JPS6373587A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS6373587A JPS6373587A JP61218597A JP21859786A JPS6373587A JP S6373587 A JPS6373587 A JP S6373587A JP 61218597 A JP61218597 A JP 61218597A JP 21859786 A JP21859786 A JP 21859786A JP S6373587 A JPS6373587 A JP S6373587A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体発光装置に係り、特に半導体発光素
子と導電部材との結合方法に関するものである。
子と導電部材との結合方法に関するものである。
８２図は、従来の半導体レーザ装置の構造を示す断面図
で、（ｌａ）は結晶基板、（１ｂ）は活性領域、（１Ｃ
）はコンタクト層、（２）はｎ側オーミック電極、（３
）はｎ側オーミック電極、（４）は半導体レーザ素子を
載量しかつ正極端子を構成するヒートシンク、（５）は
絶縁層、（６）はヒートシンク（４）と絶縁層（６）？
介して一体に形成されかつ負極端子を構成する導電部材
、（７）はｎ側オーミック電極（３）と導電部材（６）
とを電気的に接続する金属細線である。
で、（ｌａ）は結晶基板、（１ｂ）は活性領域、（１Ｃ
）はコンタクト層、（２）はｎ側オーミック電極、（３
）はｎ側オーミック電極、（４）は半導体レーザ素子を
載量しかつ正極端子を構成するヒートシンク、（５）は
絶縁層、（６）はヒートシンク（４）と絶縁層（６）？
介して一体に形成されかつ負極端子を構成する導電部材
、（７）はｎ側オーミック電極（３）と導電部材（６）
とを電気的に接続する金属細線である。
従・来の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子のｎ側
オーミック電極（３）と導電部材（６）？金属細線（７
１で接続していた。
オーミック電極（３）と導電部材（６）？金属細線（７
１で接続していた。
従来の半導体に一ザ装愛は、以上のように構成されてい
るので、半導体レーザ素子のｎ側オーミック電極（３）
と導電部材（６）とを接続するのに金属細線（７）を用
いたため、半導体レーザ装置の製造工程が複雑であった
。
るので、半導体レーザ素子のｎ側オーミック電極（３）
と導電部材（６）とを接続するのに金属細線（７）を用
いたため、半導体レーザ装置の製造工程が複雑であった
。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、半導体発光装置の製造工程を簡単化するこ
とを目的とする。
れたもので、半導体発光装置の製造工程を簡単化するこ
とを目的とする。
この発明に係る半導体発光装置は、半導体発光素子の表
面電極と導電部材とを鑞材で結合したものである。
面電極と導電部材とを鑞材で結合したものである。
この発明においては、半導体発光素子の表面電極と導電
部材とを鑞材で結合したことによりワイヤボンド工程を
省略することができる。
部材とを鑞材で結合したことによりワイヤボンド工程を
省略することができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は、本発明による半導体レーザ装置の製造方法の一実
施例を示す工程別斜視図である。
図は、本発明による半導体レーザ装置の製造方法の一実
施例を示す工程別斜視図である。
第１図（ａ）は結晶基板（１ａ）上に順次活性領域（１
ｂ）コンタクト層（１（りｔ−エピタキシャル成長によ
り形成し、ｐ側片−ミック電極（２）を形成した半導体
レーザ素子である。
ｂ）コンタクト層（１（りｔ−エピタキシャル成長によ
り形成し、ｐ側片−ミック電極（２）を形成した半導体
レーザ素子である。
本実施例では￥Ｊ１図（ａ）の状態の後、第１図（鴫に
示すように半導体レーザ素子上部をテーパ状に加ニレ、
この上部にｎ側オーミック電極を形成する。
示すように半導体レーザ素子上部をテーパ状に加ニレ、
この上部にｎ側オーミック電極を形成する。
次に第１図（Ｑ）に示すように、正極端子であるヒート
シンク（４）上に絶縁層（５）を介して負極端子である
導電部材（６）を結合する。次に第１図（ｄ）に示すよ
うに、第１図（１））のように加工した半導体レーザ素
子と第１図（Ｃ）の状態のヒートシンクとをハンダ材（
８）を用いて結合する。
シンク（４）上に絶縁層（５）を介して負極端子である
導電部材（６）を結合する。次に第１図（ｄ）に示すよ
うに、第１図（１））のように加工した半導体レーザ素
子と第１図（Ｃ）の状態のヒートシンクとをハンダ材（
８）を用いて結合する。
本実施例においては、ｎ側オーミック電８ｉｉ（３１と
負極端子である導電部材（６）の結合と、ｐ側片−ミッ
ク電極（２）と正極端子であるヒートシンク（４）の結
合をハンダ材を用いて一度に行うことができると共に、
従来方法におけるワイヤボンド工程が省略できる。
負極端子である導電部材（６）の結合と、ｐ側片−ミッ
ク電極（２）と正極端子であるヒートシンク（４）の結
合をハンダ材を用いて一度に行うことができると共に、
従来方法におけるワイヤボンド工程が省略できる。
上記一実施例においては、半導体レーザ装置の製造方法
について示したが、他の半導体発光装置の製造にも適用
できる。
について示したが、他の半導体発光装置の製造にも適用
できる。
なお、半導体レーザ素子および導電部材の加工形状は、
上記一実施例の加工形状に限るものではない。また、こ
の発明は上記一実施例に示されるハンダ材の代わりに、
その他の鑞材を用いることもできる。
上記一実施例の加工形状に限るものではない。また、こ
の発明は上記一実施例に示されるハンダ材の代わりに、
その他の鑞材を用いることもできる。
以上のように、本発明によれば半導体発光素子表面に設
けられた電極と導電部材との結合と前記半導体発光素子
裏面に設けられた電極とヒートシンクとの結合とを一度
にできるので、半導体発光装置の製造工程を簡単化でき
る。
けられた電極と導電部材との結合と前記半導体発光素子
裏面に設けられた電極とヒートシンクとの結合とを一度
にできるので、半導体発光装置の製造工程を簡単化でき
る。
第１図は、この発明による半導体レーザ装置の製造方法
の一実施例を工程別斜視図で表わしたものである０第２
図は、従来の半導体レーザ装置の断面図である。 （１ａ）は結晶基板、（１ｂ）は活性領域、（ＩＣ）は
コンタクト層、（２）はｐ側片−ミック電極、（３）は
ｎ側オーミック電極、（４）は半導体Ｖ−ザ素子を載量
しかつ正極端子を構成するヒートシンク、（５）は絶縁
層、（６）はヒートシンク（４）と絶縁／＃ｉ５＋を介
して一体に形成されかつ負極端子を構成する導電部材、
（７）はｎ側オーミック電極（３）と導電部材（６）と
′ｆ電気的に接続する金属細線である。 大ト ｈ ＼偽 ６０ ：！ｔ２〜ｉ
の一実施例を工程別斜視図で表わしたものである０第２
図は、従来の半導体レーザ装置の断面図である。 （１ａ）は結晶基板、（１ｂ）は活性領域、（ＩＣ）は
コンタクト層、（２）はｐ側片−ミック電極、（３）は
ｎ側オーミック電極、（４）は半導体Ｖ−ザ素子を載量
しかつ正極端子を構成するヒートシンク、（５）は絶縁
層、（６）はヒートシンク（４）と絶縁／＃ｉ５＋を介
して一体に形成されかつ負極端子を構成する導電部材、
（７）はｎ側オーミック電極（３）と導電部材（６）と
′ｆ電気的に接続する金属細線である。 大ト ｈ ＼偽 ６０ ：！ｔ２〜ｉ
Claims (2)
- （１）表面および裏面に電極を有する半導体発光素子と
、この半導体発光素子から発する熱を放熱すると共にこ
の半導体発光素子の裏面に第１の鑞材を介して結合され
る放熱体、この放熱体と絶縁体を介して結合される導電
部材と前記半導体発光素子の表面に設けられた電極とを
結合する第２の鑞材を備えたことを特徴とする半導体発
光装置。 - （２）半導体発光素子の表面の電極と導電部材は互いに
水平に対して同じ方向でかつ同じ傾きの傾斜面を有する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体発
光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61218597A JPS6373587A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61218597A JPS6373587A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373587A true JPS6373587A (ja) | 1988-04-04 |
Family
ID=16722452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61218597A Pending JPS6373587A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6373587A (ja) |
-
1986
- 1986-09-16 JP JP61218597A patent/JPS6373587A/ja active Pending
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