JPH01123448A

JPH01123448A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH01123448A
Application number: JP62280760A
Authority: JP
Inventors: Koichi Kiyozuka; 清塚　巧一
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1987-11-06
Filing date: 1987-11-06
Publication date: 1989-05-16

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、半導体装置の製造方法、特に、樹脂封止形パ
ッケージを備えている半導体装置における樹脂ばりを防
止する技術に関し、例えば、樹脂封止形のデュアル・イ
ン・ライン・パッケージを備えているパイ・ポーラ形半
導体集積回路装置（以下、樹脂封止形ＤＩＰ・ＩＣとい
うことがある。

）の製造に利用して有効なものに関する。

〔従来の技術〕

一般に、樹脂封止形ＤＩＰ・ＩＣを製造する場合、複数
本のリードを備えた単位リードフレームが複数並設され
ているリードフレーム（以下、多連リードフレームとい
う、）が使用されており、この多連リードフレームには
トランスファ成形装置により樹脂封止形パッケージが複
数の単位リードフレームについて同時に成形されている
。

従来、多連リードフレームの長さに対する樹脂封止形Ｄ
ｘか・ＩＣの取得数を増加するため、このＩＣの製造に
所謂合掌形リードフレームが使用される場合がある。す
なわち、合掌形リードフレームは多連リードフレームを
構成する複数の単位リードフレームの間隔を、相隣り合
う単位リードフレームの各リードをその一部空間を共用
するように交互に配列することにより詰め、多連リード
フレーム全体において単位リードフレームの連敗を増加
したものである。

なお、このような合掌形リードフレームを述べである例
としては、特開昭５９−１８２５４９号公報がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

このような合掌形リードフレームが使用される樹脂封止
形ＤＩＰ・ＩＣの製造方法においては、各リードの先端
が相手方の単位リードフレームのダムに接続されている
場合、樹脂封止形パッケージ群がトランスファ成形装置
により同時成形される際に、キャビティーからダムとダ
ムとの間に流出した樹脂がダム表面に沿ってそこに接続
されている相手方単位リードフレームのリード先端部に
まで流出することにより、硬化付着してしまうため、当
該リードに対するはんだ被膜被着処理工程において、は
んだ被膜の被着不良が発生するという問題点があること
が、本発明者によって明らかにされた。

このようなはんだ被膜の被着不良の発生を防止する手段
として、リード先端部に硬化付着した樹脂被膜（所謂、
ぼり）に、高圧水や研磨材入りの高圧水、あるいはくる
み粉、ビーチ粉等のような研磨材を吹き付けて除去する
方法を使用することが考えられるが、作業工程数が増加
するばかりでなく、事後処理であるため、除去不足やリ
ードの損傷等の２次的弊害が発生する。

本発明の目的は、リード先端部への樹脂付着を防止する
ことができる半導体装置の製造方法を提供することにあ
る。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔問題点を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。

すなわち、リード先端が相手方単位リードフレームのダ
ムに接続されている合掌形リードフレームが使用されて
いる半導体装置の製造方法において、前記ダムに樹脂ト
ラップ用凹部を形成したものである。

〔作用〕

前記した手段によれば、樹脂封止形パッケージの成形時
に、成形材料としての樹脂がキャビティーからダムに流
出したとしても、当該樹脂はダム表面に沿って流れて凹
部にトラップされるため、このダムに接続されている相
手方単位リードフレームのリード先端部にまで流出する
ことはない。

したがって、リード先端部に樹脂が付着することがない
ため、当該リードに対するはんだ被膜被着処理工程にお
いて、リード先端部におけるはんだ被膜の被着不良が発
生することはｌ・熱的に回避されることになる。

また、リード先端部に樹脂が付着するのを未然に防止さ
れるため、事後的に付着樹脂を除去する作業も必然的に
省略することができる。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
に使用される合掌形リードフレームを示す一部省略平面
図、第２図はそのダム付近を示す拡大部分平面図、第３
図はペレットおよびワイヤボンディング後のタブ付近を
示す拡大部分平面図、第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ線に
沿う縦断面図、第５図は樹脂封止形パッケージの成形工
程を示す縦断面図、第６図は第５図のｖｒ−ｖｒ線に沿
う拡大部分縦断面図、第７図は樹脂封止形パッケージ成
形後の合掌形リードフレームを示す一部省略平面図、第
８図および第９図は作用を説明するための各拡大部分平
面図、第１０図ははんだめっき処理工程を示す一部省略
縦断面図、第１１図はリード切断成形工程を示す縦断面
図、第１２図はそのリード成形後の要部を示す拡大部分
斜視図、第１３図はこの半導体装置の製造方法で得られ
た樹脂封止形ＤＩｐ−ｆｃの実装状態を示す一部省略一
部切断斜視図、第１４図および第１５図は作用を説明す
るための各拡大縦断面図である。

本実施例において、この半導体装置の製造方法は樹脂封
止形ＤＩＰｉＣを製造するのに使用されており、第１図
に示されている合掌形リードフレーム１が使用されてい
る。

この合掌形リードフレーム１は銅系（胴またはその合金
）材料、鉄系（４２７０イやコバール等）材料等のよう
な導電性材料から成る薄板を用いて、打ら抜きプレス加
工またはエツチング加工等のような適当な手段により一
体成形されており、この合掌形リードフレーム１には複
数の単位リードフレーム２が横方向に１列に並設されて
いる。

単位ＪＪ−ドフレーム２は位置決め孔３ａが開設されて
いる外枠３を一対備えており、両外枠３は所定の間隔で
平行に一連にそれぞれ延設されている。各単位リードフ
レーム２において、両外枠３にはタブ吊りリード４が直
角に突設されており、このリード４の先端部にはタブ５
が略正方形形状に形成されている０両外枠３．３間には
複数本のり−ド６が、その一端部群がタブ５をこれに近
接して取り囲むように、かつ、他端部が外枠方向と平行
に延在するようにそれぞれ配されており、各リード６は
相隣り合うリード６．６間に架設されて両外枠３．３に
一体的に連設されたダム７群により支持されている。各
リード６のタブ５側端部は先端をタブ５に近接してこれ
を取り囲むように配されることにより、インナ部６ａを
それぞれ構成している。他方、各リード６の外枠方向と
平行に延設された反タブ側延長部分は、その先端が相隣
り合う単位リードフレーム２におけるダム７に一体的に
接続されており、アウタ部６ｂをそれぞれ構成している
。

相隣り合う単位リードフレーム２．２における各リード
６のアウタ部６ｂのそれぞれは、相隣り合うダム７．７
間の幅内において１本宛交互に配列されている。このよ
うに相隣り合う単位リードフレーム２．２のアウタ部６
ｂと６ｂとが交互に配列された空間は、相隣り合う単位
リードフレーム２．２において共用されている空間にな
るため、この共用空間の分だけ、合掌リードフレーム１
の長さは短縮されることになる。

リード６のアウタ部６ｂはダム７の付近において幅広に
、また、ダム７から環タブ方向に離れた部分において幅
狭になるように形成されており、幅広部と幅狭部との境
界部にはテーパ部６Ｃがタブと反対方向に行くにしたが
って次第に幅狭になるように形成されている。また、ア
ウタ部６ｂのダム７との接続部にもテーパ部６ｄが接続
方向に行くにしたがって次第に幅狭になるように形成さ
れている。

そして、各ダム７には樹脂トラップ用凹部としての長孔
８が、ダム７の短手方向の中心線上に配されて、その両
端部が半円形状に丸められた長円形状にそれぞれ開設さ
れている。長孔８の長さＡは、その端末からり一部６側
縁までに約０．ＩＭ程度の微小間隔Ｃが両脇にそれぞれ
均等に介在されるように、ダム７の長さａよりも若干短
く設定されている。また、長孔８の幅Ｂは、その両脇に
長孔の幅よりも若干狭めの間隔ｄがそれぞれ均等に介在
されるように、ダム７の幅すの半分よりも若干広めの寸
法に設定されている。

合掌形リードフレーム１がプレス加工により打ち抜き成
形される場合、長孔８は打ち抜き型に長孔８を打ち抜く
ためのポンチを設けることにより、合掌形リードフレー
ムの成形と同時加工することができる。また、合掌形リ
ードフレーム１がエツチング加工により製造される場合
、被エソチング板材にパターンを転写するマスクに長孔
を転写するためのパターンを形成しておくことにより、
長孔８は合掌形リードフレームのエツチング加工と同時
に開設することができる。したがって、いずれの製造方
法においても、長孔８を開設することは、加工工数を増
加させることにはならない。

前記構成にかかる合掌形リードフレームには各単位リー
ドフレーム２毎にペレット・ボンディング作業、続いて
、ワイヤ・ボンディング作業が実施される。このボンデ
ィング作業は合掌形リードフレームが横方向にピッチ送
りされることにより、各単位リートフレーム２毎に順次
実施される。

このボンディング作業により、第３図および第４図に示
されているように、前工程においてバイポーラ形の集積
回路を作り込まれた半導体集積回路素子（以下、ペレッ
トという、）１２が各単位リードフレーム２におけるタ
ブ５上の略中央部に配されて、銀（Ａｇ）ペースト等の
接着材層または金−シリコン共晶層等のような適当な手
段により形成されるボンディング層１１を介して固着さ
れる。

そして、タブ５に固定的に搭載されたペレット１２の電
極バンド１２ａと、各単位リードフレー　−ム２におけ
るリード６のインナ部６ａとの間にはワイヤ１３が、そ
の両端部をそれぞれボンディングされてそれぞれ１１＆
各される。これにより、ペレット１２に作り込まれてい
る集積回路は、電極バッド１２ａ１ワイヤ１３、リード
６のインナ部６ａおよびアウタ部６ｂを介して電気的に
外部に引き出されることになる。

このようにしてペレットおよびワイヤ・ボンディングさ
れた合掌形リードフレームには、各単位リードフレーム
毎に樹脂封止するパッケージ群が、第５図および第６図
に示されているようなトランスファ成形装置を使用され
て単位リードフレーム群について同時成形される。

第５図および第６図に示されているトランスファ成形製
Ｗ２０はシリンダ装置等（図示せず）によって互いに型
締めされる一対の上型２１と下型２２とを備えており、
上型２１と下型２２との合わせ面には上型キャビティー
凹部２３ａと下型キャビティー凹部２３ｂとが互いに協
働してキャビティー２３を形成するように複数組没設さ
れている。上型２１の合わせ面にはボット２４が開設さ
れており、ボット２４にはシリンダ装置（図示せず）に
より進退されるプランジャ２５が成形材料としての樹脂
（以下、レジンという。）を送給し得るように挿入され
ている。下型２２の合わせ面にはカル２６がボット２４
との対向位置に配されて没設されているとともに、複数
条のランナ２７がボット２４にそれぞれ接続するように
放射状に配されて没設されている。各ランナ２７の他端
部は下側キャビティー凹部２３ｂにそれぞれ接続されて
おり、その接続部にはゲート２８がレジンをキャビティ
ー２３内に注入し得るように形成されている。

前記構成にかかる合掌形リードフレーム１を用いて樹脂
封止形パッケージをトランスファ成形する場合、上型２
１および下型２１における各キャビティー２３は各単位
リードフレーム２における一対のダム７．７間の空間に
それぞれ対応される。

この場合、相隣り合う単位リードフレーム２．２におい
てリード６のアウタ部６ｂのそれぞれに対応する幅の分
が共用されて長さを詰められているため、前記トランス
ファ装置２０において相隣り合うキャビティー２３は、
詰められた長さ分だけ近接することになる。したがって
、成形型の全体長さにおいてキャビティーの連敗を増加
することができ、これに対応して多連リードフレームに
おける単位リードフレームの連敗を増加することができ
る。その結果、−度の成形によるＩＣの取得数を増加す
ることができるため、生産性を大幅に向上させることが
できる。

トランスファ成形時において、合掌形リードフレーム１
は下型２２上に、各単位リードフレーム２におけるペレ
ット１２が各キャビティー２３内にそれぞれ収容される
ように配されてセットされる。続いて、上型２１゛と下
型２２とが型締めされ、ボット２４からプランジャ２５
によりレジン２９がランナ２７およびゲート２８を通じ
て各キャビティー２３に送給されて圧入される。キャビ
ティー２３内にレジンが圧入された際、ダム７にレジン
の圧力が加わるが、リード６のアウタ部６が相手方の単
位リードフレーム２におけるダム７に接続されているた
め、レジンの圧力は充分に支えられ、ダム７が変形され
ることはない。

注入後、レジンは熱硬化されて樹脂封止形パッケージ１
４が成形されると、上型２１および下型２２は型開きさ
れるとともに、エジエクタ・ビン（図示せず）によりパ
フケージ１４群が離型される。このようにして、第７図
に示されているように、パフが−ジ１４群を成形された
合掌形リードフレーム１はトランスファ成形装置２０か
ら脱装されて次工程へ送られる。

ところで、合掌形リードフレームのダムに樹脂トラップ
用凹部としての長孔が開設されていない従来例の場合、
第８図に斜線で示されているように、キャビティーから
漏洩したレジン２９がタブ７°の表面に沿ってそこに接
続された相隣り合う単位リードフレームのり一部６°先
端部に流出してしまう、すなわち、キャビティーに圧入
されたレジンは上型と下型との間に挟圧されているダム
７°によってせき止められるが、レジンは液状で高い圧
力を加えられているため、上型および下型との合わせ面
からダム７°の表面に沿って漏洩し、そこの毛細管現象
にあいまって、ダム７°に接続されているリード６°の
先端部にまで流出してしまう。

リード６°の先端部に流出したレジンは熱硬化してそこ
に固着してしまうため、はんだ被膜被着処理工程におい
て被着不良発生の原因になる。

しかし、本実施例においては、合掌形リードフレームｌ
のダム７に樹脂トラップ用凹部としての長孔８が開設さ
れているため、キャビティーから漏洩したレジン２９が
タブ７に接続された相隣り合う単位リードフレーム２の
リード６先端部にまで流出してしまうことは防止される
。

すなわち、第９図に斜線で示されているように、キャビ
ティー２３に圧入されたレジン２９は上型２１および下
型２２との合わせ面からダム７の表面に沿って漏洩する
が、ダム７の途中に開設されている長孔８の内部に流れ
込んで停留されてしまうため、ダム７に接続されている
リード６の先端部にまで流出することはない。

このようにして本実施例によれば、キャビティー２３か
ら′ａ洩したレジンがダム７に接続されているリード６
の先端部まで達することば長孔８により防止されるため
、必然的に、リード６先端部におけるはんだ被膜被着不
良の発生は回避されることになる。

樹脂封止形パッケージを成形された合掌形リードフレー
ム１はダム７とパンケージ１４との間に形成された樹脂
ばりを除去された後、第１０図に示されているように、
はんだめっき処理工程において、リードにはんだ被膜を
被着される。はんだ被膜はリードの酸化を防止するとと
もに、この樹脂封止形ＤＩＰ・ＩＣが使用者等において
プリント配線基板に実装される際におけるソルダビリテ
ィ−を高めるために被着される。

第１０図に示されているはんだめっき処理装置３０は、
はんだめっき液３１を貯留するためのはんだ槽３２と、
めっき電源３３とを備えており、被めっき物としての合
掌形リードフレーム１はめっき液３１中に浸漬された状
態で、電源３３によりめっき液３１との間に通電される
ことにより、金Ｈ露出面全体にわたって電解めっき被膜
３４を形成される。このとき、ダム７に接続されたり−
１６先端部にはレジンが被着されていないため、めっき
被膜３４が完全に被着されることになる。

めっき被膜を被着された合掌形リードフレーム１は、第
１１図に示されているようにリード切断成形工程におい
て各単位リードフレーム毎に順次、第１２図に示されて
いるように外枠３およびダム７を切り落されるとともに
、リード６のアウタ部６ｂを下向きに屈曲成形される。

第１１図に示されているリードの切断成形装置３９は上
側取付板４０および下側取付板５０を備えており、上側
取付板４０はシリンダ装置（図示せず）によって上下動
されることにより、機台上に固設されている下側取付板
５０に対して接近、離反するように構成されている。再
取付板４０および５０にはホルダ４１および５１がそれ
ぞれ固定的に取り付けられており、両ホルダ４１および
５１には上側押さ・え型４２および下側押さえ型５２（
以下、上型４２および下型５２ということがある。）が
互いに心合わせされてそれぞれ保持されている。上型４
２および下型５２は互いにもなか合わせになる略チャン
ネル型鋼形状にそれぞれ形成されており、上型４２と下
型５２とは左右の押さえ部４３と５３とによってリード
６の根元部を上下から押さえるように構成されている。

また、上型４２は後記する外枠押さえと同様に、ガイド
４８およびスプリング４９により独立懸架されるように
構成されている。

上側ホルダ１１には略くし歯形状（図示せず）に形成さ
れたパンチＸ４が一対、上型４２の左右両脇においてリ
ード６群のピッチに対応するように配されて、垂直下向
きに固設されており、パンチ４４は後記する成形ダイと
協働してリード６を略垂直下向きに屈曲成形し得るよう
に構成されている。パンチ４４のアウタリード６に摺接
する内側肩部には弯曲面形状部４５が適当な曲率をもっ
て形成されている。また、パンチ４４には剪断刃４６か
くし歯における弯曲面形状部４５を除くエツジに配され
て、後記する剪断ダイと協働して外枠３およびダム７を
切り落とすように構成されている。上側ホルダ４１には
外枠押さえ４７がガイド４８に摺動自在に嵌合されて上
下動自在に支持されており、外枠押さえ４７はスプリン
グ４９により常時下方に付勢された状態で独立懸架され
るように構成されている。このスプリング４９により、
外枠押さえ４７はリードフレームの外枠３およびダム７
群を後記する剪断グイ上面との間で挟圧して押さえるよ
うになっている。

他方、下型５２には一対の成形グイ５４が押さえ部５３
の左右両脇に配されて、リード形状の下面に沿う形状に
形成されており、下側ホルダ５１には略くし歯形状（図
示せず）に形成された剪断グイ５６が配設されており、
剪断ダイ５６は前記パンチ４４の剪断刃４６と協働して
外枠３およびダム７を切り落とすように形成されている
。

次に作用を説明する。

第１１図に示されているように、下型５２に合掌形リー
ドフレーム１を凹部にパッケージ１４を落とし込むよう
にしてセントする。これにより、リード６の根本部が下
型５２の押さえ部５３に当接する。

次ぎに、シリンダ装置により上側取付板４０が下降され
、上型４２および外枠押さえ４７が下型５２にスプリン
グ４９の付勢力により合わせられる。これにより、上型
４２の押さえ部４３と下型５２の押さえ部５３との間で
被屈曲部としてのり−ド６の根本部が挟圧されて固定さ
れる。また、外枠押さえ４７と剪断ダイ５６上面との間
で外枠３およびダム７が挟圧されて固定される。

その後、上側取付板４０がさらに下降されて行くと、パ
ンチ４４が下降されて行く。このとき、上型４２および
外枠押さえ４７はスプリング４９が圧縮変形されるため
、下型５２および剪断ダイ５６に押圧される。パンチ４
４の下降に伴って、パンチ４４の剪断刃４６と剪断ダイ
５６との協働による剪断により外枠３およびダム７がリ
ード６群から切り落とされる。

さらに、パンチ４４が成形ダイ５４に対して下降される
と、外枠３およびダム７から切り離されたリード６は、
パンチ４４の下降に伴って成形ダイ５４に押しつけられ
ることにより、この成形ダイ５４に倣うように屈曲され
て所望の形状に成形される。

パンチ４４が所定のストロークを終了すると、パンチ４
４は上昇され、元の待機状態まで戻される。その後、成
形済のＩＣは下型５２から取り外され、次工程に送給さ
れて行く。

このとき、リード６のアウタ部６ｂはダム７との接続に
おいて切り離されるが、前述したように、この接続部に
もはんだめっき被膜が完全に被着されているため、第１
２図に示されているように、先端テーパ部６ｄのテーパ
形状を適正に残した状態で切断することができる。した
がって、後述するように、このＩＣ６０のプリント配線
基板への実装作業において、リードの挿入作業を実行し
易くさせることができる。

以上のようにして製造された樹脂封止形ＤＩＰ・１ｃ６
０は第１３図に示されているようにプリント配線基板に
実装される。

第１３図において、プリント配線基板６１にはリード挿
入孔６２が複数個、実装対象物となる樹脂封止形ＤＩＰ
・ＩＣ６０における各リード６に対応するように配され
て開設されており、この挿入孔６２群にこのｌ０６０の
リード６群がそれぞれ整合されて挿入されているととも
に、各リード６と挿入７Ｎ、６２とがはんだ盛り層６３
によって電気的かつ機械的に接続されている。

そして、各リード６が挿入孔６２に挿入される際、リー
ド６の下端部にテーパ部６ｄが完全な形状で残されてい
るため、リード６はテーパ部６ｄを案内にして挿入孔６
２に正確、かつ、容易に挿入されることになる。したが
って、この樹脂封止形ＤＩＰ−ＩＣ６０についての挿入
作業の自動化を促進させることができる。

ところで、第１４図に示されているようにはんだ被Ｎ’
Ａ３４’がリード６゛の先端部に盛られていない場合、
はんだ材がリード６°の表面に親和しないこと（所謂、
なじまないこと）により、はんだ盛り眉６３°に凹部６
４が発生してしまうため、実装後における接続不良発生
の危険性を回避することや、外観不良等を理由に、出荷
検査で不合格になってしまう。

しかし、本実施例においては、リード６と挿入孔６２と
にはんだ盛り層６３が盛られる際、リード６の先端部に
もはんだ被膜３４が完全に被着されているため、第１５
図に示されているように、はんだ盛り層６３はリード６
の先端部まで確実に盛られることになる。したがって、
はんだ盛り層６３の接続状態および外観が適正になるた
め、出荷検査でも合格になり、適正な生産を維持させる
ことができる。

前記実施例によれば次の効果が得られる。

＋１１　　リード先端が相手方単位リードフレームのダ
ムに接続されている合掌形リードフレームが使用される
半導体装置の製造方法において、前記ダムに樹脂トラッ
プ用凹部を形成しておくことにより、樹脂封止形パッケ
ージのトランスファ成形時に成形材料としての樹脂がダ
ム表面に沿って流れ出た場合に、当該樹脂を凹部内に留
めてトラップすることができるため、ダムに接続されて
いる前記リード先端部に樹脂が流出して硬化付着するの
を防止することができる。

（２）ダムに接続されたリード先端部への樹脂の付着を
防止することにより、当該リードに対するはんだ被膜被
着処理工程において、リード先端部にもはんだ被膜を完
全に被着させることができるため、そのはんだ被膜によ
ってリードの酸化を全体にわたって防止することができ
るとともに、当該製品のプリント配線基板等への実装時
において、はんだ盛り層をリード先端部まで確実に形成
させることができる。

（３）　　はんだ盛り層を先端部まで完全に形成させる
ことにより、この製品のプリント配線基板への実装作業
の出荷検査における外観不良等の発生を抑制し、当該生
産性を高めることができる。

（４）ダムに接続されたリード先端部への樹脂の付着を
防止することにより、当該箇所についての付着樹脂除去
作業を省略化させることができるため、作業工数の増加
を抑制することにより、生産性の低下を防止することが
できるぽかりでなく、付着樹脂除去作業によるリードの
損傷事故等のような２次的弊害の発生を未然に回避する
ことができる。

（５）　　ダムに接続されたリード先端部への樹脂の付
着を防止することにより、当該リード先端部におけるテ
ーパ部を完全なテーパ形状に残すことができるため、当
該製品のプリント配線基板等への実装時において、リー
ド先端を挿入孔に挿入する際、当該テーパ部を案内にし
てリード先端を挿入孔に確実かつ容易に挿入させること
ができ、その結果、当該製品の挿入作業についての自動
化を促進させることができる。

（６）合掌形リードフレームにおいては隣り合う単位リ
ードフレーム間にて一部空間が共用されることにより長
さ方向が詰められているため、製品の取得数を増加する
ことができるとともに、トランスファ成形装置のキャビ
ティーの連敗を増加することができ、その結果、生産性
を高めることができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を泡膜しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

例えば、ダムに形成される樹脂トラップ用凹部は、長孔
により構成するに限らず、窪みやローレット加工部、゛
さらには微小凹凸部の集合から成る梨地面等により構成
してもよく、要は、ダム表面に沿って漏洩して来る樹脂
を取り込んで、樹脂がダムに接続されているリード先端
部へ至るのを防止する構造に構成すればよい。

トランスファ成形装置、はんだめっき処理装置およびリ
ード切断成形装置の具体的構成は前記実施例の構成を使
用するに限られない。

また、リードにはんだ被膜を被着させる処理は、リード
切断成形処理後、はんだデイツプ処理により実施される
ようにしてもよい。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である樹脂封止形ＤＩＰ・
ＩＣの製造方法に適用した場合について説明したが、そ
れに限定されるものではなく、樹脂封止形シングル・イ
ン・ライン・パッケージＩＣの製造方法等のような半導
体装置の製造方法全般に適用することができる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。

リード先端が相手方単位リードフレームのダムに接続さ
れている合掌形リードフレームが使用される半導体装置
の製造方法において、前記ダムに樹脂トラップ用凹部を
形成しておくことにより、樹脂封止形パンケージのトラ
ンスファ成形時に成形材料としての樹脂がダム表面に沿
って流れ出た場合に、当該樹脂を凹部内に留めてトラッ
プすることができるため、ダムに接続されている前記リ
ード先端部に樹脂が流出して硬化付着するのを防止する
ことができる。その結果、当該リードに対するはんだ被
膜被着処理工程において、リード先端部にもはんだ被膜
を完全に被着させることができるため、そのはんだ被膜
によってリードの酸化を完全に防止することができると
ともに、当該製品のプリント配線基板実装時において、
はんだ盛り層をリード先端部まで確実に形成させること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
に使用される合掌形リードフレームを示す一部省略平面
図、第２図はそのダム付近を示す拡大部分平面図、第３図は
ペレットおよびワイヤボンディング後のクプ付近を示す
拡大部分平面図、第４図は第３図のｒＶ−ｒＶ線に沿う縦断面図、第５図
は樹脂封止形パッケージの成形工程を示す縦断面図、第６図は第５図のＶｌ−Ｖ［線に沿う拡大部分縦断面図
、第７図は樹脂封止形パッケージ成形後の合掌形リードフ
レームを示す一部省略平面図、第８図および第９図は作
用を説明するための各拡大部分平面図、第１０図ははんだめっき処理工程を示す一部省略縦断面
図、第１１図はリード切断成形工程を示す縦断面図、第１２
図はそのリード成形後の要部を示す拡大部分斜視図、第１３図はこの半導体装置の製造方法で得られた樹脂封
止形ＤＩＰ−ＩＣの実装状態を示す一部省略一部切断斜
視図、第１４図および第１５図は作用を説明するための各拡大
縦断面図である。 ■・・・合掌形リードフレーム、２・・・単位リードフ
レーム、３・・・外枠、４・・・タブ吊りリード、５・
・・タブ、６・・・リード、６ａ・・・インナ部、６ｂ
・・・アウタ部、６ｃ・・・中間テーパ部、６ｄ・・・
先端テーパ部、７・・・ダム、８・・・長孔（樹脂トラ
ップ用凹部）、１１・・・ボンディング層、１２・・・
ペレット、１３・・・ワイヤ、１４・・・樹脂封止形パ
ッケージ、２０・・・トランスファ成形装置、２１・・
・上型、２２・・・下型、２３・・・キャビティー、２
４・・・ボット、２５・・・プランジャ、２６・・・カ
ル、２７・・・ランナ、２８・・・ゲート、２９・・・
樹脂（レジン、成形材料）、３０・・・はんだめっき処
理装置（はんだ被膜被着装置）、３１・・・はんだめっ
き液、３２・・・はんだ槽、３３・・・めっき電源、３
４・・・めっき被膜、３９・・・リード切断成形装置、
４０．５０・・・取付板、４１．５１・・・ホルダ、４
２．５２・・・押さえ型、４３．５３・・・押さえ部、
４４・・・パンチ、４５・・・弯曲形状部、４６・・・
剪断刃、４７・・・外枠押さえ、４８・・・ガイド、４
９・・・スプリング、５４・・・成形グイ、５６・・・
剪断グイ、６０・・・樹脂封止形ＤＩＰ・ＩＣ（半導体
装置）、６１・・・プリント配線基板、６２・・・リー
ド挿入孔、６３・・・はんだ盛り層、６４・・・凹部。代理人　弁理士　　梶　　原　　辰　　也第３図第４図第１図６・・・リード６ａ・・・インｒ１ｔＧｂ・・・アウク市ｔ６０・・・中間町ヒ・ツマ−１うシ６（＝１・・・ａ鴨１１［テーノで舒７・・・７’Ａ８・・・４シＩＩ、Ｃｊｆ！Ｘ旨トヲザフ）ｌ凹すＰ）
１２・・・へ・レヴト１ヰ・・・潴…荀ｔｈノζヴデージ２０・・・トランスフｙＡ？４ｍ乙２３・・・キーどデ４− Ｃ１・・・　ブりントｆＩｔがＵ本（６２・・・り斗４中ｘｉ６３・・・ｆ；ん７４１シ曹〉ａｊ一どマ第２第９図第１０図富１２図印ｒｎ１３図１に１４図第１５図

Claims

【特許請求の範囲】１、複数本のリードを備えた単位リードフレームが複数
並設されており、相隣り合う単位リードフレーム相互に
おける各リードの一部が同一空間を共用するように配さ
れているとともに、各リードの先端が相手方の単位リー
ドフレームのダムに接続されている多連リードフレーム
が使用されて、樹脂封止形パッケージが成形される半導
体装置の製造方法であって、前記ダムに樹脂トラップ用
凹部を形成しておき、前記パッケージ成形時に前記リー
ド先端へ流出する樹脂を凹部でトラップし、パッケージ
成形後、各ダムを切除するようにしたことを特徴とする
半導体装置の製造方法。２、樹脂トラップ用凹部が、ダムの略全長にわたって開
設されている長孔により構成されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。３、樹脂トラップ用凹部が、ダムの略全長にわたって没
設されている窪みにより構成されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。４、樹脂トラップ用凹部が、ダムの略全長にわたって刻
設されているローレット加工部により構成されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
の製造方法。５、樹脂トラップ用凹部が、ダムの略全長にわたって形
成されている梨地面により構成されていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法
。