JPH11168045A - 半導体製造装置およびウェハの処理方法 - Google Patents
半導体製造装置およびウェハの処理方法Info
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- JPH11168045A JPH11168045A JP9332584A JP33258497A JPH11168045A JP H11168045 A JPH11168045 A JP H11168045A JP 9332584 A JP9332584 A JP 9332584A JP 33258497 A JP33258497 A JP 33258497A JP H11168045 A JPH11168045 A JP H11168045A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハの均一なベークを行なうことが可能と
なる半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 ホットプレートユニット１は、カバー２
を備える。カバー２は、内壁面２ｃと排気口６とを備え
る。排気口６直下には、通気孔４ａを有するプレート４
が設けられる。プレート４と主面７ａ間の間隔と、主面
７ａと内壁面２ｃ間の間隔は等しい。また、ホットプレ
ートユニット１は、排気量を０．１（リットル／分）以
上１（リットル／分）以下に抑制するための排気量調整
弁５ａ，５ｂを有する。
なる半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 ホットプレートユニット１は、カバー２
を備える。カバー２は、内壁面２ｃと排気口６とを備え
る。排気口６直下には、通気孔４ａを有するプレート４
が設けられる。プレート４と主面７ａ間の間隔と、主面
７ａと内壁面２ｃ間の間隔は等しい。また、ホットプレ
ートユニット１は、排気量を０．１（リットル／分）以
上１（リットル／分）以下に抑制するための排気量調整
弁５ａ，５ｂを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造装置
に関し、特に、写真製版工程においてウェハをベークす
るための半導体製造装置に関するものである。
に関し、特に、写真製版工程においてウェハをベークす
るための半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程における写真製版
工程では、ウェハ上にレジストを塗布し、それを所定形
状にパターニングする。その際に、レジストには、デハ
イドベーク（ＤＨ）、アドヒージョンベーク（ＡＤ）、
プリベーク（ＰＢ）、ポストエクスポジャベーク（ＰＥ
Ｂ）、ポストディベロップメントベーク（ＰＤＢ）等の
ベークを施す。
工程では、ウェハ上にレジストを塗布し、それを所定形
状にパターニングする。その際に、レジストには、デハ
イドベーク（ＤＨ）、アドヒージョンベーク（ＡＤ）、
プリベーク（ＰＢ）、ポストエクスポジャベーク（ＰＥ
Ｂ）、ポストディベロップメントベーク（ＰＤＢ）等の
ベークを施す。
【０００３】図４には、上記の各ベーク処理を行なうこ
とが可能な半導体製造装置の一例であるホットプレート
ユニット１が示されている。図４を参照して、ホットプ
レートユニット１は、チャンバ８内に設けられたベーク
プレート３と、カバー２とを備える。ベークプレート３
は、ヒータによって常に加熱状態におかれ、一定温度に
保たれている。カバー２は、排気口６と、内壁面２ｃと
を有する。また、ホットプレートユニット１には、チャ
ンバ８内に気体を供給するための給気口９が設けられて
いる。
とが可能な半導体製造装置の一例であるホットプレート
ユニット１が示されている。図４を参照して、ホットプ
レートユニット１は、チャンバ８内に設けられたベーク
プレート３と、カバー２とを備える。ベークプレート３
は、ヒータによって常に加熱状態におかれ、一定温度に
保たれている。カバー２は、排気口６と、内壁面２ｃと
を有する。また、ホットプレートユニット１には、チャ
ンバ８内に気体を供給するための給気口９が設けられて
いる。
【０００４】次に、上記の構造を有するホットプレート
ユニット１を用いたベーク方法について説明する。ま
ず、ウェハ７は、ロボットアーム等によりチャンバ８内
におけるベークプレート３上に載置される。このとき、
ウェハ７とベークプレート３とは、密着状態あるいは点
接触状態（プロキシミティベーク）とされる。チャンバ
８内は、大気、ＤＡ（Dry Air ）、Ｎ2 等で満たされ
る。そして、この状態で、ウェハ７に一定時間のベーク
処理が施される。このとき、カバー２に設けられた排気
口６から常時２〜３（リットル（Ｌ）／分（ｍｉｎ））
程度の量の排気が行なわれる。上記のようにしてウェハ
７にベーク処理を施した後、チャンバ８内からウェハ７
が取出され、ベークが完了する。
ユニット１を用いたベーク方法について説明する。ま
ず、ウェハ７は、ロボットアーム等によりチャンバ８内
におけるベークプレート３上に載置される。このとき、
ウェハ７とベークプレート３とは、密着状態あるいは点
接触状態（プロキシミティベーク）とされる。チャンバ
８内は、大気、ＤＡ（Dry Air ）、Ｎ2 等で満たされ
る。そして、この状態で、ウェハ７に一定時間のベーク
処理が施される。このとき、カバー２に設けられた排気
口６から常時２〜３（リットル（Ｌ）／分（ｍｉｎ））
程度の量の排気が行なわれる。上記のようにしてウェハ
７にベーク処理を施した後、チャンバ８内からウェハ７
が取出され、ベークが完了する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
ホットプレートユニット１では、排気口６を設けるとと
もにカバー２の内壁面２ｃを傾斜させて排気効率を向上
させるよう工夫していた。また、排気量に関しても、チ
ャンバ８内の昇華物の結晶化を抑制すべく、２〜３（リ
ットル／分）以上程度と大きくしていた。
ホットプレートユニット１では、排気口６を設けるとと
もにカバー２の内壁面２ｃを傾斜させて排気効率を向上
させるよう工夫していた。また、排気量に関しても、チ
ャンバ８内の昇華物の結晶化を抑制すべく、２〜３（リ
ットル／分）以上程度と大きくしていた。
【０００６】しかしながら、上記のような昇華物対策も
重要であるが、ウェハ７を均一にベークすることも重要
である。それは、ウェハ７の均一なベークが、パターニ
ング後の線幅等の主面７ａにおける均一性に影響を及ぼ
すからである。
重要であるが、ウェハ７を均一にベークすることも重要
である。それは、ウェハ７の均一なベークが、パターニ
ング後の線幅等の主面７ａにおける均一性に影響を及ぼ
すからである。
【０００７】図５には、従来のホットプレートユニット
１を用いて、レジストの熱だれ（Thermal Flow）を利用
したホール径縮小プロセスを行なった後のウェハ７の主
面７ａにおけるホール径の分布（ウェハ面内分布）が示
されている。この図に示されるように、ウェハ７の中央
部でのホール径が他よりも極端に大きくなっていること
がわかる。このことより、従来のホットプレートユニッ
ト１ではウェハ７の均一なベークが困難であることがわ
かる。それは、上記のような従来のホットプレートユニ
ット１では、チャンバ８内の気流やカバー２からの輻射
熱の影響があまり考慮されていないためであると考えら
れる。したがって、特に、ホール径縮小プロセス等の熱
処理に敏感なプロセスには上記のような従来のホットプ
レートユニット１は使用できない。
１を用いて、レジストの熱だれ（Thermal Flow）を利用
したホール径縮小プロセスを行なった後のウェハ７の主
面７ａにおけるホール径の分布（ウェハ面内分布）が示
されている。この図に示されるように、ウェハ７の中央
部でのホール径が他よりも極端に大きくなっていること
がわかる。このことより、従来のホットプレートユニッ
ト１ではウェハ７の均一なベークが困難であることがわ
かる。それは、上記のような従来のホットプレートユニ
ット１では、チャンバ８内の気流やカバー２からの輻射
熱の影響があまり考慮されていないためであると考えら
れる。したがって、特に、ホール径縮小プロセス等の熱
処理に敏感なプロセスには上記のような従来のホットプ
レートユニット１は使用できない。
【０００８】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたものである。この発明の目的は、ウェハ
７を均一にベークすることが可能となる半導体製造装置
を提供することにある。
ためになされたものである。この発明の目的は、ウェハ
７を均一にベークすることが可能となる半導体製造装置
を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体製
造装置は、ウェハをベークするためのものである。１つ
の局面では、半導体製造装置は、チャンバと、加熱部
と、カバーと、給排気口と、通気孔を有する部材とを備
える。加熱部は、チャンバ内に配置され、その上にウェ
ハが載置される。カバーは、加熱部上に載置されたウェ
ハの主面と対向する内壁面を有し、ウェハの主面とカバ
ーの内壁面との間隔は一定である。給排気口は、ウェハ
の主面と対向する位置に設けられ、給気あるいは排気を
行なう。通気孔を有する部材は、ウェハの主面との間の
間隔がカバーの内壁面とウェハの主面との間の間隔と同
一となるように給排気口とウェハとの間に設けられる。
造装置は、ウェハをベークするためのものである。１つ
の局面では、半導体製造装置は、チャンバと、加熱部
と、カバーと、給排気口と、通気孔を有する部材とを備
える。加熱部は、チャンバ内に配置され、その上にウェ
ハが載置される。カバーは、加熱部上に載置されたウェ
ハの主面と対向する内壁面を有し、ウェハの主面とカバ
ーの内壁面との間隔は一定である。給排気口は、ウェハ
の主面と対向する位置に設けられ、給気あるいは排気を
行なう。通気孔を有する部材は、ウェハの主面との間の
間隔がカバーの内壁面とウェハの主面との間の間隔と同
一となるように給排気口とウェハとの間に設けられる。
【００１０】上記のように、カバーの内壁面とウェハの
主面との間の間隔を一定とすることにより、カバーの内
壁面からの輻射線によって該内壁面と対向するウェハの
主面に輻射熱を均一に発生させることが可能となる。ま
た、給排気口とウェハとの間であってカバーの内壁面と
ほぼ同じ高さの位置に上記のような部材を設けることよ
り、この部材からの輻射線によって該部材と対向するウ
ェハの主面に輻射熱を発生させることが可能となる。以
上のことより、ウェハの主面に均一に輻射熱を発生させ
ることが可能となり、ウェハを均一にベークすることが
可能となる。また、上記の部材が通気孔を有することに
より、この通気孔を通して適量の給排気を行なえる。そ
れにより、チャンバ内での昇華物の結晶化を抑制するこ
とも可能となる。
主面との間の間隔を一定とすることにより、カバーの内
壁面からの輻射線によって該内壁面と対向するウェハの
主面に輻射熱を均一に発生させることが可能となる。ま
た、給排気口とウェハとの間であってカバーの内壁面と
ほぼ同じ高さの位置に上記のような部材を設けることよ
り、この部材からの輻射線によって該部材と対向するウ
ェハの主面に輻射熱を発生させることが可能となる。以
上のことより、ウェハの主面に均一に輻射熱を発生させ
ることが可能となり、ウェハを均一にベークすることが
可能となる。また、上記の部材が通気孔を有することに
より、この通気孔を通して適量の給排気を行なえる。そ
れにより、チャンバ内での昇華物の結晶化を抑制するこ
とも可能となる。
【００１１】上記のチャンバ内には、好ましくは、外部
から気体が供給される。この気体は、カバーを通過した
後にチャンバ内に送り込まれる。そして、カバーは、チ
ャンバ内に送り込まれる上記の気体の温度を上昇させる
ための気体通路を有することが好ましい。
から気体が供給される。この気体は、カバーを通過した
後にチャンバ内に送り込まれる。そして、カバーは、チ
ャンバ内に送り込まれる上記の気体の温度を上昇させる
ための気体通路を有することが好ましい。
【００１２】上記のようにカバーが気体通路を有するこ
とにより、この気体通路を通過する際に温められた気体
をチャンバ内に送り込むことが可能となる。それによ
り、外部からチャンバ内に送り込まれる気体によりウェ
ハが冷却されることを阻止することが可能となる。この
ことも、ウェハの均一なベークに寄与し得る。
とにより、この気体通路を通過する際に温められた気体
をチャンバ内に送り込むことが可能となる。それによ
り、外部からチャンバ内に送り込まれる気体によりウェ
ハが冷却されることを阻止することが可能となる。この
ことも、ウェハの均一なベークに寄与し得る。
【００１３】上記のカバーには、好ましくは、給排気口
と連通する第１の気体通路と、チャンバを介して第１の
気体通路と連通する第２の気体通路とが設けられる。そ
して、第２の気体通路は、好ましくは、第１の気体通路
とカバーの内壁面とに沿って設けられる。
と連通する第１の気体通路と、チャンバを介して第１の
気体通路と連通する第２の気体通路とが設けられる。そ
して、第２の気体通路は、好ましくは、第１の気体通路
とカバーの内壁面とに沿って設けられる。
【００１４】上記のように、第２の気体通路が第１の気
体通路とカバーの内壁面とに沿って設けられることによ
り、第２の気体通路をたとえば給気用通路として用いた
場合に、第１の気体通路を通して排気される気体とカバ
ーの内壁面とによって第２の気体通路内に供給される気
体を加熱することが可能となる。それにより、加熱装置
を新たに設けることなく第２の気体通路を通過する気体
を加熱することが可能となる。なお、第１の気体通路を
給気用通路として使用し、第２の気体通路を排気用通路
として使用した場合にも同様の効果が期待できる。
体通路とカバーの内壁面とに沿って設けられることによ
り、第２の気体通路をたとえば給気用通路として用いた
場合に、第１の気体通路を通して排気される気体とカバ
ーの内壁面とによって第２の気体通路内に供給される気
体を加熱することが可能となる。それにより、加熱装置
を新たに設けることなく第２の気体通路を通過する気体
を加熱することが可能となる。なお、第１の気体通路を
給気用通路として使用し、第２の気体通路を排気用通路
として使用した場合にも同様の効果が期待できる。
【００１５】上記の部材は、好ましくは、通気孔が均一
に設けられたプレートである。また、その部材の周縁部
は、好ましくは、カバーの内壁面と接続される。
に設けられたプレートである。また、その部材の周縁部
は、好ましくは、カバーの内壁面と接続される。
【００１６】上記のように部材に通気孔が均一に設けら
れることにより、適量の給排気を行なうことが可能とな
る。それにより、チャンバ内で適度な気流を発生させる
ことができ、昇華物の結晶化を効果的に抑制しつつ伝熱
特性を向上させることが可能となる。また、部材の周縁
部がカバーの内壁面と接続されることにより、部材をカ
バーの内壁面と同じ高さの位置に固定することが可能と
なる。それにより、ウェハの主面にほぼ均一に輻射熱を
発生させることが可能となる。
れることにより、適量の給排気を行なうことが可能とな
る。それにより、チャンバ内で適度な気流を発生させる
ことができ、昇華物の結晶化を効果的に抑制しつつ伝熱
特性を向上させることが可能となる。また、部材の周縁
部がカバーの内壁面と接続されることにより、部材をカ
バーの内壁面と同じ高さの位置に固定することが可能と
なる。それにより、ウェハの主面にほぼ均一に輻射熱を
発生させることが可能となる。
【００１７】この発明の他の局面では、半導体製造装置
は、排気量を０．１（リットル／分）以上１（リットル
／分）以下に調整する排気量調整弁を備える。
は、排気量を０．１（リットル／分）以上１（リットル
／分）以下に調整する排気量調整弁を備える。
【００１８】上記のように、排気量を０．１（リットル
／分）以上１（リットル／分）以下に調整することによ
り、図３に示されるように、ホール径縮小プロセスにお
けるホール径のばらつきを抑制することが可能となる。
この結果より、上記の範囲内に排気量を設定すること
が、ウェハの均一なベークに効果的に寄与し得るものと
考えられる。なお、排気量を０．１（リットル／分）よ
り小さくした場合には、チャンバ内に強制的に気流を発
生させることが困難となり、チャンバ内における昇華物
の堆積が懸念される。したがって、排気量は、０．１
（リットル／分）以上であることが好ましい。
／分）以上１（リットル／分）以下に調整することによ
り、図３に示されるように、ホール径縮小プロセスにお
けるホール径のばらつきを抑制することが可能となる。
この結果より、上記の範囲内に排気量を設定すること
が、ウェハの均一なベークに効果的に寄与し得るものと
考えられる。なお、排気量を０．１（リットル／分）よ
り小さくした場合には、チャンバ内に強制的に気流を発
生させることが困難となり、チャンバ内における昇華物
の堆積が懸念される。したがって、排気量は、０．１
（リットル／分）以上であることが好ましい。
【００１９】上記の他の局面における半導体製造装置
は、好ましくは、チャンバとカバーとを有する。カバー
には、排気口と、この排気口の周囲にチャンバ内に気体
を送り込むための気体通路とが設けられる。また、排気
口の周囲には、気体通路と連通するように複数の排気量
調整弁が設けられる。
は、好ましくは、チャンバとカバーとを有する。カバー
には、排気口と、この排気口の周囲にチャンバ内に気体
を送り込むための気体通路とが設けられる。また、排気
口の周囲には、気体通路と連通するように複数の排気量
調整弁が設けられる。
【００２０】上記のように、排気口の周囲に、チャンバ
内に気体を送り込むための気体通路を設けることによ
り、たとえばチャンバ内に複数箇所から気体を供給する
ことが可能となる。また、排気口を取囲むように気体通
路を設けた場合には、チャンバを囲む側壁近傍から均等
にチャンバ内に気体を供給することが可能となる。それ
により、たとえば少量の気体をチャンバ内に供給するだ
けでチャンバ内に適度な気流を強制的に発生させること
が可能となる。このことも、ウェハの均一なベークに効
果的に寄与し得る。
内に気体を送り込むための気体通路を設けることによ
り、たとえばチャンバ内に複数箇所から気体を供給する
ことが可能となる。また、排気口を取囲むように気体通
路を設けた場合には、チャンバを囲む側壁近傍から均等
にチャンバ内に気体を供給することが可能となる。それ
により、たとえば少量の気体をチャンバ内に供給するだ
けでチャンバ内に適度な気流を強制的に発生させること
が可能となる。このことも、ウェハの均一なベークに効
果的に寄与し得る。
【００２１】本発明に係るウェハの処理方法は、上述の
半導体製造装置を用いてウェハを処理することを特徴と
する。
半導体製造装置を用いてウェハを処理することを特徴と
する。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図３を用いて、この
発明の１つの実施の形態について説明する。図１は、こ
の発明の１つの実施の形態におけるホットプレートユニ
ット１を示す断面図である。
発明の１つの実施の形態について説明する。図１は、こ
の発明の１つの実施の形態におけるホットプレートユニ
ット１を示す断面図である。
【００２３】図１を参照して、この発明に係るホットプ
レートユニット１は、チャンバ８を覆うように取付けら
れるカバー２と、チャンバ８内に設置されるベークプレ
ート３と、排気量調整弁５ａ，５ｂとを備える。ベーク
プレート３はヒータによって一定温度に保たれ、ベーク
プレート３上にウェハ７が載置される。カバー２は、排
気口６と、第１と第２の気体通路２ａ，２ｂと、内壁面
２ｃと、プレート４とを備える。
レートユニット１は、チャンバ８を覆うように取付けら
れるカバー２と、チャンバ８内に設置されるベークプレ
ート３と、排気量調整弁５ａ，５ｂとを備える。ベーク
プレート３はヒータによって一定温度に保たれ、ベーク
プレート３上にウェハ７が載置される。カバー２は、排
気口６と、第１と第２の気体通路２ａ，２ｂと、内壁面
２ｃと、プレート４とを備える。
【００２４】排気口６は、ベークプレート３上に載置さ
れた状態のウェハ７の主面７ａと対向する位置に設けら
れる。この場合であれば、排気口６は、ウェハ７の上方
に位置するカバー２の中央部に設けられている。第１の
気体通路２ａは、排気口６から連続して下方に延び、プ
レート４に達する。
れた状態のウェハ７の主面７ａと対向する位置に設けら
れる。この場合であれば、排気口６は、ウェハ７の上方
に位置するカバー２の中央部に設けられている。第１の
気体通路２ａは、排気口６から連続して下方に延び、プ
レート４に達する。
【００２５】第２の気体通路２ｂは、第１の気体通路２
ａと隣接して設けられる。この場合であれば、第２の気
体通路２ｂは、第１の気体通路２ａの周囲に設けられて
いる。第２の気体通路２ｂは、第１の気体通路２ａの全
周を取り囲むように設けられてもよく、第１の気体通路
２ａの周囲に複数個設けられてもよい。この第２の気体
通路２ｂの一端と連通するように排気量調整弁５ａ，５
ｂが設けられる。また、第２の気体通路２ｂの他端は、
チャンバ８を囲むホットプレートユニット１の側壁近傍
に位置するチャンバ８内の空間（以下、チャンバ８の周
縁部と称する）と連通している。
ａと隣接して設けられる。この場合であれば、第２の気
体通路２ｂは、第１の気体通路２ａの周囲に設けられて
いる。第２の気体通路２ｂは、第１の気体通路２ａの全
周を取り囲むように設けられてもよく、第１の気体通路
２ａの周囲に複数個設けられてもよい。この第２の気体
通路２ｂの一端と連通するように排気量調整弁５ａ，５
ｂが設けられる。また、第２の気体通路２ｂの他端は、
チャンバ８を囲むホットプレートユニット１の側壁近傍
に位置するチャンバ８内の空間（以下、チャンバ８の周
縁部と称する）と連通している。
【００２６】カバー２の内壁面２ｃは、ベークプレート
３上に載置されたウェハ７の主面７ａと対向するように
設けられ、内壁面２ｃと主面７ａとの間隔Ｄは一定とな
るように調整される。それにより、内壁面２ｃと対向す
るウェハ７の主面７ａに均一に輻射熱を発生させること
が可能となる。
３上に載置されたウェハ７の主面７ａと対向するように
設けられ、内壁面２ｃと主面７ａとの間隔Ｄは一定とな
るように調整される。それにより、内壁面２ｃと対向す
るウェハ７の主面７ａに均一に輻射熱を発生させること
が可能となる。
【００２７】排気口６の直下にはプレート４が設置され
る。このプレート４は通気孔４ａを有し、この通気孔４
ａを通してチャンバ８内の気体が第１の気体通路２ａ内
に送り込まれる。通気孔４ａは、微小な開口径を有し、
プレート４に均一に設けられることが好ましい。それに
より、チャンバ８内において適度な気流を維持しながら
チャンバ８内の気体を少しずつ排出することが可能とな
る。また、プレート４は、内壁面２ｃと同じ高さの位置
に設けられる。それにより、プレート４直下に位置する
主面７ａに内壁面２ｃの場合と同等の輻射熱を発生させ
ることが可能となる。
る。このプレート４は通気孔４ａを有し、この通気孔４
ａを通してチャンバ８内の気体が第１の気体通路２ａ内
に送り込まれる。通気孔４ａは、微小な開口径を有し、
プレート４に均一に設けられることが好ましい。それに
より、チャンバ８内において適度な気流を維持しながら
チャンバ８内の気体を少しずつ排出することが可能とな
る。また、プレート４は、内壁面２ｃと同じ高さの位置
に設けられる。それにより、プレート４直下に位置する
主面７ａに内壁面２ｃの場合と同等の輻射熱を発生させ
ることが可能となる。
【００２８】排気量調整弁５ａ，５ｂは、ホットプレー
トユニット１の排気量を、０．１（リットル／分）以上
１（リットル／分）以下の範囲内に調整するためのもの
である。排気量を上記の範囲内に設定することがウェハ
の均一なベークに効果的に寄与し得る。
トユニット１の排気量を、０．１（リットル／分）以上
１（リットル／分）以下の範囲内に調整するためのもの
である。排気量を上記の範囲内に設定することがウェハ
の均一なベークに効果的に寄与し得る。
【００２９】図３には、熱処理に敏感なプロセスの一例
であるレジストの熱だれ（ThermalFlow）を利用したホ
ール径縮小プロセスを実施した場合のホール径のばらつ
きと排気量との関係が示されている。この図３に示され
るように、排気量が０．１（リットル／分）以上１．０
（リットル／分）以下であることによりホール径のばら
つきが抑制されているのがわかる。つまり、ウェハが均
一にベークされていることがわかる。
であるレジストの熱だれ（ThermalFlow）を利用したホ
ール径縮小プロセスを実施した場合のホール径のばらつ
きと排気量との関係が示されている。この図３に示され
るように、排気量が０．１（リットル／分）以上１．０
（リットル／分）以下であることによりホール径のばら
つきが抑制されているのがわかる。つまり、ウェハが均
一にベークされていることがわかる。
【００３０】なお、排気量が０．１（リットル／分）よ
り小さい場合には、チャンバ８内において強制的に気流
を発生させることが困難となり、チャンバ８内における
昇華物の堆積が懸念される。よって、排気量を上記の範
囲内のものとすることにより、チャンバ８内の昇華物の
堆積を抑制しつつウェハの均一なベークを行なうことが
可能となる。
り小さい場合には、チャンバ８内において強制的に気流
を発生させることが困難となり、チャンバ８内における
昇華物の堆積が懸念される。よって、排気量を上記の範
囲内のものとすることにより、チャンバ８内の昇華物の
堆積を抑制しつつウェハの均一なベークを行なうことが
可能となる。
【００３１】次に、図１に示されるホットプレートユニ
ット１を用いたベーク方法について説明する。まず、ロ
ボットアーム等を用いて、チャンバ８内におけるベーク
プレート３上にウェハ７を載置する。そして、排気量調
整弁５ａ，５ｂを用いてチャンバ８内の気体の排気量を
上述の範囲内に保持しつつベークプレート３によりウェ
ハ７を加熱する。このとき、チャンバ８内に供給される
気体は、図１における矢印に従って第２の気体通路２
ｂ、チャンバ８および第１の気体通路２ａを順次通過し
て外部に排出されることとなる。
ット１を用いたベーク方法について説明する。まず、ロ
ボットアーム等を用いて、チャンバ８内におけるベーク
プレート３上にウェハ７を載置する。そして、排気量調
整弁５ａ，５ｂを用いてチャンバ８内の気体の排気量を
上述の範囲内に保持しつつベークプレート３によりウェ
ハ７を加熱する。このとき、チャンバ８内に供給される
気体は、図１における矢印に従って第２の気体通路２
ｂ、チャンバ８および第１の気体通路２ａを順次通過し
て外部に排出されることとなる。
【００３２】第２の気体通路２ｂは、図１に示されるよ
うに、第１の気体通路２ａと隣接し、かつカバー２の内
壁面２ｃに沿って延在している。そのため、第２の気体
通路２ｂ内に供給された気体は、第１の気体通路２ａを
通して排出される気体と、内壁面２ｃとの双方によって
加熱される。このように加熱された後の気体が、チャン
バ８の周縁部近傍からチャンバ８内に供給される。その
ため、チャンバ８内に外部から気体が供給されることに
よるウェハ７の冷却を効果的に阻止することが可能とな
る。
うに、第１の気体通路２ａと隣接し、かつカバー２の内
壁面２ｃに沿って延在している。そのため、第２の気体
通路２ｂ内に供給された気体は、第１の気体通路２ａを
通して排出される気体と、内壁面２ｃとの双方によって
加熱される。このように加熱された後の気体が、チャン
バ８の周縁部近傍からチャンバ８内に供給される。その
ため、チャンバ８内に外部から気体が供給されることに
よるウェハ７の冷却を効果的に阻止することが可能とな
る。
【００３３】上記のようにしてチャンバ８内に送り込ま
れた気体は、排気量調整弁５ａ，５ｂによって排気量が
上述のように微小となるように制御されているので、チ
ャンバ８の周縁部から中央部に向かって緩やかに流れ、
通気孔４ａから第１の気体通路２ａ内に送り込まれる。
このようにチャンバ８内において気体が緩やかに流れる
ことにより、ウェハ７上での気流の均一性を向上させる
ことが可能となる。このことも、ウェハの均一なベーク
に寄与し得る。
れた気体は、排気量調整弁５ａ，５ｂによって排気量が
上述のように微小となるように制御されているので、チ
ャンバ８の周縁部から中央部に向かって緩やかに流れ、
通気孔４ａから第１の気体通路２ａ内に送り込まれる。
このようにチャンバ８内において気体が緩やかに流れる
ことにより、ウェハ７上での気流の均一性を向上させる
ことが可能となる。このことも、ウェハの均一なベーク
に寄与し得る。
【００３４】また、図１に示されるように、複数の箇所
からチャンバ８内に気体を供給することにより、チャン
バ８内の気体を、より効果的にプレート４に向けて流動
させることが可能となる。それにより、チャンバ８内に
おける昇華物の堆積を効果的に抑制することが可能とな
る。さらに、前述のように、プレート４と内壁面２ｃと
の双方が一定間隔をあけてウェハ７の主面７ａと対向す
る位置に設けられているので、ウェハ７の主面７ａ全面
に均一に輻射熱を発生させることが可能となる。
からチャンバ８内に気体を供給することにより、チャン
バ８内の気体を、より効果的にプレート４に向けて流動
させることが可能となる。それにより、チャンバ８内に
おける昇華物の堆積を効果的に抑制することが可能とな
る。さらに、前述のように、プレート４と内壁面２ｃと
の双方が一定間隔をあけてウェハ７の主面７ａと対向す
る位置に設けられているので、ウェハ７の主面７ａ全面
に均一に輻射熱を発生させることが可能となる。
【００３５】以上のことより、図１に示されるホットプ
レートユニット１を使用することにより、均一なウェハ
７のベークを行なうことが可能となると考えられる。そ
こで、本願の発明者らは、かかる効果を確認すべく、図
１に示されるホットプレートユニット１を用いてホール
径縮小プロセスを行なった。その結果が図２に示されて
いる。この図２に示されるように、本願発明によれば、
ホール径のばらつきが、図５に示される従来例の場合よ
りも格段に小さくなっているのがわかる。つまり、本発
明に係るホットプレートユニット１を用いることによ
り、ウェハ７の均一なベークを行なうことが可能とな
る。
レートユニット１を使用することにより、均一なウェハ
７のベークを行なうことが可能となると考えられる。そ
こで、本願の発明者らは、かかる効果を確認すべく、図
１に示されるホットプレートユニット１を用いてホール
径縮小プロセスを行なった。その結果が図２に示されて
いる。この図２に示されるように、本願発明によれば、
ホール径のばらつきが、図５に示される従来例の場合よ
りも格段に小さくなっているのがわかる。つまり、本発
明に係るホットプレートユニット１を用いることによ
り、ウェハ７の均一なベークを行なうことが可能とな
る。
【００３６】なお、図１に示される実施の形態では、第
２の気体通路２ｂ側から気体を供給したが、第１の気体
通路２ａ側から気体を供給してもよい。また、プレート
４としては、メッシュ状の部材を採用することも可能で
ある。また、上述の実施の形態では、熱処理に敏感なプ
ロセスであるレジストの熱だれ（Thermal Flow）を利用
したホール径縮小プロセスに本発明に係るホットプレー
トユニット１を適用する場合について説明したが、Ｄ
Ｈ、ＡＤ、ＰＢ、ＰＥＢ、ＰＤＢ等のベークにも本発明
に係るホットプレートユニット１は使用可能である。
２の気体通路２ｂ側から気体を供給したが、第１の気体
通路２ａ側から気体を供給してもよい。また、プレート
４としては、メッシュ状の部材を採用することも可能で
ある。また、上述の実施の形態では、熱処理に敏感なプ
ロセスであるレジストの熱だれ（Thermal Flow）を利用
したホール径縮小プロセスに本発明に係るホットプレー
トユニット１を適用する場合について説明したが、Ｄ
Ｈ、ＡＤ、ＰＢ、ＰＥＢ、ＰＤＢ等のベークにも本発明
に係るホットプレートユニット１は使用可能である。
【００３７】以上のようにこの発明の１つの実施の形態
について説明を行なったが、今回開示された実施の形態
はすべての点で例示であって制限的なものではないと考
えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲に
よって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲
内でのすべての変更が含まれることが意図される。
について説明を行なったが、今回開示された実施の形態
はすべての点で例示であって制限的なものではないと考
えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲に
よって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲
内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の１つの
局面の半導体製造装置によれば、カバーの内壁面および
通気孔を有する部材とウェハの主面との間隔を一定にし
ているので、ウェハの主面に均一に輻射熱を発生させる
ことが可能となる。それにより、ウェハの均一なベーク
を行なうことが可能となる。
局面の半導体製造装置によれば、カバーの内壁面および
通気孔を有する部材とウェハの主面との間隔を一定にし
ているので、ウェハの主面に均一に輻射熱を発生させる
ことが可能となる。それにより、ウェハの均一なベーク
を行なうことが可能となる。
【００３９】この発明の他の局面の半導体製造装置で
は、従来例と比べて排気量が微小となるように調整され
ている。それにより、半導体製造装置のチャンバ内にお
ける気体の流れを、均一かつ緩やかなものとすることが
可能となる。このことも、均一なウェハのベークに寄与
し得る。
は、従来例と比べて排気量が微小となるように調整され
ている。それにより、半導体製造装置のチャンバ内にお
ける気体の流れを、均一かつ緩やかなものとすることが
可能となる。このことも、均一なウェハのベークに寄与
し得る。
【００４０】この発明に係るウェハの処理方法によれ
ば、上述の半導体製造装置を用いてウェハを処理するの
で、ウェハの均一な処理が可能となる。
ば、上述の半導体製造装置を用いてウェハを処理するの
で、ウェハの均一な処理が可能となる。
【図１】 この発明の１つの実施の形態におけるホット
プレートユニットを模式的に示す断面図である。
プレートユニットを模式的に示す断面図である。
【図２】 図１に示されるホットプレートユニットを用
いてホール径縮小プロセスを実施した場合のウェハの主
面におけるホール径の分布を示す図である。
いてホール径縮小プロセスを実施した場合のウェハの主
面におけるホール径の分布を示す図である。
【図３】 本発明に係るホットプレートユニットの排気
量とホール径のばらつきとの関係を示す図である。
量とホール径のばらつきとの関係を示す図である。
【図４】 従来のホットプレートユニットの一例を模式
的に示す断面図である。
的に示す断面図である。
【図５】 図４に示されるホットプレートユニットを用
いてホール径縮小プロセスを実施した場合のウェハの主
面におけるホール径の分布を示す図である。
いてホール径縮小プロセスを実施した場合のウェハの主
面におけるホール径の分布を示す図である。
１ ホットプレートユニット、２ カバー、２ａ 第１
の気体通路、２ｂ 第２の気体通路、２ｃ 内壁面、３
ベークプレート、4 プレート、４ａ 通気孔、５
ａ，５ｂ 排気量調整弁、６ 排気口、７ ウェハ、７
ａ 主面、８ チャンバ。
の気体通路、２ｂ 第２の気体通路、２ｃ 内壁面、３
ベークプレート、4 プレート、４ａ 通気孔、５
ａ，５ｂ 排気量調整弁、６ 排気口、７ ウェハ、７
ａ 主面、８ チャンバ。
Claims (7)
- 【請求項１】 ウェハをベークするための半導体製造装
置であって、 チャンバと、 前記チャンバ内に配置され、その上に前記ウェハが載置
される加熱部と、 前記ウェハの主面と対向する内壁面を有し、前記加熱部
上に載置された前記ウェハの主面と前記内壁面との間隔
が一定であるカバーと、 前記ウェハの主面と対向する位置に設けられ、給気ある
いは排気を行なう給排気口と、 前記ウェハの主面との間の間隔が前記カバーの内壁面と
前記ウェハの主面との間の間隔と同一となるように前記
給排気口と前記ウェハとの間に設けられ、通気孔を有す
る部材と、を備えた半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記チャンバ内には、外部から気体が供
給され、 前記気体は、前記カバー内を通過した後に前記チャンバ
内に送り込まれ、 前記カバーは、前記チャンバ内に送り込まれる前記気体
の温度を上昇させるための気体通路を有する、請求項１
に記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記カバーには、前記給排気口と連通す
る第１の気体通路と、前記チャンバを介して前記第１の
気体通路と連通する第２の気体通路とが設けられ、 前記第２の気体通路は、前記第１の気体通路と前記カバ
ーの内壁面とに沿って設けられる、請求項２に記載の半
導体製造装置。 - 【請求項４】 前記部材は、前記通気孔が均一に設けら
れたプレートであり、 前記部材の周縁部は、前記カバーの内壁面と接続され
る、請求項１から３のいずれかに記載の半導体製造装
置。 - 【請求項５】 ウェハをベークするための半導体製造装
置であって、 排気量を０．１（リットル／分）以上１（リットル／
分）以下に調整する排気量調整弁を備えたことを特徴と
する、半導体製造装置。 - 【請求項６】 前記半導体製造装置は、チャンバと、カ
バーとを有し、 前記カバーには、排気口と、該排気口の周囲に前記チャ
ンバ内に気体を送り込むための気体通路とが設けられ、 前記排気口の周囲には、前記気体通路と連通するように
複数の前記排気量調整弁が設けられる、請求項５に記載
の半導体製造装置。 - 【請求項７】 請求項１に記載の半導体製造装置を用い
てウェハを処理したことを特徴とする、ウェハの処理方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9332584A JPH11168045A (ja) | 1997-12-03 | 1997-12-03 | 半導体製造装置およびウェハの処理方法 |
| US09/088,702 US6217319B1 (en) | 1997-12-03 | 1998-06-02 | Semiconductor manufacturing device and method of processing wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9332584A JPH11168045A (ja) | 1997-12-03 | 1997-12-03 | 半導体製造装置およびウェハの処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11168045A true JPH11168045A (ja) | 1999-06-22 |
Family
ID=18256575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9332584A Pending JPH11168045A (ja) | 1997-12-03 | 1997-12-03 | 半導体製造装置およびウェハの処理方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6217319B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11168045A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100479942B1 (ko) * | 2002-06-28 | 2005-03-30 | 참이앤티 주식회사 | 웨이퍼 가열장치 |
| KR100732806B1 (ko) * | 1999-10-19 | 2007-06-27 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 가열처리장치 |
| JP2008066645A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| KR20160141250A (ko) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080008837A1 (en) * | 2006-07-10 | 2008-01-10 | Yasuhiro Shiba | Substrate processing apparatus and substrate processing method for heat-treating substrate |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3841614A (en) * | 1971-12-06 | 1974-10-15 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | Apparatus for preheating steel ingot or blooms by the use of high-speed jet streams as well as heating furnace using the same |
| US4556785A (en) * | 1983-05-23 | 1985-12-03 | Gca Corporation | Apparatus for vapor sheathed baking of semiconductor wafers |
| JPS63107116A (ja) | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Fujitsu Ltd | レジストベ−キング方法 |
| JPH03163819A (ja) | 1989-11-22 | 1991-07-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0684781A (ja) | 1992-09-03 | 1994-03-25 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置 |
| JP3983831B2 (ja) * | 1995-05-30 | 2007-09-26 | シグマメルテック株式会社 | 基板ベーキング装置及び基板ベーキング方法 |
| TW464944B (en) * | 1997-01-16 | 2001-11-21 | Tokyo Electron Ltd | Baking apparatus and baking method |
-
1997
- 1997-12-03 JP JP9332584A patent/JPH11168045A/ja active Pending
-
1998
- 1998-06-02 US US09/088,702 patent/US6217319B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100732806B1 (ko) * | 1999-10-19 | 2007-06-27 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 가열처리장치 |
| KR100479942B1 (ko) * | 2002-06-28 | 2005-03-30 | 참이앤티 주식회사 | 웨이퍼 가열장치 |
| JP2008066645A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| KR20160141250A (ko) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6217319B1 (en) | 2001-04-17 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040525 |
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|
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|
| A02 | Decision of refusal |
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