JPH01154031A - ショットキ・ダイオードを有する装置 - Google Patents
ショットキ・ダイオードを有する装置Info
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- JPH01154031A JPH01154031A JP63260684A JP26068488A JPH01154031A JP H01154031 A JPH01154031 A JP H01154031A JP 63260684 A JP63260684 A JP 63260684A JP 26068488 A JP26068488 A JP 26068488A JP H01154031 A JPH01154031 A JP H01154031A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- G—PHYSICS
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- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、２つの支持プレート間に配置した電子光学表
示媒体と、行および列に配置した画素のシステムと、こ
れら画素を駆動する行および列電極のシステムと、スイ
ッチグ素子のシステムとを具える表示装置であって、各
画素は前記の支持プレートの対向面上に配置した２つの
画像電極を以って構成され、行電極は一方の支持プレー
ト上に配置され、列電極は他方の支持プレート上に配置
され、スイッチング素子として少くとも１つのシヨット
キ・ダイオードを含むスイッチング装置が行および列電
極間で各画素と直列に配置されている当該表示装置に関
するものである。
示媒体と、行および列に配置した画素のシステムと、こ
れら画素を駆動する行および列電極のシステムと、スイ
ッチグ素子のシステムとを具える表示装置であって、各
画素は前記の支持プレートの対向面上に配置した２つの
画像電極を以って構成され、行電極は一方の支持プレー
ト上に配置され、列電極は他方の支持プレート上に配置
され、スイッチング素子として少くとも１つのシヨット
キ・ダイオードを含むスイッチング装置が行および列電
極間で各画素と直列に配置されている当該表示装置に関
するものである。
ここに行電極および列電極という言葉は所望に応じ交換
し、行電極が列電極について参照したことを意味し、列
電極が行電極について参照したことを意味するようにす
ることができることに注意すべきである。
し、行電極が列電極について参照したことを意味し、列
電極が行電極について参照したことを意味するようにす
ることができることに注意すべきである。
上述した種類の表示装置は、液晶、電気泳動懸濁液およ
びエレクトロクロミック材料のような受動電気光学表示
媒体により文字数字およびビデオ情報を表示するのに適
している。
びエレクトロクロミック材料のような受動電気光学表示
媒体により文字数字およびビデオ情報を表示するのに適
している。
既知の受動電気光学表示媒体は一般に印加電圧に対し充
分に急峻な遷移特性を呈しなかったり、固有の記憶能力
が不充分であったりする。これらの特性の結果、多重マ
トリックス表示装置で駆動すべきライン数が少なくなる
。また記憶能力の欠点の為に、列電極を経て、選択され
た行電極に与えられる情報を繰返し書込む必要がある。
分に急峻な遷移特性を呈しなかったり、固有の記憶能力
が不充分であったりする。これらの特性の結果、多重マ
トリックス表示装置で駆動すべきライン数が少なくなる
。また記憶能力の欠点の為に、列電極を経て、選択され
た行電極に与えられる情報を繰返し書込む必要がある。
更に、列電極に与えられる電圧は駆動された行電極の画
素の両端間に存在するばかりではなく、すべての他の行
電極の画素の両端間にも存在する。
素の両端間に存在するばかりではなく、すべての他の行
電極の画素の両端間にも存在する。
従って画素をオン状態にするのに充分な値としうる有効
電圧を、駆動されない期間中も画素が受ける。行電極の
数が増大すると、オン状態およびオフ状態で画素が受け
る有効電圧の比率が減少する。
電圧を、駆動されない期間中も画素が受ける。行電極の
数が増大すると、オン状態およびオフ状態で画素が受け
る有効電圧の比率が減少する。
従って、遷移特性が充分に急峻とならないことにより、
オンおよびオフ状態における画素間のコントラストを減
少せしめる。
オンおよびオフ状態における画素間のコントラストを減
少せしめる。
各画素に対し追加のスイッチを設けることにより、駆動
すべき行の数を増大せしめるということは知られている
。このスイッチは印加電圧に対し充分なしきい値を与え
るものであり、駆動された行電極に与えられた情報は、
他の行電極が駆動される期間中画素の両端′間に得られ
たままに維持されるようになる。また、このスイッチは
、画素を駆動しない期間中にこの画素が有効電圧を受け
ないようにする。
すべき行の数を増大せしめるということは知られている
。このスイッチは印加電圧に対し充分なしきい値を与え
るものであり、駆動された行電極に与えられた情報は、
他の行電極が駆動される期間中画素の両端′間に得られ
たままに維持されるようになる。また、このスイッチは
、画素を駆動しない期間中にこの画素が有効電圧を受け
ないようにする。
前述した種類の表示装置は英国特許公開第２１２９１８
３号明細書に記載されている。この英国特許公開明細書
にはシヨットキ・ダイオードをスイッチとして用いるこ
とが開示されており、これらは半導体ｐ−ｎ接合よりも
優れた種々の利点、例えば電流密度が高くなり、スイッ
チング時間が一層早くなり、クロストークを少なくして
表示装置の解像度を高くするという利点を有する。この
英国特許公開明細書で用いられているシヨットキ・ダイ
オードは、ショットキ接点（陽極）およびオーム抵抗接
点（陰極）を構成する２つの金属層間にアモルファスシ
リコン層を有し、このシリコン層はオーム抵抗接点のた
めに多量にドーピングされているバーチカル構造をして
いる。
３号明細書に記載されている。この英国特許公開明細書
にはシヨットキ・ダイオードをスイッチとして用いるこ
とが開示されており、これらは半導体ｐ−ｎ接合よりも
優れた種々の利点、例えば電流密度が高くなり、スイッ
チング時間が一層早くなり、クロストークを少なくして
表示装置の解像度を高くするという利点を有する。この
英国特許公開明細書で用いられているシヨットキ・ダイ
オードは、ショットキ接点（陽極）およびオーム抵抗接
点（陰極）を構成する２つの金属層間にアモルファスシ
リコン層を有し、このシリコン層はオーム抵抗接点のた
めに多量にドーピングされているバーチカル構造をして
いる。
このようなシヨットキ・ダイオードには、アモルファス
シリコン層の固有抵抗が高くなるという欠点がある。こ
の固有抵抗は半導体材料にドーピングを行うことによっ
て減少せしめることができない。その理由は、ドーピン
グを行なうと、陰極接点が最早やショットキ接点として
機能しない為である。更に、金属を設けると充填され従
って陰極および陽極間を短絡せしめるおそれのあるピン
ホールが通常アモルファスシリコン層に存在するという
他の欠点は全く無くすることができない。
シリコン層の固有抵抗が高くなるという欠点がある。こ
の固有抵抗は半導体材料にドーピングを行うことによっ
て減少せしめることができない。その理由は、ドーピン
グを行なうと、陰極接点が最早やショットキ接点として
機能しない為である。更に、金属を設けると充填され従
って陰極および陽極間を短絡せしめるおそれのあるピン
ホールが通常アモルファスシリコン層に存在するという
他の欠点は全く無くすることができない。
このおそれは、陰極および陽極間の抵抗値を減少せしめ
るために半導体層を薄肉にする場合に著しく増大する。
るために半導体層を薄肉にする場合に著しく増大する。
また上述したダイオードは位置決め公差の為に比較的大
きな表面積を占めるという他の欠点もある。これにより
キャパシタンスが高（なり、従ってクロストークが可成
り増大する。また漏洩電流がしばしば周辺に沿って生じ
る為、追加の表面安定化工程を必要とする。
きな表面積を占めるという他の欠点もある。これにより
キャパシタンスが高（なり、従ってクロストークが可成
り増大する。また漏洩電流がしばしば周辺に沿って生じ
る為、追加の表面安定化工程を必要とする。
本発明の目的は、シヨットキ・ダイオードの構造を従来
と異ならせ、このシヨットキ・ダイオードを簡単に形成
しうるようにもすることにより、上述した欠点を殆ど無
くすようにすることにある。
と異ならせ、このシヨットキ・ダイオードを簡単に形成
しうるようにもすることにより、上述した欠点を殆ど無
くすようにすることにある。
本発明は、生じるおそれのあるピンホールが電流方向に
対しほぼ垂直であれば、これらのピンホールによる影響
を殆ど無視しうるという認識を基に成したものである。
対しほぼ垂直であれば、これらのピンホールによる影響
を殆ど無視しうるという認識を基に成したものである。
本発明による表示装置では、シヨットキ・ダイオードが
ラテラルダイオードを構成するようにしたことを特徴と
する。このシヨットキ・ダイオードは単一の層の半導体
材料中に形成するのが好ましい。
ラテラルダイオードを構成するようにしたことを特徴と
する。このシヨットキ・ダイオードは単一の層の半導体
材料中に形成するのが好ましい。
本発明による構造では、ピンホールが金属によって充填
されることによる陽極および陰極接点間の前述した短絡
は最早や生じ得ない。更に、従来よりも小型のシヨット
キ・ダイオードを形成しうる為、ダイオードキャパシタ
ンスによる影響、従ってクロストークが少なくなる。陽
極および陰極間の距離は例えば１μ鴎よりも短かく選択
できる。
されることによる陽極および陰極接点間の前述した短絡
は最早や生じ得ない。更に、従来よりも小型のシヨット
キ・ダイオードを形成しうる為、ダイオードキャパシタ
ンスによる影響、従ってクロストークが少なくなる。陽
極および陰極間の距離は例えば１μ鴎よりも短かく選択
できる。
また半導体材料の層厚も極めて小さく（例えば１μｍよ
りも小さく）選択でき、このことは特に液晶層の厚さを
薄くシた表示装置にとって好ましいことである。
りも小さく）選択でき、このことは特に液晶層の厚さを
薄くシた表示装置にとって好ましいことである。
本発明により得たダイオードは、例えばいわゆるダイオ
ードリングを構成する２つのダイオードの回路のような
種々のスイッチング装置に用いることができる。
ードリングを構成する２つのダイオードの回路のような
種々のスイッチング装置に用いることができる。
また本発明による表示装置の製造方法では、第１支持プ
レート上に画像電極を、次に半導体領域をそれぞれ写真
食刻的に設け、次に前記の半導体領域とでシヨットキ・
バリアを構成し少（とも局部的に前記の半導体材料を被
覆する金属を写真食刻的に設け、この金属には少くとも
ラテラル・シヨットキ・ダイオードを形成すべき領域で
絶縁層を設け、その後に、このようにして絶縁された金
属をマスクとして作用させて半導体領域上に導電性の接
点を設けることを特徴とする。
レート上に画像電極を、次に半導体領域をそれぞれ写真
食刻的に設け、次に前記の半導体領域とでシヨットキ・
バリアを構成し少（とも局部的に前記の半導体材料を被
覆する金属を写真食刻的に設け、この金属には少くとも
ラテラル・シヨットキ・ダイオードを形成すべき領域で
絶縁層を設け、その後に、このようにして絶縁された金
属をマスクとして作用させて半導体領域上に導電性の接
点を設けることを特徴とする。
図面につき本発明を説明する。
図面は線図的なものであり、実際のものに正比例して描
いておらず、各図間で対応する素子には同一符号を付し
である。
いておらず、各図間で対応する素子には同一符号を付し
である。
第１および２図は、２つの支持プレート２および３を有
し、これらの間に液晶４が存在している表示装置１の一
部を示す平面図および断面図である。本例では、支持プ
レート２および３の内面に電気的且つ化学的な分離層５
を有している。行および列にそれぞれ配置された多数の
画像電極６および７が支持プレート２および３上に設け
られている。対向する画像電極６および７が表示装置の
画素を構成する。画像電極７は細条状の行電極１１を構
成するように一体化するのが有利である。細条状の列電
極８は行の画像電極６間に設けられている。各画像電極
６は第１図に線図的に示すスイッチング素子９、本例の
場合シヨットキ・ダイオードによって１つの列電極８に
接続されている。
し、これらの間に液晶４が存在している表示装置１の一
部を示す平面図および断面図である。本例では、支持プ
レート２および３の内面に電気的且つ化学的な分離層５
を有している。行および列にそれぞれ配置された多数の
画像電極６および７が支持プレート２および３上に設け
られている。対向する画像電極６および７が表示装置の
画素を構成する。画像電極７は細条状の行電極１１を構
成するように一体化するのが有利である。細条状の列電
極８は行の画像電極６間に設けられている。各画像電極
６は第１図に線図的に示すスイッチング素子９、本例の
場合シヨットキ・ダイオードによって１つの列電極８に
接続されている。
このスイッチング素子９は印加電圧に対して充分急峻な
遷移特性を液晶４に与え、この液晶４にメモリ機能を与
える。支持プレート２および３の内面上には液晶配向Ｎ
１０が設けられている。既知のように液晶にまたがって
電圧を印加することにより液晶分子の異なる配向状態、
従って光学的に異なる状態を得ることができる。表示装
置は透過或いは反射型装置として実現することができ、
これにカラーフィルタを設けることができる。
遷移特性を液晶４に与え、この液晶４にメモリ機能を与
える。支持プレート２および３の内面上には液晶配向Ｎ
１０が設けられている。既知のように液晶にまたがって
電圧を印加することにより液晶分子の異なる配向状態、
従って光学的に異なる状態を得ることができる。表示装
置は透過或いは反射型装置として実現することができ、
これにカラーフィルタを設けることができる。
本発明によれば、本例のスイッチング素子が半導体材料
層１３、本例の場合厚さが約０．５μｍのアモルファス
シリコン層より成るラテラルシヨットキ・ダイオード１
２を有するようにする。シヨットキ・バリアのためにこ
のアモルファスシリコン層にはドーピングを行わず、こ
のことは実際には軽いｎ型のドーピング（（ＩＱＩＩＩ
原子／ ｃｉ ）を意味する。列電極８はアモルファス
シリコンとでシヨットキ・バリアを構成するタンタル或
いは他の金属、例えばモリブデン或いはクロミウムから
形成されている。
層１３、本例の場合厚さが約０．５μｍのアモルファス
シリコン層より成るラテラルシヨットキ・ダイオード１
２を有するようにする。シヨットキ・バリアのためにこ
のアモルファスシリコン層にはドーピングを行わず、こ
のことは実際には軽いｎ型のドーピング（（ＩＱＩＩＩ
原子／ ｃｉ ）を意味する。列電極８はアモルファス
シリコンとでシヨットキ・バリアを構成するタンタル或
いは他の金属、例えばモリブデン或いはクロミウムから
形成されている。
陰極接点のために、アモルファスシリコン層には不純物
濃度が高い（約１０２１原子／ｃ４）ｎ”領域（接点領
域Ｈ４が設けられている。この場合、導電接触は、ダイ
オードを画像電極６に接続する例えばモリブデン或いは
その他の適切な金属より成る金属層１５を経て達成され
る。
濃度が高い（約１０２１原子／ｃ４）ｎ”領域（接点領
域Ｈ４が設けられている。この場合、導電接触は、ダイ
オードを画像電極６に接続する例えばモリブデン或いは
その他の適切な金属より成る金属層１５を経て達成され
る。
ショットキ金属の表面には絶縁材料、この場合酸化タン
タルの薄肉層１６が設けられ、この薄肉層１６により半
導体材料層１３の表面に沿うショットキ接点および接点
領域１４間の距離、換言すればシヨットキ・ダイオード
１２の陽極および陰極間の距離を決定している。この距
離はほぼ０．５μｍである。
タルの薄肉層１６が設けられ、この薄肉層１６により半
導体材料層１３の表面に沿うショットキ接点および接点
領域１４間の距離、換言すればシヨットキ・ダイオード
１２の陽極および陰極間の距離を決定している。この距
離はほぼ０．５μｍである。
このような構成によれば、電流方向が、生じるおそれの
あるピンホールの長手軸線に対しほぼ垂直となるという
利点が得られる。更に、ダイオードを小型に形成でき、
従ってキャパシタンスの影響が小さくなり、従って動作
速度が速くなる。
あるピンホールの長手軸線に対しほぼ垂直となるという
利点が得られる。更に、ダイオードを小型に形成でき、
従ってキャパシタンスの影響が小さくなり、従って動作
速度が速くなる。
陽極接点および陰極接点は互いの上下に配置されない為
、生じるおそれのあるピンホールが接点部材により充填
されることにより短絡が生じるおそれもなくなる。更に
、臨界的なマスク工程を必要としない為、製造を有利に
行うことができる。
、生じるおそれのあるピンホールが接点部材により充填
されることにより短絡が生じるおそれもなくなる。更に
、臨界的なマスク工程を必要としない為、製造を有利に
行うことができる。
次に表示装置の製造方法を第３図につき説明する。
支持プレート２に電極材料、例えば（半透明の）酸化錫
インジウムの層を被覆し、次にこの層を写真食刻処理に
よりパターン化し、電極６を形成する。同様にして、例
えばアモルファスシリコンより成る半導体材料層１３を
支持プレート２上に形成する（第３ａ図）。
インジウムの層を被覆し、次にこの層を写真食刻処理に
よりパターン化し、電極６を形成する。同様にして、例
えばアモルファスシリコンより成る半導体材料層１３を
支持プレート２上に形成する（第３ａ図）。
次に、タンタル或いはその他の適切な材料を堆積し、こ
れを写真食刻処理によりパターン化する。
れを写真食刻処理によりパターン化する。
これにより列電極８を形成し、これら列電極が半導体材
料層１３を部分的に被覆し、適所でショットキ接点を構
成するようにする。次に、これらの列電極８に絶縁材料
の薄肉層１６を設ける。すなわち本例では、これら列電
極８に陽極処理により厚さが約０．５μｍの酸化タンタ
ルの層を設ける（第３ｂ図）。この陽極処理は例えば、
電極８に電圧を印加して、くえん酸を入れた浴中で行な
う。この目的のために例えばこれら電極の端部を一時的
に相互接続することができる。
料層１３を部分的に被覆し、適所でショットキ接点を構
成するようにする。次に、これらの列電極８に絶縁材料
の薄肉層１６を設ける。すなわち本例では、これら列電
極８に陽極処理により厚さが約０．５μｍの酸化タンタ
ルの層を設ける（第３ｂ図）。この陽極処理は例えば、
電極８に電圧を印加して、くえん酸を入れた浴中で行な
う。この目的のために例えばこれら電極の端部を一時的
に相互接続することができる。
次に、タンタル或いは酸化タンタルによって被覆されて
いない半導体材料層１３の部分に、例えば３０ＫｅＶの
エネルギーおよび１０′４原子／ ｃｄｌの注入ドーズ
量の燐イオンにより第３Ｃ図に矢印１７で示すようにイ
オン注入を行ない、その後に約２００°Ｃでアニーリン
グ処理工程を行なう。これにより、接点領域１４を形成
する。
いない半導体材料層１３の部分に、例えば３０ＫｅＶの
エネルギーおよび１０′４原子／ ｃｄｌの注入ドーズ
量の燐イオンにより第３Ｃ図に矢印１７で示すようにイ
オン注入を行ない、その後に約２００°Ｃでアニーリン
グ処理工程を行なう。これにより、接点領域１４を形成
する。
次の工程では電極６とシヨットキ・ダイオードとを相互
接続する。この目的のために、導電材料、例えばモリブ
デン或いはアルミニウム或いはこれらの双方の１つ以上
の層を装置に被覆し、写真食刻処理によりこの或いはこ
れらの層から金属層１５を形成する。
接続する。この目的のために、導電材料、例えばモリブ
デン或いはアルミニウム或いはこれらの双方の１つ以上
の層を装置に被覆し、写真食刻処理によりこの或いはこ
れらの層から金属層１５を形成する。
この結果の装置を第３ｄ図に示す。
画像表示装置は、列電極７，１１を設けた支持プレート
３を通常のように支持プレート２に対向させて配置し、
装置の周辺を封止し、その後にこの封止部にあけた入口
孔を経て液晶材料４を装置に充填することにより完成さ
れる。
３を通常のように支持プレート２に対向させて配置し、
装置の周辺を封止し、その後にこの封止部にあけた入口
孔を経て液晶材料４を装置に充填することにより完成さ
れる。
本例における１つの画素およびこれに関連し１つのシヨ
ットキ・ダイオード１２より成るスイッチング素子９の
電気的等価回路を第４図に示す。
ットキ・ダイオード１２より成るスイッチング素子９の
電気的等価回路を第４図に示す。
第５および６図に部分的に示す本発明の他の例の表示装
置におけるスイッチング素子９ａ、 ９ｂも前述したの
と同様に製造する。タンタル層１８は最終的な構成状態
では列電極を介してアクセスしえない為、陽極処理の目
的のために補助電極１８′を一時的に設け、この補助電
極１８′は陽極処理後に粗な補助マスクを用いて除去す
る。
置におけるスイッチング素子９ａ、 ９ｂも前述したの
と同様に製造する。タンタル層１８は最終的な構成状態
では列電極を介してアクセスしえない為、陽極処理の目
的のために補助電極１８′を一時的に設け、この補助電
極１８′は陽極処理後に粗な補助マスクを用いて除去す
る。
また金属層１５と同時に他の列電極２０を設けることが
できる。他の符号は第２および３図における同じ符号と
同じ意味を有する。
できる。他の符号は第２および３図における同じ符号と
同じ意味を有する。
このようにして得た表示装置用の回路（その等価回路を
第７図に示す）はオランダ国特許出願第８５０２６６３
号（特開昭６２−８３７２２号）明細書で説明されてい
る。列電極２０は例えば基準電圧を与えるために用いる
ことができる。
第７図に示す）はオランダ国特許出願第８５０２６６３
号（特開昭６２−８３７２２号）明細書で説明されてい
る。列電極２０は例えば基準電圧を与えるために用いる
ことができる。
本発明は図示の例に限定されないこと勿論である。例え
ば第８ａ図に示すダイオードリング或いは第８ｂ図に示
すスイッチング素子のような他のスイッチング素子を形
成することもできる。陽極処理すべき金属部分は必ずし
も共通導体に接続する必要はない。陽極処理工程のため
には、補助電極を一時的に設け、陽極処理後にこの補助
電極を除去するようにすることができる。
ば第８ａ図に示すダイオードリング或いは第８ｂ図に示
すスイッチング素子のような他のスイッチング素子を形
成することもできる。陽極処理すべき金属部分は必ずし
も共通導体に接続する必要はない。陽極処理工程のため
には、補助電極を一時的に設け、陽極処理後にこの補助
電極を除去するようにすることができる。
ある場合にはこの補助電極を以って最終的なタンタル層
の一部を構成するようにすることができる。すなわち、
この構成は第５図では、例えば画像電極６の半透明特性
に影響を与えない程度に補助電極１８′を幅狭に選択す
ることにより達成しうる。
の一部を構成するようにすることができる。すなわち、
この構成は第５図では、例えば画像電極６の半透明特性
に影響を与えない程度に補助電極１８′を幅狭に選択す
ることにより達成しうる。
また半導体材料層１３は必ずしも１つの材料を以って形
成する必要はなく、必要に応じ基板と実際のシヨットキ
・ダイオードとの間に半導体材料の中間層を設けること
ができる。また製造方法も種々に変更して達成しうる。
成する必要はなく、必要に応じ基板と実際のシヨットキ
・ダイオードとの間に半導体材料の中間層を設けること
ができる。また製造方法も種々に変更して達成しうる。
例えば、シヨットキ・ダイオードのオーム抵抗接点は、
ｎ゛単結晶シリコンの層を写真食刻技術により所定の形
状に形成し、この層が接点の位置でアモルファスシリコ
ンを被覆するようにすることにより得ることもできる。
ｎ゛単結晶シリコンの層を写真食刻技術により所定の形
状に形成し、この層が接点の位置でアモルファスシリコ
ンを被覆するようにすることにより得ることもできる。
第１図は、本発明による表示装置の一部を示す線図的平
面図、 第２図は、第１図の■−■線上を断面とし矢の方向に見
た断面図、 第３ａ〜３ｄ図は、第１図に示す装置を製造する製造工
程を示す断面図、 第４図は、１つの画素に対する関連の等価回路を示す線
図、 第５図は、本発明による表示装置の他の例を示す線図的
平面図、 第６ａ〜６０図は、第５図の装置を製造する製造工程を
示す断面図、 第７図は、第５図に示す装置の等価回路を示す線図、 第８ａ〜８０図は、他の変形例を示す等価回路図である
。 １・・・表示装置 ２．３・・・支持プレート
４・・・液晶 ５・・・分離層６．７・・
・画像電極 ８，２０・・・列電極９、９ａ、 ９
ｂ・・・スイッチング素子１０・・・液晶配向層
１１・・・行電極１２・・・ラテラルシヨットキ・ダ
イオード１３・・・半導体材料層 １４・・・ｎ″領域接点領域） １５・・・金属層 １６・・・絶縁材料の薄
肉層１８・・・タンタル層 １８′・・・補助電
極特許出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルー
イランペンファブリケン ＦｌＯ，２ ＦＩＧ、５ ＦＩＯ，６Ｃ
面図、 第２図は、第１図の■−■線上を断面とし矢の方向に見
た断面図、 第３ａ〜３ｄ図は、第１図に示す装置を製造する製造工
程を示す断面図、 第４図は、１つの画素に対する関連の等価回路を示す線
図、 第５図は、本発明による表示装置の他の例を示す線図的
平面図、 第６ａ〜６０図は、第５図の装置を製造する製造工程を
示す断面図、 第７図は、第５図に示す装置の等価回路を示す線図、 第８ａ〜８０図は、他の変形例を示す等価回路図である
。 １・・・表示装置 ２．３・・・支持プレート
４・・・液晶 ５・・・分離層６．７・・
・画像電極 ８，２０・・・列電極９、９ａ、 ９
ｂ・・・スイッチング素子１０・・・液晶配向層
１１・・・行電極１２・・・ラテラルシヨットキ・ダ
イオード１３・・・半導体材料層 １４・・・ｎ″領域接点領域） １５・・・金属層 １６・・・絶縁材料の薄
肉層１８・・・タンタル層 １８′・・・補助電
極特許出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルー
イランペンファブリケン ＦｌＯ，２ ＦＩＧ、５ ＦＩＯ，６Ｃ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、２つの支持プレート間に配置した電子光学表示媒体
と、行および列に配置した画素のシステムと、これら画
素を駆動する行および列電極のシステムと、スイッチグ
素子のシステムとを具える表示装置であって、各画素は
前記の支持プレートの対向面上に配置した２つの画像電
極を以って構成され、行電極は一方の支持プレート上に
配置され、列電極は他方の支持プレート上に配置され、
スイッチング素子として少くとも１つのシヨットキ・ダ
イオードを含むスイッチング装置が行および列電極間で
各画素と直列に配置されている当該表示装置において、
前記のシヨットキ・ダイオードがラテラル・シヨットキ
・ダイオードとして構成されていることを特徴とする表
示装置。 ２、請求項１に記載の表示装置において、前記のラテラ
ル・シヨットキ・ダイオードが単一層の半導体材料で形
成されていることを特徴とする表示装置。 ３、請求項２に記載の表示装置において、前記の単一層
の半導体材料の厚さが多くとも１μｍであることを特徴
とする表示装置。 ４、請求項１または２に記載の表示装置において、前記
のシヨットキ・ダイオードの陰極接点および陽極接点間
の距離が多くとも１μｍであることを特徴とする表示装
置。 ５、請求項１〜３のいずれか一項に記載の表示装置にお
いて、画素が他のシヨットキ・ダイオードを経て他の電
極に接続されていることを特徴とする表示装置。 ６、請求項５に記載の表示装置において、前記の他の電
極が、表示すべき情報を与える列電極であることを特徴
とする表示装置。 ７、請求項５に記載の表示装置において、前記の他の電
極が基準電圧を与えるために用いられるようになってい
ることを特徴とする表示装置。 ８、請求項１〜３のいずれか一項に記載の表示装置にお
いて、前記のスイッチング装置が、少くとも互いに異な
る方向にバイアスされる２つのシヨットキ・ダイオード
の並列回路を有していることを特徴とする表示装置。 ９、請求項１〜８のいずれか一項に記載の表示装置にお
いて、半導体材料がアモルファスシリコンであることを
特徴とする表示装置。 １０、請求項９に記載の表示装置において、シヨットキ
・ダイオードのシヨットキ接点がタンタル、アルミニウ
ム、モリブデンおよびクロミウムのうちの少くとも１つ
の金属を以って構成されていることを特徴とする表示装
置。 １１、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の表示装置
において、前記の電気光学表示媒体が液晶或いは電気泳
動懸濁液あるいはエレクトロクロミック材料であること
を特徴とする表示装置。 １２、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の表示装置
を製造する表示装置の製造方法において、第１支持プレ
ート上に画像電極を、次に半導体領域をそれぞれ写真食
刻的に設け、次に前記の半導体領域とでシヨットキ・バ
リアを構成し少くとも局部的に前記の半導体材料を被覆
する金属を写真食刻的に設け、この金属には少くともラ
テラル・シヨットキ・ダイオードを形成すべき領域で絶
縁層を設け、その後に、このようにして絶縁された金属
をマスクとして作用させて半導体領域上に導電性の接点
を設けることを特徴とする表示装置の製造方法。 １３、請求項１２に記載の表示装置の製造方法において
、シヨットキ金属を陽極処理により絶縁することを特徴
とする表示装置の製造方法。 １４、請求項１２に記載の表示装置の製造方法において
、前記の半導体領域に導電接点用の不純物をドーピング
することを特徴とする表示装置の製造方法。 １５、請求項１４に記載の表示装置の製造方法において
、半導体領域への不純物のドーピングをイオン注入によ
り行なうことを特徴とする表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8702490A NL8702490A (nl) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | Weergeefinrichting met laterale schottky-dioden. |
| NL8702490 | 1987-10-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01154031A true JPH01154031A (ja) | 1989-06-16 |
| JPH0810305B2 JPH0810305B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=19850790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26068488A Expired - Lifetime JPH0810305B2 (ja) | 1987-10-19 | 1988-10-18 | ショットキ・ダイオードを有する装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4952984A (ja) |
| EP (1) | EP0314211B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0810305B2 (ja) |
| KR (1) | KR890007425A (ja) |
| DE (1) | DE3881150T2 (ja) |
| NL (1) | NL8702490A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002303879A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-18 | Nec Corp | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03109526A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-05-09 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 液晶表示装置用アクティブマトリックス基板 |
| US5075740A (en) * | 1991-01-28 | 1991-12-24 | Sanken Electric Co., Ltd. | High speed, high voltage schottky semiconductor device |
| EP0521565B1 (en) * | 1991-07-04 | 1998-01-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device and method of manufacturing same, display device provided with such a semiconductor device |
| KR20000027508A (ko) * | 1998-10-28 | 2000-05-15 | 김영환 | 표시장치 |
| JP3693843B2 (ja) * | 1999-02-25 | 2005-09-14 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| KR100388272B1 (ko) * | 2000-12-26 | 2003-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 티알에스 소자 |
| JP2006520478A (ja) * | 2003-01-17 | 2006-09-07 | ダイオード・ソリューションズ・インコーポレーテッド | 有機材料を用いたディスプレイ |
| JP4424982B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-03-03 | 富士通コンポーネント株式会社 | タッチパネル及びその製造方法 |
| WO2006085241A1 (en) * | 2005-02-14 | 2006-08-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix display devices |
| TWI429794B (zh) * | 2006-04-04 | 2014-03-11 | Silicor Materials Inc | 矽之純化方法 |
| US7898042B2 (en) | 2006-11-07 | 2011-03-01 | Cbrite Inc. | Two-terminal switching devices and their methods of fabrication |
| US9741901B2 (en) | 2006-11-07 | 2017-08-22 | Cbrite Inc. | Two-terminal electronic devices and their methods of fabrication |
| US8222077B2 (en) * | 2006-11-07 | 2012-07-17 | Cbrite Inc. | Metal-insulator-metal (MIM) devices and their methods of fabrication |
Citations (1)
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| JPS6283722A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-17 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 表示装置 |
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| US4223308A (en) * | 1979-07-25 | 1980-09-16 | Northern Telecom Limited | LCDs (Liquid crystal displays) controlled by thin film diode switches |
| JPS5817680A (ja) * | 1981-07-23 | 1983-02-01 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| FR2518788A1 (fr) * | 1981-12-23 | 1983-06-24 | Thomson Csf | Dispositif a resistance dependant de la tension, son procede de fabrication et sa mise en oeuvre dans un ecran de visualisation a commande electrique |
| FR2540290A1 (fr) * | 1983-01-28 | 1984-08-03 | Thomson Csf | Diode hyperfrequence a faible capacite parasite, et procede de realisation d'une telle diode |
| FR2548450B1 (fr) * | 1983-06-29 | 1987-04-30 | Citizen Watch Co Ltd | Procede de fabrication de diode en film mince ultra-miniature |
| FR2579775B1 (fr) * | 1985-04-02 | 1987-05-15 | Thomson Csf | Procede de realisation d'elements de commande non lineaire pour ecran plat de visualisation electro-optique et ecran plat realise selon ce procede |
| JPS62109085A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-20 | 富士電機株式会社 | アクテイブ・マトリクス |
| US4907040A (en) * | 1986-09-17 | 1990-03-06 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Thin film Schottky barrier device |
-
1987
- 1987-10-19 NL NL8702490A patent/NL8702490A/nl not_active Application Discontinuation
-
1988
- 1988-09-27 US US07/250,008 patent/US4952984A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-10-04 EP EP88202200A patent/EP0314211B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-10-04 DE DE88202200T patent/DE3881150T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-10-18 KR KR1019880013553A patent/KR890007425A/ko not_active Application Discontinuation
- 1988-10-18 JP JP26068488A patent/JPH0810305B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6283722A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-17 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 表示装置 |
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| JP2002303879A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-18 | Nec Corp | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0810305B2 (ja) | 1996-01-31 |
| KR890007425A (ko) | 1989-06-19 |
| NL8702490A (nl) | 1989-05-16 |
| DE3881150D1 (de) | 1993-06-24 |
| EP0314211A1 (en) | 1989-05-03 |
| DE3881150T2 (de) | 1993-12-02 |
| US4952984A (en) | 1990-08-28 |
| EP0314211B1 (en) | 1993-05-19 |
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