JP7493514B2 - 機能パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置 - Google Patents
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Description
本発明の一態様は、機能パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置または半導体装置に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・オブ・マター)に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
基板の絶縁表面と、絶縁表面に複数の撮像画素と、を有する撮像パネルが知られている(特許文献1)。この撮像パネルの撮像画素は、マトリクス状に配置された可視光を透過する複数の窓、複数の窓の間に延在し信号を供給する格子状の光電変換素子および信号が供給される検知回路を備える。
本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することを課題の一とする。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することを課題の一とする。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを課題の一とする。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。または、新規な機能パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
(1)本発明の一態様は、第1の素子と、第2の素子と、を有する機能パネルである。
第1の素子は、第1の電極、第2の電極および第1の光機能層を備える。第1の光機能層は第1の電極および第2の電極の間に挟まれる領域を備え、第1の光機能層は、第1の層および第1の発光性の材料を含む層を備える。
第2の素子は、第3の電極、第2の電極および第2の光機能層を備える。第2の光機能層は第3の電極および第2の電極の間に挟まれる領域を備え、第2の光機能層は第1の層および光電変換材料を含む層を備える。
第1の層は第1の発光性の材料を含む層および第2の電極の間に挟まれる領域を備え、第1の層は光電変換材料を含む層および前記第2の電極の間に挟まれる領域を備える。また、光電変換材料を含む層は、有機高分子材料を含む。
(2)また、本発明の一態様は、第1の光機能層が第2の層を備え、第2の光機能層が第2の層を備える、上記の機能パネルである。
第2の層は第1の発光性の材料を含む層および第1の電極の間に挟まれる領域を備え、第2の層は光電変換材料を含む層および第3の電極の間に挟まれる領域を備える。
これにより、例えば、大気圧環境下において、光電変換材料を含む層を形成することができる。または、例えば、コーティング装置、印刷装置またはインクジェット装置などを用いて、光電変換材料を含む層を形成することができる。または、第1の素子を形成するための設備と、その設備に比べて簡便な設備を組み合わせて、第2の素子を形成することができる。または、光を射出する機能だけでなく、光を電気信号に変換する機能を、機能パネルに付与することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
(3)また、本発明の一態様は、第2の光機能層が第2の発光性の材料を含む層を備える、上記の機能パネルである。
第2の発光性の材料を含む層は、光電変換材料を含む層および第1の層の間に挟まれる領域を備える。
これにより、第2の素子を用いて、光を電気信号に変換するだけでなく、光を射出することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
(4)また、本発明の一態様は、一組の画素を有し、一組の画素は、第1の画素および第2の画素を備える、上記の機能パネルである。
第1の画素は第1の素子および第1の画素回路を備え、第1の素子は第1の画素回路と電気的に接続される。また、第2の画素は第2の素子および第2の画素回路を備え、第2の素子は第2の画素回路と電気的に接続される。
(5)また、本発明の一態様は、機能層を有する上記の機能パネルである。
機能層は画素回路を備え、画素回路は第1のトランジスタを含み、機能層は第1の画素回路を備え、第2の画素回路は第2のトランジスタを含む。また、機能層は駆動回路を備え、駆動回路は第3のトランジスタを含む。第1のトランジスタは半導体膜を備え、第2のトランジスタは当該半導体膜を形成する工程で作製することができる半導体膜を備え、第3のトランジスタは当該半導体膜を形成する工程で作製することができる半導体膜を備える。
これにより、第1の画素回路を機能層に形成することができる。または、第2の画素回路を機能層に形成することができる。または、例えば、第1の画素回路が備えるトランジスタの半導体膜を形成する工程において、第2の画素回路が備えるトランジスタの半導体膜を形成することができる。または、機能パネルの作製工程を簡略化することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
(6)また、本発明の一態様は、上記の機能パネルと、制御部と、を有する表示装置である。
制御部は画像情報および制御情報を供給され、制御部は画像情報に基づいて情報を生成し、制御部は制御情報に基づいて制御信号を生成し、制御部は情報および制御信号を供給する。
機能パネルは情報および制御信号を供給され、第1の画素は、情報に基づいて発光する。
これにより、第1の画素を用いて画像情報を表示することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。
(7)また、本発明の一態様は、入力部と、表示部と、を有する入出力装置である。
表示部は上記の機能パネルを備え、入力部は検知領域を備える。
入力部は検知領域に近接するものを検知し、検知領域は第1の画素と重なる領域を備える。
これにより、表示部を用いて画像情報を表示しながら、表示部と重なる領域に近接するものを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付けることができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
(8)また、本発明の一態様は、演算装置と、入出力装置と、を有する情報処理装置である。
演算装置は入力情報または検知情報を供給され、演算装置は、入力情報または検知情報に基づいて、制御情報および画像情報を生成し、演算装置は制御情報および画像情報を供給する。
入出力装置は入力情報および検知情報を供給し、入出力装置は制御情報および画像情報を供給され、入出力装置は表示部、入力部および検知部を備える。
表示部は上記の機能パネルを備え、表示部は制御情報に基づいて、画像情報を表示し、入力部は入力情報を生成し、検知部は検知情報を生成する。
これにより、入力情報または検知情報に基づいて、制御情報を生成することができる。または、入力情報または検知情報に基づいて、画像情報を表示することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
(9)また、本発明の一態様は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、上記の機能パネルと、を含む、情報処理装置である。
これにより、さまざまな入力装置を用いて供給する情報に基づいて、画像情報または制御情報を演算装置に生成させることができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。
本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、nチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、pチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。
本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第1のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第2のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。
本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。
本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
また、本明細書中において、トランジスタの第1の電極または第2の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。
本発明の一態様によれば、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、新規な機能パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
図1Aおよび図1Bは、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。
図2A乃至図2Dは、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。
図3A乃至図3Cは、実施の形態に係る機能パネルの作製方法を説明する図である。
図4A乃至図4Cは、実施の形態に係る機能パネルの作製方法を説明する図である。
図5A乃至図5Cは、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。
図6Aおよび図6Bは、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。
図7A乃至図7Cは、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。
図8は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する回路図である。
図9は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する回路図である。
図10は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。
図11Aおよび図11Bは、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。
図12Aおよび図12Bは、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。
図13Aおよび図13Bは、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。
図14は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。
図15Aおよび図15Bは、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する回路図である。
図16は、実施の形態に係る機能パネルの動作を説明する図である。
図17A乃至図17Dは、実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図である。
図18は、実施の形態に係る入出力装置の構成を説明するブロック図である。
図19A乃至図19Cは、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。
図20Aおよび図20Bは、実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフローチャートである。
図21A乃至図21Cは、実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明する図である。
図22A乃至図22Cは、実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明する図である。
図23A乃至図23Dは、実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明する図である。
図24A乃至図24Eは、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。
図25A乃至図25Eは、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。
図26Aおよび図26Bは、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。
図2A乃至図2Dは、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。
図3A乃至図3Cは、実施の形態に係る機能パネルの作製方法を説明する図である。
図4A乃至図4Cは、実施の形態に係る機能パネルの作製方法を説明する図である。
図5A乃至図5Cは、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。
図6Aおよび図6Bは、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。
図7A乃至図7Cは、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。
図8は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する回路図である。
図9は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する回路図である。
図10は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。
図11Aおよび図11Bは、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。
図12Aおよび図12Bは、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。
図13Aおよび図13Bは、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。
図14は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。
図15Aおよび図15Bは、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する回路図である。
図16は、実施の形態に係る機能パネルの動作を説明する図である。
図17A乃至図17Dは、実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図である。
図18は、実施の形態に係る入出力装置の構成を説明するブロック図である。
図19A乃至図19Cは、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。
図20Aおよび図20Bは、実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフローチャートである。
図21A乃至図21Cは、実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明する図である。
図22A乃至図22Cは、実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明する図である。
図23A乃至図23Dは、実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明する図である。
図24A乃至図24Eは、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。
図25A乃至図25Eは、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。
図26Aおよび図26Bは、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。
本発明の一態様の機能パネルは、第1の素子と、第2の素子と、を有する。
第1の素子は、第1の電極、第2の電極および第1の光機能層を備え、第1の光機能層は第1の電極および前記第2の電極の間に挟まれる領域を備え、第1の光機能層は第1の層および第1の発光性の材料を含む層を備える。
第2の素子は、第3の電極、前記第2の電極および第2の光機能層を備え、第2の光機能層は第3の電極および第2の電極の間に挟まれる領域を備え、第2の光機能層は第1の層および光電変換材料を含む層を備える。
第1の層は第1の発光性の材料を含む層および前記第2の電極の間に挟まれる領域を備え、第1の層は光電変換材料を含む層および第2の電極の間に挟まれる領域を備える。また、光電変換材料を含む層は、有機高分子材料を含む。
これにより、例えば、大気圧環境下において、光電変換材料を含む層を形成することができる。または、例えば、コーティング装置、印刷装置またはインクジェット装置などを用いて、光電変換材料を含む層を形成することができる。または、第1の素子を形成するための設備と、その設備に比べて簡便な設備を組み合わせて、第2の素子を形成することができる。または、光を射出する機能だけでなく、光を電気信号に変換する機能を、機能パネルに付与することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図1乃至図4を参照しながら説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図1乃至図4を参照しながら説明する。
図1は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図1Aは本発明の一態様の機能パネルが備える二つの素子の上面図であり、図1Bは図1Aの切断線A1-A2における断面図である。
図2は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図2Aは本発明の一態様の機能パネルが備える二つの素子の上面図であり、図2Bは図2Aの切断線A1-A2における断面図である。また、図2Cは本発明の一態様の別の機能パネルが備える二つの素子の上面図であり、図2Dは図2Cの切断線A1-A2における断面図である。
図3は本発明の一態様の機能パネルの作製方法を説明する図である。図3A乃至図3Cは本発明の一態様の機能パネルが備える二つの素子の作製工程中における断面図である。
図4は本発明の一態様の機能パネルの作製方法を説明する図である。図4A乃至図4Cは本発明の一態様の機能パネルが備える二つの素子の作製工程中における断面図である。
なお、本明細書において、1以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、1以上の整数の値をとる変数pを含む(p)を、最大p個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、1以上の整数の値をとる変数mおよび変数nを含む(m,n)を、最大m×n個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。
<機能パネル700の構成例1>
本発明の一態様の機能パネル700は、素子550G(i,j)と、素子550S(i,j)と、を有する(図1A参照)。
本発明の一態様の機能パネル700は、素子550G(i,j)と、素子550S(i,j)と、を有する(図1A参照)。
《素子550G(i,j)の構成例1》
素子550G(i,j)は、電極551G(i,j)、電極552および光機能層553P1(i,j)を備える(図1B参照)。
素子550G(i,j)は、電極551G(i,j)、電極552および光機能層553P1(i,j)を備える(図1B参照)。
光機能層553P1(i,j)は、電極551G(i,j)および電極552の間に挟まれる領域を備え、光機能層553P1(i,j)は、第1の層ETLおよび発光性の材料を含む層553G(i,j)を備える。なお、電極551G(i,j)および電極552の間の電圧に応じて、第1の層ETLはキャリアを輸送することができる。具体的には、電子を輸送することができる。
《素子550S(i,j)の構成例1》
素子550S(i,j)は、電極551S(i,j)、電極552および光機能層553P2(i,j)を備える。
素子550S(i,j)は、電極551S(i,j)、電極552および光機能層553P2(i,j)を備える。
光機能層553P2(i,j)は、電極551S(i,j)および電極552の間に挟まれる領域を備え、光機能層553P2(i,j)は、第1の層ETLおよび光電変換材料を含む層553S(i,j)を備える。
《第1の層ETLの構成例1》
第1の層ETLは、発光性の材料を含む層553G(i,j)および電極552の間に挟まれる領域を備える。また、第1の層ETLは、光電変換材料を含む層553S(i,j)および電極552の間に挟まれる領域を備える。
第1の層ETLは、発光性の材料を含む層553G(i,j)および電極552の間に挟まれる領域を備える。また、第1の層ETLは、光電変換材料を含む層553S(i,j)および電極552の間に挟まれる領域を備える。
《光電変換材料を含む層553S(i,j)の構成例1》
光電変換材料を含む層553S(i,j)は、有機高分子材料を含む。
光電変換材料を含む層553S(i,j)は、有機高分子材料を含む。
例えば、第1の溶媒に溶解または分散する材料を、光電変換材料を含む層553S(i,j)に用いることができる。具体的には、電子供与性を備える材料と、電子受容性を備える材料を、光電変換材料を含む層553S(i,j)に用いることができる。
例えば、第1の溶媒に溶解または分散するπ共役系の有機高分子材料、オリゴマーまたは低分子材料を、光電変換材料を含む層553S(i,j)に用いることができる。具体的には、ポリフェニレンビニレン系材料またはポリチオフェン系材料などを、光電変換材料を含む層553S(i,j)に用いることができる。
例えば、Poly([2,6′-4,8-di(5-ethylhexylthienyl)benzo[1,2-b;3,3-b]dithiophene]{3-fluoro-2[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl})(略称:PTB7-Th)、Poly({4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b′]dithiophene-2,6-diyl}{3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl})(略称:PYB7)、Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl)(略称:P3HT)などを、光電変換材料を含む層553S(i,j)に用いることができる。
また、例えば、第1の溶媒に溶解または分散するフラーレン誘導体を、光電変換材料を含む層553S(i,j)に用いることができる。
例えば、[6,6]-Phenyl-C71-butyric acid methyl ester(略称:PC70BM)、[6,6]-Phenyl-C61-butyric acid methyl ester(略称:PC60BM)、1′,1′′,4′,4′′-Tetrahydro-di[1,4]methanonaphthaleno[1,2:2′,3′,56,60:2′′,3′′][5,6]fullerene-C60(略称:ICBA)などを、光電変換材料を含む層553S(i,j)に用いることができる。
また、例えば、水または有機溶媒を第1の溶媒に用いることができる。具体的には、クロロベンゼンなどの有機溶媒を、第1の溶媒に用いることができる。なお、第2の層HIL上に光電変換材料を含む層553S(i,j)を形成する場合、第2の層HILを溶解しにくい溶媒が、第1の溶媒に好ましい。
<機能パネル700の構成例2>
光機能層553P1(i,j)は第2の層HILを備える。また、光機能層553P2(i,j)も第2の層HILを備える。なお、第2の層HILはキャリアの注入を容易にすることができる。具体的には、正孔の注入を容易にすることができる。
光機能層553P1(i,j)は第2の層HILを備える。また、光機能層553P2(i,j)も第2の層HILを備える。なお、第2の層HILはキャリアの注入を容易にすることができる。具体的には、正孔の注入を容易にすることができる。
《第2の層HILの構成例》
第2の層HILは発光性の材料を含む層553G(i,j)および電極551G(i,j)の間に挟まれる領域を備える。また、第2の層HILは光電変換材料を含む層553S(i,j)および電極551S(i,j)の間に挟まれる領域を備える。
第2の層HILは発光性の材料を含む層553G(i,j)および電極551G(i,j)の間に挟まれる領域を備える。また、第2の層HILは光電変換材料を含む層553S(i,j)および電極551S(i,j)の間に挟まれる領域を備える。
例えば、第2の溶媒に溶解または分散する材料を、第2の層HILに用いることができる。具体的には、導電性ポリマーを第2の層HILに用いることができる。例えば、ポリチオフェン系材料またはポリ(4-スチレンスルホン酸)をドープしたポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)PEDOT-PSSなどを、第2の層HILに用いることができる。
また、例えば、水または有機溶媒を第2の溶媒に用いることができる。
また、酸化プラセオジム、酸化イットリウム、酸化テルビウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化ガリウム、酸化スズなどを第2の層HILに用いることができる。
これにより、例えば、大気圧環境下において、光電変換材料を含む層553S(i,j)を形成することができる。または、例えば、コーティング装置、印刷装置またはインクジェット装置などを用いて、光電変換材料を含む層553S(i,j)を形成することができる。または、素子550G(i,j)を形成するための設備と、その設備に比べて簡便な設備を組み合わせて、第2の素子550S(i,j)を形成することができる。または、光を射出する機能だけでなく、光を電気信号に変換する機能を、機能パネルに付与することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《素子550S(i,j)の構成例3》
光機能層553P2(i,j)は、発光性の材料を含む層553R(i,j)を備える(図2Bおよび図2D参照)。
光機能層553P2(i,j)は、発光性の材料を含む層553R(i,j)を備える(図2Bおよび図2D参照)。
発光性の材料を含む層553R(i,j)は、光電変換材料を含む層553S(i,j)および第1の層ETLの間に挟まれる領域を備える。
例えば、電極551S(i,j)の電位を電極552の電位より高く調整することで、光電変換材料を含む層553S(i,j)は、電極551S(i,j)から供給された正孔を、発光性の材料を含む層553R(i,j)に供給することができる。
また、光電変換材料を含む層553S(i,j)は、光が照射された状態で正孔と電子を生成し、電極551S(i,j)の電位を電極552の電位より低く調整することで、その正孔を発光性の材料を含む層553R(i,j)に供給し、その電子を第2の層HILに供給することができる。
これにより、素子550S(i,j)を用いて、光を電気信号に変換するだけでなく、光を射出することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
<機能パネル700の構成例3>
また、本発明の一態様の素子550S(i,j)は、第1の領域21および第2の領域22を備える(図2Cおよび図2D参照)。第1の領域21において、電極551S(i,j)は光電変換材料を含む層553S(i,j)と重ならず、第2の領域22において、電極551S(i,j)は光電変換材料を含む層553S(i,j)と重なる。
また、本発明の一態様の素子550S(i,j)は、第1の領域21および第2の領域22を備える(図2Cおよび図2D参照)。第1の領域21において、電極551S(i,j)は光電変換材料を含む層553S(i,j)と重ならず、第2の領域22において、電極551S(i,j)は光電変換材料を含む層553S(i,j)と重なる。
これにより、第1の領域21を用いて光を射出することができる。または、第2の領域22を用いて、光を電気信号に変換するだけでなく、光を射出することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
<機能パネル700の構成例4>
また、本発明の一態様の機能パネル700は、領域231(1)、領域231(2)および素子550S(2)を備え、領域231(1)は素子550S(1)を備える(図5A乃至図5C参照)。また、素子550S(2)は、領域231(1)および領域231(2)の外側にある。
また、本発明の一態様の機能パネル700は、領域231(1)、領域231(2)および素子550S(2)を備え、領域231(1)は素子550S(1)を備える(図5A乃至図5C参照)。また、素子550S(2)は、領域231(1)および領域231(2)の外側にある。
例えば、本実施の形態で説明する素子550S(i,j)の構成を、素子550S(1)または素子550S(2)に適用することができる。
これにより、素子550S(1)および素子550S(2)を照度センサに用いることができる。または、使用環境の明るさに応じて、表示の明るさを調節することができる。または、素子550S(1)または素子550S(2)に入射する外光が遮られることにより、例えば、耳などの接近を検知することができる。または、素子550S(1)または素子550S(2)に入射する外光が遮られることにより、例えば、表示を中断することができる。または、別途照度センサを用いる場合に比べて、部品点数を削減することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
<機能パネル700の作製方法>
本発明の一態様の機能パネル700は、第1のステップ乃至第5のステップを有する方法で、作製することができる。
本発明の一態様の機能パネル700は、第1のステップ乃至第5のステップを有する方法で、作製することができる。
[第1のステップ]
第1のステップにおいて、電極551S(i,j)上に、光電変換材料を含む層553S(i,j)を形成する(図3A参照)。なお、電極551S(i,j)上に、第2の層HILを形成してから、光電変換材料を含む層553S(i,j)を形成してもよい。
第1のステップにおいて、電極551S(i,j)上に、光電変換材料を含む層553S(i,j)を形成する(図3A参照)。なお、電極551S(i,j)上に、第2の層HILを形成してから、光電変換材料を含む層553S(i,j)を形成してもよい。
例えば、コーティング装置、印刷装置またはインクジェット装置を用いて、光電変換材料を含む層553S(i,j)を形成することができる。これにより、電極551G(i,j)上にも、光電変換材料を含む層553S(i,j)が形成される。なお、光電変換材料を含む層553S(i,j)は、不活性気体雰囲気下で形成する。例えば、窒素雰囲気下で光電変換材料を含む層553S(i,j)を形成する。
[第2のステップ]
第2のステップにおいて、光電変換材料を含む層553S(i,j)を所定の形状に加工する(図3Bおよび図3C参照)。
第2のステップにおいて、光電変換材料を含む層553S(i,j)を所定の形状に加工する(図3Bおよび図3C参照)。
例えば、所定の形状のレジスト11を用いて光電変換材料を含む層553S(i,j)を保護し、エッチング法を用いて不要な部分を除去する。具体的には、ドライエッチング法を用いることができる。なお、所定の形状に加工したあと、レジスト11を剥離する。
[第3のステップ]
第3のステップにおいて、電極551G(i,j)上に発光性の材料を含む層553G(i,j)を形成する(図4A参照)。なお、電極551G(i,j)上に、第3の層HIL2を形成し、さらに第3の層HIL2上に、第4の層HTLを形成してから、発光性の材料を含む層553G(i,j)を形成してもよい。
第3のステップにおいて、電極551G(i,j)上に発光性の材料を含む層553G(i,j)を形成する(図4A参照)。なお、電極551G(i,j)上に、第3の層HIL2を形成し、さらに第3の層HIL2上に、第4の層HTLを形成してから、発光性の材料を含む層553G(i,j)を形成してもよい。
例えば、電極551G(i,j)上に開口部を備えるシャドーマスクと真空蒸着装置を用いて、第3の層HIL2、第4の層HTLおよび発光性の材料を含む層553G(i,j)を形成することができる。なお、電極551G(i,j)および電極552の間の電圧に応じて、第4の層HTLはキャリアを輸送することができる。具体的には、正孔を輸送することができる。
[第4のステップ]
第4のステップにおいて、第1の層ETLを、光電変換材料を含む層553S(i,j)および発光性の材料を含む層553G(i,j)上に、形成する(図4B参照)。
第4のステップにおいて、第1の層ETLを、光電変換材料を含む層553S(i,j)および発光性の材料を含む層553G(i,j)上に、形成する(図4B参照)。
例えば、真空蒸着装置を用いて、第1の層ETLを形成することができる。
[第5のステップ]
第5のステップにおいて、電極552を、第1の層ETL上に、形成する(図4C参照)。
第5のステップにおいて、電極552を、第1の層ETL上に、形成する(図4C参照)。
例えば、真空蒸着装置を用いて、電極552を形成することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
(実施の形態2)
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図6を参照しながら説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図6を参照しながら説明する。
図6は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図6Aは本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する上面図であり、図6Bは図6Aの一部を説明する図である。
図7Aは図6Aの一部を説明する図であり、図7Bは図7Aの一部を説明する図であり、図7Cは図7Aの一部を説明する図である。
図8は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図8は画素回路の構成を説明する図である。
図9は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図9は本発明の一態様の機能パネルの画素回路の構成を説明する回路図である。
<機能パネル700の構成例1>
本発明の一態様の機能パネル700は一組の画素703(i,j)を有する(図6A参照)。
本発明の一態様の機能パネル700は一組の画素703(i,j)を有する(図6A参照)。
《画素703(i,j)の構成例1》
一組の画素703(i,j)は、画素702G(i,j)を備える(図6B参照)。画素702G(i,j)は、画素回路530G(i,j)および素子550G(i,j)を備え、素子550G(i,j)は画素回路530G(i,j)と電気的に接続される(図7A参照)。
一組の画素703(i,j)は、画素702G(i,j)を備える(図6B参照)。画素702G(i,j)は、画素回路530G(i,j)および素子550G(i,j)を備え、素子550G(i,j)は画素回路530G(i,j)と電気的に接続される(図7A参照)。
《画素回路530G(i,j)の構成例1》
画素回路530G(i,j)は、スイッチSW21、スイッチSW22、トランジスタM21、容量C21およびノードN21を備える(図8参照)。
画素回路530G(i,j)は、スイッチSW21、スイッチSW22、トランジスタM21、容量C21およびノードN21を備える(図8参照)。
トランジスタM21は、ノードN21と電気的に接続されるゲート電極と、素子550G(i,j)と電気的に接続される第1の電極と、導電膜ANOと電気的に接続される第2の電極と、を備える。
スイッチSW21は、ノードN21と電気的に接続される第1の端子と、導電膜S1g(j)と電気的に接続される第2の端子と、導電膜G1(i)の電位に基づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を備える。
スイッチSW22は、導電膜S2g(j)と電気的に接続される第1の端子と、導電膜G2(i)の電位に基づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を備える。
容量C21は、ノードN21と電気的に接続される導電膜と、スイッチSW22の第2の電極と電気的に接続される導電膜を備える。
これにより、画像信号をノードN21に格納することができる。または、ノードN21の電位を、スイッチSW22を用いて、変更することができる。または、素子550G(i,j)が射出する光の強度を、ノードN21の電位を用いて、制御することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《素子550G(i,j)の構成例1》
例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、発光ダイオードまたはQDLED(Quantum Dot LED)等を、素子550G(i,j)に用いることができる。
例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、発光ダイオードまたはQDLED(Quantum Dot LED)等を、素子550G(i,j)に用いることができる。
《画素703(i,j)の構成例2》
一組の画素703(i,j)は、画素回路530S(i,j)および素子550S(i,j)を備え、素子550S(i,j)は画素回路530S(i,j)と電気的に接続される。
一組の画素703(i,j)は、画素回路530S(i,j)および素子550S(i,j)を備え、素子550S(i,j)は画素回路530S(i,j)と電気的に接続される。
《画素回路530S(i,j)の構成例1》
画素回路530S(i,j)は、スイッチSW31、スイッチSW32、スイッチSW33、トランジスタM31、容量C31およびノードFDを備える(図9参照)。
画素回路530S(i,j)は、スイッチSW31、スイッチSW32、スイッチSW33、トランジスタM31、容量C31およびノードFDを備える(図9参照)。
スイッチSW31は、素子550S(i,j)と電気的に接続される第1の端子と、ノードFDと電気的に接続される第2の端子と、導電膜TX(i)の電位に基づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を備える。
スイッチSW32は、ノードFDと電気的に接続される第1の端子と、導電膜VRと電気的に接続される第2の端子と、導電膜RS(i)の電位に基づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を備える。
容量C31は、ノードFDと電気的に接続される導電膜と、導電膜VCPと電気的に接続される導電膜を備える。
トランジスタM31は、ノードFDと電気的に接続されるゲート電極と、導電膜VPIと電気的に接続される第1の電極と、を備える。
スイッチSW33は、トランジスタM31の第2の電極と電気的に接続される第1の端子と、導電膜WX(j)と電気的に接続される第2の端子と、導電膜SE(i)の電位に基づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を備える。
これにより、素子550S(i,j)が生成した撮像信号を、スイッチSW31を用いて、ノードFDに転送することができる。または、素子550S(i,j)が生成した撮像信号を、スイッチSW31を用いて、ノードFDに格納することができる。または、画素回路530S(i,j)および素子550S(i,j)の間を、スイッチSW31を用いて、非導通状態にすることができる。または、相関二重サンプリング法を適用することができる。または、撮像信号に含まれるノイズを低減することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《素子550S(i,j)の構成例1》
例えば、ヘテロ接合型の光電変換素子、バルクヘテロ接合型の光電変換素子等を、素子550S(i,j)に用いることができる。
例えば、ヘテロ接合型の光電変換素子、バルクヘテロ接合型の光電変換素子等を、素子550S(i,j)に用いることができる。
《画素703(i,j)の構成例3》
複数の画素を画素703(i,j)に用いることができる。例えば、色相が互いに異なる色を表示する複数の画素を用いることができる。なお、複数の画素のそれぞれを副画素と言い換えることができる。または、複数の副画素を一組にして、画素と言い換えることができる。
複数の画素を画素703(i,j)に用いることができる。例えば、色相が互いに異なる色を表示する複数の画素を用いることができる。なお、複数の画素のそれぞれを副画素と言い換えることができる。または、複数の副画素を一組にして、画素と言い換えることができる。
これにより、当該複数の画素が表示する色を加法混色または減法混色することができる。または、個々の画素では表示することができない色相の色を、表示することができる。
具体的には、青色を表示する画素702B(i,j)、緑色を表示する画素702G(i,j)および赤色を表示する画素702R(i,j)を画素703(i,j)に用いることができる。また、画素702B(i,j)、画素702G(i,j)および画素702R(i,j)のそれぞれを副画素と言い換えることができる(図6B参照)。
また、例えば、白色等を表示する画素を上記の一組に加えて、画素703(i,j)に用いることができる。また、シアンを表示する画素、マゼンタを表示する画素およびイエローを表示する画素を、画素703(i,j)に用いることができる。
また、例えば、赤外線を射出する画素を上記の一組に加えて、画素703(i,j)に用いることができる。具体的には、650nm以上1000nm以下の波長を備える光を含む光を射出する画素を、画素703(i,j)に用いることができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
(実施の形態3)
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図10乃至図13を参照しながら説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図10乃至図13を参照しながら説明する。
図10は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図10は図6Aの切断線X1-X2、X3-X4、X9-X10、X11-X12および画素における断面図である。
図11は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図11Aは図6Bに示す画素702G(i,j)の断面図である。図11Bは図11Aの一部を説明する断面図である。
図12は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図12Aは図6Bに示す画素702S(i,j)の断面図である。図12Bは図12Aの一部を説明する断面図である。
図13は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図13Aは図6Aの切断線X1-X2および切断線X3-X4における断面図であり、図13Bは図13Aの一部を説明する図である。
<機能パネル700の構成例1>
本発明の一態様の機能パネルは、機能層520を有する(図10参照)。
本発明の一態様の機能パネルは、機能層520を有する(図10参照)。
《機能層520の構成例1》
機能層520は、画素回路530G(i,j)を備える(図10参照)。機能層520は、例えば、画素回路530G(i,j)に用いるトランジスタM21を含む(図8および図11A参照)。
機能層520は、画素回路530G(i,j)を備える(図10参照)。機能層520は、例えば、画素回路530G(i,j)に用いるトランジスタM21を含む(図8および図11A参照)。
機能層520は開口部591Gを備える。画素回路530G(i,j)は開口部591Gにおいて、素子550G(i,j)と電気的に接続される(図10および図11A参照)。
《機能層520の構成例2》
機能層520は、画素回路530S(i,j)を備える(図10参照)。機能層520は、例えば、画素回路530S(i,j)のスイッチSW31に用いるトランジスタを含む(図9および図12A参照)。
機能層520は、画素回路530S(i,j)を備える(図10参照)。機能層520は、例えば、画素回路530S(i,j)のスイッチSW31に用いるトランジスタを含む(図9および図12A参照)。
機能層520は開口部591Sを備え、画素回路530S(i,j)は、開口部591Sにおいて、素子550S(i,j)と電気的に接続される(図10および図12A参照)。
これにより、画素回路530G(i,j)を機能層520に形成することができる。または、画素回路530S(i,j)を機能層520に形成することができる。または、例えば、画素回路530G(i,j)に用いる半導体膜を形成する工程において、画素回路530S(i,j)に用いる半導体膜を形成することができる。または、機能パネルの作製工程を簡略化することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《機能層520の構成例3》
機能層520は駆動回路GDを備える(図6Aおよび図10参照)。機能層520は、例えば、駆動回路GDに用いるトランジスタMDを含む(図10および図13A参照)。
機能層520は駆動回路GDを備える(図6Aおよび図10参照)。機能層520は、例えば、駆動回路GDに用いるトランジスタMDを含む(図10および図13A参照)。
機能層520は駆動回路RDおよび読み出し回路RCを備える(図10参照)。
これにより、例えば、画素回路530G(i,j)に用いる半導体膜を形成する工程において、駆動回路GDに用いる半導体膜を形成することができる。または、例えば、画素回路530G(i,j)に用いる半導体膜を形成する工程において、駆動回路RDおよび読み出し回路RCに用いる半導体膜を形成することができる。または、機能パネルの作製工程を簡略化することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《トランジスタの構成例》
ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを、機能層520に用いることができる。具体的には、トランジスタをスイッチに用いることができる。
ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを、機能層520に用いることができる。具体的には、トランジスタをスイッチに用いることができる。
トランジスタは、半導体膜508、導電膜504、導電膜512Aおよび導電膜512Bを備える(図11B参照)。
半導体膜508は、導電膜512Aと電気的に接続される領域508A、導電膜512Bと電気的に接続される領域508Bを備える。半導体膜508は、領域508Aおよび領域508Bの間に領域508Cを備える。
導電膜504は領域508Cと重なる領域を備え、導電膜504はゲート電極の機能を備える。
絶縁膜506は、半導体膜508および導電膜504の間に挟まれる領域を備える。絶縁膜506はゲート絶縁膜の機能を備える。
導電膜512Aはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜512Bはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。
また、導電膜524をトランジスタに用いることができる。導電膜524は、導電膜504との間に半導体膜508を挟む領域を備える。導電膜524は、第2のゲート電極の機能を備える。
なお、画素回路のトランジスタに用いる半導体膜を形成する工程において、駆動回路のトランジスタに用いる半導体膜を形成することができる。
《半導体膜508の構成例1》
例えば、14族の元素を含む半導体を半導体膜508に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜508に用いることができる。
例えば、14族の元素を含む半導体を半導体膜508に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜508に用いることができる。
[水素化アモルファスシリコン]
例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜508に用いることができる。または、微結晶シリコンなどを半導体膜508に用いることができる。これにより、例えば、ポリシリコンを半導体膜508に用いる機能パネルより、表示ムラが少ない機能パネルを提供することができる。または、機能パネルの大型化が容易である。
例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜508に用いることができる。または、微結晶シリコンなどを半導体膜508に用いることができる。これにより、例えば、ポリシリコンを半導体膜508に用いる機能パネルより、表示ムラが少ない機能パネルを提供することができる。または、機能パネルの大型化が容易である。
[ポリシリコン]
例えば、ポリシリコンを半導体膜508に用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜508に用いるトランジスタより、トランジスタの電界効果移動度を高くすることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜508に用いるトランジスタより、駆動能力を高めることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜508に用いるトランジスタより、画素の開口率を向上することができる。
例えば、ポリシリコンを半導体膜508に用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜508に用いるトランジスタより、トランジスタの電界効果移動度を高くすることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜508に用いるトランジスタより、駆動能力を高めることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜508に用いるトランジスタより、画素の開口率を向上することができる。
または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜508に用いるトランジスタより、トランジスタの信頼性を高めることができる。
または、トランジスタの作製に要する温度を、例えば、単結晶シリコンを用いるトランジスタより、低くすることができる。
または、駆動回路のトランジスタに用いる半導体膜を、画素回路のトランジスタに用いる半導体膜と同一の工程で形成することができる。または、画素回路を形成する基板と同一の基板上に駆動回路を形成することができる。または、電子機器を構成する部品数を低減することができる。
[単結晶シリコン]
例えば、単結晶シリコンを半導体膜508に用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜508に用いる機能パネルより、精細度を高めることができる。または、例えば、ポリシリコンを半導体膜508に用いる機能パネルより、表示ムラが少ない機能パネルを提供することができる。または、例えば、スマートグラスまたはヘッドマウントディスプレイを提供することができる。
例えば、単結晶シリコンを半導体膜508に用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜508に用いる機能パネルより、精細度を高めることができる。または、例えば、ポリシリコンを半導体膜508に用いる機能パネルより、表示ムラが少ない機能パネルを提供することができる。または、例えば、スマートグラスまたはヘッドマウントディスプレイを提供することができる。
《半導体膜508の構成例2》
例えば、金属酸化物を半導体膜508に用いることができる。これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を30Hz未満、好ましくは1Hz未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。
例えば、金属酸化物を半導体膜508に用いることができる。これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を30Hz未満、好ましくは1Hz未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。
また、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が撮像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、第2の選択信号を30Hz未満、好ましくは1Hz未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、グローバルシャッター方式で撮影することができる。また、運動する被写体を、歪みを抑えて撮影することができる。
例えば、酸化物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。
一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタをスイッチ等に利用することができる。これにより、アモルファスシリコンを用いたトランジスタをスイッチに利用する回路より長い時間、フローティングノードの電位を保持することができる。
例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ25nmの膜を、半導体膜508に用いることができる。
例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ10nmの膜と、銅を含む厚さ300nmの膜と、を積層した導電膜を導電膜504に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜506との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。
例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ400nmの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ200nmの膜と、を積層した積層膜を、絶縁膜506に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜508との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を備える。
例えば、タングステンを含む厚さ50nmの膜と、アルミニウムを含む厚さ400nmの膜と、チタンを含む厚さ100nmの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜512Aまたは導電膜512Bに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体膜508と接する領域を備える。
ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体膜に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体膜に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体膜に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活用することができる。
これにより、表示のチラツキを抑制することができる。または、消費電力を低減することができる。または、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。または、豊かな階調で写真等を表示することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《半導体膜508の構成例3》
例えば、化合物半導体をトランジスタの半導体膜に用いることができる。具体的には、ガリウム・ヒ素を含む半導体を用いることができる。
例えば、化合物半導体をトランジスタの半導体膜に用いることができる。具体的には、ガリウム・ヒ素を含む半導体を用いることができる。
例えば、有機半導体をトランジスタの半導体膜に用いることができる。具体的には、ポリアセン類またはグラフェンを含む有機半導体を半導体膜に用いることができる。
《容量の構成例》
容量は、一の導電膜、他の導電膜および絶縁膜を備える。当該絶縁膜は一の導電膜および他の導電膜の間に挟まれる領域を備える。
容量は、一の導電膜、他の導電膜および絶縁膜を備える。当該絶縁膜は一の導電膜および他の導電膜の間に挟まれる領域を備える。
例えば、トランジスタのソース電極またはドレイン電極に用いる導電膜と、ゲート電極に用いる導電膜と、ゲート絶縁膜に用いる絶縁膜と、を容量に用いることができる。
《機能層520の構成例2》
機能層520は、絶縁膜521、絶縁膜518、絶縁膜516、絶縁膜506および絶縁膜501C等を備える(図11Aおよび図11B参照)。
機能層520は、絶縁膜521、絶縁膜518、絶縁膜516、絶縁膜506および絶縁膜501C等を備える(図11Aおよび図11B参照)。
絶縁膜521は、画素回路530G(i,j)および素子550G(i,j)の間に挟まれる領域を備える。
絶縁膜518は、絶縁膜521および絶縁膜501Cの間に挟まれる領域を備える。
絶縁膜516は絶縁膜518および絶縁膜501Cの間に挟まれる領域を備える。
絶縁膜506は絶縁膜516および絶縁膜501Cの間に挟まれる領域を備える。
[絶縁膜521]
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜521に用いることができる。
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜521に用いることができる。
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜521に用いることができる。
例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜521に用いることができる。なお、窒化シリコン膜は緻密な膜であり、不純物の拡散を抑制する機能に優れる。
例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜521に用いることができる。ところで、ポリイミドは熱的安定性、絶縁性、靱性、低誘電率、低熱膨張率、耐薬品性などの特性において他の有機材料に比べて優れた特性を備える。これにより、特にポリイミドを絶縁膜521等に好適に用いることができる。
また、感光性を有する材料を用いて、絶縁膜521を形成してもよい。具体的には、感光性のポリイミドまたは感光性のアクリル樹脂等を用いて形成された膜を絶縁膜521に用いることができる。
これにより、絶縁膜521は、例えば、絶縁膜521と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。
[絶縁膜518]
例えば、絶縁膜521に用いることができる材料を絶縁膜518に用いることができる。
例えば、絶縁膜521に用いることができる材料を絶縁膜518に用いることができる。
例えば、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等の拡散を抑制する機能を備える材料を絶縁膜518に用いることができる。具体的には、窒化物絶縁膜を絶縁膜518に用いることができる。例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等を絶縁膜518に用いることができる。これにより、トランジスタの半導体膜への不純物の拡散を抑制することができる。
[絶縁膜516]
例えば、絶縁膜521に用いることができる材料を絶縁膜516に用いることができる。
例えば、絶縁膜521に用いることができる材料を絶縁膜516に用いることができる。
具体的には、絶縁膜518とは作製方法が異なる膜を絶縁膜516に用いることができる。
[絶縁膜506]
例えば、絶縁膜521に用いることができる材料を絶縁膜506に用いることができる。
例えば、絶縁膜521に用いることができる材料を絶縁膜506に用いることができる。
具体的には、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜または酸化ネオジム膜を含む膜を絶縁膜506に用いることができる。
[絶縁膜501D]
絶縁膜501Dは、絶縁膜501Cおよび絶縁膜516の間に挟まれる領域を備える。
絶縁膜501Dは、絶縁膜501Cおよび絶縁膜516の間に挟まれる領域を備える。
例えば、絶縁膜506に用いることができる材料を絶縁膜501Dに用いることができる。
[絶縁膜501C]
例えば、絶縁膜521に用いることができる材料を絶縁膜501Cに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜501Cに用いることができる。これにより、画素回路、発光素子または光電変換素子等への不純物の拡散を抑制することができる。
例えば、絶縁膜521に用いることができる材料を絶縁膜501Cに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜501Cに用いることができる。これにより、画素回路、発光素子または光電変換素子等への不純物の拡散を抑制することができる。
《機能層520の構成例3》
機能層520は、導電膜、配線および端子を備える。導電性を備える材料を配線、電極、端子、導電膜等に用いることができる。
機能層520は、導電膜、配線および端子を備える。導電性を備える材料を配線、電極、端子、導電膜等に用いることができる。
[配線等]
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。
具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。
例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。
具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。
なお、例えば、導電材料を用いて、端子519Bをフレキシブルプリント基板FPC1と電気的に接続することができる(図10参照)。具体的には、導電材料CPを用いて、端子519Bをフレキシブルプリント基板FPC1と電気的に接続することができる。
<機能パネル700の構成例2>
また、機能パネル700は、基材510、基材770および封止材705を備える(図11A参照)。また、機能パネル700は構造体KBを備える。
また、機能パネル700は、基材510、基材770および封止材705を備える(図11A参照)。また、機能パネル700は構造体KBを備える。
《基材510、基材770》
透光性を備える材料を、基材510または基材770に用いることができる。
透光性を備える材料を、基材510または基材770に用いることができる。
例えば、可撓性を有する材料を基材510または基材770に用いることができる。これにより、可撓性を備える機能パネルを提供することができる。
例えば、厚さ0.7mm以下厚さ0.1mm以上の材料を用いることができる。具体的には、厚さ0.1mm程度まで研磨した材料を用いることができる。これにより、重量を低減することができる。
ところで、第6世代(1500mm×1850mm)、第7世代(1870mm×2200mm)、第8世代(2200mm×2400mm)、第9世代(2400mm×2800mm)、第10世代(2950mm×3400mm)等のガラス基板を基材510または基材770に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基材510または基材770に用いることができる。
例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を用いることができる。具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基材510または基材770に用いることができる。または、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、機能パネルの使用者に近い側に配置される基材510または基材770に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う機能パネルの破損や傷付きを防止することができる。
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等を用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を基材510または基材770に用いることができる。
例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、SOI基板等を基材510または基材770に用いることができる。これにより、半導体素子を基材510または基材770に形成することができる。
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基材510または基材770に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド(ナイロン、アラミド等)、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタンまたはアクリル樹脂、エポキシ樹脂またはシリコーンなどのシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基材510または基材770に用いることができる。例えば、これらの材料を含む樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を用いることができる。これにより、重量を低減することができる。または、例えば、落下に伴う破損等の発生頻度を低減することができる。
具体的には、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルサルフォン(PES)、シクロオレフィンポリマー(COP)またはシクロオレフィンコポリマー(COC)等を基材510または基材770に用いることができる。
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜と樹脂フィルム等を貼り合わせた複合材料を基材510または基材770に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂に分散した複合材料を基材510または基材770に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を基材510または基材770に用いることができる。
また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基材510または基材770に用いることができる。例えば、絶縁膜等が積層された材料を用いることができる。具体的には、酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を用いることができる。これにより、例えば、基材に含まれる不純物の拡散を防ぐことができる。または、ガラスまたは樹脂に含まれる不純物の拡散を防ぐことができる。または、樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐことができる。
また、紙または木材などを基材510または基材770に用いることができる。
例えば、作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基材510または基材770に用いることができる。具体的には、トランジスタまたは容量等を直接形成する作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する材料を、基材510または基材770に用いることができる。
例えば、作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用基板に絶縁膜、トランジスタまたは容量等を形成し、形成された絶縁膜、トランジスタまたは容量等を、例えば、基材510または基材770に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば、可撓性を有する基板に絶縁膜、トランジスタまたは容量等を形成できる。
《封止材705》
封止材705は、機能層520および基材770の間に挟まれる領域を備え、機能層520および基材770を貼り合わせる機能を備える(図11A参照)。
封止材705は、機能層520および基材770の間に挟まれる領域を備え、機能層520および基材770を貼り合わせる機能を備える(図11A参照)。
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材705に用いることができる。
例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材705に用いることができる。
例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または/および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材705に用いることができる。
具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等を含む接着剤を封止材705に用いることができる。
《構造体KB》
構造体KBは、機能層520および基材770の間に挟まれる領域を備える。また、構造体KBは、機能層520および基材770の間に所定の間隙を設ける機能を備える。
構造体KBは、機能層520および基材770の間に挟まれる領域を備える。また、構造体KBは、機能層520および基材770の間に所定の間隙を設ける機能を備える。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
(実施の形態4)
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図11及び図12を参照しながら説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図11及び図12を参照しながら説明する。
<機能パネル700の構成例1>
機能パネル700は、素子550G(i,j)を備える(図11参照)。
機能パネル700は、素子550G(i,j)を備える(図11参照)。
《素子550G(i,j)の構成例1》
電極551G(i,j)、電極552および光機能層553P1(i,j)を、素子550G(i,j)に用いることができる。また、光機能層553P1(i,j)は、電極551G(i,j)および電極552に挟まれる領域を備える。
電極551G(i,j)、電極552および光機能層553P1(i,j)を、素子550G(i,j)に用いることができる。また、光機能層553P1(i,j)は、電極551G(i,j)および電極552に挟まれる領域を備える。
[光機能層553P1(i,j)の構成例1]
例えば、積層材料を光機能層553P1(i,j)に用いることができる。
例えば、積層材料を光機能層553P1(i,j)に用いることができる。
例えば、青色の光を発する材料、緑色の光を発する材料、赤色の光を発する材料、赤外線を発する材料または紫外線を発する材料を、光機能層553P1(i,j)に用いることができる。
[光機能層553P1(i,j)の構成例2]
例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、光機能層553P1(i,j)に用いることができる。
例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、光機能層553P1(i,j)に用いることができる。
具体的には、色相が互いに異なる光を発する複数の材料を、光機能層553P1(i,j)に用いることができる。
例えば、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の材料を含む層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層を積層した積層材料を、光機能層553P1(i,j)に用いることができる。または、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の材料を含む層と、黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層材料を、光機能層553P1(i,j)に用いることができる。
なお、光機能層553P1(i,j)に、例えば、着色膜CF(G)を重ねて用いることができる。これにより、白色の光から、所定の色相の光を取り出すことができる。
[光機能層553P1(i,j)の構成例3]
例えば、青色の光または紫外線を射出するように積層された積層材料を、光機能層553P1(i,j)に用いることができる。また、例えば、色変換層を重ねて用いることができる。
例えば、青色の光または紫外線を射出するように積層された積層材料を、光機能層553P1(i,j)に用いることができる。また、例えば、色変換層を重ねて用いることができる。
[光機能層553P1(i,j)の構成例4]
光機能層553P1(i,j)は、発光ユニットを備える。発光ユニットは、一方から注入された電子が他方から注入された正孔と再結合する領域を1つ備える。また、発光ユニットは発光性の材料を含み、発光性の材料は電子と正孔の再結合により生じるエネルギーを光として放出する。なお、正孔輸送層および電子輸送層を発光ユニットに用いることができる。正孔輸送層は電子輸送層より正極側に配置され、正孔輸送層は電子輸送層より正孔の移動度が高い。
光機能層553P1(i,j)は、発光ユニットを備える。発光ユニットは、一方から注入された電子が他方から注入された正孔と再結合する領域を1つ備える。また、発光ユニットは発光性の材料を含み、発光性の材料は電子と正孔の再結合により生じるエネルギーを光として放出する。なお、正孔輸送層および電子輸送層を発光ユニットに用いることができる。正孔輸送層は電子輸送層より正極側に配置され、正孔輸送層は電子輸送層より正孔の移動度が高い。
例えば、複数の発光ユニットおよび中間層を光機能層553P1(i,j)に用いることができる。中間層は、二つの発光ユニットの間に挟まれる領域を備える。中間層は電荷発生領域を備え、中間層は陰極側に配置された発光ユニットに正孔を供給し、陽極側に配置された発光ユニットに電子を供給する機能を備える。なお、複数の発光ユニットおよび中間層を備える構成をタンデム型の発光素子という場合がある。
これにより、発光に係る電流効率を高めることができる。または、同じ輝度において、発光素子を流れる電流密度を下げることができる。または、発光素子の信頼性を高めることができる。
例えば、一の色相の光を発する材料を含む発光ユニットを、他の色相の光を発する材料を含む発光ユニットと重ねて、光機能層553P1(i,j)に用いることができる。または、一の色相の光を発する材料を含む発光ユニットを、同一の色相の光を発する材料を含む発光ユニットと重ねて、光機能層553P1(i,j)に用いることができる。具体的には、青色の光を発する材料を含む二つの発光ユニットを重ねて用いることができる。
ところで、例えば、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)、中分子化合物(低分子と高分子の中間領域の化合物:分子量400以上4000以下)等を、光機能層553P1(i,j)に用いることができる。
[電極551G(i,j)、電極552]
例えば、配線等に用いることができる材料を電極551G(i,j)または電極552に用いることができる。具体的には、可視光について透光性を有する材料を電極551G(i,j)または電極552に用いることができる。
例えば、配線等に用いることができる材料を電極551G(i,j)または電極552に用いることができる。具体的には、可視光について透光性を有する材料を電極551G(i,j)または電極552に用いることができる。
例えば、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を用いることができる。または、可視光について透光性を有する材料を用いることができる。
例えば、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を電極551G(i,j)または電極552に用いることができる。例えば、光機能層553P1(i,j)などを用いて、電極551G(i,j)および電極552の間の距離を調整する。
これにより、微小共振器構造を素子550G(i,j)に設けることができる。または、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。または、スペクトルの半値幅が狭い光を取り出すことができる。または、鮮やかな色の光を取り出すことができる。
例えば、効率よく光を反射する膜を、電極551G(i,j)または電極552に用いることができる。具体的には、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を金属膜に用いることができる。
また、電極551G(i,j)は、開口部591Gにおいて、画素回路530G(i,j)と電気的に接続される(図11A参照)。電極551G(i,j)は、例えば、絶縁膜528に形成される開口部と重なり、電極551G(i,j)は周縁に絶縁膜528を備える。
これにより、電極551G(i,j)および電極552の短絡を防止することができる。
《素子550S(i,j)の構成例1》
素子550S(i,j)は、電極551S(i,j)、電極552および光機能層553P2(i,j)を備える(図12A参照)。
素子550S(i,j)は、電極551S(i,j)、電極552および光機能層553P2(i,j)を備える(図12A参照)。
例えば、ヘテロ接合型の光電変換素子、バルクヘテロ接合型の光電変換素子等を、素子550S(i,j)に用いることができる。
[光機能層553P2(i,j)の構成例1]
例えば、p型の半導体膜とn型の半導体膜が互いに接するように積層した積層膜を、光機能層553P2(i,j)に用いることができる。なお、光機能層553P2(i,j)にこのような構造の積層膜を用いる素子550S(i,j)を、PN型のフォトダイオードということができる。
例えば、p型の半導体膜とn型の半導体膜が互いに接するように積層した積層膜を、光機能層553P2(i,j)に用いることができる。なお、光機能層553P2(i,j)にこのような構造の積層膜を用いる素子550S(i,j)を、PN型のフォトダイオードということができる。
例えば、p型の半導体膜およびn型の半導体膜の間にi型の半導体膜を挟むように、p型の半導体膜、i型の半導体膜およびn型の半導体膜を積層した積層膜を、光機能層553P2(i,j)に用いることができる。なお、光機能層553P2(i,j)にこのような構造の積層膜を用いる素子550S(i,j)を、PIN型のフォトダイオードということができる。
例えば、p+型の半導体膜およびn型の半導体膜の間にp-型の半導体膜を挟み、当該p-型の半導体膜および当該n型の半導体膜の間にp型の半導体膜を挟むように、p+型の半導体膜、p-型の半導体膜、p型の半導体膜およびn型の半導体膜を積層した積層膜を、光機能層553P2(i,j)に用いることができる。なお、光機能層553P2(i,j)にこのような構造の積層膜を用いる素子550S(i,j)を、アバランシェフォトダイオードということができる。
[光機能層553P2(i,j)の構成例2]
例えば、14族の元素を含む半導体を、光機能層553P2(i,j)に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体を、光機能層553P2(i,j)に用いることができる。例えば、水素化アモルファスシリコン、微結晶シリコン、ポリシリコンまたは単結晶シリコン等を、光機能層553P2(i,j)に用いることができる。
例えば、14族の元素を含む半導体を、光機能層553P2(i,j)に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体を、光機能層553P2(i,j)に用いることができる。例えば、水素化アモルファスシリコン、微結晶シリコン、ポリシリコンまたは単結晶シリコン等を、光機能層553P2(i,j)に用いることができる。
例えば、有機半導体を、光機能層553P2(i,j)に用いることができる。具体的には、光機能層553P1(i,j)に用いる層の一部を、光機能層553P2(i,j)の一部に用いることができる。
具体的には、光機能層553P1(i,j)に用いる正孔輸送層および電子輸送層を、光機能層553P2(i,j)に用いることができる。これにより、作製工程を簡略化することができる。
また、例えば、フラーレン(例えばC60、C70等)またはその誘導体等の電子受容性の有機半導体材料をn型の半導体膜に用いることができる。
また、例えば、銅(II)フタロシアニン(Copper(II) phthalocyanine;CuPc)またはテトラフェニルジベンゾペリフランテン(Tetraphenyldibenzoperiflanthene;DBP)等の電子供与性の有機半導体材料をp型の半導体膜に用いることができる。
また、例えば、電子受容性の半導体材料と電子供与性の半導体材料とを共蒸着した膜をi型の半導体膜に用いることができる。
<機能パネル700の構成例2>
機能パネル700は、絶縁膜528および絶縁膜573を有する(図11A参照)。
機能パネル700は、絶縁膜528および絶縁膜573を有する(図11A参照)。
《絶縁膜528》
絶縁膜528は機能層520および基材770の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜528は素子550G(i,j)と重なる領域に開口部を備える(図11A参照)。
絶縁膜528は機能層520および基材770の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜528は素子550G(i,j)と重なる領域に開口部を備える(図11A参照)。
例えば、絶縁膜521に用いることができる材料を、絶縁膜528に用いることができる。具体的には、酸化珪素膜、アクリル樹脂を含む膜またはポリイミドを含む膜等を絶縁膜528に用いることができる。
《絶縁膜573》
絶縁膜573は、機能層520との間に素子550G(i,j)を挟む領域を備える(図11A参照)。
絶縁膜573は、機能層520との間に素子550G(i,j)を挟む領域を備える(図11A参照)。
例えば、単数の膜または複数の膜を積層した積層膜を絶縁膜573に用いることができる。具体的には、素子550G(i,j)を損傷し難い方法で形成することができる絶縁膜573Aと、欠陥の少ない緻密な絶縁膜573Bと、を積層した積層膜を、絶縁膜573に用いることができる。これにより、素子550G(i,j)への不純物の拡散を抑制することができる。または、素子550G(i,j)の信頼性を高めることができる。
<機能パネル700の構成例3>
機能パネル700は、機能層720を備える(図11A参照)。
機能パネル700は、機能層720を備える(図11A参照)。
《機能層720》
機能層720は、遮光膜BM、着色膜CF(G)および絶縁膜771を備える。
機能層720は、遮光膜BM、着色膜CF(G)および絶縁膜771を備える。
《遮光膜BM》
遮光膜BMは画素702G(i,j)と重なる領域に開口部を備える。また、遮光膜BMは画素702S(i,j)と重なる領域に開口部を備える。
遮光膜BMは画素702G(i,j)と重なる領域に開口部を備える。また、遮光膜BMは画素702S(i,j)と重なる領域に開口部を備える。
例えば、暗色の材料を遮光膜BMに用いることができる。これにより、表示のコントラストを向上することができる。
《着色膜CF(G)》
着色膜CF(G)は、基材770および素子550G(i,j)の間に挟まれる領域を備える。例えば、所定の色の光を選択的に透過する材料を着色膜CF(G)に用いることができる。具体的には、赤色の光、緑色の光または青色の光を透過する材料を着色膜CF(G)に用いることができる。
着色膜CF(G)は、基材770および素子550G(i,j)の間に挟まれる領域を備える。例えば、所定の色の光を選択的に透過する材料を着色膜CF(G)に用いることができる。具体的には、赤色の光、緑色の光または青色の光を透過する材料を着色膜CF(G)に用いることができる。
《絶縁膜771の構成例》
絶縁膜771は、基材770および素子550G(i,j)の間に挟まれる領域を備える。
絶縁膜771は、基材770および素子550G(i,j)の間に挟まれる領域を備える。
絶縁膜771は、基材770との間に、遮光層BMまたは着色膜CF(G)を挟む領域を備える。これにより、遮光層BMまたは着色膜CF(G)の厚さに由来する凹凸を平坦にすることができる。
<機能パネル700の構成例4>
機能パネル700は、遮光膜KBMを備える(図11A参照)。
機能パネル700は、遮光膜KBMを備える(図11A参照)。
《遮光膜KBM》
遮光膜KBMは画素702S(i,j)と重なる領域に開口部を備える。また、遮光膜KBMは、機能層520および基材770の間に挟まれる領域を備え、機能層520および基材770の間に所定の間隙を設ける機能を備える。例えば、暗色の材料を遮光膜KBMに用いることができる。これにより、画素702S(i,j)に進入する迷光を抑制することができる。
遮光膜KBMは画素702S(i,j)と重なる領域に開口部を備える。また、遮光膜KBMは、機能層520および基材770の間に挟まれる領域を備え、機能層520および基材770の間に所定の間隙を設ける機能を備える。例えば、暗色の材料を遮光膜KBMに用いることができる。これにより、画素702S(i,j)に進入する迷光を抑制することができる。
<機能パネル700の構成例5>
機能パネル700は、機能膜770Pなどを備える(図11A参照)。
機能パネル700は、機能膜770Pなどを備える(図11A参照)。
《機能膜770P等》
機能膜770Pは、素子550G(i,j)と重なる領域を備える。
機能膜770Pは、素子550G(i,j)と重なる領域を備える。
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜770Pに用いることができる。
例えば、厚さ1μm以下の反射防止膜を、機能膜770Pに用いることができる。具体的には、誘電体を3層以上、好ましくは5層以上、より好ましくは15層以上積層した積層膜を機能膜770Pに用いることができる。これにより、反射率を0.5%以下好ましくは0.08%以下に抑制することができる。
例えば、円偏光フィルムを機能膜770Pに用いることができる。
また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、汚れを付着しにくくする撥油性の膜、反射防止膜(アンチ・リフレクション膜)、非光沢処理膜(アンチ・グレア膜)、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、発生した傷が修復する自己修復性のフィルムなどを、機能膜770Pに用いることができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
(実施の形態5)
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図14乃至図16を参照しながら説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図14乃至図16を参照しながら説明する。
図14は、本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。
図15は、本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する回路図である。図15Aは、本発明の一態様の機能パネルに用いることができる増幅回路の一部を説明する回路図であり、図15Bは、本発明の一態様の機能パネルに用いることができるサンプリング回路の一部を説明する回路図である。
図16は、本発明の一態様の機能パネルの動作を説明する図である。
<機能パネル700の構成例1>
本実施の形態で説明する機能パネル700は、領域231を有する(図14参照)。
本実施の形態で説明する機能パネル700は、領域231を有する(図14参照)。
《領域231の構成例1》
領域231は、一群の画素703(i,1)乃至画素703(i,m)および他の一群の画素703(1,j)乃至画素703(n,j)を備える。また、領域231は、導電膜G1(i)、導電膜TX(i)、導電膜S1g(j)および導電膜WX(j)を備える。
領域231は、一群の画素703(i,1)乃至画素703(i,m)および他の一群の画素703(1,j)乃至画素703(n,j)を備える。また、領域231は、導電膜G1(i)、導電膜TX(i)、導電膜S1g(j)および導電膜WX(j)を備える。
一群の画素703(i,1)乃至画素703(i,n)は、行方向(図中に矢印R1で示す方向)に配設され、一群の画素703(i,1)乃至画素703(i,n)は、画素703(i,j)を含む。
また、一群の画素703(i,1)乃至画素703(i,n)は、導電膜G1(i)と電気的に接続され、一群の画素703(i,1)乃至画素703(i,n)は、導電膜TX(i)と電気的に接続される。
他の一群の画素703(1,j)乃至画素703(m,j)は、行方向と交差する列方向(図中に矢印C1で示す方向)に配設され、他の一群の画素703(1,j)乃至画素703(m,j)は、画素703(i,j)を含む。
また、他の一群の画素703(1,j)乃至画素703(m,j)は、導電膜S1g(j)と電気的に接続され、他の一群の画素703(1,j)乃至画素703(m,j)は、導電膜WX(j)と電気的に接続される。
これにより、複数の画素から撮像情報を取得することができる。または、複数の画素に画像情報を供給することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《領域231の構成例2》
領域231は、1インチあたり600個以上の複数の画素を備える。なお、複数の画素は画素702G(i,j)を含む。
領域231は、1インチあたり600個以上の複数の画素を備える。なお、複数の画素は画素702G(i,j)を含む。
《領域231の構成例3》
領域231は、複数の画素を行列状に備える。例えば、領域231は、7600個以上の画素を行方向に備え、領域231は4300個以上の画素を列方向に備える。具体的には、7680個の画素を行方向に備え、4320個の画素を列方向に備える。
領域231は、複数の画素を行列状に備える。例えば、領域231は、7600個以上の画素を行方向に備え、領域231は4300個以上の画素を列方向に備える。具体的には、7680個の画素を行方向に備え、4320個の画素を列方向に備える。
これにより、精細な画像を表示することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《領域231の構成例4》
領域231は、対角線の長さが114cm以上200cm以下である。
領域231は、対角線の長さが114cm以上200cm以下である。
これにより、臨場感のある画像を表示することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
また、図示しないが、領域231は、導電膜VCOM2および導電膜ANOを有する。
<機能パネル700の構成例2>
本実施の形態で説明する機能パネルは、駆動回路GDを有する(図14参照)。
本実施の形態で説明する機能パネルは、駆動回路GDを有する(図14参照)。
《駆動回路GDの構成例1》
駆動回路GDは第1の選択信号を供給する。
駆動回路GDは第1の選択信号を供給する。
《画素回路530G(i,j)の構成例1》
画素回路530G(i,j)は、第1の選択信号を供給され、画素回路530G(i,j)は、第1の選択信号に基づいて、画像信号を取得する。例えば、導電膜G1(i)を用いて、第1の選択信号を供給することができる(図7B参照)。または、導電膜S1g(j)を用いて画像信号を供給することができる。なお、第1の選択信号を供給し、画像信号を画素回路530G(i,j)に取得させる動作を「書き込み」ということができる(図16参照)。
画素回路530G(i,j)は、第1の選択信号を供給され、画素回路530G(i,j)は、第1の選択信号に基づいて、画像信号を取得する。例えば、導電膜G1(i)を用いて、第1の選択信号を供給することができる(図7B参照)。または、導電膜S1g(j)を用いて画像信号を供給することができる。なお、第1の選択信号を供給し、画像信号を画素回路530G(i,j)に取得させる動作を「書き込み」ということができる(図16参照)。
素子550G(i,j)は画像信号に基づいて、発光する(図7A参照)。
なお、素子550G(i,j)は、画素回路530G(i,j)と電気的に接続される電極551G(i,j)と、導電膜VCOM2と電気的に接続される電極552を備える(図8および図11A参照)。
<機能パネル700の構成例3>
本発明の一態様の機能パネルは、読み出し回路RC(j)と、導電膜VLENと、導電膜VIVと、導電膜CLと、を有する(図14、図9、図15Aおよび図15B参照)。
本発明の一態様の機能パネルは、読み出し回路RC(j)と、導電膜VLENと、導電膜VIVと、導電膜CLと、を有する(図14、図9、図15Aおよび図15B参照)。
《読み出し回路RC(j)の構成例》
読み出し回路RC(j)は、増幅回路およびサンプリング回路SC(j)を備える(図14参照)。
読み出し回路RC(j)は、増幅回路およびサンプリング回路SC(j)を備える(図14参照)。
《増幅回路の構成例》
増幅回路は、トランジスタM32(j)を含む(図15A参照)。
増幅回路は、トランジスタM32(j)を含む(図15A参照)。
トランジスタM32(j)は、導電膜VLENと電気的に接続されるゲート電極と、導電膜WX(j)と電気的に接続される第1の電極と、導電膜VIVと電気的に接続される第2の電極と、備える。
なお、スイッチSW33が導通状態のとき、導電膜WX(j)は、トランジスタM31およびトランジスタM32(j)を接続する(図9および図15A参照)。これにより、トランジスタM31およびトランジスタM32(j)を用いて、ソースフォロワ回路を構成することができる。または、ノードFDの電位に基づいて、導電膜WX(j)の電位を変化することができる。
《サンプリング回路SC(j)の構成例》
サンプリング回路SC(j)は、第1の端子IN(j)、第2の端子および第3の端子OUT(j)を備える(図15B参照)。
サンプリング回路SC(j)は、第1の端子IN(j)、第2の端子および第3の端子OUT(j)を備える(図15B参照)。
第1の端子IN(j)は導電膜WX(j)と電気的に接続され、第2の端子は導電膜CLと電気的に接続され、第3の端子OUT(j)は第1の端子IN(j)の電位に基づいて変化する信号を供給する機能を備える。
これにより、画素回路530S(i,j)から撮像信号を取得することができる。または、例えば、相関二重サンプリング法を適用することができる。または、サンプリング回路SC(j)を導電膜WX(j)ごとに設けることができる。画素回路530S(i,j)の差分信号を、導電膜WX(j)ごとに取得することができる。または、サンプリング回路SC(j)の動作周波数を抑制することができる。または、ノイズを低減することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
<機能パネル700の構成例4>
機能パネル700は、駆動回路RDを有する(図14参照)。
機能パネル700は、駆動回路RDを有する(図14参照)。
《駆動回路RDの構成例1》
駆動回路RDは、第2の選択信号および第3の選択信号を供給する。
駆動回路RDは、第2の選択信号および第3の選択信号を供給する。
《画素回路530S(i,j)の構成例1》
画素回路530S(i,j)は、第1の選択信号を供給されていない期間に、第2の選択信号および第3の選択信号を供給される(図16参照)。また、画素回路530S(i,j)は、第2の選択信号に基づいて、撮像信号を取得し、第3の選択信号に基づいて、撮像信号を供給する。例えば、導電膜TX(i)を用いて、第2の選択信号を供給し、導電膜SE(i)を用いて、第3の選択信号を供給することができる(図9参照)。
画素回路530S(i,j)は、第1の選択信号を供給されていない期間に、第2の選択信号および第3の選択信号を供給される(図16参照)。また、画素回路530S(i,j)は、第2の選択信号に基づいて、撮像信号を取得し、第3の選択信号に基づいて、撮像信号を供給する。例えば、導電膜TX(i)を用いて、第2の選択信号を供給し、導電膜SE(i)を用いて、第3の選択信号を供給することができる(図9参照)。
なお、第2の選択信号を供給し、撮像信号を画素回路530S(i,j)に取得させる動作を「撮像」ということができる(図16参照)。また、画素回路530S(i,j)から撮像信号を読み出す動作を「読み出し」ということができる。また、所定の電圧を素子550S(i,j)に供給する動作を「初期化」と、所定の期間、初期化後の素子550S(i,j)を光にさらす動作を「露光」と、露光にともない変化した電圧を画素回路530S(i,j)に反映する動作を「転送」ということができる。また、図中のSRSは相関二重サンプリング法に用いる参照信号を供給する動作に、「出力」は撮像信号を供給する動作に相当する。
例えば、1フレームの画像情報を、16.7msで書き込むことができる。具体的には、60Hzのフレームレートで動作することができる。なお、画像信号を、画素回路530G(i,j)に15.2μsで書き込むことができる。
例えば、1フレームの画像情報を、16フレームに相当する期間、保持することができる。または、1フレームの撮像情報を、16フレームに相当する期間で撮影および読み出すことができる。
具体的には、15μsで初期化し、1ms以上5ms以下で露光し、150μsで転送することができる。または、250msで読み出すことができる。
なお、素子550S(i,j)は、画素回路530S(i,j)と電気的に接続される電極551S(i,j)と、導電膜VPDと電気的に接続される電極552を備える(図9および図12A参照)。また、素子550G(i,j)に用いる電極552を、素子550S(i,j)に用いることができる。これにより、機能パネルの構成および作製工程を簡略化することができる。
これにより、第1の選択信号が供給されていない期間に撮像することができる。または、撮像時のノイズを抑制することができる。または、第1の選択信号が供給されていない期間に、撮像信号を読み取ることができる。または、読み取り時のノイズを抑制することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《画素703(i,j)の構成例4》
画素703(i,j)は、一の画像信号を保持している期間に、第2の選択信号を供給される。例えば、画素回路530G(i,j)が一の画像信号を保持している期間に、画素703(i,j)は、素子550G(i,j)を用いて、当該画像信号に基づいて、光を射出することができる(図16参照)。または、画素回路530G(i,j)が、第1の選択信号に基づいて、一の画像信号を取得したのちに、再び第1の選択信号を供給されるまでの間に、画素回路530S(i,j)は第2の選択信号を供給される。
画素703(i,j)は、一の画像信号を保持している期間に、第2の選択信号を供給される。例えば、画素回路530G(i,j)が一の画像信号を保持している期間に、画素703(i,j)は、素子550G(i,j)を用いて、当該画像信号に基づいて、光を射出することができる(図16参照)。または、画素回路530G(i,j)が、第1の選択信号に基づいて、一の画像信号を取得したのちに、再び第1の選択信号を供給されるまでの間に、画素回路530S(i,j)は第2の選択信号を供給される。
これにより、画像信号を用いて、素子550G(i,j)が射出する光の強度を制御することができる。または、強度が制御された光を、被写体に照射することができる。または、素子550S(i,j)を用いて、被写体を撮像することができる。または、照射する光の強度を制御しながら、素子550S(i,j)を用いて、被写体を撮像することができる。または、画素回路530G(i,j)が保持する信号の、一の画像信号から他の画像信号への変化がもたらす、撮像信号への影響をなくすことができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
<機能パネル700の構成例5>
また、本発明の一態様の機能パネル700は、マルチプレクサMUXと、増幅回路AMPと、アナログデジタル変換回路ADCと、を有する(図14参照)。
また、本発明の一態様の機能パネル700は、マルチプレクサMUXと、増幅回路AMPと、アナログデジタル変換回路ADCと、を有する(図14参照)。
《マルチプレクサMUXの構成例》
マルチプレクサMUXは、複数のサンプリング回路SC(j)から一つを選んで撮像信号を取得し、例えば増幅回路AMPに供給する機能を備える。
マルチプレクサMUXは、複数のサンプリング回路SC(j)から一つを選んで撮像信号を取得し、例えば増幅回路AMPに供給する機能を備える。
例えば、マルチプレクサMUXは、サンプリング回路SC(j)の第3の端子OUT(j)と電気的に接続される(図15B参照)。具体的には、マルチプレクサMUXは、9つのサンプリング回路と電気的に接続され、所定のサンプリング回路から撮像信号を取得し、増幅回路AMPに供給することができる。
これにより、行方向に配設される複数の画素から所定の画素を選択して撮像情報を取得することができる。または、同時に取得する撮像信号の数を所定の数に抑制することができる。または、入力チャンネル数が、行方向に配設される画素の数より少ないアナログデジタル変換回路ADCを用いることができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《増幅回路AMPの構成例》
増幅回路AMPは撮像信号を増幅し、アナログデジタル変換回路ADCに供給することができる。
増幅回路AMPは撮像信号を増幅し、アナログデジタル変換回路ADCに供給することができる。
なお、機能層520はマルチプレクサMUXおよび増幅回路AMPを備える。
これにより、例えば、画素回路530G(i,j)に用いる半導体膜を形成する工程において、マルチプレクサMUXおよび増幅回路AMPに用いる半導体膜を形成することができる。または、機能パネルの作製工程を簡略化することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《アナログデジタル変換回路ADCの構成例》
アナログデジタル変換回路ADCは、アナログの撮像信号をデジタル信号に変換する機能を備える。
アナログデジタル変換回路ADCは、アナログの撮像信号をデジタル信号に変換する機能を備える。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
(実施の形態6)
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図17を参照しながら説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図17を参照しながら説明する。
図17は本発明の一態様の表示装置の構成を説明する図である。図17Aは本発明の一態様の表示装置のブロック図であり、図17B乃至図17Dは本発明の一態様の表示装置の外観を説明する斜視図である。
<表示装置の構成例>
本実施の形態で説明する表示装置は、機能パネル700と、制御部238と、を有する(図17A参照)。
本実施の形態で説明する表示装置は、機能パネル700と、制御部238と、を有する(図17A参照)。
《制御部238の構成例1》
制御部238は、画像情報VIおよび制御情報CIを供給される。例えば、クロック信号またはタイミング信号などを制御情報CIに用いることができる。
制御部238は、画像情報VIおよび制御情報CIを供給される。例えば、クロック信号またはタイミング信号などを制御情報CIに用いることができる。
制御部238は画像情報VIに基づいて情報を生成し、制御情報CIに基づいて制御信号を生成する。また、制御部238は情報および制御信号を供給する。
例えば、情報は、8bit以上好ましくは12bit以上の階調を含む。また、例えば、駆動回路に用いるシフトレジスタのクロック信号またはスタートパルスなどを、制御信号に用いることができる。
《制御部238の構成例2》
例えば、伸張回路234および画像処理回路235を制御部238に用いることができる。
例えば、伸張回路234および画像処理回路235を制御部238に用いることができる。
《伸張回路234》
伸張回路234は、圧縮された状態で供給される画像情報VIを伸張する機能を備える。伸張回路234は、記憶部を備える。記憶部は、例えば伸張された画像情報を記憶する機能を備える。
伸張回路234は、圧縮された状態で供給される画像情報VIを伸張する機能を備える。伸張回路234は、記憶部を備える。記憶部は、例えば伸張された画像情報を記憶する機能を備える。
《画像処理回路235》
画像処理回路235は、例えば、記憶領域を備える。記憶領域は、例えば、画像情報VIに含まれる情報を記憶する機能を備える。
画像処理回路235は、例えば、記憶領域を備える。記憶領域は、例えば、画像情報VIに含まれる情報を記憶する機能を備える。
画像処理回路235は、例えば、所定の特性曲線に基づいて画像情報VIを補正して情報を生成する機能と、情報を供給する機能を備える。
《機能パネルの構成例1》
機能パネル700は情報および制御信号を供給される。例えば、実施の形態1乃至実施の形態5において説明する機能パネル700を用いることができる。
機能パネル700は情報および制御信号を供給される。例えば、実施の形態1乃至実施の形態5において説明する機能パネル700を用いることができる。
《画素703(i,j)の構成例5》
画素703(i,j)は、情報および制御信号に基づいて表示する。
画素703(i,j)は、情報および制御信号に基づいて表示する。
これにより、画素703(i,j)を用いて画像情報を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、例えば、スマートウオッチ(図17B参照)、映像モニター(図17C参照)またはノートブックコンピュータ(図17D参照)などを提供することができる。
《機能パネルの構成例2》
例えば、機能パネル700は駆動回路および制御回路233を備える(図17A参照)。
例えば、機能パネル700は駆動回路および制御回路233を備える(図17A参照)。
《駆動回路》
駆動回路は制御信号に基づいて動作する。制御信号を用いることにより、複数の駆動回路の動作を同期することができる。
駆動回路は制御信号に基づいて動作する。制御信号を用いることにより、複数の駆動回路の動作を同期することができる。
例えば、駆動回路GDを機能パネル700に用いることができる。駆動回路GDは、制御信号を供給され、第1の選択信号を供給する機能を備える。
また、例えば、駆動回路SDを機能パネル700に用いることができる。駆動回路SDは、制御信号および情報を供給され、画像信号を供給することができる。
また、例えば、駆動回路RDを機能パネル700に用いることができる。駆動回路RDは制御信号を供給され、第2の選択信号を供給することができる。
また、例えば、読み出し回路RCを機能パネル700に用いることができる。読み出し回路RCは制御信号を供給され、例えば、相関二重サンプリング法を用いて、撮像信号を読み出すことができる。
《制御回路233》
制御回路は制御信号を生成し、供給する機能を備える。例えば、クロック信号またはタイミング信号などを制御信号に用いることができる。
制御回路は制御信号を生成し、供給する機能を備える。例えば、クロック信号またはタイミング信号などを制御信号に用いることができる。
具体的には、リジッド基板上に形成された制御回路を機能パネルに用いることができる。または、リジッド基板上に形成された制御回路を、フレキシブルプリント基板を用いて制御部238と電気的に接続することができる。
例えば、タイミングコントローラを制御回路233に用いることができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
(実施の形態7)
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図18を参照しながら説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図18を参照しながら説明する。
図18は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明するブロック図である。
<入出力装置の構成例1>
本実施の形態で説明する入出力装置は、入力部240と、表示部230と、を有する(図18参照)。
本実施の形態で説明する入出力装置は、入力部240と、表示部230と、を有する(図18参照)。
《表示部230の構成例》
表示部230は、機能パネルを備える。例えば、実施の形態1乃至実施の形態5において説明する機能パネル700を表示部230に用いることができる。なお、入力部240および表示部230を有する構成を入出力パネル700TPということができる。
表示部230は、機能パネルを備える。例えば、実施の形態1乃至実施の形態5において説明する機能パネル700を表示部230に用いることができる。なお、入力部240および表示部230を有する構成を入出力パネル700TPということができる。
《入力部240の構成例》
入力部240は検知領域241を備える。入力部240は検知領域241に近接するものを検知する機能を備える。
入力部240は検知領域241を備える。入力部240は検知領域241に近接するものを検知する機能を備える。
また、検知領域241は、画素703(i,j)と重なる領域を備える。
これにより、表示部を用いて画像情報を表示しながら、表示部と重なる領域に近接するものを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付けることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
《検知領域241の構成例1》
検知領域241は、例えば、単数または複数の検知器を備える。
検知領域241は、例えば、単数または複数の検知器を備える。
検知領域241は、一群の検知器802(g,1)乃至検知器802(g,q)と、他の一群の検知器802(1,h)乃至検知器802(p,h)と、を有する。なお、gは1以上p以下の整数であり、hは1以上q以下の整数であり、pおよびqは1以上の整数である。
一群の検知器802(g,1)乃至検知器802(g,q)は、検知器802(g,h)を含み、行方向(図中に矢印R2で示す方向)に配設される。なお、矢印R2で示す方向は、矢印R1で示す方向と同じであっても良いし、異なっていてもよい。
また、他の一群の検知器802(1,h)乃至検知器802(p,h)は、検知器802(g,h)を含み、行方向と交差する列方向(図中に矢印C2で示す方向)に配設される。
《検知器》
検知器は近接するポインタを検知する機能を備える。例えば、指やスタイラスペン等をポインタに用いることができる。例えば、金属片またはコイル等を、スタイラスペンに用いることができる。
検知器は近接するポインタを検知する機能を備える。例えば、指やスタイラスペン等をポインタに用いることができる。例えば、金属片またはコイル等を、スタイラスペンに用いることができる。
具体的には、静電容量方式の近接センサ、電磁誘導方式の近接センサ、光学方式の近接センサ、抵抗膜方式の近接センサなどを、検知器に用いることができる。
また、複数の方式の検知器を併用することもできる。例えば、指を検知する検知器と、スタイラスペンを検知する検知器とを、併用することができる。
これにより、ポインタの種類を判別することができる。または、判別したポインタの種類に基づいて、異なる命令を検知情報に関連付けることができる。具体的には、ポインタに指を用いたと判別した場合は、検知情報をジェスチャーと関連付けることができる。または、ポインタにスタイラスペンを用いたと判別した場合は、検知情報を描画処理と関連付けることができる。
具体的には、静電容量方式、感圧方式または光学方式の近接センサを用いて、指を検知することができる。または、電磁誘導方式または光学方式の近接センサを用いて、スタイラスペンを検知することができる。
《入力部240の構成例2》
入力部240は発振回路OSCおよび検知回路DCを備える(図18参照)。
入力部240は発振回路OSCおよび検知回路DCを備える(図18参照)。
発振回路OSCは探索信号を検知器802(g,h)に供給する。例えば、矩形波、のこぎり波、三角波、サイン波等を、探索信号に用いることができる。
検知器802(g,h)は、検知器802(g,h)に近接するポインタまでの距離および探索信号に基づいて変化する検知信号を生成し供給する。
検知回路DCは検知信号に基づいて入力情報を供給する。
これにより、近接するポインタから検知領域241までの距離を検知することができる。または、検知領域241内においてポインタが最も近接する位置を検知することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
(実施の形態8)
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図19乃至図23を参照しながら説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図19乃至図23を参照しながら説明する。
図19Aは本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明するブロック図である。図19Bおよび図19Cは、情報処理装置の外観の一例を説明する斜視図である。
図20は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図20Aは、本発明の一態様のプログラムの主の処理を説明するフローチャートであり、図20Bは、割り込み処理を説明するフローチャートである。
図21は、本発明の一態様のプログラムを説明する図である。図21Aは、本発明の一態様のプログラムの割り込み処理を説明するフローチャートである。また、図21Bは、本発明の一態様の情報処理装置の操作を説明する模式図であり、図21Cは、本発明の一態様の情報処理装置の動作を説明するタイミングチャートである。
図22は、本発明の一態様のプログラムを説明する図である。図22Aは、図20Bに示す割り込み処理とは異なる割り込み処理を説明するフローチャートである。また、図22Bは、図22Aに示すプログラムの動作を説明する模式図であり、図22Cは、撮影した指紋の模式図である。
図23は、本発明の一態様のプログラムを説明する図である。図23Aは、図20Bに示す割り込み処理とは異なる割り込み処理を説明するフローチャートである。また、図23B乃至図23Dは、図23Aに示すプログラムの動作を説明する模式図である。
<情報処理装置の構成例1>
本実施の形態で説明する情報処理装置は、演算装置210と、入出力装置220と、を有する(図19A参照)。なお、入出力装置220は、演算装置210と電気的に接続される。また、情報処理装置200は筐体を備えることができる(図19Bおよび図19C参照)。
本実施の形態で説明する情報処理装置は、演算装置210と、入出力装置220と、を有する(図19A参照)。なお、入出力装置220は、演算装置210と電気的に接続される。また、情報処理装置200は筐体を備えることができる(図19Bおよび図19C参照)。
《演算装置210の構成例1》
演算装置210は入力情報IIまたは検知情報DSを供給される。演算装置210は入力情報IIまたは検知情報DSに基づいて、制御情報CIおよび画像情報VIを生成し、制御情報CIおよび画像情報VIを供給する。
演算装置210は入力情報IIまたは検知情報DSを供給される。演算装置210は入力情報IIまたは検知情報DSに基づいて、制御情報CIおよび画像情報VIを生成し、制御情報CIおよび画像情報VIを供給する。
演算装置210は、演算部211および記憶部212を備える。また、演算装置210は、伝送路214および入出力インターフェース215を備える。
伝送路214は、演算部211、記憶部212、および入出力インターフェース215と電気的に接続される。
《演算部211》
演算部211は、例えばプログラムを実行する機能を備える。
演算部211は、例えばプログラムを実行する機能を備える。
《記憶部212》
記憶部212は、例えば演算部211が実行するプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。
記憶部212は、例えば演算部211が実行するプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。
具体的には、ハードディスク、フラッシュメモリまたは酸化物半導体を含むトランジスタを用いたメモリ等を用いることができる。
《入出力インターフェース215、伝送路214》
入出力インターフェース215は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、伝送路214と電気的に接続することができる。また、入出力装置220と電気的に接続することができる。
入出力インターフェース215は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、伝送路214と電気的に接続することができる。また、入出力装置220と電気的に接続することができる。
伝送路214は配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、入出力インターフェース215と電気的に接続することができる。また、演算部211、記憶部212または入出力インターフェース215と電気的に接続することができる。
《入出力装置220の構成例》
入出力装置220は、入力情報IIおよび検知情報DSを供給する。入出力装置220は、制御情報CIおよび画像情報VIを供給される(図19A参照)。
入出力装置220は、入力情報IIおよび検知情報DSを供給する。入出力装置220は、制御情報CIおよび画像情報VIを供給される(図19A参照)。
例えば、キーボードのスキャンコード、位置情報、ボタンの操作情報、音声情報または画像情報等を入力情報IIに用いることができる。または、例えば、情報処理装置200が使用される環境等の照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報または湿度情報等を検知情報DSに用いることができる。
例えば、画像情報VIを表示する輝度を制御する信号、彩度を制御する信号、色相を制御する信号を、制御情報CIに用いることができる。または、画像情報VIの一部の表示を変化する信号を、制御情報CIに用いることができる。
入出力装置220は、表示部230、入力部240および検知部250を備える。例えば、実施の形態7において説明する入出力装置を入出力装置220に用いることができる。また、入出力装置220は通信部290を備えることができる。
《表示部230の構成例》
表示部230は制御情報CIに基づいて、画像情報VIを表示する。
表示部230は制御情報CIに基づいて、画像情報VIを表示する。
表示部230は、制御部238と、機能パネル700と、を有する(図17参照)。例えば、実施の形態6において説明する表示装置を表示部230に用いることができる。
《入力部240の構成例》
入力部240は入力情報IIを生成する。例えば、入力部240は、位置情報P1を供給する機能を備える。
入力部240は入力情報IIを生成する。例えば、入力部240は、位置情報P1を供給する機能を備える。
例えば、ヒューマンインターフェイス等を入力部240に用いることができる(図19A参照)。具体的には、キーボード、マウス、タッチセンサ、マイクまたはカメラ等を入力部240に用いることができる。
また、表示部230に重なる領域を備えるタッチセンサを用いることができる。なお、表示部230と表示部230に重なる領域を備えるタッチセンサを備える入出力装置を、タッチパネルまたはタッチスクリーンということができる。
例えば、使用者は、タッチパネルに触れた指をポインタに用いて様々なジェスチャー(タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等)をすることができる。
例えば、演算装置210は、タッチパネルに接触する指の位置または軌跡等の情報を解析し、解析結果が所定の条件を満たすとき、所定のジェスチャーが供給されたとすることができる。これにより、使用者は、所定のジェスチャーにあらかじめ関連付けられた所定の操作命令を、当該ジェスチャーを用いて供給できる。
一例を挙げれば、使用者は、画像情報の表示位置を変更する「スクロール命令」を、タッチパネルに沿ってタッチパネルに接触する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる。
また、使用者は、領域231の端部にナビゲーションパネルNPを引き出して表示する「ドラッグ命令」を、領域231の端部に接する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる(図19C参照)。また、使用者は、ナビゲーションパネルNPにインデックス画像IND、他のページの一部または他のページのサムネイル画像TNを、所定の順番でパラパラ表示する「リーフスルー命令」を、指を強く押し付ける位置を移動するジェスチャーを用いて供給できる。または、指を押し付ける圧力を用いて供給できる。これにより、紙の書籍のページをパラパラめくるように、電子書籍端末のページをめくることができる。または、サムネイル画像TNまたはインデックス画像INDを頼りに、所定のページを探すことができる。
《検知部250の構成例》
検知部250は検知情報DSを生成する。例えば、検知部250は、情報処理装置200が使用される環境の照度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を備える。
検知部250は検知情報DSを生成する。例えば、検知部250は、情報処理装置200が使用される環境の照度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を備える。
検知部250は、周囲の状態を検知して検知情報を供給する機能を備える。具体的には、照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報または湿度情報等を供給できる。
例えば、光検出器、姿勢検出器、加速度センサ、方位センサ、GPS(Global positioning System)信号受信回路、感圧スイッチ、圧力センサ、温度センサ、湿度センサまたはカメラ等を、検知部250に用いることができる。
《通信部290》
通信部290は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を備える。
通信部290は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を備える。
《筐体》
なお、筐体は入出力装置220または演算装置210を収納する機能を備える。または、筐体は表示部230または演算装置210を支持する機能を備える。
なお、筐体は入出力装置220または演算装置210を収納する機能を備える。または、筐体は表示部230または演算装置210を支持する機能を備える。
これにより、入力情報または検知情報に基づいて、制御情報を生成することができる。または、入力情報または検知情報に基づいて、画像情報を表示することができる。または、情報処理装置は、情報処理装置が使用される環境において、情報処理装置の筐体が受ける光の強さを把握して動作することができる。または、情報処理装置の使用者は、表示方法を選択することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。例えばタッチセンサが機能パネルに重ねられたタッチパネルは、表示部であるとともに入力部でもある。
《演算装置210の構成例2》
演算装置210は人工知能部213を備える(図19A参照)。
演算装置210は人工知能部213を備える(図19A参照)。
人工知能部213は入力情報IIまたは検知情報DSを供給され、人工知能部213は入力情報IIまたは検知情報DSに基づいて、制御情報CIを推論する。また、人工知能部213は制御情報CIを供給する。
これにより、好適であると感じられるように表示する制御情報CIを生成することができる。または、好適であると感じられるように表示することができる。または、快適であると感じられるように表示する制御情報CIを生成することができる。または、快適であると感じられるように表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
[入力情報IIに対する自然言語処理]
具体的には、人工知能部213は入力情報IIを自然言語処理して、入力情報II全体から1つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部213は、入力情報IIに込められた感情等を推論し特徴にすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的に感じられる色彩、模様または書体等を推論することができる。また、人工知能部213は、文字の色、模様または書体を指定する情報、背景の色または模様を指定する情報を生成し、制御情報CIに用いることができる。
具体的には、人工知能部213は入力情報IIを自然言語処理して、入力情報II全体から1つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部213は、入力情報IIに込められた感情等を推論し特徴にすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的に感じられる色彩、模様または書体等を推論することができる。また、人工知能部213は、文字の色、模様または書体を指定する情報、背景の色または模様を指定する情報を生成し、制御情報CIに用いることができる。
具体的には、人工知能部213は入力情報IIを自然言語処理して、入力情報IIに含まれる一部の言葉を抽出することができる。例えば、人工知能部213は文法的な誤り、事実誤認または感情を含む表現等を抽出することができる。また、人工知能部213は、抽出した一部を他の一部とは異なる色彩、模様または書体等で表示する制御情報CIを生成し、制御情報CIに用いることができる。
[入力情報IIに対する画像処理]
具体的には、人工知能部213は入力情報IIを画像処理して、入力情報IIから1つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部213は、入力情報IIが撮影された年代、屋内または屋外、昼または夜等を推論し特徴にすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的に感じられる色調を推論し、当該色調を表示に用いるための制御情報CIを生成することができる。具体的には、濃淡の表現に用いる色(例えば、フルカラー、白黒または茶褐色等)を指定する情報を制御情報CIに用いることができる。
具体的には、人工知能部213は入力情報IIを画像処理して、入力情報IIから1つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部213は、入力情報IIが撮影された年代、屋内または屋外、昼または夜等を推論し特徴にすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的に感じられる色調を推論し、当該色調を表示に用いるための制御情報CIを生成することができる。具体的には、濃淡の表現に用いる色(例えば、フルカラー、白黒または茶褐色等)を指定する情報を制御情報CIに用いることができる。
具体的には、人工知能部213は入力情報IIを画像処理して、入力情報IIに含まれる一部の画像を抽出することができる。例えば、抽出した画像の一部と他の一部の間に境界を表示する制御情報CIを生成することができる。具体的には、抽出した画像の一部を囲む矩形を表示する制御情報CIを生成することができる。
[検知情報DSを用いる推論]
具体的には、人工知能部213は検知情報DSを用いて、推論RIを生成することができる。または、推論RIに基づいて、情報処理装置200の使用者が快適であると感じられるように制御情報CIを生成することができる。
具体的には、人工知能部213は検知情報DSを用いて、推論RIを生成することができる。または、推論RIに基づいて、情報処理装置200の使用者が快適であると感じられるように制御情報CIを生成することができる。
具体的には、環境の照度等に基づいて、人工知能部213は、表示の明るさが快適であると感じられるように、表示の明るさを調整する制御情報CIを生成することができる。または、人工知能部213は環境の騒音等に基づいて大きさが快適であると感じられるように、音量を調整する制御情報CIを生成することができる。
なお、表示部230が備える制御部238に供給するクロック信号またはタイミング信号などを制御情報CIに用いることができる。または、入力部240が備える制御部に供給するクロック信号またはタイミング信号などを制御情報CIに用いることができる。
<情報処理装置の構成例2>
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図20Aおよび図20Bを参照しながら説明する。
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図20Aおよび図20Bを参照しながら説明する。
《プログラム》
本発明の一態様のプログラムは、下記のステップを有する(図20A参照)。
本発明の一態様のプログラムは、下記のステップを有する(図20A参照)。
[第1のステップ]
第1のステップにおいて、設定を初期化する(図20A(S1)参照)。
第1のステップにおいて、設定を初期化する(図20A(S1)参照)。
例えば、起動時に表示する所定の画像情報と、当該画像情報を表示する所定のモードと、当該画像情報を表示する所定の表示方法を特定する情報と、を記憶部212から取得する。具体的には、一の静止画像情報または他の動画像情報を所定の画像情報に用いることができる。また、第1のモードまたは第2のモードを所定のモードに用いることができる。
[第2のステップ]
第2のステップにおいて、割り込み処理を許可する(図20A(S2)参照)。なお、割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことができる。割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果を主の処理に反映することができる。
第2のステップにおいて、割り込み処理を許可する(図20A(S2)参照)。なお、割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことができる。割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果を主の処理に反映することができる。
なお、カウンタの値が初期値であるとき、演算装置に割り込み処理をさせ、割り込み処理から復帰する際に、カウンタを初期値以外の値としてもよい。これにより、プログラムを起動した後に常に割り込み処理をさせることができる。
[第3のステップ]
第3のステップにおいて、第1のステップまたは割り込み処理において選択された、所定のモードまたは所定の表示方法を用いて画像情報を表示する(図20A(S3)参照)。なお、所定のモードは画像情報を表示するモードを特定し、所定の表示方法は画像情報を表示する方法を特定する。また、例えば、画像情報VIを表示する情報に用いることができる。
第3のステップにおいて、第1のステップまたは割り込み処理において選択された、所定のモードまたは所定の表示方法を用いて画像情報を表示する(図20A(S3)参照)。なお、所定のモードは画像情報を表示するモードを特定し、所定の表示方法は画像情報を表示する方法を特定する。また、例えば、画像情報VIを表示する情報に用いることができる。
例えば、画像情報VIを表示する一の方法を、第1のモードに関連付けることができる。または、画像情報VIを表示する他の方法を第2のモードに関連付けることができる。これにより、選択されたモードに基づいて表示方法を選択することができる。
《第1のモード》
具体的には、30Hz以上、好ましくは60Hz以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第1のモードに関連付けることができる。
具体的には、30Hz以上、好ましくは60Hz以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第1のモードに関連付けることができる。
例えば、30Hz以上、好ましくは60Hz以上の頻度で選択信号を供給すると、動画像の動きを滑らかに表示することができる。
例えば、30Hz以上、好ましくは60Hz以上の頻度で画像を更新すると、使用者の操作に滑らかに追従するように変化する画像を、使用者が操作中の情報処理装置200に表示することができる。
《第2のモード》
具体的には、30Hz未満、好ましくは1Hz未満、より好ましくは1分に1回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第2のモードに関連付けることができる。
具体的には、30Hz未満、好ましくは1Hz未満、より好ましくは1分に1回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第2のモードに関連付けることができる。
30Hz未満、好ましくは1Hz未満、より好ましくは1分に1回未満の頻度で選択信号を供給すると、フリッカーまたはちらつきが抑制された表示をすることができる。また、消費電力を低減することができる。
例えば、情報処理装置200を時計に用いる場合、1秒に1回の頻度または1分に1回の頻度等で表示を更新することができる。
ところで、例えば、発光素子を表示素子に用いる場合、発光素子をパルス状に発光させて、画像情報を表示することができる。具体的には、パルス状に有機EL素子を発光させて、その残光を表示に用いることができる。有機EL素子は優れた周波数特性を備えるため、発光素子を駆動する時間を短縮し、消費電力を低減することができる場合がある。または、発熱が抑制されるため、発光素子の劣化を軽減することができる場合がある。
[第4のステップ]
第4のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第5のステップに進み、終了命令が供給されなかった場合は第3のステップに進むように選択する(図20A(S4)参照)。
第4のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第5のステップに進み、終了命令が供給されなかった場合は第3のステップに進むように選択する(図20A(S4)参照)。
例えば、割り込み処理において供給された終了命令を判断に用いてもよい。
[第5のステップ]
第5のステップにおいて、終了する(図20A(S5)参照)。
第5のステップにおいて、終了する(図20A(S5)参照)。
《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第6のステップ乃至第8のステップを備える(図20B参照)。
割り込み処理は以下の第6のステップ乃至第8のステップを備える(図20B参照)。
[第6のステップ]
第6のステップにおいて、例えば、検知部250を用いて、情報処理装置200が使用される環境の照度を検出する(図20B(S6)参照)。なお、環境の照度に代えて環境光の色温度や色度を検出してもよい。
第6のステップにおいて、例えば、検知部250を用いて、情報処理装置200が使用される環境の照度を検出する(図20B(S6)参照)。なお、環境の照度に代えて環境光の色温度や色度を検出してもよい。
[第7のステップ]
第7のステップにおいて、検出した照度情報に基づいて表示方法を決定する(図20B(S7)参照)。例えば、表示の明るさを暗すぎないように、または明るすぎないように決定する。
第7のステップにおいて、検出した照度情報に基づいて表示方法を決定する(図20B(S7)参照)。例えば、表示の明るさを暗すぎないように、または明るすぎないように決定する。
なお、第6のステップにおいて環境光の色温度や環境光の色度を検出した場合は、表示の色味を調節してもよい。
[第8のステップ]
第8のステップにおいて、割り込み処理を終了する(図20B(S8)参照)。
第8のステップにおいて、割り込み処理を終了する(図20B(S8)参照)。
<情報処理装置の構成例3>
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図21を参照しながら説明する。
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図21を参照しながら説明する。
図21Aは、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図21Aは、図20Bに示す割り込み処理とは異なる割り込み処理を説明するフローチャートである。
なお、情報処理装置の構成例3は、供給された所定のイベントに基づいて、モードを変更するステップを割り込み処理に有する点が、図20Bを参照しながら説明する割り込み処理とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。
《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第6のステップ乃至第8のステップを備える(図21A参照)。
割り込み処理は以下の第6のステップ乃至第8のステップを備える(図21A参照)。
[第6のステップ]
第6のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第7のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第8のステップに進む(図21A(U6)参照)。例えば、所定の期間に所定のイベントが供給されたか否かを条件に用いることができる。具体的には、5秒以下、1秒以下または0.5秒以下好ましくは0.1秒以下であって0秒より長い期間を所定の期間とすることができる。
第6のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第7のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第8のステップに進む(図21A(U6)参照)。例えば、所定の期間に所定のイベントが供給されたか否かを条件に用いることができる。具体的には、5秒以下、1秒以下または0.5秒以下好ましくは0.1秒以下であって0秒より長い期間を所定の期間とすることができる。
[第7のステップ]
第7のステップにおいて、モードを変更する(図21A(U7)参照)。具体的には、第1のモードを選択していた場合は、第2のモードを選択し、第2のモードを選択していた場合は、第1のモードを選択する。
第7のステップにおいて、モードを変更する(図21A(U7)参照)。具体的には、第1のモードを選択していた場合は、第2のモードを選択し、第2のモードを選択していた場合は、第1のモードを選択する。
例えば、表示部230の一部の領域について、表示モードを変更することができる。具体的には、駆動回路GDA、駆動回路GDBおよび駆動回路GDCを備える表示部230の一の駆動回路が選択信号を供給する領域について、表示モードを変更することができる(図21B参照)。
例えば、駆動回路GDBが選択信号を供給する領域と重なる領域にある入力部240に、所定のイベントが供給された場合に、駆動回路GDBが選択信号を供給する領域の表示モードを変更することができる(図21Bおよび図21C参照)。具体的には、指等を用いてタッチパネルに供給する「タップ」イベントに応じて、駆動回路GDBが供給する選択信号の頻度を変更することができる。
なお、信号GCLKは駆動回路GDBの動作を制御するクロック信号であり、信号PWC1および信号PWC2は駆動回路GDBの動作を制御するパルス幅制御信号である。駆動回路GDBは、信号GCLK、信号PWC1および信号PWC2等に基づいて、選択信号を導電膜G2(m+1)乃至導電膜G2(2m)に供給する。
これにより、例えば、駆動回路GDAおよび駆動回路GDCが選択信号を供給することなく、駆動回路GDBが選択信号を供給することができる。または、駆動回路GDAおよび駆動回路GDCが選択信号を供給する領域の表示を変えることなく、駆動回路GDBが選択信号を供給する領域の表示を更新することができる。または、駆動回路が消費する電力を抑制することができる。
[第8のステップ]
第8のステップにおいて、割り込み処理を終了する(図21A(U8)参照)。なお、主の処理を実行している期間に割り込み処理を繰り返し実行してもよい。
第8のステップにおいて、割り込み処理を終了する(図21A(U8)参照)。なお、主の処理を実行している期間に割り込み処理を繰り返し実行してもよい。
《所定のイベント》
例えば、マウス等のポインティング装置を用いて供給する、「クリック」や「ドラッグ」等のイベント、指等をポインタに用いてタッチパネルに供給する、「タップ」、「ドラッグ」または「スワイプ」等のイベントを用いることができる。
例えば、マウス等のポインティング装置を用いて供給する、「クリック」や「ドラッグ」等のイベント、指等をポインタに用いてタッチパネルに供給する、「タップ」、「ドラッグ」または「スワイプ」等のイベントを用いることができる。
また、例えば、ポインタが指し示すスライドバーの位置、スワイプの速度、ドラッグの速度等を用いて、所定のイベントに関連付けられた命令の引数を与えることができる。
例えば、検知部250が検知した情報をあらかじめ設定された閾値と比較して、比較結果をイベントに用いることができる。
具体的には、筐体に押し込むことができるように配設されたボタン等に接する感圧検知器等を検知部250に用いることができる。
《所定のイベントに関連付ける命令》
例えば、終了命令を、所定のイベントに関連付けることができる。
例えば、終了命令を、所定のイベントに関連付けることができる。
例えば、表示されている一の画像情報から他の画像情報に表示を切り替える「ページめくり命令」を、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「ページめくり命令」を実行する際に用いるページをめくる速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。
例えば、一の画像情報の表示されている一部分の表示位置を移動して、一部分に連続する他の部分を表示する「スクロール命令」などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「スクロール命令」を実行する際に用いる表示位置を移動する速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。
例えば、表示方法を設定する命令または画像情報を生成する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、生成する画像の明るさを決定する引数を所定のイベントに関連付けることができる。また、生成する画像の明るさを決定する引数を、検知部250が検知する環境の明るさに基づいて決定してもよい。
例えば、プッシュ型のサービスを用いて配信される情報を、通信部290を用いて取得する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。
なお、情報を取得する資格の有無を、検知部250が検知する位置情報を用いて判断してもよい。具体的には、所定の教室、学校、会議室、企業、建物等の内部または領域にいる場合に、情報を取得する資格を有すると判断してもよい。これにより、例えば、学校または大学等の教室で配信される教材を受信して、情報処理装置200を教科書等に用いることができる(図19C参照)。または、企業等の会議室で配信される資料を受信して、会議資料に用いることができる。
<情報処理装置の構成例4>
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図22を参照しながら説明する。
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図22を参照しながら説明する。
なお、図22Aを参照しながら説明する情報処理装置の構成例4は、図20Bを参照しながら説明する構成例とは、割り込み処理が異なる。具体的には、供給された所定のイベントに基づいて、領域を特定するステップ、画像を生成するステップ、画像を表示するステップ、撮像するステップを、割り込み処理が有する。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。
《割り込み処理》
割り込み処理は、第6のステップ乃至第11のステップを備える(図22A参照)。
割り込み処理は、第6のステップ乃至第11のステップを備える(図22A参照)。
[第6のステップ]
第6のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第7のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第11のステップに進む(図22A(V6)参照)。
第6のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第7のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第11のステップに進む(図22A(V6)参照)。
例えば、検知部250を用いて、所定のイベントを供給することができる。具体的には、情報処理装置を持ち上げる等の運動を所定のイベントに用いることができる。例えば、角加速度センサまたは加速度センサを用いて、情報処理装置の運動を検知することができる。または、タッチセンサを用いて、指などの被写体の接触または近接を検知することができる。
[第7のステップ]
第7のステップにおいて、第1の領域SHを特定する(図22A(V7)参照)。
第7のステップにおいて、第1の領域SHを特定する(図22A(V7)参照)。
例えば、本発明の一態様の入出力装置220に、指などの被写体が接触または近接した領域を、第1の領域SHにすることができる。または、使用者等があらかじめ設定した領域を第1の領域SHに用いることができる。
具体的には、本発明の一態様の機能パネルに接触または近接する指THMなどを、画素703(i,j)を用いて撮影し、画像処理をして、第1の領域SHを特定することができる(図22B参照)。
例えば、指THMなどの被写体の接触または近接により、外光が遮られて生じた陰を、本発明の一態様の機能パネルの画素703(i,j)を用いて撮影し、画像処理をして、第1の領域SHを特定することができる。
または、本発明の一態様の機能パネルの画素703(i,j)を用いて、接触または近接する指THMなどの被写体に光を照射し、当該被写体が反射する光を、画素703(i,j)を用いて撮影し、画像処理をして、第1の領域SHを特定することができる。
または、タッチセンサを用いて、指THMなどの被写体が触れた領域を第1の領域SHに特定することができる。
[第8のステップ]
第8のステップにおいて、第1の領域SHに基づいて、第2の領域および第3の領域を含む画像FIを生成する(図22A(V8)および図22B参照)。例えば、第1の領域SHの形状を第2の領域の形状に用い、第1の領域SHを除く領域を、第3の領域に用いる。
第8のステップにおいて、第1の領域SHに基づいて、第2の領域および第3の領域を含む画像FIを生成する(図22A(V8)および図22B参照)。例えば、第1の領域SHの形状を第2の領域の形状に用い、第1の領域SHを除く領域を、第3の領域に用いる。
[第9のステップ]
第9のステップにおいて、第2の領域が第1の領域SHに重なるように、画像FIを表示する(図22A(V9)および図22B参照)。
第9のステップにおいて、第2の領域が第1の領域SHに重なるように、画像FIを表示する(図22A(V9)および図22B参照)。
例えば、画像FIから画像信号を生成し、領域231に供給し、画素703(i,j)から光を射出する。または、第1の選択信号をG1(i)に供給している期間に、生成した画像信号を導電膜S1g(j)に供給し、画素703(i,j)に画像信号を書き込むことができる。または、生成した画像信号を導電膜S1g(j)および導電膜S2g(j)に供給し、画素703(i,j)に強調された画像信号を書き込むことができる。または、強調された画像信号を用いて、輝度を高めて表示することができる。
これにより、指などの被写体が触れた領域231の領域または近接した領域SHに重ねて、画像FIを表示することができる。または、指などの被写体が触れた領域に、画素703(i,j)を用いて光を照射することができる。または、接触または近接する指THMなどの被写体に照明を当てることができる。または、使用者等があらかじめ設定した領域に、指などの被写体を接触または近接するように、促すことができる。
[第10のステップ]
第10のステップにおいて、画像FIを表示しながら、第1の領域SHに接触または近接する被写体を撮像する(図22A(V10)および図22B参照)。
第10のステップにおいて、画像FIを表示しながら、第1の領域SHに接触または近接する被写体を撮像する(図22A(V10)および図22B参照)。
例えば、領域231に近接する指THMなどに光を照射しながら、当該指などを撮影する。具体的には、領域231に接する指THMの指紋FPを撮影することができる(図22C参照)。
例えば、画素703(i,j)に画像を表示した状態で、第1の選択信号の供給を停止することができる。例えば、画素回路530G(i,j)に対する選択信号の供給を停止した状態で、画素703(i,j)を用いて撮像することができる。
これにより、接触または近接する指などの被写体を、照明しながら撮像することができる。または、第1の選択信号が供給されていない期間に撮像することができる。または、撮像時のノイズを抑制することができる。または、指紋の鮮明な画像を取得することができる。または、使用者の認証に用いることができる画像を取得することができる。または、領域231のどこであっても、領域231に触れる指の指紋を、鮮明に撮影することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
[第11のステップ]
第11のステップにおいて、割り込み処理を終了する(図22A(V11)参照)。
第11のステップにおいて、割り込み処理を終了する(図22A(V11)参照)。
<情報処理装置の構成例5>
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図23を参照しながら説明する。
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図23を参照しながら説明する。
《割り込み処理》
割り込み処理は、第6のステップ乃至第9のステップを備える(図23A参照)。
割り込み処理は、第6のステップ乃至第9のステップを備える(図23A参照)。
[第6のステップ]
第6のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第7のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第9のステップに進む(図23A(W6)参照)。
第6のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第7のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第9のステップに進む(図23A(W6)参照)。
例えば、入力部240を用いて、所定のイベントを供給することができる。具体的には、タッチセンサを用いて、指などの接触または近接を所定のイベントに用いることができる。例えば、割り込み処理に関連付けられた画像を領域231(1)に表示し、当該画像に重ねて配置されたタッチセンサを用いることができる。
[第7のステップ]
第7のステップにおいて、領域231(1)を用いて撮像する(図23A(W7)参照)。
第7のステップにおいて、領域231(1)を用いて撮像する(図23A(W7)参照)。
例えば、被写体30が領域231に近接または密着したときに、静止画像を撮像する(図23C参照)。具体的には、領域231に入射する外光の強度が、所定の値より小さくなったときに、静止画像を撮像する。または、領域231が撮影する画像に、所定の期間、所定の大きさを超える変化が認められなかったときに、静止画像を撮像する。または、例えば、被写体30を挟むように情報処理装置200の筐体が閉じられたのちに、静止画像を撮像する。なお、素子550G(i,j)を用いて、被写体30に光を照射しながら、素子550S(i,j)を用いて撮像する。または、例えば、青色の光を照射しながら第1の静止画像を撮像し、緑色の光を照射しながら第2の静止画像を撮像し、赤色の光を照射しながら第3の静止画像を撮像し、第1の静止画像乃至第3の静止画像を合成することで、フルカラー画像を得ることができる。
[第8のステップ]
第8のステップにおいて、領域231(1)を用いて表示する(図23A(W8)参照)。
第8のステップにおいて、領域231(1)を用いて表示する(図23A(W8)参照)。
例えば、第7のステップで撮像した静止画を、領域231に表示する(図23D参照)。
[第9のステップ]
第9のステップにおいて、割り込み処理を終了する(図23A(W9)参照)。
第9のステップにおいて、割り込み処理を終了する(図23A(W9)参照)。
これにより、接触または近接する印刷物などの被写体を、照明しながら撮像することができる。または、歪みが抑制された鮮明な画像を取得することができる。または、印刷物などに掲載された情報を電子データに複製することができる。または、フラットヘッドスキャナーとして用いることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
(実施の形態9)
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図24乃至図26を参照しながら説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図24乃至図26を参照しながら説明する。
図24乃至図26は、本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明する図である。図24Aは情報処理装置のブロック図であり、図24B乃至図24Eは情報処理装置の構成を説明する斜視図である。また、図25A乃至図25Eは情報処理装置の構成を説明する斜視図である。また、図26Aおよび図26Bは情報処理装置の構成を説明する斜視図である。
<情報処理装置>
本実施の形態で説明する情報処理装置5200Bは、演算装置5210と、入出力装置5220と、を有する(図24A参照)。
本実施の形態で説明する情報処理装置5200Bは、演算装置5210と、入出力装置5220と、を有する(図24A参照)。
演算装置5210は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を供給する機能を備える。
入出力装置5220は、表示部5230、入力部5240、検知部5250、通信部5290、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。また、入出力装置5220は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供給される機能を備える。
入力部5240は操作情報を供給する機能を備える。例えば、入力部5240は、情報処理装置5200Bの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。
具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置などを、入力部5240に用いることができる。
表示部5230は機能パネルおよび画像情報を表示する機能を備える。例えば、実施の形態1乃至実施の形態5において説明する機能パネルを表示部5230に用いることができる。
検知部5250は検知情報を供給する機能を備える。例えば、情報処理装置が使用されている周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。
具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知部5250に用いることができる。
通信部5290は通信情報を供給される機能および供給する機能を備える。例えば、無線通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。
《情報処理装置の構成例1》
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部5230に適用することができる(図24B参照)。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または、デジタル・サイネージ等に用いることができる。
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部5230に適用することができる(図24B参照)。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または、デジタル・サイネージ等に用いることができる。
《情報処理装置の構成例2》
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える(図24C参照)。具体的には、対角線の長さが20インチ以上、好ましくは40インチ以上、より好ましくは55インチ以上の機能パネルを用いることができる。または、複数の機能パネルを並べて1つの表示領域に用いることができる。または、複数の機能パネルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電子掲示板、電子看板等に用いることができる。
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える(図24C参照)。具体的には、対角線の長さが20インチ以上、好ましくは40インチ以上、より好ましくは55インチ以上の機能パネルを用いることができる。または、複数の機能パネルを並べて1つの表示領域に用いることができる。または、複数の機能パネルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電子掲示板、電子看板等に用いることができる。
《情報処理装置の構成例3》
他の装置から情報を受信して、表示部5230に表示することができる(図24D参照)。または、いくつかの選択肢を表示できる。または、使用者は選択肢からいくつかを選択し、当該情報の送信元に返信できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートウオッチに表示することができる。
他の装置から情報を受信して、表示部5230に表示することができる(図24D参照)。または、いくつかの選択肢を表示できる。または、使用者は選択肢からいくつかを選択し、当該情報の送信元に返信できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートウオッチに表示することができる。
《情報処理装置の構成例4》
表示部5230は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える(図24E参照)。または、表示部5230は機能パネルを備え、機能パネルは、例えば、前面、側面、上面および背面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけでなく、側面、上面および背面に情報を表示することができる。
表示部5230は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える(図24E参照)。または、表示部5230は機能パネルを備え、機能パネルは、例えば、前面、側面、上面および背面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけでなく、側面、上面および背面に情報を表示することができる。
《情報処理装置の構成例5》
例えば、インターネットから情報を受信して、表示部5230に表示することができる(図25A参照)。または、作成したメッセージを表示部5230で確認することができる。または、作成したメッセージを他の装置に送信できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォンに表示することができる。
例えば、インターネットから情報を受信して、表示部5230に表示することができる(図25A参照)。または、作成したメッセージを表示部5230で確認することができる。または、作成したメッセージを他の装置に送信できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォンに表示することができる。
《情報処理装置の構成例6》
リモートコントローラーを入力部5240に用いることができる(図25B参照)。または、例えば、放送局またはインターネットから情報を受信して、表示部5230に表示することができる。または、検知部5250を用いて使用者を撮影できる。または、使用者の映像を送信できる。または、使用者の視聴履歴を取得して、クラウド・サービスに提供できる。または、クラウド・サービスから、レコメンド情報を取得して、表示部5230に表示できる。または、レコメンド情報に基づいて、番組または動画を表示できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるように、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。
リモートコントローラーを入力部5240に用いることができる(図25B参照)。または、例えば、放送局またはインターネットから情報を受信して、表示部5230に表示することができる。または、検知部5250を用いて使用者を撮影できる。または、使用者の映像を送信できる。または、使用者の視聴履歴を取得して、クラウド・サービスに提供できる。または、クラウド・サービスから、レコメンド情報を取得して、表示部5230に表示できる。または、レコメンド情報に基づいて、番組または動画を表示できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるように、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。
《情報処理装置の構成例7》
例えば、インターネットから教材を受信して、表示部5230に表示することができる(図25C参照)。または、入力部5240を用いて、レポートを入力し、インターネットに送信することができる。または、クラウド・サービスから、レポートの添削結果または評価を取得して、表示部5230に表示できる。または、評価に基づいて、好適な教材を選択し、表示できる。
例えば、インターネットから教材を受信して、表示部5230に表示することができる(図25C参照)。または、入力部5240を用いて、レポートを入力し、インターネットに送信することができる。または、クラウド・サービスから、レポートの添削結果または評価を取得して、表示部5230に表示できる。または、評価に基づいて、好適な教材を選択し、表示できる。
例えば、他の情報処理装置から画像信号を受信して、表示部5230に表示することができる。または、スタンドなどに立てかけて、表示部5230をサブディスプレイに用いることができる。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。
《情報処理装置の構成例8》
情報処理装置は、例えば、複数の表示部5230を備える(図25D参照)。例えば、検知部5250で撮影しながら表示部5230に表示することができる。または、撮影した映像を検知部に表示することができる。または、入力部5240を用いて、撮影した映像に装飾を施せる。または、撮影した映像にメッセージを添付できる。または、インターネットに送信できる。または、使用環境の照度に応じて、撮影条件を変更する機能を備える。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。
情報処理装置は、例えば、複数の表示部5230を備える(図25D参照)。例えば、検知部5250で撮影しながら表示部5230に表示することができる。または、撮影した映像を検知部に表示することができる。または、入力部5240を用いて、撮影した映像に装飾を施せる。または、撮影した映像にメッセージを添付できる。または、インターネットに送信できる。または、使用環境の照度に応じて、撮影条件を変更する機能を備える。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。
《情報処理装置の構成例9》
例えば、他の情報処理装置をスレイブに用い、本実施の形態の情報処理装置をマスターに用いて、他の情報処理装置を制御することができる(図25E参照)。または、例えば、画像情報の一部を表示部5230に表示し、画像情報の他の一部を他の情報処理装置の表示部に表示することができる。または、画像信号を供給することができる。または、通信部5290を用いて、他の情報処理装置の入力部から書き込む情報を取得できる。これにより、例えば、携帯可能なパーソナルコンピュータを用いて、広い表示領域を利用することができる。
例えば、他の情報処理装置をスレイブに用い、本実施の形態の情報処理装置をマスターに用いて、他の情報処理装置を制御することができる(図25E参照)。または、例えば、画像情報の一部を表示部5230に表示し、画像情報の他の一部を他の情報処理装置の表示部に表示することができる。または、画像信号を供給することができる。または、通信部5290を用いて、他の情報処理装置の入力部から書き込む情報を取得できる。これにより、例えば、携帯可能なパーソナルコンピュータを用いて、広い表示領域を利用することができる。
《情報処理装置の構成例10》
情報処理装置は、例えば、加速度または方位を検知する検知部5250を備える(図26A参照)。または、検知部5250は、使用者の位置または使用者が向いている方向に係る情報を供給することができる。または、情報処理装置は、使用者の位置または使用者が向いている方向に基づいて、右目用の画像情報および左目用の画像情報を生成することができる。または、表示部5230は、右目用の表示領域および左目用の表示領域を備える。これにより、例えば、没入感を得られる仮想現実空間の映像を、ゴーグル型の情報処理装置に表示することができる。
情報処理装置は、例えば、加速度または方位を検知する検知部5250を備える(図26A参照)。または、検知部5250は、使用者の位置または使用者が向いている方向に係る情報を供給することができる。または、情報処理装置は、使用者の位置または使用者が向いている方向に基づいて、右目用の画像情報および左目用の画像情報を生成することができる。または、表示部5230は、右目用の表示領域および左目用の表示領域を備える。これにより、例えば、没入感を得られる仮想現実空間の映像を、ゴーグル型の情報処理装置に表示することができる。
《情報処理装置の構成例11》
情報処理装置は、例えば、撮像装置、加速度または方位を検知する検知部5250を備える(図26B参照)。または、検知部5250は、使用者の位置または使用者が向いている方向に係る情報を供給することができる。または、情報処理装置は、使用者の位置または使用者が向いている方向に基づいて、画像情報を生成することができる。これにより、例えば、現実の風景に情報を添付して表示することができる。または、拡張現実空間の映像を、めがね型の情報処理装置に表示することができる。
情報処理装置は、例えば、撮像装置、加速度または方位を検知する検知部5250を備える(図26B参照)。または、検知部5250は、使用者の位置または使用者が向いている方向に係る情報を供給することができる。または、情報処理装置は、使用者の位置または使用者が向いている方向に基づいて、画像情報を生成することができる。これにより、例えば、現実の風景に情報を添付して表示することができる。または、拡張現実空間の映像を、めがね型の情報処理装置に表示することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
例えば、本明細書等において、XとYとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、XとYとが電気的に接続されている場合と、XとYとが機能的に接続されている場合と、XとYとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に開示されているものとする。
ここで、X、Yは、対象物(例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など)であるとする。
XとYとが直接的に接続されている場合の一例としては、XとYとの電気的な接続を可能とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など)が、XとYとの間に接続されていない場合であり、XとYとの電気的な接続を可能とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など)を介さずに、XとYとが、接続されている場合である。
XとYとが電気的に接続されている場合の一例としては、XとYとの電気的な接続を可能とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など)が、XとYとの間に1個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態(オン状態)、または、非導通状態(オフ状態)になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、XとYとが電気的に接続されている場合は、XとYとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
XとYとが機能的に接続されている場合の一例としては、XとYとの機能的な接続を可能とする回路(例えば、論理回路(インバータ、NAND回路、NOR回路など)、信号変換回路(DA変換回路、AD変換回路、ガンマ補正回路など)、電位レベル変換回路(電源回路(昇圧回路、降圧回路など)、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など)、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路(信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など)、信号生成回路、記憶回路、制御回路など)が、XとYとの間に1個以上接続されることが可能である。なお、一例として、XとYとの間に別の回路を挟んでいても、Xから出力された信号がYへ伝達される場合は、XとYとは機能的に接続されているものとする。なお、XとYとが機能的に接続されている場合は、XとYとが直接的に接続されている場合と、XとYとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
なお、XとYとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、XとYとが電気的に接続されている場合(つまり、XとYとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合)と、XとYとが機能的に接続されている場合(つまり、XとYとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合)と、XとYとが直接接続されている場合(つまり、XとYとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合)とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
なお、例えば、トランジスタのソース(又は第1の端子など)が、Z1を介して(又は介さず)、Xと電気的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)が、Z2を介して(又は介さず)、Yと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース(又は第1の端子など)が、Z1の一部と直接的に接続され、Z1の別の一部がXと直接的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)が、Z2の一部と直接的に接続され、Z2の別の一部がYと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。
例えば、「XとYとトランジスタのソース(又は第1の端子など)とドレイン(又は第2の端子など)とは、互いに電気的に接続されており、X、トランジスタのソース(又は第1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース(又は第1の端子など)は、Xと電気的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)はYと電気的に接続され、X、トランジスタのソース(又は第1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Xは、トランジスタのソース(又は第1の端子など)とドレイン(又は第2の端子など)とを介して、Yと電気的に接続され、X、トランジスタのソース(又は第1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース(又は第1の端子など)と、ドレイン(又は第2の端子など)とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース(又は第1の端子など)は、少なくとも第1の接続経路を介して、Xと電気的に接続され、前記第1の接続経路は、第2の接続経路を有しておらず、前記第2の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース(又は第1の端子など)とトランジスタのドレイン(又は第2の端子など)との間の経路であり、前記第1の接続経路は、Z1を介した経路であり、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)は、少なくとも第3の接続経路を介して、Yと電気的に接続され、前記第3の接続経路は、前記第2の接続経路を有しておらず、前記第3の接続経路は、Z2を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース(又は第1の端子など)は、少なくとも第1の接続経路によって、Z1を介して、Xと電気的に接続され、前記第1の接続経路は、第2の接続経路を有しておらず、前記第2の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)は、少なくとも第3の接続経路によって、Z2を介して、Yと電気的に接続され、前記第3の接続経路は、前記第2の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース(又は第1の端子など)は、少なくとも第1の電気的パスによって、Z1を介して、Xと電気的に接続され、前記第1の電気的パスは、第2の電気的パスを有しておらず、前記第2の電気的パスは、トランジスタのソース(又は第1の端子など)からトランジスタのドレイン(又は第2の端子など)への電気的パスであり、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)は、少なくとも第3の電気的パスによって、Z2を介して、Yと電気的に接続され、前記第3の電気的パスは、第4の電気的パスを有しておらず、前記第4の電気的パスは、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)からトランジスタのソース(又は第1の端子など)への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース(又は第1の端子など)と、ドレイン(又は第2の端子など)とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、X、Y、Z1、Z2は、対象物(例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など)であるとする。
なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、1つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
ANO:導電膜、C21:容量、C31:容量、CI:制御情報、CL:導電膜、CP:導電材料、DS:検知情報、FD:ノード、G1:導電膜、G2:導電膜、GCLK:信号、II:入力情報、IN:端子、MD:トランジスタ、M21:トランジスタ、M31:トランジスタ、M32:トランジスタ、N21:ノード、OUT:端子、P1:位置情報、PWC1:信号、PWC2:信号、RS:導電膜、S1g:導電膜、S2g:導電膜、SE:導電膜、SH:領域、SW21:スイッチ、SW22:スイッチ、SW31:スイッチ、SW32:スイッチ、SW33:スイッチ、TX:導電膜、VCOM2:導電膜、VCP:導電膜、VI:画像情報、VIV:導電膜、VLEN:導電膜、VPD:導電膜、VPI:導電膜、VR:導電膜、WX:導電膜、FPC1:フレキシブルプリント基板、11:レジスト、21:領域、22:領域、200:情報処理装置、210:演算装置、211:演算部、212:記憶部、213:人工知能部、214:伝送路、215:入出力インターフェース、220:入出力装置、230:表示部、231:領域、233:制御回路、234:伸張回路、235:画像処理回路、238:制御部、240:入力部、241:検知領域、250:検知部、290:通信部、501C:絶縁膜、501D:絶縁膜、504:導電膜、506:絶縁膜、508:半導体膜、508A:領域、508B:領域、508C:領域、510:基材、512A:導電膜、512B:導電膜、516:絶縁膜、518:絶縁膜、519B:端子、520:機能層、521:絶縁膜、524:導電膜、528:絶縁膜、530G:画素回路、530S:画素回路、550G:素子、550S:素子、551G:電極、551S:電極、552:電極、553G:発光性の材料を含む層、553R:発光性の材料を含む層、553S:光電変換材料を含む層、553P1:光機能層、553P2:光機能層、573:絶縁膜、573A:絶縁膜、573B:絶縁膜、591G:開口部、591S:開口部、700:機能パネル、700TP:入出力パネル、702B:画素、702G:画素、702R:画素、702S:画素、703:画素、705:封止材、720:機能層、770:基材、770P:機能膜、771:絶縁膜、802:検知器、5200B:情報処理装置、5210:演算装置、5220:入出力装置、5230:表示部、5240:入力部、5250:検知部、5290:通信部
Claims (9)
- 第1の素子と、
第2の素子と、を有し、
前記第1の素子は、第1の電極、第2の電極および第1の光機能層を備え、
前記第1の光機能層は、前記第1の電極および前記第2の電極の間に挟まれる領域を備え、
前記第1の光機能層は、第1の層および第1の発光性の材料を含む層を備え、
前記第2の素子は、第3の電極、前記第2の電極および第2の光機能層を備え、
前記第2の光機能層は、前記第3の電極および前記第2の電極の間に挟まれる領域を備え、
前記第2の光機能層は、前記第1の層および光電変換材料を含む層を備え、
前記第1の層は、前記第1の発光性の材料を含む層および前記第2の電極の間に挟まれる領域を備え、
前記第1の層は、前記光電変換材料を含む層および前記第2の電極の間に挟まれる領域を備え、
前記光電変換材料を含む層は、有機高分子材料を含む、機能パネル。 - 前記第1の光機能層は、第2の層を備え、
前記第2の光機能層は、前記第2の層を備え、
前記第2の層は、前記第1の発光性の材料を含む層および前記第1の電極の間に挟まれる領域を備え、
前記第2の層は、前記光電変換材料を含む層および前記第3の電極の間に挟まれる領域を備える、請求項1に記載の機能パネル。 - 前記第2の光機能層は、第2の発光性の材料を含む層を備え、
前記第2の発光性の材料を含む層は、前記光電変換材料を含む層および前記第1の層の間に挟まれる領域を備える、請求項1または請求項2に記載の機能パネル。 - 一組の画素を有し、
前記一組の画素は、第1の画素および第2の画素を備え、
前記第1の画素は、前記第1の素子および第1の画素回路を備え、
前記第1の素子は、前記第1の画素回路と電気的に接続され、
前記第2の画素は、前記第2の素子および第2の画素回路を備え、
前記第2の素子は、前記第2の画素回路と電気的に接続される、請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の機能パネル。 - 機能層を有し、
機能層は、前記第1の画素回路を備え、
前記第1の画素回路は、第1のトランジスタを含み、
機能層は、前記第2の画素回路を備え、
前記第2の画素回路は、第2のトランジスタを含み、
機能層は、駆動回路を備え、
駆動回路は、第3のトランジスタを含み、
第1のトランジスタは、半導体膜を備え、
第2のトランジスタは、前記半導体膜を形成する工程で作製することができる半導体膜を備え、
第3のトランジスタは、前記半導体膜を形成する工程で作製することができる半導体膜を備える、請求項4に記載の機能パネル。 - 請求項4または請求項5に記載の機能パネルと、
制御部と、を有し、
前記制御部は、画像情報および制御情報を供給され、
前記制御部は、前記画像情報に基づいて情報を生成し、
前記制御部は、前記制御情報に基づいて制御信号を生成し、
前記制御部は、前記情報および制御信号を供給し、
前記機能パネルは、前記情報および前記制御信号を供給され、
前記第1の画素は、前記情報に基づいて発光する、表示装置。 - 入力部と、
表示部と、を有し、
前記表示部は、請求項4または請求項5に記載の機能パネルを備え、
前記入力部は、検知領域を備え、
前記入力部は、前記検知領域に近接するものを検知し、
前記検知領域は、前記第1の画素と重なる領域を備える、入出力装置。 - 演算装置と、
入出力装置と、を有し、
前記演算装置は、入力情報または検知情報を供給され、
前記演算装置は、前記入力情報または前記検知情報に基づいて、制御情報および画像情報を生成し、
前記演算装置は、前記制御情報および前記画像情報を供給し、
前記入出力装置は、前記入力情報および前記検知情報を供給し、
前記入出力装置は、前記制御情報および前記画像情報を供給され、
前記入出力装置は、表示部、入力部および検知部を備え、
前記表示部は、請求項4または請求項5に記載の機能パネルを備え、
前記表示部は、前記制御情報に基づいて、前記画像情報を表示し、
前記入力部は、前記入力情報を生成し、
前記検知部は、前記検知情報を生成する、情報処理装置。 - キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、請求項4または請求項5に記載の機能パネルと、を含む、情報処理装置。
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