JP7343522B2 - 電力変換装置 - Google Patents

Description

本開示は、電力変換装置に関する。

たとえば、直流電源からの直流電力を交流電力に変換することにより、たとえば三相交流モータに電力を供給する電力変換装置が開示されている（たとえば特許文献１）。電力変換装置は、１次側の制御信号に基づき、２次側の電力回路において所定の電力を出力する。このような電力変換装置では、１次側の制御回路を目的として、１次側の制御回路と２次側の電力回路とを電気的に遮断する絶縁回路が用いられる。絶縁回路の一例としては、フォトカプラが挙げられる。

特開２０１４－１６５９５６号公報

絶縁回路は、たとえば電力変換装置を構成する基板等に実装される。このため、電力変換装置の小型化が、絶縁回路の設置により阻害される。

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、小型化を図ることが可能な電力変換装置を提供することをその課題とする。

本開示によって提供される電力変換装置は、１次側制御回路を構成する制御チップ、２次側電力回路を構成する半導体チップおよび前記１次側制御回路と前記２次側電力回路とを電気的に絶縁し且つ前記１次側制御回路と前記２次側電力回路との信号伝達機能を有する伝達回路を備える半導体装置と、前記半導体装置が搭載された基板と、を備え、前記基板は、導電部を有し、前記基板に設けられ且つ前記導電部に導通する第１接続端子を備え、少なくとも一部が前記基板の前記導電部によって構成され且つ前記半導体装置の前記１次側制御回路と前記第１接続端子とを電気的に導通させる第１導通経路を備える。

本開示の電力変換装置によれば、小型化を図ることができる。

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本開示の第１実施形態に係る電力変換装置を示す平面図である。 本開示の第１実施形態に係る電力変換装置を示すシステム構成図である。 本開示の第１実施形態に係る電力変換装置を示す要部拡大平面図である。 本開示の第１実施形態に係る電力変換装置を示す要部拡大平面図である。 本開示の第１実施形態に係る電力変換装置を示す要部拡大平面図である。 本開示の第１実施形態に係る電力変換装置を示す要部拡大平面図である。 図４のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う要部拡大断面図である。 図４のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う要部拡大断面図である。 図５のＩＸ－ＩＸ線に沿う要部拡大断面図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す側面図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す要部平面図である。 図１４のＸＶ－ＸＶ線に沿う断面図である。 図１４のＸＶＩ－ＸＶＩ線に沿う断面図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体装置の電気的構成を模式的に示す回路図である。

以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。

＜第１実施形態＞
図１～図９は、本開示の第１実施形態に係る電力変換装置Ａ１を示している。本実施形態の電力変換装置Ａ１は、半導体装置Ｂ１、基板Ｈ、接続端子Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４，Ｔ５、複数の抵抗器Ｒおよび複数のコンデンサＣを備える。電力変換装置Ａ１は、たとえばパワー電源である電源Ｅ３からの直流電力を、モータＭ１を駆動するための三相交流電力に変換する。ただし、本開示の電力変換装置の用途や機能はなんら限定されない。

図１は、電力変換装置Ａ１を示す平面図である。図２は、電力変換装置Ａ１を示すシステム構成図である。図３は、電力変換装置Ａ１を示す要部拡大平面図である。図４は、電力変換装置Ａ１を示す要部拡大平面図である。図５は、電力変換装置Ａ１を示す要部拡大平面図である。図６は、電力変換装置Ａ１を示す要部拡大平面図である。図７は、図４のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う要部拡大断面図である。図８は、図４のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う要部拡大断面図である。図９は、図５のＩＸ－ＩＸ線に沿う要部拡大断面図である。これらの図において、ｘ方向は、本開示の第２方向に相当し、ｙ方向は、本開示の第１方向に相当し、ｚ方向は、本開示の厚さ方向に相当する。

＜基板Ｈ＞
基板Ｈには、半導体装置Ｂ１、複数の抵抗器Ｒおよび複数のコンデンサＣが搭載されている。本実施形態の基板Ｈは、基材Ｊ、導電部Ｋおよび絶縁層Ｌを有する。基板Ｈは、本開示の第１基板に相当する。

基材Ｊは、絶縁性材料からなる板状部材である。基材Ｊの材質としては、たとえばガラスエポキシ樹脂が挙げられる。本実施形態の基材Ｊは、主面Ｊ１１、裏面Ｊ１２、第１面Ｊ１３、第２面Ｊ１４、第３面Ｊ１５および第４面Ｊ１６を有する。

主面Ｊ１１は、ｚ方向を向いている。裏面Ｊ１２は、ｚ方向において主面Ｊ１１とは反対側を向いている。第１面Ｊ１３は、ｚ方向において主面Ｊ１１と裏面Ｊ１２との間に位置しており、図示された例においては、主面Ｊ１１および裏面Ｊ１２に繋がっている。第１面Ｊ１３は、ｘ方向を向いている。第２面Ｊ１４は、ｚ方向において主面Ｊ１１と裏面Ｊ１２との間に位置しており、図示された例においては、主面Ｊ１１および裏面Ｊ１２に繋がっている。第２面Ｊ１４は、ｘ方向において第１面Ｊ１３とは反対側を向いている。第３面Ｊ１５は、ｚ方向において主面Ｊ１１と裏面Ｊ１２との間に位置しており、図示された例においては、主面Ｊ１１および裏面Ｊ１２に繋がっている。第３面Ｊ１５は、ｙ方向を向いている。第４面Ｊ１６は、ｚ方向において主面Ｊ１１と裏面Ｊ１２との間に位置しており、図示された例においては、主面Ｊ１１および裏面Ｊ１２に繋がっている。第４面Ｊ１６は、ｙ方向において第３面Ｊ１５とは反対側を向いている。

導電部Ｋは、基材Ｊ上に配置されており、導電性材料からなる。導電部Ｋの材質としては、たとえばＣｕ、Ｎｉ、Ｔｉ等が挙げられる。導電部Ｋは、たとえばめっきにより形成される。

本実施形態の導電部Ｋは、主面部Ｋ１、裏面部Ｋ２および複数の貫通部Ｋ３を含む。主面部Ｋ１は、基材Ｊの主面Ｊ１１上に配置されている。裏面部Ｋ２は、基材Ｊの裏面Ｊ１２上に配置されている。複数の貫通部Ｋ３は、各々が基材Ｊをｚ方向に貫通しており、主面部Ｋ１の一部と裏面部Ｋ２の一部とを導通させている。

貫通部Ｋ３は、複数の貫通部Ｋ３１、複数の貫通部Ｋ３２、複数の貫通部Ｋ３３、複数の貫通部Ｋ３４および複数の貫通部Ｋ３９を含む。複数の貫通部Ｋ３９は、複数の貫通部Ｋ３９１、複数の貫通部Ｋ３９２、複数の貫通部Ｋ３９３、複数の貫通部Ｋ３９４、複数の貫通部Ｋ３９５、複数の貫通部Ｋ３９６、複数の貫通部Ｋ３９７、複数の貫通部Ｋ３９８、複数の貫通部Ｋ３９９、複数の貫通部Ｋ３９ａを含む。

図４に示すように、複数の貫通部Ｋ３９１は、基材Ｊの第３面Ｊ１５に沿って、ｘ方向に配列されている。図７に示すように、貫通部Ｋ３９１は、基材Ｊをｚ方向に貫通しており、基材Ｊの主面Ｊ１１および裏面Ｊ１２に到達している。貫通部Ｋ３９１は、筒状であり、細長い部材を挿通させることが可能である。複数の貫通部Ｋ３９１の個数は特に限定されず、図示された例においては、９つの貫通部Ｋ３９１が設けられている。

図４に示すように、複数の貫通部Ｋ３９２は、基材Ｊの第３面Ｊ１５に沿って、ｘ方向に配列されている。複数の貫通部Ｋ３９２は、複数の貫通部Ｋ３９１に対してｘ方向に離間して配置されている。貫通部Ｋ３９２は、基材Ｊをｚ方向に貫通しており、基材Ｊの主面Ｊ１１および裏面Ｊ１２に到達している。貫通部Ｋ３９２は、筒状であり、細長い部材を挿通させることが可能である。複数の貫通部Ｋ３９２の個数は特に限定されず、図示された例においては、２つの貫通部Ｋ３９２が設けられている。

図４に示すように、複数の貫通部Ｋ３９３は、基材Ｊの第３面Ｊ１５に沿って、ｘ方向に配列されている。複数の貫通部Ｋ３９３は、複数の貫通部Ｋ３９２に対してｘ方向に離間して配置されている。貫通部Ｋ３９３は、基材Ｊをｚ方向に貫通しており、基材Ｊの主面Ｊ１１および裏面Ｊ１２に到達している。貫通部Ｋ３９３は、筒状であり、細長い部材を挿通させることが可能である。複数の貫通部Ｋ３９３の個数は特に限定されず、図示された例においては、２つの貫通部Ｋ３９３が設けられている。

図６に示すように、複数の貫通部Ｋ３９４は、基材Ｊの第１面Ｊ１３に沿って、ｙ方向に配列されている。貫通部Ｋ３９４は、基材Ｊをｚ方向に貫通しており、基材Ｊの主面Ｊ１１および裏面Ｊ１２に到達している。貫通部Ｋ３９４は、筒状であり、細長い部材を挿通させることが可能である。複数の貫通部Ｋ３９４の個数は特に限定されず、図示された例においては、２つの貫通部Ｋ３９４が設けられている。

図５に示すように、複数の貫通部Ｋ３９５は、基材Ｊの第４面Ｊ１６に沿って、ｘ方向に配列されている。貫通部Ｋ３９５は、基材Ｊをｚ方向に貫通しており、基材Ｊの主面Ｊ１１および裏面Ｊ１２に到達している。貫通部Ｋ３９５は、筒状であり、細長い部材を挿通させることが可能である。複数の貫通部Ｋ３９５の個数は特に限定されず、図示された例においては、３つの貫通部Ｋ３９５が設けられている。

図４に示すように、複数の貫通部Ｋ３９６は、複数の貫通部Ｋ３９１に対してｙ方向において第４面Ｊ１６側に配置されており、ｘ方向に配列されている。図７に示すように、貫通部Ｋ３９６は、基材Ｊをｚ方向に貫通しており、基材Ｊの主面Ｊ１１および裏面Ｊ１２に到達している。貫通部Ｋ３９６は、筒状であり、細長い部材を挿通させることが可能である。複数の貫通部Ｋ３９６の個数は特に限定されず、図示された例においては、１０個の貫通部Ｋ３９６が設けられている。

図３に示すように、複数の貫通部Ｋ３９７は、複数の貫通部Ｋ３９６に対してｘ方向において第１面Ｊ１３側に離間して配置されている。また、複数の貫通部Ｋ３９７は、複数の貫通部Ｋ３９６よりもｙ方向において第４面Ｊ１６側に配置されている。複数の貫通部Ｋ３９７は、ｘ方向に配列されている。貫通部Ｋ３９７は、基材Ｊをｚ方向に貫通しており、基材Ｊの主面Ｊ１１および裏面Ｊ１２に到達している。貫通部Ｋ３９７は、筒状であり、細長い部材を挿通させることが可能である。複数の貫通部Ｋ３９７の個数は特に限定されず、図示された例においては、８つの貫通部Ｋ３９７が設けられている。

図４に示すように、複数の貫通部Ｋ３９８は、複数の貫通部Ｋ３９６に対してｘ方向において第２面Ｊ１４側に離間して配置されている。また、複数の貫通部Ｋ３９８は、複数の貫通部Ｋ３９６よりもｙ方向において第４面Ｊ１６側に配置されている。複数の貫通部Ｋ３９８は、ｘ方向に配列されている。貫通部Ｋ３９８は、基材Ｊをｚ方向に貫通しており、基材Ｊの主面Ｊ１１および裏面Ｊ１２に到達している。貫通部Ｋ３９８は、筒状であり、細長い部材を挿通させることが可能である。複数の貫通部Ｋ３９８の個数は特に限定されず、図示された例においては、３つの貫通部Ｋ３９８が設けられている。

図５に示すように、複数の貫通部Ｋ３９９は、複数の貫通部Ｋ３９５に対してｘ方向において第２面Ｊ１４側に離間して配置されている。また、複数の貫通部Ｋ３９９は、複数の貫通部Ｋ３９５よりもｙ方向において第３面Ｊ１５側に配置されている。複数の貫通部Ｋ３９９は、ｘ方向に配列されている。貫通部Ｋ３９９は、基材Ｊをｚ方向に貫通しており、基材Ｊの主面Ｊ１１および裏面Ｊ１２に到達している。貫通部Ｋ３９９は、筒状であり、細長い部材を挿通させることが可能である。複数の貫通部Ｋ３９９の個数は特に限定されず、図示された例においては、３つの貫通部Ｋ３９９が設けられている。

図５および図６に示すように、複数の貫通部Ｋ３９ａは、複数の貫通部Ｋ３９９に対してｘ方向において第１面Ｊ１３側に離間して配置されている。また、複数の貫通部Ｋ３９ａは、複数の貫通部Ｋ３９９とｙ方向において略同じ位置に配置されている。複数の貫通部Ｋ３９ａは、ｘ方向に配列されている。貫通部Ｋ３９ａは、基材Ｊをｚ方向に貫通しており、基材Ｊの主面Ｊ１１および裏面Ｊ１２に到達している。貫通部Ｋ３９ａは、筒状であり、細長い部材を挿通させることが可能である。複数の貫通部Ｋ３９ａの個数は特に限定されず、図示された例においては、５つの貫通部Ｋ３９ａが設けられている。

本実施形態の主面部Ｋ１は、複数の主面配線Ｋ１１、複数の主面配線Ｋ１２、複数の主面配線Ｋ１３、主面配線Ｋ１４、主面配線Ｋ１５、主面配線Ｋ１６および複数の主面配線Ｋ１７を含む。

本実施形態の裏面部Ｋ２は、複数の裏面配線Ｋ２１、複数の裏面配線Ｋ２２、複数の裏面配線Ｋ２３および複数のパッド部Ｋ２９を含む。

図４に示すように、複数の主面配線Ｋ１１は、主面配線Ｋ１１１，Ｋ１１２，Ｋ１１３，Ｋ１１４，Ｋ１１５，Ｋ１１６，Ｋ１１７，Ｋ１１８，Ｋ１１９，Ｋ１１ａ，Ｋ１１ｂ，Ｋ１１ｃ，Ｋ１１ｄ，Ｋ１１ｅ，Ｋ１１ｆ，Ｋ１１ｇ，Ｋ１１ｈ，Ｋ１１ｉを含む。

図４および図７に示すように、主面配線Ｋ１１１は、貫通部Ｋ３９６に繋がっており、第３面Ｊ１５に向かってｙ方向に延びている。主面配線Ｋ１１１は、１つの途切れた部分を含む。当該部分には、後述の電子部品が実装される。主面配線Ｋ１１ａは、ｙ方向において主面配線Ｋ１１１に対して第３面Ｊ１５側に離間して配置されている。主面配線Ｋ１１ａは、ｙ方向に延びており、ｙ方向視において主面配線Ｋ１１１と重なる。主面配線Ｋ１１ａは、貫通部Ｋ３９１と繋がっている。主面配線Ｋ１１ａは、１つの途切れた部分を含む。当該部分には、後述の電子部品が実装される。

図４に示すように、複数の裏面配線Ｋ２１は、裏面配線Ｋ２１１，Ｋ２１２，Ｋ２１３，Ｋ２１４，Ｋ２１５，Ｋ２１６，Ｋ２１７を含む。図４および図７に示すように、裏面配線Ｋ２１１は、ｙ方向に延びており、ｘ方向において主面配線Ｋ１１１と重なる位置に設けられている。

図７に示す貫通部Ｋ３１は、基材Ｊをｚ方向に貫通しており、基材Ｊの主面Ｊ１１および裏面Ｊ１２に到達している。この貫通部Ｋ３１は、主面配線Ｋ１１１および裏面配線Ｋ２１１の双方に繋がっている。主面配線Ｋ１１１は、貫通部Ｋ３１からｙ方向において第３面Ｊ１５側に延びる部分を有する。

図７に示す貫通部Ｋ３２は、基材Ｊをｚ方向に貫通しており、基材Ｊの主面Ｊ１１および裏面Ｊ１２に到達している。この貫通部Ｋ３２は、主面配線Ｋ１１ａおよび裏面配線Ｋ２１１の双方に繋がっている。

図４に示すように、主面配線Ｋ１１２は、ｘ方向において主面配線Ｋ１１１に対して第２面Ｊ１４側に配置されている。主面配線Ｋ１１２は、１つの貫通部Ｋ３９６に繋がっており、第３面Ｊ１５に向かってｙ方向に延びている。主面配線Ｋ１１２は、１つの途切れた部分を含む。当該部分には、後述の電子部品が実装される。主面配線Ｋ１１ｂは、ｙ方向において主面配線Ｋ１１２に対して第３面Ｊ１５側に離間して配置されている。主面配線Ｋ１１ｂは、ｙ方向に延びており、ｙ方向視において主面配線Ｋ１１２と重なる。主面配線Ｋ１１ｂは、１つの貫通部Ｋ３９１と繋がっている。主面配線Ｋ１１ｂは、１つの途切れた部分を含む。当該部分には、後述の電子部品が実装される。

図４に示すように、裏面配線Ｋ２１２は、ｙ方向に延びており、ｘ方向において主面配線Ｋ１１２と重なる位置に設けられている。

１つの貫通部Ｋ３１は、主面配線Ｋ１１２および裏面配線Ｋ２１２の双方に繋がっている。主面配線Ｋ１１２は、貫通部Ｋ３１からｙ方向において第３面Ｊ１５側に延びる部分を有する。１つの貫通部Ｋ３２は、主面配線Ｋ１１ｂおよび裏面配線Ｋ２１２の双方に繋がっている。

図４に示すように、主面配線Ｋ１１３は、ｘ方向において主面配線Ｋ１１２に対して第２面Ｊ１４側に配置されている。主面配線Ｋ１１３は、１つの貫通部Ｋ３９６に繋がっており、第３面Ｊ１５に向かってｙ方向に延びている。主面配線Ｋ１１３は、１つの途切れた部分を含む。当該部分には、後述の電子部品が実装される。主面配線Ｋ１１ｃは、ｙ方向において主面配線Ｋ１１３に対して第３面Ｊ１５側に離間して配置されている。主面配線Ｋ１１ｃは、ｙ方向に延びており、ｙ方向視において主面配線Ｋ１１３と重なる。主面配線Ｋ１１ｃは、１つの貫通部Ｋ３９１と繋がっている。主面配線Ｋ１１ｃは、１つの途切れた部分を含む。当該部分には、後述の電子部品が実装される。

図４に示すように、裏面配線Ｋ２１３は、ｙ方向に延びており、ｘ方向において主面配線Ｋ１１３と重なる位置に設けられている。

１つの貫通部Ｋ３１は、主面配線Ｋ１１３および裏面配線Ｋ２１３の双方に繋がっている。主面配線Ｋ１１３は、貫通部Ｋ３１からｙ方向において第３面Ｊ１５側に延びる部分を有する。１つの貫通部Ｋ３２は、主面配線Ｋ１１ｃおよび裏面配線Ｋ２１３の双方に繋がっている。

図４に示すように、主面配線Ｋ１１４は、ｘ方向において主面配線Ｋ１１３に対して第２面Ｊ１４側に配置されている。主面配線Ｋ１１４は、１つの貫通部Ｋ３９６に繋がっており、第３面Ｊ１５に向かってｙ方向に延びている。主面配線Ｋ１１４は、１つの途切れた部分を含む。当該部分には、後述の電子部品が実装される。主面配線Ｋ１１ｄは、ｙ方向において主面配線Ｋ１１４に対して第３面Ｊ１５側に離間して配置されている。主面配線Ｋ１１ｄは、ｙ方向に延びており、ｙ方向視において主面配線Ｋ１１４と重なる。主面配線Ｋ１１ｄは、１つの貫通部Ｋ３９１と繋がっている。主面配線Ｋ１１ｄは、１つの途切れた部分を含む。当該部分には、後述の電子部品が実装される。

図４に示すように、裏面配線Ｋ２１４は、ｙ方向に延びており、ｘ方向において主面配線Ｋ１１４と重なる位置に設けられている。

１つの貫通部Ｋ３１は、主面配線Ｋ１１４および裏面配線Ｋ２１４の双方に繋がっている。主面配線Ｋ１１４は、貫通部Ｋ３１からｙ方向において第３面Ｊ１５側に延びる部分を有する。１つの貫通部Ｋ３２は、主面配線Ｋ１１ｄおよび裏面配線Ｋ２１４の双方に繋がっている。

図４に示すように、主面配線Ｋ１１５は、ｘ方向において主面配線Ｋ１１４に対して第２面Ｊ１４側に配置されている。主面配線Ｋ１１５は、１つの貫通部Ｋ３９６に繋がっており、第３面Ｊ１５に向かってｙ方向に延びている。主面配線Ｋ１１５は、１つの途切れた部分を含む。当該部分には、後述の電子部品が実装される。主面配線Ｋ１１ｅは、ｙ方向において主面配線Ｋ１１５に対して第３面Ｊ１５側に離間して配置されている。主面配線Ｋ１１ｅは、ｙ方向に延びており、ｙ方向視において主面配線Ｋ１１５と重なる。主面配線Ｋ１１ｅは、１つの貫通部Ｋ３９１と繋がっている。主面配線Ｋ１１ｅは、１つの途切れた部分を含む。当該部分には、後述の電子部品が実装される。

図４に示すように、裏面配線Ｋ２１５は、ｙ方向に延びており、ｘ方向において主面配線Ｋ１１５と重なる位置に設けられている。

１つの貫通部Ｋ３１は、主面配線Ｋ１１５および裏面配線Ｋ２１５の双方に繋がっている。主面配線Ｋ１１５は、貫通部Ｋ３１からｙ方向において第３面Ｊ１５側に延びる部分を有する。１つの貫通部Ｋ３２は、主面配線Ｋ１１ｅおよび裏面配線Ｋ２１５の双方に繋がっている。

図４に示すように、主面配線Ｋ１１６は、ｘ方向において主面配線Ｋ１１５に対して第２面Ｊ１４側に配置されている。主面配線Ｋ１１６は、１つの貫通部Ｋ３９６に繋がっており、第３面Ｊ１５に向かってｙ方向に延びている。主面配線Ｋ１１６は、１つの途切れた部分を含む。当該部分には、後述の電子部品が実装される。主面配線Ｋ１１ｆは、ｙ方向において主面配線Ｋ１１６に対して第３面Ｊ１５側に離間して配置されている。主面配線Ｋ１１ｆは、ｙ方向に延びており、ｙ方向視において主面配線Ｋ１１６と重なる。主面配線Ｋ１１ｆは、１つの貫通部Ｋ３９１と繋がっている。主面配線Ｋ１１ｆは、１つの途切れた部分を含む。当該部分には、後述の電子部品が実装される。

図４に示すように、裏面配線Ｋ２１６は、ｙ方向に延びており、ｘ方向において主面配線Ｋ１１６と重なる位置に設けられている。

１つの貫通部Ｋ３１は、主面配線Ｋ１１６および裏面配線Ｋ２１６の双方に繋がっている。主面配線Ｋ１１６は、貫通部Ｋ３１からｙ方向において第３面Ｊ１５側に延びる部分を有する。１つの貫通部Ｋ３２は、主面配線Ｋ１１ｆおよび裏面配線Ｋ２１６の双方に繋がっている。

図４に示すように、主面配線Ｋ１１７は、ｘ方向において主面配線Ｋ１１６に対して第２面Ｊ１４側に配置されている。主面配線Ｋ１１７は、ｙ方向において１つの貫通部Ｋ３９６から第３面Ｊ１５側に配置されており、ｙ方向に延びている。主面配線Ｋ１１７は、１つの貫通部Ｋ３９１と繋がっている。

図４に示すように、主面配線Ｋ１１８は、ｘ方向において主面配線Ｋ１１７に対して第２面Ｊ１４側に配置されている。主面配線Ｋ１１８は、１つの貫通部Ｋ３９６に繋がっており、ｙ方向に延びている。主面配線Ｋ１１８は、１つの貫通部Ｋ３９１と繋がっている。

図４に示すように、主面配線Ｋ１１９は、ｘ方向において主面配線Ｋ１１８に対して第２面Ｊ１４側に配置されている。主面配線Ｋ１１９は、１つの貫通部Ｋ３９６に繋がっており、ｙ方向に延びている。主面配線Ｋ１１９は、１つの貫通部Ｋ３９１と繋がっている。

図４に示すように、主面配線Ｋ１１ｇは、主面配線Ｋ１１１，Ｋ１１２，Ｋ１１３，Ｋ１１４，Ｋ１１５，Ｋ１１６のｙ方向における第３面Ｊ１５側の端部に繋がっており、ｘ方向に延びている。主面配線Ｋ１１ｇは、さらに、主面配線Ｋ１１７に繋がっている。

図４に示すように、主面配線Ｋ１１ｈは、主面配線Ｋ１１９のｙ方向中途部分に繋がっている。主面配線Ｋ１１ｈは、ｘ方向において主面配線Ｋ１１９から第２面Ｊ１４側に延びる部分と、ｙ方向において第３面Ｊ１５に向かって延びる部分とを有する。主面配線Ｋ１１ｈは、１つの貫通部Ｋ３９２に繋がっている。

図４に示すように、主面配線Ｋ１１ｉは、ｘ方向において主面配線Ｋ１１９に対して第２面Ｊ１４側に配置されている。主面配線Ｋ１１ｉは、１つの貫通部Ｋ３９６に繋がっている。主面配線Ｋ１１ｉは、貫通部Ｋ３９６からｙ方向において第３面Ｊ１５側に延びる部分と、ｘ方向において第２面Ｊ１４側に延びる部分と、ｙ方向において第３面Ｊ１５側に延びる部分とを有する。主面配線Ｋ１１ｉは、１つの貫通部Ｋ３９２に繋がっている。

裏面配線Ｋ２１７は、ｘ方向に延びており、ｚ方向視において主面配線Ｋ１１７，Ｋ１１８，Ｋ１１９，Ｋ１１ｉと重なっている。また、裏面配線Ｋ２１７は、ｘ方向視において主面配線Ｋ１１ｇと重なっている。

図４に示すように、裏面配線Ｋ２１７は、２つの貫通部Ｋ３３に繋がっている。一方の貫通部Ｋ３３は、主面配線Ｋ１１７および裏面配線Ｋ２１７に繋がっている。他方の貫通部Ｋ３３は、主面配線Ｋ１１ｉおよび裏面配線Ｋ２１７に繋がっている。

図３に示すように、複数の主面配線Ｋ１２は、主面配線Ｋ１２１，Ｋ１２２，Ｋ１２３，Ｋ１２４，Ｋ１２５，Ｋ１２６を含む。

主面配線Ｋ１２１は、図３に示すように、１つの貫通部Ｋ３９７に繋がっており、ｙ方向において第３面Ｊ１５側に延びる部分と、ｘ方向において第１面Ｊ１３側に延びる部分とを有する。

主面配線Ｋ１２２は、図３に示すように、ｘ方向において主面配線Ｋ１２１に対して第２面Ｊ１４側に配置されている。主面配線Ｋ１２２は、１つの貫通部Ｋ３９７に繋がっており、ｙ方向において第３面Ｊ１５側に延びる部分と、ｘ方向において第１面Ｊ１３側に延びる部分とを有する。

主面配線Ｋ１２３は、図３に示すように、ｘ方向において主面配線Ｋ１２２に対して第２面Ｊ１４側に配置されている。主面配線Ｋ１２３は、１つの貫通部Ｋ３９７に繋がっており、ｙ方向において第３面Ｊ１５側に延びている。

主面配線Ｋ１２４は、図３に示すように、ｘ方向において主面配線Ｋ１２３に対して第２面Ｊ１４側に配置されている。主面配線Ｋ１２４は、１つの貫通部Ｋ３９７に繋がっており、ｙ方向において第３面Ｊ１５側に延びている。

主面配線Ｋ１２５は、図３に示すように、ｘ方向において主面配線Ｋ１２４に対して第２面Ｊ１４側に配置されている。主面配線Ｋ１２５は、１つの貫通部Ｋ３９７に繋がっており、ｙ方向において第３面Ｊ１５側に延びている。

主面配線Ｋ１２６は、図３に示すように、ｘ方向において主面配線Ｋ１２５に対して第２面Ｊ１４側に配置されている。主面配線Ｋ１２６は、１つの貫通部Ｋ３９７に繋がっており、ｙ方向において第３面Ｊ１５側に延びている。

図４に示すように、複数の主面配線Ｋ１３は、主面配線Ｋ１３１，Ｋ１３２を含む。

主面配線Ｋ１３１は、図４に示すように、ｘ方向において主面配線Ｋ１１ｉに対して第２面Ｊ１４側に配置されている。主面配線Ｋ１３１は、１つの貫通部Ｋ３９８に繋がっている。主面配線Ｋ１３１は、ｙ方向に延びており、１つの貫通部Ｋ３９３と繋がっている。

主面配線Ｋ１３２は、図４に示すように、ｘ方向において主面配線Ｋ１３１に対して第２面Ｊ１４側に配置されている。主面配線Ｋ１３２は、１つの貫通部Ｋ３９８に繋がっている。主面配線Ｋ１３２は、ｙ方向に延びており、１つの貫通部Ｋ３９３と繋がっている。

図４、図５および図６に示すように、複数の主面配線Ｋ１４は、第１部Ｋ１４１、第２部Ｋ１４２、第３部Ｋ１４３および第４部Ｋ１４４を含む。

第１部Ｋ１４１は、主面配線Ｋ１３の主面配線Ｋ１３２に対してｘ方向における第２面Ｊ１４側に繋がっている。第１部Ｋ１４１のｙ方向寸法である寸法ｙ１４１は、たとえば主面配線Ｋ１１ｇのｙ方向寸法であるｙ１１ｇよりも大きい。また、第１部Ｋ１４１は、ｘ方向視において複数の貫通部Ｋ３９６と重なる。第１部Ｋ１４１のｘ方向寸法である寸法ｘ１４１は、寸法ｙ１４１よりも大きい。図示された例においては、第１部Ｋ１４１は、矩形状である。

第２部Ｋ１４２は、第１部Ｋ１４１に対してｙ方向における第４面Ｊ１６側に繋がっている。また、第２部Ｋ１４２は、第１部Ｋ１４１のｘ方向における第２面Ｊ１４側の部分に繋がっている。第１部Ｋ１４１は、第１部Ｋ１４１からｙ方向に沿って第４面Ｊ１６側に延びている。第２部Ｋ１４２のｘ方向寸法である寸法ｘ１４２は、寸法ｘ１４１よりも小さい。また、寸法ｘ１４２は、主面配線Ｋ１１１のｘ方向寸法である寸法ｘ１１１よりも大きい。

第３部Ｋ１４３は、第２部Ｋ１４２に対してｙ方向における第４面Ｊ１６側に繋がっている。第３部Ｋ１４３のｘ方向寸法である寸法ｘ１４３は、寸法ｘ１４１よりも大きい。また、第３部Ｋ１４３のｙ方向寸法である寸法ｙ１４３は、寸法ｙ１４１よりも大きい。第３部Ｋ１４３は、ｙ方向視において３つの貫通部Ｋ３９９と重なる。図示された例においては、第３部Ｋ１４３は、矩形状である。

第４部Ｋ１４４は、第３部Ｋ１４３に対してｘ方向における第１面Ｊ１３側に繋がっている。第４部Ｋ１４４は、第４面Ｊ１６に沿ってｘ方向に延びており、２つの貫通部Ｋ３９４のうちｙ方向において第４面Ｊ１６側に位置するものに繋がっている。第４部Ｋ１４４のｙ方向寸法である寸法ｙ１４４は、寸法ｙ方向１４３よりも小さい。また、寸法ｙ１４４は、寸法ｙ１１ｇよりも大きい。

図４および図５に示すように、複数の主面配線Ｋ１５は、第１部Ｋ１５１、第２部Ｋ１５２、第３部Ｋ１５３、第４部Ｋ１５４および第５部Ｋ１５５を有する。

第１部Ｋ１５１は、主面配線Ｋ１４の第１部Ｋ１４１に対してｙ方向における第４面Ｊ１６側に繋がっている。第１部Ｋ１５１は、第２部Ｋ１４２に対してｘ方向における第１面Ｊ１３側に離間して配置されている。第１部Ｋ１５１は、第１部Ｋ１４１からｙ方向に沿って第４面Ｊ１６側に延びる部分と、当該部分のｙ方向端部からｘ方向における第１面Ｊ１３側に延びる部分とを有する。第１部Ｋ１５１のｙ方向に延びる部分のｘ方向寸法である寸法ｘ１５１は、寸法ｘ１４２よりも小さい。第１部Ｋ１５１のｙ方向に延びる部分は、２つの途切れた部分を含む。当該部分には、後述の電子部品が実装される。第１部Ｋ１５１のｘ方向に延びる部分のｙ方向寸法である寸法ｙ１５１は、寸法ｙ１４３よりも小さい。また、寸法ｙ１５１は、寸法ｙ１１ｇよりも大きい。

第２部Ｋ１５２は、３つの貫通部Ｋ３９８のうちｘ方向において最も第１面Ｊ１３側に位置するものに繋がっている。第２部Ｋ１５２は、当該貫通部Ｋ３９８からｙ方向における第４面Ｊ１６側に延びる部分と、当該部分からｘ方向における第２面Ｊ１４側に延びて第１部Ｋ１５１に繋がる部分とを有する。

第３部Ｋ１５３は、第１部Ｋ１５１のｘ方向に延びる部分の第１面Ｊ１３側の端部に繋がり、ｙ方向における第３面Ｊ１５側に延びている。第３部Ｋ１５３は、３つの貫通部Ｋ３９９のうちｘ方向において最も第１面Ｊ１３に位置するものに繋がっている。

第４部Ｋ１５４は、第１部Ｋ１５１のｘ方向に延びる部分に繋がっている。第４部Ｋ１５４は、第３部Ｋ１５３に対してｘ方向における第２面Ｊ１４に離間している。第４部Ｋ１５４は、第１部Ｋ１５１のｘ方向に延びる部分からｙ方向における第３面Ｊ１５側に延びている。第４部Ｋ１５４は、３つの貫通部Ｋ３９９のうちｘ方向において中央に位置するものに繋がっている。

第５部Ｋ１５５は、第１部Ｋ１５１のｘ方向に延びる部分に繋がっている。第５部Ｋ１５５は、第４部Ｋ１５４に対してｘ方向における第２面Ｊ１４に離間している。第５部Ｋ１５５は、第１部Ｋ１５１のｘ方向に延びる部分からｙ方向における第３面Ｊ１５側に延びている。第４部Ｋ１５４は、３つの貫通部Ｋ３９９のうちｘ方向において最も第２面Ｊ１４側に位置するものに繋がっている。

複数の裏面配線Ｋ２２は、図４に示すように、裏面配線Ｋ２２１および裏面配線Ｋ２２２を有する。

裏面配線Ｋ２２１は、複数の貫通部Ｋ３９７のうちｘ方向において第２面Ｊ１４側から２番目に位置するものに繋がっている。裏面配線Ｋ２２１は、当該貫通部Ｋ３９７からｙ方向における第４面Ｊ１６側に延びる部分と、当該部分からｘ方向における第２面Ｊ１４側に延びる部分と、当該部分からｙ方向における第３面Ｊ１５側に延びて３つの貫通部Ｋ３９８のうちｘ方向において最も第２面Ｊ１４側に位置するものに繋がる部分とを有する。図４および図８に示すように、裏面配線Ｋ２２１は、ｚ方向視において主面配線Ｋ１５の第２部Ｋ１５２に重なっている。

裏面配線Ｋ２２２は、複数の貫通部Ｋ３９７のうちｘ方向において最も第２面Ｊ１４側に位置するものに繋がっている。裏面配線Ｋ２２２は、当該貫通部Ｋ３９７からｙ方向における第４面Ｊ１６側に延びる部分と、当該部分からｘ方向における第２面Ｊ１４側に延びる部分と、当該部分からｙ方向における第３面Ｊ１５側に延びて３つの貫通部Ｋ３９８のうちｘ方向において中央に位置するものに繋がる部分とを有する。図４および図８に示すように、裏面配線Ｋ２２２は、ｚ方向視において主面配線Ｋ１５の第２部Ｋ１５２に重なっている。

主面配線Ｋ１６は、図４に示すように、主面配線Ｋ１６１を含む。主面配線Ｋ１６１は、２つの貫通部Ｋ３９４のうちｙ方向において第３面Ｊ１５側に位置するものに繋がっている。主面配線Ｋ１６１は、当該貫通部Ｋ３９４からｘ方向において第２面Ｊ１４側に延びる部分と、当該部分からｙ方向において第３面Ｊ１５側に延びて２つの貫通部Ｋ３９ａのうちｘ方向において第２面Ｊ１４側に位置するものに繋がる部分とを有する。主面配線Ｋ１６１のうちｘ方向に延びる部分のｙ方向寸法である寸法ｙ１６１は、寸法ｙ１４４と略同じである。

複数の主面配線Ｋ１７は、図５に示すように、主面配線Ｋ１７１、主面配線Ｋ１７２および主面配線Ｋ１７３を含む。

図５および図９に示すように、主面配線Ｋ１７１は、複数の貫通部Ｋ３９ａのうちｘ方向において第２面Ｊ１４側から３番目に位置するものに繋がっており、第４面Ｊ１６に向かってｙ方向に延びている。主面配線Ｋ１７１のｘ方向寸法である寸法ｘ１７１は、寸法ｘ１１１よりも大きい。

図５に示すように、複数の裏面配線Ｋ２３は、裏面配線Ｋ２３１，Ｋ２３２，Ｋ２３３を含む。図５および図９に示すように、裏面配線Ｋ２３１は、ｙ方向に延びており、ｘ方向において主面配線Ｋ１７１と重なる位置に設けられている。裏面配線Ｋ２３１は、３つの貫通部Ｋ３９５のうちｘ方向において最も第１面Ｊ１３側に位置するものに繋がっている。また、裏面配線Ｋ２３１の端部は、主面配線Ｋ１７１の端部とｚ方向視において重なっている。

図５および図９に示す複数の貫通部Ｋ３４は、基材Ｊをｚ方向に貫通しており、基材Ｊの主面Ｊ１１および裏面Ｊ１２に到達している。これらの貫通部Ｋ３４は、主面配線Ｋ１７１および裏面配線Ｋ２３１の双方に繋がっている。複数の貫通部Ｋ３４の個数は特に限定されず、３つ以上であってもよい。また、複数の貫通部Ｋ３４は、ｙ方向に１列に並んだものに限定されず、たとえば複数列に並んだものであってもよい。

図５に示すように、主面配線Ｋ１７２は、複数の貫通部Ｋ３９ａのうちｘ方向において第２面Ｊ１４側から２番目に位置するものに繋がっており、第４面Ｊ１６に向かってｙ方向に延びている。

図５に示すように、裏面配線Ｋ２３２は、ｙ方向に延びており、ｘ方向において主面配線Ｋ１７２と重なる位置に設けられている。裏面配線Ｋ２３２は、３つの貫通部Ｋ３９５のうちｘ方向において中央に位置するものに繋がっている。また、裏面配線Ｋ２３２の端部は、主面配線Ｋ１７２の端部とｚ方向視において重なっている。

図５に示すように、２つの貫通部Ｋ３４は、主面配線Ｋ１７２および裏面配線Ｋ２３２の双方に繋がっている。複数の貫通部Ｋ３４の個数は特に限定されず、３つ以上であってもよい。また、複数の貫通部Ｋ３４は、ｙ方向に１列に並んだものに限定されず、たとえば複数列に並んだものであってもよい。

図５に示すように、主面配線Ｋ１７３は、複数の貫通部Ｋ３９ａのうちｘ方向において最も第２面Ｊ１４側に位置するものに繋がっており、第４面Ｊ１６に向かってｙ方向に延びている。

図５に示すように、裏面配線Ｋ２３３は、ｙ方向に延びており、ｘ方向において主面配線Ｋ１７３と重なる位置に設けられている。裏面配線Ｋ２３３は、３つの貫通部Ｋ３９５のうちｘ方向において最も第２面Ｊ１４位置するものに繋がっている。また、裏面配線Ｋ２３３の端部は、主面配線Ｋ１７３の端部とｚ方向視において重なっている。

図５に示すように、２つの貫通部Ｋ３４は、主面配線Ｋ１７３および裏面配線Ｋ２３３の双方に繋がっている。複数の貫通部Ｋ３４の個数は特に限定されず、３つ以上であってもよい。また、複数の貫通部Ｋ３４は、ｙ方向に１列に並んだものに限定されず、たとえば複数列に並んだものであってもよい。

絶縁層Ｌは、導電部Ｋの一部を覆い、他の部分を露出させている。絶縁層Ｌは、たとえばレジスト膜からなる。図１および図３～図６においては、絶縁層Ｌを省略している。

図７～図９に示すように、本実施形態の絶縁層Ｌは、第１面部Ｌ１および第２面部Ｌ２を含む。第１面部Ｌ１は、基材Ｊの主面Ｊ１１上に配置されており、導電部Ｋの主面部Ｋ１を部分的に覆っている。第２面部Ｌ２は、裏面Ｊ１２上に配置されており、導電部Ｋの裏面部Ｋ２を部分的に覆っている。

＜接続端子Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４，Ｔ５＞
接続端子Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４，Ｔ５は、基板Ｈに取り付けられており、各々が導電部Ｋに導通している。

図１、図４および図７に示すように、接続端子Ｔ１は、基材Ｊの第３面Ｊ１５に沿って配置されており、図示された例においては、ｚ方向視において第３面Ｊ１５と重なっている。接続端子Ｔ１は、基材Ｊの主面Ｊ１１側から複数の貫通部Ｋ３９１に端子ピンが挿通されており、複数のパッド部Ｋ２９１にはんだ等によって導通接合されている。図示された例においては、接続端子Ｔ１は、主面配線Ｋ１１ａ，Ｋ１１ｂ，Ｋ１１ｃ，Ｋ１１ｄ，Ｋ１１ｅ，Ｋ１１ｆ，Ｋ１１８，Ｋ１１９に接続されている。図１に示すように、接続端子Ｔ１は、電力変換装置Ａ１外に設けられた例えばマイクロコントローラユニットＰ１に接続される。接続端子Ｔ１は、本開示の第１接続端子に相当する。

図１および図４に示すように、接続端子Ｔ２は、基材Ｊの第３面Ｊ１５に沿って配置されており、図示された例においては、ｚ方向視において第３面Ｊ１５と重なっている。また、接続端子Ｔ２は、接続端子Ｔ１に対してｘ方向において第２面Ｊ１４側に離間して配置されている。接続端子Ｔ２は、基材Ｊの主面Ｊ１１側から複数の貫通部Ｋ３９２に端子ピンが挿通されており、複数のパッド部Ｋ２９２にはんだ等によって導通接合されている。図示された例においては、接続端子Ｔ２は、主面配線Ｋ１１ｈ，Ｋ１１ｉに接続されている。図１に示すように、接続端子Ｔ２は、電力変換装置Ａ１外に設けられた例えば電源Ｅ１に接続される。電源Ｅ１は、たとえば５Ｖの直流電源であり、１次側制御回路を駆動するための電源である。

図１および図４に示すように、接続端子Ｔ３は、基材Ｊの第３面Ｊ１５に沿って配置されており、図示された例においては、ｚ方向視において第３面Ｊ１５と重なっている。また、接続端子Ｔ３は、接続端子Ｔ２に対してｘ方向において第２面Ｊ１４側に離間して配置されている。接続端子Ｔ３は、基材Ｊの主面Ｊ１１側から複数の貫通部Ｋ３９３に端子ピンが挿通されており、複数のパッド部Ｋ２９３にはんだ等によって導通接合されている。図示された例においては、接続端子Ｔ３は、主面配線Ｋ１３１，Ｋ１３２に接続されている。図１に示すように、接続端子Ｔ３は、電力変換装置Ａ１外に設けられた例えば電源Ｅ２に接続される。電源Ｅ２は、たとえば１５Ｖの直流電源であり、２次側電力回路を制御するための電源である。

図１および図６に示すように、接続端子Ｔ４は、基材Ｊの第１面Ｊ１３に沿って配置されており、図示された例においては、ｚ方向視において第１面Ｊ１３と重なっている。接続端子Ｔ４は、基材Ｊの主面Ｊ１１側から複数の貫通部Ｋ３９４に端子ピンが挿通されており、複数のパッド部Ｋ２９４にはんだ等によって導通接合されている。図示された例においては、接続端子Ｔ４は、第４部Ｋ１４４および主面配線Ｋ１６１に接続されている。図１に示すように、接続端子Ｔ３は、電力変換装置Ａ１外に設けられた例えば電源Ｅ３に接続される。電源Ｅ３は、たとえば６００Ｖの直流電源であり、２次側電力回路のインバータ電源である。

図１および図５に示すように、接続端子Ｔ５は、基材Ｊの第４面Ｊ１６に沿って配置されており、図示された例においては、ｚ方向視において第４面Ｊ１６と重なっている。接続端子Ｔ５は、基材Ｊの主面Ｊ１１側から複数の貫通部Ｋ３９４に端子ピンが挿通されており、複数のパッド部Ｋ２９５にはんだ等によって導通接合されている。図示された例においては、接続端子Ｔ５は、裏面配線Ｋ２３１，Ｋ２３２，Ｋ２３３に接続されている。図１に示すように、接続端子Ｔ５は、電力変換装置Ａ１外に設けられた例えばモータＭ１に接続される。モータＭ１は、たとえば電力変換装置Ａ１が電力を供給する対象であり、一例としては三相交流モータが挙げられる。接続端子Ｔ５は、本開示の第２接続端子に相当する。

＜複数の抵抗器Ｒおよび複数のコンデンサＣ＞
複数の抵抗器Ｒおよび複数のコンデンサＣは、基板Ｈに実装されており、半導体装置Ｂ１とともに、図２に示す電力変換装置Ａ１の回路を構成している。なお、図示された電力変換装置Ａ１における複数の抵抗器Ｒおよび複数のコンデンサＣの個数および配置等は一例であり、これに限定されない。図示された複数の抵抗器Ｒおよび複数のコンデンサＣの他に、抵抗器やコンデンサが用いられていてもよいし、抵抗器やコンデンサとは異なる種類の電子部品が用いられていてもよい。以降の説明においては、複数の抵抗器Ｒおよび複数のコンデンサＣに適宜数字を加えた符号によって個体を区別する。

図１、図２および図４に示すように、第１部Ｋ１５１に抵抗器Ｒ１およびコンデンサＣ１が実装されている。抵抗器Ｒ１は、第１部Ｋ１５１の２つの途切れた部分のうちｙ方向において第４面Ｊ１６側に位置する部分に実装されている。また、抵抗器Ｒ１は、第１部Ｋ１５１と第２部Ｋ１５２との接続部分に対して第１部Ｋ１４１とは反対側に配置されている。抵抗器Ｒ１は、第１部Ｋ１５１のうちｙ方向に延びる部分の中心よりもｙ方向において第３面Ｊ１５側に配置されている。コンデンサＣ１は、第１部Ｋ１５１の２つの途切れた部分のうち第２部Ｋ１５２と第１部Ｋ１４１との間に位置するものに実装されている。

図４および図７に示すように、主面配線Ｋ１１１には、コンデンサＣ２１が実装されている。コンデンサＣ２１は、主面配線Ｋ１１１の途切れた部分に実装されている。また、コンデンサＣ２１は、主面配線Ｋ１１１に繋がる貫通部Ｋ３１と主面配線Ｋ１１ｇとの間に実装されている。抵抗器Ｒ２１は、主面配線Ｋ１１ａの途切れた部分に実装されている。また、抵抗器Ｒ２１は、主面配線Ｋ１１ａに繋がる貫通部Ｋ３２と貫通部Ｋ３９１との間に実装されている。

図４に示すように、主面配線Ｋ１１２には、コンデンサＣ２２が実装されている。コンデンサＣ２２は、主面配線Ｋ１１２の途切れた部分に実装されている。また、コンデンサＣ２２は、主面配線Ｋ１１２に繋がる貫通部Ｋ３１と主面配線Ｋ１１ｇとの間に実装されている。抵抗器Ｒ２２は、主面配線Ｋ１１ｂの途切れた部分に実装されている。また、抵抗器Ｒ２２は、主面配線Ｋ１１ｂに繋がる貫通部Ｋ３２と貫通部Ｋ３９１との間に実装されている。

図４に示すように、主面配線Ｋ１１３には、コンデンサＣ２３が実装されている。コンデンサＣ２３は、主面配線Ｋ１１３の途切れた部分に実装されている。また、コンデンサＣ２３は、主面配線Ｋ１１３に繋がる貫通部Ｋ３１と主面配線Ｋ１１ｇとの間に実装されている。抵抗器Ｒ２３は、主面配線Ｋ１１ｃの途切れた部分に実装されている。また、抵抗器Ｒ２３は、主面配線Ｋ１１ｃに繋がる貫通部Ｋ３２と貫通部Ｋ３９１との間に実装されている。

図４に示すように、主面配線Ｋ１１４には、コンデンサＣ２４が実装されている。コンデンサＣ２４は、主面配線Ｋ１１４の途切れた部分に実装されている。また、コンデンサＣ２４は、主面配線Ｋ１１４に繋がる貫通部Ｋ３１と主面配線Ｋ１１ｇとの間に実装されている。抵抗器Ｒ２４は、主面配線Ｋ１１ｄの途切れた部分に実装されている。また、抵抗器Ｒ２４は、主面配線Ｋ１１ｄに繋がる貫通部Ｋ３２と貫通部Ｋ３９１との間に実装されている。

図４に示すように、主面配線Ｋ１１５には、コンデンサＣ２５が実装されている。コンデンサＣ２５は、主面配線Ｋ１１５の途切れた部分に実装されている。また、コンデンサＣ２５は、主面配線Ｋ１１５に繋がる貫通部Ｋ３１と主面配線Ｋ１１ｇとの間に実装されている。抵抗器Ｒ２５は、主面配線Ｋ１１ｅの途切れた部分に実装されている。また、抵抗器Ｒ２５は、主面配線Ｋ１１ｅに繋がる貫通部Ｋ３２と貫通部Ｋ３９１との間に実装されている。

図４に示すように、主面配線Ｋ１１６には、コンデンサＣ２６が実装されている。コンデンサＣ２６は、主面配線Ｋ１１６の途切れた部分に実装されている。また、コンデンサＣ２６は、主面配線Ｋ１１６に繋がる貫通部Ｋ３１と主面配線Ｋ１１ｇとの間に実装されている。抵抗器Ｒ２６は、主面配線Ｋ１１ｆの途切れた部分に実装されている。また、抵抗器Ｒ２６は、主面配線Ｋ１１ｆに繋がる貫通部Ｋ３２と貫通部Ｋ３９１との間に実装されている。

コンデンサＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３，Ｃ２４，Ｃ２５，Ｃ２６は、主面配線Ｋ１１ｇに対してそれぞれ直列に接続されている。これらのコンデンサＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３，Ｃ２４，Ｃ２５，Ｃ２６は、本開示の第１コンデンサに相当する。また、主面配線Ｋ１１ｇは、本開示の第２主面配線に相当する。

図４に示すように、抵抗器Ｒ３は、主面配線Ｋ１１８および主面配線Ｋ１１９に実装されている。

図４に示すように、コンデンサＣ３は、主面配線Ｋ１１９および主面配線Ｋ１１ｉに実装されている。コンデンサＣ３は、たとえば電解コンデンサである。

図５に示すように、抵抗器Ｒ４は、主面配線Ｋ１４の第３部Ｋ１４３と第１部Ｋ１５１とに実装されている。抵抗器Ｒ４は、複数の貫通部Ｋ３９９に対してｙ方向において第４面Ｊ１６側に位置している。

図４に示すように、コンデンサＣ４１は、主面配線Ｋ１１７および主面配線Ｋ１１８に実装されている。コンデンサＣ４２は、主面配線Ｋ１１９および主面配線Ｋ１１ｉに実装されている。コンデンサＣ４２は、ｙ方向において抵抗器Ｒ３とコンデンサＣ３との間に位置している。

図３に示すように、コンデンサＣ５１は、主面配線Ｋ１２１と主面配線Ｋ１２２とに実装されている。コンデンサＣ５４は、主面配線Ｋ１２１と主面配線Ｋ１２２とに実装されている。コンデンサＣ５４は、コンデンサＣ５１と貫通部Ｋ３９７との間に実装されている。コンデンサＣ５１は、コンデンサＣ５４よりも静電容量が大きく、ｚ方向視においてコンデンサＣ５４よりも大きい。コンデンサＣ５１は、たとえば電解コンデンサである。

図３に示すように、コンデンサＣ５２は、主面配線Ｋ１２３と主面配線Ｋ１２４とに実装されている。コンデンサＣ５５は、主面配線Ｋ１２３と主面配線Ｋ１２４とに実装されている。コンデンサＣ５５は、コンデンサＣ５２と貫通部Ｋ３９７との間に実装されている。コンデンサＣ５２は、コンデンサＣ５５よりも静電容量が大きく、ｚ方向視においてコンデンサＣ５５よりも大きい。コンデンサＣ５２は、たとえば電解コンデンサである。

図３に示すように、コンデンサＣ５３は、主面配線Ｋ１２５と主面配線Ｋ１２６とに実装されている。コンデンサＣ５６は、主面配線Ｋ１２５と主面配線Ｋ１２６とに実装されている。コンデンサＣ５６は、コンデンサＣ５３と貫通部Ｋ３９７との間に実装されている。コンデンサＣ５３は、コンデンサＣ５６よりも静電容量が大きく、ｚ方向視においてコンデンサＣ５６よりも大きい。コンデンサＣ５３は、たとえば電解コンデンサである。

図４に示すように、コンデンサＣ６１は、主面配線Ｋ１３１と主面配線Ｋ１３２とに実装されている。図示された例においては、コンデンサＣ６１は、ｚ方向視において第１部Ｋ１４１の一部と重なる。コンデンサＣ６２は、主面配線Ｋ１３１と主面配線Ｋ１３２とに実装されている。コンデンサＣ６２は、コンデンサＣ６１と貫通部Ｋ３９８との間に実装されている。コンデンサＣ６１は、コンデンサＣ６２よりも静電容量が大きく、ｚ方向視においてコンデンサＣ６２よりも大きい。

図６に示すように、コンデンサＣ７１は、主面配線Ｋ１４の第４部Ｋ１４４と主面配線Ｋ１６１のうちｘ方向に延びる部分とに実装されている。コンデンサＣ７２は、主面配線Ｋ１４の第４部Ｋ１４４と主面配線Ｋ１６１のうちｘ方向に延びる部分とに実装されている。コンデンサＣ７２は、コンデンサＣ７１に対してｘ方向において第２面Ｊ１４側に実装されている。コンデンサＣ７１は、コンデンサＣ７２よりも静電容量が大きく、ｚ方向視においてコンデンサＣ７２よりも大きい。コンデンサＣ７１は、たとえば電解コンデンサである。

＜半導体装置Ｂ１＞
図１に示すように、半導体装置Ｂ１は、リード１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇおよびリード２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ，２Ｅ，２Ｆ，２Ｇ，２Ｈ，２Ｉ，２Ｊ，２Ｋ，２Ｌ，２Ｍ，２Ｎ，２Ｏ，２Ｐ，２Ｑ，２Ｒ，２Ｓ，２Ｔ，２Ｕを有する。これらの詳細は、後述する。

図５および図６に示すように、リード１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄは、複数の貫通部Ｋ３９ａに接続されている。これにより、リード１Ａは、主面配線Ｋ１６１に導通している。リード１Ｂは、主面配線Ｋ１７１に導通している。リード１Ｃは、主面配線Ｋ１７２に導通している。リード１Ｄは、主面配線Ｋ１７３に導通している。

図５に示すように、リード１Ｅ，１Ｆ，１Ｇは、複数の貫通部Ｋ３９９に接続されている。これにより、リード１Ｅは、第３部Ｋ１５３に導通している。リード１Ｆは、第４部Ｋ１５４に導通している。リード１Ｇは、第５部Ｋ１５５に導通している。

図３に示すように、リード２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ，２Ｅ，２Ｆ，２Ｇ，２Ｈは、複数の貫通部Ｋ３９７に接続されている。これにより、リード２Ａは、主面配線Ｋ１２１に導通している。リード２Ｂは、主面配線Ｋ１２２に導通している。リード２Ｃは、主面配線Ｋ１２３に導通している。リード２Ｄは、主面配線Ｋ１２４に導通している。リード２Ｅは、主面配線Ｋ１２５に導通している。リード２Ｆは、主面配線Ｋ１２６に導通している。リード２Ｇは、裏面配線Ｋ２２１に導通している。リード２Ｈは、裏面配線Ｋ２２２に導通している。

図４に示すように、リード２Ｉ，２Ｊ，２Ｋ，２Ｌ，２Ｍ，２Ｎ，２Ｏ，２Ｐ，２Ｑ，２Ｒは、複数の貫通部Ｋ３９６に接続されている。これにより、リード２Ｉは、Ｋ１１１に導通している。リード２Ｊは、Ｋ１１２に導通している。リード２Ｋは、Ｋ１１３に導通している。リード２Ｌは、Ｋ１１４に導通している。リード２Ｍは、Ｋ１１５に導通している。リード２Ｎは、Ｋ１１６に導通している。リード２Ｐは、Ｋ１１７に導通している。リード２Ｑは、Ｋ１１９に導通している。リード２Ｒは、Ｋ１１ｉに導通している。

図４に示すように、リード２Ｓ，２Ｔ，２Ｕは、複数の貫通部Ｋ３９８に接続されている。これにより、リード２Ｓは、第２部Ｋ１５２に導通している。リード２Ｔは、裏面配線Ｋ２２２に導通している。リード２Ｕは、裏面配線Ｋ２２１に導通している。

図７に示すように、電力変換装置Ａ１には、リード２Ｉと接続端子Ｔ１とを導通させる導通経路Ｄ１が構成されている。導通経路Ｄ１は、本開示における第１導通経路に相当する。図示された例においては、導通経路Ｄ１は、リード２Ｉ側から、はんだＫ４９、パッド部Ｋ２９６、貫通部Ｋ３９６、主面配線Ｋ１１１、貫通部Ｋ３１、裏面配線Ｋ２１１、貫通部Ｋ３２、抵抗器Ｒ２１、主面配線Ｋ１１ａ、貫通部Ｋ３９１、パッド部Ｋ２９１およびはんだＫ４９によって構成されている。この導通経路Ｄ１は、図４から理解されるように、ｙ方向に沿った形状である。

また、図４に示すように、電力変換装置Ａ１においては、図７を参照して説明した導通経路Ｄ１と同様に、以下に述べる複数の導通経路Ｄ１が構成されている。すなわち、はんだＫ４９、パッド部Ｋ２９６、貫通部Ｋ３９６、主面配線Ｋ１１２、貫通部Ｋ３１、裏面配線Ｋ２１２、貫通部Ｋ３２、抵抗器Ｒ２２、主面配線Ｋ１１ｂ、貫通部Ｋ３９６、パッド部Ｋ２９６およびはんだＫ４９によって、導通経路Ｄ１が構成されている。また、はんだＫ４９、パッド部Ｋ２９６、貫通部Ｋ３９６、主面配線Ｋ１１３、貫通部Ｋ３１、裏面配線Ｋ２１３、貫通部Ｋ３２、抵抗器Ｒ２３、主面配線Ｋ１１ｃ、貫通部Ｋ３９６、パッド部Ｋ２９６およびはんだＫ４９によって、導通経路Ｄ１が構成されている。また、はんだＫ４９、パッド部Ｋ２９６、貫通部Ｋ３９６、主面配線Ｋ１１４、貫通部Ｋ３１、裏面配線Ｋ２１４、貫通部Ｋ３２、抵抗器Ｒ２４、主面配線Ｋ１１ｄ、貫通部Ｋ３９６、パッド部Ｋ２９６およびはんだＫ４９によって、導通経路Ｄ１が構成されている。また、はんだＫ４９、パッド部Ｋ２９６、貫通部Ｋ３９６、主面配線Ｋ１１５、貫通部Ｋ３１、裏面配線Ｋ２１５、貫通部Ｋ３２、抵抗器Ｒ２５、主面配線Ｋ１１ｅ、貫通部Ｋ３９６、パッド部Ｋ２９６およびはんだＫ４９によって、導通経路Ｄ１が構成されている。また、はんだＫ４９、パッド部Ｋ２９６、貫通部Ｋ３９６、主面配線Ｋ１１６、貫通部Ｋ３１、裏面配線Ｋ２１６、貫通部Ｋ３２、抵抗器Ｒ２６、主面配線Ｋ１１ｆ、貫通部Ｋ３９６、パッド部Ｋ２９６およびはんだＫ４９によって、導通経路Ｄ１が構成されている。また、はんだＫ４９、パッド部Ｋ２９６、貫通部Ｋ３９６、主面配線Ｋ１１８、貫通部Ｋ３９６、パッド部Ｋ２９６およびはんだＫ４９によって、導通経路Ｄ１が構成されている。また、はんだＫ４９、パッド部Ｋ２９６、貫通部Ｋ３９６、主面配線Ｋ１１９、貫通部Ｋ３９６、パッド部Ｋ２９６およびはんだＫ４９によって、導通経路Ｄ１が構成されている。

これらの複数の導通経路Ｄ１は、各々がｙ方向に沿った形状であり、ｘ方向に配列されている。

主面配線Ｋ１１１，Ｋ１１２，Ｋ１１３，Ｋ１１４，Ｋ１１５，Ｋ１１６は、本開示の第１主面配線に相当する。裏面配線Ｋ２１１，Ｋ２１２，Ｋ２１３，Ｋ２１４，Ｋ２１５，Ｋ２１６は、本開示の第１裏面配線に相当する。貫通部Ｋ３１は、本開示の第１貫通部に相当する。抵抗器Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ２３，Ｒ２４，Ｒ２５，Ｒ２６は、本開示の第１抵抗に相当する。

図９に示すように、電力変換装置Ａ１には、リード１Ｂと接続端子Ｔ５とを導通させる導通経路Ｄ２が構成されている。導通経路Ｄ２は、本開示の第２導通経路に相当する。図示された例においては、導通経路Ｄ２は、リード１Ｂ側から、はんだＫ４９、パッド部Ｋ２９ａ、貫通部Ｋ３９ａ、主面配線Ｋ１７１、複数の貫通部Ｋ３４、裏面配線Ｋ２３１、貫通部Ｋ３９５、パッド部Ｋ２９５およびはんだＫ４９によって構成されている。図示された例においては、この導通経路Ｄ２は、図５から理解されるように、ｙ方向に沿った形状であるが、これに限定されるものではない。

また、図５に示すように、電力変換装置Ａ１においては、図９を参照して説明した導通経路Ｄ２と同様に、以下に述べる複数の導通経路Ｄ２が構成されている。すなわち、はんだＫ４９、パッド部Ｋ２９ａ、貫通部Ｋ３９ａ、主面配線Ｋ１７２、複数の貫通部Ｋ３４、裏面配線Ｋ２３１、貫通部Ｋ３９５、パッド部Ｋ２９５およびはんだＫ４９によって導通経路Ｄ２が構成されている。また、はんだＫ４９、パッド部Ｋ２９ａ、貫通部Ｋ３９ａ、主面配線Ｋ１７３、複数の貫通部Ｋ３４、裏面配線Ｋ２３１、貫通部Ｋ３９５、パッド部Ｋ２９５およびはんだＫ４９によって導通経路Ｄ２が構成されている。

これらの複数の導通経路Ｄ２は、各々がｙ方向に沿った形状であり、ｘ方向に配列されているが、これらの形状は、特に限定されない。

主面配線Ｋ１７１，Ｋ１７２，Ｋ１７３は、本開示の第３主面配線に相当する。裏面配線Ｋ２３１，Ｋ２３２，Ｋ２３３は、本開示の第２裏面配線に相当する。貫通部Ｋ３４は、本開示の第２貫通部に相当する。

図１０～図１７を参照して、半導体装置Ｂ１について説明する。本実施形態の半導体装置Ｂ１は、複数のリード１、複数のリード２、基板３、複数の半導体チップ４、ダイオード４１、複数の制御チップ４、伝達回路チップ４Ｉ、１次側回路チップ４Ｊ、複数のダイオード４９、導電部５、複数の接合部６、複数の第１ワイヤ９１、複数の第２ワイヤ９２、複数の第３ワイヤ９３、複数の第４ワイヤ９４、複数の第５ワイヤ９５、複数の第６ワイヤ９６、複数の第７ワイヤ９７および封止樹脂７を備えている。

図１０は、半導体装置Ｂ１を示す斜視図である。図１１は、半導体装置Ｂ１を示す平面図である。図１２は、半導体装置Ｂ１を示す底面図である。図１３は、半導体装置Ｂ１を示す側面図である。図１４は、半導体装置Ｂ１を示す要部平面図である。図１５は、図１４のＸＶ－ＸＶ線に沿う断面図である。図１６は、図１４のＸＶＩ－ＸＶＩ線に沿う断面図である。図１７は、半導体装置Ｂ１の電気的構成を模式的に示す回路図である。

＜基板３＞
基板３の材質は特に限定されない。基板３の材質としては、たとえば、樹脂７の材質よりも熱伝導率が高い材質が好ましい。基板３の材質としては、たとえばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）窒化珪素（ＳｉＮ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）、ジルコニア入りアルミナ等のセラミックが例示される。基板３の厚さは特に限定されず、たとえば０．１ｍｍ～１．０ｍｍ程度である。基板３は、本開示の第２基板に相当する。

基板３の形状は特に限定されない。図１４～図１６に示すように、本実施形態においては、基板３は、第１面３１、第２面３２、第３面３３、第４面３４、第５面３５および第６面３６を有する。第１面３１は、ｚ方向を向いている。第２面３２は、ｚ方向において第１面３１とは反対側を向いている。第３面３３は、ｚ方向において第１面３１と第２面３２との間に位置しており、図示された例においては、第１面３１および第２面３２に繋がっている。第３面３３は、ｘ方向を向いている。第４面３４は、ｚ方向において第１面３１と第２面３２との間に位置しており、図示された例においては、第１面３１および第２面３２に繋がっている。第４面３４は、ｘ方向において第３面３３とは反対側を向いている。第５面３５は、ｚ方向において第１面３１と第２面３２との間に位置しており、図示された例においては、第１面３１および第２面３２に繋がっている。第５面３５は、ｙ方向を向いている。第６面３６は、ｚ方向において第１面３１と第２面３２との間に位置しており、図示された例においては、第１面３１および第２面３２に繋がっている。第６面３６は、ｙ方向において第５面３５とは反対側を向いている。図示された例においては、基板３は、ｚ方向視において矩形状である。また、基板３は、ｚ方向視においてｘ方向を長手方向とする長矩形状である。

＜導電部５＞
導電部５は、基板３上に形成されている。本実施形態においては、導電部５は、基板３の第１面３１上に形成されている。導電部５は、導電性材料からなる。導電部５を構成する導電性材料は特に限定されない。導電部５の導電性材料としては、たとえば銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等を含むものが挙げられる。以降の説明においては、導電部５が銀を含む場合を例に説明する。なお、導電部５は、銀に代えて銅を含んでいてもよいし、銀または銅に代えて金を含んでいてもよい。あるいは、導電部５は、Ａｇ－ＰｔやＡｇ－Ｐｄを含んでいてもよい。また、導電部５の形成手法は限定されず、たとえばこれらの金属を含むペーストを焼成することによって形成される。導電部５の厚さは特に限定されず、たとえば５μｍ～３０μｍ程度である。導電部５は、本開示の第２導電部に相当する。

図１４に示すように、本実施形態においては、導電部５は、配線部５０Ａ～５０Ｕ、配線部５０ａ～５０ｆ、第１基部５５、第２基部５６および第３基部５８に区分けして説明する。

第１基部５５の形状は特に限定されず、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状等が適宜選択される。図示された例においては、第１基部５５は、矩形状である。また、図示された例においては、第１基部５５は、ｘ方向を長手方向とする長矩形状である。

第２基部５６の形状は特に限定されず、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状等が適宜選択される。図示された例においては、第２基部５６は、矩形状である。また、図示された例においては、第２基部５６は、ｘ方向を長手方向とする長矩形状である。

接続部５７は、第１基部５５と第２基部５６との間に介在しており、図示された例においては、第１基部５５と第２基部５６とを繋いでいる。図示された例においては、接続部５７は、ｙ方向視において第１基部５５と第２基部５６との間に位置している。接続部５７の形状は特に限定されない。

第３基部５８の形状は特に限定されず、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状等が適宜選択される。また、図示された例においては、第３基部５８は、ｘ方向に沿う２つの辺とｙ方向に沿う２つの辺とを有しており、ｘ方向を長手方向とする形状である。

配線部５０Ａ～５０Ｕおよび配線部５０ａ～５０ｆは、互いに離間して配置されている。配線部５０Ａ～５０Ｕおよび配線部５０ａ～５０ｆは、各々が屈曲した帯状の形状である。

＜接合部６＞
複数の接合部６は、基板３上に形成されている。本実施形態においては、複数の接合部６は、基板３の第１面３１上に形成されている。接合部６は、たとえば導電性材料からなる。接合部６を構成する導電性材料は特に限定されない。接合部６の導電性材料としては、たとえば銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等を含むものが挙げられる。以降の説明においては、接合部６が銀を含む場合を例に説明する。この例における接合部６は、導電部５を構成する導電性材料と同じものを含む。なお、接合部６は、銀に代えて銅を含んでいてもよいし、銀または銅に代えて金を含んでいてもよい。あるいは、導電部５は、Ａｇ－ＰｔやＡｇ－Ｐｄを含んでいてもよい。また接合部６の形成手法は限定されず、たとえば導電部５と同様に、これらの金属を含むペーストを焼成することによって形成される。接合部６の厚さは特に限定されず、たとえば５μｍ～３０μｍ程度である。

図１４に示すように、本実施形態においては、複数の接合部６は、接合部６Ａ～接合部６Ｄを含む。

接合部６Ａは、図１４および図１６に示すように、ｙ方向において導電部５よりも第６面３６側に配置されている。接合部６Ａは、ｙ方向視において第１基部５５のすべてと重なる。接合部６Ａの形状は特に限定されない。

接合部６Ｂは、図１４および図１６に示すように、ｙ方向において導電部５よりも第６面３６側に配置されている。接合部６Ｂは、ｘ方向において接合部６Ａよりも第４面３４側に配置されている。図示された例においては、接合部６Ｂは、ｙ方向視において接続部５７、配線部５０ｃ～５０ｅおよび第２基部５６と重なる。接合部６Ｂの形状は特に限定されない。

接合部６Ｃは、図１４および図１６に示すように、ｙ方向において導電部５よりも第６面３６側に配置されている。接合部６Ｃは、ｘ方向において接合部６Ｂよりも第４面３４側に配置されている。図示された例においては、接合部６Ｃは、ｙ方向視において配線部５０Ｓ～５０Ｕ、配線部５０ｆおよび第２基部５６と重なる。接合部６Ｃの形状は特に限定されない。

接合部６Ｄは、図１４および図１６に示すように、ｙ方向において導電部５よりも第６面３６側に配置されている。接合部６Ｄは、ｘ方向において接合部６Ｃよりも第４面３４側に配置されている。図示された例においては、接合部６Ｄは、ｙ方向視において配線部５０Ｓ～５０Ｕおよび配線部５０ｆと重なり、第２基部５６から離間している。接合部６Ｄの形状は特に限定されない。

＜リード１＞
複数のリード１は、金属を含んで構成されており、たとえば基板３よりも放熱特性に優れている。リード１を構成する金属は特に限定されず、たとえば銅（Ｃｕ）、アルミニウム、鉄（Ｆｅ）、無酸素銅、またはこれらの合金（たとえば、Ｃｕ－Ｓｎ合金、Ｃｕ－Ｚｒ合金、Ｃｕ－Ｆｅ合金等）である。また、複数のリード１には、ニッケル（Ｎｉ）めっきが施されていてもよい。複数のリード１は、たとえば、金型を金属板に押し付けるプレス加工により形成されていてもよいし、金属板をエッチングでパターニングすることにより形成されていても良いし、これに限られない。リード１の厚さは特に限定されず、たとえば０．４ｍｍ～０．８ｍｍ程度である。

複数のリード１は、図１０～図１６に示すように、複数のリード１Ａ～１Ｇを含む。複数のリード１Ａ～１Ｇは、半導体チップ４Ａ～４Ｆへの導通経路を構成している。

リード１Ａは、基板３上に配置されており、本実施形態においては、第１面３１上に配置されている。リード１Ａは、本開示の第１リードの一例である。また、リード１Ａは、接合材８１を介して接合部６Ａに接合されている。接合材８１は、熱伝導率がより高いものが好ましく、たとえば、銀ペースト、銅ペーストやはんだ等が用いられる。ただし、接合材８１は、エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂等の絶縁性材料であってもよい。また、基板３に接合部６Ａが形成されていない場合、リード１Ａは、基板３に接合されていてもよい。

リード１Ａの構成は特に限定されず、本実施形態においては、リード１Ａは、第１部１１Ａ、第２部１２Ａ、第３部１３Ａおよび第４部１４Ａに区分けして説明する。

第１部１１Ａは、図１６に示すように、接合材８１によって接合部６Ａに接合されている。

第３部１３Ａおよび第４部１４Ａは、封止樹脂７によって覆われている。第３部１３Ａは、第１部１１Ａと第４部１４Ａとに繋がっている。図示された例においては、第３部１３Ａは、第１部１１Ａのうち第４面１２４Ａに隣接する部分に繋がっている。また、ｚ方向視において第３部１３Ａは、第６面３６から離間している。図１５に示す第３部１３Ｂおよび第４部１４Ｂと同様に、第４部１４Ａは、ｚ方向において第１部１１Ａよりも主面１１１Ａが向く側にずれて位置している。第４部１４Ａの端部が、樹脂７の第６面７６と面一である。

第２部１２Ａは、第４部１４Ａの端部に繋がり、リード１Ａのうち封止樹脂７から突出する部分である。第２部１２Ａは、ｙ方向において第１部１１Ａとは反対側に突出している。第２部１２Ａは、たとえば半導体装置Ｂ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ａは、ｚ方向において主面１１１Ａが向く側に折り曲げられている。本実施形態においては、リード１Ａは、２つの第２部１２Ａを有する。２つの第２部１２Ａは、ｘ方向に互いに離間して配置されている。

リード１Ｂは、基板３上に配置されており、本実施形態においては、第１面３１上に配置されている。リード１Ｂは、本開示の第１リードの一例である。また、リード１Ｂは、上述の接合材８１を介して接合部６Ｂに接合されている。また、基板３に接合部６Ｂが形成されていない場合、リード１Ｂは、基板３に接合されていてもよい。

リード１Ｂの構成は特に限定されず、本実施形態においては、図１４～図１６に示すように、リード１Ｂは、第１部１１Ｂ、第２部１２Ｂ、第３部１３Ｂおよび第４部１４Ｂに区分けして説明する。

第１部１１Ｂは、接合材８１によって接合部６Ｂに接合されている。

第３部１３Ｂおよび第４部１４Ｂは、封止樹脂７によって覆われている。第３部１３Ｂは、第１部１１Ｂと第４部１４Ｂとに繋がっている。図示された例においては、第３部１３Ｂは、第１部１１Ｂのうち第４面１２４Ｂに隣接する部分に繋がっている。また、ｚ方向視において第３部１３Ｂは、第６面３６と重なっている。第４部１４Ｂは、ｚ方向において第１部１１Ｂよりも主面１１１Ｂが向く側にずれて位置している。第４部１４Ｂの端部が、樹脂７の第６面７６と面一である。

第２部１２Ｂは、第４部１４Ｂに繋がり、リード１Ｂのうち封止樹脂７から突出する部分である。第２部１２Ｂは、ｙ方向において第１部１１Ｂとは反対側に突出している。第２部１２Ｂは、たとえば半導体装置Ｂ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｂは、ｚ方向において主面１１１Ｂが向く側に折り曲げられている。

リード１Ｃは、基板３上に配置されており、本実施形態においては、第１面３１上に配置されている。リード１Ｃは、本開示の第１リードの一例である。また、リード１Ｃは、上述の接合材８１を介して接合部６Ｃに接合されている。また、基板３に接合部６Ｃが形成されていない場合、リード１Ｃは、基板３に接合されていてもよい。

リード１Ｃの構成は特に限定されず、本実施形態においては、図１４および図１６に示すように、リード１Ｃは、第１部１１Ｃ、第２部１２Ｃ、第３部１３Ｃおよび第４部１４Ｃに区分けして説明する。

第１部１１Ｃは、接合材８１によって接合部６Ｃに接合されている。

第３部１３Ｃおよび第４部１４Ｃは、封止樹脂７によって覆われている。第３部１３Ｃは、第１部１１Ｃと第４部１４Ｃとに繋がっている。図示された例においては、第３部１３Ｃは、第１部１１Ｃのうち第４面１２４Ｃに隣接する部分に繋がっている。リード１Ｂにおける第４部１４Ｂと同様に、第４部１４Ｃは、ｚ方向において第１部１１Ｃよりも主面１１１Ｃが向く側にずれて位置している。第４部１４Ｃの端部が、樹脂７の第６面７６と面一である。

第２部１２Ｃは、第４部１４Ｃの端部に繋がり、リード１Ｃのうち封止樹脂７から突出する部分である。第２部１２Ｃは、ｙ方向において第１部１１Ｃとは反対側に突出している。第２部１２Ｃは、たとえば半導体装置Ｂ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｃは、ｚ方向において主面１１１Ｃが向く側に折り曲げられている。

リード１Ｄは、基板３上に配置されており、本実施形態においては、第１面３１上に配置されている。リード１Ｄは、本開示の第１リードの一例である。また、リード１Ｄは、上述の接合材８１を介して接合部６Ｄに接合されている。また、基板３に接合部６Ｄが形成されていない場合、リード１Ｄは、基板３に接合されていてもよい。

リード１Ｄの構成は特に限定されず、本実施形態においては、図４および図１１に示すように、リード１Ｄは、第１部１１Ｄ、第２部１２Ｄ、第３部１３Ｄおよび第４部１４Ｄに区分けして説明する。

第１部１１Ｄは、接合材８１によって接合部６Ｄに接合されている。

第３部１３Ｄおよび第４部１４Ｄは、封止樹脂７によって覆われている。第３部１３Ｄは、第１部１１Ｄと第４部１４Ｄとに繋がっている。図示された例においては、第３部１３Ｄは、第１部１１Ｄのうち第４面１２４Ｄに隣接する部分に繋がっている。リード１Ｂにおける第４部１４Ｂと同様に、第４部１４Ｄは、ｚ方向において第１部１１Ｄよりも主面１１１Ｄが向く側にずれて位置している。第４部１４Ｄの端部が、樹脂７の第６面７６と面一である。

第２部１２Ｄは、第４部１４Ｄの端部に繋がり、リード１Ｄのうち封止樹脂７から突出する部分である。第２部１２Ｄは、ｙ方向において第１部１１Ｄとは反対側に突出している。第２部１２Ｄは、たとえば半導体装置Ｂ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｄは、ｚ方向において主面１１１Ｄが向く側に折り曲げられている。

リード１Ｅは、ｚ方向視において基板３から離間している。本実施形態においては、リード１Ｅは、ｙ方向において基板３よりも第６面３６が向く側に配置されている。

リード１Ｅの構成は特に限定されず、本実施形態においては、図４に示すように、リード１Ｅは、第２部１２Ｅおよび第４部１４Ｅに区分けして説明する。

第４部１４Ｅは、封止樹脂７によって覆われている。リード１Ｄにおける第４部１４Ｄと同様に、第４部１４Ｅは、ｚ方向において第１部１１Ｄよりも主面１１１Ｄが向く側にずれて位置している。第４部１４Ｅは、ｙ方向視において第１部１１Ｃおよび第１部１１Ｄと重なっている。第４部１４Ｅの端部が、樹脂７の第６面７６と面一である。

第２部１２Ｅは、第４部１４Ｅの端部に繋がり、リード１Ｅのうち封止樹脂７から突出する部分である。第２部１２Ｅは、ｙ方向において第４部１４Ｅとは反対側に突出している。第２部１２Ｅは、たとえば半導体装置Ｂ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｅは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。

リード１Ｆは、ｚ方向視において基板３から離間している。本実施形態においては、リード１Ｆは、ｙ方向において基板３よりも第６面３６が向く側に配置されている。また、リード１Ｆは、ｘ方向においてリード１Ｅよりも第４部１４Ｄとは反対側に配置されている。

リード１Ｆの構成は特に限定されず、本実施形態においては、図４に示すように、リード１Ｆは、第２部１２Ｆおよび第４部１４Ｆに区分けして説明する。

第４部１４Ｆは、封止樹脂７によって覆われている。リード１Ｄにおける第４部１４Ｄと同様に、第４部１４Ｆは、ｚ方向において第１部１１Ｄよりも主面１１１Ｄが向く側にずれて位置している。第４部１４Ｆは、ｙ方向視において第１部１１Ｄと重なっている。第４部１４Ｆの端部が、樹脂７の第６面７６と面一である。

第２部１２Ｆは、第４部１４Ｆの端部に繋がり、リード１Ｆのうち封止樹脂７から突出する部分である。第２部１２Ｆは、ｙ方向において第４部１４Ｆとは反対側に突出している。第２部１２Ｆは、たとえば半導体装置Ｂ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｆは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。

リード１Ｇは、ｚ方向視において基板３から離間している。本実施形態においては、リード１Ｇは、ｘ方向において基板３よりも第４面３４が向く側に配置されている。また、リード１Ｇは、ｘ方向においてリード１Ｆよりも第４部１４Ｅとは反対側に配置されている。

リード１Ｇの構成は特に限定されず、本実施形態においては、図４に示すように、リード１Ｇは、第２部１２Ｇおよび第４部１４Ｇに区分けして説明する。

第４部１４Ｇは、封止樹脂７によって覆われている。リード１Ｄにおける第４部１４Ｄと同様に、第４部１４Ｇは、ｚ方向において第１部１１Ｄよりも主面１１１Ｄが向く側にずれて位置している。第４部１４Ｇは、ｙ方向視において第４部１４Ｆと重なっている。また、第４部１４Ｇは、ｘ方向視において第１部１１Ｄと重なっている。第４部１４Ｇの端部が、樹脂７の第６面７６と面一である。

第２部１２Ｇは、第４部１４Ｇに繋がり、リード１Ｇのうち封止樹脂７から突出する部分である。第２部１２Ｇは、ｙ方向において第４部１４Ｇとは反対側に突出している。第２部１２Ｇは、たとえば半導体装置Ｂ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｇは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。

図１４に示すように、２つの第２部１２Ａは、ｘ方向視において間隔Ｇ１１を隔てて配置されている。第２部１２Ａ～１２Ｅは、ｘ方向において間隔Ｇ１２を隔てて配置されている。

＜リード２＞
複数のリード２は、金属を含んで構成されており、たとえば基板３よりも放熱特性に優れている。リード２を構成する金属は特に限定されず、たとえば銅（Ｃｕ）、アルミニウム、鉄（Ｆｅ）、無酸素銅、またはこれらの合金（たとえば、Ｃｕ－Ｓｎ合金、Ｃｕ－Ｚｒ合金、Ｃｕ－Ｆｅ合金等）である。また、複数のリード２には、ニッケル（Ｎｉ）めっきが施されていてもよい。複数のリード２は、たとえば、金型を金属板に押し付けるプレス加工により形成されていてもよいし、金属板をエッチングでパターニングすることにより形成されていても良いし、これに限られない。リード２の厚さは特に限定されず、たとえば０．４ｍｍ～０．８ｍｍ程度である。複数のリード２は、ｚ方向視において基板３の第２領域３０Ｂと重なるように配置されている。

本実施形態においては、複数のリード２は、図１０～図１５に示すように、複数のリード２Ａ～２Ｕを含む。複数のリード２Ａ～２Ｈ，２Ｓ～２Ｕは、制御チップ４Ｇ，４Ｈへの導通経路を構成している。複数のリード２Ｉ～２Ｒは、１次側回路チップ４Ｊへの導通経路を構成している。

リード２Ａは、複数のリード１と離間している。リード２Ａは、導電部５上に配置されている。リード２Ａは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ａは、本開示の第２リードの一例である。また、リード２Ａは、導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ａに接合されている。導電性接合材８２は、リード２Ａを配線部５０Ａに接合し且つ電気的に接続しうるものであればよい。導電性接合材８２は、たとえば、銀ペースト、銅ペーストやはんだ等が用いられる。導電性接合材８２は、本開示の第１導電性接合材に相当する。

リード２Ｂは、複数のリード１と離間している。リード２Ｂは、導電部５上に配置されている。リード２Ｂは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｂは、本開示の第２リードの一例である。また、リード２Ｂは、導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｂに接合されている。

リード２Ｃは、複数のリード１と離間している。リード２Ｃは、導電部５上に配置されている。リード２Ｃは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｃは、本開示の第２リードの一例である。また、リード２Ｃは、導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｃに接合されている。

リード２Ｄは、複数のリード１と離間している。リード２Ｄは、導電部５上に配置されている。リード２Ｄは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｄは、本開示の第２リードの一例である。また、リード２Ｄは、導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｄに接合されている。

リード２Ｅは、複数のリード１と離間している。リード２Ｅは、導電部５上に配置されている。リード２Ｅは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｅは、本開示の第２リードの一例である。また、リード２Ｅは、導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｅに接合されている。

リード２Ｆは、複数のリード１と離間している。リード２Ｆは、導電部５上に配置されている。リード２Ｆは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｆは、本開示の第２リードの一例である。また、リード２Ｆは、導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｆに接合されている。

リード２Ｇは、複数のリード１と離間している。リード２Ｇは、導電部５上に配置されている。リード２Ｇは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｇは、本開示の第２リードの一例である。また、リード２Ｇは、導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｇに接合されている。

リード２Ｈは、複数のリード１と離間している。リード２Ｈは、導電部５上に配置されている。リード２Ｈは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｈは、本開示の第２リードの一例である。また、リード２Ｈは、導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｈに接合されている。

リード２Ｉは、複数のリード１と離間している。リード２Ｉは、導電部５上に配置されている。リード２Ｉは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｉは、本開示の第２リードの一例である。また、リード２Ｉは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｉに接合されている。

リード２Ｊは、複数のリード１と離間している。リード２Ｊは、導電部５上に配置されている。リード２Ｊは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｊは、本開示の第２リードの一例である。また、リード２Ｊは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｊに接合されている。

リード２Ｋは、複数のリード１と離間している。リード２Ｋは、導電部５上に配置されている。リード２Ｋは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｋは、本開示の第２リードの一例である。また、リード２Ｋは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｋに接合されている。

リード２Ｌは、複数のリード１と離間している。リード２Ｌは、導電部５上に配置されている。リード２Ｌは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｌは、本開示の第２リードの一例である。また、リード２Ｌは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｌに接合されている。

リード２Ｍは、複数のリード１と離間している。リード２Ｍは、導電部５上に配置されている。リード２Ｍは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｍは、本開示の第２リードの一例である。また、リード２Ｍは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｍに接合されている。

リード２Ｎは、複数のリード１と離間している。リード２Ｎは、導電部５上に配置されている。リード２Ｎは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｎは、本開示の第２リードの一例である。また、リード２Ｎは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｎに接合されている。

リード２Ｏは、複数のリード１と離間している。リード２Ｏは、導電部５上に配置されている。リード２Ｏは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｏは、本開示の第２リードの一例である。また、リード２Ｏは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｏに接合されている。

リード２Ｐは、複数のリード１と離間している。リード２Ｐは、導電部５上に配置されている。リード２Ｐは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｐは、本開示の第２リードの一例である。また、リード２Ｐは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｐに接合されている。

リード２Ｑは、複数のリード１と離間している。リード２Ｑは、導電部５上に配置されている。リード２Ｑは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｑは、本開示の第２リードの一例である。また、リード２Ｑは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｑに接合されている。

リード２Ｒは、複数のリード１と離間している。リード２Ｒは、導電部５上に配置されている。リード２Ｒは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｒは、本開示の第２リードの一例である。また、リード２Ｒは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｒに接合されている。

リード２Ｓは、複数のリード１と離間している。リード２Ｓは、導電部５上に配置されている。リード２Ｓは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｓは、本開示の第２リードの一例である。また、リード２Ｓは、導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｓに接合されている。

リード２Ｔは、複数のリード１と離間している。リード２Ｔは、導電部５上に配置されている。リード２Ｔは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｔは、本開示の第２リードの一例である。また、リード２Ｔは、導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｔに接合されている。

リード２Ｕは、複数のリード１と離間している。リード２Ｕは、導電部５上に配置されている。リード２Ｕは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｕは、本開示の第２リードの一例である。また、リード２Ｕは、導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｕに接合されている。

図１１に示すように、本実施形態においては、第２部１２Ａ～１２Ｇの第６面７６からのｙ方向における突出寸法ｙ１２は、略同じである。第２部２２Ａ～２２Ｈおよび第２部２２Ｓ～２２Ｕの第５面７５からの突出寸法ｙ２２は、略同じである。第２部２２Ｉ～２２Ｒの第５面７５からの突出寸法ｙ２１は、略同じである。突出寸法ｙ２１は、突出寸法ｙ２２よりも大きい。

＜半導体チップ４Ａ～４Ｆ＞
半導体チップ４Ａ～４Ｆは、複数のリード１上に配置されており、本開示の半導体チップの一例である。半導体チップ４Ａ～４Ｆの種類や機能は特に限定されず、本実施形態においては、半導体チップ４Ａ～４Ｆがトランジスタである場合を例に説明する。また、図示された例においては、６つの半導体チップ４Ａ～４Ｆを備えているがこれは一例であり、半導体チップの個数は、何ら限定されない。半導体チップ４Ａ～４Ｆは、本開示の２次側電力回路を構成する。本実施形態においては、半導体チップ４Ａ～４Ｆは、ＩＧＢＴからなるトランジスタである。

本実施形態においては、図１４～図１６に示すように、３つの半導体チップ４Ａ，４Ｂ，４Ｃが、リード１Ａの第１部１１Ａ上に配置されている。３つの半導体チップ４Ａ，４Ｂ，４Ｃは、ｘ方向において互いに離間し、且つｘ方向視において互いに重なっている。なお、リード１Ａに搭載される半導体チップの個数は、なんら限定されない。図示された例においては、ｚ方向視において、半導体チップ４Ａ，４Ｂ，４Ｃのゲート電極ＧＰが、ｙ方向において半導体チップ４Ａ，４Ｂ，４Ｃの中心よりも複数のリード２側に位置する姿勢で搭載されている。また、図示された例においては、半導体チップ４Ａ，４Ｂ，４Ｃのコレクタ電極ＣＰが、導電性接合材８３によって第１部１１Ａに接合されている。

導電性接合材８３は、半導体チップ４Ａ，４Ｂ，４Ｃのコレクタ電極ＣＰを第１部１１Ａに接合し且つ電気的に接続しうるものであればよい。導電性接合材８３は、たとえば、銀ペースト、銅ペーストやはんだ等が用いられる。導電性接合材８３は、本開示の第２導電性接合材に相当する。

本実施形態においては、図１４～図１６に示すように、半導体チップ４Ｄが、リード１Ｂの第１部１１Ｂ上に配置されている。なお、リード１Ｂに搭載される半導体チップの個数は、なんら限定されない。図示された例においては、ｚ方向視において、半導体チップ４Ｄのゲート電極ＧＰが、ｙ方向において半導体チップ４Ｄの中心よりも複数のリード２側に位置する姿勢で搭載されている。また、図示された例においては、半導体チップ４Ｄのコレクタ電極ＣＰが、上述した導電性接合材８３によって第１部１１Ｂに接合されている。

本実施形態においては、図１４～図１６に示すように、半導体チップ４Ｅが、リード１Ｃの第１部１１Ｃ上に配置されている。なお、リード１Ｃに搭載される半導体チップの個数は、なんら限定されない。図示された例においては、ｚ方向視において、半導体チップ４Ｅのゲート電極ＧＰが、ｙ方向において半導体チップ４Ｅの中心よりも複数のリード２側に位置する姿勢で搭載されている。また、図示された例においては、半導体チップ４Ｅのコレクタ電極ＣＰが、上述した導電性接合材８３によって第１部１１Ｃに接合されている。

本実施形態においては、図１４～図１６に示すように、半導体チップ４Ｆが、リード１Ｄの第１部１１Ｄ上に配置されている。なお、リード１Ｄに搭載される半導体チップの個数は、なんら限定されない。図示された例においては、ｚ方向視において、半導体チップ４Ｆのゲート電極ＧＰが、ｙ方向において半導体チップ４Ｆの中心よりも複数のリード２側に位置する姿勢で搭載されている。また、図示された例においては、半導体チップ４Ｆのコレクタ電極ＣＰが、上述した導電性接合材８３によって第１部１１Ｄに接合されている。図１４に示すように、図示された例においては、半導体チップ４Ｃおよび半導体チップ４Ｄは、ｙ方向視において、導電部５の接続部５７と重なっている。図１５に示すように、半導体チップ４Ｄは、ｚ方向において第４部１４Ｂの上面よりも基板３側に位置している。

＜ダイオード４１Ａ～４１Ｆ＞
ダイオード４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃは、リード１Ａの第１部１１Ａに搭載されている。ダイオード４１Ｄは、リード１Ｂの第１部１１Ｂに搭載されている。ダイオード４１Ｅは、リード１Ｃの第１部１１Ｃに搭載されている。ダイオード４１Ｆは、リード１Ｄの第１部１１Ｄに搭載されている。

＜制御チップ４Ｇ，４Ｈ＞
制御チップ４Ｇ，４Ｈは、半導体チップ４Ａ～４Ｆのうち少なくともいずれかの駆動を制御するためのものである。図１４に示すように、制御チップ４Ｇ，４Ｈは、導電部５と半導体チップ４Ａ～４Ｆのうち少なくともいずれかとに電気的に接続されており、基板３上に配置されている。本実施形態においては、制御チップ４Ｇは、３つの半導体チップ４Ａ，４Ｂ，４Ｃの駆動を制御する。制御チップ４Ｈは、３つの半導体チップ４Ｄ，４Ｅ，４Ｆの駆動を制御する。制御チップ４Ｇ，４Ｈの形状やサイズは特に限定されない。図示された例においては、制御チップ４Ｇ，４Ｈは、ｚ方向視において矩形状であり、ｘ方向を長手方向とする長矩形状である。制御チップ４Ｇ，４Ｈは、本開示の２次側電力回路を制御するチップである。

本実施形態においては、制御チップ４Ｇが、導電部５の第１基部５５に搭載されている。また、制御チップ４Ｈが、導電部５の第２基部５６上に配置されている。本実施形態においては、制御チップ４Ｇは、導電性接合材８４によって第１基部５５に接合されている。制御チップ４Ｈは、導電性接合材８４によって第２基部５６に接合されている。

導電性接合材８４は、制御チップ４Ｇを第１基部５５に接合するとともに、制御チップ４Ｈを第２基部５６に接合し且つ電気的に接続しうるものであればよい。導電性接合材８４は、たとえば、銀ペースト、銅ペーストやはんだ等が用いられる。導電性接合材８４は、本開示の第３導電性部材に相当する。

＜伝達回路チップ４Ｉ＞
伝達回路チップ４Ｉは、本開示の伝達回路を備えるものである。伝達回路チップ４Ｉは、少なくとも２つの互いに離間するコイルが対向して配置されたトランス構造を有して電気信号を伝達する。本実施形態においては、図１５に示すように、伝達回路チップ４Ｉは、たとえば導電性接合材８４を介して第３基部５８に実装されている。伝達回路チップ４Ｉは、ｘ方向視において制御チップ４Ｈと１次側回路チップ４Ｊとの間に位置する。

＜１次側回路チップ４Ｊ＞
１次側回路チップ４Ｊは、伝達回路チップ４Ｉを介して制御チップ４Ｈに指令信号を送るものである。本実施形態においては、図１５に示すように、１次側回路チップ４Ｊは、たとえば導電性接合材８４を介して第３基部５８に実装されている。１次側回路チップ４Ｊは、ｙ方向において伝達回路チップ４Ｉよりも第５面３５側に位置している。１次側回路チップ４Ｊは、本開示の１次側制御回路を含むチップの一例である。

図１５に示すように、制御チップ４Ｈ、伝達回路チップ４Ｉおよび１次側回路チップ４Ｊは、第４部２４Ｉのｚ方向上端よりも基板３側の低い位置に配置されている。さらに、制御チップ４Ｈ、伝達回路チップ４Ｉおよび１次側回路チップ４Ｊは、第１部２１Ｉのｚ方向上端よりも基板３側の低い位置に配置されている。このような位置関係は、制御チップ４Ｇについても同様である。

＜ダイオード４９Ｕ，４９Ｖ，４９Ｗ＞
ダイオード４９Ｕ，４９Ｖ，４９Ｗは、制御チップ４Ｇと電気的に接続されている。本実施形態においては、ダイオード４９Ｕ，４９Ｖ，４９Ｗは、たとえば、制御チップ４Ｇにより高い電圧を印加するための、いわゆるブートダイオードとして機能する。ダイオード４９Ｕは、導電部５の配線部５０Ｂに導電性接合材を介して接合されている。この導電性接合材はたとえば上述した導電性接合材８４と同様の材質からなる。ダイオード４９Ｖは、導電部５の配線部５０Ｄに上述した導電性接合材を介して接合されている。ダイオード４９Ｗは、導電部５の配線部５０Ｆに上述した導電性接合材８５を介して接合されている。

＜第１ワイヤ９１Ａ～９１Ｆ＞
第１ワイヤ９１Ａ～９１Ｆは、半導体チップ４Ａ～４Ｆのいずれかと、複数のリード１のいずれかとに接続されている。第１ワイヤ９１Ａ～９１Ｆの材質は特に限定されず、たとえば、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）からなる。また、第１ワイヤ９１Ａ～９１Ｆの線径は特に限定されず、たとえば２５０～５００μｍ程度である。第１ワイヤ９１Ａ～９１Ｆは、本開示の第１導電部材に相当する。なお、第１ワイヤ９１Ａ～９１Ｆに代えて、たとえばＣｕからなるリードを用いてもよい。

半導体チップ４Ａのコレクタ電極ＣＰとダイオード４１Ａのカソード電極とは、第１部１１Ａおよび導電性接合材８３を介して互いに接続されている。半導体チップ４Ｂのコレクタ電極ＣＰとダイオード４１Ｂのカソード電極とは、第１部１１Ａおよび導電性接合材８３を介して互いに接続されている。半導体チップ４Ｃのコレクタ電極ＣＰとダイオード４１Ｃのカソード電極とは、第１部１１Ａおよび導電性接合材８３を介して互いに接続されている。

＜第２ワイヤ９２＞
複数の第２ワイヤ９２は、図１４に示すように、制御チップ４Ｇ，４Ｈのいずれかに接続されている。第２ワイヤ９２の材質は特に限定されず、たとえば金（Ａｕ）からなる。第２ワイヤ９２の線径は特に限定されず、本実施形態においては、第１ワイヤ９１Ａ～９１Ｆの線径よりも細い。第２ワイヤ９２の線径は、たとえば１０μｍ～５０μｍ程度である。第２ワイヤ９２は、本開示の第２導電部材に相当する。以降においては、制御チップ４Ｇに接続された第２ワイヤ９２を第２ワイヤ９２Ｇとし、制御チップ４Ｈに接続された第２ワイヤ９２を第２ワイヤ９２Ｈとする。

＜第３ワイヤ９３＞
複数の第３ワイヤ９３は、図１４に示すように、制御チップ４Ｇ，４Ｈのいずれかに接続されている。第３ワイヤ９３の材質は特に限定されず、たとえば第２ワイヤ９２と同様の材質からなる。

＜第４ワイヤ９４＞
複数の第４ワイヤ９４は、図１４に示すように、伝達回路チップ４Ｉと１次側回路チップ４Ｊとに接続されている。第４ワイヤ９４の材質は特に限定されず、たとえば第２ワイヤ９２と同様の材質からなる。

＜第５ワイヤ９５＞
複数の第５ワイヤ９５は、図１４に示すように、１次側回路チップ４Ｊと導電部５とに接続されている。第５ワイヤ９５の材質は特に限定されず、たとえば第２ワイヤ９２と同様の材質からなる。

＜第６ワイヤ９６＞
複数の第６ワイヤ９６は、図１４に示すように、制御チップ４Ｇと導電部５とに接続されている。第６ワイヤ９６の材質は特に限定されず、たとえば第２ワイヤ９２と同様の材質からなる。

＜第７ワイヤ９７＞
複数の第７ワイヤ９７は、図１４に示すように、制御チップ４Ｈと導電部５とに接続されている。第７ワイヤ９７の材質は特に限定されず、たとえば第２ワイヤ９２と同様の材質からなる。

＜樹脂７＞
樹脂７は、半導体チップ４Ａ～４Ｆ、制御チップ４Ｇ，４Ｈ、伝達回路チップ４Ｉおよび１次側回路チップ４Ｊと、複数のリード１の一部ずつおよび複数のリード２の一部ずつと、を少なくとも覆っている。また、本実施形態においては、樹脂７は、ダイオード４１Ａ～４１Ｆ、ダイオード４９Ｕ，４９Ｖ，４９Ｗ、複数の第１ワイヤ９１Ａ～９１Ｆ、複数の第２ワイヤ９２、複数の第３ワイヤ９３、複数の第４ワイヤ９４、複数の第５ワイヤ９５、複数の第６ワイヤ９６および複数の第７ワイヤ９７を覆っている。樹脂７の材質は特に限定されない。樹脂７の材質は特に限定されず、たとえばエポキシ樹脂、シリコーンゲル等の絶縁材料が適宜用いられる。

本実施形態においては、樹脂７は、第１面７１、第２面７２、第３面７３、第４面７４、第５面７５、第６面７６、凹部７３１、凹部７３２、凹部７３３および孔７４１および孔７４２を有する。

第１面７１は、ｚ方向と交差する面であり、図示された例においては、ｚ方向に対して直角な平面である。第１面７１は、基板３の第１面３１と同じ側を向いている。第２面７２は、ｚ方向と交差する面であり、図示された例においては、ｚ方向に対して直角な平面である。第２面７２は、第１面７１とは反対側を向いており、基板３の第２面３２と同じ側を向いている。

第３面７３は、ｚ方向において第１面７１と第２面７２との間に位置しており、図示された例においては、第１面７１および第２面７２に繋がっている。第３面７３は、ｘ方向と交差する面であり、基板３の第３面３３と同じ側を向いている。第４面７４は、ｚ方向において第１面７１と第２面７２との間に位置しており、図示された例においては、第１面７１および第２面７２に繋がっている。第４面７４は、ｘ方向と交差する面であり、第３面７３とは反対側を向いており、基板３の第４面３４と同じ側を向いている。

第５面７５は、ｚ方向において第１面７１と第２面７２との間に位置しており、図示された例においては、第１面７１および第２面７２に繋がっている。第５面７５は、ｙ方向と交差する面であり、基板３の第５面３５と同じ側を向いている。第６面７６は、ｚ方向において第１面７１と第２面７２との間に位置しており、図示された例においては、第１面７１および第２面７２に繋がっている。第６面７６は、ｘ方向と交差する面であり、第５面７５とは反対側を向いており、第６面３６と同じ側を向いている。

孔７４１は、樹脂７をｚ方向に貫通している。孔７４１の形状は特に限定されず、図示された例においては、ｘ方向視において円形状である。孔７４１は、ｚ方向視において基板３の第３面３３と第３面７３との間に位置している。

孔７４２は、樹脂７をｚ方向に貫通している。孔７４１の形状は特に限定されず、図示された例においては、ｘ方向視において円形状である。孔７４２は、ｚ方向視において基板３の第４面３４と第４面７４との間に位置している。

図１１および図１４に示すように、凹部７３１、凹部７３２および凹部７３３は、第５面７５からｙ方向に凹んだ部位である。凹部７３１は、ｙ方向視においてリード２Ｂの第２部２２Ｂとリード２Ｃの第２部２２Ｃとの間に位置している。凹部７３２は、ｙ方向視においてリード２Ｄの第２部２２Ｄとリード２ＤＥの第２部２２Ｅとの間に位置している。凹部７３３は、ｙ方向視においてリード２Ｆの第２部２２Ｆとリード２Ｇの第２部２２Ｇとの間に位置している。

＜半導体装置Ｂ１の回路構成＞
次に、半導体装置Ｂ１の回路構成について説明する。

図１７は、半導体装置Ｂ１のスイッチングアーム４０Ｕを駆動させる制御回路６００Ｙの一例である。半導体装置Ｂ１は、スイッチングアーム４０Ｖ，４０Ｗについても制御回路６００Ｙと同様の制御回路を有する。なお、半導体装置Ｂ１の制御回路６００Ｙは、図１７に示す構造に限られず、種々の変更が可能である。

Ｕ端子（リード１Ｂ）、Ｖ端子（リード１Ｃ）およびＷ端子（リード１Ｄ）に印加される電圧レベルは、たとえば０Ｖ～６５０Ｖ程度である。一方、ＮＵ端子（リード１Ｅ）、ＮＶ端子（リード１Ｆ）およびＮＷ端子（リード１Ｇ）に印加される電圧レベルは、たとえば、０Ｖ程度であり、端子（リード１Ｂ）、Ｖ端子（リード１Ｃ）およびＷ端子（リード１Ｄ）に印加される電圧レベルよりも低い。半導体チップ４Ａ～４Ｃは、３相のインバータ回路の高電位側のトランジスタを構成し、半導体チップ４Ｄ～４Ｆは、３相のインバータ回路の低電位側のトランジスタを構成している。

図１７に示すように、制御回路６００Ｙは、１次側回路６６０、２次側回路６７０およびトランス６９０を有している。制御回路６００Ｙは、トランス６９０によって１次側回路６６０と２次側回路６７０との絶縁、１次側回路６６０から２次側回路６７０への信号の伝達および２次側回路６７０から１次側回路６６０への信号の伝達を行う。

本実施形態においては、１次側回路６６０は、１次側回路チップ４Ｊに含まれる。２次側回路６７０は、制御チップ４Ｈおよび制御チップ４Ｇに少なくともその一部が含まれる。トランス６９０は、伝達回路チップ４Ｉに含まれる。

１次側回路６６０は、低電圧誤動作防止回路６６１、発振（ＯＳＣ）回路６６２、ＨＩＮＵ端子（リード２Ｉ）に接続された信号伝達回路６６０Ｕ、ＬＩＮＵ端子（リード２Ｌ）に接続された信号伝達回路６６０Ｌ、ＦＯ端子（リード２Ｐ）に接続された異常保護回路６６０Ｆを含む。

信号伝達回路６６０Ｕは、半導体チップ４Ａのゲート電極ＧＰにゲート信号電圧を供給するための回路であり、ＨＩＮＵ端子からトランス６９０に向けて順に、抵抗６６３Ｕ、シュミットトリガ６６４Ｕ、パルスジェネレータ６６５Ｕおよび出力バッファ６６７ＵＡ，６６７ＵＢを有する。抵抗６６３Ｕは、ＨＩＮＵ端子を接地端にプルダウンする。シュミットトリガ６６４Ｕは、ＨＩＮＵ端子に入力される上側入力信号ＨＩＮＵをレベルシフタに伝達する。シュミットトリガ６６４Ｕの出力端子は、パルスジェネレータ６６５Ｕに接続されている。パルスジェネレータ６６５Ｕの第１出力端子は、出力バッファ６６７ＵＡに接続され、パルスジェネレータ６６５Ｕの第２出力端子は、出力バッファ６６７ＵＢに接続されている。

信号伝達回路６６０Ｌは、半導体チップ４Ｄのゲートにゲート信号電圧を供給するための回路であり、ＬＩＮＵ端子からトランス６９０に向けて順に、抵抗６６３Ｌ、シュミットトリガ６６４Ｌ、パルスジェネレータ６６５Ｌおよび出力バッファ６６７ＬＡ，６６７ＬＢを有する。抵抗６６３Ｌは、ＬＩＮＵ端子を接地端にプルダウンする。シュミットトリガ６６４Ｌは、ＬＩＮＵ端子に入力される下側入力信号ＬＩＮＵをレベルシフタに伝達する。シュミットトリガ６６４Ｌの出力端子は、パルスジェネレータ６６５Ｌに接続されている。パルスジェネレータ６６５Ｌの第１出力端子は、出力バッファ６６７ＬＡに接続され、パルスジェネレータ６６５Ｌの第２出力端子は、出力バッファ６６７ＬＢに接続されている。

異常保護回路６６０Ｆは、半導体装置Ｂ１に異常が発生した場合に半導体装置Ｂ１の異常に関する情報を半導体装置Ｂ１の外部に出力する回路であり、ＲＳフリップフロップ回路６６６、入力バッファ６６７ＦＡ，６６７ＦＢ、ドライバ６６８およびトランジスタ６６９を含む。

入力バッファ６６７ＦＡの出力端子は、ＲＳフリップフロップ回路６６６のＳ端子に接続され、入力バッファ６６７ＦＢの出力端子は、ＲＳフリップフロップ回路６６６のＲ端子に接続されている。ＲＳフリップフロップ回路６６６のＱ端子は、ドライバ６６８に接続されている。ドライバ６６８の出力端子は、トランジスタ６６９のゲートに接続されている。トランジスタ６６９のソースは接地され、トランジスタ６６９のドレインはＦＯ端子に接続されている。

低電圧誤動作防止回路６６１は、１次側回路６６０の電源電圧ＶＣＣを監視する回路である。低電圧誤動作防止回路６６１は、ＲＳフリップフロップ回路６６６のセット端子（Ｓ端子）に接続されている。低電圧誤動作防止回路６６１は、１次側回路６６０の電源電圧ＶＣＣが所定の閾値電圧を下回ったときに、誤動作防止信号を正常時の論理レベル（たとえばローレベル）から異常時の論理レベル（たとえばハイレベル）に切り替える。発振回路６６２は、パルスジェネレータ６６５Ｕ，６６５Ｌ、ＲＳフリップフロップ回路６６６およびドライバ６６８にそれぞれクロック信号を出力する。

２次側回路６７０は、発振回路６７１、信号伝達回路６７０Ｕ、信号伝達回路６７０Ｌ、異常保護回路６７０Ｆを含む。信号伝達回路６７０Ｕは、１次側回路６６０の信号伝達回路６６０Ｕのゲート信号電圧を半導体チップ４Ａのゲートに供給するための回路である。信号伝達回路６７０Ｕは、トランス６９０から半導体チップ４Ａに向けて順に、入力バッファ６７２ＵＡ，６７２ＵＢ、ＲＳフリップフロップ回路６７３Ｕ、パルスジェネレータ６７４Ｕ、レベルシフタ回路６７５Ｕ、ＲＳフリップフロップ回路６７６およびドライバ６７７Ｕを有する。また信号伝達回路６７０Ｕには、ダイオード４９Ｕと、ダイオード４９Ｕの電流を制御する電流制御部４９Ｘとが設けられている。電流制御部４９Ｘの一例は、電流制限抵抗である。

入力バッファ６７２ＵＡの出力端子は、ＲＳフリップフロップ回路６７３ＵのＳ端子に接続され、入力バッファ６７２ＵＢの出力端子は、ＲＳフリップフロップ回路６７３ＵのＲ端子に接続されている。ＲＳフリップフロップ回路６７３ＵのＱ端子およびＱＢ端子は、パルスジェネレータ６７４Ｕに接続されている。パルスジェネレータ６７４Ｕは、レベルシフタ回路６７５Ｕに接続されている。レベルシフタ回路６７５Ｕは、ＲＳフリップフロップ回路６７３ＵのＱ端子からの信号がＲＳフリップフロップ回路６７３ＵのＳ端子に入力され、ＲＳフリップフロップ回路６７３ＵのＱＢ端子からの信号がＲＳフリップフロップ回路６７３ＵのＲ端子に入力されるように構成されている。ＲＳフリップフロップ回路６７６ＵのＱ端子は、ドライバ６７７Ｕに接続されている。ドライバ６７７Ｕの出力端子は、半導体チップ４Ａのゲートに接続されている。またＲＳフリップフロップ回路６７６ＵのＲ端子には、低電圧誤動作防止回路６７８が接続されている。なお、パルスジェネレータ６７４Ｕは、オン信号およびオフ信号等のパルス信号を生成する。レベルシフタ回路６７５Ｕは、高電位ブロックと低電位ブロックとの間において、低電位ブロックから高電位ブロックに、信号レベルをシフトして伝達する回路である。ドライバ６７７Ｕは、ＲＳフリップフロップ回路６７６Ｕの出力信号に応じた信号である上側出力信号ＨＯＵを生成して、半導体チップ４Ａのゲートに上側出力信号ＨＯＵを出力する。

信号伝達回路６７０Ｌは、１次側回路６６０の信号伝達回路６６０Ｌのゲート信号電圧を半導体チップ４Ｄのゲートに供給するための回路である。信号伝達回路６７０Ｌは、トランス６９０から半導体チップ４Ｄに向けて順に、入力バッファ６７２ＬＡ，６７２ＬＢ、ＲＳフリップフロップ回路６７３Ｌおよびドライバ６７７Ｌを有する。

入力バッファ６７２ＬＡの出力端子は、ＲＳフリップフロップ回路６７３ＬのＳ端子に接続され、入力バッファ６７２ＬＢの出力端子は、ＲＳフリップフロップ回路６７３ＬのＲ端子に接続されている。ＲＳフリップフロップ回路６７３ＬのＱ端子およびＱＢ端子は、ドライバ６７７Ｌに接続されている。ドライバ６７７Ｌは、半導体チップ４Ｄのゲートに接続されている。

異常保護回路６７０Ｆは、半導体装置Ｂ１に異常が発生した場合に半導体装置Ｂ１の異常に関する情報を１次側回路６６０に出力する回路である。異常保護回路６７０Ｆは、出力バッファ６７２ＦＡ，６７２ＦＢ、異常信号生成回路６７９、温度保護回路６８０、低電圧誤動作防止回路６８１および電流制限回路６８２を有する。異常保護回路６７０Ｆには、２次側回路６７０のＶＣＣ端子（リード２Ｑ）およびＣＩＮ端子（リード２Ｓ、検出端子ＣＩＮ）が接続されている。

異常信号生成回路６７９には、温度保護回路６８０、低電圧誤動作防止回路６８１および電流制限回路６８２が接続されている。異常信号生成回路６７９の第１出力端子は、出力バッファ６７１ＦＡに接続され、第２出力端子は、出力バッファ６７１ＦＢに接続されている。出力バッファ６７１ＦＢには、ＲＳフリップフロップ回路６７３Ｕ，６７３ＬのＲ端子が接続されている。

発振回路６７１は、ＲＳフリップフロップ回路６７３Ｕ，６７３Ｌおよび異常信号生成回路６７９にそれぞれクロック信号を出力する。トランス６９０は、トランス６９１～６９６を有する。トランス６９１～６９６はそれぞれ、１次側コイルおよび２次側コイルを有する。

トランス６９１の１次側コイルの第１端子は、出力バッファ６６７ＵＡの出力端子に接続され、トランス６９１の１次側コイルの第２端子は、接地されている。トランス６９１の２次側コイルの第１端子は、入力バッファ６７２ＵＡに接続され、トランス６９１の２次側コイルの第２端子は、接地されている。

トランス６９２の１次側コイルの第１端子は、出力バッファ６６７ＵＢの出力端子に接続され、トランス６９２の１次側コイルの第２端子は、接地されている。トランス６９２の２次側コイルの第１端子は、入力バッファ６７２ＵＢに接続され、トランス６９２の２次側コイルの第２端子は、接地されている。

トランス６９３の１次側コイルの第１端子は、出力バッファ６６７ＬＡの出力端子に接続され、トランス６９３の１次側コイルの第２端子は、接地されている。トランス６９３の２次側コイルの第１端子は、入力バッファ６７２ＬＡに接続され、トランス６９３の２次側コイルの第２端子は、接地されている。

トランス６９４の１次側コイルの第１端子は、出力バッファ６６７ＬＢの出力端子に接続され、トランス６９４の１次側コイルの第２端子は、接地されている。トランス６９４の２次側コイルの第１端子は、入力バッファ６７２ＬＢに接続され、トランス６９４の２次側コイルの第２端子は、接地されている。

トランス６９５の１次側コイルの第１端子は、入力バッファ６６７ＦＡに接続され、トランス６９５の１次側コイルの第２端子は、接地されている。トランス６９５の２次側コイルの第１端子は、出力バッファ６７２ＦＡの出力端子に接続され、トランス６９５の２次側コイルの第２端子は、接地されている。

トランス６９６の１次側コイルの第１端子は、入力バッファ６６７ＦＢに接続され、トランス６９６の１次側コイルの第２端子は、接地されている。トランス６９６の２次側コイルの第１端子は、出力バッファ６７２ＦＢの出力端子に接続され、トランス６９６の２次側コイルの第２端子は、接地されている。

本実施形態においては、リード２Ａは、ＶＳＵ端子と称される場合がある。リード２Ｂは、ＶＢＵ端子と称される場合がある。リード２Ｃは、ＶＳＶ端子と称される場合がある。リード２Ｄは、ＶＢＶ端子と称される場合がある。リード２Ｅは、ＶＳＷ端子と称される場合がある。リード２Ｆは、ＶＢＷ端子と称される場合がある。リード２Ｇは、第１ＧＮＤ端子と称される場合がある。リード２Ｈは、第１ＶＣＣ端子と称される場合がある。リード２Ｉは、ＨＩＮＵ端子と称される場合がある。リード２Ｊは、ＨＩＮＶ端子と称される場合がある。リード２Ｋは、ＨＩＮＷ端子と称される場合がある。リード２Ｌは、ＬＩＮＵ端子に相当する。リード２Ｍは、ＬＩＮＶ端子と称される場合がある。リード２Ｎは、ＬＩＮＷ端子と称される場合がある。リード２Ｏは、図示された例においては不使用である。リード２Ｐは、ＦＯ端子と称される場合がある。リード２Ｑは、第３ＶＣＣ端子と称される場合がある。リード２Ｒは、第３ＧＮＤと称される場合がある。リード２Ｓは、ＣＩＮ端子に相当する。リード２Ｔは、第２ＶＣＣ端子と称される場合がある。リード２Ｕは、第２ＧＮＤ端子と称される場合がある。

なお、図４に示すように、半導体装置Ｂ１は、ｚ方向視において、裏面配線Ｋ２２１および裏面配線Ｋ２２２に重なっている。また、基板３は、ｚ方向視において、裏面配線Ｋ２２１および裏面配線Ｋ２２２に重なっている。

次に、電力変換装置Ａ１の作用について説明する。

本実施形態によれば、半導体装置Ｂ１は、伝達回路チップ４Ｉを備えている。このため、半導体装置Ｂ１内において１次側制御回路と２次側電力回路との絶縁を図ることが可能である。これにより、半導体装置Ｂ１の１次側制御回路を含む制御チップ４Ｈと導通するリード２Ｉ，２Ｊ，２Ｋ，２Ｌ，２Ｍ，２Ｎ，２Ｎと、マイクロコントローラユニットＰ１に接続される接続端子Ｔ１とは、複数の導通経路Ｄ１によって接続されている。したがって、１次側制御回路に制御信号を送るために、信号伝達機能を果たしつつ、電気的な導通を遮断して絶縁するための、たとえばフォトカプラ素子等を基板Ｈに設ける必要がない。したがって、電力変換装置Ａ１の小型化を図ることができる。

複数の導通経路Ｄ１は、各々がｙ方向に沿っており、ｘ方向に配列されている。これにより、半導体装置Ｂ１と接続端子Ｔ１とのｙ方向寸法を縮小することが可能であり、電力変換装置Ａ１の小型化に好ましい。

コンデンサＣ２１は、主面配線Ｋ１１ｇに対して直列に接続されている。主面配線Ｋ１１ｇは、接続端子Ｔ２によってグラウンド接続されるものであり、導通経路Ｄ１を構成する裏面配線Ｋ２１１～Ｋ２１６とｚ方向視において交差している。このような配置は、コンデンサＣ２２～コンデンサＣ２６についても同様である。このような構成により、接続端子Ｔ１から１次側制御回路に送られる制御信号のノイズを除去可能であるとともに、基板Ｈの省スペース化を図ることができる。

２次側電力回路の出力端子であるリード１Ｂ，１Ｃ，１Ｄと接続端子Ｔ５とは、複数の導通経路Ｄ２によって接続されている。導通経路Ｄ２を構成する主面配線Ｋ１７１の寸法ｘ１７１は、たとえば導通経路Ｄ１を構成する主面配線Ｋ１１１の寸法ｘ１１１よりも大きい。これにより、導通経路Ｄ２により大きな電流を流すことが可能であり、より大出力のモータＭ１を駆動するのに好ましい。また、導通経路Ｄ２が、複数の貫通部Ｋ３４を含むことにより、導通経路Ｄ２により大きな電流を流すことが可能である。

半導体装置Ｂ１は、トランス６９０（伝達回路チップ４Ｉ）を有する。このため、たとえばスイッチングアーム４０Ｕ，４０Ｖ，４０Ｗ等の２次側のパワー回路が破壊等した場合に、１次側回路６６０（１次側回路チップ４Ｊ）にまで破壊が及ぶことをトランス６９０（伝達回路チップ４Ｉ）によって抑制することが可能である。したがって、１次側回路６６０（１次側回路チップ４Ｊ）や、１次側回路６６０（１次側回路チップ４Ｊ）に外部から接続されたマイコン等を保護することができる。

図１４に示すように、ｙ方向において制御チップ４Ｈを挟んで伝達回路チップ４Ｉが半導体チップ４Ａ～４Ｆとは反対側に配置されている。また、１次側回路チップ４Ｊは、ｙ方向において伝達回路チップ４Ｉを挟んで制御チップ４Ｈとは反対側に配置されている。これにより、１次側回路６６０（１次側回路チップ４Ｊ）に導通するリード２Ｉ～２Ｒを、制御チップ４Ｈ，４Ｇに導通する部分に対してｙ方向により離間させることができる。

１次側回路６６０（１次側回路チップ４Ｊ）に導通するリード２Ｉ～２Ｒを挟んで、２次側回路６７０に導通するリード２Ａ～２Ｈとリード２Ｓ～２Ｕとが、ｘ方向の両側に分かれて配置されている。これにより、ｘ方向のいずれか一方のみにリード２Ａ～２Ｈとリード２Ｓ～２Ｕとが偏って配置された場合よりも、リード２Ａ～２Ｈとリード２Ｓ～２Ｕとが導通する導電部５の配線経路が複雑化することを抑制することができる。

図１１に示すように、ｚ方向視において第２部２２Ｉ～２２Ｒの第５面７５からの突出寸法ｙ２１は、第２部２２Ａ～２２Ｈおよび第２部２２Ｓ～２２Ｕの第５面７５からの突出寸法ｙ２２よりも大きい。これにより、半導体装置Ｂ１を回路基板等に実装する際に、１次側回路チップ４Ｊに導通するリード２Ｉ～２Ｒと、制御チップ４Ｇに導通するリード２Ａ～２Ｈおよび制御チップ４Ｈに導通するリード２Ｓ～２Ｕとを、絶縁することができる。

図１４に示すように、ｙ方向視において制御チップ４Ｇと半導体チップ４Ｂとが重なる。これにより、半導体チップ４Ｂと制御チップ４Ｇとに接続された第２ワイヤ９２Ｇの長さを短縮することができ、ひいては半導体装置の高集積化を図ることができる。

図１４に示すように、制御チップ４Ｈは、ｙ方向視において半導体チップ４Ｅ、伝達回路チップ４Ｉおよび１次側回路チップ４Ｊと重なる。これにより、半導体チップ４Ｅ、伝達回路チップ４Ｉおよび１次側回路チップ４Ｊに相互に接続されたワイヤの長さを短縮することができ、ひいては半導体装置の高集積化を図ることができる。

図１４に示すように、制御チップ４Ｇ，４Ｈは、ｘ方向視において互いに重なる。これにより、半導体チップ４Ａ～４Ｆの配や、複数のリード２を、ｘ方向にそって配置しやすくなり、ひいては半導体装置の高集積化を図ることができる。

図１４に示すように、ｙ方向において制御チップ４Ｈからｙ方向において半導体チップ４Ｄ，４Ｅ側（リード１Ｂ，１Ｃ側）に延びる第２ワイヤ９２Ｈの本数の方が、制御チップ４Ｈから伝達回路チップ４Ｉ側に延びる複数の第３ワイヤ９３の本数よりも少ない。半導体装置Ｂ１の製造時や使用時等に温度変化が生じた場合、リード１Ａ～１Ｄや基板３に熱膨張が生じる。金属からなるリード１Ａ～１Ｄの熱膨張は、セラミックからなる基板３の熱膨張よりも大きい。本実施形態においては、制御チップ４Ｈおよび伝達回路チップ４Ｉは、ともに基板３上に配置されている。一方、半導体チップ４Ｄ，４Ｅは、リード１Ｂおよびリード１Ｃ上に配置されている。このため、温度変化が生じた場合の制御チップ４Ｈと半導体チップ４Ｄ，４Ｅとの位置関係の変動は、制御チップ４Ｈと伝達回路チップ４Ｉとの位置関係の変動よりも大きくなる。位置関係の変動に起因する樹脂７等からの応力を受けやすい第２ワイヤ９２Ｈの本数を第３ワイヤ９３の本数よりも少なくすることにより、第２ワイヤ９２Ｈに生じる応力を抑制することができる。

また、第２ワイヤ９２Ｈは、図１５に示すように、リード１Ｂの第１部１１Ｂ上に配置された半導体チップ４Ｄおよびリード１Ｃの第１部１１Ｃ上に配置された半導体チップ４Ｅと制御チップ４Ｈとに接続されるものである。第３ワイヤ９３は、ともに基板３上に配置された制御チップ４Ｈと伝達回路チップ４Ｉとに接続されるものである。このため、第３ワイヤ９３は、第２ワイヤ９２Ｈよりも短い。言い換えれば、第２ワイヤ９２Ｈは、第３ワイヤ９３よりも長い。このように、第２ワイヤ９２Ｈを第３ワイヤ９３よりも長くしておくことにより、上述の温度変化による位置関係の変動が生じた場合であっても、位置関係の変動による影響をより受けやすい第２ワイヤ９２Ｈの断線等を抑制することができる。

本開示に係る電力変換装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る電力変換装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

〔付記１〕
１次側制御回路を構成する制御チップ、２次側電力回路を構成する半導体チップおよび前記１次側制御回路と前記２次側電力回路とを電気的に絶縁し且つ前記１次側制御回路と前記２次側電力回路との信号伝達機能を有する伝達回路、を備える半導体装置と、
前記半導体装置が搭載された第１基板と、を備え、
前記第１基板は、第１導電部を有し、
前記第１基板に設けられ且つ前記第１導電部に導通する第１接続端子を備え、
少なくとも一部が前記第１基板の前記第１導電部によって構成され且つ前記半導体装置の前記１次側制御回路と前記第１接続端子とを電気的に導通させる第１導通経路を備える、電力変換装置。
〔付記２〕
前記第１基板は、厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有する基材を含み、
前記第１導電部は、前記主面上に配置された主面部、前記裏面上に配置された裏面部および前記基材を貫通し且つ前記主面部の一部と前記裏面部の一部とを導通させる複数の貫通部を含む、付記１に記載の電力変換装置。
〔付記３〕
前記主面部は、前記第１導通経路を構成する第１主面配線を含み、
前記裏面部は、前記第１導通経路を構成する第１裏面配線を含み、
前記複数の貫通部は、前記第１導通経路を構成する第１貫通部を含む、付記２に記載の電力変換装置。
〔付記４〕
前記第１主面配線に直列に接続され且つ前記第１導通経路を構成する第１抵抗器を備える、付記３に記載の電力変換装置。
〔付記５〕
前記主面部は、前記第１主面配線に繋がり且つグラウンド接続される第２主面配線を含む、付記４に記載の電力変換装置。
〔付記６〕
前記第２主面配線に直列に接続された第１コンデンサを備える、付記５に記載の電力変換装置。
〔付記７〕
前記第１接続端子は、前記半導体装置に対して第１方向一方側に位置しており、
前記第１主面配線は、前記第１方向に沿って延びている、付記３ないし６のいずれかに記載の電力変換装置。
〔付記８〕
前記第１裏面配線は、前記第１方向に沿って延びている、付記３ないし７のいずれかに記載の電力変換装置。
〔付記９〕
前記第１方向と直角である第２方向に配列された複数の前記第１導通経路を備える、付記３ないし８のいずれかに記載の電力変換装置。
〔付記１０〕
前記第２主面配線は、複数の前記第１主面配線に繋がり且つ交差する、付記５または６に記載の電力変換装置。
〔付記１１〕
前記第１基板に設けられ且つ前記第１導電部に導通する第２接続端子を備え、
少なくとも一部が前記第１基板の前記第１導電部によって構成され、且つ前記半導体装置の前記２次側電力回路と前記第２接続端子とを導通させる第２導通経路を備える、付記３ないし１０のいずれかに記載の電力変換装置。
〔付記１２〕
前記主面部は、前記第２導通経路を構成する第３主面配線を含み、
前記裏面部は、前記第２導通経路を構成する第２裏面配線を含み、
前記貫通部は、前記第２導通経路を構成する第２貫通部を含む、付記１１に記載の電力変換装置。
〔付記１３〕
前記第３主面配線の前記第２方向における幅は、前記第１主面配線の前記第２方向における幅よりも広い、付記１２に記載の電力変換装置。
〔付記１４〕
前記半導体装置は、
第２基板と、
前記第２基板上に形成された導電性材料からなる第２導電部と、
前記第２基板上に配置された、前記第２基板よりも放熱性の高い第１リードと、
前記第１リード上に配置された前記２次側電力回路を構成する前記半導体チップと、
前記第２導電部と前記半導体チップとに電気的に接続され、且つ平面視において前記半導体チップと前記第１リードと離間して前記第２基板上に配置された、前記半導体チップの駆動を制御する前記制御チップと、
前記第１リードと離間し、且つ前記第２導電部上に前記第２導電部と電気的に接続されて配置された第２リードと、
前記第２導電部と前記第２リードとに電気的に接続され、且つ平面視において前記半導体チップと離間して前記第２基板上に配置された、前記伝達回路を含む伝達回路チップと、
前記半導体チップ、前記制御チップおよび前記伝達回路チップと、前記第２基板の少なくとも一部と、前記第１リードの一部と、前記第２リードの一部とを覆う樹脂と、
を備える、付記１ないし１３のいずれかに記載の電力変換装置。
〔付記１５〕
前記伝達回路チップは、少なくとも２つの互いに離間するコイルが対向して配置されたトランス構造を有して電気信号を伝達する、付記１４に記載の電力変換装置。
〔付記１６〕
前記第２基板は、セラミックを含んでいる、付記１４または１５に記載の電力変換装置。
〔付記１７〕
前記第２導電部は、銀を含んでいる、付記１４ないし１６のいずれかに記載の電力変換装置。

Claims (18)

1. １次側制御回路を構成する制御チップ、２次側電力回路を構成する半導体チップおよび前記１次側制御回路と前記２次側電力回路とを電気的に絶縁し且つ前記１次側制御回路と前記２次側電力回路との信号伝達機能を有する伝達回路、を備える半導体装置と、
   前記半導体装置が搭載された第１基板と、を備え、
   前記第１基板は、第１導電部を有し、
   前記第１基板に設けられ且つ前記第１導電部に導通するとともに、前記半導体装置に対して第１方向一方側に位置する第１接続端子を備え、
   前記第１基板は、前記半導体装置に対して前記第１方向一方側に位置し且つ前記第１方向と直角である第２方向に延びる面を有し、
   少なくとも一部が前記第１基板の前記第１導電部によって構成され且つ前記半導体装置の前記１次側制御回路と前記第１接続端子とを電気的に導通させる第１導通経路を備え、
   前記半導体装置は、第２基板と、前記第２基板の少なくとも一部を覆う樹脂と、をさらに備える、電力変換装置。
2. 前記第１基板は、厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有する基材を含み、
   前記第１導電部は、前記主面上に配置された主面部、前記裏面上に配置された裏面部および前記基材を貫通し且つ前記主面部の一部と前記裏面部の一部とを導通させる複数の貫通部を含む、請求項１に記載の電力変換装置。
3. 前記主面部は、前記第１導通経路を構成する第１主面配線を含み、
   前記裏面部は、前記第１導通経路を構成する第１裏面配線を含み、
   前記複数の貫通部は、前記第１導通経路を構成する第１貫通部を含む、請求項２に記載の電力変換装置。
4. 前記第１主面配線に直列に接続され且つ前記第１導通経路を構成する第１抵抗器を備える、請求項３に記載の電力変換装置。
5. 前記主面部は、前記第１主面配線に繋がり且つグラウンド接続される第２主面配線を含む、請求項４に記載の電力変換装置。
6. 前記第２主面配線に直列に接続された第１コンデンサを備える、請求項５に記載の電力変換装置。
7. 前記第１主面配線は、前記第１方向に沿って延びている、請求項３ないし６のいずれかに記載の電力変換装置。
8. 前記第１裏面配線は、前記第１方向に沿って延びている、請求項３ないし７のいずれかに記載の電力変換装置。
9. 前記第２方向に配列された複数の前記第１導通経路を備える、請求項３ないし８のいずれかに記載の電力変換装置。
10. 前記第２主面配線は、複数の前記第１主面配線に繋がり且つ交差する、請求項５または６に記載の電力変換装置。
11. 前記第１基板に設けられ且つ前記第１導電部に導通する第２接続端子を備え、
    少なくとも一部が前記第１基板の前記第１導電部によって構成され、且つ前記半導体装置の前記２次側電力回路と前記第２接続端子とを導通させる第２導通経路を備える、請求項３ないし１０のいずれかに記載の電力変換装置。
12. 前記主面部は、前記第２導通経路を構成する第３主面配線を含み、
    前記裏面部は、前記第２導通経路を構成する第２裏面配線を含み、
    前記貫通部は、前記第２導通経路を構成する第２貫通部を含む、請求項１１に記載の電力変換装置。
13. 前記第３主面配線の前記第２方向における幅は、前記第１主面配線の前記第２方向における幅よりも広い、請求項１２に記載の電力変換装置。
14. 前記半導体装置は、
    前記第２基板上に形成された導電性材料からなる第２導電部と、
    前記第２基板上に配置された、前記第２基板よりも放熱性の高い第１リードと、
    前記第１リード上に配置された前記２次側電力回路を構成する前記半導体チップと、
    前記第２導電部と前記半導体チップとに電気的に接続され、且つ平面視において前記半導体チップと前記第１リードと離間して前記第２基板上に配置された、前記半導体チップの駆動を制御する前記制御チップと、
    前記第１リードと離間し、且つ前記第２導電部上に前記第２導電部と電気的に接続されて配置された第２リードと、
    前記第２導電部と前記第２リードとに電気的に接続され、且つ平面視において前記半導体チップと離間して前記第２基板上に配置された、前記伝達回路を含む伝達回路チップと、を備え、
    前記樹脂は、前記半導体チップ、前記制御チップおよび前記伝達回路チップと、前記第１リードの一部と、前記第２リードの一部とを覆う、請求項１ないし１３のいずれかに記載の電力変換装置。
15. 前記伝達回路チップは、少なくとも２つの互いに離間するコイルが対向して配置されたトランス構造を有して電気信号を伝達する、請求項１４に記載の電力変換装置。
16. 前記第２基板は、セラミックを含んでいる、請求項１４または１５に記載の電力変換装置。
17. 前記第２導電部は、銀を含んでいる、請求項１４ないし１６のいずれかに記載の電力変換装置。
18. 前記半導体装置は、
    複数の前記第１リードと、
    前記複数の第１リード上にそれぞれ配置され、前記複数の第１リードにそれぞれ電気的に接続された複数の前記半導体チップと、を備え、
    前記第２導電部は、複数の配線部を含み、
    前記複数の配線部の最小間隔は、前記複数の第１リードの最小間隔よりも狭い、請求項１４ないし１７のいずれかに記載の電力変換装置。

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