JP7474256B2 - 発光デバイス、機能パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置 - Google Patents
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Description
図2A乃至図2Dは、実施の形態に係る発光デバイスの構成を説明する図である。
図3A乃至図3Dは、実施の形態に係る発光デバイスの構成を説明する図である。
図4A乃至図4Cは、実施の形態に係る発光デバイスの構成を説明する図である。
図5A乃至図5Fは、実施の形態に係る発光デバイスの構成を説明する図である。
図6Aおよび図6Bは、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。
図7A乃至図7Cは、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。
図8は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する回路図である。
図9は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する回路図である。
図10は実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。
図11Aおよび図11Bは、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。
図12Aおよび図12Bは、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。
図13Aおよび図13Bは、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。
図14は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。
図15Aおよび図15Bは、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する回路図である。
図16は、実施の形態に係る機能パネルの動作を説明する図である。
図17A乃至図17Dは、実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図である。
図18は、実施の形態に係る入出力装置の構成を説明するブロック図である。
図19A乃至図19Cは、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明するブロック図および投影図である。
図20Aおよび図20Bは、実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフローチャートである。
図21A乃至図21Cは、実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明する図である。
図22A乃至図22Cは、実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明する図である。
図23A乃至図23Eは、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。
図24A乃至図24Eは、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。
図25Aおよび図25Bは、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図1乃至図4を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する発光デバイス550G(i,j)は、絶縁膜521Bと、構造体SR(p)と、発光性の材料を含む層553G(j)と、電極551G(i,j)と、電極552と、を有する(図1C参照)。なお、絶縁膜521Bは面521(1)を備える。ところで、本明細書においては、発光素子を発光デバイスと言い換えることができ、光電変換素子を光電変換デバイスと言い換えることができる。
構造体SR(p)は側壁SWを備える。側壁SWは面521(1)との間に、角度θ1を備え、角度θ1は、0より大きく90°以下である。
発光性の材料を含む層553G(j)は、領域553G(j)(1)および領域553G(j)(2)を備える(図1C参照)。
電極551G(i,j)は、領域551G(i,j)(1)を備える。領域551G(i,j)(1)は、領域553G(j)(1)および面521(1)の間に挟まれる。
また、本実施の形態で説明する発光デバイス550G(i,j)は、反射膜REF(i,j)を備える(図2C参照)。
構造体SR(p)の形状を、例えば、積層構造を用いて制御することができる。具体的には、錐台状に形成した絶縁膜521C、反射膜REF(i,j)および電極551G(i,j)を積層した構造を用いて、構造体SR(p)の形状を制御することができる(図4B参照)。また、角度θ1が連続的に変化する形状を、構造体SR(p)に用いることができる。具体的には、S字状の断面を備える形状を構造体SR(p)に用いることができる。これにより、構造体SR(p)の底面近傍における、電極552および電極551G(i,j)の短絡を防止することができる。
また、本実施の形態で説明する発光デバイス550G(i,j)は、絶縁膜521Bと、構造体SR(p)と、発光性の材料を含む層553G(j)と、電極551G(i,j)と、電極552と、を有する(図3C参照)。なお、絶縁膜521Bは、面521(1)を備える。
構造体SR(p)は側壁SWを備える。側壁SWは面521(1)との間に、角度θ1を備え、角度θ1は、0より大きく90°以下である。
発光性の材料を含む層553G(j)は、領域553G(j)(1)を備える。領域553G(j)(1)は、電極552および電極551G(i,j)の間に挟まれ、領域553G(j)(1)は、光PH1を射出する。
電極551G(i,j)は、領域551G(i,j)(1)および領域551G(i,j)(2)を備える。
構造体SR(p)は、絶縁膜521Bから高さHを備える(図1C、図2Cおよび図3C参照)。また、構造体SR(p)は、投影面積Sを絶縁膜521Bに対して備える(図1D、図2Dおよび図3D参照)。
また、本実施の形態で説明する発光デバイス550G(i,j)は、一群の構造体を有する(図1B、図2Bおよび図3B参照)。一群の構造体は、例えば、千鳥状に配置することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図5を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する機能パネルは、画素702G(i,j)を有する。
画素702G(i,j)は、マイクロレンズアレイMLAおよび発光デバイス550G(i,j)を備える(図5A参照)。
マイクロレンズアレイMLAは光PH1を集光する。マイクロレンズアレイMLAは複数のマイクロレンズMLを含む(図5B参照)。
画素702G(i,j)は、マイクロレンズMLおよび発光デバイス550G(i,j)を備える。
マイクロレンズMLは光PH1を集光し、マイクロレンズMLは発光デバイス550G(i,j)に凸部を向ける。また、マイクロレンズMLはフレンネルレンズである。
画素702G(i,j)は、色変換層CC(G)を備える(図5A参照)。
色変換層CC(G)は光PH1を光PH2に変換し、光PH2は光PH1のスペクトルより、波長の長い光の強度が高いスペクトルを備える。
本実施の形態で説明する機能パネルは、絶縁膜528を有する。
絶縁膜528は開口部を備え、開口部は発光デバイス550G(i,j)と重なる(図5A参照)。なお、絶縁膜528は隣接する複数の画素を区切る機能を備えため、隔壁と言い換えることができる。
光PH1に対する反射率が高い材料を、構造体SR(p)に用いることができる。
色変換層CC(G)は、量子ドットおよび透光性の樹脂を含む。例えば、透光性を備え、気体を発生しにくい膜、または気体を透過しにくい膜を用いて量子ドットを被覆することができる。または、量子ドットと重合した樹脂を用いることができる。または、量子ドットを被覆する感光性高分子を用いることができる。感光性高分子を用いると、精細な色変換層CC(G)を形成することができる。
本発明の一態様の機能パネルは、遮光層BMを有する。また、着色層CF(G)を有する。
遮光層BMは開口部を備え、開口部は発光デバイス550G(i,j)と重なる。
着色層CF(G)は光PH2に対する透過率より低い透過率を、光PH1に対して備える。
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図6乃至図9を参照しながら説明する。
機能パネル700は一組の画素703(i,j)を有する(図6A参照)。
一組の画素703(i,j)は、画素702G(i,j)を備える(図6B参照)。画素702G(i,j)は、画素回路530G(i,j)および発光デバイス550G(i,j)を備え、発光デバイス550G(i,j)は画素回路530G(i,j)と電気的に接続される(図7A参照)。例えば、実施の形態1で説明する発光デバイス550G(i,j)を用いることができる。
画素回路530G(i,j)は、スイッチSW21、スイッチSW22、トランジスタM21、容量C21およびノードN21を備える(図8参照)。
例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、発光ダイオードまたはQDLED(Quantum Dot LED)等を、発光デバイス550G(i,j)に用いることができる。
画素703(i,j)は、画素702S(i,j)を備える(図6B参照)。画素702S(i,j)は、画素回路530S(i,j)および光電変換素子PD(i,j)を備え、光電変換素子PD(i,j)は画素回路530S(i,j)と電気的に接続される(図7A参照)。
画素回路530S(i,j)は、スイッチSW31、スイッチSW32、スイッチSW33、トランジスタM31、容量C31およびノードFD)を備える(図9A参照)。
例えば、ヘテロ接合型の光電変換素子、バルクヘテロ接合型の光電変換素子等を、光電変換素子PD(i,j)に用いることができる。
複数の画素を画素703(i,j)に用いることができる。例えば、色相が互いに異なる色を表示する複数の画素を用いることができる。なお、複数の画素のそれぞれを副画素と言い換えることができる。または、複数の副画素を一組にして、画素と言い換えることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図10乃至図13を参照しながら説明する。
本発明の一態様の機能パネルは、機能層520を有する(図10参照)。
機能層520は、画素回路530G(i,j)を備える(図10参照)。機能層520は、例えば、画素回路530G(i,j)に用いるトランジスタM21を含む(図8および図11A参照)。
機能層520は、画素回路530S(i,j)を備える(図10参照)。機能層520は、例えば、画素回路530S(i,j)のスイッチSW31に用いるトランジスタを含む(図10および図12A参照)。トランジスタは、半導体膜508、導電膜504、導電膜512Eおよび導電膜512Fを備える。
機能層520は駆動回路GDを備える(図6Aおよび図10参照)。機能層520は、例えば、駆動回路GDに用いるトランジスタMDを含む(図10および図13A参照)。トランジスタMDは、半導体膜508、導電膜504、導電膜512Cおよび導電膜512Dを備える
ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを、機能層520に用いることができる。具体的には、トランジスタをスイッチに用いることができる。
例えば、14族の元素を含む半導体を半導体膜508に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜508に用いることができる。
例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜508に用いることができる。または、微結晶シリコンなどを半導体膜508に用いることができる。これにより、例えば、ポリシリコンを半導体膜508に用いる機能パネルより、表示ムラが少ない機能パネルを提供することができる。または、機能パネルの大型化が容易である。
例えば、ポリシリコンを半導体膜508に用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜508に用いるトランジスタより、トランジスタの電界効果移動度を高くすることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜508に用いるトランジスタより、駆動能力を高めることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜508に用いるトランジスタより、画素の開口率を向上することができる。
例えば、単結晶シリコンを半導体膜508に用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜508に用いる機能パネルより、精細度の高い機能パネルを提供することができる。または、例えば、ポリシリコンを半導体膜508に用いる機能パネルより、表示ムラが少ない機能パネルを提供することができる。または、例えば、スマートグラスまたはヘッドマウントディスプレイを提供することができる。
例えば、金属酸化物を半導体膜508に用いることができる。これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を30Hz未満、好ましくは1Hz未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。
例えば、化合物半導体をトランジスタの半導体に用いることができる。具体的には、ガリウム・ヒ素を含む半導体を用いることができる。
容量は、一の導電膜、他の導電膜および絶縁膜を備える。当該絶縁膜は一の導電膜および他の導電膜の間に挟まれる領域を備える。
機能層520は、絶縁膜521、絶縁膜518、絶縁膜516、絶縁膜506および絶縁膜501C等を備える(図11Aおよび図11B参照)。また、絶縁膜521は絶縁膜521Aおよび絶縁膜521Bを備え、絶縁膜516は絶縁膜516Aおよび絶縁膜516Bを備える。
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜521に用いることができる。
例えば、絶縁膜521に用いることができる材料を絶縁膜518に用いることができる。
例えば、絶縁膜521に用いることができる材料を絶縁膜516に用いることができる。
例えば、絶縁膜521に用いることができる材料を絶縁膜506に用いることができる。
絶縁膜501Dは、絶縁膜501Cおよび絶縁膜516の間に挟まれる領域を備える。
例えば、絶縁膜521に用いることができる材料を絶縁膜501Cに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜501Cに用いることができる。これにより、画素回路、発光素子または光電変換素子等への不純物の拡散を抑制することができる。
機能層520は、導電膜、配線および端子を備える。導電性を備える材料を配線、電極、端子、導電膜等に用いることができる。
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。
また、機能パネル700は、基材510、基材770および封止材705を備える(図11A参照)。また、機能パネル700は構造体KBを備える。
透光性を備える材料を、基材510または基材770に用いることができる。
封止材705は、機能層520および基材770の間に挟まれる領域を備え、機能層520および基材770を貼り合わせる機能を備える(図11A参照)。
構造体KBは、機能層520および基材770の間に挟まれる領域を備える。また、構造体KBは、機能層520および基材770の間に所定の間隙を設ける機能を備える。
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図11乃至図13を参照しながら説明する。
機能パネル700は、発光デバイス550G(i,j)を備える(図11参照)。例えば、実施の形態1で説明する発光デバイス550G(i,j)を用いることができる。
電極551G(i,j)、電極552および発光性の材料を含む層553G(j)を、発光デバイス550G(i,j)に用いることができる。また、発光性の材料を含む層553G(j)は、電極551G(i,j)および電極552に挟まれる領域を備える。
例えば、積層材料を発光性の材料を含む層553G(j)に用いることができる。
例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、発光性の材料を含む層553G(j)に用いることができる。
例えば、青色の光または紫外線を射出するように積層された積層材料を、発光性の材料を含む層553G(j)に用いることができる。また、例えば、色変換層CCを重ねて用いることができる。
発光性の材料を含む層553G(j)は、発光ユニットを備える。発光ユニットは、一方から注入された電子が他方から注入された正孔と再結合する領域を1つ備える。また、発光ユニットは発光性の材料を含み、発光性の材料は電子と正孔の再結合により生じるエネルギーを光として放出する。なお、正孔輸送層および電子輸送層を発光ユニットに用いることができる。正孔輸送層は電子輸送層より正極側に配置され、正孔輸送層は電子輸送層より正孔の移動度が高い。
例えば、配線等に用いることができる材料を電極551G(i,j)または電極552に用いることができる。具体的には、可視光について透光性を有する材料を電極551G(i,j)または電極552に用いることができる。
光電変換素子PD(i,j)は、電極551S(i,j)、電極552および光電変換材料を含む層553S(j)を備える(図12A参照)。
例えば、p型の半導体膜とn型の半導体膜が互いに接するように積層した積層膜を、光電変換材料を含む層553S(j)に用いることができる。なお、光電変換材料を含む層553S(j)にこのような構造の積層膜を用いる光電変換素子PD(i,j)を、PN型のフォトダイオードということができる。
例えば、14族の元素を含む半導体を、光電変換材料を含む層553S(j)に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体を、光電変換材料を含む層553S(j)に用いることができる。例えば、水素化アモルファスシリコン、微結晶シリコン、ポリシリコンまたは単結晶シリコン等を、光電変換材料を含む層553S(j)に用いることができる。
体材料とを共蒸着した膜をi型の半導体膜に用いることができる。
機能パネル700は、絶縁膜528および絶縁膜573を有する(図11A参照)。
絶縁膜528は機能層520および基材770の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜528は発光デバイス550G(i,j)と重なる領域に開口部を備える(図11A参照)。
絶縁膜573は、機能層520との間に発光デバイス550G(i,j)を挟む領域を備える(図11A参照)。
機能パネル700は、機能層720を備える(図11A参照)。
機能層720は、遮光層BM、着色層CF(G)および絶縁膜771を備える。また、色変換層CC(G)を用いることができる。
遮光層BMは画素702G(i,j)と重なる領域に開口部を備える。また、遮光層BMは画素702S(i,j)と重なる領域に開口部を備える。
着色層CF(G)は、基材770および発光デバイス550G(i,j)の間に挟まれる領域を備える。例えば、所定の色の光を選択的に透過する材料を着色層CF(G)に用いることができる。具体的には、赤色の光、緑色の光または青色の光を透過する材料を着色層CF(G)に用いることができる。
絶縁膜771は、基材770および発光デバイス550G(i,j)の間に挟まれる領域を備える。
機能パネル700は、遮光膜KBMを備える(図13A参照)。
遮光膜KBMは画素702S(i,j)と重なる領域に開口部を備える。また、遮光膜KBMは、機能層520および基材770の間に挟まれる領域を備え、機能層520および基材770の間に所定の間隙を設ける機能を備える。例えば、暗色の材料を遮光膜KBMに用いることができる。これにより、画素702S(i,j)に進入する迷光を抑制することができる。
機能パネル700は、機能膜770Pなどを備える(図11A参照)。
機能膜770Pは、発光デバイス550G(i,j)と重なる領域を備える。
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図14乃至図16を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する機能パネル700は、領域231を有する(図14参照)。
領域231は、一群の画素703(i,1)乃至画素703(i,n)および他の一群の画素703(1,j)乃至画素703(m,j)を備える。また、領域231は、導電膜G1(i)、導電膜TX(i)、導電膜S1g(j)および導電膜WX(j)を備える。
本実施の形態で説明する機能パネルは、駆動回路GDを有する(図14参照)。
駆動回路GDは第1の選択信号を供給する。
画素回路530G(i,j)は、第1の選択信号を供給され、画素回路530G(i,j)は、第1の選択信号に基づいて、画像信号を取得する。例えば、導電膜G1(i)を用いて、第1の選択信号を供給することができる(図7B参照)。または、導電膜S1g(j)を用いて画像信号を供給することができる。なお、第1の選択信号を供給し、画像信号を画素回路530G(i,j)に取得させる動作を「書き込み」ということができる(図16参照)。
本発明の一態様の機能パネルは、読み出し回路RC(j)と、導電膜VLENと、導電膜VIVと、導電膜CLと、を有する(図14、図9、図15Aおよび図15B参照)。また、機能パネルは、導電膜CAPSEL、導電膜CDSVDD、導電膜CDSVSSおよび導電膜VCLを備える。
読み出し回路RC(j)は、増幅回路およびサンプリング回路SC(j)を備える(図14参照)。
増幅回路は、トランジスタM32(j)を含む(図15A参照)。
サンプリング回路SC(j)は、第1の端子IN(j)、第2の端子および第3の端子OUT(j)を備える(図15B参照)。
機能パネル700は、駆動回路RDを有する(図14参照)。
駆動回路RDは、第2の選択信号および第3の選択信号を供給する。
画素回路530S(i,j)は、第1の選択信号を供給されていない期間に、第2の選択信号および第3の選択信号を供給される(図16参照)。また、画素回路530S(i,j)は、第2の選択信号に基づいて、撮像信号を取得し、第3の選択信号に基づいて、撮像信号を供給する。例えば、導電膜TX(i)を用いて、第2の選択信号を供給し、導電膜SE(i)を用いて、第3の選択信号を供給することができる(図9参照)。
画素703(i,j)は、一の画像信号を保持している期間に、第2の選択信号を供給される。例えば、画素回路530G(i,j)が一の画像信号を保持している期間に、画素703(i,j)は、発光デバイス550G(i,j)を用いて、当該画像信号に基づいて、光を射出することができる(図16参照)。または、画素回路530G(i,j)が、第1の選択信号に基づいて、一の画像信号を取得したのちに、再び第1の選択信号を供給されるまでの間に、画素回路530S(i,j)は第2の選択信号を供給される。
また、本発明の一態様の機能パネル700は、マルチプレクサMUXと、増幅回路AMPと、アナログデジタル変換回路ADCと、を有する(図14参照)。
マルチプレクサMUXは、複数のサンプリング回路SC(j)から一つを選んで撮像信号を取得し、例えば増幅回路AMPに供給する機能を備える。
増幅回路AMPは撮像信号を増幅し、アナログデジタル変換回路ADCに供給することができる。
アナログデジタル変換回路ADCは、アナログの撮像信号をデジタル信号に変換する機能を備える。これにより、伝送に伴う撮像信号の劣化を抑制できる。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図17を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する表示装置は、機能パネル700と、制御部238と、を有する(図17A参照)。また、表示装置は、制御部243を有する。
制御部238は、画像情報VIおよび制御情報CIを供給される。例えば、クロック信号またはタイミング信号などを制御情報CIに用いることができる。
例えば、伸張回路234および画像処理回路235を制御部238に用いることができる。
伸張回路234は、圧縮された状態で供給される画像情報VIを伸張する機能を備える。伸張回路234は、記憶部を備える。記憶部は、例えば伸張された画像情報を記憶する機能を備える。
画像処理回路235は、例えば、記憶領域を備える。記憶領域は、例えば、画像情報VIに含まれる情報を記憶する機能を備える。
機能パネル700は情報V11および制御信号を供給される。例えば、実施の形態2乃至実施の形態6のいずれか一において説明する機能パネル700を用いることができる。
画素703(i,j)は、情報V11に基づいて表示する。
例えば、機能パネル700は駆動回路および制御回路を備える(図17A参照)。
駆動回路は制御信号に基づいて動作する。制御信号を用いることにより、複数の駆動回路の動作を同期することができる。
制御回路は制御信号を生成し、供給する機能を備える。例えば、クロック信号またはタイミング信号などを制御信号に用いることができる。
例えば、タイミングコントローラを制御回路233に用いることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図18を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する入出力装置は、入力部240と、表示部230と、を有する(図18参照)。
表示部230は表示パネルを備える。例えば、実施の形態2乃至実施の形態6のいずれか一において説明する機能パネル700を表示部230に用いることができる。なお、入力部240および表示部230を有する構成を入出力パネル700TPということができる。
入力部240は検知領域241を備える。入力部240は検知領域241に近接するものを検知する機能を備える。
検知領域241は、例えば、単数または複数の検知器を備える。
検知器は近接するポインタを検知する機能を備える。例えば、指やスタイラスペン等をポインタに用いることができる。例えば、金属片またはコイル等を、スタイラスペンに用いることができる。
入力部240は発振回路OSCおよび検知回路DCを備える(図18参照)。
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図19乃至図21を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する情報処理装置は、演算装置210と、入出力装置220と、を有する(図19A参照)。なお、入出力装置220は、演算装置210と電気的に接続される。また、情報処理装置200は筐体を備えることができる(図19Bおよび図19C参照)。
演算装置210は入力情報IIまたは検知情報DSを供給される。演算装置210は入力情報IIまたは検知情報DSに基づいて、制御情報CIおよび画像情報VIを生成し、制御情報CIおよび画像情報VIを供給する。
演算部211は、例えばプログラムを実行する機能を備える。
記憶部212は、例えば演算部211が実行するプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。
入出力インターフェース215は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、伝送路214と電気的に接続することができる。また、入出力装置220と電気的に接続することができる。
入出力装置220は、入力情報IIおよび検知情報DSを供給する。入出力装置220は、制御情報CIおよび画像情報VIを供給される(図19A参照)。
表示部230は制御情報CIに基づいて、画像情報VIを表示する。
入力部240は入力情報IIを生成する。例えば、入力部240は、位置情報P1を供給する機能を備える。
検知部250は検知情報DSを生成する。例えば、検知部250は、情報処理装置200が使用される環境の照度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を備える。
通信部290は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を備える。
なお、筐体は入出力装置220または演算装置210を収納する機能を備える。または、筐体は表示部230または演算装置210を支持する機能を備える。
演算装置210は人工知能部213を備える(図19A参照)。
具体的には、人工知能部213は入力情報IIを自然言語処理して、入力情報II全体から1つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部213は、入力情報IIに込められた感情等を推論し特徴にすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的に感じられる色彩、模様または書体等を推論することができる。また、人工知能部213は、文字の色、模様または書体を指定する情報、背景の色または模様を指定する情報を生成し、制御情報CIに用いることができる。
具体的には、人工知能部213は入力情報IIを画像処理して、入力情報IIから1つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部213は、入力情報IIが撮影された年代、屋内または屋外、昼または夜等を推論し特徴にすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的に感じられる色調を推論し、当該色調を表示に用いるための制御情報CIを生成することができる。具体的には、濃淡の表現に用いる色(例えば、フルカラー、白黒または茶褐色等)を指定する情報を制御情報CIに用いることができる。
具体的には、人工知能部213は検知情報DSを用いて、推論を生成することができる。または、推論に基づいて、情報処理装置200の使用者が快適であると感じられるように制御情報CIを生成することができる。
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図20Aおよび図20Bを参照しながら説明する。
本発明の一態様のプログラムは、下記のステップを有する(図20A参照)。
第1のステップにおいて、設定を初期化する(図20A(S1)参照)。
第2のステップにおいて、割り込み処理を許可する(図20A(S2)参照)。なお、割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことができる。割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果を主の処理に反映することができる。
第3のステップにおいて、第1のステップまたは割り込み処理において選択された、所定のモードまたは所定の表示方法を用いて画像情報を表示する(図20A(S3)参照)。なお、所定のモードは情報を表示するモードを特定し、所定の表示方法は画像情報を表示する方法を特定する。また、例えば、画像情報VIを表示する情報に用いることができる。
具体的には、30Hz以上、好ましくは60Hz以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第1のモードに関連付けることができる。
具体的には、30Hz未満、好ましくは1Hz未満、より好ましくは1分に1回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第2のモードに関連付けることができる。
第4のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第5のステップに進み、終了命令が供給されなかった場合は第3のステップに進むように選択する(図20A(S4)参照)。
第5のステップにおいて、終了する(図20A(S5)参照)。
割り込み処理は以下の第6のステップ乃至第8のステップを備える(図20B参照)。
第6のステップにおいて、例えば、検知部250を用いて、情報処理装置200が使用される環境の照度を検出する(図20B(S6)参照)。なお、環境の照度に代えて環境光の色温度や色度を検出してもよい。
第7のステップにおいて、検出した照度情報に基づいて表示方法を決定する(図20B(S7)参照)。例えば、表示の明るさを暗すぎないように、または明るすぎないように決定する。
第8のステップにおいて、割り込み処理を終了する(図20B(S8)参照)。
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図21を参照しながら説明する。
割り込み処理は以下の第6のステップ乃至第8のステップを備える(図21A参照)。
第6のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第7のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第8のステップに進む(図21A(U6)参照)。例えば、所定の期間に所定のイベントが供給されたか否かを条件に用いることができる。具体的には、5秒以下、1秒以下または0.5秒以下好ましくは0.1秒以下であって0秒より長い期間を所定の期間とすることができる。
第7のステップにおいて、モードを変更する(図21A(U7)参照)。具体的には、第1のモードを選択していた場合は、第2のモードを選択し、第2のモードを選択していた場合は、第1のモードを選択する。
第8のステップにおいて、割り込み処理を終了する(図21A(U8)参照)。なお、主の処理を実行している期間に割り込み処理を繰り返し実行してもよい。
例えば、マウス等のポインティング装置を用いて供給する、「クリック」や「ドラッグ」等のイベント、指等をポインタに用いてタッチパネルに供給する、「タップ」、「ドラッグ」または「スワイプ」等のイベントを用いることができる。
例えば、終了命令を、所定のイベントに関連付けることができる。
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図22を参照しながら説明する。
割り込み処理は、第6のステップ乃至第11のステップを備える(図22A参照)。
第6のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第7のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第11のステップに進む(図22A(V6)参照)。
第7のステップにおいて、第1の領域SHを特定する(図22A(V7)参照)。
第8のステップにおいて、第1の領域SHに基づいて、第2の領域および第3の領域を含む画像FIを生成する(図22A(V8)および図22B参照)。例えば、第1の領域SHの形状を第2の領域の形状に用い、第1の領域SHを除く領域を、第3の領域に用いる。
第9のステップにおいて、第2の領域が第1の領域SHに重なるように、画像FIを表示する(図22A(V9)および図22B参照)。
第10のステップにおいて、画像FIを表示しながら、第1の領域SHに接触または近接する被写体を撮像する(図22A(V10)および図22B参照)。
第11のステップにおいて、割り込み処理を終了する(図22A(V11)参照)。
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図23乃至図25を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する情報処理装置5200Bは、演算装置5210と、入出力装置5220と、を有する(図23A参照)。
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部5230に適用することができる(図23B参照)。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または、デジタル・サイネージ等に用いることができる。
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える(図23C参照)。具体的には、対角線の長さが20インチ以上、好ましくは40インチ以上、より好ましくは55インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複数の表示パネルを並べて1つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電子掲示板、電子看板等に用いることができる。
他の装置から情報を受信して、表示部5230に表示することができる(図23D参照)。または、いくつかの選択肢を表示できる。または、使用者は選択肢からいくつかを選択し、当該情報の送信元に返信できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートウオッチに表示することができる。
表示部5230は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える(図23E参照)。または、表示部5230は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面、側面、上面および背面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけでなく、側面、上面および背面に情報を表示することができる。
例えば、インターネットから情報を受信して、表示部5230に表示することができる(図24A参照)。または、作成したメッセージを表示部5230で確認することができる。または、作成したメッセージを他の装置に送信できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォンに表示することができる。
リモートコントローラーを入力部5240に用いることができる(図24B参照)。または、例えば、放送局またはインターネットから情報を受信して、表示部5230に表示することができる。または、検知部5250を用いて使用者を撮影できる。または、使用者の映像を送信できる。または、使用者の視聴履歴を取得して、クラウド・サービスに提供できる。または、クラウド・サービスから、レコメンド情報を取得して、表示部5230に表示できる。または、レコメンド情報に基づいて、番組または動画を表示できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるように、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。
例えば、インターネットから教材を受信して、表示部5230に表示することができる(図24C参照)。または、入力部5240を用いて、レポートを入力し、インターネットに送信することができる。または、クラウド・サービスから、レポートの添削結果または評価を取得して、表示部5230に表示できる。または、評価に基づいて、好適な教材を選択し、表示できる。
情報処理装置は、例えば、複数の表示部5230を備える(図24D参照)。例えば、検知部5250で撮影しながら表示部5230に表示することができる。または、撮影した映像を検知部に表示することができる。または、入力部5240を用いて、撮影した映像に装飾を施せる。または、撮影した映像にメッセージを添付できる。または、インターネットに送信できる。または、使用環境の照度に応じて、撮影条件を変更する機能を備える。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。
例えば、他の情報処理装置をスレイブに用い、本実施の形態の情報処理装置をマスターに用いて、他の情報処理装置を制御することができる(図24E参照)。または、例えば、画像情報の一部を表示部5230に表示し、画像情報の他の一部を他の情報処理装置の表示部に表示することができる。または、通信部5290を用いて、他の情報処理装置の入力部から書き込む情報を取得できる。これにより、例えば、携帯可能なパーソナルコンピュータを用いて、広い表示領域を利用することができる。
情報処理装置は、例えば、加速度または方位を検知する検知部5250を備える(図25A参照)。または、検知部5250は、使用者の位置または使用者が向いている方向に係る情報を供給することができる。または、情報処理装置は、使用者の位置または使用者が向いている方向に基づいて、右目用の画像情報および左目用の画像情報を生成することができる。または、表示部5230は、右目用の表示領域および左目用の表示領域を備える。これにより、例えば、没入感を得られる仮想現実空間の映像を、ゴーグル型の情報処理装置に表示することができる。
情報処理装置は、例えば、撮像装置、加速度または方位を検知する検知部5250を備える(図25B参照)。または、検知部5250は、使用者の位置または使用者が向いている方向に係る情報を供給することができる。または、情報処理装置は、使用者の位置または使用者が向いている方向に基づいて、画像情報を生成することができる。これにより、例えば、現実の風景に情報を添付して表示することができる。または、拡張現実空間の映像を、めがね型の情報処理装置に表示することができる。
Claims (10)
- 絶縁膜と、
千鳥状に配置された一群の構造体と、
発光性の材料を含む層と、
第1の電極と、
第2の電極と、を有し、
前記絶縁膜は、第1の面を備え、
前記一群の構造体は、一の構造体および他の構造体を含み、
前記他の構造体は、前記一の構造体との間に第1の間隔を備え、
前記一の構造体は、側壁を備え、
前記側壁は、前記第1の面との間に、第1の角度を備え、
前記第1の角度は、0°より大きく90°以下であり、
前記発光性の材料を含む層は、第1の領域および第2の領域を備え、
前記第1の領域は、前記第2の電極および前記第1の電極の間に挟まれ、
前記第1の領域は、光を射出し、
前記第2の領域は、前記第2の電極および前記側壁の間に挟まれ、
前記側壁は、前記光を反射し、
前記第1の電極は、第3の領域を備え、
前記第3の領域は、前記第1の領域および前記第1の面の間に挟まれる、発光デバイス。 - 請求項1において、
反射膜を有し、
前記反射膜は、第4の領域を備え、
前記第4の領域は、前記発光性の材料を含む層との間に、前記側壁を挟み、
前記第4の領域は、前記光を反射する、発光デバイス。 - 絶縁膜と、
千鳥状に配置された一群の構造体と、
発光性の材料を含む層と、
第1の電極と、
第2の電極と、を有し、
前記絶縁膜は、第1の面を備え、
前記一群の構造体は、一の構造体および他の構造体を含み、
前記他の構造体は、前記一の構造体との間に第1の間隔を備え、
前記一の構造体は、側壁を備え、
前記側壁は、前記第1の面との間に、第1の角度を備え、
前記第1の角度は、0°より大きく90°以下であり、
前記発光性の材料を含む層は、第1の領域を備え、
前記第1の領域は、前記第2の電極および前記第1の電極の間に挟まれ、
前記第1の領域は、光を射出し、
前記第1の電極は、第3の領域および第5の領域を備え、
前記第3の領域は、前記第1の領域および前記第1の面の間に挟まれ、
前記第5の領域は、前記発光性の材料を含む層および前記側壁の間に挟まれ、
前記第5の領域は、前記光を反射する、発光デバイス。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記構造体は、前記絶縁膜から第1の高さを備え、
前記構造体は、第1の投影面積を前記絶縁膜に対して備え、
前記第1の高さは、0.1μm以上5μm以下であり、
前記第1の投影面積は、0.01μm2以上100μm2以下である、発光デバイス。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記第1の間隔は、0.1μm以上5μm以下である、発光デバイス。 - 一組の画素を有し、
前記一組の画素は、画素および他の画素を備え、
前記画素は、第1の画素回路および請求項1乃至請求項5のいずれか一に記載の発光デバイスを備え、
前記発光デバイスは、前記第1の画素回路と電気的に接続され、
前記他の画素は、第2の画素回路および光電変換素子を備え、
前記光電変換素子は、前記第2の画素回路と電気的に接続される、機能パネル。 - 請求項6において、
機能層を有し、
前記機能層は、前記第1の画素回路を備え、
前記第1の画素回路は、第1のトランジスタを含み、
前記機能層は、前記第2の画素回路を備え、
前記第2の画素回路は、第2のトランジスタを含み、
前記機能層は、駆動回路を備え、
前記駆動回路は、第3のトランジスタを含み、
前記第1のトランジスタは、半導体膜を備え、
前記第2のトランジスタは、前記半導体膜を形成する工程で作製することができる半導体膜を備え、
前記第3のトランジスタは、前記半導体膜を形成する工程で作製することができる半導体膜を備える、機能パネル。 - 請求項6または請求項7に記載の機能パネルと、
制御部と、を有し、
前記制御部は、画像情報および制御情報を供給され、
前記制御部は、前記画像情報に基づいて情報を生成し、
前記制御部は、前記制御情報に基づいて制御信号を生成し、
前記制御部は、前記情報および前記制御信号を供給し、
前記機能パネルは、前記情報および前記制御信号を供給され、
前記画素は、前記情報に基づいて発光する、表示装置。 - 入力部と、表示部と、を有し、
前記表示部は、請求項6または請求項7に記載の機能パネルを備え、
前記入力部は、検知領域を備え、
前記入力部は、前記検知領域に近接するものを検知し、
前記検知領域は、前記画素と重なる領域を備える入出力装置。 - 請求項6または請求項7に記載の機能パネルと、
キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、を含む、情報処理装置。
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