JP7500283B2 - 半導体式ガス検知素子 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 84
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 81
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 64
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 64
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 59
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 55
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 39
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 34
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims description 25
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 19
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 12
- NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N isobutane Chemical compound CC(C)C NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000001282 iso-butane Substances 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 111
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 231100000572 poisoning Toxicity 0.000 description 14
- 230000000607 poisoning effect Effects 0.000 description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 description 13
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 9
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 4
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- -1 silica Chemical class 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
前記感応層を被覆し、前記感応層の劣化を抑制する保護層との2層からなり、前記保護層が、金属酸化物と、前記金属酸化物に保持されたクロムおよびビスマスとを含むことを特徴とする。
半導体式ガス検知素子として、図1に示される半導体式ガス検知素子1を作製した。半導体式ガス検知素子の各構成要素は、以下の要領で作製した。
半導体式ガス検知素子を公知のブリッジ回路に組み込んで、大気中に100ppmの13Aガスが含まれる環境において、半導体式ガス検知素子から出力されるセンサ出力を測定した。
保護層における添加元素の違いにより、有機シリコーンガス曝露環境下における半導体式ガス検知素子の耐久性がどのように変化するのかを調べた。試験に供した半導体式ガス検知素子の保護層は、以下の表1に示す通りであった。なお、表1中、添加元素の含有量は、保護層全体の元素の含有率を100モル%としたときの添加元素の含有率(モル%)で表している。半導体式ガス検知素子の被毒耐久性試験では、大気中に20ppmのヘキサメチルジシロキサン(HMDS)が含まれる環境に半導体式ガス検知素子を間欠曝露した。間欠曝露は、1分間の曝露と4分間の非曝露とを交互に繰り返した。間欠曝露のトータルの時間は、1時間、4時間、6時間、8時間、10時間とした。半導体式ガス検知素子の被毒耐久性は、間欠曝露の各時間経過後に半導体式ガス検知素子のセンサ出力を測定して、センサ出力が、スパン調整下限15mVを下回るか、スパン調整上限100mVを上回るまでの間欠曝露時間で評価した。スパン調整下限およびスパン調整上限という用語は、半導体式ガス検知素子を組み込んだガス検知器の調整可能範囲(本実施例では、大気中に100ppmの13Aガスが含まれる場合に半導体式ガス検知素子から出力されるセンサ出力の所定の規格範囲)の下限および上限を意味する。なお、いずれの半導体式ガス検知素子も、間欠曝露の経過に伴って、センサ出力がスパン調整上限100mVを上回ることはなかった。
保護層における添加元素の違いにより、高温高湿無通電環境下における半導体式ガス検知素子の耐久性がどのように変化するのかを調べた。試験に供した半導体式ガス検知素子は、上記の表1に示す通りであった。半導体式ガス検知素子の高温高湿耐久性試験では、半導体式ガス検知素子を、温度40℃、相対湿度100%の大気環境において、通電することなく15日間放置した。半導体式ガス検知素子の高温高湿耐久性は、高温高湿耐久性試験前後における半導体式ガス検知素子のセンサ出力の変化の大きさにより評価した。
2 感応層
3 保護層
4 コイル
Claims (4)
- 検知対象ガスを検知するための半導体式ガス検知素子であって、
前記半導体式ガス検知素子が、
金属酸化物半導体を主成分とする感応層と、
前記感応層を被覆し、前記感応層の劣化を抑制する保護層と
の2層からなり、
前記保護層が、金属酸化物と、前記金属酸化物に保持されたクロムおよびビスマスとを含み、
前記保護層の前記金属酸化物が、酸化スズを含む、
半導体式ガス検知素子。 - 前記保護層が、前記感応層の、有機シリコーンガスによる劣化および高温高湿環境下における劣化を抑制する保護層である、
請求項1に記載の半導体式ガス検知素子。 - 前記保護層が、前記金属酸化物に保持されたランタンを含む、
請求項1または2に記載の半導体式ガス検知素子。 - 前記検知対象ガスが、メタンガスまたはイソブタンガスである、
請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体式ガス検知素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020097987A JP7500283B2 (ja) | 2020-06-04 | 2020-06-04 | 半導体式ガス検知素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020097987A JP7500283B2 (ja) | 2020-06-04 | 2020-06-04 | 半導体式ガス検知素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021189145A JP2021189145A (ja) | 2021-12-13 |
JP7500283B2 true JP7500283B2 (ja) | 2024-06-17 |
Family
ID=78849318
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020097987A Active JP7500283B2 (ja) | 2020-06-04 | 2020-06-04 | 半導体式ガス検知素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7500283B2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6679787B1 (ja) | 2019-03-29 | 2020-04-15 | 新コスモス電機株式会社 | Mems型半導体式ガス検知素子 |
-
2020
- 2020-06-04 JP JP2020097987A patent/JP7500283B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6679787B1 (ja) | 2019-03-29 | 2020-04-15 | 新コスモス電機株式会社 | Mems型半導体式ガス検知素子 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021189145A (ja) | 2021-12-13 |
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Legal Events
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