JP7352714B1 - 半導体式ガス検知素子 - Google Patents
半導体式ガス検知素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7352714B1 JP7352714B1 JP2022190769A JP2022190769A JP7352714B1 JP 7352714 B1 JP7352714 B1 JP 7352714B1 JP 2022190769 A JP2022190769 A JP 2022190769A JP 2022190769 A JP2022190769 A JP 2022190769A JP 7352714 B1 JP7352714 B1 JP 7352714B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- gas
- semiconductor
- ethylene
- catalyst layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Description
半導体式ガス検知素子として、図1に示される半導体式ガス検知素子を作製した。半導体式ガス検知素子のガス感応部および触媒層は、以下の要領で形成した。
半導体式ガス検知素子をブリッジ回路に組み込んで、検知対象ガスであるエチレンガス(以下では、単に「エチレン」という)、ならびに干渉ガスであるエタノールおよび水素がそれぞれ大気中に含まれるそれぞれの環境において、半導体式ガス検知素子の素子出力(ブリッジ回路内の電位差の変化)を測定した。半導体式ガス検知素子の温度は、貴金属線に所定量の電流を流すことにより、400℃とした。ガス感応部におけるタングステン酸化物およびモリブデン酸化物の添加量はそれぞれ、ガス感応部中の酸化スズならびにタングステン酸化物およびモリブデン酸化物の中での総金属成分(スズならびにタングステンおよびモリブデン)中のタングステンおよびモリブデンの含有量として1モル%および0.2モル%とした。また、触媒層にクロム酸化物を添加する場合、触媒層におけるクロム酸化物の添加量は、触媒層中の酸化スズおよびクロム酸化物の中での総金属成分(スズおよびクロム)中のクロムの含有量として1モル%とし、触媒層にロジウム酸化物を添加する場合、触媒層におけるロジウム酸化物の添加量は、触媒層中の酸化スズおよびロジウム酸化物の中での総金属成分(スズおよびロジウム)中のロジウムの含有量として0.05モル%とした。
触媒層へのクロム酸化物またはロジウム酸化物の添加量の異なる半導体式ガス検知素子をブリッジ回路に組み込んで、エチレン、水素およびエタノールがそれぞれ10ppm、100ppm、100ppmだけ大気中に含まれるそれぞれの環境において、半導体式ガス検知素子の素子出力を測定した。半導体式ガス検知素子の温度は、貴金属線に所定量の電流を流すことにより、400℃とした。ガス感応部におけるタングステン酸化物およびモリブデン酸化物の添加量はそれぞれ、ガス感応部中の酸化スズならびにタングステン酸化物およびモリブデン酸化物の中での総金属成分(スズならびにタングステンおよびモリブデン)中のタングステンおよびモリブデンの含有量として1モル%および0.2モル%とした。触媒層にクロム酸化物を添加する場合、クロム酸化物の添加量は、触媒層中の酸化スズおよびクロム酸化物の中での総金属成分(スズおよびクロム)中のクロムの含有量として0.2~2モル%とし、触媒層にロジウム酸化物を添加する場合、触媒層におけるロジウム酸化物の添加量は、触媒層中の酸化スズおよびロジウム酸化物の中での総金属成分(スズおよびロジウム)中のロジウムの含有量として0.02~0.2モル%とした。比較例として、クロム酸化物およびロジウム酸化物を含まない触媒層を備える半導体式ガス検知素子と、触媒層を備えない半導体式ガス検知素子を用いた。
2 ガス感応部
3 触媒層
4 貴金属線
Claims (1)
- エチレンガスを検知するための半導体式ガス検知素子であって、
前記半導体式ガス検知素子が、
酸化スズまたは酸化インジウムを主成分とし、タングステン酸化物およびモリブデン酸化物が添加された金属酸化物半導体により形成されるガス感応部と、
前記ガス感応部を覆い、酸化スズと、酸化スズに保持されたクロム酸化物またはロジウム酸化物とを含む触媒層と
を備える、半導体式ガス検知素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022190769A JP7352714B1 (ja) | 2022-11-29 | 2022-11-29 | 半導体式ガス検知素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022190769A JP7352714B1 (ja) | 2022-11-29 | 2022-11-29 | 半導体式ガス検知素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP7352714B1 true JP7352714B1 (ja) | 2023-09-28 |
JP2024078306A JP2024078306A (ja) | 2024-06-10 |
Family
ID=88099207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022190769A Active JP7352714B1 (ja) | 2022-11-29 | 2022-11-29 | 半導体式ガス検知素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7352714B1 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001289809A (ja) | 2000-01-31 | 2001-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガスセンサとその製造方法 |
JP2004077458A (ja) | 2001-11-14 | 2004-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガスセンサ,およびガスセンサの製造方法 |
JP2005214626A (ja) | 2002-01-16 | 2005-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガスセンサ、ガスセンサユニットおよびそれを用いた保鮮装置 |
US20060000259A1 (en) | 2004-05-17 | 2006-01-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Photo-induced sensitivity and selectivity of semiconductor gas sensors |
JP2015034796A (ja) | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 新コスモス電機株式会社 | 半導体式ガス検知素子 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0778501B2 (ja) * | 1989-05-18 | 1995-08-23 | 新コスモス電機株式会社 | 園芸作物の熟度判定方法 |
-
2022
- 2022-11-29 JP JP2022190769A patent/JP7352714B1/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001289809A (ja) | 2000-01-31 | 2001-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガスセンサとその製造方法 |
JP2004077458A (ja) | 2001-11-14 | 2004-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガスセンサ,およびガスセンサの製造方法 |
JP2005214626A (ja) | 2002-01-16 | 2005-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガスセンサ、ガスセンサユニットおよびそれを用いた保鮮装置 |
US20060000259A1 (en) | 2004-05-17 | 2006-01-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Photo-induced sensitivity and selectivity of semiconductor gas sensors |
JP2015034796A (ja) | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 新コスモス電機株式会社 | 半導体式ガス検知素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2024078306A (ja) | 2024-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5255066B2 (ja) | 改善された選択性を有するガスセンサ | |
JPH04208847A (ja) | ガス検知素子 | |
EP0114310A2 (en) | Carbon monoxide sensing element and process for manufacturing it | |
JP6472168B2 (ja) | 接触燃焼式ガスセンサ | |
JP2766853B2 (ja) | ガスセンサ | |
JP7352714B1 (ja) | 半導体式ガス検知素子 | |
KR100582505B1 (ko) | 시오센서 및 그 제조방법 | |
JP6128598B2 (ja) | 金属酸化物半導体式ガスセンサ | |
JP7403232B2 (ja) | 半導体式ガス検知素子 | |
JP2015034796A (ja) | 半導体式ガス検知素子 | |
JP3171745B2 (ja) | 基板型半導体式ガスセンサ及びガス検出器 | |
JP2005127743A (ja) | アンモニアガスセンサ | |
JP7428771B1 (ja) | ガスセンサおよびガスセンサを備えたガス警報器 | |
JP7352461B2 (ja) | 半導体式ガス検知素子 | |
JP3091776B2 (ja) | ガスセンサ | |
RU2403563C1 (ru) | Дифференциальный сенсорный датчик для газоанализатора | |
JP7500283B2 (ja) | 半導体式ガス検知素子 | |
JP5906531B2 (ja) | 半導体式ガス検知素子 | |
JP3919306B2 (ja) | 炭化水素ガス検知素子 | |
RU91763U1 (ru) | Дифференциальный сенсорный датчик газа | |
JP3976883B2 (ja) | ガス検知素子 | |
JP3901594B2 (ja) | 半導体式水素ガス検知素子 | |
JPS6128937B2 (ja) | ||
JP3933500B2 (ja) | 半導体式ガス検知素子 | |
TW202424477A (zh) | 氣體傳感器和具備有氣體傳感器之氣體警報器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230808 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20230808 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230912 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230915 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7352714 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |