JPH01125570U - - Google Patents
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- JPH01125570U JPH01125570U JP1988124774U JP12477488U JPH01125570U JP H01125570 U JPH01125570 U JP H01125570U JP 1988124774 U JP1988124774 U JP 1988124774U JP 12477488 U JP12477488 U JP 12477488U JP H01125570 U JPH01125570 U JP H01125570U
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- JP
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- semiconductor laser
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
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- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
第1図は、本考案の半導体レーザの各層を示す
断面略図、第2図はnドーピング乃至pドーピン
グされたGaAs層の、光子エネルギに依存した
屈折率をそれぞれ実線乃至破線にて示し、第3図
は表面に溝状の凹部を設けた本考案の第1の実施
例の各層を示す断面略図、第4図は第3図の実施
例の層列におけるレーザ波の電界の発生状況を示
すグラフ図、第5図は第4図に示す層列に対する
フアー・フイールド角度に依存したフアー・フイ
ールド強度を示すグラフ図であり、第6図は第2
の実施例の半導体レーザの層列における電界の発
生状況を示すグラフ図、第7図は第6図に示す層
列に対するフアー・フイールド角度に依存したフ
アー・フイールド強度を示すグラフ図である。 1,6……大きなバンドギヤツプを有する半導
体層、2〜5……レーザ活性層(3……再結合層
、5……高ドーピング層)、7……接触接続付加
層、8……拡散阻止層、10……金属層、20…
…サブストレート。
断面略図、第2図はnドーピング乃至pドーピン
グされたGaAs層の、光子エネルギに依存した
屈折率をそれぞれ実線乃至破線にて示し、第3図
は表面に溝状の凹部を設けた本考案の第1の実施
例の各層を示す断面略図、第4図は第3図の実施
例の層列におけるレーザ波の電界の発生状況を示
すグラフ図、第5図は第4図に示す層列に対する
フアー・フイールド角度に依存したフアー・フイ
ールド強度を示すグラフ図であり、第6図は第2
の実施例の半導体レーザの層列における電界の発
生状況を示すグラフ図、第7図は第6図に示す層
列に対するフアー・フイールド角度に依存したフ
アー・フイールド強度を示すグラフ図である。 1,6……大きなバンドギヤツプを有する半導
体層、2〜5……レーザ活性層(3……再結合層
、5……高ドーピング層)、7……接触接続付加
層、8……拡散阻止層、10……金属層、20…
…サブストレート。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 1 レーザ活性領域は両側が半導体層によつて取
囲まれており、該半導体層のバンドギヤツプはレ
ーザ活性領域内の最大バンドギヤツプより大きい
、ヘテロ構造ダイオードの形式に形成されている
層列を有する半導体レーザにおいて、 (a) レーザ活性領域(2乃至5)は、少なく
とも3つの層から成つており、該層のうち少なく
とも2つの層は、最小のバンドギヤツプを有する
層3がそれより大きなバンドギヤツプを有する層
によつて取囲まれるようにバンドギヤツプが相異
しており、かつPn接合部が最小のバンドギヤツ
プを有する層3に直接形成されており、 (b) 結晶の表面から拡散により単一の導電形
を有するストライプ状の導電路9が形成されてお
り、該導電路はレーザ活性層(2乃至5)の1つ
または若干の層内に侵入しているが、最小のバン
ドギヤツプを有する層3には侵入せず、かつ該最
小のバンドギヤツプを有する層3のバンドギヤツ
プは、レーザ活性領域に存在する別の層のバンド
ギヤツプより少なくとも40meV小さくかつ表
面が、レーザビームの射出面に対して大体垂直方
向に延在する溝状の凹部11を有し、かつストラ
イプ状の導電路9が拡散により凹部を介して形成
されて成る半導体レーザ。 2 ストライプ状の導電路9の、レーザ活性領域
との接合部6/5における幅B1が1乃至8μm
の間にある実用新案登録請求の範囲第1項記載の
半導体レーザ。 3 最小のバンドギヤツプを有する層3の厚さが
0.2μm以下である実用新案登録請求の範囲第
1項記載の半導体レーザ。 4 レーザ活性領域は少なくとも3つの個別層3
,4,5から成り、その際最も上の層5はnドー
ピングされており、その下に位置する層4はpド
ーピングされており、また拡散されたp導電形の
導電路9はレーザ活性領域の最も上の層5を通し
てその下に位置する層4内に達しており、最も上
の層5においてはn導電形からp導電形に変わつ
ている実用新案登録請求の範囲第1項記載の半導
体レーザ。 5 層1乃至7およびサブストレート20は次の
ように、即ち 層材料 導電形 (20 GaAs n(サブストレート) 1 Ga1−XA1XAs n 2 Ga1−XA1XAs n 3 Ga1−XA1XAs nまたはp 4 Ga1−XA1XAs p 5 Ga1−XA1XAs n 6 Ga1―XA1XAs nまたはp 7 GaAs層n nまたはp に形成されており、その際レーザ活性領域は4つ
の個別層(2,3,4および5)から成り、かつ
x,x>x,x,x,x並びにx<
x,Xが成立ち、またストライプ状の導電路
は第5の層5を通して第4の層4まで達しており
、従つて第6および第5の層(6および5)にお
いて導電形がnからpへ変わつている実用新案登
録請求の範囲第1項記載の半導体レーザ。 6 各層が次のように、即ち 層材料 導電形 (20 np n(サブストレート) 1 Ga1−XnXAs1−yPy n 2 Ga1−XInXAs1−yPy
n 3 Ga1−XnXAs1―yPy
nまたはp 4 Ga1−XnXAs1―yPy
p 5 Ga1−XnXAs1−yPy
n 6 Ga1−XInXAs1−yPy
nまたはp 7 Ga1−XInXAs1−yPy
nまたはp から成り、その際x,x>x,x,x,
x並びにx〈x,xが成立ちかつy,y
,y,y,x,y,yは各層におい
て格子定数がInpの格子定数に相応する、即ち
それぞれの層において1―x1―y0.47が
成立つように選択されている実用新案登録請求の
範囲第1項記載の半導体レーザ。 7 x<xである実用新案登録請求の範囲第
5項記載の半導体レーザ。 8 第5の層5が1018cm−3より大きな濃度
でn形にドーピングされている実用新案登録請求
の範囲第5項記載の半導体レーザ。 9 第4の層4は、5・1017cm−3より小さ
な濃度でドーピングされている実用新案登録請求
の範囲第5項記載の半導体レーザ。 10 レーザ活性領域(2乃至5)の厚さは全体
で2μm以下である実用新案登録請求の範囲第1
項記載の半導体レーザ。 11 第2の層2が省略されている実用新案登録
請求の範囲第5項記載の半導体レーザ。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792933035 DE2933035A1 (de) | 1979-08-16 | 1979-08-16 | Halbleiterlaser |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01125570U true JPH01125570U (ja) | 1989-08-28 |
Family
ID=6078497
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10783080A Pending JPS5660090A (en) | 1979-08-16 | 1980-08-07 | Semiconductor laser |
JP1988124774U Pending JPH01125570U (ja) | 1979-08-16 | 1988-09-26 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10783080A Pending JPS5660090A (en) | 1979-08-16 | 1980-08-07 | Semiconductor laser |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4359775A (ja) |
JP (2) | JPS5660090A (ja) |
DE (1) | DE2933035A1 (ja) |
FR (1) | FR2463528A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4438446A (en) * | 1981-05-29 | 1984-03-20 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Double barrier double heterostructure laser |
US5055894A (en) * | 1988-09-29 | 1991-10-08 | The Boeing Company | Monolithic interleaved LED/PIN photodetector array |
JPH03237784A (ja) * | 1990-02-15 | 1991-10-23 | Omron Corp | 半導体素子およびその製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50150392A (ja) * | 1974-05-21 | 1975-12-02 | ||
JPS52106283A (en) * | 1976-03-03 | 1977-09-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser unit |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3691476A (en) * | 1970-12-31 | 1972-09-12 | Bell Telephone Labor Inc | Double heterostructure laser diodes |
JPS52109884A (en) * | 1976-03-11 | 1977-09-14 | Nec Corp | Stripe type hetero junction semoonductor laser |
CA1061555A (en) * | 1976-03-12 | 1979-09-04 | Tomy Kogyo Co. | Toy garage |
DE2822146C2 (de) * | 1978-05-20 | 1982-11-25 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Heterostruktur-Halbleiterlaserdiode und Verfahren zur Herstellung einer Heterostruktur-Halbleiterdiode |
US4233090A (en) * | 1979-06-28 | 1980-11-11 | Rca Corporation | Method of making a laser diode |
JPH05338280A (ja) * | 1992-06-12 | 1993-12-21 | Canon Inc | 印刷方法及びその装置 |
-
1979
- 1979-08-16 DE DE19792933035 patent/DE2933035A1/de active Granted
-
1980
- 1980-08-07 JP JP10783080A patent/JPS5660090A/ja active Pending
- 1980-08-14 FR FR8018001A patent/FR2463528A1/fr active Granted
- 1980-08-15 US US06/178,568 patent/US4359775A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-09-26 JP JP1988124774U patent/JPH01125570U/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50150392A (ja) * | 1974-05-21 | 1975-12-02 | ||
JPS52106283A (en) * | 1976-03-03 | 1977-09-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser unit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2463528A1 (fr) | 1981-02-20 |
FR2463528B1 (ja) | 1984-06-01 |
US4359775A (en) | 1982-11-16 |
JPS5660090A (en) | 1981-05-23 |
DE2933035A1 (de) | 1981-03-26 |
DE2933035C2 (ja) | 1989-10-12 |
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