JP7500718B2 - 基板の処理方法及び装置 - Google Patents

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Description

［０００１］本開示の実施形態は、概して、基板の処理方法及び装置に関し、より具体的には、基板の電子ビーム反応性プラズマエッチング用に構成される方法及び装置に関するものである。
［０００２］現在の基板（例えば、ウエハ）製造によれば、エッチング速度、エッチングプロファイル、及びエッチング選択性は、製造コストを下げ、基板上の回路素子密度を増加させるように制御され得る。しかし、基板上のメモリホールやスリット等のエッチング特徴は、サイズの小型化、又はアスペクト比（特徴の深さと幅の比）の増加が一層進んでいる。例えば、３次元（３Ｄ）ＮＡＮＤデバイスの製造では、基板（ウエハ）は最大９６層まで含むことができ、最大１２８層まで拡張可能である。また、メモリホール及び／又はスリットのアスペクト比は例えば１００から２００、メモリホールの深さは約６μｍから８μｍの範囲であってよく、このため、メモリホールエッチングは３Ｄ ＮＡＮＤデバイスの製造において最も重要で難しい工程の１つとなっている。例えば、このような高アスペクト比（ＨＡＲ）エッチングは、例えば、基板上の材料をマスクするために、高いエッチング速度と高いエッチング選択性を必要とするだけでなく、ＨＡＲエッチングには、ボウイング及びねじれのないまっすぐなプロファイル、アンダーエッチングがなく最小のマイクロローディング、最小のアスペクト比依存エッチング（ＡＲＤＥ）、並びに基板全体の均一性（例えば、臨界寸法（ＣＤ）変動が３σ＜１％）等も必要である。
［０００３］同様に、ロジック用途を対象としたＦｉｎｆｅｔの製造のために、しばしば、２０より大きい選択比を有する類似の材料を化学的にエッチングする要件、例えば、酸化ケイ素及び窒化ケイ素間のエッチング）がある。
［０００４］したがって、本発明者らは、基板の電子ビーム反応性プラズマエッチング用に構成された改良された方法及び装置を提供した。
［０００５］基板の電子ビーム反応性プラズマエッチング用の方法及び装置が本明細書において提供される。幾つかの実施形態では、方法は、低周波ＲＦ電力又はＤＣ電力の少なくとも一方を、プロセス領域に隣接して配置された、高二次電子放出係数材料から形成された上部電極に印加することと、プロセス領域にイオンを含むプラズマを生成することと、上部電極に電子を放出させて電子ビームを形成するために、上部電極にイオンを衝突させることと、電子ビームの電子を下部電極に向かって加速させるために、低周波ＲＦ電力又は高周波ＲＦ電力の少なくとも一方を含むバイアス電力を、プロセス領域に配置された下部電極に印加することとを含む。
［０００６］１又は複数の実施形態によれば、基板の処理装置は、低周波ＲＦ電力又はＤＣ電力の少なくとも一方を、プロセス領域に隣接して配置された、高二次電子放出係数材料から形成された上部電極に印加し、プロセス領域にイオンを含むプラズマを生成し、上部電極に電子を放出させて電子ビームを形成するために、上部電極にイオンを衝突させ、電子ビームの電子を下部電極に向かって加速させるために、低周波ＲＦ電力又は高周波ＲＦ電力の少なくとも一方を含むバイアス電力を、プロセス領域に配置された下部電極に印加するように構成されたコントローラを含む。
［０００７］１又は複数の実施形態によれば、非一過性コンピュータ可読記憶媒体は、プロセッサによって実行されると、基板の処理方法を実行するようにプロセッサを構成する命令が記憶されている。本方法は、低周波ＲＦ電力又はＤＣ電力の少なくとも一方を、プロセス領域に隣接して配置された、高二次電子放出係数材料から形成された上部電極に印加することと、プロセス領域にイオンを含むプラズマを生成することと、上部電極に電子を放出させて電子ビームを形成するために、上部電極にイオンを衝突させることと、電子ビームの電子を下部電極に向かって加速させるために、低周波ＲＦ電力又は高周波ＲＦ電力の少なくとも一方を含むバイアス電力を、プロセス領域に配置された下部電極に印加することとを含む。
［０００８］本開示の他の及び更なる実施形態を、以下に記載する。
［０００９］添付の図面に示す本開示の例示的な実施形態を参照することにより、上記に要約し、以下により詳細に説明する本開示の実施形態を理解することができる。しかし、添付の図面は本開示の典型的な実施形態を単に示すものであり、したがって、範囲を限定するものと見なすべきではなく、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうる。
本開示の１又は複数の実施形態に係る装置の概略図である。 本開示の１又は複数の実施形態に係る基板の処理方法のフロー図である。
［００１２］理解を容易にするために、可能な限り、図面に共通の同一要素を示すのに同一の参照番号を使用している。図面は縮尺どおりに描かれておらず、わかりやすくするために簡略化されている場合がある。一実施形態の要素及び特徴は、更に詳述することなく、他の実施形態に有益に組み込まれ得る。
［００１３］基板の電子ビーム反応性プラズマエッチング用に構成された方法及び装置の実施形態が、本明細書において提供される。より具体的には、本開示によれば、本発明者らは、従来のエッチング装置、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）と比較した場合、本明細書に記載のエッチング装置により、ａ）従来のエッチング装置によって使用される同じレベルの入射イオンエネルギーに対して、エッチング速度の増加、例えばエッチング速度の３０％の増加が得られ、ｂ）エッチング速度の増加において、従来のエッチング装置が（例えば、詰まりが原因の）イオンエネルギーの減少を補償するために時に増加する必要があり、このために基板（例えば、ウエハ）に熱負荷を生じさせ得るバイアス電力を増加させずにソース電子ビームの増加が得られ、ｃ）例えば非平坦なエッチング最前部の角においてより速いエッチングを引き起こす帯電効果に起因するマイクロトレンチを排除し、ｄ）帯電効果に起因するＡＲＤＥ効果を最小限に抑えながらエッチング深さを増大させ、ｅ）エッチング特徴の上部で帯電効果に起因するボウイング及び／又はねじれを排除できない場合に低減する等のプロファイル制御の向上が得られるということを見出した。
［００１４］図１は、本開示の１又は複数の実施形態に係る装置の概略図である。本装置は、電子ビーム（Ｅビーム）を使用して１又は複数の基板（ウエハ）をエッチングするのに適している。したがって、少なくとも幾つかの実施形態では、本装置は、Ｅビーム誘起エッチング（ＥＢＩＥ）を実行するように構成されたプロセスチャンバ１００（例えば、Ｅビームプロセスチャンバ）である。プロセスチャンバ１００は、プロセス領域１０１を画定するチャンバ本体１０２を有する。実施形態では、チャンバ本体１０２は、実質的に円筒形状を有し、例えばアルミニウム又はステンレス鋼の金属材料等、その中で真空圧力環境を維持するのに適した材料から製造され得る。
［００１５］天井１０６は、チャンバ本体１０２に結合され、プロセス領域１０１を形成する。天井１０６は、チャンバ本体１０２を製造するのに用いられる材料等の導電性材料から形成される。天井１０６は、電極１０８（例えば、上部電極）に結合され、これを支持する。幾つかの実施形態では、電極１０８は、電極１０８がプロセス領域１０１に隣接して又はプロセス領域１０１内に配置されるように、天井１０６に結合される。電極１０８は、高い二次電子放出係数、例えば、約５から約１０の二次電子放出係数を有するプロセス適合材料から形成される。比較的高い二次放出係数を有する材料としては、シリコン、炭素、シリコン炭素材料、又は酸化ケイ素材料を挙げることができるが、これらに限定されない。あるいは、電極１０８は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、又は酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）等の金属酸化物材料から形成され得る。電気絶縁材料から形成される誘電体リング１０９がチャンバ本体１０２に結合され、電極１０８を取り囲む。図示したように、誘電体リング１０９は、チャンバ本体１０２と天井１０６との間に配置され、電極１０８を支持する。
［００１６］天井１０６は、電極１０８に面するチャッキング電極１５２を含む絶縁層１５０を含み得る。少なくとも幾つかの実施形態では、電極１０８を天井１０６に静電気的にクランプするために、ＤＣ電圧電源１５４が給電体１５５を介してチャッキング電極１５２に結合され、また、チャッキング電極１５２にＤＣ電力（例えば、電圧電位）を印加するために、電極１０８に結合され得る。上記実施形態では、ＤＣブロッキングコンデンサ１５６が、インピーダンス整合回路１２４の出力部と直列に接続され得る。コントローラ１２６は、ＤＣ電圧電源１５４を制御するように機能する。
［００１７］電極１０８と天井１０６との間の機械的接触は、電極１０８と天井１０６との間の高い熱コンダクタンスを維持するのに十分である。更に、機械的接触の力は、ＤＣ電圧電源１５４によって提供される静電クランプ力によって調節され得る。
［００１８］１又は複数の実施形態では、天井１０６は、導電性であり、電極１０８と電気的に接触している。インピーダンス整合回路１２４からの電力は、天井１０６を通って電極１０８に伝導される。１又は複数の実施形態では、チャンバ本体１０２は、接地電位に維持され得る。１又は複数の実施形態では、プロセスチャンバ１００内の接地された内面（すなわち、チャンバ本体１０２）は、シリコン、炭素、シリコン炭素材料、又は酸化ケイ素材料、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、又は酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）等のプロセス適合材料でコーティングされ得る。
［００１９］幾つかの実施形態では、天井１０６の内部に熱伝導性液体又は媒体を伝導するための内部通路（図示せず）が熱媒体循環供給装置に接続される。熱媒体循環供給装置は、ヒートシンク又は熱源として機能する。
［００２０］プロセス領域１０１には、ペデスタル１１０が配置される。ペデスタル１１０は、その上に基板１１１（例えば、シリコンウエハ等の半導体ウエハ、又は太陽電池、ディスプレイ、又は他の用途等のガラスパネル又は他の基板）を支持し、電極１０８に平行に配向された基板支持面１１０ａを有する。実施形態では、ペデスタル１１０は、リフトサーボ１１２によって軸方向に移動可能である。工程中、電極１０８等の上部電極は、基板支持面１１０ａから１又は複数の距離（例えば、プロセス位置）に維持される。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、電極１０８は、基板を処理するためのプロセス位置から、約１インチから約２０インチの距離に維持される。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、距離は、約６インチから約１０インチであってよい。
［００２１］プロセスチャンバ１００の基板の処理工程を制御するために、コントローラ１２６が設けられ、プロセスチャンバ１００の様々な構成要素に結合される。コントローラ１２６は、中央処理装置（ＣＰＵ）１２７と、支援回路１２９と、メモリ又は非一過性コンピュータ可読記憶媒体１３１とを含む。コントローラ１２６は、１又は複数のエネルギー源に動作可能に結合され、直接的に、又はプロセスチャンバ１００及び／又は支援システム構成要素に関連するコンピュータ（又はコントローラ）を介して制御する。コントローラ１２６は、様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するために産業環境で使用することができる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサであってよい。コントローラ１２６のメモリ又は非一過性コンピュータ可読記憶媒体１３１は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、光学記憶媒体（例えば、コンパクトディスク又はデジタルビデオディスク）、フラッシュドライブ、又はローカルもしくはリモートの任意の他の形態のデジタルストレージ等の容易に入手できるメモリの１又は複数であってよい。支援回路１２９は、従来の方法でＣＰＵ１２７を支援するために、ＣＰＵ１２７に結合される。支援回路１２９は、キャッシュ、電源、クロック回路、入力／出力回路及びサブシステム等を含む。基板の処理方法（例えば、基板のＥＢＩＥ）等の本明細書に記載の本発明の方法は、本明細書に記載の方法で１又は複数のエネルギー源の動作を制御するために実行又は呼び出され得るソフトウェアルーチン１３３としてメモリ１３１に記憶され得る。ソフトウェアルーチン１３３はまた、ＣＰＵ１２７によって制御されているハードウェアから遠隔に位置する第２のＣＰＵ（図示せず）によって記憶及び／又は実行され得る。
［００２２］１又は複数の実施形態では、ペデスタル１１０は、基板支持面１１０ａを形成する絶縁パック１４２と、絶縁パック１４２の内部に配置された下部電極１４４と、電極１４４に接続されたチャッキング電圧供給装置１４８とを含み得る。更に、少なくとも幾つかの実施形態では、絶縁パック１４２の下にあるベース層１４６は、循環供給装置から熱伝達媒体（例えば、液体）を循環させるための１又は複数の内部通路（図示せず）を含み得る。上記実施形態では、循環供給装置は、ヒートシンクとして又は熱源として機能し得る。
［００２３］約２０ＭＨｚから約２００ＭＨｚの周波数を有する高周波ＲＦ電力ジェネレータ１２０及び約１００ｋＨｚから約２０ＭＨｚの周波数を有する低周波ＲＦ電力ジェネレータ１２２が、例えば、ＲＦ給電体１２３を介し、インピーダンス整合回路１２４を通して電極１０８に結合される。１又は複数の実施形態では、インピーダンス整合回路１２４からのＲＦ給電体１２３は、電極１０８に直接接続されるのではなく、電極支持体又は天井１０６に接続され得る。上記実施形態では、ＲＦ給電体１２３からのＲＦ電力は、電極支持体から電極１０８に容量結合され得る。インピーダンス整合回路１２４は、高周波ＲＦ電力ジェネレータ１２０及び低周波ＲＦ電力ジェネレータ１２２の異なる周波数におけるインピーダンス整合を提供するように適合され、また、高周波ＲＦ電力ジェネレータ１２０及び低周波ＲＦ電力ジェネレータ１２２を互いに分離するためのフィルタリングを提供するように適合される。高周波ＲＦ電力ジェネレータ１２０及び低周波ＲＦ電力ジェネレータ１２２の出力電力レベルは、以下により詳細に説明するように、コントローラ１２６によって独立して制御され得る。
［００２４］高周波ＲＦ電力ジェネレータ１２０及び低周波ＲＦ電力ジェネレータ１２２では、電極１０８とペデスタル１１０との間の距離（例えば、約６インチから約１０インチ）を選択することによって、プロセス領域１０１の半径方向のプラズマ均一性を制御することができる。例えば、幾つかの実施形態では、低いＶＨＦ周波数により、プロセス領域１０１のプラズマイオン密度にエッジ高の径方向分布が生じ、高いＶＨＦ周波数により、プラズマイオン密度に中心高の径方向分布が生じる。このような選択により、高周波ＲＦ電力ジェネレータ１２０及び低周波ＲＦ電力ジェネレータ１２２の電力レベルは、実質的に均一な半径方向プラズマイオン密度を有するプラズマを生成することが可能である。
［００２５］上部ガスインジェクタ１３０は、第１のバルブ１３２を通してプロセス領域１０１内にプロセスガスを供給し、下部ガスインジェクタ１３４は、第２のバルブ１３６を通してプロセス領域１０１内にプロセスガスを供給する。上部ガスインジェクタ１３０及び下部ガスインジェクタ１３４は、チャンバ本体１０２の側壁に配置され得る。プロセスガスは、第１のバルブ１３２及び第２のバルブ１３６に結合されたバルブ１４０のアレイを通して、ガス供給装置１３８等のプロセスガス供給装置のアレイから供給される。プロセス領域１０１内に送達されるプロセスガス種及びガス流量は、独立して制御可能である。例えば、上部ガスインジェクタ１３０を通るガス流は、下部ガスインジェクタ１３４を通るガス流と異なっていてよい。コントローラ１２６は、バルブ１４０のアレイを管理する。
［００２６］一実施形態では、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）（又は他の不活性ガス）等の１又は複数の不活性ガス、及び／又は水素（Ｈ２）、臭化水素（ＨＢｒ）、アンモニア（ＮＨ３）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、メタン（ＣＨ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、三フッ化窒素（ＮＦ３）、テトラフルオロメタン（ＣＦ４）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、一酸化炭素（ＣＯ）、硫化カルボニル（ＣＯＳ）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）、ヘキサフルオロブタジエン（Ｃ４Ｆ６）、塩素（Ｃｌ２）、窒素（Ｎ２）、酸素（Ｏ２）、及びこれらの組み合わせ等の１又は複数の反応性ガスが上部ガス注入器１３０及び下部ガス注入器１３４のいずれか又は両方を通してプロセス領域１０１内に供給され得る。幾つかの実施形態では、電極１０８に隣接してプロセス領域１０１に供給されるプロセスガスは、以下により詳細に説明するように、基板１１１に向かって二次電子を加速させ得る、及び／又はプロセス領域１０１に形成される反応性プラズマから電極１０８を緩衝することにより、電極１０８の耐用年数を増加させることが可能である。
［００２７］本開示によれば、プラズマは、種々のバルク及び表面プロセスによって、例えば、容量結合１７０（例えば、容量結合プラズマ（ＣＣＰ））及び／又は誘導結合１７２（例えば、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ））によって、プロセス領域１０１に生成される。イオンエネルギーを制御するバイアス電力とは別に、誘導結合電力又は高周波容量結合電力を使用して、プラズマ密度の独立した制御が達成され得る。したがって、プロセスチャンバ１００が容量結合１７０と共に使用するように構成される（例えば、ＣＣＰリアクタとして構成される）場合、ソース電力は、基板１１１を支持するバイアス電極（例えば、電極１４４）、又は上部電極、例えば、電極１０８のいずれかに印加される高周波（バイアスと比べて）電力を指すことがある。代替的又は追加的に、プロセスチャンバ１００が誘導結合１７２と共に使用するように構成される（例えば、ＩＣＰリアクタとして構成される）場合、ソース電力は、コイル１７３（図１に点線で示す）に印加される電力を指す。プロセスチャンバ１００がＩＣＰリアクタとして構成される場合、プロセスチャンバ１００のチャンバ本体１０２の側面には、誘電体窓１７５（これも点線で示す）が設けられる。誘電体窓１７５は、真空境界と電磁波励起プラズマのための窓を提供するように構成される。
［００２８］本発明者らは、ＣＣＰ又はＩＣＰによって生成されたイオンは、以下により詳細に説明するように、プラズマから生成されたイオンによる電極１０８のイオン衝突を促す電界の影響を受けることを見出した。更に、プロセスチャンバ１００の動作モードに応じて、電極１０８のイオン衝突エネルギーは、例えば、ＤＣ電圧電源１５４、低周波ＲＦ電力ジェネレータ１２２、又は高周波ＲＦ電力ジェネレータ１２０のうちの１又は複数によって供給される電極１０８に供給される電力の関数であり得る。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、電極１０８のイオン衝突エネルギーは、ＤＣ電圧電源１５４及び低周波ＲＦ電力ジェネレータ１２２の一方又は両方からの電圧の印加によって提供され得る。少なくとも幾つかの実施形態では、ＤＣ電圧電源１５４及び低周波ＲＦ電力ジェネレータ１２２の一方又は両方の使用に加えて、高周波ＲＦ電力ジェネレータ１２０を使用して、プラズマ密度及びＥビームフラックスを増加させることができる。
［００２９］ＤＣ電圧電源１５４が電極１０８に電力（例えば、バイアス）を供給するために使用される場合、ＤＣ電圧電源１５４によって供給される電力は、約１Ｗから約３０ｋＷ（例えば、約－１５６０Ｖから約－１４４０Ｖ）であってよい。同様に、低周波ＲＦ電力ジェネレータ１２２が電極１０８に電力（例えば、バイアス）を供給するために使用される場合、低周波ＲＦ電力ジェネレータ１２２によって供給される電力は、約１００ｋＨｚから約２０ＭＨｚまでの周波数で約１Ｗから約３０ＫＷであってよい。同様に、高周波ＲＦ電力ジェネレータ１２０が、ＤＣ電圧電源１５４及び低周波ＲＦ電力ジェネレータ１２２のいずれか又は両方と共に使用される場合、高周波ＲＦ電力ジェネレータ１２０によって供給される電力は、約２０ＭＨｚから約２００ＭＨｚの周波数で約１Ｗから約１０ｋＷであってよい。
［００３０］電極１０８のイオン衝突エネルギー及びプラズマ密度は、高周波ＲＦ電力ジェネレータ１２０及び低周波ＲＦ電力ジェネレータ１２２及びＤＣ電圧電源１５４の両方の関数であり得る。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、電極１０８のイオン衝突エネルギーは、低周波ＲＦ電力ジェネレータ１２２（又はＤＣ電圧電源１５４）からの低周波電力によって実質的に制御され、プロセス領域１０１のプラズマ密度は、高周波ＲＦ電力ジェネレータ１２０からの電力によって実質的に制御（増強）され得る。少なくとも幾つかの実施形態では、電極１０８のイオン衝突により、電極１０８は二次電子を放出する。負の電荷を有する高エネルギー二次電子は、以下により詳細に説明するように、電極１０８の内面から放出され、電極１０８の負バイアスにより電極１０８から離れるように加速される。更に、基板表面におけるＥビーム衝突線量を増加させるために、低周波ＲＦ電力ジェネレータ１２２及び／又はＤＣ電圧電源１５４の各々によって供給される相対電力を変化させて、以下に更に詳しく説明するように、電極１０８及び／又は電極１４４に供給される対応する電圧を変化させることができる。
［００３１］電極１０８の放出面からの高エネルギー電子のＥビームフラックスは、電極１０８の内面に対して実質的に垂直に配向され得る。Ｅビームのビームエネルギーは、電極１０８のイオン衝突エネルギーにほぼ等しく、典型的には約１００ｅＶから２００００ｅＶの範囲であり得る。電極１０８表面の高エネルギーイオン衝突によって電極１０８から放出された二次電子フラックスで構成されるＥビームの少なくとも一部は、プロセス領域１０１を通って伝播し、基板１１１の近くでプロセスガスと反応する。Ａｒ等の１又は複数の前述のプロセスガスを用いることにより、本発明者らは、基板１１１へのＥビーム衝突の効果を様々な方法で利用できることを見出した。まず、上述したように、本発明者らは、反応種吸着面へのＥビーム衝突により、エッチング反応（例えば、ＥＢＩＥ）が誘発され、基板に対する損傷のないエッチングと高いエッチング選択性が得られることを見出した。
［００３２］第２に、基板の表面上の電界は常に基板の方を向いているため、帯電効果は基板の処理に悪影響を及ぼし得る。より具体的には、電子は、電荷中和において、例えばＲＦサイクルの正のピークにおけるシース（例えば、静電シース）崩壊の瞬間にのみ、基板に接近し得る。更に、アスペクト比が増加すればするほど、バルクプラズマからの電子がエッチング特徴の底部に到達しなくなる。したがって、正電荷はエッチング特徴の底部に蓄積され、入ってくるイオンを遅らせる電界が生じ得る。例えば、経験的データに基づくと、アスペクト比５０：１のメモリホールでは、５０％を超えるイオンがメモリホールの底部に到達できず、正電界による遅延のためにイオンエネルギーが大幅に減少する。この帯電効果が中性子輸送の限界と相まって、アスペクト比の増加に伴うエッチング速度の低下（例えば、ＡＲＤＥ効果）を引き起こす可能性がある。更に、帯電効果により、イオン軌道の偏向（例えば、垂直下向きではなく、側壁へのイオン衝突）が起こることで、ボウイング、ねじれ、アンダーエッチング、マイクロトレンチ等のエッチングプロファイル制御の課題が発生し得る。そこで、本発明者らは、Ｅビーム衝突を用いて、エッチング特徴（例えば、メモリホール）の底部及び／又は側壁に蓄積された正イオンの電荷を中和することで、帯電効果が排除され得ることを見出した。
［００３３］幾つかの実施形態では、ＲＦバイアス電力ジェネレータ１６２は、インピーダンス整合１６４を通してペデスタル１１０の電極１４４に結合され得る。ＲＦバイアス電力ジェネレータ１６２は、使用される場合、基板１１１上にイオンを加速させるように構成される。ＲＦバイアス電力ジェネレータ１６２は、低周波ＲＦ電力及び／又は高周波ＲＦ電力を供給するように構成され得る。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、ＲＦバイアス電力ジェネレータ１６２は、１又は複数の周波数、例えば約１００ｋＨｚから約２００ＭＨｚの周波数で、１Ｗから３０ｋＷの電力を電極１４４に供給するように構成され得る。幾つかの実施形態では、例えば、ＲＦバイアス電力ジェネレータ１６２は、約１００ｋＨｚから約１００ＭＨｚの周波数で１Ｗから３０ｋＷの電力を電極１４４に供給するように構成され得る。
［００３４］波形適合プロセッサ１４７が、インピーダンス整合１６４の出力と電極１４４との間、及び／又はインピーダンス整合回路１２４の出力と電極１０８との間に接続され得る。波形適合プロセッサ１４７コントローラは、ＲＦバイアス電力ジェネレータ１６２及び／又は高周波ＲＦ電力ジェネレータ１２０及び低周波ＲＦ電力ジェネレータ１２２によって生成される波形を所望の波形に変更するように構成され得る。基板１１１及び／又は電極１０８近傍のプラズマのイオンエネルギーは、波形適合プロセッサ１４７によって制御され得る。例えば、幾つかの実施形態では、波形適合プロセッサ２４７は、各ＲＦサイクルの特定部分において、振幅が所望のイオンエネルギーレベルに対応するレベルに保持される波形を生成する。コントローラ１２６は、波形適合プロセッサ１４７を制御する。
［００３５］基板１１１のエッチングはまた、１又は複数の要因によって影響され得る。例えば、圧力（使用される場合、Ｅビームエネルギー、Ｅビームプラズマ電力、及びバイアス電力に加えて）は、基板１１１のエッチングに影響を及ぼし得る。したがって、実施形態では、基板１１１のＥＢＩＥ中にプロセス領域１０１に維持される圧力は、約０．１ｍＴｏｒｒから約３００ｍＴｏｒｒであってよい。例えば、Ｅビームの中和及びエッチングプロファイルの制御が必要な場合等の少なくとも幾つかの実施形態では、基板１１１のＥＢＩＥ中にプロセス領域１０１に維持される圧力は、約０．１ｍＴｏｒｒから約３０ｍＴｏｒｒであってよい。同様に、少なくとも幾つかの実施形態では、Ｅビームの中和及びエッチングプロファイルの制御が必要なく、バイアス電力が必要ない場合等に基板１１１のＥＢＩＥ中にプロセス領域１０１に維持される圧力は、約０．１ｍＴｏｒｒから約１００ｍＴｏｒｒであってよい。この圧力は、プロセス領域１０１と流体連結している真空ポンプ１６８によって生成される。圧力は、プロセス領域１０１と真空ポンプ１６８との間に配置されるゲートバルブ１６６によって調節される。コントローラ１２６は、真空ポンプ１６８及び／又はゲートバルブ１６６を制御する。
［００３６］図２は、本開示の１又は複数の実施形態に係る基板の処理方法２００のフロー図である。方法２００は、例えば、基板のＥＢＩＥを実行するために構成されたプロセスチャンバ、例えば、プロセスチャンバ１００を使用して実行することができる。例示の目的で、プロセスチャンバは、例えば１５０ｍｍ、２００ｍｍ、３００ｍｍ、４５０ｍｍ基板等であり得る基板、例えば基板１１１のＥＢＩＥ用に構成されたＣＣＰリアクタとして構成されると仮定する。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、基板は、半導体ウエハ等の３００ｍｍ基板であってよい。当然ながら、本明細書に記載された電力／電圧及び／又はパルス／デューティサイクルは、例えば、３００ｍｍより大きい又は小さい直径を有する基板に対して適宜にスケーリングされ得る。初めに、上述したプロセスガスのうちの１又は複数が、プロセスチャンバのプロセス領域、例えばプロセス領域１０１内に導入され得る。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、プロセスガスは、Ｈｅ、Ａｒ等（又は他の不活性ガス）、及び／又はＨ２、ＨＢｒ、ＮＨ３、Ｓｉ２Ｈ６、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ２、ＮＦ３、ＣＦ４、ＳＦ６、ＣＯ、ＣＯＳ、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ６、Ｃｌ２、Ｎ２、Ｏ２等（又は他の反応性ガス）のうちの１又は複数であってよい。更に、プロセス領域は、約０．１ｍＴｏｒｒから約３００ｍＴｏｒｒの１又は複数の動作圧力に維持され得る。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、圧力は、０．１ｍＴｏｒｒから約１００ｍＴｏｒｒに維持され得る。
［００３７］２０２において、低周波ＲＦ電力及びＤＣ電力のうちの一方又は両方を、上述のように、プロセス領域に隣接して配置された、高二次電子放出係数材料から形成され得る上部電極（例えば、電極１０８）に印加し得る。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、ＲＦ電力ジェネレータ、例えば、低周波ＲＦ電力ジェネレータ１２２を使用して、低周波ＲＦ電力を上部電極に供給し得る。上述したように、上部電極に印加される低周波ＲＦ電力は、約１Ｗから約３０ＫＷであってよく、約１００ｋＨｚから約２０ＭＨｚの周波数で供給され得る。
［００３８］代替的又は追加的に、２０２において、例えばＤＣ電圧電源１５４を使用して、ＤＣ電力を上部電極に供給し得る。例えば、最大約２０ｋＷの（例えば、供給電圧の約０から約２０ｋＶに対応する）ＤＣ電力が供給され得る。本発明者らは、２０２においてＤＣ電力を使用すると、細いＥビーム、例えば狭い電子エネルギー分布が形成されることを見出した。
［００３９］少なくとも幾つかの実施形態では、２０２において、低周波ＲＦ電力及び／又はＤＣ電力と共に、高周波ＲＦ電力も、例えば高周波ＲＦ電力ジェネレータ、例えば高周波ＲＦ電力ジェネレータ１２０を用いて上部電極に供給され得る。上述したように、高周波ＲＦ電力は、プラズマ密度又はＥビームフラックスを増加させるために使用され得る。
［００４０］次の２０４では、例えば、上部電極に供給される電力を使用して、プロセス領域にイオンを含むプラズマを生成し得る。例えば、上部電極に供給されるＤＣ電力、低周波ＲＦ電力、及び／又は高周波ＲＦ電力を使用して、プロセス領域内に導入されたプロセスガスに点火してプラズマを生成し得る。
［００４１］次に、２０６において、上部電極にイオンを衝突させることにより、上部電極に二次電子を放出させてＥビームを形成する。より具体的には、上部電極における低周波ＲＦ電力（又はＤＣ電力）を利用して高いシース電圧を生成することで、上部電極へのイオン衝突（例えば、プラズマから形成されたイオンを使用）は、上部電極から二次電子を放出させるのに十分に高エネルギーなものとなる。幾つかの実施形態では、及び２０２に関して上述したように、高周波ＲＦ電力を上部電極に印加して、プラズマ密度又はＥビームフラックスを増加させることもできる。
［００４２］２０８において、バイアス電力を下部電極（例えば、電極１４４）に供給する。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、Ｅビームの電子を下部電極に向かって加速させるために、低周波ＲＦ電力又は高周波ＲＦ電力のいずれかを下部電極に供給するように構成されたＲＦバイアス電力ジェネレータ、例えばＲＦバイアス電力ジェネレータ１６２を用いて、バイアス電力を下部電極に供給し得る。より具体的には、上部電極における高いシース電圧及び下部電極における比較的低いバイアス電位により二次電子が加速し、基板シース電位を克服して基板表面（例えば、基板１１１）に到達するのに十分なエネルギーを有する主プラズマとなる。
［００４３］少なくとも幾つかの実施形態では、１又は複数のガスを使用して、ペデスタル（及び／又は下部電極）から基板への熱伝達を強化することができる。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、熱伝達を強化するために、例えば、１又は複数のガス供給装置（例えば、ガス供給装置１３８）を用いて、ペデスタル（及び／又は下部電極）と基板との間に、Ｈｅ又は熱伝達のための他の適切なガスを適用することが可能である。
［００４４］生成されたＥビームを使用して基板をエッチングし、基板に１又は複数の特徴を形成し得る。例えば、幾つかの実施形態では、生成されたＥビームを使用して、基板に１又は複数のメモリホールを形成し得る。より具体的には、本発明者らは、Ｅビームを使用して、エッチ深さが約２００ｎｍから約５００ｎｍであり、ＡＲＤＥ効果がなく、メモリホールを画定する側壁のボウイング又はねじれがなく、より良いＣＤ（例えば、平坦な底部）及び比較的直線状のプロファイルを有するメモリホールを形成することができることを見出した。
［００４５］本発明者らは、１又は複数のパルススキーム（例えば、パルスデューティサイクル、パルス同期化、デューティサイクル及び遅延の制御）を使用して、Ｅビームフラックスとイオンフラックスとの間のバランスを制御できることも見出した。例えば、方法２００では、任意の供給されるＲＦ電力は、異なる用途（例えば、高又は低アスペクト比、ロジック又はメモリ等）に対して所望の結果を達成するために、パルス又は連続波（ＣＷ）モードを使用することが可能である。代替的に又は組み合わせて、方法２００では、任意の供給されるＤＣ電力は、異なる用途（例えば、高又は低アスペクト比、ロジック又はメモリ等）に対して所望の結果を達成するために、パルス又は連続モードを使用することが可能である。より具体的には、基板に入射するＥビーム衝突線量を最大化するために、以下に説明するように、１又は複数のパルススキームを使用することができる。
［００４６］少なくとも幾つかの実施形態では、例えば、低周波ＲＦ電力又はＤＣ電力の一方又は両方が、（２０２に関して上述したように）上部電極に連続的に供給され得、低周波ＲＦ電力が、（２０８に関して上述したように）下部電極に供給され得る。幾つかの実施形態では、上部電極に供給されるＤＣ電源電圧は、低周波ＲＦ電力の正弦波サイクルの少なくとも一部において、下部電極に供給される低周波ＲＦ電源電圧よりも大きい。更に、幾つかの実施形態では、下部電極に供給される低周波ＲＦ電源電圧は、低デューティサイクル（例えば、約１０パーセント（１０％）から約７０パーセント（７０％）、例えば約５０パーセント（５０％））のパルスであってよい。パルス周波数は、約５０Ｈｚから約１００ｋＨｚであってよい。このようなパルススキームを使用すると、（例えば、下部電極における低周波ＲＦ電力オフ時間の間）基板シース電位が低下するため、基板表面におけるＥビーム衝突線量が増加する。すなわち、基板シース電位より高いエネルギーを持つＥビーム電子のみが基板表面に到達し得る。
［００４７］低周波ＲＦ電力が上部電極に供給される実施形態では、パルスは、電力が上部電極に供給されるとき、低周波ＲＦ電力が下部電極に供給されないように構成され得、逆もまた同様である。あるいは、上述したように、低周波ＲＦ電力をＣＷモードで上部電極に供給し、低周波ＲＦ電力を低デューティサイクルのパルスで下部電極に供給することができる。
［００４８］少なくとも幾つかの実施形態では、低周波ＲＦ電力及びＤＣ電力の両方が、パルスモードで上部電極及び下部電極に供給され得るが、上部電極に電力が供給されるときに、下部電極への電力がオフとなるように同期させることが可能である。例えば、低周波ＲＦ電力及びＤＣ電力の一方又は両方が上部電極に供給されるとき、低周波ＲＦ電力は下部電極に供給されない。上記実施形態では、オン／オフパルスサイクルは、約１００Ｈｚから約１００ｋＨｚの周波数で設定することができる。上記実施形態では、イオンフラックス及びＥビームフラックスが交互に基板に印加されるため、基板表面でのＥビーム衝突線量が増加する。
［００４９］上記は本開示の実施形態を対象としたものであるが、本開示の他の及び更なる実施形態を、その基本的範囲から逸脱することなく考案することが可能である。

Claims (18)

  1. 基板の処理方法であって、
    低周波ＲＦ電力又はＤＣ電力の少なくとも一方を、プロセス領域に隣接して配置された、高二次電子放出係数材料から形成された上部電極に印加することと、
    前記プロセス領域にイオンを含むプラズマを生成することと、
    前記上部電極に電子を放出させて電子ビームを形成するために、前記上部電極に前記イオンを衝突させることと、
    前記電子ビームの電子を下部電極に向かって加速させるために、低周波ＲＦ電力のバイアス電力を、前記プロセス領域に配置された前記下部電極に印加することと、
    低周波ＲＦ電力又はＤＣ電力の前記少なくとも一方を連続モードで前記上部電極に印加することと、を含み、
    前記バイアス電力を印加することは、低周波ＲＦ電力の所定のパルスにより、前記電子ビームの電子を下部電極に向かって加速させるために低周波ＲＦ電力の正弦波サイクル中の一部において前記上部電極に印加される電圧よりも低い電圧が前記下部電極に供給されるように、低周波ＲＦ電力をパルスモードで前記下部電極に印加することを含む、方法。
  2. 前記高二次電子放出係数材料は、シリコン（Ｓｉ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、又は炭素（Ｃ）のうちの少なくとも１つである、請求項１に記載の方法。
  3. 前記プラズマを生成することは、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、水素（Ｈ２）、臭化水素（ＨＢｒ）、アンモニア（ＮＨ３）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、メタン（ＣＨ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）三フッ化窒素（ＮＦ３）、テトラフルオロメタン（ＣＦ４）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、一酸化炭素（ＣＯ）、硫化カルボニル（ＣＯＳ）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）、ヘキサフルオロブタジエン（Ｃ４Ｆ６）、塩素（Ｃｌ２）、窒素（Ｎ２）又は酸素（Ｏ２）のうちの少なくとも１つを前記プロセス領域内に導入することを含む、請求項１に記載の方法。
  4. 前記上部電極を、基板を処理するためのプロセス位置から１インチから２０インチの距離に維持することを更に含む、請求項１に記載の方法。
  5. 前記プロセス領域内の圧力を０．１ｍＴｏｒｒから３００ｍＴｏｒｒに維持することを更に含む、請求項１に記載の方法。
  6. 高周波ＲＦ電力を、低周波ＲＦ電力又はＤＣ電力の前記少なくとも一方と共に、前記上部電極に印加することを更に含む、請求項１に記載の方法。
  7. 低周波ＲＦ電力又はＤＣ電力の前記少なくとも一方をパルスモードで前記上部電極に印加することを更に含み、
    前記バイアス電力を印加することは、前記上部電極への低周波ＲＦ電力又はＤＣ電力の前記少なくとも一方がパルスオンされると、前記下部電極への前記低周波ＲＦ電力がパルスオフされるように、低周波ＲＦ電力を前記パルスモードで前記下部電極に印加することを含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
  8. 基板の処理装置であって、
    コントローラであって、
    低周波ＲＦ電力又はＤＣ電力の少なくとも一方を、プロセス領域に隣接して配置された、高二次電子放出係数材料から形成された上部電極に印加し、
    前記プロセス領域にイオンを含むプラズマを生成し、
    前記上部電極に電子を放出させて電子ビームを形成するために、前記上部電極に前記イオンを衝突させ、
    前記電子ビームの電子を下部電極に向かって加速させるために、低周波ＲＦ電力のバイアス電力を、前記プロセス領域に配置された前記下部電極に印加し、
    低周波ＲＦ電力又はＤＣ電力の前記少なくとも一方を連続モードで前記上部電極に印加する
    ように構成されたコントローラ
    を備え、
    前記バイアス電力を印加することは、低周波ＲＦ電力の所定のパルスにより、前記電子ビームの電子を下部電極に向かって加速させるために低周波ＲＦ電力の正弦波サイクル中の一部において前記上部電極に印加される電圧よりも低い電圧が前記下部電極に供給されるように、低周波ＲＦ電力をパルスモードで前記下部電極に印加することを含む、装置。
  9. 前記高二次電子放出係数材料は、シリコン（Ｓｉ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、又は炭素（Ｃ）のうちの少なくとも１つである、請求項８に記載の装置。
  10. 前記プラズマは、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、水素（Ｈ２）、臭化水素（ＨＢｒ）、アンモニア（ＮＨ３）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、メタン（ＣＨ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）三フッ化窒素（ＮＦ３）、テトラフルオロメタン（ＣＦ４）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、一酸化炭素（ＣＯ）、硫化カルボニル（ＣＯＳ）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）、ヘキサフルオロブタジエン（Ｃ４Ｆ６）、塩素（Ｃｌ２）、窒素（Ｎ２）又は酸素（Ｏ２）のうちの少なくとも１つを前記プロセス領域内に含む、請求項８に記載の装置。
  11. 前記コントローラは更に、前記上部電極を、基板を処理するためのプロセス位置から１インチから２０インチの距離に維持するように構成される、請求項８に記載の装置。
  12. 前記コントローラは更に、前記プロセス領域内の圧力を０．１ｍＴｏｒｒから３００ｍＴｏｒｒに維持するように構成される、請求項８に記載の装置。
  13. 前記コントローラは更に、高周波ＲＦ電力を、前記低周波ＲＦ電力又はＤＣ電力の少なくとも一方と共に、前記上部電極に印加するように構成される、請求項８に記載の装置。
  14. 前記コントローラは更に、低周波ＲＦ電力又はＤＣ電力の前記少なくとも一方を連続モードで前記上部電極に印加するように構成され、
    前記バイアス電力が低周波ＲＦ電力を含む場合、前記コントローラは更に、前記上部電極への低周波ＲＦ電力又はＤＣ電力の前記少なくとも一方がパルスオンされると、前記下部電極への前記低周波ＲＦ電力がパルスオフされるように、前記低周波ＲＦ電力をパルスモードで前記下部電極に印加するように構成される、請求項８から１３のいずれか一項に記載の装置。
  15. 命令が記憶された非一過性コンピュータ可読記憶媒体であって、前記命令は、プロセッサによって実行されると、
    低周波ＲＦ電力又はＤＣ電力の少なくとも一方を、プロセス領域に隣接して配置された、高二次電子放出係数材料から形成された上部電極に印加することと、
    前記プロセス領域にイオンを含むプラズマを生成することと、
    前記上部電極に電子を放出させて電子ビームを形成するために、前記上部電極に前記イオンを衝突させることと、
    前記電子ビームの電子を下部電極に向かって加速させるために、低周波ＲＦ電力のバイアス電力を、前記プロセス領域に配置された前記下部電極に印加することと、
    低周波ＲＦ電力又はＤＣ電力の前記少なくとも一方を連続モードで前記上部電極に印加することと、を含む基板の処理方法を実行するように前記プロセッサを構成し、
    前記バイアス電力を印加することは、低周波ＲＦ電力の所定のパルスにより、前記電子ビームの電子を下部電極に向かって加速させるために低周波ＲＦ電力の正弦波サイクル中の一部において前記上部電極に印加される電圧よりも低い電圧が前記下部電極に供給されるように、低周波ＲＦ電力をパルスモードで前記下部電極に印加することを含む、非一過性コンピュータ可読記憶媒体。
  16. 前記高二次電子放出係数材料は、シリコン（Ｓｉ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｉ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、又は炭素（Ｃ）のうちの少なくとも１つである、請求項１５に記載の非一過性コンピュータ可読記憶媒体。
  17. 前記プラズマを生成することは、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、水素（Ｈ２）、臭化水素（ＨＢｒ）、アンモニア（ＮＨ３）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、メタン（ＣＨ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）三フッ化窒素（ＮＦ３）、テトラフルオロメタン（ＣＦ４）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、一酸化炭素（ＣＯ）、硫化カルボニル（ＣＯＳ）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）、ヘキサフルオロブタジエン（Ｃ４Ｆ６）、塩素（Ｃｌ２）、窒素（Ｎ２）又は酸素（Ｏ２）のうちの少なくとも１つを前記プロセス領域内に導入することを含む、請求項１５に記載の非一過性コンピュータ可読記憶媒体。
  18. 前記上部電極を、基板を処理するためのプロセス位置から１インチから２０インチの距離に維持することを更に含む、請求項１５から１７のいずれか一項に記載の非一過性コンピュータ可読記憶媒体。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117293008A (zh) * 2019-08-05 2023-12-26 株式会社日立高新技术 等离子处理装置
US11043387B2 (en) * 2019-10-30 2021-06-22 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate
CN113764328B (zh) * 2020-06-02 2024-06-21 拓荆科技股份有限公司 用于加工晶圆的装置及方法
US11990319B2 (en) * 2022-01-05 2024-05-21 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006270019A (ja) 2004-06-21 2006-10-05 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法、ならびにコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2010171320A (ja) 2009-01-26 2010-08-05 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置および記憶媒体
JP2012054534A (ja) 2010-09-01 2012-03-15 Samsung Electronics Co Ltd プラズマエッチング方法及びその装置
JP2013257977A (ja) 2012-06-11 2013-12-26 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプローブ装置
JP2016066593A (ja) 2014-09-17 2016-04-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2019521253A (ja) 2016-06-28 2019-07-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 電子ビームプラズマプロセスにより形成されるダイヤモンドライクカーボン層

Family Cites Families (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3419899B2 (ja) * 1994-07-26 2003-06-23 東京エレクトロン株式会社 スパッタリング方法及びスパッタリング装置
US5614060A (en) * 1995-03-23 1997-03-25 Applied Materials, Inc. Process and apparatus for etching metal in integrated circuit structure with high selectivity to photoresist and good metal etch residue removal
US6253704B1 (en) 1995-10-13 2001-07-03 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for pulsed plasma processing of a semiconductor substrate
US6902683B1 (en) * 1996-03-01 2005-06-07 Hitachi, Ltd. Plasma processing apparatus and plasma processing method
US5770023A (en) 1996-02-12 1998-06-23 Eni A Division Of Astec America, Inc. Etch process employing asymmetric bipolar pulsed DC
US6214162B1 (en) * 1996-09-27 2001-04-10 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US6051114A (en) 1997-06-23 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Use of pulsed-DC wafer bias for filling vias/trenches with metal in HDP physical vapor deposition
US6187685B1 (en) 1997-08-01 2001-02-13 Surface Technology Systems Limited Method and apparatus for etching a substrate
KR20010034127A (ko) * 1998-01-13 2001-04-25 조셉 제이. 스위니 이방성 플라티늄 프로화일을 위한 에칭 방법
KR100521120B1 (ko) * 1998-02-13 2005-10-12 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 반도체소자의 표면처리방법 및 장치
US6201208B1 (en) 1999-11-04 2001-03-13 Wisconsin Alumni Research Foundation Method and apparatus for plasma processing with control of ion energy distribution at the substrates
US6875700B2 (en) * 2000-08-29 2005-04-05 Board Of Regents, The University Of Texas System Ion-Ion plasma processing with bias modulation synchronized to time-modulated discharges
US7126808B2 (en) 2003-04-01 2006-10-24 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Wafer platen equipped with electrostatic clamp, wafer backside gas cooling, and high voltage operation capability for plasma doping
US7771562B2 (en) 2003-11-19 2010-08-10 Tokyo Electron Limited Etch system with integrated inductive coupling
US7740737B2 (en) * 2004-06-21 2010-06-22 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US7988816B2 (en) 2004-06-21 2011-08-02 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US7976637B2 (en) * 2006-03-08 2011-07-12 Tokyo Electron Limited Substrate processing system, substrate surface processing apparatus, substrate surface inspecting apparatus, substrate surface inspecting method, and storage medium storing program for implementing the method
US8083961B2 (en) * 2006-07-31 2011-12-27 Tokyo Electron Limited Method and system for controlling the uniformity of a ballistic electron beam by RF modulation
EP1912266A1 (en) 2006-10-10 2008-04-16 STMicroelectronics S.r.l. Method of forming phase change memory devices in a pulsed DC deposition chamber
TWI464282B (zh) 2006-12-12 2014-12-11 Oerlikon Advanced Technologies Ag 具有高能脈衝磁管噴濺之射頻基板偏壓
US7718538B2 (en) 2007-02-21 2010-05-18 Applied Materials, Inc. Pulsed-plasma system with pulsed sample bias for etching semiconductor substrates
KR100855002B1 (ko) 2007-05-23 2008-08-28 삼성전자주식회사 플라즈마 이온 주입시스템
US20090004836A1 (en) 2007-06-29 2009-01-01 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Plasma doping with enhanced charge neutralization
US8133359B2 (en) 2007-11-16 2012-03-13 Advanced Energy Industries, Inc. Methods and apparatus for sputtering deposition using direct current
US9039871B2 (en) 2007-11-16 2015-05-26 Advanced Energy Industries, Inc. Methods and apparatus for applying periodic voltage using direct current
US8609546B2 (en) 2007-11-29 2013-12-17 Lam Research Corporation Pulsed bias plasma process to control microloading
JP5295833B2 (ja) 2008-09-24 2013-09-18 株式会社東芝 基板処理装置および基板処理方法
JP5210905B2 (ja) * 2009-01-30 2013-06-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP2010177626A (ja) 2009-02-02 2010-08-12 Denki Kagaku Kogyo Kk 回路基板
US8383001B2 (en) 2009-02-20 2013-02-26 Tokyo Electron Limited Plasma etching method, plasma etching apparatus and storage medium
US8382999B2 (en) 2009-03-26 2013-02-26 Applied Materials, Inc. Pulsed plasma high aspect ratio dielectric process
US8475673B2 (en) * 2009-04-24 2013-07-02 Lam Research Company Method and apparatus for high aspect ratio dielectric etch
US9767988B2 (en) 2010-08-29 2017-09-19 Advanced Energy Industries, Inc. Method of controlling the switched mode ion energy distribution system
US9287086B2 (en) 2010-04-26 2016-03-15 Advanced Energy Industries, Inc. System, method and apparatus for controlling ion energy distribution
US9435029B2 (en) 2010-08-29 2016-09-06 Advanced Energy Industries, Inc. Wafer chucking system for advanced plasma ion energy processing systems
US9287092B2 (en) 2009-05-01 2016-03-15 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for controlling ion energy distribution
US8404598B2 (en) * 2009-08-07 2013-03-26 Applied Materials, Inc. Synchronized radio frequency pulsing for plasma etching
JP5571996B2 (ja) * 2010-03-31 2014-08-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US9309594B2 (en) 2010-04-26 2016-04-12 Advanced Energy Industries, Inc. System, method and apparatus for controlling ion energy distribution of a projected plasma
US20120000421A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Varian Semicondutor Equipment Associates, Inc. Control apparatus for plasma immersion ion implantation of a dielectric substrate
US20130059448A1 (en) * 2011-09-07 2013-03-07 Lam Research Corporation Pulsed Plasma Chamber in Dual Chamber Configuration
US8828883B2 (en) 2010-08-24 2014-09-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for energetic neutral flux generation for processing a substrate
US9362089B2 (en) 2010-08-29 2016-06-07 Advanced Energy Industries, Inc. Method of controlling the switched mode ion energy distribution system
US20120088371A1 (en) 2010-10-07 2012-04-12 Applied Materials, Inc. Methods for etching substrates using pulsed dc voltage
US9105447B2 (en) 2012-08-28 2015-08-11 Advanced Energy Industries, Inc. Wide dynamic range ion energy bias control; fast ion energy switching; ion energy control and a pulsed bias supply; and a virtual front panel
US9210790B2 (en) 2012-08-28 2015-12-08 Advanced Energy Industries, Inc. Systems and methods for calibrating a switched mode ion energy distribution system
US9685297B2 (en) 2012-08-28 2017-06-20 Advanced Energy Industries, Inc. Systems and methods for monitoring faults, anomalies, and other characteristics of a switched mode ion energy distribution system
US8916056B2 (en) 2012-10-11 2014-12-23 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Biasing system for a plasma processing apparatus
US9287098B2 (en) 2012-11-01 2016-03-15 Advanced Energy Industries, Inc. Charge removal from electrodes in unipolar sputtering system
US9226380B2 (en) 2012-11-01 2015-12-29 Advanced Energy Industries, Inc. Adjustable non-dissipative voltage boosting snubber network
US9129776B2 (en) 2012-11-01 2015-09-08 Advanced Energy Industries, Inc. Differing boost voltages applied to two or more anodeless electrodes for plasma processing
US10049948B2 (en) 2012-11-30 2018-08-14 Lam Research Corporation Power switching system for ESC with array of thermal control elements
US9653316B2 (en) * 2013-02-18 2017-05-16 Tokyo Electron Limited Plasma processing method and plasma processing apparatus
KR102064914B1 (ko) 2013-03-06 2020-01-10 삼성전자주식회사 식각 공정 장치 및 식각 공정 방법
KR20150128965A (ko) 2013-03-13 2015-11-18 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 구리를 위한 ｕｖ-보조 반응성 이온 에칭
US20140263182A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Tokyo Electron Limited Dc pulse etcher
US9101038B2 (en) 2013-12-20 2015-08-04 Lam Research Corporation Electrostatic chuck including declamping electrode and method of declamping
KR102222902B1 (ko) 2014-05-12 2021-03-05 삼성전자주식회사 플라즈마 장비 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US9812305B2 (en) 2015-04-27 2017-11-07 Advanced Energy Industries, Inc. Rate enhanced pulsed DC sputtering system
US10373811B2 (en) 2015-07-24 2019-08-06 Aes Global Holdings, Pte. Ltd Systems and methods for single magnetron sputtering
WO2017087410A2 (en) * 2015-11-16 2017-05-26 Tokyo Electron Limited Etching method for a structure pattern layer having a first material and second material
US20170358431A1 (en) 2016-06-13 2017-12-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for controlling a voltage waveform at a substrate during plasma processing
KR20180019906A (ko) * 2016-08-17 2018-02-27 삼성전자주식회사 플라즈마 식각장비 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US10312048B2 (en) 2016-12-12 2019-06-04 Applied Materials, Inc. Creating ion energy distribution functions (IEDF)
US10373804B2 (en) 2017-02-03 2019-08-06 Applied Materials, Inc. System for tunable workpiece biasing in a plasma reactor
US20180277340A1 (en) * 2017-03-24 2018-09-27 Yang Yang Plasma reactor with electron beam of secondary electrons
US10763150B2 (en) 2017-09-20 2020-09-01 Applied Materials, Inc. System for coupling a voltage to spatially segmented portions of the wafer with variable voltage
US10510575B2 (en) 2017-09-20 2019-12-17 Applied Materials, Inc. Substrate support with multiple embedded electrodes
US10904996B2 (en) 2017-09-20 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrically floating power supply
US10714372B2 (en) 2017-09-20 2020-07-14 Applied Materials, Inc. System for coupling a voltage to portions of a substrate
US20190088518A1 (en) 2017-09-20 2019-03-21 Applied Materials, Inc. Substrate support with cooled and conducting pins
US10811296B2 (en) 2017-09-20 2020-10-20 Applied Materials, Inc. Substrate support with dual embedded electrodes
US11021788B2 (en) * 2017-12-05 2021-06-01 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Sputtering method
WO2019143474A1 (en) 2018-01-18 2019-07-25 Applied Materials, Inc. Etching apparatus and methods
US11688586B2 (en) * 2018-08-30 2023-06-27 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for plasma processing
US11043387B2 (en) * 2019-10-30 2021-06-22 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006270019A (ja) 2004-06-21 2006-10-05 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法、ならびにコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2010171320A (ja) 2009-01-26 2010-08-05 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置および記憶媒体
JP2012054534A (ja) 2010-09-01 2012-03-15 Samsung Electronics Co Ltd プラズマエッチング方法及びその装置
JP2013257977A (ja) 2012-06-11 2013-12-26 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプローブ装置
JP2016066593A (ja) 2014-09-17 2016-04-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2019521253A (ja) 2016-06-28 2019-07-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 電子ビームプラズマプロセスにより形成されるダイヤモンドライクカーボン層

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