程度であった。さらに、Tiの窒化物で結晶的に
類似したNaCl構造をとるTiNや、バナジウム
(V)と同じ体心立方晶のCrやセンダストのような鉄
(Fe)系合金も試してみたところ、いずれも面内配向
が強く、垂直配向が不十分であった。
おける磁性層の主流ともなっているCoCr系合金は、
面内配向、垂直配向とも最適な下地層が充分調べられて
いるのに対し、後発のCoPtO系磁性層に対してその
特性を向上させる下地層については、面内配向に関して
はV下地層などの研究が行われているものの、垂直配向
に関してはあまり調べられていないのが現状である。良
好な垂直配向が得られる下地層としては、CoCr系合
金層に対してはチタン(Ti)系の材料が良く知られて
おり、その他ジルコニウム(Zr)、ルテニウム(R
u)やハフニウム(Hf)なども含めてCoPt系合金
層に対しても有効であることが知られている。しかしな
がら、CoPt合金を酸化させたCoPtO系磁性層の
下地層として実際に用いてみたところ、TiやTiCr
を下地層とした場合の垂直配向は明らかに不十分であ
り、ルテニウムを下地層とした場合のほうが多少良好と
いえる程度であった。さらに、Tiの窒化物で結晶的に
類似したNaCl構造をとるTiNや、バナジウム
(V)と同じ体心立方晶のCrやセンダストのような鉄
(Fe)系合金も試してみたところ、いずれも面内配向
が強く、垂直配向が不十分であった。
【0006】このように、CoPtO系磁性層では、そ
の垂直配向を向上するために、これまで他の磁性層に用
いられてきた下地層を使用しても、期待できる効果が得
られていなかった。
の垂直配向を向上するために、これまで他の磁性層に用
いられてきた下地層を使用しても、期待できる効果が得
られていなかった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情に
鑑みてなされたもので、Co系磁性層の垂直配向を改良
することにより、高保磁力及び高再生出力を有する磁気
記録媒体を提供することを目的とする。
鑑みてなされたもので、Co系磁性層の垂直配向を改良
することにより、高保磁力及び高再生出力を有する磁気
記録媒体を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、第1に、非磁
性基板、該非磁性基板上に形成された、鉄またはクロム
から実質的になる、あるいは鉄を主成分とし、タンタ
ル、炭素、ジルコニウム、窒素及びコバルトからなる群
から選択された少なくとも1種の元素を副成分として含
む第1の下地層、該第1の下地層上に設けられたルテニ
ウムを主成分として含む第2の下地層、及び該第2の下
地層上に形成されたコバルトを含有する磁性層を具備す
ることを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
性基板、該非磁性基板上に形成された、鉄またはクロム
から実質的になる、あるいは鉄を主成分とし、タンタ
ル、炭素、ジルコニウム、窒素及びコバルトからなる群
から選択された少なくとも1種の元素を副成分として含
む第1の下地層、該第1の下地層上に設けられたルテニ
ウムを主成分として含む第2の下地層、及び該第2の下
地層上に形成されたコバルトを含有する磁性層を具備す
ることを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
【0009】本発明は、第2に、非磁性基板、該非磁性
基板上に形成されたコバルトを主成分として含む第1の
下地層、該第1の下地層上に設けられたルテニウムを主
成分として含む第2の下地層、及び該第2の下地層上に
形成されたコバルトを含有する磁性層を具備することを
特徴とする垂直磁気記録媒体を提供する。
基板上に形成されたコバルトを主成分として含む第1の
下地層、該第1の下地層上に設けられたルテニウムを主
成分として含む第2の下地層、及び該第2の下地層上に
形成されたコバルトを含有する磁性層を具備することを
特徴とする垂直磁気記録媒体を提供する。
【0010】本発明は、第3に、非磁性基板、該非磁性
基板上に形成されたルテニウムを主成分として含む第1
の下地層、該第1の下地層上に設けられたコバルトを主
成分として含む第2の下地層、及び該第2の下地層上に
形成されたコバルトを含有する磁性層を具備することを
特徴とする垂直磁気記録媒体を提供する。
基板上に形成されたルテニウムを主成分として含む第1
の下地層、該第1の下地層上に設けられたコバルトを主
成分として含む第2の下地層、及び該第2の下地層上に
形成されたコバルトを含有する磁性層を具備することを
特徴とする垂直磁気記録媒体を提供する。
【0011】本発明は、第4に、非磁性基板、該非磁性
基板上に形成されたクロムから実質的になる第1の下地
層、該第1の下地層上に設けられたルテニウムを主成分
として含む第2の下地層、及び該第2の下地層上に形成
されたコバルトを含有する磁性層を具備することを特徴
とする垂直磁気記録媒体を提供する。
基板上に形成されたクロムから実質的になる第1の下地
層、該第1の下地層上に設けられたルテニウムを主成分
として含む第2の下地層、及び該第2の下地層上に形成
されたコバルトを含有する磁性層を具備することを特徴
とする垂直磁気記録媒体を提供する。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、コバル
ト系合金を磁性層として設けた磁気記録媒体であって、
非磁性基板上に、少なくとも2層の下地層と、コバルト
系合金磁性層とを有する。
ト系合金を磁性層として設けた磁気記録媒体であって、
非磁性基板上に、少なくとも2層の下地層と、コバルト
系合金磁性層とを有する。
【0013】コバルト系合金磁性層は、プラチナ及び酸
素をさらに含むことが好ましい。
素をさらに含むことが好ましい。
【0014】本発明の磁気記録媒体は、第1と第2の下
地層の組み合わせによって、次の4つの発明に大別され
る。
地層の組み合わせによって、次の4つの発明に大別され
る。
【0015】第1の発明では、第1の下地層は、鉄を主
成分とし、タンタル、炭素、ジルコニウム、窒素及びコ
バルトからなる群から選択された少なくとも1種の元素
を副成分として含み、第2の下地層は、ルテニウムを主
成分として含む。
成分とし、タンタル、炭素、ジルコニウム、窒素及びコ
バルトからなる群から選択された少なくとも1種の元素
を副成分として含み、第2の下地層は、ルテニウムを主
成分として含む。
【0016】第1の発明によれば、鉄またはクロムから
実質的になる、あるいは鉄を主成分とし、タンタル、炭
素、ジルコニウム、窒素及びコバルトから選択された副
成分として含む体心立方晶系材料を第1の下地層とし
て、さらに六方晶系のルテニウムを第2の下地層として
順次形成した積層構造の下地層を用いることにより、C
o系特にCoPtO系磁性層をもつ垂直磁気記録媒体の
垂直配向性および磁気特性を改善することができる。特
にこの構成を用いると、第2の下地層を微細化できる効
果があり、これによって記録層も微細化するため、硫化
の遷移ノイズを低減できる。なお、記録層としては、C
o合金系に限らず、CoとPtやCoとPdなどの人工
格子系、また、これらに酸素が含まれているものでも同
様の効果がある。
実質的になる、あるいは鉄を主成分とし、タンタル、炭
素、ジルコニウム、窒素及びコバルトから選択された副
成分として含む体心立方晶系材料を第1の下地層とし
て、さらに六方晶系のルテニウムを第2の下地層として
順次形成した積層構造の下地層を用いることにより、C
o系特にCoPtO系磁性層をもつ垂直磁気記録媒体の
垂直配向性および磁気特性を改善することができる。特
にこの構成を用いると、第2の下地層を微細化できる効
果があり、これによって記録層も微細化するため、硫化
の遷移ノイズを低減できる。なお、記録層としては、C
o合金系に限らず、CoとPtやCoとPdなどの人工
格子系、また、これらに酸素が含まれているものでも同
様の効果がある。
【0017】主成分と副成分の好ましい組み合わせとし
て、鉄、タンタル及び炭素と、鉄、ジルコニウムおよび
窒素と、鉄及びコバルトとが挙げられる。
て、鉄、タンタル及び炭素と、鉄、ジルコニウムおよび
窒素と、鉄及びコバルトとが挙げられる。
【0018】これらの好ましい組み合わせは、高透磁率
を有する軟磁性合金であり、これを用いた垂直磁気記録
媒体は、いわゆる垂直二層媒体として機能し、ヘッドと
軟磁性層との相互作用により優れた記録再生特性を示す
効果が期待できる。
を有する軟磁性合金であり、これを用いた垂直磁気記録
媒体は、いわゆる垂直二層媒体として機能し、ヘッドと
軟磁性層との相互作用により優れた記録再生特性を示す
効果が期待できる。
【0019】第2の発明では、第1の下地層は、コバル
トを主成分として含み、第2の下地層は、ルテニウムを
主成分として含む。
トを主成分として含み、第2の下地層は、ルテニウムを
主成分として含む。
【0020】第2の発明によれば、コバルトを主成分と
して含む六方晶系あるいは非晶質系材料を第1の下地層
として、さらに六方晶系のルテニウムを第2の下地層と
して順次形成した積層構造の下地層を用いることによ
り、Co系特にCoPtO系磁性層をもつ垂直磁気記録
媒体の垂直配向性および磁気特性を改善することができ
る。特に、この構成を用いると第2の下地配向性をより
良好にできる効果があり、これによって記録層の配向も
より良好となるため、磁化の飽和領域のノイズを低減で
き、記録分解能も向上できる。なお、記録層としては、
Co合金系に限らず、CoとPt、CoとPdなどの人
工格子系、また、これらに酸素が含まれているものでも
同様の効果がある。
して含む六方晶系あるいは非晶質系材料を第1の下地層
として、さらに六方晶系のルテニウムを第2の下地層と
して順次形成した積層構造の下地層を用いることによ
り、Co系特にCoPtO系磁性層をもつ垂直磁気記録
媒体の垂直配向性および磁気特性を改善することができ
る。特に、この構成を用いると第2の下地配向性をより
良好にできる効果があり、これによって記録層の配向も
より良好となるため、磁化の飽和領域のノイズを低減で
き、記録分解能も向上できる。なお、記録層としては、
Co合金系に限らず、CoとPt、CoとPdなどの人
工格子系、また、これらに酸素が含まれているものでも
同様の効果がある。
【0021】第2の発明では、第1の下地層は副成分と
してジルコニウム、ニオブ及びクロムからなる群のうち
少なくとも1種の元素を含むことが好ましい。また、主
成分と副成分の好ましい組み合わせとして、コバルト、
ジルコニウム及びニオブと、コバルト及びクロムとが挙
げられる。コバルト及びクロムを含む合金は、強磁性を
示さないことが好ましい。コバルト、ジルコニウム、ニ
オブの組み合わせは、高透磁率を有する軟磁性合金であ
り、これを用いた垂直磁気記録媒体は、いわゆる垂直二
層媒体として機能し、ヘッドと軟磁性層との相互作用に
より優れた記録再生特性を示す効果が期待できる。
してジルコニウム、ニオブ及びクロムからなる群のうち
少なくとも1種の元素を含むことが好ましい。また、主
成分と副成分の好ましい組み合わせとして、コバルト、
ジルコニウム及びニオブと、コバルト及びクロムとが挙
げられる。コバルト及びクロムを含む合金は、強磁性を
示さないことが好ましい。コバルト、ジルコニウム、ニ
オブの組み合わせは、高透磁率を有する軟磁性合金であ
り、これを用いた垂直磁気記録媒体は、いわゆる垂直二
層媒体として機能し、ヘッドと軟磁性層との相互作用に
より優れた記録再生特性を示す効果が期待できる。
【0022】なお、第1及び第2の発明において、第2
の下地層は、実質的にルテニウムからなることが好まし
い。
の下地層は、実質的にルテニウムからなることが好まし
い。
【0023】第3の発明では、第1の下地層は、ルテニ
ウムを主成分として含み、第2の下地層は、コバルトを
主成分として含む。
ウムを主成分として含み、第2の下地層は、コバルトを
主成分として含む。
【0024】第3の発明では、第2の下地層は、クロム
を副成分として含むことが好ましい。このとき、コバル
トとクロムの合金は強磁性を示さないことが好ましい。
を副成分として含むことが好ましい。このとき、コバル
トとクロムの合金は強磁性を示さないことが好ましい。
【0025】また、第1の下地層は、実質的にルテニウ
ムからなることが好ましい。
ムからなることが好ましい。
【0026】第3の発明によれば、六方晶系のルテニウ
ムを主成分として含む材料を第1の下地層、さらに第2
の下地層としてコバルトを主成分として含む六方晶系材
料を順次形成した積層構造の下地層を用いることによ
り、Co系特にCoPtO系磁性層をもつ垂直磁気記録
媒体の垂直配向性および磁気特性を改善することができ
る。この構成では、記録層の配向性と微細化が適度にな
され、遷移ノイズと飽和領域のノイズを両方とも低減す
ることができる。なお、記録層としては、Co合金系に
限らず、CoとPt、CoとPdなどの人工格子系、ま
た、これらに酸素が含まれているものでも同様の効果が
ある。
ムを主成分として含む材料を第1の下地層、さらに第2
の下地層としてコバルトを主成分として含む六方晶系材
料を順次形成した積層構造の下地層を用いることによ
り、Co系特にCoPtO系磁性層をもつ垂直磁気記録
媒体の垂直配向性および磁気特性を改善することができ
る。この構成では、記録層の配向性と微細化が適度にな
され、遷移ノイズと飽和領域のノイズを両方とも低減す
ることができる。なお、記録層としては、Co合金系に
限らず、CoとPt、CoとPdなどの人工格子系、ま
た、これらに酸素が含まれているものでも同様の効果が
ある。
【0027】第4の発明では、第1の下地層はクロム、
第2の下地層はコバルトを含む。
第2の下地層はコバルトを含む。
【0028】図1に、本発明に係る磁気記録媒体の構造
の一例を示す。
の一例を示す。
【0029】図示するように、この磁気記録媒体10
は、基板1上に、第1の下地層2、第2の下地層3、例
えばCoPrO合金等のCo系強磁性層4、及び保護層
5を順に積層した構造を有する。
は、基板1上に、第1の下地層2、第2の下地層3、例
えばCoPrO合金等のCo系強磁性層4、及び保護層
5を順に積層した構造を有する。
【0030】基板上に形成された各層は、例えばそれら
の形成材料をターゲットとしてスパッタリングを行うこ
とにより形成することができる。
の形成材料をターゲットとしてスパッタリングを行うこ
とにより形成することができる。
【0031】また、上記第1ないし第3の発明では、磁
性層は、コバルト、プラチナ、および酸素を主成分とす
る強磁性層と、ルテニウムを主成分とする合金からなる
非磁性層を交互に積層した多層構造とすることができ
る。
性層は、コバルト、プラチナ、および酸素を主成分とす
る強磁性層と、ルテニウムを主成分とする合金からなる
非磁性層を交互に積層した多層構造とすることができ
る。
【0032】図2に、本発明に係る磁気記録媒体の他の
一例の構造を示す。
一例の構造を示す。
【0033】図示するように、この磁気記録媒体20
は、磁性層4の代わりに、磁性層4a及び磁性層4bの
間にルテニウムからなる非磁性層6を有する積層体が形
成される以外は、図1と同様の構造を有する。
は、磁性層4の代わりに、磁性層4a及び磁性層4bの
間にルテニウムからなる非磁性層6を有する積層体が形
成される以外は、図1と同様の構造を有する。
【0034】この非磁性層は、好ましくは、ルテニウム
から実質的になる。
から実質的になる。
【0035】このように、磁性層を、非磁性中間層とし
てルテニウムを主成分とする非磁性層を強磁性層とに交
互に設けた多層構造とすることにより、この磁性層の垂
直配向および垂直保磁力をさらに改善することができ
る。
てルテニウムを主成分とする非磁性層を強磁性層とに交
互に設けた多層構造とすることにより、この磁性層の垂
直配向および垂直保磁力をさらに改善することができ
る。
【0036】さらに、上記第1ないし第3の発明では、
非磁性基板と、第1の下地層との間に軟磁性層をさらに
設けることができる。
非磁性基板と、第1の下地層との間に軟磁性層をさらに
設けることができる。
【0037】図3に本発明の磁気記録媒体の構成のさら
に他の一例を表す断面図を示す。
に他の一例を表す断面図を示す。
【0038】図示するように、この磁気記録媒体30
は、基板1と第1の下地層2との間に軟磁性層7が設け
られていること以外は、図1と同様の構成を有する。
は、基板1と第1の下地層2との間に軟磁性層7が設け
られていること以外は、図1と同様の構成を有する。
【0039】このような軟磁性層を設けることにより、
得られた磁気記録媒体は垂直二層膜として機能し、ヘッ
ドと軟磁性層との相互作用により優れた記録再生特性を
示す効果が期待できる。
得られた磁気記録媒体は垂直二層膜として機能し、ヘッ
ドと軟磁性層との相互作用により優れた記録再生特性を
示す効果が期待できる。
【0040】このような軟磁性層としては、センダス
ト、パーマロイ、フェライト、FeGaGe、FeGe
Si、FeAlGa、FeRuGaSi、FeSi、F
eCoNi、FeSiB、FeNiPB、FeSiC、
FeCuNbSiB、FeZrB、FeZrBCu、C
oFeSiB、CoZrTa、CoTi等が挙げられ
る。
ト、パーマロイ、フェライト、FeGaGe、FeGe
Si、FeAlGa、FeRuGaSi、FeSi、F
eCoNi、FeSiB、FeNiPB、FeSiC、
FeCuNbSiB、FeZrB、FeZrBCu、C
oFeSiB、CoZrTa、CoTi等が挙げられ
る。
【0041】本発明によれば、基板上に、特定の非磁性
または軟磁性材料からなる第1の下地層、特定の非磁性
材料からなる第2の下地層、及び強磁性材料からなる層
を形成することにより優れた垂直配向を持つコバルト系
合金磁性層が得られ、これにより、高保磁力、高再生出
力を示す磁気記録媒体が得られる。
または軟磁性材料からなる第1の下地層、特定の非磁性
材料からなる第2の下地層、及び強磁性材料からなる層
を形成することにより優れた垂直配向を持つコバルト系
合金磁性層が得られ、これにより、高保磁力、高再生出
力を示す磁気記録媒体が得られる。
【0042】
【実施例】以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明
する。
する。
【0043】実施例1 非磁性基板として、2.5インチ磁気ディスクの標準仕
様を満たすガラス基板を用意した。
様を満たすガラス基板を用意した。
【0044】このガラス板上に以下の各層を形成した。
なお、各層の作製はすべてDCマグネトロンスパッタリ
ングにより行った。
なお、各層の作製はすべてDCマグネトロンスパッタリ
ングにより行った。
【0045】まず、第1下地層として厚さ40nm程度
のCr層を形成した。
のCr層を形成した。
【0046】次に、Cr層上に第2下地層として厚さ3
7nm程度のルテニウム層を形成した。
7nm程度のルテニウム層を形成した。
【0047】得られた第2下地層上に、微量のO2を含
んだAr雰囲気中でCoPtCr合金ターゲットのスパ
ッタリングを行い、CoPtCrO磁性層を形成した。
なお、ここでは、CoPtCr合金ターゲットの組成を
Co−20at%Pt−16at%Crとした。この場
合は、比較的Cr濃度の高いものを用いているが、Cr
が16at%以下であれば、Crの添加に伴う本質的な
磁性層の構造の変化はほとんどなく、媒体の特性として
も同様の効果が得られる。
んだAr雰囲気中でCoPtCr合金ターゲットのスパ
ッタリングを行い、CoPtCrO磁性層を形成した。
なお、ここでは、CoPtCr合金ターゲットの組成を
Co−20at%Pt−16at%Crとした。この場
合は、比較的Cr濃度の高いものを用いているが、Cr
が16at%以下であれば、Crの添加に伴う本質的な
磁性層の構造の変化はほとんどなく、媒体の特性として
も同様の効果が得られる。
【0048】その後、保護層として10nmのCを積層
し、磁気記録媒体を得た。
し、磁気記録媒体を得た。
【0049】得られた磁気記録媒体について、振動試料
型磁力計(VSM)による磁気特性の測定を行なった。
その結果を表1に示す。
型磁力計(VSM)による磁気特性の測定を行なった。
その結果を表1に示す。
【0050】ここで、Hc⊥およびHc//は、それぞれ
磁界を膜面垂直および膜面内方向に印加した場合の保磁
力であり、垂直角型比は、垂直方向に磁界を印加した場
合の飽和磁化に対する残留磁化の比を示す。
磁界を膜面垂直および膜面内方向に印加した場合の保磁
力であり、垂直角型比は、垂直方向に磁界を印加した場
合の飽和磁化に対する残留磁化の比を示す。
【0051】実施例2 第1下地層として、Cr層の代わりに厚さ50nm程度
のFe層を形成した以外は、実施例1と同様にして磁気
記録媒体を得た。なお、ここで用いたFe層は、Feタ
ーゲットをアルゴン雰囲気中でスパッタすることにより
形成した。得られた磁気記録媒体について、実施例1と
同様にして磁気特性の測定を行なった。その結果を表1
に示す。
のFe層を形成した以外は、実施例1と同様にして磁気
記録媒体を得た。なお、ここで用いたFe層は、Feタ
ーゲットをアルゴン雰囲気中でスパッタすることにより
形成した。得られた磁気記録媒体について、実施例1と
同様にして磁気特性の測定を行なった。その結果を表1
に示す。
【0052】実施例3 第1下地層として、Cr層の代わりに厚さ100nm程
度のFeTaC層を形成した以外は、実施例1と同様に
して磁気記録媒体を得た。なお、ここで用いたFeTa
C層は、Fe−10at%Ta−10at%C組成のタ
ーゲットをAr雰囲気中でスパッタすることにより形成
された。得られた磁気記録媒体について、実施例1と同
様にして磁気特性の測定を行なった。その結果を表1に
示す。
度のFeTaC層を形成した以外は、実施例1と同様に
して磁気記録媒体を得た。なお、ここで用いたFeTa
C層は、Fe−10at%Ta−10at%C組成のタ
ーゲットをAr雰囲気中でスパッタすることにより形成
された。得られた磁気記録媒体について、実施例1と同
様にして磁気特性の測定を行なった。その結果を表1に
示す。
【0053】実施例4 第1下地層として、Cr層の代わりに厚さ100nm程
度のFeZrN層を形成した以外は、実施例1と同様に
して磁気記録媒体を得た。なお、ここで用いたFeZr
N層は、Fe−10at%Zr−10at%N組成のタ
ーゲットをAr雰囲気中でスパッタすることにより形成
された。得られた磁気記録媒体について、実施例1と同
様にして磁気特性の測定を行なった。その結果を表1に
示す。
度のFeZrN層を形成した以外は、実施例1と同様に
して磁気記録媒体を得た。なお、ここで用いたFeZr
N層は、Fe−10at%Zr−10at%N組成のタ
ーゲットをAr雰囲気中でスパッタすることにより形成
された。得られた磁気記録媒体について、実施例1と同
様にして磁気特性の測定を行なった。その結果を表1に
示す。
【0054】実施例5 第1下地層としてCr層の代わりに厚さ50nm程度の
FeCo層を形成した以外は、実施例1と同様にして磁
気記録媒体を得た。なお、ここで用いたFeCo層は、
Fe−50at%Co組成のターゲットをAr雰囲気中
でスパッタすることにより形成した。得られた磁気記録
媒体について、実施例1と同様にして磁気特性の測定を
行なった。その結果を表1に示す。
FeCo層を形成した以外は、実施例1と同様にして磁
気記録媒体を得た。なお、ここで用いたFeCo層は、
Fe−50at%Co組成のターゲットをAr雰囲気中
でスパッタすることにより形成した。得られた磁気記録
媒体について、実施例1と同様にして磁気特性の測定を
行なった。その結果を表1に示す。
【0055】実施例6 第1下地層としてCr層の代わりに厚さ100nm程度
のCoZrNb層を形成した以外は、実施例1と同様に
して磁気記録媒体を得た。なお、ここで用いたCoZr
Nb層は、Co−5at%Zr−10at%Nb組成の
ターゲットをAr雰囲気中でスパッタすることにより形
成した。得られた磁気記録媒体について、実施例1と同
様にして磁気特性の測定を行なった。その結果を表1に
示す。
のCoZrNb層を形成した以外は、実施例1と同様に
して磁気記録媒体を得た。なお、ここで用いたCoZr
Nb層は、Co−5at%Zr−10at%Nb組成の
ターゲットをAr雰囲気中でスパッタすることにより形
成した。得られた磁気記録媒体について、実施例1と同
様にして磁気特性の測定を行なった。その結果を表1に
示す。
【0056】実施例7 第1下地層としてCr層の代わりに厚さ75nm程度の
Co層を形成した以外は、実施例1と同様にして磁気記
録媒体を得た。得られた磁気記録媒体について、実施例
1と同様にして磁気特性の測定を行なった。その結果を
表1に示す。
Co層を形成した以外は、実施例1と同様にして磁気記
録媒体を得た。得られた磁気記録媒体について、実施例
1と同様にして磁気特性の測定を行なった。その結果を
表1に示す。
【0057】実施例8 第1下地層としてCr層の代わりに厚さ40nm程度の
CoCr層を形成した以外は、実施例1と同様にして磁
気記録媒体を得た。なお、ここで用いたCoCr層は、
Co−33at%Cr組成のターゲットをAr雰囲気中
でスパッタすることにより形成した。得られた磁気記録
媒体について、実施例1と同様にして磁気特性の測定を
行なった。その結果を表1に示す。
CoCr層を形成した以外は、実施例1と同様にして磁
気記録媒体を得た。なお、ここで用いたCoCr層は、
Co−33at%Cr組成のターゲットをAr雰囲気中
でスパッタすることにより形成した。得られた磁気記録
媒体について、実施例1と同様にして磁気特性の測定を
行なった。その結果を表1に示す。
【0058】実施例9 第1下地層としてCr層の代わりに厚さ20nm程度の
ルテニウム層、第2下地層としてルテニウム層の代わり
に厚さ15nm程度のCoCr層を形成した以外は、実
施例1と同様にして磁気記録媒体を得た。なお、ここで
用いたCoCr層は、Co−33at%Cr組成のター
ゲットをAr雰囲気中でスパッタすることにより形成し
た。得られた磁気記録媒体について、実施例1と同様に
して磁気特性の測定を行なった。その結果を表1に示
す。
ルテニウム層、第2下地層としてルテニウム層の代わり
に厚さ15nm程度のCoCr層を形成した以外は、実
施例1と同様にして磁気記録媒体を得た。なお、ここで
用いたCoCr層は、Co−33at%Cr組成のター
ゲットをAr雰囲気中でスパッタすることにより形成し
た。得られた磁気記録媒体について、実施例1と同様に
して磁気特性の測定を行なった。その結果を表1に示
す。
【0059】比較例1 第2下地層を形成しないこと以外は、実施例1と同様に
して磁気記録媒体を形成した。得られた磁気記録媒体に
ついて、実施例1と同様にして磁気特性の測定を行なっ
た。その結果を表1に示す。
して磁気記録媒体を形成した。得られた磁気記録媒体に
ついて、実施例1と同様にして磁気特性の測定を行なっ
た。その結果を表1に示す。
【0060】比較例2 第2下地層を形成しないこと以外は、実施例2と同様に
して磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体につい
て、実施例1と同様にして磁気特性の測定を行なった。
その結果を表1に示す。
して磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体につい
て、実施例1と同様にして磁気特性の測定を行なった。
その結果を表1に示す。
【0061】比較例3 第2下地層を形成しないこと以外は、実施例3と同様に
して磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体につい
て、実施例1と同様にして磁気特性の測定を行なった。
その結果を表1に示す。
して磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体につい
て、実施例1と同様にして磁気特性の測定を行なった。
その結果を表1に示す。
【0062】比較例4 第2下地層を形成しないこと以外は、実施例4と同様に
して磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体につい
て、実施例1と同様にして磁気特性の測定を行なった。
その結果を表1に示す。
して磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体につい
て、実施例1と同様にして磁気特性の測定を行なった。
その結果を表1に示す。
【0063】比較例5 第2下地層を形成しないこと以外は、実施例5と同様に
して磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体につい
て、実施例1と同様にして磁気特性の測定を行なった。
その結果を表1に示す。
して磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体につい
て、実施例1と同様にして磁気特性の測定を行なった。
その結果を表1に示す。
【0064】比較例6 第2下地層を形成しないこと以外は、実施例6と同様に
して磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体につい
て、実施例1と同様にして磁気特性の測定を行なった。
その結果を表1に示す。
して磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体につい
て、実施例1と同様にして磁気特性の測定を行なった。
その結果を表1に示す。
【0065】比較例7 第2下地層を形成しないこと以外は、実施例7と同様に
して磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体につい
て、実施例1と同様にして磁気特性の測定を行なった。
その結果を表1に示す。
して磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体につい
て、実施例1と同様にして磁気特性の測定を行なった。
その結果を表1に示す。
【0066】比較例8 第2下地層を形成しないこと以外は、実施例8と同様に
して磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体につい
て、実施例1と同様にして磁気特性の測定を行なった。
その結果を表1に示す。
して磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体につい
て、実施例1と同様にして磁気特性の測定を行なった。
その結果を表1に示す。
【0067】比較例9 第2下地層を形成しないこと以外は、実施例9と同様に
して磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体につい
て、実施例1と同様にして磁気特性の測定を行なった。
その結果を表1に示す。
して磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体につい
て、実施例1と同様にして磁気特性の測定を行なった。
その結果を表1に示す。
【0068】
【表1】
【0069】表1において、Hc⊥/Hc//が大きいほ
ど垂直配向は良好であり、垂直角型比が1に近いほど、
再生出力が大きく、優れた垂直磁気記録媒体であるとみ
なすことができる。比較例1、3及び6は、Hc⊥/H
c//が1以下であり、かつ垂直角型比も小さかったこと
から、面内配向となっていることが分かった。また、比
較例2、4及び5において、記録層と軟磁性層とが磁気
的に分断されていないために測定結果が軟磁性層の影響
を大きく受けており、小さな垂直角型比からも媒体全体
としては面内配向となっていることがわかった。比較例
8及び9の垂直配向は十分とはいえないが、各比較例中
では最も良好な特性を示していた。
ど垂直配向は良好であり、垂直角型比が1に近いほど、
再生出力が大きく、優れた垂直磁気記録媒体であるとみ
なすことができる。比較例1、3及び6は、Hc⊥/H
c//が1以下であり、かつ垂直角型比も小さかったこと
から、面内配向となっていることが分かった。また、比
較例2、4及び5において、記録層と軟磁性層とが磁気
的に分断されていないために測定結果が軟磁性層の影響
を大きく受けており、小さな垂直角型比からも媒体全体
としては面内配向となっていることがわかった。比較例
8及び9の垂直配向は十分とはいえないが、各比較例中
では最も良好な特性を示していた。
【0070】以上のような比較例の磁気特性に対して、
実施例1ないし9は、いずれも比較例8及び9と比べて
Hc⊥/Hc//、垂直角型比とも大きく、角型比もほぼ
1であることから垂直磁気記録媒体としての特性が改善
されていることがわかった。このことは、単独で用いた
場合には垂直配向が不十分な下地層であっても、これら
をルテニウムを主成分として含む下地層と組み合わせて
用いた場合には、ルテニウムの結晶性を改善する効果が
あることを示している。このように、本発明によれば、
優れた垂直配向性を有するCo系磁性層が得られ、これ
により、高保磁力及び高再生出力の磁気特性を有する垂
直磁気記録媒体が得られることが分かった。
実施例1ないし9は、いずれも比較例8及び9と比べて
Hc⊥/Hc//、垂直角型比とも大きく、角型比もほぼ
1であることから垂直磁気記録媒体としての特性が改善
されていることがわかった。このことは、単独で用いた
場合には垂直配向が不十分な下地層であっても、これら
をルテニウムを主成分として含む下地層と組み合わせて
用いた場合には、ルテニウムの結晶性を改善する効果が
あることを示している。このように、本発明によれば、
優れた垂直配向性を有するCo系磁性層が得られ、これ
により、高保磁力及び高再生出力の磁気特性を有する垂
直磁気記録媒体が得られることが分かった。
【0071】なお、上記実施例では、いずれも非磁性基
板としてガラス基板を用いているが、Al系の合金基板
あるいは表面が酸化したSi単結晶基板、さらに表面に
NiPなどのメッキが施されている場合でも同様の効果
が期待される。また、成膜法としてスパッタリング法の
みを取り上げたが、真空蒸着法などでも同様の効果を得
ることができる。
板としてガラス基板を用いているが、Al系の合金基板
あるいは表面が酸化したSi単結晶基板、さらに表面に
NiPなどのメッキが施されている場合でも同様の効果
が期待される。また、成膜法としてスパッタリング法の
みを取り上げたが、真空蒸着法などでも同様の効果を得
ることができる。
【0072】また、記録層は合金系に限らず、CoとP
t、CoとPdなどを積層した人工格子系、また、これ
らに酸素を含んだものであっても、下地層との界面状態
は類似しており、同様の効果がある。
t、CoとPdなどを積層した人工格子系、また、これ
らに酸素を含んだものであっても、下地層との界面状態
は類似しており、同様の効果がある。
【0073】
【発明の効果】本発明によれば、優れた垂直配向性をも
つCo系磁性層を有し、高保磁力及び高再生出力の磁気
記録媒体を提供することができる。
つCo系磁性層を有し、高保磁力及び高再生出力の磁気
記録媒体を提供することができる。
【図1】本発明の磁気記録媒体の一例の構成を表す概略
図
図
【図2】本発明の磁気記録媒体の他の一例の構成を表す
概略図
概略図
【図3】本発明の磁気記録媒体のさらに他の一例の構成
を表す概略図
を表す概略図
1…基板 2…第1の下地層 3…第2の下地層 4…CoPtO磁性層 5…保護層 6…非磁性中間層 7…軟磁性層 10,20,30…磁気記録媒体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 太 神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会社 東芝柳町事業所内 Fターム(参考) 5D006 BB02 BB06 BB08 CA01 CA03 CA06 DA03 DA08 FA09
Claims (19)
- 【請求項1】 非磁性基板、該非磁性基板上に形成され
た、鉄から実質的になる、あるいは鉄を主成分とし、タ
ンタル、炭素、ジルコニウム、窒素及びコバルトからな
る群から選択された少なくとも1種の元素を副成分とし
て含む第1の下地層、該第1の下地層上に設けられたル
テニウムを主成分として含む第2の下地層、及び該第2
の下地層上に形成されたコバルトを含有する磁性層を具
備することを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項2】 前記第1の下地層は副成分としてタンタ
ル及び炭素を含むことを特徴とする請求項1に記載の垂
直磁気記録媒体。 - 【請求項3】 前記第1の下地層は副成分としてジルコ
ニウムおよび窒素を含むことを特徴とする請求項1に記
載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項4】 前記第1の下地層は副成分としてコバル
トを含むことを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気記
録媒体。 - 【請求項5】 非磁性基板、該非磁性基板上に形成され
たコバルトを主成分として含む第1の下地層、該第1の
下地層上に設けられたルテニウムを主成分として含む第
2の下地層、及び該第2の下地層上に形成されたコバル
トを含有する磁性層を具備することを特徴とする垂直磁
気記録媒体。 - 【請求項6】前記第1の下地層は副成分としてジルコニ
ウム、ニオブ及びクロムからなる群のうち少なくとも1
種の元素を含む請求項5に記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項7】 前記第1の下地層は副成分としてジルコ
ニウム、及びニオブを含むことを特徴とする請求項6に
記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項8】 前記第1の下地層は副成分としてクロム
を含むことを特徴とする請求項6に記載の垂直磁気記録
媒体。 - 【請求項9】 前記第1の下地層は、強磁性を示さない
ことを特徴とする請求項8に記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項10】 非磁性基板、該非磁性基板上に形成さ
れたクロムから実質的になる第1の下地層、該第1の下
地層上に設けられたルテニウムを主成分として含む第2
の下地層、及び該第2の下地層上に形成されたコバルト
を含有する磁性層を具備することを特徴とする垂直磁気
記録媒体。 - 【請求項11】 前記第2の下地層は、実質的にルテニ
ウムからなる請求項1ないし8のいずれか1項に記載の
垂直磁気記録媒体。 - 【請求項12】 非磁性基板、該非磁性基板上に形成さ
れたルテニウムを主成分として含む第1の下地層、該第
1の下地層上に設けられたコバルトを主成分として含む
第2の下地層、及び該第2の下地層上に形成されたコバ
ルトを含有する磁性層を具備することを特徴とする垂直
磁気記録媒体。 - 【請求項13】 前記第2の下地層はクロムを副成分と
して含むことを特徴とする請求項12に記載の垂直磁気
記録媒体。 - 【請求項14】 前記第2の下地層は強磁性を示さない
ことを特徴とする請求項13に記載の垂直磁気記録媒
体。 - 【請求項15】 前記第1の下地層は、実質的にルテニ
ウムからなる請求項11ないし14のいずれか1項に記
載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項16】 前記磁性層は、プラチナ及び酸素をさ
らに含むことを特徴とする請求項1ないし15のいずれ
か1項に記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項17】 前記磁性層は、コバルト、プラチナ、
および酸素を主成分とする強磁性層と、ルテニウムを主
成分とする合金からなる非磁性層を交互に積層した多層
構造を有することを特徴とする請求項1ないし16のい
ずれか1項に記載の垂直磁気記録媒体 - 【請求項18】 前記非磁性層は、ルテニウムから実質
的になる請求項17に記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項19】 前記非磁性基板と、前記第1の下地層
との間に軟磁性層をさらに設けることを特徴とする請求
項1ないし18のいずれか1項に記載の垂直磁気記録媒
体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000287720A JP2002100030A (ja) | 2000-09-21 | 2000-09-21 | 垂直磁気記録媒体 |
SG200101603A SG91345A1 (en) | 2000-09-21 | 2001-03-15 | Perpendicular magnetic recording medium |
US09/808,427 US20020058160A1 (en) | 2000-09-21 | 2001-03-15 | Perpendicular magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000287720A JP2002100030A (ja) | 2000-09-21 | 2000-09-21 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002100030A true JP2002100030A (ja) | 2002-04-05 |
Family
ID=18771430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000287720A Withdrawn JP2002100030A (ja) | 2000-09-21 | 2000-09-21 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20020058160A1 (ja) |
JP (1) | JP2002100030A (ja) |
SG (1) | SG91345A1 (ja) |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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|
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