JPH01156472A - 基板の加熱方法 - Google Patents
基板の加熱方法Info
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- JPH01156472A JPH01156472A JP31477187A JP31477187A JPH01156472A JP H01156472 A JPH01156472 A JP H01156472A JP 31477187 A JP31477187 A JP 31477187A JP 31477187 A JP31477187 A JP 31477187A JP H01156472 A JPH01156472 A JP H01156472A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
基板にスパッタを行なうに際し該基板をガスアシストに
よるブロックヒータにより加熱する基板の加熱方法に関
し、 スパッタを行なう基板の加熱を行なうガスアシストによ
るブロックヒータにガス排気孔を設けて基板の加熱ムラ
を解消することを目的とし、基板を加熱して該基板にス
パッタを行なう基板の加熱方法であって、前記基板を加
熱するブロックヒータの一方の端部に凹部を形成し、該
凹部に複数のガス供給孔を設けるとともに、前記凹部の
外周方向の外側に前記ブロックヒータの周囲を若干列し
てガス排気溝を形成し、該ガス排気溝は前記凹部に連通
し、該連通部に傾斜を形成して、前記ガス排気溝に複数
のガス排気孔を設けたブロックヒータの、凹部側に基板
を当接してガスの給排気を行ないながら基板を加熱する
構成である。
よるブロックヒータにより加熱する基板の加熱方法に関
し、 スパッタを行なう基板の加熱を行なうガスアシストによ
るブロックヒータにガス排気孔を設けて基板の加熱ムラ
を解消することを目的とし、基板を加熱して該基板にス
パッタを行なう基板の加熱方法であって、前記基板を加
熱するブロックヒータの一方の端部に凹部を形成し、該
凹部に複数のガス供給孔を設けるとともに、前記凹部の
外周方向の外側に前記ブロックヒータの周囲を若干列し
てガス排気溝を形成し、該ガス排気溝は前記凹部に連通
し、該連通部に傾斜を形成して、前記ガス排気溝に複数
のガス排気孔を設けたブロックヒータの、凹部側に基板
を当接してガスの給排気を行ないながら基板を加熱する
構成である。
本発明は、比較的薄い基板にスパッタを行なう基板の加
熱方法に関する。
熱方法に関する。
半導体産業や電子部品産業等幅広い分野において、高度
の機能を持った薄膜型デバイス製作への要求や、高性能
の被膜形成への要求が強まっている。これらの要求に応
えるために比較的低い温度での製造技術が重要となって
おり、これらの一方法としてガスアシストによるブロッ
クヒータにより基板を加熱する方法が多用されているが
、このブロックヒータはガスの排気の関係上基板に温度
ムラができ高品質のデバイスの製造に難点があるので、
基板を均等に加熱でき、処理室内に流入させるガスと区
別を可能にした基板の加熱方法の改善が望まれている。
の機能を持った薄膜型デバイス製作への要求や、高性能
の被膜形成への要求が強まっている。これらの要求に応
えるために比較的低い温度での製造技術が重要となって
おり、これらの一方法としてガスアシストによるブロッ
クヒータにより基板を加熱する方法が多用されているが
、このブロックヒータはガスの排気の関係上基板に温度
ムラができ高品質のデバイスの製造に難点があるので、
基板を均等に加熱でき、処理室内に流入させるガスと区
別を可能にした基板の加熱方法の改善が望まれている。
第３図は、従来の基板の加熱方法を説明する図で、同図
（ａ）は側断面図、（ｂ）はブロックヒータの平面図、
（Ｃ）は基板とブロックヒータの当接部の拡大断面図で
ある。
（ａ）は側断面図、（ｂ）はブロックヒータの平面図、
（Ｃ）は基板とブロックヒータの当接部の拡大断面図で
ある。
図において、ステンレス鋼等からなり一方の面に凹部２
１を形成し、該凹部２１内に複数（図面では８個を示す
）のガス供給孔２２を設け、図示しないヒータを内蔵し
たブロックヒータ２の、凹部２１を形成した側に基板１
を当接して前記ガス供給孔２２からたとえばアルゴン（
Ａｒ）ガスを供給すると、該アルゴンガスはブロックヒ
ータ２によって加熱され、該加熱されたアルゴンガスは
凹部２１で拡散して基板１を加熱し、この状態で基板１
の他の面に薄膜等をスパッタして膜を形成する。
１を形成し、該凹部２１内に複数（図面では８個を示す
）のガス供給孔２２を設け、図示しないヒータを内蔵し
たブロックヒータ２の、凹部２１を形成した側に基板１
を当接して前記ガス供給孔２２からたとえばアルゴン（
Ａｒ）ガスを供給すると、該アルゴンガスはブロックヒ
ータ２によって加熱され、該加熱されたアルゴンガスは
凹部２１で拡散して基板１を加熱し、この状態で基板１
の他の面に薄膜等をスパッタして膜を形成する。
そうして、基板１を加熱したアルゴンガスは、第３図（
Ｃ）に示すように基板１とブロックヒータ２の表面粗さ
（この表面粗さをなくすることは不可能である。）の間
隙から図示しないチャンバー内に排出する。
Ｃ）に示すように基板１とブロックヒータ２の表面粗さ
（この表面粗さをなくすることは不可能である。）の間
隙から図示しないチャンバー内に排出する。
上記従来の基板の加熱方法にあっては、加熱ガスはチャ
ンバーに排出されるので、この加熱ガスはチャンバー内
のガスと同種のものを使用しなければならないという制
約を受ける問題があり、且つこのガスの排出が基板とブ
ロックヒータの表面粗さの間隙に依存するので、その排
出が均等ではなく基板加熱にムラができスパッタ膜にス
トレスや、カバレンジ・膜質の分布に悪影響を及ぼすと
いう問題点があった。
ンバーに排出されるので、この加熱ガスはチャンバー内
のガスと同種のものを使用しなければならないという制
約を受ける問題があり、且つこのガスの排出が基板とブ
ロックヒータの表面粗さの間隙に依存するので、その排
出が均等ではなく基板加熱にムラができスパッタ膜にス
トレスや、カバレンジ・膜質の分布に悪影響を及ぼすと
いう問題点があった。
本発明は、上記の問題点を解決してプロ・ツクヒータに
ガス排気孔を設けたガス排気溝を形成して供給ガス圧を
制御できるようにして基板の加熱ムラを解消した基板の
加熱方法を提供するものである。
ガス排気孔を設けたガス排気溝を形成して供給ガス圧を
制御できるようにして基板の加熱ムラを解消した基板の
加熱方法を提供するものである。
すなわち、基板を加熱して該基板にスパッタを行なう基
板の加熱方法であって、前記基板を加熱するブロックヒ
ータの一方の端部に凹部を形成し、該凹部に複数のガス
供給孔を設けるとともに、前記凹部の円周方向の外側に
前記ブロックヒータの周囲を若干列してガス排気溝を形
成し、該ガス排気溝は前記凹部に連通し、該連通部に傾
斜を形成して、前記ガス排気溝に複数のガス排気孔を設
けたブロックヒータの、凹部側に基板を当接してガスの
給排気を行ないながら基板を加熱することによって解決
される。
板の加熱方法であって、前記基板を加熱するブロックヒ
ータの一方の端部に凹部を形成し、該凹部に複数のガス
供給孔を設けるとともに、前記凹部の円周方向の外側に
前記ブロックヒータの周囲を若干列してガス排気溝を形
成し、該ガス排気溝は前記凹部に連通し、該連通部に傾
斜を形成して、前記ガス排気溝に複数のガス排気孔を設
けたブロックヒータの、凹部側に基板を当接してガスの
給排気を行ないながら基板を加熱することによって解決
される。
このようにしたことによって、加熱ガスの排気が均等に
行なわれ、したがって基板の加熱ムラが解消できるので
、良好な薄膜を形成することができる。
行なわれ、したがって基板の加熱ムラが解消できるので
、良好な薄膜を形成することができる。
第１図は、本発明の一実施例を説明する図で、同図（ａ
ｌは側断面図、（ｂ）はブロックヒータの平面図で、第
３図と同等の部分については同一符号を付している。
ｌは側断面図、（ｂ）はブロックヒータの平面図で、第
３図と同等の部分については同一符号を付している。
図において、ステンレス鋼等からなるブロックヒータ３
の一方の面に凹部３１を形成し、該凹部３１内に複数（
図面では８個を示す）のガス供給孔３２を設けるととも
に、前記凹部３１の円周方向の外側に前記ブロックヒー
タ３の周囲を若干残してガス排気溝３４を形成し、該ガ
ス排気：ａ３４は前記凹部３１に連通せしめガスの流れ
を良好にするための傾斜３３を形成して、前記ガス排気
溝３４に複数（図面では８個を示す）のガス排気孔３５
を設は図示しないヒータを内蔵したブロックヒータ３の
、凹部３１を形成した側に基板１を当接して前記ガス供
給孔３２からたとえばアルゴン（Ａｒ）ガスを供給する
。
の一方の面に凹部３１を形成し、該凹部３１内に複数（
図面では８個を示す）のガス供給孔３２を設けるととも
に、前記凹部３１の円周方向の外側に前記ブロックヒー
タ３の周囲を若干残してガス排気溝３４を形成し、該ガ
ス排気：ａ３４は前記凹部３１に連通せしめガスの流れ
を良好にするための傾斜３３を形成して、前記ガス排気
溝３４に複数（図面では８個を示す）のガス排気孔３５
を設は図示しないヒータを内蔵したブロックヒータ３の
、凹部３１を形成した側に基板１を当接して前記ガス供
給孔３２からたとえばアルゴン（Ａｒ）ガスを供給する
。
このアルゴンガスはブロックヒータ３によって加熱され
、該加熱されたアルゴンガスは凹部３１で拡散して基板
１を加熱し、この状態で基板１の他の面に薄膜等をスパ
ッタして膜を形成する。
、該加熱されたアルゴンガスは凹部３１で拡散して基板
１を加熱し、この状態で基板１の他の面に薄膜等をスパ
ッタして膜を形成する。
そうして、基板１を加熱したアルゴンガスは、強制排気
によりガス排気溝３４を介してガス排気孔３５から排気
される。
によりガス排気溝３４を介してガス排気孔３５から排気
される。
第２図は、本発明の他の実施例を説明する図で、同図（
ａ）は側断面図、 （ｂ）はブロックヒータの平面図で
、第１図と同等の部分については同一符号を付している
。
ａ）は側断面図、 （ｂ）はブロックヒータの平面図で
、第１図と同等の部分については同一符号を付している
。
図において、ステンレス鋼等からなるブロックヒータ４
の一方の面に凹部４１を形成し、該凹部４１内に複数（
図面では８個を示す）のガス供給孔４２を設けるととも
に、前記凹部４１の円周方向の外側にガス排気溝４４を
形成し、該ガス排気溝４４は前記凹部４１に連通せしめ
ガスの流れを良好にするための傾斜４３を形成して、前
記ガス排気溝４４に複数（図面では８個を示す）のガス
排気孔４５を設け、さらに前記排気溝４４とブロックヒ
ータ４の外周間に一辺に傾斜を形成したガス排気溝（４
６，４７）を形成し、該ガス排気溝（４６）に複数（図
面では１２個を示す）のガス排気溝４８を設け、ガス排
気溝（４７）に複数（図面では１６個を示す）のガス排
気溝４９を設けた図示しないヒータを内蔵したブロック
ヒータ４の、凹部４１を形成した側に基板１を当接して
前記ガス供給孔４２からたとえばアルゴン（Ａｒ）ガス
を供給する。
の一方の面に凹部４１を形成し、該凹部４１内に複数（
図面では８個を示す）のガス供給孔４２を設けるととも
に、前記凹部４１の円周方向の外側にガス排気溝４４を
形成し、該ガス排気溝４４は前記凹部４１に連通せしめ
ガスの流れを良好にするための傾斜４３を形成して、前
記ガス排気溝４４に複数（図面では８個を示す）のガス
排気孔４５を設け、さらに前記排気溝４４とブロックヒ
ータ４の外周間に一辺に傾斜を形成したガス排気溝（４
６，４７）を形成し、該ガス排気溝（４６）に複数（図
面では１２個を示す）のガス排気溝４８を設け、ガス排
気溝（４７）に複数（図面では１６個を示す）のガス排
気溝４９を設けた図示しないヒータを内蔵したブロック
ヒータ４の、凹部４１を形成した側に基板１を当接して
前記ガス供給孔４２からたとえばアルゴン（Ａｒ）ガス
を供給する。
このアルゴンガスはブロックヒータ４によって加熱され
、該加熱されたアルゴンガスは凹部４１で拡散して基板
１を加熱し、この状態で基板１の他の面にチタンナイト
ライド等をスパッタして膜を形成する。
、該加熱されたアルゴンガスは凹部４１で拡散して基板
１を加熱し、この状態で基板１の他の面にチタンナイト
ライド等をスパッタして膜を形成する。
そうして、基板１を加熱したアルゴンガスは、強制排気
によりガス排気溝４４を介してガス排気孔４５から排気
されるが、基板１とブロックヒータ４の当接面の表面粗
さによる間隙に入ったガスは排気溝４６．４７を介して
排気孔４８．４９から強制排気される。このガス排気溝
４６．４７はブロックヒータ４の外（チャンバー内）へ
のガス流出を防ぐために多く設けることが好ましく、ガ
ス排気孔４８．４９は外周はど孔径を小さくし数を増加
すればガス流出の防止に一層効果がある。
によりガス排気溝４４を介してガス排気孔４５から排気
されるが、基板１とブロックヒータ４の当接面の表面粗
さによる間隙に入ったガスは排気溝４６．４７を介して
排気孔４８．４９から強制排気される。このガス排気溝
４６．４７はブロックヒータ４の外（チャンバー内）へ
のガス流出を防ぐために多く設けることが好ましく、ガ
ス排気孔４８．４９は外周はど孔径を小さくし数を増加
すればガス流出の防止に一層効果がある。
このようにした基板の加熱方法は、ブロックヒータによ
り加熱されたガスが排気溝および排気孔を設けたことに
より、基板を均等に加熱する。
り加熱されたガスが排気溝および排気孔を設けたことに
より、基板を均等に加熱する。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば基板の
加熱ムラが解消し−様な熱エネルギーを基板に与えるの
でスバフタ膜の品質向上に有効であり、しかもチャンバ
ーにアシストガスと異なるガスが使用できる利点がある
。
加熱ムラが解消し−様な熱エネルギーを基板に与えるの
でスバフタ膜の品質向上に有効であり、しかもチャンバ
ーにアシストガスと異なるガスが使用できる利点がある
。
第１図は、本発明の一実施例を説明する図で、同図ｆａ
）は側断面図、（ｂ）はブロックヒータの平面図、第２
図は、本発明の他の実施例を説明する図で、同図（ａｌ
は側断面図、（ｂ）はブロックヒータの平面図、第３図
は、従来の基板の加熱方法を説明する図で、同図（ａ）
は側断面図、（ｂ）はブロックヒータの平面図、（Ｃ）
は基板とブロックヒータの当接部の拡大断面図である。 図において、１は基板、２，３．４はブロックヒータ、
２１．３１．４１は凹部、２２．３２．４２はガス供給
孔、３３．４３は傾斜、３４．４４，４６．４７はガス
排気溝、３５．４５゜４８、４９はガス排気孔、をそれ
ぞれ示す。 ↓ ｔ ｔ！ ； 也 ４訂
）は側断面図、（ｂ）はブロックヒータの平面図、第２
図は、本発明の他の実施例を説明する図で、同図（ａｌ
は側断面図、（ｂ）はブロックヒータの平面図、第３図
は、従来の基板の加熱方法を説明する図で、同図（ａ）
は側断面図、（ｂ）はブロックヒータの平面図、（Ｃ）
は基板とブロックヒータの当接部の拡大断面図である。 図において、１は基板、２，３．４はブロックヒータ、
２１．３１．４１は凹部、２２．３２．４２はガス供給
孔、３３．４３は傾斜、３４．４４，４６．４７はガス
排気溝、３５．４５゜４８、４９はガス排気孔、をそれ
ぞれ示す。 ↓ ｔ ｔ！ ； 也 ４訂
Claims (2)
- （１）基板を加熱して該基板にスパッタを行なう基板の
加熱方法であって、 前記基板（１）を加熱するブロックヒータ（３）の一方
の端部に凹部（３１）を形成し、該凹部（３１）に複数
のガス供給孔（３２）を設けるとともに、前記凹部（３
１）の円周方向の外側に前記ブロックヒータ（３）の周
囲を若干残してガス排気溝（３４）を形成し、該ガス排
気溝（３４）は前記凹部（３１）に連通し、該連通部に
傾斜（３３）を形成して、前記ガス排気溝（３４）に複
数のガス排気孔（３５）を設けたブロックヒータ（３）
の、凹部（３１）側に基板（１）を当接してガスの給排
気を行ないながら基板を加熱することを特徴とする基板
の加熱方法。 - （２）前記ブロックヒータの一方の端部に凹部（４１）
を形成し、該凹部（４１）に複数のガス供給孔（４２）
を設けるとともに、前記凹部（４１）の外周で前記ブロ
ックヒータ（４）の周囲を若干残してガス排気溝（４４
）を形成して、該ガス排気溝（４４）は前記凹部（４１
）に連し、該連通部に傾斜（４３）を形成して、前記ガ
ス排気溝（４４）に複数のガス排気孔（４５）を設ける
とともに、該ガス排気溝（４４）の円周方向の外側に複
数のガス排気孔（４８、４９）を穿設した一辺に傾斜を
有する複数のガス排気溝（４６、４７）を形成したブロ
ックヒータ（４）の、凹部（４１）側に基板（１）を当
接してガスの給排気を行ないながら基板を加熱すること
を特徴とする特許請求の範囲第（１）頂に記載の基板の
加熱方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31477187A JPH01156472A (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 基板の加熱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31477187A JPH01156472A (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 基板の加熱方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01156472A true JPH01156472A (ja) | 1989-06-20 |
Family
ID=18057390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31477187A Pending JPH01156472A (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 基板の加熱方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01156472A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013542324A (ja) * | 2010-10-05 | 2013-11-21 | シュヴァルツ，エーファ | ワーク処理方法及び炉 |
-
1987
- 1987-12-10 JP JP31477187A patent/JPH01156472A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013542324A (ja) * | 2010-10-05 | 2013-11-21 | シュヴァルツ，エーファ | ワーク処理方法及び炉 |
| US9840748B2 (en) | 2010-10-05 | 2017-12-12 | Schwartz Gmbh | Process and furnace for treating workpieces |
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