JP7497641B2 - 電気光学装置、および電子機器 - Google Patents
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Description
1.電気光学装置100の構成
図1は、本発明の実施形態1に係る電気光学装置100の平面図である。図2は、図1に示す電気光学装置100の断面図である。図1および図2に示すように、電気光学装置100では、第1基板10と、第2基板20とが所定の隙間を介してシール材107によって貼り合わされており、第1基板10と第2基板20とが対向している。シール材107は第2基板20の外縁に沿うように枠状に設けられており、第1基板10と第2基板20との間でシール材107によって囲まれた領域に液晶層等の電気光学層80が配置されている。シール材107は、光硬化性を備えた接着剤、あるいは光硬化性および熱硬化性を備えた接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。本形態において、第1基板10および第2基板20はいずれも四角形であり、電気光学装置100の略中央には、表示領域10aが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材107も略四角形に設けられ、シール材107の内周縁と表示領域10aの外周縁との間には、矩形枠状の周辺領域10bが設けられている。
図3は、図1に示す電気光学装置100において隣り合う複数の画素の平面図である。図4は、図3に示す画素の1つを拡大して示す平面図であり、図4には、トランジスター30付近を拡大して示してある。図5は、図4のA-A′断面図である。図6は、図4のB-B′断面図である。なお、図3、図4、および後述する図7~図9では、各層を以下の線で表してある。また、図3、図4、および後述する図7~図9では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。また、コンタクトホール41gを右上がりの斜線を付した領域で示し、溝11を左上がりの斜線を付した領域で示してある。
走査線3a=太い実線
半導体膜31a=細くて短い破線
ゲート電極8a=細い実線
第1容量電極4a=細くて長い破線
第2容量電極5a=細い一点鎖線
データ線6aおよび中継電極6b、6c=太くて長い破線
容量線7aおよび中継電極7b=太い二点鎖線
画素電極9a=太くて短い破線
図5および図6を参照するとともに、以下の図7~図9を適宜、参照して、第1基板10の詳細構成を説明する。図7は、図5および図6に示す走査線3a、半導体膜31a、ゲート電極8a等の平面図である。図8は、図5および図6に示す第1容量電極4aおよび第2容量電極5a等の平面図である。図9は、図5および図6に示すデータ線6aおよび容量線7a等の平面図である。なお、図7~図9には、それらの図に示す電極等の電気的な接続に関連するコンタクトホールを示すとともに、基準となる位置を示すために半導体膜31aおよび画素電極9aを示してある。
図10は、図7に示すコンタクトホール41g周辺を拡大して示す平面図である。ゲート電極8aは、ポリシリコン層81aと遮光層82aとを積層して構成されている。図10では、ポリシリコン層81aに右下がりの斜線を付し、遮光層82aに右上がりの斜線を付してある。従って、右下がりの斜線、および右上がりの斜線が付された領域は、ポリシリコン層81aと遮光層82aとが積層されていることを示す。
以上説明したように、本実施形態の電気光学装置100において、データ線6aに平面視で重なる位置には、第1層間絶縁膜41および第2層間絶縁膜42を貫通して基板本体19まで到達した溝11が設けられており、容量素子55は、第2層間絶縁膜42と画素電極9aとの間に設けられた第1素子部551と、溝11の内壁に沿って設けられた第2素子部552とを含む。従って、容量素子55の静電容量は、第1素子部551の静電容量と第2素子部552の静電容量との和である。また、溝11は、第1層間絶縁膜41および第2層間絶縁膜42を含む厚い絶縁膜を貫通して基板本体19までに到達している。特に本形態では、溝11が基板本体19の厚さ方向の途中位置まで到達している。従って、溝11が深いので、第2素子部552の静電容量が大きい。それ故、画素ピッチを狭めた場合でも、高い画素開口率を確保しつつ、静電容量が大きい容量素子55を構成することができる。
図11は、本発明の実施形態2に係る電気光学装置100の説明図である。図11には、溝11、第1容量電極4aおよび第2容量電極5a等の平面図を示してある。実施形態1において、溝11は、データ線6aと平面視で重ねる領域で第2方向Yに直線的に延在していた。これに対して、本形態では、図11に示すように、溝11は、データ線6aに沿う方向に延在する第1溝部111と、第1溝部111と繋がって第1溝部111と交差する方向に延在する第2溝部112とがデータ線6aに沿う方向に繰り返された平面形状を有している。このため、溝11の内壁の面積が広いので、第2素子部552の静電容量が大きい。それ故、静電容量が大きい容量素子55を構成することができる。
上記実施形態では、走査線3aに沿うように半導体膜31aが延在していたが、データ線6aに沿うように半導体膜31aが延在している態様であってもよい。
上述した実施形態に係る電気光学装置100を用いた電子機器について説明する。図12は、本発明を適用した電気光学装置100を用いた投射型表示装置の概略構成図である。図12には、偏光板等の光学素子の図示を省略してある。図12に示す投射型表示装置2100は、電気光学装置100を用いた電子機器の一例である。投射型表示装置2100において、電気光学装置100がライトバルブとして用いられ、装置を大きくすることなく高精細で明るい表示が可能である。この図に示されるように、投射型表示装置2100の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット等からなる光源部2102が設けられている。光源部2102から射出された投射光は、内部に配置された3枚のミラー2106および2枚のダイクロイックミラー2108によってR(赤)色、G(緑)色、B(青)色の3原色に分離される。分離された投射光は、各原色に対応するライトバルブ100R、100Gおよび100Bにそれぞれ導かれ、変調される。なお、B色の光は、他のR色やG色と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ2122、リレーレンズ2123および出射レンズ2124を有するリレーレンズ系2121を介して導かれる。
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するLED光源等を用い、かかるLED光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
本発明を適用した電気光学装置100を備えた電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置2100に限定されない。例えば、投射型のヘッドアップディスプレイ、直視型のヘッドマウントディスプレイ、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい。
Claims (8)
- 基板本体と、
画素電極と、
前記基板本体と前記画素電極との間の層で第1方向に延在する遮光性の走査線と、
前記走査線と前記画素電極との間の層に設けられた第1層間絶縁膜と、
前記第1層間絶縁膜と前記画素電極との間の層で前記第1方向と交差する第2方向に延在する遮光性のデータ線と、
前記第1層間絶縁膜と前記データ線との間で前記走査線および前記データ線に重なるように延在する半導体膜を備えたトランジスターと、
前記トランジスターと前記画素電極との間の層に設けられた第2層間絶縁膜と、
前記画素電極に電気的に接続された容量素子と、
を備え、
前記データ線に平面視で重なる位置で前記第1層間絶縁膜および第2層間絶縁膜を貫通して前記基板本体まで到達した溝が設けられ、
前記容量素子は、前記第2層間絶縁膜と前記画素電極との間に設けられた第1素子部と、前記溝の内壁に沿って設けられた第2素子部と、を含むことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1に記載の電気光学装置において、
前記容量素子では、第1容量電極、誘電体膜、および第2容量電極を含む積層膜が前記溝の内部から前記第2層間絶縁膜と前記画素電極との間まで延在し、
前記積層膜のうち、前記第2層間絶縁膜と前記画素電極との間に設けられた部分によって前記第1素子部が構成され、前記溝の内部に設けられた部分によって前記第2素子部が構成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1または2に記載の電気光学装置において、
前記溝は、前記データ線に沿う方向に延在する第1溝部と、前記第1溝部と繋がって前記第1溝部と交差する方向に延在する第2溝部とが前記データ線に沿う方向に繰り返された平面形状を有することを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1から3までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第2層間絶縁膜には、前記走査線に平面視で重なる位置で前記トランジスターのゲート電極の前記半導体膜と重なる部分より前記基板本体の側に底部が位置する深さの凹部が設けられ、
前記容量素子は、前記凹部の内壁に沿って設けられた第3素子部を含むことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項4に記載の電気光学装置において、
前記半導体膜は、チャネル領域と、前記チャネル領域から離間する位置で前記データ線が電気的に接続された第1領域と、前記チャネル領域と前記第1領域との間に設けられ、前記第1領域より不純物濃度が低い第1低濃度領域と、前記チャネル領域から前記第1方向と反対側に離間し、前記画素電極が電気的に接続された第2領域と、前記チャネル領域と前記第2領域との間に設けられ、前記第2領域より不純物濃度が低い第2低濃度領域と、を有し、
前記第2低濃度領域の幅方向の少なくとも一方側には、前記トランジスターのゲート電極と前記走査線とを電気的に接続するコンタクトホールが設けられていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1から5までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記溝は、前記基板本体の厚さ方向の途中位置まで到達していることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項6に記載の電気光学装置において、
前記溝の深さは、3μm以上であることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1から7までの何れか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
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---|---|---|---|---|
JP2008040399A (ja) | 2006-08-10 | 2008-02-21 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器 |
JP2008151901A (ja) | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2011049321A (ja) | 2009-08-26 | 2011-03-10 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US20130026474A1 (en) | 2011-07-26 | 2013-01-31 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd | Storage capacitor architecture for pixel structure and manufacturing method thereof |
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Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6014189A (en) * | 1996-11-15 | 2000-01-11 | International Business Machines Corporation | Transmissive liquid crystal cell with trench capacitor |
US5999234A (en) * | 1997-04-15 | 1999-12-07 | International Business Machines Corporation | Transmissive cell for ultra small pixel applications |
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JP5589359B2 (ja) * | 2009-01-05 | 2014-09-17 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP6696548B2 (ja) | 2018-10-16 | 2020-05-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電子機器 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008040399A (ja) | 2006-08-10 | 2008-02-21 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器 |
JP2008151901A (ja) | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2011049321A (ja) | 2009-08-26 | 2011-03-10 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US20130026474A1 (en) | 2011-07-26 | 2013-01-31 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd | Storage capacitor architecture for pixel structure and manufacturing method thereof |
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