JPH03237784A - 半導体素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体素子およびその製造方法Info
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- JPH03237784A JPH03237784A JP2032575A JP3257590A JPH03237784A JP H03237784 A JPH03237784 A JP H03237784A JP 2032575 A JP2032575 A JP 2032575A JP 3257590 A JP3257590 A JP 3257590A JP H03237784 A JPH03237784 A JP H03237784A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 22
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 22
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
技術分野
この発明は、オーミック接触構造をもつ半導体素子およ
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
従来技術
半導体素子の例として、AlGaAs系材料で構成され
かつ微小発光径をもつ上面出射型発光素子について説明
する。ApGaAs系において。
かつ微小発光径をもつ上面出射型発光素子について説明
する。ApGaAs系において。
オーミック接触抵抗を下げやすいものは組成的にはAρ
を含まないGaAsで、導電型ではn型のものである。
を含まないGaAsで、導電型ではn型のものである。
したがって、電極とオーミック接触を得るためのキャッ
プ層としてn−GaAsが最も多用されている。
プ層としてn−GaAsが最も多用されている。
第7a図から第7e図は上面出射型発光素子の製造工程
を示し、そのうちで第7d図および第7e図はそれぞれ
完成した発光素子の断面図および上面図である。
を示し、そのうちで第7d図および第7e図はそれぞれ
完成した発光素子の断面図および上面図である。
これらの図を参照して、p−GaAs基板4o上にp−
A、QGaAs下部クラッド層41.GaAs活性層4
2.n−AρGaAs上部クラッド層り3およびn−G
aAsキャップ層44を順次成長させる(第7a図)。
A、QGaAs下部クラッド層41.GaAs活性層4
2.n−AρGaAs上部クラッド層り3およびn−G
aAsキャップ層44を順次成長させる(第7a図)。
次に、キャップ層44上面の発光領域とすべき中央部分
に、フォトリソグラフィ工程により円形パターンのAZ
レジスト45をマスク材として形成し、それ以外の部分
を下部クラッド層41に達する深さまでエツチングによ
り除去し。
に、フォトリソグラフィ工程により円形パターンのAZ
レジスト45をマスク材として形成し、それ以外の部分
を下部クラッド層41に達する深さまでエツチングによ
り除去し。
その後1表面全体をSiO2等の絶縁膜46で覆う(第
7b図)。AZレジスト45およびその上部の絶縁膜を
その後除去する。さらにキャップ層44上に、上記AZ
レジスト45よりも小さい円形パターンのAZレジスト
(図示略)をマスク材としてフォトリソグラフィにより
形威し、このAZレジスト、キャップ層44の周辺部お
よび絶縁膜46の表面全体にn側電極47を蒸着し、そ
の後、上記AZレジストを除去する。これにより、出射
用の窓47aが形成されるとともに、窓47aの周囲に
おいてn側電極47がキャップ層44に円環状にオーミ
ック接触する(部分47b) (第7c図) o n
G aAsAsキャラ44は出射光の吸収層として
働くため、オーミック接触部分47bに対応する部分の
みを残して、キャップ層44の他の部分(中央部)をエ
ツチングにより除去する。キャップ層44にも出射用窓
44aがあけられたことになる(第7d図および第7e
図)。
7b図)。AZレジスト45およびその上部の絶縁膜を
その後除去する。さらにキャップ層44上に、上記AZ
レジスト45よりも小さい円形パターンのAZレジスト
(図示略)をマスク材としてフォトリソグラフィにより
形威し、このAZレジスト、キャップ層44の周辺部お
よび絶縁膜46の表面全体にn側電極47を蒸着し、そ
の後、上記AZレジストを除去する。これにより、出射
用の窓47aが形成されるとともに、窓47aの周囲に
おいてn側電極47がキャップ層44に円環状にオーミ
ック接触する(部分47b) (第7c図) o n
G aAsAsキャラ44は出射光の吸収層として
働くため、オーミック接触部分47bに対応する部分の
みを残して、キャップ層44の他の部分(中央部)をエ
ツチングにより除去する。キャップ層44にも出射用窓
44aがあけられたことになる(第7d図および第7e
図)。
このような上面出射型発光素子は2発光径を小さくする
ために1発光部分を残して周囲をエツチングし、これに
より電流狭窄構造を作製している。したがって、電極と
のオーミック接触を最上層の一部(オーミック接触部分
47b)でのみ得なければならない。
ために1発光部分を残して周囲をエツチングし、これに
より電流狭窄構造を作製している。したがって、電極と
のオーミック接触を最上層の一部(オーミック接触部分
47b)でのみ得なければならない。
最上層の結晶材料として上述のように接触抵抗をできる
だけ小さくできる材料を用い、これにより素子表面を覆
う必要がある。しかしながら、この材料は光を吸収して
しまうために発光素子としての出力低下を招くことにな
る。したがってエツチング等で出射領域となる部分を除
去する(窓44aを形成する)工程が必要である。
だけ小さくできる材料を用い、これにより素子表面を覆
う必要がある。しかしながら、この材料は光を吸収して
しまうために発光素子としての出力低下を招くことにな
る。したがってエツチング等で出射領域となる部分を除
去する(窓44aを形成する)工程が必要である。
また1発光径を小さくしようとするとオーミック接触部
分の面積も小さくなってしまうために駆動電圧の上昇を
招き1発熱のために発光出力の向上が望めないという問
題がある。この点についてさらに詳しく説明する。
分の面積も小さくなってしまうために駆動電圧の上昇を
招き1発熱のために発光出力の向上が望めないという問
題がある。この点についてさらに詳しく説明する。
オーミック接触の良否は通常、接触比抵抗Rc(Ω・c
j)が1O−5と比べて大きいか、小さいかで評価され
、小さいほど良いとされる。上述の上面出射型発光素子
において、 Rc −5X 1O−6(Ω・cd )
とし、オーミック接触部分47bの内径が80μm、外
径が100μmであるとする。この場合。
j)が1O−5と比べて大きいか、小さいかで評価され
、小さいほど良いとされる。上述の上面出射型発光素子
において、 Rc −5X 1O−6(Ω・cd )
とし、オーミック接触部分47bの内径が80μm、外
径が100μmであるとする。この場合。
接触面積は約3 X 1O−5cdとなり、接触抵抗は
約0.17Ωとなる。
約0.17Ωとなる。
発光領域をさらに小さくしようとすると、オーミック接
触面積も小さくなるので接触抵抗は一層増加する。抵抗
成分の増加は発熱の増大となって現われるため1発光素
子の出力低下を引起す。
触面積も小さくなるので接触抵抗は一層増加する。抵抗
成分の増加は発熱の増大となって現われるため1発光素
子の出力低下を引起す。
次に、拡散工程を利用して電流狭窄構造を形成した端面
出射型発光素子のいくつかの例について説明する。
出射型発光素子のいくつかの例について説明する。
第8図はC8Pレーザ(Channeled 5ubs
tratePlanar La5er)の構造の一例を
示している。
tratePlanar La5er)の構造の一例を
示している。
C8Pレーザはフォトリソグラフィ工程等で溝加工され
たn−GaAs基板50の表面にn−A、17xGa
As下部クラッド層51.p−AI。
たn−GaAs基板50の表面にn−A、17xGa
As下部クラッド層51.p−AI。
−x
Ga As活性層52.p−AN Ga A
s1−y x
1−x上部クララド層53.およびn−Q
a A sキャラプ層54を順次積層し、キャップ層5
4および上部クラッド層53にp −Zn拡散領域5
5を形成した構造である。成長面の上面にp側電極57
が、基板下面にn側電極56がそれぞれ形成されている
。
s1−y x
1−x上部クララド層53.およびn−Q
a A sキャラプ層54を順次積層し、キャップ層5
4および上部クラッド層53にp −Zn拡散領域5
5を形成した構造である。成長面の上面にp側電極57
が、基板下面にn側電極56がそれぞれ形成されている
。
このようにC8Pレーザでは、n型最上層(キャップ層
54)の一部をZn拡散工程によってp型に反転するこ
とにより電流狭窄構造を形成している。またp型電極5
7でキャップ層54の全面を覆い、狭いp型反転領域5
5とオーミック接触させている。
54)の一部をZn拡散工程によってp型に反転するこ
とにより電流狭窄構造を形成している。またp型電極5
7でキャップ層54の全面を覆い、狭いp型反転領域5
5とオーミック接触させている。
上述のように、オーミック接触の良否はRcによって評
価される。たとえば、 Rc −5X 1O−6(Ω
・cd)としたときに、p型反転領域55の面積を1.
5810−5cmとすると、接触抵抗は約0.33Ωと
なる。発光領域を小さくするためにp型反転領域をさら
に小さくすると、接触抵抗による抵抗分は増大する。
価される。たとえば、 Rc −5X 1O−6(Ω
・cd)としたときに、p型反転領域55の面積を1.
5810−5cmとすると、接触抵抗は約0.33Ωと
なる。発光領域を小さくするためにp型反転領域をさら
に小さくすると、接触抵抗による抵抗分は増大する。
第9図は発光素子における順方向電圧/電流特性のRe
依存性を示すグラフである。接触抵抗が大きくなると駆
動電圧を上昇させなければならない。接触抵抗の増大は
発熱量の増大となって現われ、これにより発光素子の出
力の低下が引起こされる。
依存性を示すグラフである。接触抵抗が大きくなると駆
動電圧を上昇させなければならない。接触抵抗の増大は
発熱量の増大となって現われ、これにより発光素子の出
力の低下が引起こされる。
拡散工程を利用して、最上層の一部の導電型を反転させ
ることにより電流狭窄構造を形成する端面出射型発光素
子の他の例としては、TSレーザ(Terraced
5ubstrate La5er) 、 T J S
レーザ(Transverse Junctlon 5
tripe La5er)等があるが、これらにおいて
も同じように、極性反転領域をオーミック電極が直接覆
う構造のため、接触抵抗を下げるのが困難である。極性
反転領域をさらに小さくしようとすると接触抵抗の増大
のため駆動電圧の上昇を招き2発熱のために発光出力の
向上が望めないという問題がある。
ることにより電流狭窄構造を形成する端面出射型発光素
子の他の例としては、TSレーザ(Terraced
5ubstrate La5er) 、 T J S
レーザ(Transverse Junctlon 5
tripe La5er)等があるが、これらにおいて
も同じように、極性反転領域をオーミック電極が直接覆
う構造のため、接触抵抗を下げるのが困難である。極性
反転領域をさらに小さくしようとすると接触抵抗の増大
のため駆動電圧の上昇を招き2発熱のために発光出力の
向上が望めないという問題がある。
発明の概要
この発明は半導体素子の最上層と電極との間のオーミッ
ク接触抵抗を小さくすることを目的とする。
ク接触抵抗を小さくすることを目的とする。
この発明はまた1発光領域を小さく保ったままで半導体
発光素子の発光出力の増大を図ることを目的とする。
発光素子の発光出力の増大を図ることを目的とする。
この発明による半導体素子は、第1導電型の第1半導体
層と第2導電型の第2半導体層とによりpn接合電流阻
止層が形成されかつその一部において第2半導体層から
第1半導体層に第2導電型の電流通路領域が形成され、
第2半導体層の上面のほぼ全面にオーミック接触電極が
形成されていることを特徴とする。
層と第2導電型の第2半導体層とによりpn接合電流阻
止層が形成されかつその一部において第2半導体層から
第1半導体層に第2導電型の電流通路領域が形成され、
第2半導体層の上面のほぼ全面にオーミック接触電極が
形成されていることを特徴とする。
この発明による半導体素子は上面出射型発光素子であり
、この上面出射型発光素子は1発光層の上部に、第1導
電型の第1半導体層と第2導電型の第2半導体層からな
るpn接合電流阻止層が形成されかつその一部において
第2半導体層から第1半導体層に第2導電型の電流通路
領域が形成され、この電流通路領域の上部を除いて、第
2半導体層の上面の全面にオーミック接触電極が形成さ
れていることを特徴とする。
、この上面出射型発光素子は1発光層の上部に、第1導
電型の第1半導体層と第2導電型の第2半導体層からな
るpn接合電流阻止層が形成されかつその一部において
第2半導体層から第1半導体層に第2導電型の電流通路
領域が形成され、この電流通路領域の上部を除いて、第
2半導体層の上面の全面にオーミック接触電極が形成さ
れていることを特徴とする。
この発明による半導体素子は端面出射型発光素子であり
、この端面出射型発光素子は1発光層の上部に、第1導
電型の第1半導体層と第2導電型の第2半導体層からな
るpn接合電流阻止層が形成されかつ半導体素子の端面
にのぞむその一部において第2半導体層から第1半導体
層に第2導電型の電流通路領域が形成され、第2半導体
層の上面の全面にオーミック接触電極が形成されている
ことを特徴とする。
、この端面出射型発光素子は1発光層の上部に、第1導
電型の第1半導体層と第2導電型の第2半導体層からな
るpn接合電流阻止層が形成されかつ半導体素子の端面
にのぞむその一部において第2半導体層から第1半導体
層に第2導電型の電流通路領域が形成され、第2半導体
層の上面の全面にオーミック接触電極が形成されている
ことを特徴とする。
この発明による半導体素子の製造方法は、第1導電型の
第1半導体層と第2導電型の第2半導体層とによりpn
接合電流阻止層を形成しかつその一部において第2半導
体層から第1半導体層に第2導電型の電流通路領域を形
成し、第2半導体層の上面のほぼ全面にオーミック接触
電極を形成することを特徴とする。
第1半導体層と第2導電型の第2半導体層とによりpn
接合電流阻止層を形成しかつその一部において第2半導
体層から第1半導体層に第2導電型の電流通路領域を形
成し、第2半導体層の上面のほぼ全面にオーミック接触
電極を形成することを特徴とする。
この発明によると、第2半導体層と電極との間において
、はぼその全面でオーミック接触が得られるので接触抵
抗を小さくすることができる。
、はぼその全面でオーミック接触が得られるので接触抵
抗を小さくすることができる。
この発明を上面出射型、端面出射型発光素子に適用した
場合には1発光領域を小さくすることができ、しかも接
触抵抗が小さいから駆動電圧の上昇を抑えることができ
1発熱が原因となって発光出力を低下させることがない
。
場合には1発光領域を小さくすることができ、しかも接
触抵抗が小さいから駆動電圧の上昇を抑えることができ
1発熱が原因となって発光出力を低下させることがない
。
さらにこの発明を上面出射型発光素子に適用した場合に
は、!&上層を結晶材料で覆うことがなく、光の出射窓
をあけるための部分的なエツチング工程が不要となり1
製造工程の簡略化を図ることができる。
は、!&上層を結晶材料で覆うことがなく、光の出射窓
をあけるための部分的なエツチング工程が不要となり1
製造工程の簡略化を図ることができる。
実施例の説明
まず上面出射型発光素子の実施例について詳述する。
第1a図はこの発明の実施例による上面出射型発光素子
の断面図、第1b図は上面図である。第2a図から第2
c図は、この上面出射型発光素子の製造工程を示すもの
である。
の断面図、第1b図は上面図である。第2a図から第2
c図は、この上面出射型発光素子の製造工程を示すもの
である。
製造工程を説明することによりこの実施例の上面出射型
発光素子の構造を明らかにする。
発光素子の構造を明らかにする。
まず、n−GaAs基板10上にn−A、17GaAs
下部クラッド層11.GaAs活性層12. pAp
GaAs上部クラッド層1り、n−ANGaAs層14
.およびp−A、pGaAsキャップ層15を順次成長
させる(第2a図)。これはpnpn構造である。
下部クラッド層11.GaAs活性層12. pAp
GaAs上部クラッド層1り、n−ANGaAs層14
.およびp−A、pGaAsキャップ層15を順次成長
させる(第2a図)。これはpnpn構造である。
次に、p−AllGaAsキャップ層15上の所望の位
置、たとえば中央部に塗付性の拡散剤(OCD)を用い
てまたは石英管内でのZn拡散工程により、所望の発光
径でp−ANGaAsNGaAs上部クララでZnを拡
散する(p−Zn拡散領域16)(第2b図)。これに
より、 n−AlGaAs層14の一部がp型に反転
する。n−AllGaAs層14とp−AllGaAs
キャップ層15との境界面は、逆バイアスが加えられた
ときに電流阻止面となり、p−Zn拡散領域i6にのみ
電流が流れるから、電流狭窄構造となっている。
置、たとえば中央部に塗付性の拡散剤(OCD)を用い
てまたは石英管内でのZn拡散工程により、所望の発光
径でp−ANGaAsNGaAs上部クララでZnを拡
散する(p−Zn拡散領域16)(第2b図)。これに
より、 n−AlGaAs層14の一部がp型に反転
する。n−AllGaAs層14とp−AllGaAs
キャップ層15との境界面は、逆バイアスが加えられた
ときに電流阻止面となり、p−Zn拡散領域i6にのみ
電流が流れるから、電流狭窄構造となっている。
さらに、フォトリソグラフィ工程等により。
p−Zn拡散領域I6上の部分にのみAZレジストによ
るマスクを形成し、キャップ層15上面全体にp側電極
18を蒸着し、リフトオフ等によりマスクを除去するこ
とにより光を取出すための窓18aをp側電極18に形
成する。最後に、基板10の下面にn側電極17を形成
する(第2C図)。このようにして、窓18aの部分を
除いて、p側電極18はその全面においてキャップ層1
5とオーミック接触することになる。
るマスクを形成し、キャップ層15上面全体にp側電極
18を蒸着し、リフトオフ等によりマスクを除去するこ
とにより光を取出すための窓18aをp側電極18に形
成する。最後に、基板10の下面にn側電極17を形成
する(第2C図)。このようにして、窓18aの部分を
除いて、p側電極18はその全面においてキャップ層1
5とオーミック接触することになる。
すなわち、上述のように従来例では電流狭窄領域を小さ
くすると接触抵抗が増加するために高出力化が困難であ
ったが、上記実施例ではオーミック接触は光の取出し領
域を除く全領域で可能なため光取出し領域を小さくすれ
ばするほど、接触抵抗が小さくなり高出力化が可能とな
る。また。
くすると接触抵抗が増加するために高出力化が困難であ
ったが、上記実施例ではオーミック接触は光の取出し領
域を除く全領域で可能なため光取出し領域を小さくすれ
ばするほど、接触抵抗が小さくなり高出力化が可能とな
る。また。
オーミック接触面積が大きいため、接触抵抗が大きいの
で用いられなかったp−AllGaAsをキャップ層と
して用いることも可能となる。さらに、p−AfIGa
As層キャップは光吸収層としては働かないためエツチ
ングする必要もなく製造工程が簡略化できる。
で用いられなかったp−AllGaAsをキャップ層と
して用いることも可能となる。さらに、p−AfIGa
As層キャップは光吸収層としては働かないためエツチ
ングする必要もなく製造工程が簡略化できる。
この発明はAllGaAs系材料に限定されるものでは
ない。また、p−Zn拡散領域にも限定されず、極性が
逆の拡散領域でもよいし、イオン注入によって形成する
こともできる。
ない。また、p−Zn拡散領域にも限定されず、極性が
逆の拡散領域でもよいし、イオン注入によって形成する
こともできる。
さらにこの発明によると発光素子のアレイ化も可能とな
る。第3図は発光素子の2次元アレイの構造を示すもの
である。この図において、既述したものと同一物には同
一符号が付しである。
る。第3図は発光素子の2次元アレイの構造を示すもの
である。この図において、既述したものと同一物には同
一符号が付しである。
n −G a A s基板IO上に、n−AlGaAs
下部クラッド層11.GaAs活性層12.p−AlG
aAs上部クラッド層13. n−Al7 GaAs
層14およびp−AllGaAsキャップ層14が形成
されている。このウェハの上面において、複数本の互い
に直交する溝19が縦方向および横方向に所定間隔でn
−AlGaAs層14に達するまで形成され、これらの
溝19で囲まれた部分が個別の発光素子となっている。
下部クラッド層11.GaAs活性層12.p−AlG
aAs上部クラッド層13. n−Al7 GaAs
層14およびp−AllGaAsキャップ層14が形成
されている。このウェハの上面において、複数本の互い
に直交する溝19が縦方向および横方向に所定間隔でn
−AlGaAs層14に達するまで形成され、これらの
溝19で囲まれた部分が個別の発光素子となっている。
各発光素子において、その一部にp−Zn拡散領域16
が形成され、これらの領域16の上方を光出射窓18a
とするp側電極18A 。
が形成され、これらの領域16の上方を光出射窓18a
とするp側電極18A 。
18B、 18C等が形成されている。これらの電極1
8A〜18Cは互いに絶縁されている。ウェハの下面に
は共通のn側電極17が設けられている。
8A〜18Cは互いに絶縁されている。ウェハの下面に
は共通のn側電極17が設けられている。
次に端面出射型発光素子に関する実施例について詳述す
る。
る。
第4図はこの発明の端面出射型発光素子の実施例を示す
斜視図である。この実施例では、微小発光領域にしたと
きの効果を強調するために、 p −Zn拡散領域が
半楕円形のパターンとされている。このようなパターン
のp−Zn拡散領域をもつ発光素子はいわゆるスーパー
LEDとなる。
斜視図である。この実施例では、微小発光領域にしたと
きの効果を強調するために、 p −Zn拡散領域が
半楕円形のパターンとされている。このようなパターン
のp−Zn拡散領域をもつ発光素子はいわゆるスーパー
LEDとなる。
第5a図から第5c図を参照してその製造工程を説明す
ることにより上記端面出射型発光素子の構成を明らかに
する。
ることにより上記端面出射型発光素子の構成を明らかに
する。
n−GaAs基板20上にn−AlGaAs下部8 −
3 クラッド層(10cs 、 1μm) 21.0a
As活性層(ノンドープ、 0.1 μm) 22.
p−Al1 Ga8−3 As上部クラッド層(10am 、 1μm) 23
゜7−3 n−GaAs (10c+n 、 0.5 μm)
24.および9 −3 p−GaAsキャップ層(〜10 am 、 1
μm)25を順次成長する(第5a図)。
3 クラッド層(10cs 、 1μm) 21.0a
As活性層(ノンドープ、 0.1 μm) 22.
p−Al1 Ga8−3 As上部クラッド層(10am 、 1μm) 23
゜7−3 n−GaAs (10c+n 、 0.5 μm)
24.および9 −3 p−GaAsキャップ層(〜10 am 、 1
μm)25を順次成長する(第5a図)。
次に、キャップ層25上面全面に5in2等によるマス
ク29を形成し、フォトリソグラフィ工程等により、@
面にのぞむ所定位置に所定の大きさの窓29aをあける
。そして、この窓29aを通して。
ク29を形成し、フォトリソグラフィ工程等により、@
面にのぞむ所定位置に所定の大きさの窓29aをあける
。そして、この窓29aを通して。
塗付性の拡散剤(OCD)を用いてまたは石英管内での
zn拡散工程により、p−AjlGaAs上部クラッド
層2りまでZnを拡散し、p−Zn拡散領域26を形成
する(第5b図)。
zn拡散工程により、p−AjlGaAs上部クラッド
層2りまでZnを拡散し、p−Zn拡散領域26を形成
する(第5b図)。
n−GaAs層24とp−GaAsキャップ層25との
境界面は電流阻止面となるが、p−Zn拡散領域26の
部分においてn−GaAs層24がp型に反転している
ためにこの部分のみを電流が流れる電流狭窄構造がつく
られている。
境界面は電流阻止面となるが、p−Zn拡散領域26の
部分においてn−GaAs層24がp型に反転している
ためにこの部分のみを電流が流れる電流狭窄構造がつく
られている。
最後にマスク29を除去し、ウェハの上面および下面の
全面にそれぞれp側電極28とn側電極27を形成する
。
全面にそれぞれp側電極28とn側電極27を形成する
。
このようにして、この実施例においても、p側電極28
とp−GaAsキャップ層25とはその全面においてオ
ーミック接触し、接触抵抗をきわめて小さくすることが
可能であり、高出力化が可能となる。
とp−GaAsキャップ層25とはその全面においてオ
ーミック接触し、接触抵抗をきわめて小さくすることが
可能であり、高出力化が可能となる。
第6図はp−Zn拡散領域213Aを両端面間の全長に
わたって所定幅で形成した実施例を示すものである。こ
の構造のものはレーザ発振するので半導体レーザとなる
。
わたって所定幅で形成した実施例を示すものである。こ
の構造のものはレーザ発振するので半導体レーザとなる
。
このようにp−Zn拡散領域のパターンは任意であり、
この領域の極性を逆にすることも、この領域をイオン注
入で形成することもできる。さらに半導体材料としては
GaAs系に限られるものではない。
この領域の極性を逆にすることも、この領域をイオン注
入で形成することもできる。さらに半導体材料としては
GaAs系に限られるものではない。
第3図に示すものと同じように、この端面出射型半導体
レーザも一次元アレイ化または2次元アレイ化すること
も可能である。
レーザも一次元アレイ化または2次元アレイ化すること
も可能である。
第1a図から第3図はこの発明を上面出射型発光素子に
適用した実施例を示すものである。 第1a図は上面出射型発光素子の断面図、第1b図はそ
の上面図である。 第2a図から第2c図は上面出射型発光素子の製造工程
を示すものである。 第3図は上面出射型発光素子をアレイ化した構造を示す
断面図である。 第4図から第6図はこの発明を端面出射型発光素子に適
用した実施例を示すものである。 第4図は端面出射型発光ダイオードの構造を示す斜視図
である。 第5a図から第5c図は端面出射型発光ダイオードの製
造工程を示すものである。 第6図は端面出射型半導体レーザの構造を示す斜視図で
ある。 第7a図から第8図は従来例を示すものである。 第7a図から第7e図は従来の上面出射型発光素子の製
造工程およびその構造を示すもので、第7a図から第7
d図は断面図、第7e図は上面図である。 第8図はC8Pレーザの構造を示す断面図である。 第9図は半導体発光素子の順方向電圧/電流特性の接触
抵抗依存性を示すグラフである。 14−n−Al G a A s (第1半導体層)。 L5−−−p−AD GaAsキャップ層(第2半導体
層)。 18、2B、 28A −p −Z n拡散領域(電流
通路領域)。 18、18A〜18c、 2B・・・p側電極。 24=−n−GaAs (第1半導体層)。 25・・・p−c A (第2半導体層) 以 上
適用した実施例を示すものである。 第1a図は上面出射型発光素子の断面図、第1b図はそ
の上面図である。 第2a図から第2c図は上面出射型発光素子の製造工程
を示すものである。 第3図は上面出射型発光素子をアレイ化した構造を示す
断面図である。 第4図から第6図はこの発明を端面出射型発光素子に適
用した実施例を示すものである。 第4図は端面出射型発光ダイオードの構造を示す斜視図
である。 第5a図から第5c図は端面出射型発光ダイオードの製
造工程を示すものである。 第6図は端面出射型半導体レーザの構造を示す斜視図で
ある。 第7a図から第8図は従来例を示すものである。 第7a図から第7e図は従来の上面出射型発光素子の製
造工程およびその構造を示すもので、第7a図から第7
d図は断面図、第7e図は上面図である。 第8図はC8Pレーザの構造を示す断面図である。 第9図は半導体発光素子の順方向電圧/電流特性の接触
抵抗依存性を示すグラフである。 14−n−Al G a A s (第1半導体層)。 L5−−−p−AD GaAsキャップ層(第2半導体
層)。 18、2B、 28A −p −Z n拡散領域(電流
通路領域)。 18、18A〜18c、 2B・・・p側電極。 24=−n−GaAs (第1半導体層)。 25・・・p−c A (第2半導体層) 以 上
Claims (4)
- (1)第1導電型の第1半導体層と第2導電型の第2半
導体層とによりpn接合電流阻止層が形成されかつその
一部において第2半導体層から第1半導体層に第2導電
型の電流通路領域が形成され、第2半導体層の上面のほ
ぼ全面にオーミック接触電極が形成されている半導体素
子。 - (2)発光層の上部に、第1導電型の第1半導体層と第
2導電型の第2半導体層からなるpn接合電流阻止層が
形成されかつその一部において第2半導体層から第1半
導体層に第2導電型の電流通路領域が形成され、この電
流通路領域の上部を除いて、第2半導体層の上面の全面
にオーミック接触電極が形成されている上面出射型発光
素子である半導体素子。 - (3)発光層の上部に、第1導電型の第1半導体層と第
2導電型の第2半導体層からなるpn接合電流阻止層が
形成されかつ半導体素子の端面にのぞむその一部におい
て第2半導体層から第1半導体層に第2導電型の電流通
路領域が形成され、第2半導体層の上面の全面にオーミ
ック接触電極が形成されている端面出射型発光素子であ
る半導体素子。 - (4)第1導電型の第1半導体層と第2導電型の第2半
導体層とによりpn接合電流阻止層を形成しかつその一
部において第2半導体層から第1半導体層に第2導電型
の電流通路領域を形成し、第2半導体層の上面のほぼ全
面にオーミック接触電極を形成する半導体素子の製造方
法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2032575A JPH03237784A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 半導体素子およびその製造方法 |
US08/056,941 US5994723A (en) | 1990-02-15 | 1993-05-05 | Semiconductor element and its method of manufacturing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2032575A JPH03237784A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 半導体素子およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03237784A true JPH03237784A (ja) | 1991-10-23 |
Family
ID=12362685
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2032575A Pending JPH03237784A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | 半導体素子およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5994723A (ja) |
JP (1) | JPH03237784A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5550391A (en) * | 1993-06-18 | 1996-08-27 | Ricoh Company, Ltd. | Light-emitting diode and light-emitting diode array |
JP2006074051A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 面発光レーザのための放射光を出射する半導体基体およびその製造方法 |
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US6291839B1 (en) * | 1998-09-11 | 2001-09-18 | Lulileds Lighting, U.S. Llc | Light emitting device having a finely-patterned reflective contact |
JP2002033552A (ja) * | 2000-05-11 | 2002-01-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子、半導体エッチング液および半導体レーザ素子の製造方法 |
US7009214B2 (en) * | 2003-10-17 | 2006-03-07 | Atomic Energy Council —Institute of Nuclear Energy Research | Light-emitting device with a current blocking structure and method for making the same |
DE502005003172D1 (de) * | 2004-08-31 | 2008-04-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Vertikal emittierender Halbleiterlaser mit externem Resonator und Verfahren zu dessen Herstellung |
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US3984262A (en) * | 1974-12-09 | 1976-10-05 | Xerox Corporation | Method of making a substrate striped planar laser |
US4124826A (en) * | 1977-03-01 | 1978-11-07 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Current confinement in semiconductor lasers |
DE2933035A1 (de) * | 1979-08-16 | 1981-03-26 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 60596 Frankfurt | Halbleiterlaser |
JPS6014482A (ja) * | 1983-07-04 | 1985-01-25 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置 |
US4792958A (en) * | 1986-02-28 | 1988-12-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser with mesa stripe waveguide structure |
JPS63205984A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | 面発光型半導体レ−ザ |
JPH0212885A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-17 | Nec Corp | 半導体レーザ及びその出射ビームの垂直放射角の制御方法 |
JPH02174272A (ja) * | 1988-12-17 | 1990-07-05 | Samsung Electron Co Ltd | 発光ダイオードアレイの製造方法 |
-
1990
- 1990-02-15 JP JP2032575A patent/JPH03237784A/ja active Pending
-
1993
- 1993-05-05 US US08/056,941 patent/US5994723A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5550391A (en) * | 1993-06-18 | 1996-08-27 | Ricoh Company, Ltd. | Light-emitting diode and light-emitting diode array |
JP2006074051A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 面発光レーザのための放射光を出射する半導体基体およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5994723A (en) | 1999-11-30 |
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