JP7396223B2 - 電気光学装置、および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、トランジスターに電気的に接続された走査線を備えた電気光学装置、および電子機器に関するものである。

投射型表示装置のライトバルブ等として用いられる電気光学装置では、走査線から供給される走査信号によって複数のトランジスターを制御することによって、データ線から画素電極への画像信号の書き込みを制御する。従って、１本の走査線には複数のトランジスターが電気的に接続されていることから、電気光学装置の高解像度化等を実現するには、走査線の時定数を低減する必要がある。それには、配線の多層化によって走査線の低抵抗化を図ることが効果的である。例えば、半導体膜より下層側の走査線と、半導体膜より上層側の走査線とを絶縁膜を介して重ね、絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して下層側の走査線と上層側の走査線とを電気的に接続する（特許文献１参照）。

特開平１－３２１５４０号公報

特許文献１に記載の構成では、走査線と同一方向に延在する半導体膜を走査線と平面視で重ならないように形成してあるため、光リーク電流の原因となる半導体膜への光の入射を走査線によって遮断することが困難となる。一方、下層側の走査線と上層側の走査線との間に半導体膜を設けると、半導体膜とデータ線との電気的な接続、あるいは半導体膜と画素電極との電気的な接続が困難となる。それ故、特許文献１に記載の構造では、走査線の多層化と、光リーク電流の抑制とを実現することが困難であるという課題がある。

上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の一態様は、基板本体と、画素
電極と、前記基板本体と前記画素電極との間の層で第１方向に延在する遮光性の第１走査
線と、前記第１走査線と前記画素電極との間の層で前記第１走査線と平面視で重なるよう
に前記第１方向に延在する半導体膜、および前記画素電極の側から前記半導体膜にゲート
絶縁膜を介して重なるゲート電極を有するトランジスターと、前記ゲート電極と前記画素
電極との間の層で前記第１方向と交差する第２方向に延在するデータ線と、前記ゲート電
極と平面視で重なる第１コンタクト部と、前記半導体膜の側方で前記半導体膜に沿って前
記第１方向に延在する部分を含み、前記第１走査線と平面視で重なる第２コンタクト部と
、前記データ線および前記画素電極の一方と前記半導体膜とを前記第１走査線と平面視で
重なる位置で電気的に接続するための第３コンタクト部と、前記ゲート電極と前記画素電
極との間の層で前記第３コンタクト部から前記第２方向に離間する位置を通って前記第１
走査線と平面視で重なるように前記第１方向に延在し、前記第１コンタクト部を介して前
記ゲート電極と電気的に接続するとともに、前記第２コンタクト部を介して前記第１走査
線と電気的に接続する遮光性の第２走査線と、を備えることを特徴とする。

本発明を適用した電気光学装置は各種電子機器に用いられる。本発明において、電子機器が投射型表示装置である場合、投射型表示装置には、電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、が設けられる。

本発明の実施形態１に係る電気光学装置の平面図。 図１に示す電気光学装置の断面図。 図１に示す電気光学装置において隣り合う複数の画素の平面図。 図３に示す画素の１つを拡大して示す平面図。 図４のＡ１－Ａ１′断面図。 図４のＢ１－Ｂ１′断面図。 図４のＣ１－Ｃ１′断面図。 図４に示す第１走査線、半導体膜、ゲート電極、および第２走査線等の平面図。 図４に示す第１容量電極および第２容量電極等の平面図。 図４に示すデータ線および容量線等の平面図。 本発明の実施形態２に係る電気光学装置の平面図。 図１１のＣ２－Ｃ２′断面図。 本発明の実施形態３に係る電気光学装置の平面図。 図１３のＢ３－Ｂ３′断面図。 本発明の実施形態４に係る電気光学装置の説明図。 本発明の実施形態５に係る電気光学装置の説明図。 本発明の実施形態６に係る電気光学装置の説明図。 本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置の概略構成図。

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明において、第１基板１０に形成した各層を説明する際、上層側あるいは表面側とは電気光学層８０が位置する側を意味し、下層側とは基板本体１９が位置する側を意味する。また、第１基板１０の面内方向で交差する２方向のうち、第１走査線１ａが延在する方向を第１方向Ｘとし、データ線６ａが延在する方向を第２方向Ｙとする。また、第１方向Ｘに沿う方向の一方側を第１方向Ｘの一方側Ｘ１とし、第１方向Ｘに沿う方向の他方側を第１方向Ｘの他方側Ｘ２とし、第２方向Ｙに沿う方向の一方側を第２方向Ｙの一方側Ｙ１とし、第２方向Ｙに沿う方向の他方側を第２方向Ｙの他方側Ｙ２とする。

［実施形態１］
１．電気光学装置１００の全体構成
図１は、本発明の実施形態１に係る電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００の断面図である。図１および図２に示すように、電気光学装置１００では、第１基板１０と、第２基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、第１基板１０と第２基板２０とが対向している。シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられており、第１基板１０と第２基板２０との間でシール材１０７によって囲まれた領域に液晶層等の電気光学層８０が配置されている。シール材１０７は、光硬化性を備えた接着剤、あるいは光硬化性および熱硬化性を備えた接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。本形態において、第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、電気光学装置１００の略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と表示領域１０ａの外周縁との間には、矩形枠状の周辺領域１０ｂが設けられている。

第１基板１０は、石英基板やガラス基板等からなる透光性の基板本体１９を備えている。基板本体１９の電気光学層８０側の一方面１９ｓにおいて、表示領域１０ａの外側には、基板本体１９の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が設けられ、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が設けられている。図示を省略するが、端子１０２にはフレキシブル配線基板が接続され、第１基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。

基板本体１９の一方面１９ｓの側において、表示領域１０ａには、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜等からなる透光性の複数の画素電極９ａがマトリクス状に形成されている。画素電極９ａの電気光学層８０側には第１配向膜１６が形成されており、画素電極９ａは、第１配向膜１６によって覆われている。従って、基板本体１９から第１配向膜１６までが第１基板１０に相当する。

第２基板２０は、石英基板やガラス基板等からなる透光性の基板本体２９を備えている。基板本体２９において電気光学層８０側の一方面２９ｓには、ＩＴＯ膜等からなる透光性の共通電極２１が形成されており、共通電極２１の第１基板１０側には第２配向膜２６が形成されている。従って、基板本体２９から第２配向膜２６までが第２基板２０に相当する。共通電極２１は、第２基板２０の略全面に形成されており、第２配向膜２６によって覆われている。第２基板２０には、基板本体２９と共通電極２１との間に樹脂、金属または金属化合物からなる遮光性の遮光膜２７が形成され、遮光膜２７と共通電極２１との間に透光性の保護層２８が形成されている。遮光膜２７は、例えば、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状の見切り２７ａとして形成されている。遮光膜２７は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と平面視で重なる領域にブラックマトリクスを構成する遮光膜２７ｂとしても形成されている。第１基板１０の周辺領域１０ｂのうち、見切り２７ａと平面視で重なる領域には、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。なお、第２基板２０において画素電極９ａと対向する位置にレンズが設けられることがあり、この場合、遮光膜２７ｂが形成されないことが多い。

第１配向膜１６および第２配向膜２６は、例えば、ＳｉＯｘ（ｘ＜２）、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜であり、電気光学層８０に用いた負の誘電率異方性を備えた液晶分子を傾斜配向させている。このため、液晶分子は、第１基板１０および第２基板２０に対して所定の角度を成している。このようにして、電気光学装置１００は、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶装置として構成されている。

第１基板１０には、シール材１０７より外側に、第１基板１０と第２基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、第１基板１０に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位が印加される。

本形態の電気光学装置１００は、画素電極９ａおよび共通電極２１がＩＴＯ膜等の透光性導電膜により形成されており、電気光学装置１００は、透過型液晶装置として構成されている。かかる電気光学装置１００では、第１基板１０および第２基板２０のうち、一方側の基板から電気光学層８０に入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。本実施形態では、矢印Ｌで示すように、第２基板２０から入射した光が第１基板１０を透過して出射される間に電気光学層８０によって画素毎に変調され、画像を表示する。

２．画素の概略構成
図３は、図１に示す電気光学装置１００において隣り合う複数の画素の平面図である。図４は、図３に示す画素の１つを拡大して示す平面図であり、図４には、トランジスター３０付近を拡大して示してある。図５は、図４のＡ１－Ａ１′断面図である。図６は、図４のＢ１－Ｂ１′断面図である。図７は、図４のＣ１－Ｃ１′断面図である。図５、図６、および図７には、Ａ１－Ａ１′線、Ｂ１－Ｂ１′線、およびＣ１－Ｃ１′線に沿って電気光学装置１００を切断した様子を模式的に示してある。図３、図４、および後述する図８～図１０では、各層を以下の線で表してある。また、図３、図４、および後述する図８～図１０では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。また、溝４１ｇを右上がりの斜線を付した領域で示してある。
第１走査線１ａ＝太い一点鎖線
半導体膜３１ａ＝細くて短い破線
ゲート電極８ａ＝細い実線
第２走査線２ａ＝太い実線
第１容量電極４ａ＝細くて長い破線
第２容量電極５ａ＝細い一点鎖線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ、６ｃ＝太くて長い破線
容量線７ａおよび中継電極７ｂ＝太い二点鎖線
画素電極９ａ＝太くて短い破線

図３および図４に示すように、第１基板１０において第２基板２０と対向する面には、複数の画素の各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に沿って第１走査線１ａ、データ線６ａ、および容量線７ａが延在している。第１走査線１ａは、画素間領域において第１方向Ｘに延在し、データ線６ａは、画素間領域において第２方向Ｙに延在している。容量線７ａは、画素間領域において第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに沿って延在している。また、データ線６ａと第１走査線１ａとの交差に対応してトランジスター３０が形成されている。第１走査線１ａ、データ線６ａ、および容量線７ａは、遮光性を有している。従って、第１走査線１ａ、データ線６ａ、容量線７ａ、およびこれらの配線と同層の電極が形成された領域は、光が通過しない遮光領域１８であり、遮光領域１８で囲まれた領域は、光が透過する開口領域１７である。

図５、図６および図７に示すように、第１基板１０において、基板本体１９と画素電極９ａとの間には、層間絶縁膜４９、４１、４２、４３、４４、４５が基板本体１９の側から順に積層されている。層間絶縁膜４９、４１、４２、４３、４４、４５は各々、シリコン酸化膜等の透光性の絶縁膜である。本形態において、層間絶縁膜４１、４３、４４、４５の画素電極９ａ側の面は、化学的機械研磨等によって連続した平面になっている。

本形態では、層間絶縁膜４９、４１、４２、４３、４４、４５のうち、層間絶縁膜４９が本発明における「第１層間絶縁膜」であり、層間絶縁膜４１が本発明における「第２層間絶縁膜」であり、層間絶縁膜４２が本発明における「第３層間絶縁膜」であり、層間絶縁膜４１は、ゲート電極８ａの一部、およびゲート絶縁膜３２を覆う。

３．各層の概略説明
図５、図６および図７を参照するとともに、以下の図８～図１０を適宜、参照して、第１基板１０の詳細構成を説明する。図８は、図４に示す第１走査線１ａ、半導体膜３１ａ、ゲート電極８ａ、および第２走査線２ａ等の平面図である。図９は、図４に示す第１容量電極４ａおよび第２容量電極５ａ等の平面図である。図１０は、図４に示すデータ線６ａおよび容量線７ａ等の平面図である。図８～図１０には、それらの図に示す電極等の電気的な接続に関連するコンタクトホールを示すとともに、基準となる位置を示すために半導体膜３１ａおよび画素電極９ａを示してある。

図５、図６および図７に示すように、基板本体１９と画素電極９ａとの間において、基板本体１９と層間絶縁膜４９との間の層には遮光性の第１走査線１ａが形成されている。第１走査線１ａは、例えば、チタン、クロム、タングステン、タンタル、モリブデン、パラジウム等の遷移金属、または遷移金属のシリサイド化合物によって構成された遮光膜を含んでいる。本形態において、第１走査線１ａは、タングステンシリサイドからなる。

基板本体１９と画素電極９ａとの間において、層間絶縁膜４９と層間絶縁膜４１との間の層には、画素スイッチング用のトランジスター３０が設けられている。トランジスター３０は、第１走査線１ａと画素電極９ａとの間において層間絶縁膜４９の基板本体１９とは反対側の面に形成された半導体膜３１ａと、半導体膜３１ａを画素電極９ａ側から覆うゲート絶縁膜３２と、画素電極９ａの側からゲート絶縁膜３２を介して半導体膜３１ａの一部と平面視で重なるゲート電極８ａとを備えている。半導体膜３１ａはポリシリコン膜によって構成されている。ゲート絶縁膜３２は、半導体膜３１ａを熱酸化したシリコン酸化膜を含む第１ゲート絶縁膜３２ａと、減圧ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜を含む第２ゲート絶縁膜３２ｂとの２層構造を含む。ゲート電極８ａは、例えば、導電性ポリシリコン膜、アルミニウム、チタン、クロム、タングステン、タンタル、モリブデン、およびパラジウム等の導電膜によって構成された層を含んでいる。本形態において、ゲート電極８ａは、導電性ポリシリコン膜からなる。

ゲート電極８ａと画素電極９ａとの間において、ゲート電極８ａと層間絶縁膜４２との間の層には、第１方向Ｘに沿って延在する遮光性の第２走査線２ａが形成されている。第２走査線２ａは、後述するように、ゲート電極８ａおよび第１走査線１ａと電気的に接続している。第２走査線２ａは、例えば、アルミニウム、チタン、クロム、タングステン、タンタル、モリブデン、パラジウム等の遮光性の金属、または遮光性の金属化合物によって構成された遮光膜を含んでいる。本形態において、第２走査線２ａは、タングステンからなる。

図８に示すように、第１走査線１ａは、一定の幅寸法で第１方向Ｘに沿って直線的に延在している。半導体膜３１ａは、第１走査線１ａと平面視で重なるように第１方向Ｘに延在している。ゲート電極８ａは、半導体膜３１ａの長さ方向の途中部分に平面視で重なっている。半導体膜３１ａは、ゲート電極８ａと重なるチャネル領域３１ｃに対してデータ線６ａが位置する第１方向Ｘの一方側Ｘ１にデータ線側ソースドレイン領域３１ｓを有している。データ線側ソースドレイン領域３１ｓは、チャネル領域３１ｃから第１方向Ｘの一方側Ｘ１に離間する第１領域３１ｔと、第１領域３１ｔとチャネル領域３１ｃとに挟まれた第１低濃度領域３１ｕとを有しており、第１低濃度領域３１ｕは、第１領域３１ｔより不純物濃度が低い。半導体膜３１ａは、チャネル領域３１ｃに対してデータ線６ａと反対側である第１方向Ｘの他方側Ｘ２に画素電極側ソースドレイン領域３１ｄを有している。画素電極側ソースドレイン領域３１ｄは、チャネル領域３１ｃから離間する第２領域３１ｅと、第２領域３１ｅとチャネル領域３１ｃとに挟まれた第２低濃度領域３１ｆとを有しており、第２低濃度領域３１ｆは、第２領域３１ｅより不純物濃度が低い。このようにして、トランジスター３０は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造の電界効果型トランジスターとして構成されている。

第２走査線２ａは、第１走査線１ａと平面視で重なる領域で第１方向Ｘに延在し、一部はゲート電極８ａと重なっている。第２走査線２ａは、ゲート電極８ａと平面視で重なる第１コンタクト部４１ｇ０を介してゲート電極８ａに電気的に接続し、第１走査線１ａと平面視で重なる第２コンタクト部４１ｇ１を介して第１走査線１ａに電気的に接続している。従って、本形態の電気光学装置１００では、第１走査線１ａと第２走査線２ａとによって多層配線の走査線が形成されている。

本形態において、第１コンタクト部４１ｇ０および第２コンタクト部４１ｇ１は各々、第１走査線１ａと平面視で重なるように第１方向Ｘに延在する溝４１ｇの一部からなり、第２走査線２ａは、溝４１ｇの内壁を覆う遮光性の導電膜からなる。かかる第２走査線２ａの詳細な構成は、画素の概略構成を全て説明した後、説明する。

図５、図６および図７において、第２走査線２ａと画素電極９ａとの間には、層間絶縁膜４２と層間絶縁膜４３との間の層に第１容量電極４ａ、誘電体層４０および第２容量電極５ａを有する容量素子５５が設けられており、容量素子５５は、画素電極９ａの側から半導体膜３１ａに平面視で重なっている。第１容量電極４ａおよび第２容量電極５ａは、導電性ポリコン膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜を含む。本形態において、第１容量電極４ａおよび第２容量電極５ａは、導電性ポリコン膜からなる。

図９に示すように、第１容量電極４ａは、第１走査線１ａおよび半導体膜３１ａと平面視で重なるように第１方向Ｘに延在する本体部４ａ１と、本体部４ａ１からデータ線６ａと平面視で重なるように突出した突出部４ａ２とを有しており、本体部４ａ１の端部は、層間絶縁膜４１、４２およびゲート絶縁膜３２を貫通するコンタクトホールからなる第３コンタクト部４２ａを介して、半導体膜３１ａの第２領域３１ｅに電気的に接続されている。第１容量電極４ａは、データ線６ａと重なる半導体膜３１ａの端部と、平面視で重ならないように切り欠き４ａ３が形成されている。

第２容量電極５ａは、第１容量電極４ａの本体部５ａ１と平面視で重なる本体部５ａ１と、第１容量電極４ａの突出部４ａ２と平面視で重なる突出部５ａ２とを有している。従って、容量素子５５は、半導体膜３１ａと重なるように第１方向Ｘに延在する第１素子部５５１と、データ線６ａと重なるように第２方向Ｙに延在する第２素子部５５２とを有する。また、第２容量電極５ａは、第１容量電極４ａと同様、データ線６ａと重なる半導体膜３１ａの端部と、平面視で重ならないように切り欠き５ａ３が形成されている。また、第２容量電極５ａの本体部５ａ１の第１方向Ｘの他方側Ｘ２の端部には、第１容量電極４ａの本体部４ａ１の端部と重ならないように切り欠き５ａ４が形成されている。

図５、図６および図７において、第２走査線２ａと画素電極９ａとの間には、層間絶縁膜４３と層間絶縁膜４４の間の層にデータ線６ａ、および中継電極６ｂ、６ｃが設けられている。データ線６ａ、および中継電極６ｂ、６ｃは同一の遮光性の導電膜を含む。例えば、データ線６ａ、および中継電極６ｂ、６ｃは、アルミニウム、チタン、クロム、タングステン、タンタル、モリブデン、パラジウム等の遮光性の金属、または遮光性の金属化合物によって構成された遮光膜を含む。本形態において、第２走査線２ａは、アルミニウム膜を含む。データ線６ａは、層間絶縁膜４３およびゲート絶縁膜３２を貫通するコンタクトホールからなる第４コンタクト部４３ａを介して第１領域３１ｔに電気的に接続されている。第４コンタクト部４３ａは、図９を参照して説明した第１容量電極４ａの切り欠き４ａ３、および第２容量電極５ａの切り欠き５ａ３に相当する部分に形成される。従って、第４コンタクト部４３ａと容量素子５５とを離間させることができる。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール４３ｂを介して第１容量電極４ａに電気的に接続されている。コンタクトホール４３ｂは、図９を参照して説明した第２容量電極５ａの切り欠き５ａ４に相当する部分に形成される。中継電極６ｃは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール４３ｃを介して第２容量電極５ａに電気的に接続されている。中継電極６ｃは、画素電極９ａの側から半導体膜３１ａと平面視で重なる遮光部材を構成している。

第２走査線２ａと画素電極９ａとの間において、層間絶縁膜４４と層間絶縁膜４５との間の層には容量線７ａ、および中継電極７ｂが設けられている。容量線７ａ、および中継電極７ｂは同一の遮光性の導電膜を含む。例えば、容量線７ａ、および中継電極７ｂは、アルミニウム、チタン、クロム、タングステン、タンタル、モリブデン、パラジウム等の遮光性の金属、または遮光性の金属化合物によって構成された遮光膜を含む。本形態において、容量線７ａ、および中継電極７ｂは、アルミニウム膜を含む。容量線７ａは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ｃを介して中継電極６ｃに電気的に接続されている。従って、第２容量電極５ａには、容量線７ａから共通電位が印加される。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ｂを介して中継電極６ｂに電気的に接続されている。また、容量線７ａは、画素電極９ａの側から半導体膜３１ａと平面視で重なる遮光部材を構成している。

図１０に示すように、容量線７ａにおいて、第１方向Ｘに延在する部分には切り欠き７ｂ３が形成されており、切り欠き７ｂ３の内側に中継電極７ｂが形成されている。容量線７ａは、画素電極９ａの側から半導体膜３１ａに平面視で重なっている。

図５、図６および図７において、層間絶縁膜４５には、コンタクトホール４５ａが設けられており、画素電極９ａは、コンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続されている。従って、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、６ｂおよび第１容量電極４ａを介して画素電極側ソースドレイン領域３１ｄに電気的に接続されている。

４．第２走査線２ａ等の詳細説明
図５、図６、図７、および図８に示すように、本形態の電気光学装置１００において、第１走査線１ａと平面視で重なる位置には、データ線６ａおよび画素電極９ａのうちの一方と半導体膜３１ａとを電気的に接続する第３コンタクト部４２ａが設けられている。本形態では、半導体膜３１ａの全体が第１走査線１ａと平面視で重なっているため、第１走査線１ａと平面視で重なる位置には、第３コンタクト部４２ａに加えて、データ線６ａおよび画素電極９ａのうちの他方と半導体膜３１ａとを電気的に接続する第４コンタクト部４３ａも設けられている。例えば、半導体膜３１ａにおいて、第２領域３１ｅの第１方向Ｘの他方側Ｘ２の端部は第２方向Ｙの他方側Ｙ２に屈曲しており、かかる端部と平面視で重なる位置に第２領域３１ｅと画素電極９ａとを電気的に接続するためのコンタクトホールからなる第３コンタクト部４２ａが設けられている。また、半導体膜３１ａにおいて、第１領域３１ｔの第１方向Ｘの一方側Ｘ１の端部は第２方向Ｙの一方側Ｙ１に屈曲しており、かかる端部と平面視で重なる位置に第１領域３１ｔとデータ線６ａとを電気的に接続するためのコンタクトホールからなる第４コンタクト部４３ａが設けられている。

従って、本形態では、層間絶縁膜４１と層間絶縁膜４２との間の層において、第１走査線１ａと平面視で重なる領域で第２走査線２ａを第１方向Ｘに延在させるにあたって、第２走査線２ａを第３コンタクト部４２ａおよび第４コンタクト部４３ａから第２方向Ｙで離間する位置を通って第１方向Ｘに延在させてある。

また、第３コンタクト部４２ａは、第１走査線１ａの幅方向の中央から第２方向Ｙの他方側Ｙ２に偏った位置に設けられており、第４コンタクト部４３ａは、第１走査線１ａの幅方向の中央から第２方向Ｙの一方側Ｙ１に偏った位置に設けられている。それ故、第２走査線２ａは、第１走査線１ａと平面視で重なる領域において、データ線側ソースドレイン領域３１ｓに対して第２方向Ｙの他方側Ｙ２の側方で第１方向Ｘに延在する第１部分２ａ１と、第１部分２ａ１の第１方向Ｘの他方側Ｘ２の端部から第２方向Ｙの一方側Ｙ１に屈曲してゲート電極８ａを介して半導体膜３１ａと重なる第２部分２ａ２とを有しており、第２部分２ａ２は、半導体膜３１ａと交差している。また、第２走査線２ａは、第２部分２ａ２の第２方向Ｙの一方側Ｙ１の端部から画素電極側ソースドレイン領域３１ｄに対して第２方向Ｙの一方側Ｙ１の側方で第１方向Ｘに延在する第３部分２ａ３と、半導体膜３１ａと重ならない領域で第３部分２ａ３の第１方向Ｘの他方側Ｘ２の端部から第２方向Ｙの他方側Ｙ２に屈曲した第４部分２ａ４とを有している。

本形態では、層間絶縁膜４１に第１方向Ｘで全体が繋がった溝４１ｇを設けられ、層間絶縁膜４１の内部に第２走査線２ａが設けられている。従って、溝４１ｇのうち、第２層間絶縁膜としての層間絶縁膜４１を貫通して底部でゲート電極８ａが露出している部分が第１コンタクト部４１ｇ０であり、第２走査線２ａの第２部分２ａ２は、第１コンタクト部４１ｇ０でゲート電極８ａと電気的に接続されている。また、溝４１ｇのうち、第２層間絶縁膜としての層間絶縁膜４１、ゲート絶縁膜３２、および第１層間絶縁膜としての層間絶縁膜４９を貫通して底部で第１走査線１ａが露出している部分が第２コンタクト部４１ｇ１であり、第２走査線２ａの第１部分２ａ１、第３部分２ａ３、および第４部分２ａ４は、第２コンタクト部４１ｇ１でゲート電極８ａと電気的に接続されている。それ故、第１コンタクト部４１ｇ０と第２コンタクト部４１ｇ１とは平面視で繋がっている。また、第２走査線２ａは、第１コンタクト部４１ｇ０でゲート電極８ａを介して半導体膜３１ａと交差するように延在している。また、第３部分２ａ３は、第２コンタクト部４１ｇ１のうち、半導体膜３１ａの第２低濃度領域３１ｆの第２方向Ｙの一方側Ｙ１の側方で延在する部分４１ｇ３の内壁に沿うように形成されており、第２低濃度領域３１ｆに対する遮光壁を構成している。

５．電気光学装置１００の製造方法
本形態の電気光学装置１００の製造工程のうち、第２走査線２ａの製造工程では、第１走査線１ａ、層間絶縁膜４９、トランジスター３０および層間絶縁膜４１を形成した後、エッチングを行い、溝４１ｇを形成する。ここで、層間絶縁膜４１、４９およびゲート絶縁膜３２はシリコン酸化膜によって構成されている一方、ゲート電極８ａは導電性ポリシリコン膜によって構成されていることから、層間絶縁膜４１、４９およびゲート絶縁膜３２は、ゲート電極８ａとのエッチング選択比が大きい。従って、層間絶縁膜４１をエッチングして溝４１ｇを形成する際、ゲート電極８ａをエッチングストッパーとして利用することができる。また、第１走査線１ａはタングステンシリサイドからなるため、層間絶縁膜４１、４９およびゲート絶縁膜３２は、第１走査線１ａとのエッチング選択比が大きい。従って、層間絶縁膜４１をエッチングして溝４１ｇを形成する際、第１走査線１ａをエッチングストッパーとして利用することができる。

また、第２走査線２ａを形成するには、溝４１ｇを埋めるように遮光性導電膜を形成した後、遮光性導電膜の表面を層間絶縁膜４１の表面ととともに、化学的機械研磨等によって研磨する。従って、フォトリソグラフィ技術を利用したエッチングを行わなくても、第２走査線２ａを形成することができる。

なお、図６および図７には、第２コンタクト部４１ｇ１が第２走査線２ａによって完全に埋まっていないが、第２コンタクト部４１ｇ１を第２走査線２ａによって完全に埋めてもよい。

６．本形態の主な効果
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、基板本体１９と画素電極９ａとの間の層で第１方向Ｘに延在する第１走査線１ａと、ゲート電極８ａと画素電極９ａとの間の層で第１方向Ｘに延在する第２走査線２ａとが設けられており、第２走査線２ａは、第１コンタクト部４１ｇ０でゲート電極８ａと電気的に接続されているとともに、第２コンタクト部４１ｇ１で第１走査線１ａと電気的に接続されている。従って、多層構造によって走査線の電気的抵抗が低減されているため、走査信号を各画素に供給する際の時定数を低減することができる。それ故、電気光学装置１００の高解像度化を図った際、走査信号に歪み等が発生しにくい。

また、半導体膜３１ａは、第１走査線１ａと平面視で重なっているため、第１基板１０の側から出射された光が反射して再び、第１基板１０に入射した場合でも、かかる戻り光は、第１走査線１ａによって遮光される結果、半導体膜３１ａに入射しにくい。それ故、トランジスター３０に光リーク電流が発生しにくい。

また、第２走査線２ａが半導体膜３１ａに完全に重なっていると、画素電極９ａと半導体膜３１ａとを電気的に接続する第３コンタクト部４２ａ、およびデータ線６ａと半導体膜３１ａとを電気的に接続する第４コンタクト部４３ａを設けることができなくなるが、本形態において、第２走査線２ａは、第３コンタクト部４２ａ、および第４コンタクト部４３ａから第２方向Ｙに離間する位置を通って第１方向Ｘに延在している。従って、第２走査線２ａおよび半導体膜３１ａを第１走査線１ａと平面視で重ねることによって画素開口率を高めた場合でも、画素電極９ａと半導体膜３１ａとの電気的な接続、およびデータ線６ａと半導体膜３１ａとの電気的な接続を適正に行うことができる。

また、半導体膜３１ａは、中継電極６ｃおよび容量線７ａからなる遮光部材によって画素電極９ａの側から覆われている。従って、電気光学層８０を通過した後、第１基板１０に入射した光が半導体膜３１ａに入射しにくい。

また、遮光性の第２走査線２ａは、第２コンタクト部４１ｇ１のうち、半導体膜３１ａの側方で半導体膜３１ａに沿って第１方向Ｘに延在する部分を含んでいる。特に、第２走査線２ａの第３部分２ａ３は、第２コンタクト部４１ｇ１のうち、半導体膜３１ａの第２低濃度領域３１ｆの第２方向Ｙの一方側Ｙ１の側方で延在する部分４１ｇ３の内壁に沿うように形成された遮光壁を構成している。このため、電気光学層８０を通過した後、第１基板１０に入射した光や、戻り光が第２低濃度領域３１ｆに入射することを第２コンタクト部４１ｇ１内の第２走査線２ａによって抑制することができる。さらに、第２コンタクト部４１ｇ１は、第１層間絶縁膜としての層間絶縁膜４９に加えて、ゲート電極８ａと画素電極９ａとの間に設けられた第２層間絶縁膜としての層間絶縁膜４１を貫通しているため、第２走査線２ａは、半導体膜３１ａを厚さ方向の広い範囲で半導体膜３１ａを側方から覆っている。このため、第２低濃度領域３１ｆへの光の入射を適正に抑制することができるので、トランジスター３０に光リーク電流が発生しにくい。

［実施形態２］
図１１は、本発明の実施形態２に係る電気光学装置１００の平面図であり、第１走査線１ａ、半導体膜３１ａ、ゲート電極８ａ、および第２走査線２ａ等の平面構成を示してある。図１２は、図１１のＣ２－Ｃ２′断面図であり、Ｃ２－Ｃ２′線に沿って電気光学装置１００を切断した様子を模式的に示してある。なお、本形態、および後述する実施形態の基本的な構成は、実施形態１と同様であるため、対応する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。

実施形態１において、第２走査線２ａは、第２コンタクト部４１ｇ１のうち、半導体膜３１ａの第２低濃度領域３１ｆの第２方向Ｙの一方側Ｙ１の側方で延在する部分４１ｇ３の内壁に沿うように形成された第３部分２ａ３を有していた。これに対して、本形態では、図１１および図１２に示すように、第２走査線２ａは、第３部分２ａ３に加えて、第２コンタクト部４１ｇ１のうち、半導体膜３１ａの第２低濃度領域３１ｆの第２方向Ｙの他方側Ｙ２の側方で延在する部分４１ｇ５の内壁に沿うように形成された第５部分２ａ５を有している。その他の構成は実施形態１と同様である。

このように構成した電気光学装置１００では、第２低濃度領域３１ｆの側方の両側に第３部分２ａ３および第５部分２ａ５が設けられているため、実施形態１に係る電気光学装置１００より、第２低濃度領域３１ｆへの光の入射をより抑制することができる。従って、トランジスター３０に光リーク電流が発生しにくい。

［実施形態３］
図１３は、本発明の実施形態３に係る電気光学装置１００の平面図であり、第１走査線１ａ、半導体膜３１ａ、ゲート電極８ａ、および第２走査線２ａ等の平面構成を示してある。図１４は、図１３のＢ３－Ｂ３′断面図であり、Ｂ３－Ｂ３′線に沿って電気光学装置１００を切断した様子を模式的に示してある。実施形態１、２では、第２走査線２ａの全体が溝４１ｇの内部に設けられていた。これに対して、本形態では、図１３および図１４に示すように、第２走査線２ａのうち、第２部分２ａ２、第３部分２ａ３、および第５部分２ａ５が溝４１ｇの内部に設けられ、第１部分２ａ１、および第４部分２ａ４は、層間絶縁膜４１と層間絶縁膜４２の間に形成されている。かかる構成は、溝４１ｇを形成した後、遮光性の導電膜を成膜し、しかる後に、フォトリソグラフィ技術を利用してエッチングを行うことにより、導電膜を第２走査線２ａにパターニングすることによって実現することができる。本形態において、第２走査線２ａはアルミニウムからなる。その他の構成は実施形態１と同様である。

このように構成した電気光学装置１００でも、実施形態１に係る電気光学装置１００と同様、走査線の多層化と、光リーク電流の抑制とを同時に実現することができる等の効果を奏する。

［実施形態４］
図１５は、本発明の実施形態４に係る電気光学装置１００の説明図であり、実施形態１で参照した図７のＣ１－Ｃ１′断面図に相当する。実施形態１、２、３では、第２走査線２ａの一部または全体を、層間絶縁膜４１をエッチングすることにより形成した溝４１ｇの内部に設けた。これに対して、本形態では、図１５に示すように、層間絶縁膜４１を設けずに、ゲート電極８ａを形成した後、層間絶縁膜４９をエッチングし、層間絶縁膜４９を貫通する第２コンタクト部４１ｇ１を形成する。また、第２コンタクト部４１ｇ１を形成した後、遮光性の導電膜を成膜し、しかる後に、フォトリソグラフィ技術を利用してエッチングを行うことにより、導電膜を第２走査線２ａにパターニングすることによって実現することができる。従って、本形態では、層間絶縁膜４９、４２、４３、４４、４５のうち、層間絶縁膜４９が本発明における「第１層間絶縁膜」であり、層間絶縁膜４２が本発明における「第２層間絶縁膜」であり、層間絶縁膜４２は、ゲート電極８ａの一部、およびゲート絶縁膜３２を覆う。それ故、第２コンタクト部４１ｇ１は、第１層間絶縁膜としての層間絶縁膜４９を貫通し、第２走査線２ａは、第１層間絶縁膜としての層間絶縁膜４９と第２層間絶縁膜としての層間絶縁膜４２との間で延在している。その他の構成は実施形態１と同様である。

このように構成した電気光学装置１００でも、実施形態１に係る電気光学装置１００と同様、走査線の多層化と、光リーク電流の抑制とを同時に実現することができる等の効果を奏する。

［実施形態５］
図１６は、本発明の実施形態５に係る電気光学装置１００の説明図であり、図１６には、本発明の実施形態５に係る電気光学装置の第１走査線１ａ、半導体膜３１ａ、ゲート電極８ａ、および第２走査線２ａ等の平面構成を示してある。実施の形態１では、第２領域３１ｅの第１方向Ｘの他方側Ｘ２の端部は第２方向Ｙの他方側Ｙ２に屈曲し、第１領域３１ｔの第１方向Ｘの一方側Ｘ１の端部は第２方向Ｙの一方側Ｙ１に屈曲していた。これに対して、本形態では、図１６に示すように、第２領域３１ｅの第１方向Ｘの他方側Ｘ２の端部、および第１領域３１ｔの第１方向Ｘの一方側Ｘ１の端部はいずれも、第２方向Ｙの同一方向に屈曲している。より具体的には、第２領域３１ｅの第１方向Ｘの他方側Ｘ２の端部、および第１領域３１ｔの第１方向Ｘの一方側Ｘ１の端部はいずれも、第２方向Ｙの一方側Ｙ１に屈曲している。そこで、本形態では、第２走査線２ａの第１部分２ａ１を半導体膜３１ａの第２方向Ｙの他方側Ｙ２の側方で第１方向Ｘに延在させてある。また、第２走査線２ａは、ゲート電極８ａを介して半導体膜３１ａに重なる第２部分２ａ２、および半導体膜３１ａの第２低濃度領域３１ｆの第２方向Ｙの一方側Ｙ１の側方で延在する第３部分２ａ３を有している。その他の構成は実施形態１と同様である。

このように構成した電気光学装置１００でも、実施形態１に係る電気光学装置１００と同様、走査線の多層化と、光リーク電流の抑制とを同時に実現することができる等の効果を奏する。

［実施形態６］
図１７は、本発明の実施形態６に係る電気光学装置１００の説明図であり、実施形態１で参照した図５のＡ１－Ａ１′断面に相当する。上記の実施形態では、ゲート電極８ａと第２走査線２ａが別の導電膜によって構成されていた。これに対して、本形態では、図１７に示すように、ゲート電極８ａと第２走査線２ａが同一の導電膜によって構成されていた。すなわち、半導体膜３１ａと重なる部分では、第２走査線２ａの厚さ方向において、半導体膜３１ａの側に位置する部分によってゲート電極８ａが構成されており、第２走査線２ａの厚さ方向の途中部分が、ゲート電極８ａと第２走査線２ａとを電気的に接続する第１コンタクト部４１ｇ０に相当する。言い換えれば、ゲート電極８ａを構成する導電膜が第１方向Ｘに延在し、第２走査線２ａを構成している。その他の構成は実施形態１と同様である。

このように構成した電気光学装置１００でも、実施形態１に係る電気光学装置１００と同様、走査線の多層化と、光リーク電流の抑制とを同時に実現することができる等の効果を奏する。

［他の実施形態］
上記実施形態では、中継電極６ｃおよび容量線７ａによって、画素電極９ａの側から半導体膜３１ａと平面視で重なる遮光部材を構成したが、中継電極６ｃおよび容量線７ａの一方のみによって、画素電極９ａの側から半導体膜３１ａと平面視で重なる遮光部材を構成してもよい。また、第１容量電極４ａおよび第２容量電極５ａのうちの少なくとも一方を遮光性電極とし、かかる遮光性電極によって、画素電極９ａの側から半導体膜３１ａと平面視で重なる遮光部材を構成してもよい。

上記実施形態では、第３コンタクト部４２ａおよび第４コンタクト部４３ａの双方が第１走査線１ａに平面視で重なっていたが、第３コンタクト部４２ａおよび第４コンタクト部４３ａのうち、第３コンタクト部４２ａのみが第１走査線１ａに平面視で重なっている場合に本発明を適用してもよい。また、上記実施形態では、画素電極９ａと半導体膜３１ａとを電気的に接続するコンタクトホールを第３コンタクト部４２ａとし、データ線６ａと半導体膜３１ａとを電気的に接続するコンタクトホールを第４コンタクト部４３ａとしたが、画素電極９ａと半導体膜３１ａとを電気的に接続するコンタクトホールを第３コンタクト部とし、データ線６ａと半導体膜３１ａとを電気的に接続するコンタクトホールを第４コンタクト部としてもよい。

上記実施形態では、第２基板２０の側から光源光が入射する電気光学装置１００を例に説明したが、第１基板１０の側から光源光が入射する電気光学装置１００に本発明を適用してもよい。上記実施形態では、電気光学装置１００が透過型液晶装置の場合を例示したが、電気光学装置１００が反射型液晶装置である場合に本発明を適用してもよい。また、電気光学装置１００が有機エレクトロルミネッセッス表示装置である場合に本発明を適用してもよい。

［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を用いた電子機器について説明する。図１８は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図である。図１８には、偏光板等の光学素子の図示を省略してある。図１８に示す投射型表示装置２１００は、電気光学装置１００を用いた電子機器の一例である。投射型表示装置２１００において、電気光学装置１００がライトバルブとして用いられ、装置を大きくすることなく高精細で明るい表示が可能である。この図に示されるように、投射型表示装置２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット等からなる光源部２１０２が設けられている。光源部２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）色の３原色に分離される。分離された投射光は、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれ、変調される。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。

ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、ダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に反射し、Ｇ色の光は透過する。したがって、各原色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射光学系２１１４によってカラー画像が投射される。

［他の投射型表示装置］
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。

［他の電子機器］
本発明を適用した電気光学装置１００を備えた電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置２１００に限定されない。例えば、投射型のヘッドアップディスプレイ、直視型のヘッドマウントディスプレイ、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい。

１ａ…第１走査線、２ａ…第２走査線、２ａ１…第１部分、２ａ２…第２部分、２ａ３…第３部分、２ａ４…第４部分、２ａ５…第５部分、４ａ…第１容量電極、５ａ…第２容量電極、６ａ…データ線、６ｂ、６ｃ、７ｂ…中継電極、７ａ…容量線、８ａ…ゲート電極、９ａ…画素電極、１０…第１基板、１０ａ…表示領域、１７…開口領域、１８…遮光領域、１９、２９…基板本体、２０…第２基板、２１…共通電極、３０…トランジスター、３１ａ…半導体膜、３１ｃ…チャネル領域、３１ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３１ｅ…第２領域、３１ｆ…第２低濃度領域、３１ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３１ｔ…第１領域、３１ｕ…第１低濃度領域、３２…ゲート絶縁膜、４０…誘電体層、４１、４２、４３、４４、４５、４９…層間絶縁膜、４１ｇ…溝、４１ｇ０…第１コンタクト部、４１ｇ１…第２コンタクト部、４２ａ…第３コンタクト部、４３ａ…第４コンタクト部、５５…容量素子、８０…電気光学層、１００…電気光学装置、１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ…ライトバルブ、２１００…投射型表示装置、２１０２…光源部、２１１４…投射光学系、Ｘ…第１方向、Ｙ…第２方向

Claims (13)

1. 基板本体と、
   画素電極と、
   前記基板本体と前記画素電極との間の層で第１方向に延在する遮光性の第１走査線と、
   前記第１走査線と前記画素電極との間の層で前記第１走査線と平面視で重なるように前
   記第１方向に延在する半導体膜、および前記画素電極の側から前記半導体膜にゲート絶縁
   膜を介して重なるゲート電極を有するトランジスターと、
   前記ゲート電極と前記画素電極との間の層で前記第１方向と交差する第２方向に延在す
   るデータ線と、
   前記ゲート電極と平面視で重なる第１コンタクト部と、
   前記半導体膜の側方で前記半導体膜に沿って前記第１方向に延在する部分を含み、前記
   第１走査線と平面視で重なる第２コンタクト部と、
   前記データ線および前記画素電極の一方と前記半導体膜とを前記第１走査線と平面視で
   重なる位置で電気的に接続するための第３コンタクト部と、
   前記ゲート電極と前記画素電極との間の層で前記第３コンタクト部から前記第２方向に
   離間する位置を通って前記第１走査線と平面視で重なるように前記第１方向に延在し、前
   記第１コンタクト部を介して前記ゲート電極と電気的に接続するとともに、前記第２コン
   タクト部を介して前記第１走査線と電気的に接続する遮光性の第２走査線と、
   を備えることを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置において、
   前記半導体膜は、前記ゲート電極と平面視で重なるチャネル領域と、前記チャネル領域
   から前記第１方向の一方側に離間し、前記データ線が電気的に接続された第１領域と、前
   記チャネル領域と前記第１領域との間に設けられ、前記第１領域より不純物濃度が低い第
   １低濃度領域と、前記チャネル領域から前記第１方向の他方側に離間し、前記画素電極が
   電気的に接続された第２領域と、前記チャネル領域と前記第２領域との間に設けられ、前
   記第２領域より不純物濃度が低い第２低濃度領域と、を有し、
   前記第２コンタクト部は、前記半導体膜の側方の両側のうちの少なくとも一方側で前記
   第２低濃度領域に沿って延在する部分を含むことを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項２に記載の電気光学装置において、
   前記第２コンタクト部は、前記半導体膜の側方の両側で前記第２低濃度領域に沿って延
   在する部分を含むことを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１から３までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
   前記第２走査線は、前記第１コンタクト部で前記ゲート電極を介して前記半導体膜と交
   差するように延在していることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１から４までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
   前記データ線および前記画素電極の他方と前記半導体膜とを前記第１走査線と平面視で
   重なる位置で電気的に接続するための第４コンタクト部を備え、
   前記第２走査線は、前記第３コンタクト部および前記第４コンタクト部から前記第２方
   向に離間する位置を通って前記第１方向に延在していることを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項１から５までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
   前記第１コンタクト部と前記第２コンタクト部とは平面視で繋がっていることを特徴と
   する電気光学装置。
7. 請求項１から６までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
   前記第２走査線と前記画素電極との間の層には前記半導体膜と平面視で重なる容量素子
   が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
8. 請求項１から７までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
   前記第２走査線と前記画素電極との間の層には前記半導体膜と平面視で重なる遮光部材
   が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
9. 請求項１から８までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
   前記第１走査線と前記半導体膜との間の層に設けられた第１層間絶縁膜と、
   前記ゲート電極および前記ゲート絶縁膜を覆う第２層間絶縁膜と、
   前記第２層間絶縁膜を覆う第３層間絶縁膜と、
   を備え、
   前記第１コンタクト部は、前記第２層間絶縁膜を貫通し、
   前記第２コンタクト部は、前記第１層間絶縁膜および前記第２層間絶縁膜を貫通してい
   ることを特徴とすることを特徴とする電気光学装置。
10. 請求項９に記載の電気光学装置において、
    前記第１走査線と平面視で重なるように延在して前記第１コンタクト部および前記第２
    コンタクト部を構成する溝が形成され、
    前記第２走査線は、前記溝の内壁を覆うように形成されていることを特徴とする電気光
    学装置。
11. 請求項１０に記載の電気光学装置において、
    前記溝は、前記第１走査線に対応して、前記第１方向で全体が繋がっていることを特徴
    とする電気光学装置。
12. 請求項８に記載の電気光学装置において、
    前記第１走査線と前記半導体膜との間の層に設けられた第１層間絶縁膜と、
    前記ゲート電極および前記ゲート絶縁膜を覆う第２層間絶縁膜と、
    を備え、
    前記第２コンタクト部は、前記第１層間絶縁膜を貫通し、
    前記第２走査線は、前記第１層間絶縁膜と前記第２層間絶縁膜との間で延在しているこ
    とを特徴とする電気光学装置。
13. 請求項１から１２までの何れか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電
    子機器。