JP5466638B2 - 半導体基板を洗浄する装置及び方法 - Google Patents
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Description
粒子減少 NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5
金属汚染除去 HCl:H2O2:H2O=1:1:6
酸化物除去 HF:H2O=1:100
図3は、本発明による回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の実施例を示す。
v=2R2ω1/60
として導かれる。
d2=(x−vΔt−(x−R2)cosω1Δt)2+((x−R2)sinω1Δt)2≦R2 2
という条件を満たさなければならないことが分かる。
図4は、回転プレートを使用したウェハ洗浄装置の他の参考実施例を示す。この参考実施例は、回転プレート4008がウェハ表面に完全に平行ではなくて角度を有している点を除いて、図1A及び図1Bに示すものと類似している。この角度は0°〜15°の範囲内にある。
Claims (37)
- 半導体基板を洗浄する装置であって、
半導体基板を保持しかつ上記半導体基板を回転させるチャックと、
上記半導体基板の表面に対して平行に隙間を空けて近接配置され、該半導体基板の表面に対して平行な方向に移動するように構成された振動するプレートと、
上記プレートを該プレートに垂直な軸周りに回転駆動する駆動機構と、
上記プレートに取り付けられた力学的波動変換器と、を備え、
上記力学的波動変換器は、超音波変換器又はメガソニック変換器であり、
上記プレートは、上記力学的波動変換器によって振動するものであり、
上記プレート及び半導体基板は、或る特定の時刻における上記プレートの運動方向の前縁と重なる半導体基板上の点Aと、振動する該プレートの中心Oとの間の距離dが、該プレートがπ(rad)だけ回転する時間内において、該プレートの半径よりも小さいという条件を満たすように構成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートは、直線上を移動するように構成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートは、曲線上を移動するように構成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記半導体基板は、上記プレートの表面に対して平行な方向に移動するように構成されていることを特徴とする装置。 - 請求項4記載の装置において、
上記半導体基板は、直線上を移動するように構成されていることを特徴とする装置。 - 請求項4記載の装置において、
上記半導体基板は、曲線上を移動するように構成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記半導体基板は、該基板の中心周りに回転するように構成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレート及び上記半導体基板間の上記隙間が、0.1mm以上10mm以下の範囲内にあることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記半導体基板の表面上に化学流体を供給するノズルを更に備えることを特徴とする装置。 - 請求項9記載の装置において、
上記ノズルは、上記プレートに取り付けられていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートの表面は、平面であることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートの表面は、複数の半円柱によって形成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートの表面は、複数の三角柱によって形成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートの表面は、複数の四角柱によって形成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートの表面は、複数の楕円柱によって形成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートの表面は、一つの凹面によって形成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートの表面は、一つの凸面によって形成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートの表面は、一つの凸面及び一つの凹面によって形成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートの表面は、複数の半球体によって形成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートの表面は、複数の角錐によって形成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートの表面は、複数の半八角柱によって形成されていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記波動変換器は、20kHz以上200kHz以下の周波数範囲を有する超音波変換器であることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記波動変換器は、200kHz以上2MHz以下の周波数範囲を有するメガソニック変換器であることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートは、化学流体を流すための複数の孔を有していることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートは、円形状の輪郭を有していることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートは、三角形状の輪郭を有していることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートは、矩形状の輪郭を有していることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートは、八角形状の輪郭を有していることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートは、楕円形状の輪郭を有していることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記半導体基板は、水平方向に配置されることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記半導体基板は、鉛直方向に配置されることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記半導体基板は、水平方向に対して、0°以上90°以下の角度でもって配置されることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートは、基板面の上側に配置されることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートは、基板面の下側に配置されることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレートとは別のプレートを更に備え、
一方のプレートは、基板面の上側に配置され、他方のプレートは、基板面の下側に配置されることを特徴とする装置。 - 請求項35記載の装置において、
化学流体を供給するための2つのノズルを更に備え、
一方のノズルは基板面の上側に配置され、他方のノズルは基板面の下側に配置されることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、
上記プレート及び半導体基板は、以下の式を満たすようになされていることを特徴とする装置。
d2=(x−vΔt−(x−R2)cosω1Δt)2+((x−R2)sinω1Δt)2≦R2 2
但し、dは、或る特定の時刻tにおける上記振動するプレートの運動方向の前縁と重なる半導体基板上の点Aとプレートの中心Oとの間の距離、vは、上記半導体基板の直径方向に沿ったプレートの移動速度、R2は、上記半導体基板の半径、ω1は、プレートの角速度、ω2は、上記半導体基板の角速度、xは、上記点Aと上記半導体基板の中心との間の距離である。
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