JPH01140722A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH01140722A JPH01140722A JP62297570A JP29757087A JPH01140722A JP H01140722 A JPH01140722 A JP H01140722A JP 62297570 A JP62297570 A JP 62297570A JP 29757087 A JP29757087 A JP 29757087A JP H01140722 A JPH01140722 A JP H01140722A
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- JP
- Japan
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- pattern
- resist
- photoresist layer
- developing solution
- exposure
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- Pending
Links
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は感光性レジストのパターン形成方法に係９％特
に１０μｍを越えるような厚いレジスト膜のパターン加
工を高精度で行うのに好適な露光及び現像方法を用いた
パターン形成方法に関する。
に１０μｍを越えるような厚いレジスト膜のパターン加
工を高精度で行うのに好適な露光及び現像方法を用いた
パターン形成方法に関する。
従来は時開ｌ１８５４−９２０６１に記載のように、フ
ォトレジスト上に遮光層を設け、露光、現像を逐次行う
方法となっていた。これらは通常、レジスト膜厚が数ミ
クロンの範囲で行われている。１０μｍ以上の厚膜パタ
ーン形成については電子材料。
ォトレジスト上に遮光層を設け、露光、現像を逐次行う
方法となっていた。これらは通常、レジスト膜厚が数ミ
クロンの範囲で行われている。１０μｍ以上の厚膜パタ
ーン形成については電子材料。
１９８５年１０月号３５頁から３９頁に記載されている
ように、ドライフィルムレジストが多く便用されている
。
ように、ドライフィルムレジストが多く便用されている
。
上記従来技術はフォトレジスト層の厚膜化に対する配慮
がなされておらず、１０μｍを越えるようなフォトレジ
スト層の高精度なバター二／グが困難であった。すなわ
ち、従来の露光、現像方式では厚膜レジスト全体を感光
させるために長時間の露光が必要となる。この時、パタ
ーンの横方向への光の拡がシによシマスフ端近傍も感光
するために、現像後はアンダーカット量の極めて大きな
パターンとなる。
がなされておらず、１０μｍを越えるようなフォトレジ
スト層の高精度なバター二／グが困難であった。すなわ
ち、従来の露光、現像方式では厚膜レジスト全体を感光
させるために長時間の露光が必要となる。この時、パタ
ーンの横方向への光の拡がシによシマスフ端近傍も感光
するために、現像後はアンダーカット量の極めて大きな
パターンとなる。
本発明の目的は、厚いフォトレジスト層においてもアン
ダーカット量が小さく、高精度のパターン加工が可能な
パターン形成方法を提供することにある。
ダーカット量が小さく、高精度のパターン加工が可能な
パターン形成方法を提供することにある。
上記目的は、フォトレジスト層上にパターン形成した遮
光層をマスクとして、現＠液中で露光を行うことによシ
、達成される。
光層をマスクとして、現＠液中で露光を行うことによシ
、達成される。
フォトレジスト層上の遮光層は露光時のマスクとして作
用し、光を照射したレジスト部のみが現像液で溶解する
。さらに、現像液中で露光を行うために露光と現像が連
続的に進行する。これにより厚いフォトレジスト層を用
いてもパターンエッヂ部横方向の感光が大幅に抑えられ
るため、アンダーカット量の小さな高精度のパターン加
工が可能となる。
用し、光を照射したレジスト部のみが現像液で溶解する
。さらに、現像液中で露光を行うために露光と現像が連
続的に進行する。これにより厚いフォトレジスト層を用
いてもパターンエッヂ部横方向の感光が大幅に抑えられ
るため、アンダーカット量の小さな高精度のパターン加
工が可能となる。
以下、本発明の一実施例を第１図（ａ）〜（ｆ）により
説明する。
説明する。
第１図はＣＣＢ （Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｃｏ１１ａ
ｐｓｅＢｏｎｄ ｉｎｇ ）実装用バンプ電極形成プロ
セスの工程図である。まず、第１図（ａ）に示すように
ＬＳＩ基板１０１上にポジ型しジス）１０２ （例えば
、シブレイ社製、ＴＦ−２０を塗布した。突起電極の高
さにより塗布膜厚を制御し、ここでは２０〜１５０μｍ
の範囲に設定した。次いで、フォトレジスト膜１０２上
に光遮蔽膜１０３として厚３０００人のＡＡ蒸看膜を被
着した。さらに光遮蔽膜１０３をバターニングするため
に厚さ１μｍのフォトレジスト膜１０４を形成した。こ
のフォトレジスト族１０４のパターン加工は第１図（ｂ
）に示すように通常のホトリングラフィ加工に従って行
い、バンプ電極形成用パターン１０５ｔ−形成し′ｆｃ
。この光遮蔽膜のパターン加工は化学エツチング（エツ
チング液ニリン酸、硝酸、酢酸、水 混ａ）によシ実施
した。次に、第１図（Ｃ）に示すように、ＬＳＩ基板１
０１をレジスト現像液１０６に浸漬し、同時に光１０７
を照射した。ここで使用したレジストはポジ型のため、
光が照射された部分のみが現像液１０６中に溶解する。
ｐｓｅＢｏｎｄ ｉｎｇ ）実装用バンプ電極形成プロ
セスの工程図である。まず、第１図（ａ）に示すように
ＬＳＩ基板１０１上にポジ型しジス）１０２ （例えば
、シブレイ社製、ＴＦ−２０を塗布した。突起電極の高
さにより塗布膜厚を制御し、ここでは２０〜１５０μｍ
の範囲に設定した。次いで、フォトレジスト膜１０２上
に光遮蔽膜１０３として厚３０００人のＡＡ蒸看膜を被
着した。さらに光遮蔽膜１０３をバターニングするため
に厚さ１μｍのフォトレジスト膜１０４を形成した。こ
のフォトレジスト族１０４のパターン加工は第１図（ｂ
）に示すように通常のホトリングラフィ加工に従って行
い、バンプ電極形成用パターン１０５ｔ−形成し′ｆｃ
。この光遮蔽膜のパターン加工は化学エツチング（エツ
チング液ニリン酸、硝酸、酢酸、水 混ａ）によシ実施
した。次に、第１図（Ｃ）に示すように、ＬＳＩ基板１
０１をレジスト現像液１０６に浸漬し、同時に光１０７
を照射した。ここで使用したレジストはポジ型のため、
光が照射された部分のみが現像液１０６中に溶解する。
このような露光、現像を連続的に繰り返すことによシ第
１図（ｄ）に示すような厚膜レジストに対し電極形成用
ノくターフ１０８の加工を行った。次にｔＮ法（選択電
気めっき）により第１図（ｅ）に示すようにバンプ電極
１０９を形成した。さらに不要部レジストを除去し、第
１図（ｆ）に示すようなバンプ電極パターンを形成した
。
１図（ｄ）に示すような厚膜レジストに対し電極形成用
ノくターフ１０８の加工を行った。次にｔＮ法（選択電
気めっき）により第１図（ｅ）に示すようにバンプ電極
１０９を形成した。さらに不要部レジストを除去し、第
１図（ｆ）に示すようなバンプ電極パターンを形成した
。
本工程ではバンプ電極を電着法で行ったが、蒸着リフト
オフ法を用いても同様の電極ノ（ターン形成が可能であ
る。
オフ法を用いても同様の電極ノ（ターン形成が可能であ
る。
通常のフォトリング２フイ工程ではフォトレジスト層の
厚膜化に従ってパターン形成が困難になる。例えば、５
０μｍの厚さのフォトレジスト膜のパターン加工を行っ
た場合、そのサイド現像量は１５μｍ以上となる。ｌた
レジスト膜の厚さに比例してサイド現像量が増加するた
めパターンの高精度加工が不可能となる。
厚膜化に従ってパターン形成が困難になる。例えば、５
０μｍの厚さのフォトレジスト膜のパターン加工を行っ
た場合、そのサイド現像量は１５μｍ以上となる。ｌた
レジスト膜の厚さに比例してサイド現像量が増加するた
めパターンの高精度加工が不可能となる。
本実施例によれば、レジスト膜厚が５０μｍの場合、そ
のサイド現像量は５μｍ以下であった。
のサイド現像量は５μｍ以下であった。
また、レジスト膜厚を更に増加（〜１５０μｍ）しても
、サイド現像量の増加は僅かであり、厚膜レジスト加工
の高精度化に２いて極めて大きな効果がある。さらに、
アスペクト比（膜厚／パターン加工寸法）の高いパター
ン加工が可能であり。
、サイド現像量の増加は僅かであり、厚膜レジスト加工
の高精度化に２いて極めて大きな効果がある。さらに、
アスペクト比（膜厚／パターン加工寸法）の高いパター
ン加工が可能であり。
バンプ電極の高信頼度化に効果がある。また、これらの
パターン加工は他の厚膜パターン加工（例えばメタルマ
スクを用いたＣＣＢバンプ電極形成）に比べて、電極間
のピッチを大幅に短縮できるため、バンプ電極の高密度
化が図れる効果がある。
パターン加工は他の厚膜パターン加工（例えばメタルマ
スクを用いたＣＣＢバンプ電極形成）に比べて、電極間
のピッチを大幅に短縮できるため、バンプ電極の高密度
化が図れる効果がある。
本発明によれば、１０μｍ以上の厚膜レジストにおいて
アンダーカット量の小さな高精度のバターニングができ
るため、加エバターンの高アスペクト比の効果がある。
アンダーカット量の小さな高精度のバターニングができ
るため、加エバターンの高アスペクト比の効果がある。
さらに、ホトリソグラフイを用いた厚膜加工では加エバ
ターンの微細化が容易に行えるため、パターンの高密度
化に対して大きな効果がある。
ターンの微細化が容易に行えるため、パターンの高密度
化に対して大きな効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示すパターン形成方法の工
程図である。 １０１・・・ＬＳＩ基板％ １０２・・・厚膜レジスト
。 １０３・・・光遮蔽膜、１０４・・・薄膜レジス）、１
０５・・・開ロバターン、１０６・・・現像液、１０７
・・・光。 ゛ １０８・・・電極形成用パターン、１０９・・
・突起電極。。 （：甲 代理人 弁理士 小川勝男 ぐ、 第 Ｉ 凹 （Ｃ） （子）
程図である。 １０１・・・ＬＳＩ基板％ １０２・・・厚膜レジスト
。 １０３・・・光遮蔽膜、１０４・・・薄膜レジス）、１
０５・・・開ロバターン、１０６・・・現像液、１０７
・・・光。 ゛ １０８・・・電極形成用パターン、１０９・・
・突起電極。。 （：甲 代理人 弁理士 小川勝男 ぐ、 第 Ｉ 凹 （Ｃ） （子）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、感光性レジスト膜のパターン形成方法において、該
レジスト膜のパターン露光を現像液中で行うことを特徴
とする感光性レジスト膜のパターン形成方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、感光性レジスト膜
上に形成した光遮蔽膜パターンの加工を行い、該パター
ンを露光、現像時のマスクとすることを特徴とする感光
性レジスト膜のパターン形成方法。 ３、特許請求の範囲第１項又は第２項に記載のパターン
形成方法において、露光中に現像液の供給及び排出が繰
り返されることを特徴とする感光性レジスト膜のパター
ン形成方法。 ４、特許請求の範囲第２項記載のものにおいて、上記光
遮蔽膜はＡｌ、Ｃｒ、Ｔｉから選ばれる一種からなるこ
とを特徴とするレジスト膜のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62297570A JPH01140722A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62297570A JPH01140722A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01140722A true JPH01140722A (ja) | 1989-06-01 |
Family
ID=17848262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62297570A Pending JPH01140722A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01140722A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5258267A (en) * | 1989-12-22 | 1993-11-02 | Fujitsu Limited | Process for forming resist pattern |
| US6093520A (en) * | 1994-09-09 | 2000-07-25 | Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College | High aspect ratio microstructures and methods for manufacturing microstructures |
| WO2005081063A1 (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Daikin Industries, Ltd. | 液浸リソグラフィーに用いるレジスト積層体 |
| JP2011238589A (ja) * | 2010-04-14 | 2011-11-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 櫛型電極の製造方法 |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP62297570A patent/JPH01140722A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5258267A (en) * | 1989-12-22 | 1993-11-02 | Fujitsu Limited | Process for forming resist pattern |
| US6093520A (en) * | 1994-09-09 | 2000-07-25 | Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College | High aspect ratio microstructures and methods for manufacturing microstructures |
| WO2005081063A1 (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Daikin Industries, Ltd. | 液浸リソグラフィーに用いるレジスト積層体 |
| JP2011238589A (ja) * | 2010-04-14 | 2011-11-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 櫛型電極の製造方法 |
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