JP7321052B2 - 基板処理装置および装置洗浄方法 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 95
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 55
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 362
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 16
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 99
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 75
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 32
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 21
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 20
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 20
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 13
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 8
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 8
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
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- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
- B05C11/1036—Means for supplying a selected one of a plurality of liquids or other fluent materials, or several in selected proportions, to the applying apparatus
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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- H01L21/31105—Etching inorganic layers
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
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Description
まず、実施形態に係る基板処理装置の構成について図1を参照して説明する。図1は、実施形態に係る基板処理装置1の平面図である。
次に、エッチング用の処理槽61について図2を参照して説明する。図2は、実施形態に係るエッチング用の処理槽61の構成を示すブロック図である。
処理槽61の周囲には、処理槽61から零れたエッチング液を受ける液受部が配置される。上述したように、エッチング液にはシリコン含有化合物が添加されているが、エッチング液の温度が低下することで、エッチング液中に溶解していたシリコン含有化合物(たとえばSiO2)が析出するおそれがある。すなわち、液受部または液受部からエッチング液を排出するための排液経路においてSiO2が析出するおそれがあり、析出したSiO2によって排液経路が詰まってしまうおそれがある。
図4は、実施形態に係る洗浄処理の手順を示すフローチャートである。なお、エッチング処理装置60は、図4に示す処理手順を制御部7による制御に従って実行する。
ここで、上述した洗浄処理の他の例について図5~図7を参照して説明する。図5は、第1変形例に係る洗浄処理の手順を示すフローチャートである。図6は、第2変形例に係る洗浄処理の手順を示すフローチャートである。図7は、第3変形例に係る洗浄処理の手順を示すフローチャートである。なお、エッチング処理装置60は、図5~図7に示す処理手順を制御部7による制御に従って実行する。
次に、洗浄部の変形例について図8および図9を参照して説明する。図8は、第4変形例に係る洗浄部の構成を示す図である。図9は、第5変形例に係る洗浄部の構成を示す図である。
1 基板処理装置
60 エッチング処理装置
61 処理槽
200 液受部
201 第1液受部
202 第2液受部
210 液受部排出管
211 第1排出管
212 第2排出管
220 処理槽排出管
230 クーリングタンク
240 洗浄部
243 DIW供給管
244 HF供給管
245 DIW流量調整器
246 HF流量調整器
Claims (10)
- 複数の基板を収容可能であり、処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽から零れた前記処理液を受ける液受部と、
前記液受部から前記処理液を排出する液受部排出管と、
前記液受部排出管を介して前記液受部に接続され、前記液受部から排出された前記処理液を貯留する貯留部と、
第1液と第2液とを含有し、前記処理液からの析出物を除去する洗浄液の前記第1液を供給する第1液供給管と、
前記第2液を供給する第2液供給管と、
前記第1液供給管および前記第2液供給管に接続され、前記洗浄液、前記第1液または前記第2液を前記液受部に向けて吐出する吐出管と、
前記第1液供給管に設けられ、前記第1液供給管を流れる前記第1液の流量を調整する第1液流量調整部と、
前記第2液供給管に設けられ、前記第2液供給管を流れる前記第2液の流量を調整する第2液流量調整部と
を備える、基板処理装置。 - 前記第1液は、純水であり、
前記第2液は、フッ化水素であり、
前記処理液は、リン酸および溶解したシリコン含有化合物を含有する、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第1液流量調整部および前記第2液流量調整部を制御する制御部
をさらに備え、
前記制御部は、
前記第1液流量調整部および前記第2液流量調整部を制御することによって前記洗浄液の濃度を調整する、請求項1または2に記載の基板処理装置。 - 前記液受部は、
前記処理槽の下方に配置された第1液受部と、
前記処理槽および前記第1液受部を収容する第2液受部と
を含み、
前記液受部排出管は、
前記第1液受部に接続され、前記第1液受部から前記処理液を排出する第1排出管と、
前記第2液受部に接続され、前記第2液受部から前記処理液を排出する第2排出管と
を含み、
前記第1液受部は、
前記第1排出管に向かって下り傾斜する底面を有する、請求項1~3のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 前記吐出管は、
前記底面の幅方向に沿って配置された複数の吐出口を有する吐出部
を備える、請求項4に記載の基板処理装置。 - 前記吐出管は、
前記底面の傾斜方向に沿って配置された複数の吐出口を有する吐出部
を備える、請求項4に記載の基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置を洗浄する装置洗浄方法であって、
前記吐出管から前記液受部に前記洗浄液、前記第1液または前記第2液を供給する工程と、
前記第1液流量調整部および前記第2液流量調整部を用いて前記第1液および前記第2液の流量を調整する工程と
を含む、装置洗浄方法。 - 前記第1液は、純水であり、
前記第2液は、フッ化水素であり、
前記供給する工程は、
前記調整する工程によって第1濃度に調整された前記洗浄液を前記液受部に供給した後、前記調整する工程によって前記第1濃度よりも低い第2濃度に調整された前記洗浄液を前記液受部に供給する、請求項7に記載の装置洗浄方法。 - 前記供給する工程は、
前記液受部に対して前記洗浄液を断続的に供給する、請求項7または8に記載の装置洗浄方法。 - 前記供給する工程は、
前記第1液供給管から供給される前記第1液を前記液受部に供給することと、前記第2液供給管から供給される前記第2液を前記液受部に供給することとを繰り返す、請求項7に記載の装置洗浄方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019189979A JP7321052B2 (ja) | 2019-10-17 | 2019-10-17 | 基板処理装置および装置洗浄方法 |
KR1020200129452A KR20210045929A (ko) | 2019-10-17 | 2020-10-07 | 기판 처리 장치 및 장치 세정 방법 |
CN202011078492.8A CN112687577A (zh) | 2019-10-17 | 2020-10-10 | 基片处理装置和装置清洗方法 |
US17/068,964 US11745213B2 (en) | 2019-10-17 | 2020-10-13 | Substrate processing apparatus and apparatus cleaning method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019189979A JP7321052B2 (ja) | 2019-10-17 | 2019-10-17 | 基板処理装置および装置洗浄方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021064748A JP2021064748A (ja) | 2021-04-22 |
JP7321052B2 true JP7321052B2 (ja) | 2023-08-04 |
Family
ID=75445465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019189979A Active JP7321052B2 (ja) | 2019-10-17 | 2019-10-17 | 基板処理装置および装置洗浄方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11745213B2 (ja) |
JP (1) | JP7321052B2 (ja) |
KR (1) | KR20210045929A (ja) |
CN (1) | CN112687577A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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---|---|---|---|---|
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- 2019-10-17 JP JP2019189979A patent/JP7321052B2/ja active Active
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- 2020-10-07 KR KR1020200129452A patent/KR20210045929A/ko active Search and Examination
- 2020-10-10 CN CN202011078492.8A patent/CN112687577A/zh active Pending
- 2020-10-13 US US17/068,964 patent/US11745213B2/en active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2019067995A (ja) | 2017-10-04 | 2019-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021064748A (ja) | 2021-04-22 |
US11745213B2 (en) | 2023-09-05 |
US20210114057A1 (en) | 2021-04-22 |
CN112687577A (zh) | 2021-04-20 |
KR20210045929A (ko) | 2021-04-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230620 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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