JP4424982B2 - タッチパネル及びその製造方法 - Google Patents
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Description
この様にして、所定間隔を置いた複数の第1電極層を、タッチパネルの周縁部の最も外周に近い箇所に配置することができ、複数のダイオードと、第2電極層等の全てが、第1電極層の内側に形成される。これによって、タッチパネルとしての接触検知領域を効率的に広げることができ、その全域において、均一な電位分布が得られる。しかも、筆記耐久性を向上し、さらには、長寿命化を図れる。
2…透明抵抗膜
3…絶縁体膜
4…スペーサ
5、51、52…第1電極層
6、61、62…第2電極層
7…絶縁体
8…透明樹脂フィルム
91、92…金属層
101、102…半導体層
11…接触検知領域
12…開口部
13…加熱ステージ
14…加熱ヘッド
151〜154…電極電圧検出配線層
DX1…第1X軸ダイオード群
DX2…第2X軸ダイオード群
DY1…第1Y軸ダイオード群
DY2…第2Y軸ダイオード群
DX1n、DY1n、DX2n、DY2n…ダイオード
TX1、TX2、TY1、TY2…電極電圧検出端子
Va、Vb…電圧供給端子
Claims (22)
- 電位検出電極膜と対向して透明基板上に設けられた透明抵抗膜に係る周囲各辺に形成された所定幅の絶縁体膜上に、該透明抵抗膜のX軸方向又はY軸方向に電位勾配を生成する所定電圧を印加するために、複数のスイッチ素子が所定間隔で並置されたタッチパネルにおいて、
前記所定間隔で並置された複数の第1電極層と、連続して延在する第2電極層とが、前記絶縁体膜上の各辺において配置され、
前記スイッチ素子の各々は、前記第1電極層上に形成された半導体層及び金属層を含む積層体であり、
前記金属層が、前記第2電極層上に延びて接続され、
前記第1電極層が、前記絶縁体膜に設けられた開口部を介して前記透明抵抗膜に接触導通し、
前記スイッチ素子の各々が導通したときに、前記所定電圧が前記透明抵抗膜の前記X軸方向又は前記Y軸方向に印加されることを特徴とするタッチパネル。 - 電位検出電極膜と対向して透明基板上に設けられた透明抵抗膜に係る周囲各辺に形成された所定幅の絶縁体膜上に、該透明抵抗膜のX軸方向又はY軸方向に電位勾配を生成する所定電圧を印加するために、複数のスイッチ素子が所定間隔で並置されたタッチパネルにおいて、
前記所定間隔で並置された複数の第1電極層と、連続して延在する第2電極層とが、前記絶縁体膜上の各辺において配置され、
前記スイッチ素子の各々は、前記第1電極層上に形成された半導体層及び金属層を含む積層体であり、
前記金属層が、前記第2電極層上に延びて接続され、
前記第2電極層が、前記絶縁体膜に設けられた開口部を介して前記透明抵抗膜に接触導通し、
前記スイッチ素子の各々が導通したときに、前記所定電圧が前記透明抵抗膜の前記X軸方向又は前記Y軸方向に印加されることを特徴とするタッチパネル。 - 電位検出電極膜と対向して透明基板上に設けられた透明抵抗膜に係る周囲各辺に形成された所定幅の絶縁体膜上に、該透明抵抗膜のX軸方向又はY軸方向に電位勾配を生成する所定電圧を印加するために、複数のスイッチ素子が所定間隔で並置されたタッチパネルにおいて、
前記所定間隔で並置された複数の第1電極層と、連続して延在する第2電極層とが、前記絶縁体膜上の各辺において配置され、
前記スイッチ素子の各々は、前記第1電極層上に形成された半導体層及び金属層を含む積層体であり、
前記第2電極層が、前記絶縁体膜上から前記積層体上に延びて配置され、
前記第1電極層が、前記絶縁体膜に設けられた開口部を介して前記透明抵抗膜に接触導通し、
前記スイッチ素子の各々が導通したときに、前記所定電圧が前記透明抵抗膜の前記X軸方向又は前記Y軸方向に印加されることを特徴とするタッチパネル。 - 電位検出電極膜と対向して透明基板上に設けられた透明抵抗膜に係る周囲各辺に形成された所定幅の絶縁体膜上に、該透明抵抗膜のX軸方向又はY軸方向に電位勾配を生成する所定電圧を印加するために、複数のスイッチ素子が所定間隔で並置されたタッチパネルにおいて、
前記所定間隔で並置された複数の第1電極層と、連続して延在する第2電極層とが、前記絶縁体膜上の各辺において配置され、
前記スイッチ素子の各々は、前記第1電極層上に形成された半導体層及び金属層を含む積層体であり、
前記第2電極層が、前記絶縁体膜上から前記積層体上に延びて配置され、
前記第2電極層が、前記絶縁体膜に設けられた開口部を介して前記透明抵抗膜に接触導通し、
前記スイッチ素子の各々が導通したときに、前記所定電圧が前記透明抵抗膜の前記X軸方向又は前記Y軸方向に印加されることを特徴とするタッチパネル。 - 前記積層体は、N型又はP型半導体層と前記金属層とによるショットキー接合ダイオードを有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のタッチパネル。
- 前記N型又はP型半導体層は、スクリーン印刷又はスタンピング印刷で形成されることを特徴とする請求項5に記載のタッチパネル。
- 前記透明抵抗膜は、矩形の接触検知領域を含めて前記透明基板上に形成され、
前記絶縁体膜は、前記接触検知領域を囲むように前記透明抵抗膜の第1辺乃至第4辺に配置され、
前記複数のスイッチ素子は、第1乃至第4スイッチ素子群を形成し、該第1乃至第4スイッチ素子群が、前記絶縁体膜上に前記第1辺乃至第4辺に夫々に沿って配置され、
前記第1乃至第4スイッチ素子群の各々に含まれる複数のスイッチ素子の各々は、前記透明抵抗膜に導通する所定間隔で配置された前記第1電極層と、前記所定電圧が印加される給電端子を有する前記第2電極層とに接続され、
前記検出電極膜が形成された透明フィルムが、前記第1辺乃至第4辺に夫々に沿って配置されたスペーサを介して前記接触検知領域に対向するように貼着して載置され、
前記検出電極膜が押圧されたとき、相対向する前記第1スイッチ素子群及び前記3スイッチ素子群、又は、相対向する前記第2スイッチ素子群及び第4スイッチ素子群が交互に選択され、選択された当該スイッチ素子群は、接続されている各第2電極層の前記給電端子間に前記所定電圧が印加されたとき、オン動作となる請求項1乃至6のいずれか一項に記載のタッチパネル。 - 前記第1スイッチ素子群乃至前記第4スイッチ素子群に含まれる各スイッチ素子は、N型又はP型半導体層と金属層とによるショットキー接合ダイオードであり、
前記第1スイッチ素子群及び前記第4スイッチ素子群に含まれる各々のダイオードのカソードが、前記第1電極層に、該ダイオードのアノードが、前記第2電極層に接続され、
前記第2スイッチ素子群及び前記第3スイッチ素子群に含まれる各々のダイオードのカソードが、前記第2電極層に、該ダイオードのアノードが、前記第1電極層に接続されることを特徴とする請求項7に記載のタッチパネル。 - 前記第1スイッチ素子群乃至前記第4スイッチ素子群のダイオードの各々が接続される前記第2電極層は、前記絶縁体膜上において、前記第1電極層より内側に形成され、
前記第1スイッチ素子群と前記第2スイッチ素子群とに係る各第2電極層、及び、前記第3スイッチ素子群と前記第4スイッチ素子群とに係る各第2電極層は、夫々連続して形成されて給電端子に接続されていることを特徴とする請求項8に記載のタッチパネル。 - 前記第1スイッチ素子群乃至前記第4スイッチ素子群の夫々における複数の第1電極層のうちの少なくとも一個が特定され、
前記特定された前記第1電極層が、電極電圧検出端子を有する配線層に接続されることを特徴とする請求項9に記載のタッチパネル。 - 前記電極電圧検出端子は、前記透明基板の一端部に設けられた前記給電端子と並んで配置され、
前記配線層は、前記絶縁体膜上の前記第1電極層の外側に形成され、前記各第1電極層と、該第1電極層に対応した前記検出端子とを接続することを特徴とする請求項10に記載のタッチパネル。 - 透明基板の一面に形成された透明抵抗膜上の周縁部に、所定間隔を置いて該透明抵抗膜を臨む複数の開口部を有する所定幅の絶縁体膜を形成する工程と、
前記開口部に第1電極層を形成し、該開口部において前記透明抵抗膜と第1電極層とを接触導通させる工程と、
前記開口部と離間し、前記周縁部に沿って延在する第2電極層を形成する工程と、
前記第1電極層又は前記第2電極層上に、前記所定間隔を置いて複数のスイッチ素子を形成する工程と、
前記第2電極層に給電端子を接続する工程と、
検出電極膜が形成された透明フィルムが絶縁スペーサを介在させて貼り合わされる工程と、を含み、
前記スイッチ素子は、金属層と半導体層を有し、
前記金属層が前記第1電極層又は第2電極層上に金属ペーストのスクリーン印刷又はスタンピング印刷により形成された後、前記半導体層が、該金属層に積層され、且つ、前記第2電極層又は前記第1電極層の双方に重なるように半導体ペーストのスクリーン印刷又はスタンピング印刷により形成されることを特徴とするタッチパネル製造方法。 - 前記絶縁体膜は、絶縁材ペーストのスクリーン印刷又はスタンピング印刷により形成されることを特徴とする請求項12に記載のタッチパネル製造方法。
- 前記第1電極層及び前記第2電極層は、導電ペーストのスクリーン印刷又はスタンピング印刷により形成されることを特徴とする請求項12に記載のタッチパネル製造方法。
- 前記金属ペーストは、タングステンを含み、
前記半導体ペーストは、N型又はP型シリコンを含むことを特徴とする請求項14に記載のタッチパネル製造方法。 - 積層された前記半導体層と前記金属層が、加熱圧着され、前記半導体層と前記金属層との接触部にショットキー接合ダイオードが形成されることを特徴とする請求項14に記載のタッチパネル製造方法。
- 前記絶縁体膜は、矩形の接触検知領域を囲むように前記透明抵抗膜の第1辺乃至第4辺に形成され、
前記複数のスイッチ素子は、第1乃至第4スイッチ素子群を形成し、該第1乃至第4スイッチ素子群が、前記絶縁体膜上に前記第1辺乃至第4辺に夫々に沿って形成され、
前記第1乃至第4スイッチ素子群の各々に含まれる複数のスイッチ素子の各々は、前記透明抵抗膜に導通する所定間隔で配置された第1電極層と、前記所定電圧が印加される給電端子を有する第2電極層とに接続されることを特徴とする請求項12乃至15のいずれか一項に記載のタッチパネル製造方法。 - 透明基板の一面に形成された透明抵抗膜上の周縁部に、所定間隔を置いて該透明抵抗膜を臨む複数の開口部を有する所定幅の絶縁体膜を形成する工程と、
前記絶縁体膜上に前記周縁部に沿って延在する第1電極層を形成する工程と、
前記第1電極層上にスイッチ素子を形成する工程と、
前記スイッチ素子の上面から前記開口部に延在する第2電極層を形成し、該開口部において前記透明抵抗膜と第2電極層とを接触導通させる工程と、
前記第2電極層に給電端子を接続する工程と、
検出電極膜が形成された透明フィルムが絶縁スペーサを介在させて貼り合わされる工程と、を含み、
前記スイッチ素子は、金属層と半導体層を有し、
前記金属層が前記第1電極層又は第2電極層上に金属ペーストのスクリーン印刷又はスタンピング印刷により形成された後、前記半導体層が、少なくとも該金属層に積層されて重なるように、半導体ペーストのスクリーン印刷又はスタンピング印刷により形成され、
前記半導体層と前記金属層が、加熱圧着され、前記半導体層と前記金属層との接触部にダイオード接合が形成されることを特徴とするタッチパネル製造方法。 - 前記絶縁体膜は、絶縁材ペーストのスクリーン印刷又はスタンピング印刷により形成されることを特徴とする請求項18に記載のタッチパネル製造方法。
- 前記第1電極層及び前記第2電極層は、導電ペーストのスクリーン印刷又はスタンピング印刷により形成されることを特徴とする請求項18に記載のタッチパネル製造方法。
- 前記金属ペーストは、タングステンを含み、
前記半導体ペーストは、N型又はP型シリコンを含み、
前記半導体層と前記金属層との接触部にショットキー接合ダイオードが形成されることを特徴とする請求項20に記載のタッチパネル製造方法。 - 前記絶縁体膜は、矩形の接触検知領域を囲むように前記透明抵抗膜の第1辺乃至第4辺に形成され、
前記複数のスイッチ素子は、第1乃至第4スイッチ素子群を形成し、該第1乃至第4スイッチ素子群が、前記絶縁体膜上に前記第1辺乃至第4辺の夫々に沿って形成され、
前記第1スイッチ素子群及び前記第2スイッチ素子群の各スイッチ素子は、前記絶縁体膜に形成された前記開口部に形成された前記第1電極層上に形成され、該スイッチ素子上面に延びた前記第2電極層に接続され、
前記第3スイッチ素子群及び前記第4スイッチ素子群の各スイッチ素子は、前記絶縁体膜の周縁部に沿って形成された前記第2電極層上に形成され、該スイッチ素子上面に延び、前記絶縁体膜に形成された前記開口部に形成された前記第1電極層に接続されることを特徴とする請求項18乃至21のいずれか一項に記載のタッチパネル製造方法。
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