JP2016066593A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016066593A JP2016066593A JP2015128277A JP2015128277A JP2016066593A JP 2016066593 A JP2016066593 A JP 2016066593A JP 2015128277 A JP2015128277 A JP 2015128277A JP 2015128277 A JP2015128277 A JP 2015128277A JP 2016066593 A JP2016066593 A JP 2016066593A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power
- pulse
- frequency
- period
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 57
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 35
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 23
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 claims description 2
- WWYNJERNGUHSAO-XUDSTZEESA-N (+)-Norgestrel Chemical compound O=C1CC[C@@H]2[C@H]3CC[C@](CC)([C@](CC4)(O)C#C)[C@@H]4[C@@H]3CCC2=C1 WWYNJERNGUHSAO-XUDSTZEESA-N 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 68
- 230000008569 process Effects 0.000 description 42
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 39
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 35
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 27
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 23
- 238000002847 impedance measurement Methods 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 7
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003631 expected effect Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32146—Amplitude modulation, includes pulsing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32155—Frequency modulation
- H01J37/32165—Plural frequencies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
- H01J37/32183—Matching circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】このプラズマ処理装置では、たとえばプラズマ生成用の高周波にハイ/ロウのパルス変調をかける場合、整合器内で加重平均の重み変数Kを0.5<K<1に設定した場合は、プラズマ生成系の高周波給電ライン上では、パルス・オン期間Ton中にも反射波が一定のパワーPRHで発生する一方で、パルス・オフ期間Toff中の反射波のパワーPRLが減少する。Kの値を調整することにより、パルス・オン期間Tonにおける反射波パワーとパルス・オフ期間Toffにおける反射波パワーとのバランスを任意に制御することができる。
【選択図】 図1
Description
[プラズマ処理装置の構成]
[高周波電源及び整合器の構成]
[インピーダンスセンサの構成]
[整合器の作用]
bZ=K*aZon+(1−K)*aZoff ・・・・(1)
[電源制御部内の要部の構成]
[実施形態におけるPL制御の作用]
[エッチングプロセスにおける実施例]
<第1実験のパラメータおよび実験結果>
<第2実験のパラメータおよび実験結果>
<実験の評価>
[上部電極放電対策に関する実施例]
Vpp変動率=100×(Vpp-max−Vpp-ave)/Vpp-ave ・・・(2)
ただし、Vpp-maxは判定区間の中に設定される一定のサンプリング期間TSにおけるVppの最大値であり、Vpp-aveは該サンプリング期間TSにおけるVppの平均値である。
[他の実施形態または変形例]
16 サセプタ(下部電極)
36 (プラズマ生成系)高周波電源
38 (イオン引き込み系)高周波電源
40,42 整合器
43,45 高周波給電ライン
46 上部電極(シャワーヘッド)
56 処理ガス供給源
72 主制御部
90A,90B 高周波発振器
92A,92B パワーアンプ
94A,94B 電源制御部
96A,96B RFパワーモニタ
98A,98B 整合回路
100A,102A,100B,102B モータ
104A,104B マッチングコントローラ
107A,107B Vpp検出器
110A,110B RF電圧検出器
112A,112B RF電流検出器
114A,114B 負荷インピーダンス瞬時値演算回路
116A,116B 算術平均値演算回路
118A,118B 加重平均値演算回路
120A,120B 移動平均値演算回路
122A,122B ロードパワー測定部
124A,124B 高周波出力制御部
126A,126B (パルス・オン期間用)制御指令値生成部
128A,128B (パルス・オフ期間用)制御指令値生成部
130A,130B 比較器
132A,132B アンプ制御回路
134A,134B コントローラ
136A,136B 切替回路
Claims (11)
- 被処理体を出し入れ可能に収容する真空排気可能な処理容器内で処理ガスの高周波放電によるプラズマを生成し、前記プラズマの下で前記処理容器内の前記被処理体に所望の処理を施すプラズマ処理装置であって、
第1の高周波を出力する第1の高周波電源と、
一定のデューティ比で交互に繰り返す第1および第2の期間において、前記第1の期間では前記第1の高周波のパワーがハイレベルになり、前記第2の期間では前記第1の高周波のパワーが前記ハイレベルより低いロウレベルになるように、前記第1の高周波電源の出力を一定周波数の変調パルスで変調する第1の高周波パワー変調部と、
前記第1の高周波電源より出力される前記第1の高周波を前記処理容器の中または周囲に配置される第1の電極まで伝送するための第1の高周波給電ラインと、
前記第1の高周波給電ライン上で前記第1の高周波電源より見える負荷のインピーダンスを測定し、前記第1の期間における負荷インピーダンスの測定値と前記第2の期間における負荷インピーダンスの測定値とを所望の重みで加重平均して得られる加重平均測定値を前記第1の高周波電源の出力インピーダンスに整合させる第1の整合器と
を有するプラズマ処理装置。 - 第2の高周波を出力する第2の高周波電源と、
前記第2の高周波電源より出力される前記第2の高周波を前記第1の電極または前記処理容器の中または周囲に配置される第2の電極まで伝送するための第2の高周波給電ラインと、
前記第1の期間では前記第2の高周波のパワーがオン状態またはハイレベルになり、前記第2の期間では前記第2の高周波のパワーがオフ状態または前記ハイレベルより低いロウレベルになるように、前記第2の高周波電源の出力を前記変調パルスで変調する第2の高周波パワー変調部と
を有する、請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第2の高周波は、前記プラズマからイオンを前記被処理体に引き込むのに適した周波数を有する、請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の高周波電源が、
前記第1の高周波給電ライン上で、前記第1の高周波電源から前記第1の電極に向かって順方向に伝搬する進行波のパワーおよび前記第1の電極から前記第1の高周波電源に向かって逆方向に伝搬する反射波のパワーを検知し、前記進行波のパワーおよび前記反射波のパワーをそれぞれ表わす進行波パワー検知信号および反射波パワー検知信号を生成する第1のRFパワーモニタと、
前記RFパワーモニタより得られる前記進行波パワー検知信号と前記反射波パワー検知信号とから、前記プラズマを含む負荷に供給されるロードパワーの測定値を求める第1のロードパワー測定部と、
前記変調パルスの各サイクルにおける前記第2の期間中に、前記ロードパワー測定部より得られる前記ロードパワーの測定値を所定のロードパワー設定値に一致または近似させるように、前記進行波のパワーに対してフィードバック制御をかける第1の高周波出力制御部と
を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1の高周波電源が、
前記第1の高周波給電ライン上で、前記第1の高周波電源から前記第1の電極に向かって順方向に伝搬する進行波のパワーおよび前記第1の電極から前記第1の高周波電源に向かって逆方向に伝搬する反射波のパワーを検知し、前記進行波のパワーおよび前記反射波のパワーをそれぞれ表わす進行波パワー検知信号および反射波パワー検知信号を生成する第1のRFパワーモニタと、
前記RFパワーモニタより得られる前記進行波パワー検知信号と前記反射波パワー検知信号とから、前記プラズマを含む負荷に供給されるロードパワーの測定値を求める第1のロードパワー測定部と、
前記変調パルスの各サイクルにおける前記第1および第2の期間中に、前記ロードパワー測定部より得られる前記ロードパワーの測定値を前記第1および第2の期間について個別に与えられる第1および第2のロードパワー設定値にそれぞれ一致または近似させるように、前記進行波のパワーに対して前記第1の期間と前記第2の期間とで個別にフィードバック制御をかける第1の高周波出力制御部と
を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1の高周波は、前記プラズマの生成に適した周波数を有する、請求項1〜5のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の電極に前記被処理体が載置される、請求項6に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2の期間における前記第2の高周波のパワーは、前記プラズマ生成状態を維持するのに必要な最小限のパワーより高い、請求項1〜7のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記変調パルスに同期して、前記第2の期間中にのみ前記第2の電極に負極性の直流電圧を印加する直流電源部を有する、請求項1〜8のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器内でプラズマ生成空間を介して前記被処理体と対向する電極に負極性の直流電圧を印加し、前記変調パルスに同期して前記第1の期間中よりも前記第2の期間中において前記直流電圧の絶対値を大きくする直流給電部を有する、請求項1〜9のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記変調パルスの周波数は2〜8kHzであり、デューティ比は20〜80%である、請求項1〜10のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150126297A KR102346940B1 (ko) | 2014-09-17 | 2015-09-07 | 플라즈마 처리 장치 |
US14/853,140 US10115567B2 (en) | 2014-09-17 | 2015-09-14 | Plasma processing apparatus |
TW104130519A TWI665711B (zh) | 2014-09-17 | 2015-09-16 | 電漿處理裝置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014188897 | 2014-09-17 | ||
JP2014188897 | 2014-09-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016066593A true JP2016066593A (ja) | 2016-04-28 |
JP6512962B2 JP6512962B2 (ja) | 2019-05-15 |
Family
ID=55805801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015128277A Active JP6512962B2 (ja) | 2014-09-17 | 2015-06-26 | プラズマ処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6512962B2 (ja) |
KR (1) | KR102346940B1 (ja) |
TW (1) | TWI665711B (ja) |
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017208060A1 (de) | 2016-05-16 | 2017-11-16 | Fanuc Corporation | Servosteuerung, steuerverfahren, und computerprogramm für eine werkzeugmaschine zum oszillationsschneiden |
JP2017204467A (ja) * | 2016-05-10 | 2017-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2017212447A (ja) * | 2016-05-26 | 2017-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 高アスペクト比フィーチャをエッチングするための多周波電力変調 |
JP2019036482A (ja) * | 2017-08-18 | 2019-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波出力装置及びプラズマ処理装置 |
JP2019036483A (ja) * | 2017-08-18 | 2019-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2019087626A (ja) * | 2017-11-07 | 2019-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
CN109847580A (zh) * | 2019-03-21 | 2019-06-07 | 青岛大学 | 基于等离子体前处理和浸渍法的脱硝滤料及其制备方法 |
CN109847807A (zh) * | 2019-03-21 | 2019-06-07 | 青岛大学 | 基于等离子体处理和原位沉积法的脱硝滤料及其制备方法 |
JP2019186099A (ja) * | 2018-04-12 | 2019-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN110416075A (zh) * | 2018-04-27 | 2019-11-05 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理方法和等离子体处理装置 |
JP2019194943A (ja) * | 2018-05-01 | 2019-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波出力装置及びプラズマ処理装置 |
JP2019220435A (ja) * | 2018-06-22 | 2019-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマを生成する方法 |
CN110718441A (zh) * | 2016-10-26 | 2020-01-21 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置的阻抗匹配方法和等离子体处理装置 |
WO2020026802A1 (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御方法及びプラズマ処理装置 |
JP2020025083A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御方法及びプラズマ処理装置 |
JP2020515001A (ja) * | 2017-03-13 | 2020-05-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 可変周波数発生器を用いるスマート高周波パルス調整 |
JP2020119982A (ja) * | 2019-01-23 | 2020-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
CN111837222A (zh) * | 2018-06-22 | 2020-10-27 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理方法及等离子体处理装置 |
CN112017937A (zh) * | 2019-05-28 | 2020-12-01 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理方法及等离子体处理装置 |
CN112585716A (zh) * | 2018-08-30 | 2021-03-30 | 应用材料公司 | 具有乘数模式的射频(rf)脉冲阻抗调谐 |
JP2021108413A (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-29 | 株式会社ダイヘン | インピーダンス調整装置及びインピーダンス調整方法 |
JP2021118314A (ja) * | 2020-01-29 | 2021-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
CN113345788A (zh) * | 2018-06-22 | 2021-09-03 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质 |
JP2021132126A (ja) * | 2020-02-20 | 2021-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2021524654A (ja) * | 2018-07-10 | 2021-09-13 | トゥルンプフ ヒュッティンガー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトTRUMPF Huettinger GmbH + Co. KG | 電力供給装置及び該電力供給装置を動作させる方法 |
JP2023501162A (ja) * | 2019-10-30 | 2023-01-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板の処理方法及び装置 |
CN116759285A (zh) * | 2023-08-16 | 2023-09-15 | 深圳市恒运昌真空技术有限公司 | 一种射频电源、射频电源的叠层控制环路 |
WO2023189292A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11615941B2 (en) | 2009-05-01 | 2023-03-28 | Advanced Energy Industries, Inc. | System, method, and apparatus for controlling ion energy distribution in plasma processing systems |
US9257274B2 (en) | 2010-04-15 | 2016-02-09 | Lam Research Corporation | Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method |
US9685297B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-06-20 | Advanced Energy Industries, Inc. | Systems and methods for monitoring faults, anomalies, and other characteristics of a switched mode ion energy distribution system |
US9336901B2 (en) * | 2014-03-17 | 2016-05-10 | Lam Research Corporation | Track and hold feedback control of pulsed RF |
US9773643B1 (en) | 2016-06-30 | 2017-09-26 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for deposition and etch in gap fill |
TWI641293B (zh) * | 2016-11-03 | 2018-11-11 | 呈睿國際股份有限公司 | 用於多變阻抗負載之射頻電漿電源供應系統及其自動匹配器與匹配方法 |
US10020168B1 (en) * | 2017-07-20 | 2018-07-10 | Lam Research Corporation | Systems and methods for increasing efficiency of delivered power of a megahertz radio frequency generator in the presence of a kilohertz radio frequency generator |
JP7045152B2 (ja) * | 2017-08-18 | 2022-03-31 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
CN111788654B (zh) * | 2017-11-17 | 2023-04-14 | 先进工程解决方案全球控股私人有限公司 | 等离子体处理***中的调制电源的改进应用 |
PL3711080T3 (pl) | 2017-11-17 | 2023-12-11 | Aes Global Holdings, Pte. Ltd. | Zsynchronizowane pulsowanie źródła przetwarzania plazmy oraz polaryzacji podłoża |
EP3711081B1 (en) | 2017-11-17 | 2024-06-19 | AES Global Holdings, Pte. Ltd. | Spatial and temporal control of ion bias voltage for plasma processing |
JP2019186098A (ja) * | 2018-04-12 | 2019-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマを生成する方法 |
CN111916327B (zh) * | 2019-05-10 | 2023-04-28 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 多频率多阶段的等离子体射频输出的方法及其装置 |
JP2022541004A (ja) | 2019-07-12 | 2022-09-21 | エーイーエス グローバル ホールディングス, プライベート リミテッド | 単一制御型スイッチを伴うバイアス供給装置 |
KR102223876B1 (ko) * | 2019-10-28 | 2021-03-05 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 불안정 매칭 현상을 해소하기 위한 다중 전압 제어 방법 및 다중 전압 제어 방식의 고주파 전원 장치 |
KR102190925B1 (ko) * | 2019-10-30 | 2020-12-14 | 광운대학교 산학협력단 | 챔버 간 매칭 모니터링 시스템 |
KR102190926B1 (ko) * | 2019-10-31 | 2020-12-14 | 광운대학교 산학협력단 | 기판 상태 및 플라즈마 상태를 측정하기 위한 측정 시스템 |
KR20220157256A (ko) * | 2021-05-20 | 2022-11-29 | 인투코어테크놀로지 주식회사 | 반도체 공정에서 바이어스 전원을 제공하는 주파수 발생 장치 |
US11670487B1 (en) | 2022-01-26 | 2023-06-06 | Advanced Energy Industries, Inc. | Bias supply control and data processing |
US11942309B2 (en) | 2022-01-26 | 2024-03-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | Bias supply with resonant switching |
US11978613B2 (en) | 2022-09-01 | 2024-05-07 | Advanced Energy Industries, Inc. | Transition control in a bias supply |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010238881A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2013125892A (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2015090759A (ja) * | 2013-11-05 | 2015-05-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW335517B (en) * | 1996-03-01 | 1998-07-01 | Hitachi Ltd | Apparatus and method for processing plasma |
KR101124770B1 (ko) * | 2008-03-31 | 2012-03-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법 및 컴퓨터 판독이 가능한 기억 매체 |
US8847561B2 (en) * | 2008-05-07 | 2014-09-30 | Advanced Energy Industries, Inc. | Apparatus, system, and method for controlling a matching network based on information characterizing a cable |
EP2416629B1 (en) * | 2009-08-07 | 2021-04-21 | Kyosan Electric Mfg. Co. Ltd | Pulse-modulated high-frequency power control method and pulse-modulated high-frequency power source device |
US8741097B2 (en) * | 2009-10-27 | 2014-06-03 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
JP5558224B2 (ja) | 2010-06-23 | 2014-07-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
JP5893864B2 (ja) | 2011-08-02 | 2016-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
TWI442838B (zh) * | 2011-11-04 | 2014-06-21 | Advanced Micro Fab Equip Inc | A single matching network, a construction method thereof, and a matching network radio frequency power source system |
US20130277333A1 (en) * | 2012-04-24 | 2013-10-24 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing using rf return path variable impedance controller with two-dimensional tuning space |
US9082589B2 (en) * | 2012-10-09 | 2015-07-14 | Novellus Systems, Inc. | Hybrid impedance matching for inductively coupled plasma system |
US9294100B2 (en) * | 2012-12-04 | 2016-03-22 | Advanced Energy Industries, Inc. | Frequency tuning system and method for finding a global optimum |
-
2015
- 2015-06-26 JP JP2015128277A patent/JP6512962B2/ja active Active
- 2015-09-07 KR KR1020150126297A patent/KR102346940B1/ko active IP Right Grant
- 2015-09-16 TW TW104130519A patent/TWI665711B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010238881A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2013125892A (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2015090759A (ja) * | 2013-11-05 | 2015-05-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
Cited By (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017204467A (ja) * | 2016-05-10 | 2017-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR20170126810A (ko) * | 2016-05-10 | 2017-11-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
KR102341913B1 (ko) * | 2016-05-10 | 2021-12-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
US10379519B2 (en) | 2016-05-16 | 2019-08-13 | Fanuc Corporation | Servo controller, control method, and non-transitory computer-readable recording medium for machine tool used for oscillating cutting |
DE102017208060A1 (de) | 2016-05-16 | 2017-11-16 | Fanuc Corporation | Servosteuerung, steuerverfahren, und computerprogramm für eine werkzeugmaschine zum oszillationsschneiden |
DE102017208060B4 (de) | 2016-05-16 | 2022-06-30 | Fanuc Corporation | Servosteuerung, steuerverfahren, und computerprogramm für eine werkzeugmaschine zum oszillationsschneiden |
JP2017212447A (ja) * | 2016-05-26 | 2017-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 高アスペクト比フィーチャをエッチングするための多周波電力変調 |
US10340123B2 (en) | 2016-05-26 | 2019-07-02 | Tokyo Electron Limited | Multi-frequency power modulation for etching high aspect ratio features |
CN110718441A (zh) * | 2016-10-26 | 2020-01-21 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置的阻抗匹配方法和等离子体处理装置 |
JP2020515001A (ja) * | 2017-03-13 | 2020-05-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 可変周波数発生器を用いるスマート高周波パルス調整 |
JP2019036482A (ja) * | 2017-08-18 | 2019-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波出力装置及びプラズマ処理装置 |
JP2019036483A (ja) * | 2017-08-18 | 2019-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2019087626A (ja) * | 2017-11-07 | 2019-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
US10854470B2 (en) | 2017-11-07 | 2020-12-01 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method |
JP2019186099A (ja) * | 2018-04-12 | 2019-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN110416075A (zh) * | 2018-04-27 | 2019-11-05 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理方法和等离子体处理装置 |
CN110416075B (zh) * | 2018-04-27 | 2024-03-29 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理方法和等离子体处理装置 |
JP2019194943A (ja) * | 2018-05-01 | 2019-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波出力装置及びプラズマ処理装置 |
CN111837222A (zh) * | 2018-06-22 | 2020-10-27 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理方法及等离子体处理装置 |
JP2019220435A (ja) * | 2018-06-22 | 2019-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマを生成する方法 |
CN111837222B (zh) * | 2018-06-22 | 2024-04-09 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理方法及等离子体处理装置 |
CN113345788A (zh) * | 2018-06-22 | 2021-09-03 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质 |
JP2021524654A (ja) * | 2018-07-10 | 2021-09-13 | トゥルンプフ ヒュッティンガー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトTRUMPF Huettinger GmbH + Co. KG | 電力供給装置及び該電力供給装置を動作させる方法 |
JP7351895B2 (ja) | 2018-07-10 | 2023-09-27 | トゥルンプフ ヒュッティンガー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | 電力供給装置及び該電力供給装置を動作させる方法 |
JP2020025083A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御方法及びプラズマ処理装置 |
CN111819664A (zh) * | 2018-07-30 | 2020-10-23 | 东京毅力科创株式会社 | 控制方法和等离子体处理装置 |
WO2020026802A1 (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御方法及びプラズマ処理装置 |
JP7306886B2 (ja) | 2018-07-30 | 2023-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御方法及びプラズマ処理装置 |
CN111819664B (zh) * | 2018-07-30 | 2024-04-12 | 东京毅力科创株式会社 | 控制方法和等离子体处理装置 |
CN112585716A (zh) * | 2018-08-30 | 2021-03-30 | 应用材料公司 | 具有乘数模式的射频(rf)脉冲阻抗调谐 |
JP2021535542A (ja) * | 2018-08-30 | 2021-12-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Incorporated | 乗数モードを用いる高周波(rf)パルスインピーダンス同調 |
CN112585716B (zh) * | 2018-08-30 | 2024-04-09 | 应用材料公司 | 具有乘数模式的射频(rf)脉冲阻抗调谐 |
JP2020119982A (ja) * | 2019-01-23 | 2020-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
CN109847580A (zh) * | 2019-03-21 | 2019-06-07 | 青岛大学 | 基于等离子体前处理和浸渍法的脱硝滤料及其制备方法 |
CN109847807A (zh) * | 2019-03-21 | 2019-06-07 | 青岛大学 | 基于等离子体处理和原位沉积法的脱硝滤料及其制备方法 |
US11764034B2 (en) | 2019-05-28 | 2023-09-19 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method and plasma processing apparatus |
CN112017937A (zh) * | 2019-05-28 | 2020-12-01 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理方法及等离子体处理装置 |
JP2020194868A (ja) * | 2019-05-28 | 2020-12-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP7234036B2 (ja) | 2019-05-28 | 2023-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP2023059948A (ja) * | 2019-05-28 | 2023-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP7403015B2 (ja) | 2019-05-28 | 2023-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP7500718B2 (ja) | 2019-10-30 | 2024-06-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板の処理方法及び装置 |
JP2023501162A (ja) * | 2019-10-30 | 2023-01-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板の処理方法及び装置 |
US11811384B2 (en) | 2019-12-27 | 2023-11-07 | Daihen Corporation | Impedance adjustment device and impedance adjustment method |
JP2021108413A (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-29 | 株式会社ダイヘン | インピーダンス調整装置及びインピーダンス調整方法 |
JP2021118314A (ja) * | 2020-01-29 | 2021-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP7336395B2 (ja) | 2020-01-29 | 2023-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2021132126A (ja) * | 2020-02-20 | 2021-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
WO2023189292A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN116759285A (zh) * | 2023-08-16 | 2023-09-15 | 深圳市恒运昌真空技术有限公司 | 一种射频电源、射频电源的叠层控制环路 |
CN116759285B (zh) * | 2023-08-16 | 2024-01-30 | 深圳市恒运昌真空技术股份有限公司 | 一种射频电源、射频电源的叠层控制环路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201621974A (zh) | 2016-06-16 |
KR20160033034A (ko) | 2016-03-25 |
TWI665711B (zh) | 2019-07-11 |
KR102346940B1 (ko) | 2022-01-04 |
JP6512962B2 (ja) | 2019-05-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6512962B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US10115567B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
KR102265231B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JP6374647B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR102265228B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
US10593519B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
US10109461B2 (en) | Plasma processing method | |
US11742183B2 (en) | Plasma processing apparatus and control method | |
JP4660498B2 (ja) | 基板のプラズマ処理装置 | |
JP6055537B2 (ja) | プラズマ処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20160408 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180502 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190312 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190409 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6512962 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |