JP7490456B2 - 機能パネル - Google Patents

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Description

本発明の一態様は、機能パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置または半導体装置に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
マイクロレンズアレイを用いた外部取り出し効率の向上に焦点をあて、従来の有機発光ダイオードと比較して、効率を３倍に高めた高効率有機ＥＬマイクロディスプレイが知られている（非特許文献１）。
また、真空蒸着プロセスを用いて形成することができるナノレンズアレイを用いて、赤色の有機発光ダイオードの電流効率を１．５７倍に高める技術が知られている（非特許文献２）。
また、隔壁の内部を高屈折率のフィラーで埋めて形成した凹面構造を用いて、有機発光ダイオードから光を取り出す効率を高める技術が知られている（非特許文献３）。
また、ベルト状の蒸着源を用いて、大型のガラス基板に高い解像度の有機発光ダイオードを形成する技術が知られている（非特許文献４）。
Ｙｏｓｕｋｅ Ｍｏｔｏｙａｍａ ｅｔ ａｌ．， Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｆｏｒ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ， ２０１９， ｐ．１－７ Ｙｏｕｎｇ－Ｓａｍ Ｐａｒｋ ｅｔ ａｌ．，"ＳＩＤ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ"， ２０１９， ｖｏｌｕｍｅ ５０， ｉｓｓｕｅ １， ｐ．１４９－１５２ Ｃｈｕｎｇ－Ｃｈｉｎａ Ｃｈｅｎ ｅｔ ａｌ．，"ＳＩＤ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ"， ２０１９， ｖｏｌｕｍｅ ５０， ｉｓｓｕｅ １， ｐ．１４５－１４８ Ｃｈａｎｇｈｕｎ Ｈｗａｎｇ ｅｔ ａｌ．，"ＳＩＤ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ"， ２０１９， ｖｏｌｕｍｅ ５０， ｉｓｓｕｅ １， ｐ．９４９－９５２
本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することを課題の一とする。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することを課題の一とする。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを課題の一とする。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。または、新規な機能パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
（１）本発明の一態様は、画素を有する機能パネルである。
画素は、マイクロレンズアレイおよび発光デバイスを備え、発光デバイスは、第１の光を射出する。
マイクロレンズアレイは第１の光を集光し、マイクロレンズアレイは複数のマイクロレンズを含む。
マイクロレンズは発光デバイスに平行な平面に、円より高い充填率で配置できる形状の断面を備える。また、マイクロレンズは、当該平面に直交する平面において、曲面を備え、曲面は発光デバイスに凸部を向ける。
これにより、受光面積を小さくすることなく、一つのマイクロレンズを集光に用いる構成に比べて、マイクロレンズの厚さを薄くできる。または、マイクロレンズを発光デバイスに近づけて配置できる。または、機能パネルの厚さを薄くできる。または、隙間なく複数のマイクロレンズを配置できる。または、面積を有効に利用することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
（２）また、本発明の一態様は、画素を有する機能パネルである。
画素は、マイクロレンズおよび発光デバイスを備え、発光デバイスは、第１の光を射出する。
マイクロレンズは第１の光を集光し、マイクロレンズは発光デバイスに凸部を向け、マイクロレンズは、フレネルレンズである。
これにより、受光面積を小さくすることなく、同じ焦点距離を備えるレンズを集光に用いる構成に比べて、マイクロレンズの厚さを薄くできる。または、マイクロレンズを発光デバイスに近づけて配置できる。または、機能パネルの厚さを薄くできる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
（３）また、本発明の一態様は、絶縁膜を有する上記の機能パネルである。
絶縁膜は開口部を備え、開口部は発光デバイスと重なり、開口部は側壁に傾斜面を備え、傾斜面は第１の光をマイクロレンズに向けて反射する。
これにより、発光デバイスが射出する第１の光をマイクロレンズに集めることができる。または、発光デバイスが射出する第１の光を有効に利用することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
（４）また、本発明の一態様は、画素が色変換層を備える上記の機能パネルである。
マイクロレンズは発光デバイスおよび色変換層の間に挟まれ、マイクロレンズは第１の光を色変換層に集光する。
色変換層は第１の光を第２の光に変換し、第２の光は第１の光のスペクトルより、波長の長い光の強度が高いスペクトルを備える。
これにより、発光デバイスが射出する第１の光を色変換層に集光することができる。または、発光デバイスが射出する第１の光を、集光してから第２の光に変換することができる。または、発光デバイスが射出する第１の光は、色変換層から射出する光に比べて指向性が高いため、効率よく集光できる。または、色変換層から射出する光を集光するより、発光デバイスが射出する第１の光を効率よく利用することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
（５）また、本発明の一態様は、色変換層が、量子ドットおよび透光性の樹脂を含む上記の機能パネルである。
これにより、第２の光のスペクトルの幅を狭くすることができる。または、スペクトルの半値幅が狭い光を用いることができる。または、彩度の高い色を表示することができる。または、量子ドットの凝集を防止することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
（６）また、本発明の一態様は、遮光層を有する上記の機能パネルである。遮光層は開口部を備え、開口部は発光デバイスと重なる。
（７）また、本発明の一態様は、着色層を有する上記の機能パネルである。また、着色層は、第２の光に対する透過率より低い透過率を、第１の光に対して備える。
これにより、色変換層に到達する外光を減らすことができる。または、色変換層による外光の意図しない変換を抑制することができる。または、外光によるコントラストの低下を抑制することができる。または、表示品位を向上することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
（８）また、本発明の一態様は、発光デバイスが、第１の層、第２の層、第３の層および第４の層を備える上記の機能パネルである。
第３の層は、第２の層および第４の層の間に挟まれる。
第２の層は、第１の層および第３の層の間に挟まれる。
第１の層は第１の材料および第２の材料を含み、第２の層は第３の材料を含み、第３の層は発光性の材料および第４の材料を含み、第４の層は第５の材料および第６の材料を含む。
第１の材料は－５．７ｅＶ以上－５．４ｅＶ以下のＨＯＭＯ準位を備え、第２の材料はアクセプタ性を備える。
第３の材料は第１の材料より小さいＨＯＭＯ準位を備える。
第４の材料は第３の材料より小さいＨＯＭＯ準位を備える。
第５の材料は－６ｅＶ以上のＨＯＭＯ準位を備え、第６の材料は、アルカリ金属の有機錯体またはアルカリ土類金属の有機錯体である。
（９）また、本発明の一態様は、第５の材料が、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が１×１０－７ｃｍ２／Ｖｓ以上５×１０－５ｃｍ２／Ｖｓ以下である、上記の機能パネルである。
これにより、使用開始後に生じる表示品質の低下を抑制することができる。または、使用開始後に生じる色再現性の低下を抑制することができる。または、使用開始後に生じる輝度の低下を抑制することができる。または、特性を低下する不純物の外部からの侵入を抑制できる。または、鮮やかな色を表示できる。または、生産性に優れる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
（１０）また、本発明の一態様は、発光デバイスが第１の発光ユニット、第２の発光ユニットおよび中間層を備える、上記の機能パネルである。
中間層は第１の発光ユニットおよび第２の発光ユニットに挟まれる領域を備え、中間層は第１の発光ユニットまたは第２の発光ユニットの一方に正孔を供給し、他方に電子を供給する。
これにより、発光効率を高めることができる。または、消費電力を低減することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
（１１）また、本発明の一態様は、一組の画素を有する上記の機能パネルである。一組の画素は、画素および他の画素を含む。
画素は第１の画素回路を備え、他の画素は第２の画素回路および光電変換デバイスを備える。
発光デバイスは第１の画素回路と電気的に接続され、光電変換デバイスは第２の画素回路と電気的に接続される。
（１２）また、本発明の一態様は、機能層を有する上記の機能パネルである。
機能層は第１の画素回路を備え、第１の画素回路は第１のトランジスタを含む。また、機能層は第２の画素回路を備え、第２の画素回路は第２のトランジスタを含む。また、機能層は駆動回路を備え、駆動回路は第３のトランジスタを含む。
第１のトランジスタは半導体膜を備え、第２のトランジスタは当該半導体膜を形成する工程で作製することができる半導体膜を備える。また、第３のトランジスタも、当該半導体膜を形成する工程で作製することができる半導体膜を備える。
これにより、画素回路を機能層に形成することができる。または、駆動回路を機能層に形成することができる。または、例えば、画素回路に用いる半導体膜を形成する工程において、駆動回路に用いる半導体膜を形成することができる。または、機能パネルの作製工程を簡略化することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
（１３）また、本発明の一態様は、上記のいずれか一に記載の機能パネルと、制御部と、を有する表示装置である。
制御部は画像情報および制御情報を供給され、制御部は画像情報に基づいて情報を生成する。また、制御部は制御情報に基づいて制御信号を生成し、制御部は情報および制御信号を供給する。
機能パネルは情報および制御信号を供給され、画素は情報に基づいて発光する。
これにより、発光デバイスを用いて画像情報を表示することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。
（１４）また、本発明の一態様は、入力部と、表示部と、を有する入出力装置である。なお、表示部は上記の機能パネルを備える。
入力部は検知領域を備え、入力部は検知領域に近接するものを検知し、検知領域は画素と重なる領域を備える。
これにより、表示部を用いて画像情報を表示しながら、表示部と重なる領域に近接するものを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付けることができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
（１５）また、本発明の一態様は、演算装置と、入出力装置、を有する情報処理装置である。
演算装置は入力情報または検知情報を供給され、演算装置は、入力情報または検知情報に基づいて、制御情報および画像情報を生成し、演算装置は制御情報および画像情報を供給する。
入出力装置は入力情報および検知情報を供給し、入出力装置は制御情報および画像情報を供給され、入出力装置は表示部、入力部および検知部を備える。
表示部は上記の機能パネルを備え、表示部は制御情報に基づいて、画像情報を表示する。また、入力部は入力情報を生成し、検知部は検知情報を生成する。
これにより、入力情報または検知情報に基づいて、制御情報を生成することができる。または、入力情報または検知情報に基づいて、画像情報を表示することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
（１６）また、本発明の一態様は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、上記の機能パネルと、を含む、情報処理装置である。
これにより、さまざまな入力装置を用いて供給する情報に基づいて、画像情報または制御情報を演算装置に生成させることができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。
本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。
本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。
本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。
本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。
本発明の一態様によれば、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、新規な機能パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
図１（Ａ）乃至（Ｆ）は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。 図２（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係る機能パネルの発光素子の構成を説明する図である。 図３（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。 図４（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。 図５（Ａ）乃至（Ｃ）は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。 図６は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する回路図である。 図７は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する回路図である。 図８は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。 図９（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。 図１０（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。 図１１（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。 図１２は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。 図１３（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する回路図である。 図１４は、実施の形態に係る機能パネルの動作を説明する図である。 図１５（Ａ）乃至（Ｄ）は、実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図である。 図１６は、実施の形態に係る入出力装置の構成を説明するブロック図である。 図１７（Ａ）乃至（Ｃ）は、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。 図１８（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフローチャートである。 図１９（Ａ）乃至（Ｃ）は、実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明する図である。 図２０（Ａ）乃至（Ｃ）は、実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明する図である。 図２１（Ａ）乃至（Ｅ）は、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。 図２２（Ａ）乃至（Ｅ）は、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。 図２３（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。 図２４は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。 図２５（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。 図２６（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。 図２７（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。
本発明の一態様の機能パネルは、画素を有する。画素は、マイクロレンズアレイおよび発光素子を備え、発光素子は第１の光を射出し、マイクロレンズアレイは第１の光を集光し、マイクロレンズアレイは複数のマイクロレンズを含む。マイクロレンズは発光素子に平行な平面に、円より高い充填率で配置できる形状の断面を備え、マイクロレンズは当該平面に直交する平面において曲面を備え、曲面は発光素子に凸部を向ける。
これにより、受光面積を小さくすることなく、一つのマイクロレンズを集光に用いる構成に比べて、マイクロレンズの厚さを薄くできる。または、マイクロレンズを発光素子に近づけて配置できる。または、機能パネルの厚さを薄くできる。または、隙間なく複数のマイクロレンズを配置できる。または、面積を有効に利用することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図１乃至図３を参照しながら説明する。
図１（Ａ）は本発明の一態様の機能パネルの画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）の一部を説明する断面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の一部を説明する下面図であり、図１（Ｃ）は図１（Ｂ）とは異なる構成の図１（Ａ）の一部を説明する下面図である。図１（Ｄ）は、図１（Ｂ）の切断線Ｘ２１－Ｘ２２における断面図であり、図１（Ｅ）は、図１（Ｂ）の切断線Ｙ２１－Ｙ２２における断面図であり、図１（Ｆ）は、図１（Ｃ）の切断線ＸＹ１－ＸＹ２における断面図である。
図２（Ａ）および図２（Ｂ）は本発明の一態様の機能パネルに用いることができる発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の構成を説明する断面図である。
図３（Ａ）は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図であり、図３（Ａ）は図１（Ａ）とは異なる画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）の構成を説明する断面図である。また、図３（Ｂ）は本発明の一態様の機能パネルの画素７０２Ｓ（ｉ，ｊ）の構成を説明する断面図である。
図２４は本発明の一態様の機能パネルに用いることができる画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）の一部を説明する断面図である。
図２５は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図であり、図２５（Ａ）は図２４とは異なる画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）の構成を説明する断面図である。また、図２５（Ｂ）は本発明の一態様の機能パネルの画素７０２Ｓ（ｉ，ｊ）の構成を説明する断面図である。
なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。
＜機能パネル７００の構成例１＞
本実施の形態で説明する機能パネルは、画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）を有する。
《画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）の構成例１》
画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）は、マイクロレンズアレイＭＬＡおよび発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）を備える（図１（Ａ）参照）。ところで、本明細書においては、発光素子を発光デバイスと言い換えることができ、光電変換素子を光電変換デバイスと言い換えることができる。
発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）は、光Ｈ１を射出する。
《マイクロレンズアレイＭＬＡの構成例１》
マイクロレンズアレイＭＬＡは光Ｈ１を集光する。マイクロレンズアレイＭＬＡは複数のマイクロレンズＭＬを含む（図１（Ｂ）参照）。
マイクロレンズＭＬは、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）に平行な平面（例えば、平面ＸＹ、平面状に広がる発光領域または複数の発光素子が配置される平面）に、円より高い充填率で配置できる形状の断面を備える。
マイクロレンズＭＬは、平面ＸＹに直交する平面（例えば、平面ＸＺまたは平面ＹＺ）において、曲面を備える（図１（Ｄ）乃至図１（Ｆ）参照）。曲面は、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）に凸部を向ける（図１（Ａ）参照）。なお、例えば、球面または非球面を曲面に用いることができる。また、マイクロレンズＭＬおよび発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の間に、例えば、封止材７０５がある場合、マイクロレンズＭＬは、封止材７０５とは異なる屈折率を備える。具体的には、封止材７０５より高い屈折率を備える材料をマイクロレンズＭＬに用いることができる。
これにより、受光面積を小さくすることなく、一つのマイクロレンズを集光に用いる構成に比べて、マイクロレンズＭＬの厚さを薄くできる。または、マイクロレンズＭＬを発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）に近づけて配置できる。または、機能パネルの厚さを薄くできる。または、隙間なく複数のマイクロレンズを配置できる。または、面積を有効に利用することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）の構成例２》
画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）は、マイクロレンズＭＬおよび発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）を備える。
発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）は、光Ｈ１を射出する。
《マイクロレンズＭＬの構成例１》
マイクロレンズＭＬは光Ｈ１を集光し、マイクロレンズＭＬは発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）に凸部を向ける。また、マイクロレンズＭＬはフレネルレンズである。
これにより、受光面積を小さくすることなく、一つのマイクロレンズを集光に用いる構成に比べて、マイクロレンズＭＬの厚さを薄くできる。または、マイクロレンズＭＬを発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）に近づけて配置できる。または、機能パネルの厚さを薄くできる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）の構成例３》
画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）は、色変換層ＣＣ（Ｇ）を備える（図１（Ａ）参照）。
マイクロレンズＭＬは、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）および色変換層ＣＣ（Ｇ）の間に挟まれ、マイクロレンズＭＬは、光Ｈ１を色変換層ＣＣ（Ｇ）に集光する。
《色変換層ＣＣ（Ｇ）の構成例１》
色変換層ＣＣ（Ｇ）は光Ｈ１を光Ｈ２に変換し、光Ｈ２は光Ｈ１のスペクトルより、波長の長い光の強度が高いスペクトルを備える。
これにより、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）が射出する光Ｈ１を色変換層ＣＣ（Ｇ）に集光することができる。または、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）が射出する光Ｈ１を、集光してから光Ｈ２に変換することができる。または、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）が射出する光Ｈ１は、色変換層ＣＣ（Ｇ）から射出する光に比べて指向性が高いため、効率よく集光できる。または、色変換層ＣＣ（Ｇ）から射出する光を集光するより、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）が射出する光Ｈ１を効率よく利用することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《マイクロレンズＭＬの構成例２》
例えば、色変換層ＣＣ（Ｇ）に凸部を向ける形状を、マイクロレンズＭＬに用いることができる（図３（Ａ）参照）。
＜機能パネル７００の構成例２＞
本実施の形態で説明する機能パネルは、絶縁膜５２８を有する。
《絶縁膜５２８》
絶縁膜５２８は開口部５２８Ｈを備え、開口部５２８Ｈは発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）と重なる（図１（Ａ）参照）。なお、絶縁膜５２８は隣接する複数の画素を区切る機能を備えるため、隔壁と言い換えることができる。また、絶縁膜５２８は複数の画素を区切る機能を備えていればよく、導電性の膜を一部に含んでいてもよい。
開口部５２８Ｈは、側壁に傾斜面５２８ＳＬを備え、傾斜面５２８ＳＬは光Ｈ１をマイクロレンズＭＬに向けて反射する。なお、光Ｈ１に対する反射率が高い材料を、絶縁膜５２８に用いることができる。例えば、膜５２８Ａおよび膜５２８Ｂを絶縁膜５２８に用いることができる。具体的には、膜５２８Ｂに反射率の高い金属膜を用い、膜５２８Ｂの端部を絶縁性の膜５２８Ａで覆うことができる（図１（Ａ）参照）。また、例えば、封止材７０５がある場合、膜５２８Ａは、封止材７０５とは異なる屈折率を備える。具体的には、封止材７０５より高い屈折率を備える材料をマイクロレンズに用いることができる。
これにより、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）が射出する光Ｈ１をマイクロレンズＭＬに集めることができる。または、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）が射出する光Ｈ１を有効に利用することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《色変換層ＣＣ（Ｇ）の構成例２》
色変換層ＣＣ（Ｇ）は、量子ドットおよび透光性の樹脂を含む。例えば、透光性を備え、気体を発生しにくい膜、または気体を透過しにくい膜を用いて量子ドットを被覆することができる。または、量子ドットと重合した樹脂を用いることができる。または、量子ドットを被覆する感光性高分子を用いることができる。感光性高分子を用いると、精細な色変換層ＣＣ（Ｇ）を形成することができる。
これにより、光Ｈ２のスペクトルの幅を狭くすることができる。または、スペクトルの半値幅が狭い光を用いることができる。または、彩度の高い色を表示することができる。または、量子ドットの凝集を防止することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
＜機能パネル７００の構成例３＞
本発明の一態様の機能パネルは、遮光層ＢＭを有する。また、着色膜ＣＦ（Ｇ）を有する。
《遮光層ＢＭ》
遮光層ＢＭは開口部を備え、開口部は発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）と重なる。
《着色膜ＣＦ（Ｇ）》
着色膜ＣＦ（Ｇ）は光Ｈ２に対する透過率より低い透過率を、光Ｈ１に対して備える。
これにより、色変換層ＣＣ（Ｇ）に到達する外光を減らすことができる。または、色変換層ＣＣ（Ｇ）による外光の意図しない変換を抑制することができる。または、外光によるコントラストの低下を抑制することができる。または、表示品位を向上することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の構成例１》
発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）は、層１１１、層１１２、層１１３および層１１４を備える（図２（Ａ）参照）。また、層１１５を発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）に用いることができる。なお、層１１１、層１１２、層１１３および層１１４は、公知の様々な成膜方法を用いて形成することができる。例えば、真空蒸着法または印刷法を用いて形成することができる。具体的には、抵抗加熱型真空蒸着法またはインクジェット法等を用いて形成することができる。
層１１３は、層１１２および層１１４の間に挟まれる。層１１２は、層１１１および層１１３の間に挟まれる。
層１１１は、材料ＨＴ１および材料ＡＭを含む。
層１１２は、材料ＨＴ２を含む。
層１１３は、発光性の材料ＥＭおよび材料ＨＯＳＴを含む。
層１１４は、材料ＥＴおよび材料ＯＭＣを含む。
［材料ＨＴ１］
材料ＨＴ１は、－５．７ｅＶ以上－５．４ｅＶ以下のＨＯＭＯ準位を備える。例えば、正孔輸送性を有する正孔輸送性材料であることが好ましく、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格およびアントラセン骨格のいずれかを有している材料を、材料ＨＴ１に用いることができる。また、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環を含む置換基を有する芳香族アミン、ナフタレン環を有する芳香族モノアミン、または９－フルオレニル基がアリーレン基を介してアミンの窒素に結合する芳香族モノアミンを、材料ＨＴ１にもちいることができる。これにより、層１１２への正孔の注入が容易になる。
材料ＨＴ１に用いることができる化合物として、具体的には、Ｎ－（４－ビフェニル）－６，Ｎ－ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢｎｆＡＢＰ）、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）－６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）、４，４’－ビス（６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－イル）－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＢｎｆＢＢ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－６－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（６））、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（８））、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３－ｄ］フラン－４－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（ＩＩ）（４））、Ｎ，Ｎ－ビス［４－（ジベンゾフラン－４－イル）フェニル］－４－アミノ－ｐ－ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）、Ｎ－［４－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－Ｎ－フェニル－４－ビフェニルアミン（略称：ＴｈＢＡ１ＢＰ）、４－（２－ナフチル）－４’，４’’－ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢ）、４－［４－（２－ナフチル）フェニル］－４’，４’’－ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢｉ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（６；１’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（７；１’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ－０３）、４，４’－ジフェニル－４’’－（７－フェニル）ナフチル－２－イルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡＰβＮＢ－０３）、４，４’－ジフェニル－４’’－（６；２’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（７；２’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ－０３）、４，４’－ジフェニル－４’’－（４；２’－ビナフチル－１－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（５；２’－ビナフチル－１－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ－０２）、４－（４－ビフェニリル）－４’－（２－ナフチル）－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢ）、４－（３－ビフェニリル）－４’－［４－（２－ナフチル）フェニル］－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ｍＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４－（４－ビフェニリル）－４’－［４－（２－ナフチル）フェニル］－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４－フェニル－４’－（１－ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ビス（１－ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＢ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－［４’－（カルバゾール－９－イル）ビフェニル－４－イル］トリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ）、４’－［４－（３－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］トリス（１，１’－ビフェニル－４－イル）アミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ－０２）、４－ジフェニル－４’－（２－ナフチル）－４’’－｛９－（４－ビフェニリル）カルバゾール）｝トリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉβＮＢ）、Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－Ｎ－［４－（１－ナフチル）フェニル］－９，９’－スピロビ（９Ｈ－フルオレン）－２－アミン（略称：ＰＣＢＮＢＳＦ）、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニリル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ＢＢＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ－ビス（１，１’－ビフェニル－４－イル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－４－アミン（略称：ＢＢＡＳＦ（４））、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－２－イル）－Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ（９Ｈ－フルオレン）－４－アミン（略称：ｏＦＢｉＳＦ）、Ｎ－（４－ビフェニル）－Ｎ－（ジベンゾフラン－４－イル）－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＦｒＢｉＦ）、Ｎ－［４－（１－ナフチル）フェニル］－Ｎ－［３－（６－フェニルジベンゾフラン－４－イル）フェニル］－１－ナフチルアミン（略称：ｍＰＤＢｆＢＮＢＮ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－４’－［４－（９－フェニルフルオレン－９－イル）フェニル］トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＢｉ）、４－フェニル－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４－（１－ナフチル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－９，９－ジメチル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）等を挙げることができる。
［材料ＡＭ］
材料ＡＭは、アクセプタ性を備える。例えば、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基やシアノ基）を有する有機化合物等を材料ＡＭに用いて、材料ＨＴ１に対して電子受容性を示す物質を適宜選択すれば良い。このような有機化合物としては、例えば、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ－ＣＮ）、１，３，４，５，７，８－ヘキサフルオロテトラシアノ－ナフトキノジメタン（略称：Ｆ６－ＴＣＮＮＱ）、２－（７－ジシアノメチレン－１，３，４，５，６，８，９，１０－オクタフルオロ－７Ｈ－ピレン－２－イリデン）マロノニトリル等を挙げることができる。特に、ＨＡＴ－ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物が、熱的に安定であり好ましい。また、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基やシアノ基）を有する［３］ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため好ましく、具体的にはα，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［４－シアノ－２，３，５，６－テトラフルオロベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［２，６－ジクロロ－３，５－ジフルオロ－４－（トリフルオロメチル）ベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［２，３，４，５，６－ペンタフルオロベンゼンアセトニトリル］などが挙げられる。
［材料ＨＴ２］
材料ＨＴ２は、材料ＨＴ１より小さいＨＯＭＯ準位を備える。例えば、材料ＨＴ１に用いることができる化合物として例示した上記の化合物から適宜選択した材料を、材料ＨＴ２に用いることができる。
［材料ＨＯＳＴ］
材料ＨＯＳＴは、材料ＨＴ２より小さいＨＯＭＯ準位を備える。
例えば、電子輸送性材料、正孔輸送性材料またはＴＡＤＦ材料など様々なキャリア輸送材料を、材料ＨＯＳＴに用いることができる。なお、正孔輸送性材料や電子輸送性材料等の具体例としては、本明細書中に記載された材料や公知の材料を適宜、単数もしくは複数種用いることができる。
［発光性の材料ＥＭ］
例えば、蛍光を発する物質（蛍光発光物質）、燐光を発する物質（燐光発光物質）、熱活性化遅延蛍光を示す熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ａｃｔｉｖａｔｅｄ ｄｅｌａｙｅｄ ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料、その他の発光物質等を、発光性の材料ＥＭに用いることができる。
［材料ＥＴ］
材料ＥＴは、－６．０ｅＶ以上のＨＯＭＯ準位を備える。また、材料ＥＴは、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が１×１０－７ｃｍ２／Ｖｓ以上５×１０－５ｃｍ２／Ｖｓ以下である。これにより、層１１４に上記材料ＥＴを用いることで、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）のキャリアバランスが変化し、層１１４での再結合が生じにくくなる。層１１４のキャリアバランスを制御することで、発光デバイスの駆動初期に現れる急激な輝度低下、いわゆる初期劣化を相殺することで、駆動寿命の長い発光デバイスを提供できる。なお、本明細書等において、上記材料ＥＴを有する発光素子をＲｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ－Ｓｉｔｅ Ｔａｉｌｏｒｉｎｇ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ構造（ＲｅＳＴＩ構造）と呼称する場合がある。
例えば、アントラセン骨格を有する化合物を、材料ＥＴに用いることができ、アントラセン骨格と複素環骨格を含むことがさらに好ましい。また、当該複素環骨格としては、含窒素５員環骨格が好ましい。含窒素５員環骨格としては、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環のように２つの複素原子を環に含む含窒素５員環骨格を有することが特に好ましい。
［材料ＯＭＣ］
材料ＯＭＣは、アルカリ金属の有機錯体またはアルカリ土類金属の有機錯体である。例えば、リチウムの有機錯体が好ましく、特に、８－キノリノラト－リチウム（略称：Ｌｉｑ）が好ましい。
なお、層１１３の層１１４側にある領域において陰イオンが発生する場合がある。または、使用開始後に、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）が、陰イオンにより劣化する場合がある。または、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の輝度が低下する場合がある。
これにより、使用開始後に生じる表示品質の低下を抑制することができる。または、使用開始後に生じる色再現性の低下を抑制することができる。または、使用開始後に生じる輝度の低下を抑制することができる。または、特性を低下する不純物の外部からの侵入を抑制できる。または、鮮やかな色を表示できる。または、生産性に優れる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の構成例２》
発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）は、発光ユニット１０３ａ、発光ユニット１０３ｂおよび中間層１０４を備える（図２（Ｂ）参照）。
中間層１０４は、発光ユニット１０３ａおよび発光ユニット１０３ｂに挟まれる領域を備える。中間層１０４は、発光ユニット１０３ａまたは発光ユニット１０３ｂの一方に正孔を供給し、他方に電子を供給する。また、発光ユニット１０３ａと、発光ユニット１０３ｂとは、それぞれ同じ構成であっても異なる構成であってもよい。なお、当該異なる構成とは、例えば、発光ユニット１０３ａが蛍光発光物質を有し、発光ユニット１０３ｂが燐光発光物質を有する構造などが挙げられる。また、当該同じ構成とは、例えば、発光ユニット１０３ａ、および発光ユニット１０３ｂが、それぞれ蛍光発光物質を有する構造などが挙げられる。また、発光ユニット１０３ａから射出される発光と、発光ユニット１０３ｂから射出される発光とは、同じ色であっても異なる色であってもよい。例えば、発光ユニット１０３ａ、および発光ユニット１０３ｂは、それぞれ青色の発光色を射出できる機能を有する場合、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光素子を実現できる。なお、図２（Ｂ）に示す発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の構成を積層型素子、またはタンデム型素子と呼称してもよい。
これにより、発光効率を高めることができる。または、消費電力を低減することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
＜機能パネル７００の構成例４＞
本実施の形態で説明する機能パネルは、画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）を有する。
《画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）の構成例２》
画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）は、マイクロレンズＭＬ、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）および色変換層ＣＣ（Ｇ）を備える（図２４参照）。ところで、本明細書においては、発光素子を発光デバイスと言い換えることができ、光電変換素子を光電変換デバイスと言い換えることができる。
発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）は、光Ｈ１を射出する。
《マイクロレンズＭＬの構成例３》
マイクロレンズＭＬは、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）および色変換層ＣＣ（Ｇ）の間に挟まれ、マイクロレンズＭＬは光Ｈ１を色変換層ＣＣ（Ｇ）に集光する。なお、例えば、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）に凸部を向ける形状を、マイクロレンズＭＬに用いることができる。また、マイクロレンズＭＬおよび発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の間に、例えば、封止材７０５がある場合、マイクロレンズＭＬは、封止材７０５とは異なる屈折率を備える。具体的には、封止材７０５より高い屈折率を備える材料をマイクロレンズに用いることができる。
《色変換層ＣＣ（Ｇ）の構成例３》
色変換層ＣＣ（Ｇ）は、光Ｈ１を光Ｈ２に変換する。なお、光Ｈ２は、光Ｈ１のスペクトルより、波長の長い光の強度が高いスペクトルを備える。
これにより、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）が射出する光Ｈ１を色変換層ＣＣ（Ｇ）に集光することができる。または、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）が射出する光Ｈ１を、集光してから光Ｈ２に変換することができる。または、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）が射出する光Ｈ１は、色変換層ＣＣ（Ｇ）から射出する光に比べて指向性が高く、指向性が高い光を効率よく集光できる。または、色変換層ＣＣ（Ｇ）から射出する光を集光するより、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）が射出する光Ｈ１を効率よく利用することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図４乃至図７を参照しながら説明する。
図４は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図４（Ａ）は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する上面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）の一部を説明する図である。
図５（Ａ）は図４（Ａ）の一部を説明する図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）の一部を説明する図であり、図５（Ｃ）は図５（Ａ）の一部を説明する図である。
図６は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。具体的には、図６は画素回路の構成を説明する図である。
図７は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。具体的には、図７は本発明の一態様の機能パネルの画素回路の構成を説明する回路図である。
＜機能パネル７００の構成例１＞
機能パネル７００は一組の画素７０３（ｉ，ｊ）を有する（図４（Ａ）参照）。
《画素７０３（ｉ，ｊ）の構成例１》
一組の画素７０３（ｉ，ｊ）は、画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）を備える（図４（Ｂ）参照）。画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）および発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）を備え、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）は画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図５（Ａ）参照）。
《画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）の構成例１》
画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２１、スイッチＳＷ２２、トランジスタＭ２１、容量Ｃ２１およびノードＮ２１を備える（図６参照）。
トランジスタＭ２１は、ノードＮ２１と電気的に接続されるゲート電極と、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、導電膜ＡＮＯと電気的に接続される第２の電極と、を備える。
スイッチＳＷ２１は、ノードＮ２１と電気的に接続される第１の端子と、導電膜Ｓ１ｇ（ｊ）と電気的に接続される第２の端子と、導電膜Ｇ１（ｉ）の電位に基づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を備える。
スイッチＳＷ２２は、導電膜Ｓ２ｇ（ｊ）と電気的に接続される第１の端子と、導電膜Ｇ２（ｉ）の電位に基づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を備える。
容量Ｃ２１は、ノードＮ２１と電気的に接続される導電膜と、スイッチＳＷ２２の第２の電極と電気的に接続される導電膜を備える。
これにより、画像信号をノードＮ２１に格納することができる。または、ノードＮ２１の電位を、スイッチＳＷ２２を用いて、変更することができる。または、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）が射出する光の強度を、ノードＮ２１の電位を用いて、制御することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の構成例１》
例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、発光ダイオードまたはＱＤＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ ＬＥＤ）等を、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）に用いることができる。
《画素７０３（ｉ，ｊ）の構成例２》
画素７０３（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）および光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）を備え、光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）は画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。
《画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）の構成例１》
画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ３１、スイッチＳＷ３２、スイッチＳＷ３３、トランジスタＭ３１、容量Ｃ３１およびノードＦＤを備える（図７参照）。
スイッチＳＷ３１は、光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される第１の端子と、ノードＦＤと電気的に接続される第２の端子と、導電膜ＴＸ（ｉ）の電位に基づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を備える。
スイッチＳＷ３２は、ノードＦＤと電気的に接続される第１の端子と、導電膜ＶＲと電気的に接続される第２の端子と、導電膜ＲＳ（ｉ）の電位に基づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を備える。
容量Ｃ３１は、ノードＦＤと電気的に接続される導電膜と、導電膜ＶＣＰと電気的に接続される導電膜を備える。
トランジスタＭ３１は、ノードＦＤと電気的に接続されるゲート電極と、導電膜ＶＰＩと電気的に接続される第１の電極と、を備える。
スイッチＳＷ３３は、トランジスタＭ３１の第２の電極と電気的に接続される第１の端子と、導電膜ＷＸ（ｊ）と電気的に接続される第２の端子と、導電膜ＳＥ（ｉ）の電位に基づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を備える。
これにより、光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）が生成した撮像信号を、スイッチＳＷ３１を用いて、ノードＦＤに転送することができる。または、光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）が生成した撮像信号を、スイッチＳＷ３１を用いて、ノードＦＤに格納することができる。または、画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）および光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）の間を、スイッチＳＷ３１を用いて、非導通状態にすることができる。または、相関二重サンプリング法を適用することができる。または、撮像信号に含まれるノイズを低減することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）の構成例１》
例えば、ヘテロ接合型の光電変換素子、バルクヘテロ接合型の光電変換素子等を、光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）に用いることができる。
《画素７０３（ｉ，ｊ）の構成例３》
複数の画素を画素７０３（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、色相が互いに異なる色を表示する複数の画素を用いることができる。なお、複数の画素のそれぞれを副画素と言い換えることができる。または、複数の副画素を一組にして、画素と言い換えることができる。
これにより、当該複数の画素が表示する色を加法混色または減法混色することができる。または、個々の画素では表示することができない色相の色を、表示することができる。
具体的には、青色を表示する画素７０２Ｂ（ｉ，ｊ）、緑色を表示する画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）および赤色を表示する画素７０２Ｒ（ｉ，ｊ）を画素７０３（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、画素７０２Ｂ（ｉ，ｊ）、画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）および画素７０２Ｒ（ｉ，ｊ）のそれぞれを副画素と言い換えることができる（図４（Ｂ）参照）。
また、例えば、白色等を表示する画素を上記の一組に加えて、画素７０３（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、シアンを表示する画素、マゼンタを表示する画素およびイエローを表示する画素を、画素７０３（ｉ，ｊ）に用いることができる。
また、例えば、赤外線を射出する画素を上記の一組に加えて、画素７０３（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、６５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の波長を備える光を含む光を射出する画素を、画素７０３（ｉ，ｊ）に用いることができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図８乃至図１１を参照しながら説明する。
図８は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図８は図４（Ａ）の切断線Ｘ１－Ｘ２、Ｘ３－Ｘ４、Ｘ９－Ｘ１０、Ｘ１１－Ｘ１２および画素における断面図である。
図９は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図９（Ａ）は図４（Ｂ）に示す画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）の断面図である。図９（Ｂ）は図９（Ａ）の一部を説明する断面図である。
図１０は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図１０（Ａ）は図４（Ｂ）に示す画素７０２Ｓ（ｉ，ｊ）の断面図である。図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）の一部を説明する断面図である。
図１１は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図１１（Ａ）は図４（Ａ）の切断線Ｘ１－Ｘ２および切断線Ｘ３－Ｘ４における断面図であり、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）の一部を説明する図である。
図２６は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図であり、図２６（Ａ）は図９（Ｂ）とは異なる構成を備える画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）の断面図である。図２６（Ｂ）は図２６（Ａ）の一部を説明する図である。
図２７は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図であり、図２７（Ａ）は図１０（Ｂ）とは異なる構成を備える画素７０２Ｓ（ｉ，ｊ）の断面図である。図２７（Ｂ）は図２７（Ａ）の一部を説明する図である。
＜機能パネル７００の構成例１＞
本発明の一態様の機能パネルは、機能層５２０を有する（図８参照）。
《機能層５２０の構成例１》
機能層５２０は、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）を備える（図８参照）。機能層５２０は、例えば、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）に用いるトランジスタＭ２１を含む（図６および図９（Ａ）参照）。
機能層５２０は開口部５９１Ｇを備える。画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）は開口部５９１Ｇにおいて、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図８および図９（Ａ）参照）。また、機能層５２０は開口部５９１Ｂを備えることができる。
《機能層５２０の構成例２》
機能層５２０は、画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）を備える（図８参照）。機能層５２０は、例えば、画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）のスイッチＳＷ３１に用いるトランジスタを含む（図８および図１０（Ａ）参照）。
機能層５２０は開口部５９１Ｓを備え、画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）は、開口部５９１Ｓにおいて、光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図８および図１０（Ａ）参照）。
これにより、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）を機能層５２０に形成することができる。または、画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）を機能層５２０に形成することができる。または、例えば、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）に用いる半導体膜を形成する工程において、画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）に用いる半導体膜を形成することができる。または、機能パネルの作製工程を簡略化することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《機能層５２０の構成例３》
機能層５２０は駆動回路ＧＤを備える（図４（Ａ）および図８参照）。機能層５２０は、例えば、駆動回路ＧＤに用いるトランジスタＭＤを含む（図８および図１１（Ａ）参照）。
機能層５２０は駆動回路ＲＤおよび読み出し回路ＲＣを備える（図８参照）。
これにより、例えば、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）に用いる半導体膜を形成する工程において、駆動回路ＧＤに用いる半導体膜を形成することができる。または、例えば、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）に用いる半導体膜を形成する工程において、駆動回路ＲＤおよび読み出し回路ＲＣに用いる半導体膜を形成することができる。または、機能パネルの作製工程を簡略化することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《トランジスタの構成例》
ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを、機能層５２０に用いることができる。具体的には、トランジスタをスイッチに用いることができる。
トランジスタは、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備える（図９（Ｂ）参照）。または、トランジスタは、導電膜５１２Ｃおよび導電膜５１２Ｄを備える（図１１（Ｂ）参照）。または、トランジスタは、導電膜５１２Ｅおよび導電膜５１２Ｆを備える（図１０（Ｂ）参照）。
半導体膜５０８は、導電膜５１２Ａと電気的に接続される領域５０８Ａ、導電膜５１２Ｂと電気的に接続される領域５０８Ｂを備える。半導体膜５０８は、領域５０８Ａおよび領域５０８Ｂの間に領域５０８Ｃを備える。
導電膜５０４は領域５０８Ｃと重なる領域を備え、導電膜５０４はゲート電極の機能を備える。
絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。
導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。
また、導電膜５２４をトランジスタに用いることができる。導電膜５２４は、導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟む領域を備える。導電膜５２４は、第２のゲート電極の機能を備える。
なお、画素回路のトランジスタに用いる半導体膜を形成する工程において、駆動回路のトランジスタに用いる半導体膜を形成することができる。
《半導体膜５０８の構成例１》
例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜５０８に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜５０８に用いることができる。
［水素化アモルファスシリコン］
例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いることができる。または、微結晶シリコンなどを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いる機能パネルより、表示ムラが少ない機能パネルを提供することができる。または、機能パネルの大型化が容易である。
［ポリシリコン］
例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、トランジスタの電界効果移動度を高くすることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、駆動能力を高めることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、画素の開口率を向上することができる。
または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、トランジスタの信頼性を高めることができる。
または、トランジスタの作製に要する温度を、例えば、単結晶シリコンを用いるトランジスタより、低くすることができる。
または、駆動回路のトランジスタに用いる半導体膜を、画素回路のトランジスタに用いる半導体膜と同一の工程で形成することができる。または、画素回路を形成する基板と同一の基板上に駆動回路を形成することができる。または、電子機器を構成する部品数を低減することができる。
［単結晶シリコン］
例えば、単結晶シリコンを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いる機能パネルより、精細度を高めることができる。または、例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いる機能パネルより、表示ムラが少ない機能パネルを提供することができる。または、例えば、スマートグラスまたはヘッドマウントディスプレイを提供することができる。
《半導体膜５０８の構成例２》
例えば、金属酸化物を半導体膜５０８に用いることができる。これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。
また、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が撮像信号を保持することができる時間を長くすることができる。その結果、グローバルシャッター方式で撮影することができる。また、運動する被写体を、歪みを抑えて撮影することができる。
例えば、酸化物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。
一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタをスイッチ等に利用することができる。これにより、アモルファスシリコンを用いたトランジスタをスイッチに利用する回路より長い時間、フローティングノードの電位を保持することができる。
例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に用いることができる。
例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。
例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した積層膜を、絶縁膜５０６に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を備える。
例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜５１２Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体膜５０８と接する領域を備える。
ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活用することができる。
これにより、チラツキを抑制することができる。または、消費電力を低減することができる。または、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。または、豊かな階調で写真等を表示することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《半導体膜５０８の構成例３》
例えば、化合物半導体をトランジスタの半導体に用いることができる。具体的には、ガリウム・ヒ素を含む半導体を用いることができる。
例えば、有機半導体をトランジスタの半導体に用いることができる。具体的には、ポリアセン類またはグラフェンを含む有機半導体を半導体膜に用いることができる。
《容量の構成例》
容量は、一の導電膜、他の導電膜および絶縁膜を備える。当該絶縁膜は一の導電膜および他の導電膜の間に挟まれる領域を備える。
例えば、トランジスタのソース電極またはドレイン電極に用いる導電膜と、ゲート電極に用いる導電膜と、ゲート絶縁膜に用いる絶縁膜と、を容量に用いることができる。
《機能層５２０の構成例４》
機能層５２０は、絶縁膜５２１、絶縁膜５１８、絶縁膜５１６、絶縁膜５０６および絶縁膜５０１Ｃ等を備える（図９（Ａ）および図９（Ｂ）参照）。
絶縁膜５２１は、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）および発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
絶縁膜５１８は、絶縁膜５２１および絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。
絶縁膜５１６は絶縁膜５１８および絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。
絶縁膜５０６は絶縁膜５１６および絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。
［絶縁膜５２１］
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５２１に用いることができる。なお、絶縁膜５２１Ａおよび絶縁膜５２１Ｂを積層して、絶縁膜５２１に用いることができる。
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１に用いることができる。
例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１に用いることができる。なお、窒化シリコン膜は緻密な膜であり、不純物の拡散を抑制する機能に優れる。
例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１に用いることができる。ところで、ポリイミドは熱的安定性、絶縁性、靱性、低誘電率、低熱膨張率、耐薬品性などの特性において他の有機材料に比べて優れた特性を備える。これにより、特にポリイミドを絶縁膜５２１等に好適に用いることができる。
また、感光性を有する材料を用いて、絶縁膜５２１を形成してもよい。具体的には、感光性のポリイミドまたは感光性のアクリル樹脂等を用いて形成された膜を絶縁膜５２１に用いることができる。
これにより、絶縁膜５２１は、例えば、絶縁膜５２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。
［絶縁膜５１８］
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５１８に用いることができる。
例えば、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等の拡散を抑制する機能を備える材料を絶縁膜５１８に用いることができる。具体的には、窒化物絶縁膜を絶縁膜５１８に用いることができる。例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等を絶縁膜５１８に用いることができる。これにより、トランジスタの半導体膜への不純物の拡散を抑制することができる。
［絶縁膜５１６］
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５１６に用いることができる。なお、絶縁膜５１６Ａおよび絶縁膜５１６Ｂを積層して、絶縁膜５１６に用いることができる。
具体的には、絶縁膜５１８とは作製方法が異なる膜を絶縁膜５１６に用いることができる。
［絶縁膜５０６］
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０６に用いることができる。
具体的には、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜または酸化ネオジム膜を含む膜を絶縁膜５０６に用いることができる。
［絶縁膜５０１Ｄ］
絶縁膜５０１Ｄは、絶縁膜５０１Ｃおよび絶縁膜５１６の間に挟まれる領域を備える。
例えば、絶縁膜５０６に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｄに用いることができる。
［絶縁膜５０１Ｃ］
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路、発光素子または光電変換素子等への不純物の拡散を抑制することができる。
《機能層５２０の構成例５》
機能層５２０は、導電膜、配線および端子を備える。導電性を備える材料を配線、電極、端子、導電膜等に用いることができる。
［配線等］
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。
具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。
例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。
具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。
なお、例えば、導電材料を用いて、端子５１９Ｂをフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１と電気的に接続することができる（図８参照）。具体的には、導電材料ＣＰを用いて、端子５１９Ｂをフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１と電気的に接続することができる。
＜機能パネル７００の構成例２＞
また、機能パネル７００は、基材５１０、基材７７０および封止材７０５を備える（図９（Ａ）参照）。また、機能パネル７００は構造体ＫＢを備える。
《基材５１０、基材７７０》
透光性を備える材料を、基材５１０または基材７７０に用いることができる。
例えば、可撓性を有する材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。これにより、可撓性を備える機能パネルを提供することができる。
例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。これにより、重量を低減することができる。
ところで、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のガラス基板を基材５１０または基材７７０に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基材５１０または基材７７０に用いることができる。
例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を用いることができる。具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基材５１０または基材７７０に用いることができる。または、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、機能パネルの使用者に近い側に配置される基材５１０または基材７７０に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う機能パネルの破損や傷付きを防止することができる。
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を基材５１０または基材７７０に用いることができる。
例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基材５１０または基材７７０に用いることができる。これにより、半導体素子を基材５１０または基材７７０に形成することができる。
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタンまたはアクリル樹脂、エポキシ樹脂またはシリコーンなどのシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。例えば、これらの材料を含む樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を用いることができる。これにより、重量を低減することができる。または、例えば、落下に伴う破損等の発生頻度を低減することができる。
具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）またはシクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を基材５１０または基材７７０に用いることができる。
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜と樹脂フィルム等を貼り合わせた複合材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂に分散した複合材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。
また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基材５１０または基材７７０に用いることができる。例えば、絶縁膜等が積層された材料を用いることができる。具体的には、酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を用いることができる。これにより、例えば、基材に含まれる不純物の拡散を防ぐことができる。または、ガラスまたは樹脂に含まれる不純物の拡散を防ぐことができる。または、樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐことができる。
また、紙または木材などを基材５１０または基材７７０に用いることができる。
例えば、作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。具体的には、トランジスタまたは容量等を直接形成する作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する材料を、基材５１０または基材７７０に用いることができる。
例えば、作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用基板に絶縁膜、トランジスタまたは容量等を形成し、形成された絶縁膜、トランジスタまたは容量等を、例えば、基材５１０または基材７７０に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば、可撓性を有する基板に絶縁膜、トランジスタまたは容量等を形成できる。
《封止材７０５》
封止材７０５は、機能層５２０および基材７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基材７７０を貼り合わせる機能を備える（図９（Ａ）参照）。
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５に用いることができる。
例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５に用いることができる。
例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材７０５に用いることができる。
具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５に用いることができる。
《構造体ＫＢ》
構造体ＫＢは、機能層５２０および基材７７０の間に挟まれる領域を備える。また、構造体ＫＢは、機能層５２０および基材７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図９および図１０を参照しながら説明する。
＜機能パネル７００の構成例１＞
機能パネル７００は、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）を備える（図９（Ａ）参照）。
《発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の構成例１》
電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）、電極５５２および発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）を、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）は、電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）および電極５５２に挟まれる領域を備える。
［発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）の構成例１］
例えば、積層材料を発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に用いることができる。
例えば、青色の光を発する材料、緑色の光を発する材料、赤色の光を発する材料、赤外線を発する材料または紫外線を発する材料を、発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に用いることができる。
［発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）の構成例２］
例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に用いることができる。
具体的には、色相が互いに異なる光を発する複数の材料を、発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に用いることができる。
例えば、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の材料を含む層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層を積層した積層材料を、発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に用いることができる。または、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の材料を含む層と、黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層材料を、発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に用いることができる。
なお、発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に、例えば、着色膜ＣＦ（Ｇ）を重ねて用いることができる。これにより、白色の光から、所定の色相の光を取り出すことができる。
［発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）の構成例３］
例えば、青色の光または紫外線を射出するように積層された積層材料を、発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に用いることができる。また、例えば、色変換層ＣＣ（Ｇ）を重ねて用いることができる。
［発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）の構成例４］
発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）は、発光ユニットを備える。発光ユニットは、一方から注入された電子が他方から注入された正孔と再結合する領域を１つ備える。また、発光ユニットは発光性の材料を含み、発光性の材料は電子と正孔の再結合により生じるエネルギーを光として放出する。なお、正孔輸送層および電子輸送層を発光ユニットに用いることができる。正孔輸送層は電子輸送層より正極側に配置され、正孔輸送層は電子輸送層より正孔の移動度が高い。
例えば、複数の発光ユニットおよび中間層を発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に用いることができる。中間層は、二つの発光ユニットの間に挟まれる領域を備える。中間層は電荷発生領域を備え、中間層は陰極側に配置された発光ユニットに正孔を供給し、陽極側に配置された発光ユニットに電子を供給する機能を備える。なお、複数の発光ユニットおよび中間層を備える構成をタンデム型の発光素子という場合がある。
これにより、発光に係る電流効率を高めることができる。または、同じ輝度において、発光素子を流れる電流密度を下げることができる。または、発光素子の信頼性を高めることができる。
例えば、一の色相の光を発する材料を含む発光ユニットを、他の色相の光を発する材料を含む発光ユニットと重ねて、発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に用いることができる。または、一の色相の光を発する材料を含む発光ユニットを、同一の色相の光を発する材料を含む発光ユニットと重ねて、発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に用いることができる。具体的には、青色の光を発する材料を含む二つの発光ユニットを重ねて用いることができる。
ところで、例えば、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）、中分子化合物（低分子と高分子の中間領域の化合物：分子量４００以上４０００以下）等を、発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に用いることができる。
［電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）、電極５５２］
例えば、配線等に用いることができる材料を電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）または電極５５２に用いることができる。具体的には、可視光について透光性を有する材料を電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）または電極５５２に用いることができる。
例えば、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を用いることができる。または、可視光について透光性を有する材料を用いることができる。
例えば、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）または電極５５２に用いることができる。例えば、発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）などを用いて、電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）および電極５５２の間の距離を調整する。
これにより、微小共振器構造を発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）に設けることができる。または、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。または、スペクトルの半値幅が狭い光を取り出すことができる。または、鮮やかな色の光を取り出すことができる。
例えば、効率よく光を反射する膜を、電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）または電極５５２に用いることができる。具体的には、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を金属膜に用いることができる。
また、電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）は、開口部５９１Ｇにおいて、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図９（Ａ）参照）。電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）は、例えば、絶縁膜５２８に形成される開口部と重なり、電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）は周縁に絶縁膜５２８を備える。
これにより、電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）および電極５５２の短絡を防止することができる。
《光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）の構成例１》
光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）は、電極５５１Ｓ（ｉ，ｊ）、電極５５２および光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）を備える（図１０（Ａ）参照）。
例えば、ヘテロ接合型の光電変換素子、バルクヘテロ接合型の光電変換素子等を、光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）に用いることができる。
［光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）の構成例１］
例えば、ｐ型の半導体膜とｎ型の半導体膜が互いに接するように積層した積層膜を、光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）に用いることができる。なお、光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）にこのような構造の積層膜を用いる光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）を、ＰＮ型のフォトダイオードということができる。
例えば、ｐ型の半導体膜およびｎ型の半導体膜の間にｉ型の半導体膜を挟むように、ｐ型の半導体膜、ｉ型の半導体膜およびｎ型の半導体膜を積層した積層膜を、光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）に用いることができる。なお、光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）にこのような構造の積層膜を用いる光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）を、ＰＩＮ型のフォトダイオードということができる。
例えば、ｐ＋型の半導体膜およびｎ型の半導体膜の間にｐ－型の半導体膜を挟み、当該ｐ－型の半導体膜および当該ｎ型の半導体膜の間にｐ型の半導体膜を挟むように、ｐ＋型の半導体膜、ｐ－型の半導体膜、ｐ型の半導体膜およびｎ型の半導体膜を積層した積層膜を、光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）に用いることができる。なお、光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）にこのような構造の積層膜を用いる光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）を、アバランシェフォトダイオードということができる。
［光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）の構成例２］
例えば、１４族の元素を含む半導体を、光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体を、光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）に用いることができる。例えば、水素化アモルファスシリコン、微結晶シリコン、ポリシリコンまたは単結晶シリコン等を、光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）に用いることができる。
例えば、有機半導体を、光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）に用いることができる。具体的には、発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に用いる層の一部を、光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）の一部に用いることができる。
具体的には、発光性の材料を含む層５５３Ｇ（ｊ）に用いる正孔輸送層および電子輸送層を、光電変換材料を含む層５５３Ｓ（ｊ）に用いることができる。これにより、作製工程を簡略化することができる。
また、例えば、フラーレン（例えばＣ６０、Ｃ７０等）またはその誘導体等の電子受容性の有機半導体材料をｎ型の半導体膜に用いることができる。
また、例えば、銅（ＩＩ）フタロシアニン（Ｃｏｐｐｅｒ（ＩＩ） ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ；ＣｕＰｃ）またはテトラフェニルジベンゾペリフランテン（Ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｄｉｂｅｎｚｏｐｅｒｉｆｌａｎｔｈｅｎｅ；ＤＢＰ）等の電子供与性の有機半導体材料をｐ型の半導体膜に用いることができる。
また、例えば、電子受容性の半導体材料と電子供与性の半導体材料とを共蒸着した膜をｉ型の半導体膜に用いることができる。
＜機能パネル７００の構成例２＞
機能パネル７００は、絶縁膜５２８および絶縁膜５７３を有する（図９（Ａ）参照）。
《絶縁膜５２８》
絶縁膜５２８は機能層５２０および基材７７０の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜５２８は発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える（図９（Ａ）参照）。
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を、絶縁膜５２８に用いることができる。具体的には、酸化珪素膜、アクリル樹脂を含む膜またはポリイミドを含む膜等を絶縁膜５２８に用いることができる。
《絶縁膜５７３》
絶縁膜５７３は、機能層５２０との間に発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）を挟む領域を備える（図９（Ａ）参照）。
例えば、単数の膜または複数の膜を積層した積層膜を絶縁膜５７３に用いることができる。具体的には、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）を損傷し難い方法で形成することができる絶縁膜５７３Ａと、欠陥の少ない緻密な絶縁膜５７３Ｂと、を積層した積層膜を、絶縁膜５７３に用いることができる。また、膜５７３Ｃを用いて、絶縁膜５７３を平坦にすることができる（図３（Ａ）参照）。これにより、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）への不純物の拡散を抑制することができる。または、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の信頼性を高めることができる。
＜機能パネル７００の構成例３＞
機能パネル７００は、機能層７２０を備える（図９（Ａ）参照）。
《機能層７２０》
機能層７２０は、遮光層ＢＭ、着色膜ＣＦ（Ｇ）、色変換層ＣＣ（Ｇ）および絶縁膜７７１を備える。
《遮光層ＢＭ》
遮光層ＢＭは画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。また、遮光層ＢＭは画素７０２Ｓ（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。
例えば、暗色の材料を遮光層ＢＭに用いることができる。これにより、表示のコントラストを向上することができる。
《着色膜ＣＦ（Ｇ）》
着色膜ＣＦ（Ｇ）は、基材７７０および発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。例えば、所定の色の光を選択的に透過する材料を着色膜ＣＦ（Ｇ）に用いることができる。具体的には、赤色の光、緑色の光または青色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ（Ｇ）に用いることができる。
《絶縁膜７７１の構成例》
絶縁膜７７１は、基材７７０および発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
絶縁膜７７１は、基材７７０およびマイクロレンズＭＬの間に挟まれる領域を備える。
絶縁膜７７１は、基材７７０との間に、色変換層ＣＣ（Ｇ）、遮光層ＢＭまたは着色膜ＣＦ（Ｇ）を挟む領域を備える。これにより、色変換層ＣＣ（Ｇ）、遮光層ＢＭまたは着色膜ＣＦ（Ｇ）の厚さに由来する凹凸を平坦にすることができる。
《色変換層ＣＣ（Ｇ）》
色変換層ＣＣ（Ｇ）は、基材７７０および発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
例えば、入射する光の波長より長い波長を有する光を射出する材料を色変換層ＣＣ（Ｇ）に用いることができる。例えば、青色の光または紫外線を吸収して緑色の光に変換して放出する材料、青色の光または紫外線を吸収して赤色の光に変換して放出する材料、または紫外線を吸収して青色の光に変換して放出する材料を色変換層に用いることができる。具体的には、直径数ｎｍの量子ドットを色変換層に用いることができる。これにより、半値幅が狭いスペクトルを有する光を放出できる。または、彩度の高い光を放出することができる。
＜機能パネル７００の構成例４＞
機能パネル７００は、遮光膜ＫＢＭを備える（図９（Ａ）参照）。
《遮光膜ＫＢＭ》
遮光膜ＫＢＭは画素７０２Ｓ（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。また、遮光膜ＫＢＭは、機能層５２０および基材７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基材７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。例えば、暗色の材料を遮光膜ＫＢＭに用いることができる。これにより、画素７０２Ｓ（ｉ，ｊ）に進入する迷光を抑制することができる。
＜機能パネル７００の構成例５＞
機能パネル７００は、機能膜７７０Ｐなどを備える（図９（Ａ）参照）。
《機能膜７７０Ｐ等》
機能膜７７０Ｐは、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐに用いることができる。
例えば、厚さ１μｍ以下の反射防止膜を、機能膜７７０Ｐに用いることができる。具体的には、誘電体を３層以上、好ましくは５層以上、より好ましくは１５層以上積層した積層膜を機能膜７７０Ｐに用いることができる。これにより、反射率を０．５％以下好ましくは０．０８％以下に抑制することができる。
例えば、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。
また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、汚れを付着しにくくする撥油性の膜、反射防止膜（アンチ・リフレクション膜）、非光沢処理膜（アンチ・グレア膜）、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、発生した傷が修復する自己修復性のフィルムなどを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図１２乃至図１４を参照しながら説明する。
図１２は、本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。
図１３は、本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する回路図である。図１３（Ａ）は、本発明の一態様の機能パネルに用いることができる増幅回路の一部を説明する回路図であり、図１３（Ｂ）は、本発明の一態様の機能パネルに用いることができるサンプリング回路の一部を説明する回路図である。
図１４は、本発明の一態様の機能パネルの動作を説明する図である。
＜機能パネル７００の構成例１＞
本実施の形態で説明する機能パネル７００は、領域２３１を有する（図１２参照）。
《領域２３１の構成例１》
領域２３１は、一群の画素７０３（ｉ，１）乃至画素７０３（ｉ，ｎ）および他の一群の画素７０３（１，ｊ）乃至画素７０３（ｍ，ｊ）を備える。また、領域２３１は、導電膜Ｇ１（ｉ）、導電膜ＴＸ（ｉ）、導電膜Ｓ１ｇ（ｊ）および導電膜ＷＸ（ｊ）を備える。
一群の画素７０３（ｉ，１）乃至画素７０３（ｉ，ｎ）は、行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に配設され、一群の画素７０３（ｉ，１）乃至画素７０３（ｉ，ｎ）は、画素７０３（ｉ，ｊ）を含む。
また、一群の画素７０３（ｉ，１）乃至画素７０３（ｉ，ｎ）は、導電膜Ｇ１（ｉ）と電気的に接続され、一群の画素７０３（ｉ，１）乃至画素７０３（ｉ，ｎ）は、導電膜ＴＸ（ｉ）と電気的に接続される。
他の一群の画素７０３（１，ｊ）乃至画素７０３（ｍ，ｊ）は、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設され、他の一群の画素７０３（１，ｊ）乃至画素７０３（ｍ，ｊ）は、画素７０３（ｉ，ｊ）を含む。
また、他の一群の画素７０３（１，ｊ）乃至画素７０３（ｍ，ｊ）は、導電膜Ｓ１ｇ（ｊ）と電気的に接続され、他の一群の画素７０３（１，ｊ）乃至画素７０３（ｍ，ｊ）は、導電膜ＷＸ（ｊ）と電気的に接続される。
これにより、複数の画素から撮像情報を取得することができる。または、複数の画素に画像情報を供給することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《領域２３１の構成例２》
領域２３１は、１インチあたり６００個以上の複数の画素を備える。なお、複数の画素は画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）を含む。
《領域２３１の構成例３》
領域２３１は、複数の画素を行列状に備える。例えば、領域２３１は、７６００個以上の画素を行方向に備え、領域２３１は４３００個以上の画素を列方向に備える。具体的には、７６８０個の画素を行方向に備え、４３２０個の画素を列方向に備える。
これにより、精細な画像を表示することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《領域２３１の構成例４》
領域２３１は、対角線の長さが１１４ｃｍ以上２００ｃｍ以下である。
これにより、臨場感のある画像を表示することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
また、図示しないが、領域２３１は、導電膜ＶＣＯＭ２および導電膜ＡＮＯを有する。
＜機能パネル７００の構成例２＞
本実施の形態で説明する機能パネルは、駆動回路ＧＤを有する（図１２参照）。
《駆動回路ＧＤの構成例１》
駆動回路ＧＤは第１の選択信号を供給する。
《画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）の構成例１》
画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）は、第１の選択信号を供給され、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）は、第１の選択信号に基づいて、画像信号を取得する。例えば、導電膜Ｇ１（ｉ）を用いて、第１の選択信号を供給することができる（図５（Ｂ）参照）。または、導電膜Ｓ１ｇ（ｊ）を用いて画像信号を供給することができる。なお、第１の選択信号を供給し、画像信号を画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）に取得させる動作を「書き込み」ということができる（図１４参照）。
発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）は画像信号に基づいて、発光する。
なお、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）と、導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続される電極５５２を備える（図６および図９（Ａ）参照）。
＜機能パネル７００の構成例３＞
本発明の一態様の機能パネルは、読み出し回路ＲＣ（ｊ）と、導電膜ＶＬＥＮと、導電膜ＶＩＶと、導電膜ＣＬと、を有する（図１２、図７、図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）参照）。
《読み出し回路ＲＣ（ｊ）の構成例》
読み出し回路ＲＣ（ｊ）は、増幅回路およびサンプリング回路ＳＣ（ｊ）を備える（図１２参照）。
《増幅回路の構成例》
増幅回路は、トランジスタＭ３２（ｊ）を含む（図１３（Ａ）参照）。
トランジスタＭ３２（ｊ）は、導電膜ＶＬＥＮと電気的に接続されるゲート電極と、導電膜ＷＸ（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、導電膜ＶＩＶと電気的に接続される第２の電極と、備える。
なお、スイッチＳＷ３３が導通状態のとき、導電膜ＷＸ（ｊ）は、トランジスタＭ３１およびトランジスタＭ３２（ｊ）を接続する（図７および図１３（Ａ）参照）。これにより、トランジスタＭ３１およびトランジスタＭ３２（ｊ）を用いて、ソースフォロワ回路を構成することができる。または、ノードＦＤの電位に基づいて、導電膜ＷＸ（ｊ）の電位を変化することができる。
《サンプリング回路ＳＣ（ｊ）の構成例》
サンプリング回路ＳＣ（ｊ）は、第１の端子ＩＮ（ｊ）、第２の端子および第３の端子ＯＵＴ（ｊ）を備える（図１３（Ｂ）参照）。
第１の端子ＩＮ（ｊ）は導電膜ＷＸ（ｊ）と電気的に接続され、第２の端子は導電膜ＣＬと電気的に接続され、第３の端子ＯＵＴ（ｊ）は第１の端子ＩＮ（ｊ）の電位に基づいて変化する信号を供給する機能を備える。
これにより、画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）から撮像信号を取得することができる。または、例えば、相関二重サンプリング法を適用することができる。または、サンプリング回路ＳＣ（ｊ）を導電膜ＷＸ（ｊ）ごとに設けることができる。または、画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）の差分信号を、導電膜ＷＸ（ｊ）ごとに取得することができる。または、サンプリング回路ＳＣ（ｊ）の動作周波数を抑制することができる。または、ノイズを低減することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
＜機能パネル７００の構成例４＞
機能パネル７００は、駆動回路ＲＤを有する（図１２参照）。
《駆動回路ＲＤの構成例１》
駆動回路ＲＤは、第２の選択信号および第３の選択信号を供給する。
《画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）の構成例１》
画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）は、第１の選択信号を供給されていない期間に、第２の選択信号および第３の選択信号を供給される（図１４参照）。また、画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）は、第２の選択信号に基づいて、撮像信号を取得し、第３の選択信号に基づいて、撮像信号を供給する。例えば、導電膜ＴＸ（ｉ）を用いて、第２の選択信号を供給し、導電膜ＳＥ（ｉ）を用いて、第３の選択信号を供給することができる（図７参照）。
なお、第２の選択信号を供給し、撮像信号を画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）に取得させる動作を「撮像」ということができる（図１４参照）。また、画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）から撮像信号を読み出す動作を「読み出し」ということができる。また、所定の電圧を光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）に供給する動作を「初期化」と、所定の期間、初期化後の光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）を光にさらす動作を「露光」と、露光にともない変化した電圧を画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）に反映する動作を「転送」ということができる。また、図中のＳＲＳは相関二重サンプリング法に用いる参照信号を供給する動作に、「出力」は撮像信号を供給する動作に相当する（図１４参照）。
例えば、１フレームの画像情報を、１６．７ｍｓで書き込むことができる。具体的には、６０Ｈｚのフレームレートで動作することができる。なお、画像信号を、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）に１５．２μｓで書き込むことができる。
例えば、１フレームの画像情報を、１６フレームに相当する期間、保持することができる。または、１フレームの撮像情報を、１６フレームに相当する期間で撮影および読み出すことができる。
具体的には、１５μｓで初期化し、１ｍｓ以上５ｍｓ以下で露光し、１５０μｓで転送することができる。または、２５０ｍｓで読み出すことができる。
なお、光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される電極５５１Ｓ（ｉ，ｊ）と、導電膜ＶＰＤと電気的に接続される電極５５２を備える（図７および図１０（Ａ）参照）。また、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）に用いる電極５５２を、光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、機能パネルの構成および作製工程を簡略化することができる。
これにより、第１の選択信号が供給されていない期間に撮像することができる。または、撮像時のノイズを抑制することができる。または、第１の選択信号が供給されていない期間に、撮像信号を読み取ることができる。または、読み取り時のノイズを抑制することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《画素７０３（ｉ，ｊ）の構成例４》
画素７０３（ｉ，ｊ）は、一の画像信号を保持している期間に、第２の選択信号を供給される。例えば、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）が一の画像信号を保持している期間に、画素７０３（ｉ，ｊ）は、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）を用いて、当該画像信号に基づいて、光を射出することができる（図１４参照）。または、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）が、第１の選択信号に基づいて、一の画像信号を取得したのちに、再び第１の選択信号を供給されるまでの間に、画素回路５３０Ｓ（ｉ，ｊ）は第２の選択信号を供給される。
これにより、画像信号を用いて、発光素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）が射出する光の強度を制御することができる。または、強度が制御された光を、被写体に照射することができる。または、光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）を用いて、被写体を撮像することができる。または、照射する光の強度を制御しながら、光電変換素子ＰＤ（ｉ，ｊ）を用いて、被写体を撮像することができる。または、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）が保持する信号の、一の画像信号から他の画像信号への変化がもたらす、撮像信号への影響をなくすことができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
＜機能パネル７００の構成例５＞
また、本発明の一態様の機能パネル７００は、マルチプレクサＭＵＸと、増幅回路ＡＭＰと、アナログデジタル変換回路ＡＤＣと、を有する（図１２参照）。
《マルチプレクサＭＵＸの構成例》
マルチプレクサＭＵＸは、複数のサンプリング回路ＳＣ（ｊ）から一つを選んで撮像信号を取得し、例えば増幅回路ＡＭＰに供給する機能を備える。
例えば、マルチプレクサＭＵＸは、サンプリング回路ＳＣ（ｊ）の第３の端子ＯＵＴ（ｊ）と電気的に接続される（図１３（Ｂ）参照）。具体的には、マルチプレクサＭＵＸは、複数のサンプリング回路ＳＣ（ｊ）と電気的に接続され、所定のサンプリング回路から撮像信号を取得し、増幅回路ＡＭＰに供給することができる。
これにより、行方向に配設される複数の画素から所定の画素を選択して撮像情報を取得することができる。または、同時に取得する撮像信号の数を所定の数に抑制することができる。または、入力チャンネル数が、行方向に配設される画素の数より少ないアナログデジタル変換回路ＡＤＣを用いることができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《増幅回路ＡＭＰの構成例》
増幅回路ＡＭＰは撮像信号を増幅し、アナログデジタル変換回路ＡＤＣに供給することができる。
なお、機能層５２０はマルチプレクサＭＵＸおよび増幅回路ＡＭＰを備える。
これにより、例えば、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）に用いる半導体膜を形成する工程において、マルチプレクサＭＵＸおよび増幅回路ＡＭＰに用いる半導体膜を形成することができる。または、機能パネルの作製工程を簡略化することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《アナログデジタル変換回路ＡＤＣの構成例》
アナログデジタル変換回路ＡＤＣは、アナログの撮像信号をデジタル信号に変換する機能を備える。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図１５を参照しながら説明する。
図１５は本発明の一態様の表示装置の構成を説明する図である。図１５（Ａ）は本発明の一態様の表示装置のブロック図であり、図１５（Ｂ）乃至図１５（Ｄ）は本発明の一態様の表示装置の外観を説明する投影図である。
＜表示装置の構成例＞
本実施の形態で説明する表示装置は、機能パネル７００と、制御部２３８と、を有する（図１５（Ａ）参照）。
《制御部２３８の構成例１》
制御部２３８は、画像情報ＶＩおよび制御情報ＣＩを供給される。例えば、クロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。
制御部２３８は画像情報ＶＩに基づいて情報を生成し、制御情報ＣＩに基づいて制御信号を生成する。また、制御部２３８は情報および制御信号を供給する。
例えば、情報は、８ｂｉｔ以上好ましくは１２ｂｉｔ以上の階調を含む。また、例えば、駆動回路に用いるシフトレジスタのクロック信号またはスタートパルスなどを、制御信号に用いることができる。
《制御部２３８の構成例２》
例えば、伸張回路２３４および画像処理回路２３５を制御部２３８に用いることができる。
《伸張回路２３４》
伸張回路２３４は、圧縮された状態で供給される画像情報ＶＩを伸張する機能を備える。伸張回路２３４は、記憶部を備える。記憶部は、例えば伸張された画像情報を記憶する機能を備える。
《画像処理回路２３５》
画像処理回路２３５は、例えば、記憶領域を備える。記憶領域は、例えば、画像情報ＶＩに含まれる情報を記憶する機能を備える。
画像処理回路２３５は、例えば、所定の特性曲線に基づいて画像情報ＶＩを補正して情報を生成する機能と、情報を供給する機能を備える。
《機能パネルの構成例１》
機能パネル７００は情報および制御信号を供給される。例えば、実施の形態１乃至実施の形態５において説明する機能パネル７００を用いることができる。
《画素７０３（ｉ，ｊ）の構成例５》
画素７０３（ｉ，ｊ）は、情報に基づいて表示する。
これにより、表示素子を用いて画像情報を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、例えば、スマートウォッチ（図１５（Ｂ）参照）、映像モニター（図１５（Ｃ）参照）またはノートブックコンピュータ（図１５（Ｄ）参照）などを提供することができる。
《機能パネルの構成例２》
例えば、機能パネル７００は駆動回路および制御回路を備える（図１５（Ａ）参照）。
《駆動回路》
駆動回路は制御信号に基づいて動作する。制御信号を用いることにより、複数の駆動回路の動作を同期することができる。
例えば、駆動回路ＧＤを機能パネル７００に用いることができる。駆動回路ＧＤは、制御信号を供給され、第１の選択信号を供給する機能を備える。
また、例えば、駆動回路ＳＤを機能パネル７００に用いることができる。駆動回路ＳＤは、制御信号および情報を供給され、画像信号を供給することができる。
また、例えば、駆動回路ＲＤを機能パネル７００に用いることができる。駆動回路ＲＤは制御信号を供給され、第２の選択信号を供給することができる。
また、例えば、読み出し回路ＲＣを機能パネル７００に用いることができる。読み出し回路ＲＣは制御信号を供給され、例えば、相関二重サンプリング法を用いて、撮像信号を読み出すことができる。
《制御回路》
制御回路２３３および制御回路２４３は制御信号を生成し、供給する機能を備える。例えば、クロック信号またはタイミング信号などを制御信号に用いることができる。
具体的には、リジッド基板上に形成された制御回路を機能パネルに用いることができる。または、リジッド基板上に形成された制御回路を、フレキシブルプリント基板を用いて制御部２３８と電気的に接続することができる。
《制御回路２３３》
例えば、タイミングコントローラを制御回路２３３に用いることができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図１６を参照しながら説明する。
図１６は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明するブロック図である。
＜入出力装置の構成例１＞
本実施の形態で説明する入出力装置は、入力部２４０と、表示部２３０と、を有する（図１６参照）。
《表示部２３０の構成例》
表示部２３０は、機能パネルを備える。例えば、実施の形態１乃至実施の形態５において説明する機能パネル７００を表示部２３０に用いることができる。なお、入力部２４０および表示部２３０を有する構成を入出力パネル７００ＴＰということができる。
《入力部２４０の構成例》
入力部２４０は検知領域２４１を備える。入力部２４０は検知領域２４１に近接するものを検知する機能を備える。
また、検知領域２４１は、画素７０３（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
これにより、表示部を用いて画像情報を表示しながら、表示部と重なる領域に近接するものを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付けることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
《検知領域２４１の構成例１》
検知領域２４１は、例えば、単数または複数の検知器を備える。
検知領域２４１は、一群の検知器８０２（ｇ，１）乃至検知器８０２（ｇ，ｑ）と、他の一群の検知器８０２（１，ｈ）乃至検知器８０２（ｐ，ｈ）と、を有する。なお、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐおよびｑは１以上の整数である。
一群の検知器８０２（ｇ，１）乃至検知器８０２（ｇ，ｑ）は、検知器８０２（ｇ，ｈ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される。なお、矢印Ｒ２で示す方向は、矢印Ｒ１で示す方向と同じであっても良いし、異なっていてもよい。
また、他の一群の検知器８０２（１，ｈ）乃至検知器８０２（ｐ，ｈ）は、検知器８０２（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設される。
《検知器》
検知器は近接するポインタを検知する機能を備える。例えば、指やスタイラスペン等をポインタに用いることができる。例えば、金属片またはコイル等を、スタイラスペンに用いることができる。
具体的には、静電容量方式の近接センサ、電磁誘導方式の近接センサ、光学方式の近接センサ、抵抗膜方式の近接センサなどを、検知器に用いることができる。
また、複数の方式の検知器を併用することもできる。例えば、指を検知する検知器と、スタイラスペンを検知する検知器とを、併用することができる。
これにより、ポインタの種類を判別することができる。または、判別したポインタの種類に基づいて、異なる命令を検知情報に関連付けることができる。具体的には、ポインタに指を用いたと判別した場合は、検知情報をジェスチャーと関連付けることができる。または、ポインタにスタイラスペンを用いたと判別した場合は、検知情報を描画処理と関連付けることができる。
具体的には、静電容量方式、感圧方式または光学方式の近接センサを用いて、指を検知することができる。または、電磁誘導方式または光学方式の近接センサを用いて、スタイラスペンを検知することができる。
《入力部２４０の構成例２》
入力部２４０は発振回路ＯＳＣおよび検知回路ＤＣを備える（図１６参照）。
発振回路ＯＳＣは探索信号を検知器８０２（ｇ，ｈ）に供給する。例えば、矩形波、のこぎり波、三角波、サイン波等を、探索信号に用いることができる。
検知器８０２（ｇ，ｈ）は、検知器８０２（ｇ，ｈ）に近接するポインタまでの距離および探索信号に基づいて変化する検知信号を生成し供給する。
検知回路ＤＣは検知信号に基づいて入力情報を供給する。
これにより、近接するポインタから検知領域２４１までの距離を検知することができる。または、検知領域２４１内においてポインタが最も近接する位置を検知することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１７乃至図１９を参照しながら説明する。
図１７（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明するブロック図である。図１７（Ｂ）および図１７（Ｃ）は、情報処理装置の外観の一例を説明する投影図である。
図１８は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図１８（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムの主の処理を説明するフローチャートであり、図１８（Ｂ）は、割り込み処理を説明するフローチャートである。
図１９は、本発明の一態様のプログラムを説明する図である。図１９（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムの割り込み処理を説明するフローチャートである。また、図１９（Ｂ）は、本発明の一態様の情報処理装置の操作を説明する模式図であり、図１９（Ｃ）は、本発明の一態様の情報処理装置の動作を説明するタイミングチャートである。
＜情報処理装置の構成例１＞
本実施の形態で説明する情報処理装置は、演算装置２１０と、入出力装置２２０と、を有する（図１７（Ａ）参照）。なお、入出力装置２２０は、演算装置２１０と電気的に接続される。また、情報処理装置２００は筐体を備えることができる（図１７（Ｂ）および図１７（Ｃ）参照）。
《演算装置２１０の構成例１》
演算装置２１０は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳを供給される。演算装置２１０は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳに基づいて、制御情報ＣＩおよび画像情報ＶＩを生成し、制御情報ＣＩおよび画像情報ＶＩを供給する。
演算装置２１０は、演算部２１１および記憶部２１２を備える。また、演算装置２１０は、伝送路２１４および入出力インターフェース２１５を備える。
伝送路２１４は、演算部２１１、記憶部２１２、および入出力インターフェース２１５と電気的に接続される。
《演算部２１１》
演算部２１１は、例えばプログラムを実行する機能を備える。
《記憶部２１２》
記憶部２１２は、例えば演算部２１１が実行するプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。
具体的には、ハードディスク、フラッシュメモリまたは酸化物半導体を含むトランジスタを用いたメモリ等を用いることができる。
《入出力インターフェース２１５、伝送路２１４》
入出力インターフェース２１５は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、伝送路２１４と電気的に接続することができる。また、入出力装置２２０と電気的に接続することができる。
伝送路２１４は配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。また、演算部２１１、記憶部２１２または入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。
《入出力装置２２０の構成例》
入出力装置２２０は、入力情報ＩＩおよび検知情報ＤＳを供給する。入出力装置２２０は、制御情報ＣＩおよび画像情報ＶＩを供給される（図１７（Ａ）参照）。
例えば、キーボードのスキャンコード、位置情報、ボタンの操作情報、音声情報または画像情報等を入力情報ＩＩに用いることができる。または、例えば、情報処理装置２００が使用される環境等の照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報または湿度情報等を検知情報ＤＳに用いることができる。
例えば、画像情報ＶＩを表示する輝度を制御する信号、彩度を制御する信号、色相を制御する信号を、制御情報ＣＩに用いることができる。または、画像情報ＶＩの一部の表示を変化する信号を、制御情報ＣＩに用いることができる。
入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０および検知部２５０を備える。例えば、実施の形態７において説明する入出力装置を入出力装置２２０に用いることができる。また、入出力装置２２０は通信部２９０を備えることができる。
《表示部２３０の構成例》
表示部２３０は制御情報ＣＩに基づいて、画像情報ＶＩを表示する。
表示部２３０は、制御部２３８と、駆動回路ＧＤと、駆動回路ＳＤと、機能パネル７００と、を有する（図１５（Ａ）参照）。例えば、実施の形態６において説明する表示装置を表示部２３０に用いることができる。
《入力部２４０の構成例》
入力部２４０は入力情報ＩＩを生成する。例えば、入力部２４０は、位置情報Ｐ１を供給する機能を備える。
例えば、ヒューマンインターフェイス等を入力部２４０に用いることができる（図１７（Ａ）参照）。具体的には、キーボード、マウス、タッチセンサ、マイクまたはカメラ等を入力部２４０に用いることができる。
また、表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを用いることができる。なお、表示部２３０と表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを備える入出力装置を、タッチパネルまたはタッチスクリーンということができる。
例えば、使用者は、タッチパネルに触れた指をポインタに用いて様々なジェスチャー（タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。
例えば、演算装置２１０は、タッチパネルに接触する指の位置または軌跡等の情報を解析し、解析結果が所定の条件を満たすとき、所定のジェスチャーが供給されたとすることができる。これにより、使用者は、所定のジェスチャーにあらかじめ関連付けられた所定の操作命令を、当該ジェスチャーを用いて供給できる。
一例を挙げれば、使用者は、画像情報の表示位置を変更する「スクロール命令」を、タッチパネルに沿ってタッチパネルに接触する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる。
また、使用者は、領域２３１の端部にナビゲーションパネルＮＰを引き出して表示する「ドラッグ命令」を、領域２３１の端部に接する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる（図１７（Ｃ）参照）。また、使用者は、ナビゲーションパネルＮＰにインデックス画像ＩＮＤ、他のページの一部または他のページのサムネイル画像ＴＮを、所定の順番でパラパラ表示する「リーフスルー命令」を、指を強く押し付ける位置を移動するジェスチャーを用いて供給できる。または、指を押し付ける圧力を用いて供給できる。これにより、紙の書籍のページをパラパラめくるように、電子書籍のページをめくることができる。または、サムネイル画像ＴＮまたはインデックス画像ＩＮＤを頼りに、所定のページを探すことができる。
《検知部２５０の構成例》
検知部２５０は検知情報ＤＳを生成する。例えば、検知部２５０は、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を備える。
検知部２５０は、周囲の状態を検知して検知情報を供給する機能を備える。具体的には、照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報または湿度情報等を供給できる。
例えば、光検出器、姿勢検出器、加速度センサ、方位センサ、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）信号受信回路、感圧スイッチ、圧力センサ、温度センサ、湿度センサまたはカメラ等を、検知部２５０に用いることができる。
《通信部２９０》
通信部２９０は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を備える。
《筐体》
なお、筐体は入出力装置２２０または演算装置２１０を収納する機能を備える。または、筐体は表示部２３０または演算装置２１０を支持する機能を備える。
これにより、入力情報または検知情報に基づいて、制御情報を生成することができる。または、入力情報または検知情報に基づいて、画像情報を表示することができる。または、情報処理装置は、情報処理装置が使用される環境において、情報処理装置の筐体が受ける光の強さを把握して動作することができる。または、情報処理装置の使用者は、表示方法を選択することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。例えばタッチセンサが機能パネルに重ねられたタッチパネルは、表示部であるとともに入力部でもある。
《演算装置２１０の構成例２》
演算装置２１０は人工知能部２１３を備える（図１７（Ａ）参照）。
人工知能部２１３は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳを供給され、人工知能部２１３は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳに基づいて、制御情報ＣＩを推論する。また、人工知能部２１３は制御情報ＣＩを供給する。
これにより、好適であると感じられるように表示する制御情報ＣＩを生成することができる。または、好適であると感じられるように表示することができる。または、快適であると感じられるように表示する制御情報ＣＩを生成することができる。または、快適であると感じられるように表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
［入力情報ＩＩに対する自然言語処理］
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを自然言語処理して、入力情報ＩＩ全体から１つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は、入力情報ＩＩに込められた感情等を推論し特徴にすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的に感じられる色彩、模様または書体等を推論することができる。また、人工知能部２１３は、文字の色、模様または書体を指定する情報、背景の色または模様を指定する情報を生成し、制御情報ＣＩに用いることができる。
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを自然言語処理して、入力情報ＩＩに含まれる一部の言葉を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は文法的な誤り、事実誤認または感情を含む表現等を抽出することができる。また、人工知能部２１３は、抽出した一部を他の一部とは異なる色彩、模様または書体等で表示する制御情報ＣＩを生成し、用いることができる。
［入力情報ＩＩに対する画像処理］
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを画像処理して、入力情報ＩＩから１つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は、入力情報ＩＩが撮影された年代、屋内または屋外、昼または夜等を推論し特徴にすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的に感じられる色調を推論し、当該色調を表示に用いるための制御情報ＣＩを生成することができる。具体的には、濃淡の表現に用いる色（例えば、フルカラー、白黒または茶褐色等）を指定する情報を制御情報ＣＩに用いることができる。
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを画像処理して、入力情報ＩＩに含まれる一部の画像を抽出することができる。例えば、抽出した画像の一部と他の一部の間に境界を表示する制御情報ＣＩを生成することができる。具体的には、抽出した画像の一部を囲む矩形を表示する制御情報ＣＩを生成することができる。
［検知情報ＤＳを用いる推論］
具体的には、人工知能部２１３は検知情報ＤＳを用いて、推論を生成することができる。または、推論に基づいて、情報処理装置２００の使用者が快適であると感じられるように制御情報ＣＩを生成することができる。
具体的には、環境の照度等に基づいて、人工知能部２１３は、表示の明るさが快適であると感じられるように、表示の明るさを調整する制御情報ＣＩを生成することができる。または、人工知能部２１３は環境の騒音等に基づいて大きさが快適であると感じられるように、音量を調整する制御情報ＣＩを生成することができる。
なお、表示部２３０が備える制御部２３８に供給するクロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。または、入力部２４０が備える制御部に供給するクロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。
＜情報処理装置の構成例２＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図１８（Ａ）および図１８（Ｂ）を参照しながら説明する。
《プログラム》
本発明の一態様のプログラムは、下記のステップを有する（図１８（Ａ）参照）。
［第１のステップ］
第１のステップにおいて、設定を初期化する（図１８（Ａ）（Ｓ１）参照）。
例えば、起動時に表示する所定の画像情報と、当該画像情報を表示する所定のモードと、当該画像情報を表示する所定の表示方法を特定する情報と、を記憶部２１２から取得する。具体的には、一の静止画像情報または他の動画像情報を所定の画像情報に用いることができる。また、第１のモードまたは第２のモードを所定のモードに用いることができる。
［第２のステップ］
第２のステップにおいて、割り込み処理を許可する（図１８（Ａ）（Ｓ２）参照）。なお、割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことができる。割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果を主の処理に反映することができる。
なお、カウンタの値が初期値であるとき、演算装置に割り込み処理をさせ、割り込み処理から復帰する際に、カウンタを初期値以外の値としてもよい。これにより、プログラムを起動した後に常に割り込み処理をさせることができる。
［第３のステップ］
第３のステップにおいて、第１のステップまたは割り込み処理において選択された、所定のモードまたは所定の表示方法を用いて画像情報を表示する（図１８（Ａ）（Ｓ３）参照）。なお、所定のモードは画像情報を表示するモードを特定し、所定の表示方法は画像情報を表示する方法を特定する。また、例えば、画像情報ＶＩを表示する情報に用いることができる。
例えば、画像情報ＶＩを表示する一の方法を、第１のモードに関連付けることができる。または、画像情報ＶＩを表示する他の方法を第２のモードに関連付けることができる。これにより、選択されたモードに基づいて表示方法を選択することができる。
《第１のモード》
具体的には、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第１のモードに関連付けることができる。
例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で選択信号を供給すると、動画像の動きを滑らかに表示することができる。
例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で画像を更新すると、使用者の操作に滑らかに追従するように変化する画像を、使用者が操作中の情報処理装置２００に表示することができる。
《第２のモード》
具体的には、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは１分に１回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第２のモードに関連付けることができる。
３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは１分に１回未満の頻度で選択信号を供給すると、フリッカーまたはちらつきが抑制された表示をすることができる。また、消費電力を低減することができる。
例えば、情報処理装置２００を時計に用いる場合、１秒に１回の頻度または１分に１回の頻度等で表示を更新することができる。
ところで、例えば、発光素子を表示素子に用いる場合、発光素子をパルス状に発光させて、画像情報を表示することができる。具体的には、パルス状に有機ＥＬ素子を発光させて、その残光を表示に用いることができる。有機ＥＬ素子は優れた周波数特性を備えるため、発光素子を駆動する時間を短縮し、消費電力を低減することができる場合がある。または、発熱が抑制されるため、発光素子の劣化を軽減することができる場合がある。
［第４のステップ］
第４のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第５のステップに進み、終了命令が供給されなかった場合は第３のステップに進むように選択する（図１８（Ａ）（Ｓ４）参照）。
例えば、割り込み処理において供給された終了命令を判断に用いてもよい。
［第５のステップ］
第５のステップにおいて、終了する（図１８（Ａ）（Ｓ５）参照）。
《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図１８（Ｂ）参照）。
［第６のステップ］
第６のステップにおいて、例えば、検知部２５０を用いて、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する（図１８（Ｂ）（Ｓ６）参照）。なお、環境の照度に代えて環境光の色温度や色度を検出してもよい。
［第７のステップ］
第７のステップにおいて、検出した照度情報に基づいて表示方法を決定する（図１８（Ｂ）（Ｓ７）参照）。例えば、表示の明るさを暗すぎないように、または明るすぎないように決定する。
なお、第６のステップにおいて環境光の色温度や環境光の色度を検出した場合は、表示の色味を調節してもよい。
［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図１８（Ｂ）（Ｓ８）参照）。
＜情報処理装置の構成例３＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図１９を参照しながら説明する。
図１９（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図１９（Ａ）は、図１８（Ｂ）に示す割り込み処理とは異なる割り込み処理を説明するフローチャートである。
なお、情報処理装置の構成例３は、供給された所定のイベントに基づいて、モードを変更するステップを割り込み処理に有する点が、図１８（Ｂ）を参照しながら説明する割り込み処理とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。
《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図１９（Ａ）参照）。
［第６のステップ］
第６のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第７のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第８のステップに進む（図１９（Ａ）（Ｕ６）参照）。例えば、所定の期間に所定のイベントが供給されたか否かを条件に用いることができる。具体的には、５秒以下、１秒以下または０．５秒以下好ましくは０．１秒以下であって０秒より長い期間を所定の期間とすることができる。
［第７のステップ］
第７のステップにおいて、モードを変更する（図１９（Ａ）（Ｕ７）参照）。具体的には、第１のモードを選択していた場合は、第２のモードを選択し、第２のモードを選択していた場合は、第１のモードを選択する。
例えば、表示部２３０の一部の領域について、表示モードを変更することができる。具体的には、駆動回路ＧＤＡ、駆動回路ＧＤＢおよび駆動回路ＧＤＣを備える表示部２３０の一の駆動回路が選択信号を供給する領域について、表示モードを変更することができる（図１９（Ｂ）参照）。
例えば、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域と重なる領域にある入力部２４０に、所定のイベントが供給された場合に、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域の表示モードを変更することができる（図１９（Ｂ）および図１９（Ｃ）参照）。具体的には、指等を用いてタッチパネルに供給する「タップ」イベントに応じて、駆動回路ＧＤＢが供給する選択信号の頻度を変更することができる。
なお、信号ＧＣＬＫは駆動回路ＧＤＢの動作を制御するクロック信号であり、信号ＰＷＣ１および信号ＰＷＣ２は駆動回路ＧＤＢの動作を制御するパルス幅制御信号である。駆動回路ＧＤＢは、信号ＧＣＬＫ、信号ＰＷＣ１および信号ＰＷＣ２等に基づいて、選択信号を導電膜Ｇ２（ｍ＋１）乃至導電膜Ｇ２（２ｍ）に供給する。
これにより、例えば、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＣが選択信号を供給することなく、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給することができる。または、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＣが選択信号を供給する領域の表示を変えることなく、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域の表示を更新することができる。または、駆動回路が消費する電力を抑制することができる。
［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図１９（Ａ）（Ｕ８）参照）。なお、主の処理を実行している期間に割り込み処理を繰り返し実行してもよい。
《所定のイベント》
例えば、マウス等のポインティング装置を用いて供給する、「クリック」や「ドラッグ」等のイベント、指等をポインタに用いてタッチパネルに供給する、「タップ」、「ドラッグ」または「スワイプ」等のイベントを用いることができる。
また、例えば、ポインタが指し示すスライドバーの位置、スワイプの速度、ドラッグの速度等を用いて、所定のイベントに関連付けられた命令の引数を与えることができる。
例えば、検知部２５０が検知した情報をあらかじめ設定された閾値と比較して、比較結果をイベントに用いることができる。
具体的には、筐体に押し込むことができるように配設されたボタン等に接する感圧検知器等を検知部２５０に用いることができる。
《所定のイベントに関連付ける命令》
例えば、終了命令を、所定のイベントに関連付けることができる。
例えば、表示されている一の画像情報から他の画像情報に表示を切り替える「ページめくり命令」を、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「ページめくり命令」を実行する際に用いるページをめくる速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。
例えば、一の画像情報の表示されている一部分の表示位置を移動して、一部分に連続する他の部分を表示する「スクロール命令」などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「スクロール命令」を実行する際に用いる表示位置を移動する速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。
例えば、表示方法を設定する命令または画像情報を生成する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、生成する画像の明るさを決定する引数を所定のイベントに関連付けることができる。また、生成する画像の明るさを決定する引数を、検知部２５０が検知する環境の明るさに基づいて決定してもよい。
例えば、プッシュ型のサービスを用いて配信される情報を、通信部２９０を用いて取得する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。
なお、情報を取得する資格の有無を、検知部２５０が検知する位置情報を用いて判断してもよい。具体的には、所定の教室、学校、会議室、企業、建物等の内部または領域にいる場合に、情報を取得する資格を有すると判断してもよい。これにより、例えば、学校または大学等の教室で配信される教材を受信して、情報処理装置２００を教科書等に用いることができる（図１７（Ｃ）参照）。または、企業等の会議室で配信される資料を受信して、会議資料に用いることができる。
＜情報処理装置の構成例４＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図２０を参照しながら説明する。
図２０（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図２０（Ａ）は、図１８（Ｂ）に示す割り込み処理とは異なる割り込み処理を説明するフローチャートである。図２０（Ｂ）は、図２０（Ａ）に示すプログラムの動作を説明する模式図であり、図２０（Ｃ）は、撮影した指紋の模式図である。
なお、図２０（Ａ）を参照しながら説明する情報処理装置の構成例４は、図１８（Ｂ）を参照しながら説明する構成例とは、割り込み処理が異なる。具体的には、供給された所定のイベントに基づいて、領域を特定するステップ、画像を生成するステップ、画像を表示するステップ、撮像するステップを、割り込み処理が有する。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。
《割り込み処理》
割り込み処理は、第６のステップ乃至第１１のステップを備える（図２０（Ａ）参照）。
［第６のステップ］
第６のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第７のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第１１のステップに進む（図２０（Ａ）（Ｖ６）参照）。
例えば、検知部２５０を用いて、所定のイベントを供給することができる。具体的には、情報処理装置を持ち上げる等の運動を所定のイベントに用いることができる。例えば、角加速度センサまたは加速度センサを用いて、情報処理装置の運動を検知することができる。または、タッチセンサを用いて、指などの被写体の接触または近接を検知することができる。
［第７のステップ］
第７のステップにおいて、第１の領域ＳＨを特定する（図２０（Ａ）（Ｖ７）参照）。
例えば、本発明の一態様の入出力装置２２０に、指などの被写体が接触または近接した領域を、第１の領域ＳＨにすることができる。または、使用者等があらかじめ設定した領域を第１の領域ＳＨに用いることができる。
具体的には、本発明の一態様の機能パネルに接触または近接する指ＴＨＭなどを、画素７０３（ｉ，ｊ）を用いて撮影し、画像処理をして、第１の領域ＳＨを特定することができる（図２０（Ｂ）参照）。
例えば、指ＴＨＭなどの被写体の接触または近接により、外光が遮られて生じた陰を、本発明の一態様の機能パネルの画素７０３（ｉ，ｊ）を用いて撮影し、画像処理をして、第１の領域ＳＨを特定することができる。
または、本発明の一態様の機能パネルの画素７０３（ｉ，ｊ）を用いて、接触または近接する指ＴＨＭなどの被写体に光を照射し、当該被写体が反射する光を、画素７０３（ｉ，ｊ）を用いて撮影し、画像処理をして、第１の領域ＳＨを特定することができる。
または、タッチセンサを用いて、指ＴＨＭなどの被写体が触れた領域を第１の領域ＳＨに特定することができる。
［第８のステップ］
第８のステップにおいて、第１の領域ＳＨに基づいて、第２の領域および第３の領域を含む画像ＦＩを生成する（図２０（Ａ）（Ｖ８）および図２０（Ｂ）参照）。例えば、第１の領域ＳＨの形状を第２の領域の形状に用い、第１の領域ＳＨを除く領域を、第３の領域に用いる。
［第９のステップ］
第９のステップにおいて、第２の領域が第１の領域ＳＨに重なるように、画像ＦＩを表示する（図２０（Ａ）（Ｖ９）および図２０（Ｂ）参照）。
例えば、画像ＦＩから画像信号を生成し、領域２３１に供給し、画素７０３（ｉ，ｊ）から光を射出する。または、第１の選択信号を導電膜Ｇ１（ｉ）に供給している期間に、生成した画像信号を導電膜Ｓ１ｇ（ｊ）に供給し、画素７０３（ｉ，ｊ）に画像信号を書き込むことができる。または、生成した画像信号を導電膜Ｓ１ｇ（ｊ）および導電膜Ｓ２ｇ（ｊ）に供給し、画素７０３（ｉ，ｊ）に強調された画像信号を書き込むことができる。または、強調された画像信号を用いて、輝度を高めて表示することができる。
これにより、指などの被写体が触れた領域２３１または近接した第１の領域ＳＨに重ねて、画像ＦＩを表示することができる。または、指などの被写体が触れた領域に、画素７０３（ｉ，ｊ）を用いて光を照射することができる。または、接触または近接する指ＴＨＭなどの被写体に照明を当てることができる。または、使用者等があらかじめ設定した領域に、指などの被写体を接触または近接するように、促すことができる。
［第１０のステップ］
第１０のステップにおいて、画像ＦＩを表示しながら、第１の領域ＳＨに接触または近接する被写体を撮像する（図２０（Ａ）（Ｖ１０）および図２０（Ｂ）参照）。
例えば、領域２３１に近接する指ＴＨＭなどに光を照射しながら、当該指などを撮影する。具体的には、領域２３１に接する指ＴＨＭの指紋ＦＰを撮影することができる（図２０（Ｃ）参照）。
例えば、画素７０３（ｉ，ｊ）に画像を表示した状態で、第１の選択信号の供給を停止することができる。例えば、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）に対する第１の選択信号の供給を停止した状態で、画素７０３（ｉ，ｊ）を用いて撮像することができる。
これにより、接触または近接する指などの被写体を、照明しながら撮像することができる。または、第１の選択信号が供給されていない期間に撮像することができる。または、撮像時のノイズを抑制することができる。または、指紋の鮮明な画像を取得することができる。または、使用者の認証に用いることができる画像を取得することができる。または、領域２３１のどこであっても、領域２３１に触れる指の指紋を、鮮明に撮影することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
［第１１のステップ］
第１１のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図２０（Ａ）（Ｖ１１）参照）。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図２１乃至図２３を参照しながら説明する。
図２１乃至図２３は、本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明する図である。図２１（Ａ）は情報処理装置のブロック図であり、図２１（Ｂ）乃至図２１（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。また、図２２（Ａ）乃至図２２（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。また、図２３（Ａ）および図２３（Ｂ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。
＜情報処理装置＞
本実施の形態で説明する情報処理装置５２００Ｂは、演算装置５２１０と、入出力装置５２２０と、を有する（図２１（Ａ）参照）。
演算装置５２１０は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を供給する機能を備える。
入出力装置５２２０は、表示部５２３０、入力部５２４０、検知部５２５０、通信部５２９０、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。また、入出力装置５２２０は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供給される機能を備える。
入力部５２４０は操作情報を供給する機能を備える。例えば、入力部５２４０は、情報処理装置５２００Ｂの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。
具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置などを、入力部５２４０に用いることができる。
表示部５２３０は機能パネルおよび画像情報を表示する機能を備える。例えば、実施の形態１乃至実施の形態５において説明する機能パネルを表示部５２３０に用いることができる。
検知部５２５０は検知情報を供給する機能を備える。例えば、情報処理装置が使用されている周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。
具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知部５２５０に用いることができる。
通信部５２９０は通信情報を供給される機能および供給する機能を備える。例えば、無線通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。
《情報処理装置の構成例１》
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部５２３０に適用することができる（図２１（Ｂ）参照）。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または、デジタル・サイネージ等に用いることができる。
《情報処理装置の構成例２》
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える（図２１（Ｃ）参照）。具体的には、対角線の長さが２０インチ以上、好ましくは４０インチ以上、より好ましくは５５インチ以上の機能パネルを用いることができる。または、複数の機能パネルを並べて１つの表示領域に用いることができる。または、複数の機能パネルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電子掲示板、電子看板等に用いることができる。
《情報処理装置の構成例３》
他の装置から情報を受信して、表示部５２３０に表示することができる（図２１（Ｄ）参照）。または、いくつかの選択肢を表示できる。または、使用者は選択肢からいくつかを選択し、当該情報の送信元に返信できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートウオッチに表示することができる。
《情報処理装置の構成例４》
表示部５２３０は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える（図２１（Ｅ）参照）。または、表示部５２３０は機能パネルを備え、機能パネルは、例えば、前面、側面、上面および背面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけでなく、側面、上面および背面に情報を表示することができる。
《情報処理装置の構成例５》
例えば、インターネットから情報を受信して、表示部５２３０に表示することができる（図２２（Ａ）参照）。または、作成したメッセージを表示部５２３０で確認することができる。または、作成したメッセージを他の装置に送信できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォンに表示することができる。
《情報処理装置の構成例６》
リモートコントローラーを入力部５２４０に用いることができる（図２２（Ｂ）参照）。または、例えば、放送局またはインターネットから情報を受信して、表示部５２３０に表示することができる。または、検知部５２５０を用いて使用者を撮影できる。または、使用者の映像を送信できる。または、使用者の視聴履歴を取得して、クラウド・サービスに提供できる。または、クラウド・サービスから、レコメンド情報を取得して、表示部５２３０に表示できる。または、レコメンド情報に基づいて、番組または動画を表示できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるように、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。
《情報処理装置の構成例７》
例えば、インターネットから教材を受信して、表示部５２３０に表示することができる（図２２（Ｃ）参照）。または、入力部５２４０を用いて、レポートを入力し、インターネットに送信することができる。または、クラウド・サービスから、レポートの添削結果または評価を取得して、表示部５２３０に表示できる。または、評価に基づいて、好適な教材を選択し、表示できる。
例えば、他の情報処理装置から画像信号を受信して、表示部５２３０に表示することができる。または、スタンドなどに立てかけて、表示部５２３０をサブディスプレイに用いることができる。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。
《情報処理装置の構成例８》
情報処理装置は、例えば、複数の表示部５２３０を備える（図２２（Ｄ）参照）。例えば、検知部５２５０で撮影しながら表示部５２３０に表示することができる。または、撮影した映像を検知部に表示することができる。または、入力部５２４０を用いて、撮影した映像に装飾を施せる。または、撮影した映像にメッセージを添付できる。または、インターネットに送信できる。または、使用環境の照度に応じて、撮影条件を変更する機能を備える。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。
《情報処理装置の構成例９》
例えば、他の情報処理装置をスレイブに用い、本実施の形態の情報処理装置をマスターに用いて、他の情報処理装置を制御することができる（図２２（Ｅ）参照）。または、例えば、画像情報の一部を表示部５２３０に表示し、画像情報の他の一部を他の情報処理装置の表示部に表示することができる。他の情報処理装置に画像信号を供給することができる。または、通信部５２９０を用いて、他の情報処理装置の入力部から書き込む情報を取得できる。これにより、例えば、携帯可能なパーソナルコンピュータを用いて、広い表示領域を利用することができる。
《情報処理装置の構成例１０》
情報処理装置は、例えば、加速度または方位を検知する検知部５２５０を備える（図２３（Ａ）参照）。または、検知部５２５０は、使用者の位置または使用者が向いている方向に係る情報を供給することができる。または、情報処理装置は、使用者の位置または使用者が向いている方向に基づいて、右目用の画像情報および左目用の画像情報を生成することができる。または、表示部５２３０は、右目用の表示領域および左目用の表示領域を備える。これにより、例えば、没入感を得られる仮想現実空間の映像を、ゴーグル型の情報処理装置に表示することができる。
《情報処理装置の構成例１１》
情報処理装置は、例えば、撮像装置、加速度または方位を検知する検知部５２５０を備える（図２３（Ｂ）参照）。または、検知部５２５０は、使用者の位置または使用者が向いている方向に係る情報を供給することができる。または、情報処理装置は、使用者の位置または使用者が向いている方向に基づいて、画像情報を生成することができる。これにより、例えば、現実の風景に情報を添付して表示することができる。または、拡張現実空間の映像を、めがね型の情報処理装置に表示することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に開示されているものとする。
ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
ＡＮＯ 導電膜
Ｃ２１ 容量
Ｃ３１ 容量
ＣＡＰＳＥＬ 導電膜
ＣＤＳＢＩＡＳ 導電膜
ＣＤＳＶＤＤ 導電膜
ＣＤＳＶＳＳ 導電膜
ＣＩ 制御情報
ＣＬ 導電膜
ＣＰ 導電材料
ＤＳ 検知情報
ＦＤ ノード
Ｇ１ 導電膜
Ｇ２ 導電膜
ＧＣＬＫ 信号
ＩＩ 入力情報
ＩＮ 端子
ＭＤ トランジスタ
Ｍ２１ トランジスタ
Ｍ３１ トランジスタ
Ｍ３２ トランジスタ
Ｎ２１ ノード
ＯＵＴ 端子
Ｐ１ 位置情報
ＰＷＣ１ 信号
ＰＷＣ２ 信号
ＲＳ 導電膜
Ｓ１ｇ 導電膜
Ｓ２ｇ 導電膜
ＳＥ 導電膜
ＳＨ 領域
ＳＰ 制御信号
ＳＷ２１ スイッチ
ＳＷ２２ スイッチ
ＳＷ３１ スイッチ
ＳＷ３２ スイッチ
ＳＷ３３ スイッチ
ＴＸ 導電膜
ＶＣＯＭ２ 導電膜
ＶＣＬ 導電膜
ＶＣＰ 導電膜
ＶＩ 画像情報
ＶＩＶ 導電膜
ＶＬＥＮ 導電膜
ＶＰＤ 導電膜
ＶＰＩ 導電膜
ＶＲ 導電膜
ＷＸ 導電膜
ＦＰＣ１ フレキシブルプリント基板
２００ 情報処理装置
２１０ 演算装置
２１１ 演算部
２１２ 記憶部
２１３ 人工知能部
２１４ 伝送路
２１５ 入出力インターフェース
２２０ 入出力装置
２３０ 表示部
２３１ 領域
２３３ 制御回路
２３４ 伸張回路
２３５ 画像処理回路
２３８ 制御部
２４０ 入力部
２４１ 検知領域
２４８ 制御部
２５０ 検知部
２９０ 通信部
５０１Ｃ 絶縁膜
５０１Ｄ 絶縁膜
５０４ 導電膜
５０６ 絶縁膜
５０８ 半導体膜
５０８Ａ 領域
５０８Ｂ 領域
５０８Ｃ 領域
５１０ 基材
５１２Ａ 導電膜
５１２Ｂ 導電膜
５１６ 絶縁膜
５１８ 絶縁膜
５１９Ｂ 端子
５２０ 機能層
５２１ 絶縁膜
５２４ 導電膜
５２８ 絶縁膜
５２８Ｈ 開口部
５３０Ｇ 画素回路
５３０Ｓ 画素回路
５５０Ｇ 発光素子
５５１Ｇ 電極
５５１Ｓ 電極
５５２ 電極
５５３Ｇ 発光性の材料を含む層
５５３Ｓ 光電変換材料を含む層
５７３ 絶縁膜
５７３Ａ 絶縁膜
５７３Ｂ 絶縁膜
５９１Ｇ 開口部
５９１Ｓ 開口部
７００ 機能パネル
７００ＴＰ 入出力パネル
７０２Ｂ 画素
７０２Ｇ 画素
７０２Ｒ 画素
７０２Ｓ 画素
７０３ 画素
７０５ 封止材
７２０ 機能層
７７０ 基材
７７０Ｐ 機能膜
７７１ 絶縁膜
８０２ 検知器
５２００Ｂ 情報処理装置
５２１０ 演算装置
５２２０ 入出力装置
５２３０ 表示部
５２４０ 入力部
５２５０ 検知部
５２９０ 通信部

Claims (7)

  1. 画素を有し、
    前記画素は、マイクロレンズアレイおよび発光デバイスを備え、
    前記発光デバイスは、第１の光を射出する機能を有し、
    前記マイクロレンズアレイは、前記第１の光を集光する機能を有し、
    前記マイクロレンズアレイは、複数のマイクロレンズを含み、
    前記マイクロレンズは、前記発光デバイスに平行な平面に、略四角形の形状の断面を備え、
    前記マイクロレンズは、前記平面に直交する平面において、曲面を備え、
    前記曲面は、前記発光デバイスに凸部を向けた形状を有する、機能パネル。
  2. 画素を有し、
    前記画素は、マイクロレンズアレイおよび発光デバイスを備え、
    前記発光デバイスは、第１の光を射出する機能を有し、
    前記マイクロレンズアレイは、前記第１の光を集光する機能を有し、
    前記マイクロレンズアレイは、複数のマイクロレンズを含み、
    前記マイクロレンズは、前記発光デバイスに平行な平面に、四角形のそれぞれの角が丸みを帯びた形状の断面を備え、
    前記マイクロレンズは、前記平面に直交する平面において、曲面を備え、
    前記曲面は、前記発光デバイスに凸部を向けた形状を有する、機能パネル。
  3. 請求項１または請求項２において、
    絶縁膜を有し、
    前記絶縁膜は、第１の開口部を備え、
    前記第１の開口部は、前記発光デバイスと重なる領域を有し、
    前記第１の開口部は、側壁に傾斜面を備え、
    前記傾斜面は、前記第１の光を前記マイクロレンズに向けて反射する機能を有する、機能パネル。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
    前記画素は、色変換層を備え、
    前記マイクロレンズは、前記発光デバイスおよび前記色変換層の間に挟まれ、
    前記マイクロレンズは、前記第１の光を前記色変換層に集光する機能を有し、
    前記色変換層は、前記第１の光を第２の光に変換する機能を有し、
    前記第２の光は、前記第１の光のスペクトルより、波長の長い光の強度が高いスペクトルを備える、機能パネル。
  5. 請求項４において、
    前記色変換層が、量子ドットおよび透光性の樹脂を含む、機能パネル。
  6. 請求項４または請求項５において、
    着色層を有し、
    前記着色層は、前記第２の光に対する透過率より低い透過率を、前記第１の光に対して備える、機能パネル。
  7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
    遮光層を有し、
    前記遮光層は、第２の開口部を備え、
    前記第２の開口部は、前記発光デバイスと重なる領域を有する、機能パネル。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210127175A (ko) * 2019-02-26 2021-10-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 패널, 정보 처리 장치
WO2021009587A1 (ja) 2019-07-12 2021-01-21 株式会社半導体エネルギー研究所 機能パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置
JPWO2021069999A1 (ja) 2019-10-11 2021-04-15
KR20220014442A (ko) * 2020-07-27 2022-02-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
CN115997488A (zh) * 2020-08-20 2023-04-21 应用材料公司 Oled光场架构
CN112510073B (zh) * 2020-12-15 2023-02-03 云谷（固安）科技有限公司 一种显示面板及显示装置
CN113013216B (zh) * 2021-03-01 2022-09-13 合肥维信诺科技有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
JP2022170447A (ja) * 2021-04-28 2022-11-10 株式会社ジャパンディスプレイ 検出装置
WO2022244948A1 (en) 2021-05-18 2022-11-24 Samsung Electronics Co., Ltd. System and method of controlling brightness on digital displays for optimum visibility and power consumption
CN117280869A (zh) * 2021-05-27 2023-12-22 株式会社半导体能源研究所 显示装置、显示模块及电子设备
WO2022259919A1 (ja) * 2021-06-11 2022-12-15 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光装置及び電子機器
JPWO2023002773A1 (ja) * 2021-07-19 2023-01-26
CN117178658A (zh) * 2022-03-31 2023-12-05 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013068872A (ja) 2011-09-26 2013-04-18 Goyo Paper Working Co Ltd レンズシート、及びｅｌ発光装置
JP2013535100A (ja) 2010-06-07 2013-09-09 セムプリウス インコーポレイテッド 軸外画像ディスプレイを有する光起電デバイス
JP2015128027A (ja) 2013-12-27 2015-07-09 シャープ株式会社 有機ｅｌ装置、表示装置
JP2015165494A (ja) 2014-02-06 2015-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、照明装置、電子機器
WO2016098570A1 (ja) 2014-12-15 2016-06-23 Jsr株式会社 有機ｅｌ素子、硬化性樹脂組成物、波長変換部の形成方法および有機ｅｌ装置
US20160336379A1 (en) 2014-08-05 2016-11-17 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode (oled) display and method of manufacturing the same

Family Cites Families (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2742057B2 (ja) 1988-07-14 1998-04-22 シャープ株式会社 薄膜ｅｌパネル
US5189405A (en) 1989-01-26 1993-02-23 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film electroluminescent panel
JPH0329291A (ja) 1989-06-27 1991-02-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 有機分散型ｅｌランプ用捕水フィルム
JPH05122733A (ja) 1991-10-28 1993-05-18 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> ３次元画像表示装置
US5317349A (en) 1993-06-29 1994-05-31 Minnesota Mining And Manufacturing Company Overhead projector with achromatic fresnel lens
EP0781075B1 (en) 1994-09-08 2001-12-05 Idemitsu Kosan Company Limited Method for sealing organic el element and organic el element
JP2931211B2 (ja) 1994-09-13 1999-08-09 出光興産株式会社 有機ｅｌ装置
US5771562A (en) 1995-05-02 1998-06-30 Motorola, Inc. Passivation of organic devices
US5811177A (en) 1995-11-30 1998-09-22 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
US5686360A (en) 1995-11-30 1997-11-11 Motorola Passivation of organic devices
US5693956A (en) 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
US6219113B1 (en) 1996-12-17 2001-04-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for driving an active matrix display panel
US5952778A (en) 1997-03-18 1999-09-14 International Business Machines Corporation Encapsulated organic light emitting device
JP3290375B2 (ja) 1997-05-12 2002-06-10 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
US6198220B1 (en) 1997-07-11 2001-03-06 Emagin Corporation Sealing structure for organic light emitting devices
KR100249784B1 (ko) 1997-11-20 2000-04-01 정선종 고분자복합막을이용한유기물혹은고분자전기발광소자의패키징방법
US6146225A (en) 1998-07-30 2000-11-14 Agilent Technologies, Inc. Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices
US6274887B1 (en) 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US6268695B1 (en) 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
JP3942770B2 (ja) 1999-09-22 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置及び電子装置
TW468283B (en) 1999-10-12 2001-12-11 Semiconductor Energy Lab EL display device and a method of manufacturing the same
US6413645B1 (en) 2000-04-20 2002-07-02 Battelle Memorial Institute Ultrabarrier substrates
TW478019B (en) 1999-10-29 2002-03-01 Semiconductor Energy Lab Self light-emitting device
US20010053082A1 (en) 1999-12-22 2001-12-20 Makarand H. Chipalkatti Electroluminescent vehicle lamp
TW516164B (en) 2000-04-21 2003-01-01 Semiconductor Energy Lab Self-light emitting device and electrical appliance using the same
US6632004B2 (en) 2000-12-27 2003-10-14 Canon Kabushiki Kaisha Lighting device
JP2002299039A (ja) 2001-03-28 2002-10-11 Sanyo Electric Co Ltd 有機電界発光型ディスプレイ
US6987613B2 (en) 2001-03-30 2006-01-17 Lumileds Lighting U.S., Llc Forming an optical element on the surface of a light emitting device for improved light extraction
SG142163A1 (en) 2001-12-05 2008-05-28 Semiconductor Energy Lab Organic semiconductor element
US6771021B2 (en) 2002-05-28 2004-08-03 Eastman Kodak Company Lighting apparatus with flexible OLED area illumination light source and fixture
JP2004247077A (ja) 2003-02-12 2004-09-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法
US20040217702A1 (en) 2003-05-02 2004-11-04 Garner Sean M. Light extraction designs for organic light emitting diodes
JP2004363049A (ja) * 2003-06-06 2004-12-24 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法及び、有機エレクトロルミネッセンス表示装置並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を備える表示装置
US7095558B2 (en) 2003-09-01 2006-08-22 Hitachi, Ltd. Image display device, rear projection type screen used in image display device, Fresnel lens sheet, and method of making Fresnel lens sheet
CN1638585A (zh) 2003-12-26 2005-07-13 日东电工株式会社 电致发光装置，平面光源和使用该平面光源的显示器
US20050199599A1 (en) 2004-03-09 2005-09-15 Xinghua Li Method of fabrication of hermetically sealed glass package
JP4360945B2 (ja) 2004-03-10 2009-11-11 シチズン電子株式会社 照明装置
US7202504B2 (en) 2004-05-20 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
JP4027914B2 (ja) 2004-05-21 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置及びそれを用いた機器
JP4340199B2 (ja) 2004-07-09 2009-10-07 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
TWI291573B (en) 2004-12-24 2007-12-21 Prodisc Technology Inc Liquid crystal display and backlight module
US20060237735A1 (en) 2005-04-22 2006-10-26 Jean-Yves Naulin High-efficiency light extraction structures and methods for solid-state lighting
FR2893610B1 (fr) 2005-11-23 2008-07-18 Saint Gobain Procede de structuration de surface d'un produit verrier, produit verrier a surface structuree et utilisations
US20070120108A1 (en) 2005-11-30 2007-05-31 Alps Electric Co., Ltd. Light emitting device
JP4770450B2 (ja) 2005-12-21 2011-09-14 パナソニック電工株式会社 有機ｅｌ照明装置
EP1830421A3 (en) 2006-03-03 2012-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, manufacturing method of light emitting device, and sheet-like sealing material
KR101030659B1 (ko) 2006-03-10 2011-04-20 파나소닉 전공 주식회사 발광 소자
US7417370B2 (en) 2006-03-23 2008-08-26 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
KR100736623B1 (ko) 2006-05-08 2007-07-09 엘지전자 주식회사 수직형 발광 소자 및 그 제조방법
JP4778845B2 (ja) 2006-06-29 2011-09-21 Ｈｏｙａ株式会社 有機エレクトロルミネセンス素子、及びこれを備えたファインダー装置
US7663312B2 (en) 2006-07-24 2010-02-16 Munisamy Anandan Flexible OLED light source
JP2008066027A (ja) 2006-09-05 2008-03-21 Fuji Electric Holdings Co Ltd 凹凸表面を有する基板およびそれを用いた有機ｅｌ素子
JP5200361B2 (ja) 2006-10-16 2013-06-05 凸版印刷株式会社 光学用部品の製造方法
EP2095437A4 (en) 2006-11-15 2013-11-20 Univ California SPHERE LED WITH HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY
WO2008069221A1 (en) 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma display panel and field emission display
WO2008069223A1 (en) 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anti-reflection film and display device
WO2008069162A1 (en) 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anti-reflection film and display device
WO2008069219A1 (en) 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Antireflective film and display device
KR100900288B1 (ko) 2007-10-29 2009-05-29 엘지전자 주식회사 발광 소자
WO2009063636A1 (ja) 2007-11-13 2009-05-22 Panasonic Corporation シート及び発光装置
US7733568B2 (en) * 2008-01-28 2010-06-08 Dolby Laboratories Licensing Corporation Retroreflective optical collimation layer and display devices incorporating same
WO2009120152A1 (en) 2008-04-23 2009-10-01 Innovative Nano Systems Pte. Ltd. Variable optical systems and components
WO2010005064A1 (en) 2008-07-10 2010-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
JP2010027429A (ja) 2008-07-22 2010-02-04 Fujifilm Corp 有機電界発光パネル及びその製造方法
TW201011349A (en) 2008-09-10 2010-03-16 E Pin Optical Industry Co Ltd Plano-Fresnel LED lens for angular distribution patterns and LED assembly thereof
CN101676615B (zh) 2008-09-19 2012-05-23 一品光学工业股份有限公司 凸面菲涅尔发光二极管光学镜片及其构成发光二极管组件
US20100110551A1 (en) 2008-10-31 2010-05-06 3M Innovative Properties Company Light extraction film with high index backfill layer and passivation layer
JP5434931B2 (ja) 2009-02-09 2014-03-05 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを用いた照明装置
US8450926B2 (en) 2009-05-21 2013-05-28 General Electric Company OLED lighting devices including electrodes with magnetic material
US20120204566A1 (en) 2009-10-26 2012-08-16 Hartzell Andrew K Fresnel lens
JP5297991B2 (ja) 2009-12-11 2013-09-25 株式会社日立製作所 有機発光ダイオード及びこれを用いた光源装置
US8830424B2 (en) 2010-02-19 2014-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having light-condensing means
US9000438B2 (en) 2010-02-26 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI540939B (zh) 2010-09-14 2016-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 固態發光元件，發光裝置和照明裝置
US8496341B2 (en) 2010-10-07 2013-07-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
US9269921B2 (en) 2010-10-20 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
US9188323B2 (en) 2010-10-20 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
WO2012053571A1 (en) 2010-10-22 2012-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and lighting device
JP5827104B2 (ja) 2010-11-19 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置
JP5687651B2 (ja) * 2012-03-24 2015-03-18 株式会社東芝 有機電界発光素子、照明装置及び有機電界発光素子の製造方法
DE112015005332T5 (de) * 2014-11-28 2017-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Bildverarbeitungsvorrichtung, Anzeigesystem und elektronisches Gerät
US9977152B2 (en) * 2016-02-24 2018-05-22 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Display panels with integrated micro lens array
GB2566212B (en) * 2016-06-28 2021-10-27 Siemens Mobility Inc Optical system for a LED signal and wayside LED signal
KR102407588B1 (ko) * 2016-11-07 2022-06-10 도레이 카부시키가이샤 광원 유닛
US10903282B2 (en) * 2017-09-29 2021-01-26 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
KR102623429B1 (ko) * 2017-12-27 2024-01-09 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
US10868277B2 (en) * 2018-09-19 2020-12-15 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light emitting diode display panel and manufacturing method thereof
KR102604051B1 (ko) * 2018-10-16 2023-11-20 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013535100A (ja) 2010-06-07 2013-09-09 セムプリウス インコーポレイテッド 軸外画像ディスプレイを有する光起電デバイス
JP2013068872A (ja) 2011-09-26 2013-04-18 Goyo Paper Working Co Ltd レンズシート、及びｅｌ発光装置
JP2015128027A (ja) 2013-12-27 2015-07-09 シャープ株式会社 有機ｅｌ装置、表示装置
JP2015165494A (ja) 2014-02-06 2015-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、照明装置、電子機器
US20160336379A1 (en) 2014-08-05 2016-11-17 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode (oled) display and method of manufacturing the same
WO2016098570A1 (ja) 2014-12-15 2016-06-23 Jsr株式会社 有機ｅｌ素子、硬化性樹脂組成物、波長変換部の形成方法および有機ｅｌ装置

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