JP7434750B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
1…半導体基板、 2…基板、 3…電子走行層、 4…2次元電子ガス層、
5…電子供給層、
10…半導体装置、 11…第1の層、 12…第2の層、 13…第3の層、
21…第2主電極、 22…第1主電極、 23…第4主電極、 24…第3主電極、
31…第1制御電極、 32…第2制御電極、
33,33’…配線導体(導通ビア)、 34…第1パッド電極、
35…第2パッド電極、 36…第2の配線導体
121…第1の配線層、 122…開口部、 131…第2の配線層。
Claims (7)
- 半導体基板上の第1の層に設けられた、第1主電極と、第2主電極と、前記第1主電極と前記第2主電極との間の第1制御電極とを有するスイッチング素子と、
前記第1の層に設けられた、第3主電極と、前記第2主電極に接続された第4主電極と、前記第3主電極と前記第4主電極との間の第2制御電極とを有する駆動素子と、
前記第2主電極及び前記第4主電極に電気的に接続された第1パッド電極とを少なくとも有する半導体装置であって、
前記第1パッド電極は、前記第4主電極の上方に位置するものであり、
前記第1パッド電極と、少なくとも前記第4主電極とを接続する配線導体と、
前記第1の層と前記第1パッド電極との間の第2の層に設けられ、前記配線導体を迂回し、前記第1制御電極と前記第3主電極とを電気的に接続する第1の配線層とを備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の層を平面視したときに、
前記第2主電極は、第1の方向に延伸して配置され、
前記第4主電極は、前記第1の方向と交差する第2の方向に延伸するように配置されたものであり、
前記第1パッド電極を平面視したときに、
前記第1パッド電極は、前記第2の方向に延伸するように配置されたものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1主電極と電気的に接続され、前記第2の方向に延伸するように配置された第2パッド電極をさらに含み、
前記第1パッド電極と前記第2パッド電極が、前記第1の方向に交互に配置されたものであることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第1の配線層は前記第4主電極の上方に開口部を有し、
前記配線導体は、前記開口部を貫通して設けられているものであることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第2の層と前記第1パッド電極との間の第3の層に、前記配線導体と接続された第2の配線層をさらに備えることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記スイッチング素子が前記駆動素子を挟むように、前記駆動素子の両側に配置され、
一方の前記スイッチング素子の前記第2主電極と、他方の前記スイッチング素子の前記第2主電極が、前記第1パッド電極を介して電気的に接続していることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板は、第1窒化物系半導体からなる電子供給層と、第2窒化物系半導体からなる電子走行層とを含み、
前記電子走行層内に2次元電子ガス層を含むことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体装置。
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