CN112687577A - 基片处理装置和装置清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供在进行批处理的基片处理装置中，能够抑制排液管路的堵塞的基片处理装置和装置清洗方法。本发明的基片处理装置包括：处理槽、承液部、承液部排出管、贮存部、第一液供给管、第二液供给管、释放管、第一液流量调节部和第二液流量调节部。承液部承接从处理槽洒出的处理液。承液部排出管从承液部排出处理液。第一液供给管供给清洗液的第一液，该清洗液含有第一液和第二液，用于除去来自处理液的析出物。第二液供给管供给第二液。释放管与第一液供给管和第二液供给管连接，向承液部释放清洗液、第一液或第二液。第一液流量调节部设置于第一液供给管，调节在第一液供给管中流动的第一液的流量。第二液流量调节部设置于第二液供给管，调节在第二液供给管中流动的第二液的流量。

Description

基片处理装置和装置清洗方法
技术领域
本发明涉及基片处理装置和装置清洗方法。
背景技术
现有技术中，通过将由多个基片形成的批次(lot)浸渍于贮存有处理液的处理槽中，对一批次的基片一并进行处理的批处理。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平3-38827号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种在进行批处理的基片处理装置中，能够抑制排液管路的堵塞的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的基片处理装置包括：处理槽、承液部、承液部排出管、贮存部、第一液供给管、第二液供给管、释放管、第一液流量调节部和第二液流量调节部。处理槽能够收纳多个基片，并贮存液的处理液。承液部承接从处理槽洒出的处理液。承液部排出管从承液部排出处理液。贮存部经由承液部排出管与承液部连接，贮存从承液部排出的处理液。第一液供给管供给清洗液的第一液，该清洗液含有第一液和第二液，用于除去来自处理液的析出物。第二液供给管供给第二液。释放管与第一液供给管和第二液供给管连接，向承液部释放清洗液、第一液或第二液。第一液流量调节部设置于第一液供给管，调节在第一液供给管中流动的第一液的流量。第二液流量调节部设置于第二液供给管，调节在第二液供给管中流动的第二液的流量。
发明效果
依照本发明，在进行批处理的基片处理装置中，能够抑制排液管路的堵塞。
附图说明
图1是实施方式的基片处理装置的俯视图。
图2是表示实施方式的蚀刻用的处理槽的结构的框图。
图3是表示实施方式的蚀刻处理装置的结构的图。
图4是表示实施方式的清洗处理的流程的流程图。
图5是表示第一变形例的清洗处理的流程的流程图。
图6是表示第二变形例的清洗处理的流程的流程图。
图7是表示第三变形例的清洗处理的流程的流程图。
图8是表示第四变形例的清洗部的结构的图。
图9是表示第五变形例的清洗部的结构的图。
附图标记说明
W 晶片
1 基片处理装置
60 蚀刻处理装置
61 处理槽
200 承液部
201 第一承液部
202 第二承液部
210 承液部排出管
211 第一排出管
212 第二排出管
220 处理槽排出管
230 冷却箱
240 清洗部
243 DIW供给管
244 HF供给管
245 DIW流量调节器
246 HF流量调节器。
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的基片处理装置和装置清洗方法的实施方式(以下记作“实施方式”)进行详细说明。此外，并不由该实施方式限定本发明的基片处理装置和装置清洗方法。另外，各实施方式能够在不使处理内容矛盾的范围内适当组合。另外，在以下的各实施方式中对相同的部位标注相同的附图标记，省略重复的说明。
另外，在以下参照的各附图中，为了容易说明，有时示出规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向，并将Z轴正方向作为铅垂向上方向的正交坐标系。
＜基片处理装置的结构＞
首先，参照图1，对实施方式的基片处理装置的结构进行说明。图1是实施方式的基片处理装置1的俯视图。
如图1所示，实施方式的基片处理装置1包括：承载器送入送出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5、批次处理部6和控制部7。
承载器送入送出部2包括：承载器台(carrier stage)20、承载器输送机构21、承载器栈(carrier stock)22、23和承载器载置台24。
承载器台20载置从外部输送来的多个承载器9。承载器9是将多个(例如，25个)晶片W以水平姿态上下排列地收纳的容器。承载器输送机构21在承载器台20、承载器栈22、23和承载器载置台24之间进行承载器9的输送。
利用后述的基片输送机构30将处理前的多个晶片W从载置于承载器载置台24的承载器9送出到批次处理部6。而且，利用基片输送机构30将处理后的多个晶片W从批次处理部6送入到载置于承载器载置台24的承载器9。
批次形成部3具有基片输送机构30，形成批次。批次由收纳于一个或多个承载器9的晶片W组合而同时被处理的多个(例如，50个)晶片W构成。形成一个批次的多个晶片W，以彼此的板面相对的状态隔开一定间隔地排列。
基片输送机构30在载置于承载器载置台24的承载器9与批次载置部4之间输送多个晶片W。
批次载置部4具有批次输送台40，临时载置由批次输送部5在批次形成部3与批次处理部6之间输送的批次(使之待机)。批次输送台40具有：送入侧批次载置台41，其载置由批次形成部3形成的处理前的批次；和送出侧批次载置台42，其载置由批次处理部6处理后的批次。一个批次的多个晶片W以立起姿态前后排列地载置在送入侧批次载置台41和送出侧批次载置台42。
批次输送部5具有批次输送机构50，在批次载置部4与批次处理部6之间或者批次处理部6的内部进行批次的输送。批次输送机构50具有：导轨51、移动体52和基片保持体53。
导轨51跨批次载置部4和批次处理部6沿X轴方向配置。移动体52能够一边保持多个晶片W一边沿导轨51移动。基片保持体53设置于移动体52，保持以立起姿态前后排列的多个晶片W。
批次处理部6将以立起姿态前后排列的多个晶片W作为一个批次进行蚀刻处理、清洗处理、干燥处理等。在批次处理部6，沿导轨51并排地设置有2台蚀刻处理装置60、清洗处理装置70、基片保持体清洗处理装置80和干燥处理装置90。
蚀刻处理装置60进行批次的蚀刻处理。清洗处理装置70进行批次的清洗处理。基片保持体清洗处理装置80进行基片保持体53的清洗处理。干燥处理装置90进行批次的干燥处理。其中，蚀刻处理装置60、清洗处理装置70、基片保持体清洗处理装置80和干燥处理装置90的台数并不限定于图1的例子。
蚀刻处理装置60包括：蚀刻用的处理槽61、冲洗用的处理槽62和基片升降机构63、64。
处理槽61能够收纳以立起姿态排列的一个批次的晶片W，贮存蚀刻用的处理液(以下也称为“蚀刻液”)。处理槽61的详情在后文说明。
在处理槽62中贮存冲洗用的处理液(纯水等)。形成批次的多个晶片W以立起姿态前后排列地保持在基片升降机构63、64。
蚀刻处理装置60用基片升降机构63保持由批次输送部5输送来的批次，使之浸渍于处理槽61的蚀刻液中以进行蚀刻处理。蚀刻处理例如进行1小时～3小时程度。
在处理槽61中进行了蚀刻处理的批次，由批次输送部5输送到处理槽62。然后，蚀刻处理装置60用基片升降机构64保持输送来的批次，使之浸渍于处理槽62的冲洗液中来进行冲洗处理。在处理槽62中进行了冲洗处理的批次，由批次输送部5输送到清洗处理装置70的处理槽71。
清洗处理装置70包括：清洗用的处理槽71、冲洗用的处理槽72和基片升降机构73、74。在清洗用的处理槽71中贮存清洗用的处理液(例如，SC-1(氨、过氧化氢和水的混合液)等)。
在冲洗用的处理槽72中贮存冲洗用的处理液(纯水等)。一个批次的多个晶片W以立起姿态前后排列地保持在基片升降机构73、74。
清洗处理装置70用基片升降机构73保持由批次输送部5输送来的批次，使之浸渍于处理槽71的清洗液中来进行清洗处理。
在处理槽71中进行了清洗处理的批次，由批次输送部5输送到处理槽72。然后，清洗处理装置70用基片升降机构74保持输送来的批次，使之浸渍于处理槽72的冲洗液中来进行冲洗处理。在处理槽72中进行了冲洗处理的批次，由批次输送部5输送到干燥处理装置90的处理槽91。
干燥处理装置90具有：处理槽91和基片升降机构92。对处理槽91供给干燥用的处理气体(例如IPA(异丙醇)等)。一个批次的多个晶片W以立起姿态前后排列地保持在基片升降机构92。
干燥处理装置90用基片升降机构92保持由批次输送部5输送来的批次，用供给到处理槽91内的干燥用的处理气体进行干燥处理。在处理槽91中进行了干燥处理的批次，由批次输送部5输送到批次载置部4。
基片保持体清洗处理装置80，对批次输送机构50的基片保持体53供给清洗用的处理液，进而供给干燥气体，由此进行基片保持体53的清洗处理。
控制部7控制基片处理装置1的各部分(承载器送入送出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5、批次处理部6等)的动作。控制部7基于来自开关、各种传感器等的信号，控制基片处理装置1的各部分的动作。
该控制部7例如为计算机，具有计算机可读取的存储介质8。在存储介质8中保存用于控制在基片处理装置1中执行的各种处理的程序。
控制部7通过读取并执行存储于存储介质8中的程序，来控制基片处理装置1的动作。此外，程序也可以存储于计算机可读取的存储介质8中，从其他存储介质安装到控制部7的存储介质8中。
作为计算机可读取的存储介质8，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
＜蚀刻用的处理槽的结构＞
下面，参照图2，对蚀刻用的处理槽61进行说明。图2是表示实施方式的蚀刻用的处理槽61的结构的框图。
在处理槽61中，进行蚀刻处理，即，使用规定的蚀刻液，有选择地对形成于晶片W上的硅氮化膜(SiN)和硅氧化膜(SiO2)中的硅氮化膜进行蚀刻。在上述蚀刻处理中，在磷酸(H3PO4)水溶液中添加含硅(Si)化合物并调节了硅浓度的溶液被用作蚀刻液。
作为调节蚀刻液中的硅浓度的方法，能够使用使仿真基片浸渍于磷酸水溶液中使硅溶解的方法(调制，seasoning)、或使胶体二氧化硅等含硅化合物溶解于磷酸水溶液的方法。此外，也可以在磷酸水溶液中添加含硅化合物水溶液来调节硅浓度。
如图2所示，蚀刻用的处理槽61包括内槽101和外槽102。内槽101是上方开放的箱形的槽，在内部贮存蚀刻液。由多个晶片W形成的批次被浸渍在内槽101中。外槽102上方开放，配置在内槽101的上部周围。溢出的蚀刻液从内槽101流到外槽102。
另外，处理槽61包括：磷酸水溶液供给部103、硅供给部104和DIW供给部105。
磷酸水溶液供给部103具有：磷酸水溶液供给源131、磷酸水溶液供给管路132和流量调节器133。
磷酸水溶液供给源131供给磷酸浓度被浓缩为要求浓度的磷酸水溶液。磷酸水溶液供给管路132与磷酸水溶液供给源131和外槽102连接，从磷酸水溶液供给源131对外槽102供给磷酸水溶液。
流量调节器133设置于磷酸水溶液供给管路132，调节对外槽102供给的磷酸水溶液的供给量。流量调节器133由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
硅供给部104具有硅供给源141、硅供给管路142和流量调节器143。
硅供给源141是贮存含硅化合物水溶液的贮存箱。硅供给管路142与硅供给源141和外槽102连接，从硅供给源141对外槽102供给含硅化合物水溶液。
流量调节器143设置于硅供给管路142，调节对外槽102供给的含硅化合物水溶液的供给量。流量调节器143由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。通过用流量调节器143调节含硅化合物水溶液的供给量，能够调节蚀刻液的硅浓度。
DIW供给部105具有：DIW供给源151、DIW供给管路152和流量调节器153。DIW供给部105对外槽102供给DIW(DeIonized Water：纯水)，以补充因加热蚀刻液而蒸发的水分，。
DIW供给管路152与DIW供给源151和外槽102连接，从DIW供给源151对外槽102供给规定温度的DIW。
流量调节器153设置于DIW供给管路152，调节对外槽102供给的DIW的供给量。流量调节器153由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。通过用流量调节器153调节DIW的供给量，能够调节蚀刻液的温度、磷酸浓度和硅浓度。
另外，处理槽61包括循环部106。循环部106使蚀刻液在内槽101与外槽102之间循环。循环部106包括：循环管路161、多个处理液供给喷嘴162、过滤器163、加热器164和泵165。
循环管路161将外槽102和内槽101连接。循环管路161的一端与外槽102连接，循环管路161的另一端与配置于内槽101的内部的多个处理液供给喷嘴162连接。
过滤器163、加热器164和泵165设置在循环管路161。过滤器163从在循环管路161中流动的蚀刻液除去杂质。加热器164将在循环管路161中流动的蚀刻液加热到适合于蚀刻处理的温度。泵165将外槽102内的蚀刻液送出到循环管路161。过滤器163、加热器164和泵165从上游侧起按该顺序设置。
循环部106将蚀刻液从外槽102经由循环管路161和多个处理液供给喷嘴162送到内槽101。被送到内槽101的蚀刻液，从内槽101溢出而再次流出到外槽102。通过这样的方式，蚀刻液在内槽101与外槽102之间循环。
另外，循环部106也可以通过用加热器164加热蚀刻液，使蚀刻液成为沸腾状态。
＜承液部和清洗部的结构＞
在处理槽61的周围配置承接从处理槽61洒出的蚀刻液的承液部。如上所述，在蚀刻液中添加了含硅化合物，但因蚀刻液的温度降低，溶解于蚀刻液中的含硅化合物(例如SiO2)有可能析出。即，在承液部或者用于从承液部排出蚀刻液的排液路径中有可能析出SiO2，有可能因析出的SiO2而导致排液路径堵塞。
实施方式的蚀刻处理装置60，由于具有自动清洗承液部和排出路径的清洗功能，能够有效地抑制处理液的排出路径的堵塞。参照图3对上述的蚀刻处理装置60的结构进行说明。图3是表示实施方式的蚀刻处理装置60的结构的图。
如图3所示，蚀刻处理装置60包括：承液部200、承液部排出管210、处理槽排出管220、冷却箱230和清洗部240。
承液部200是承接从处理槽61洒出的蚀刻液的容器。承液部200包括第一承液部201和第二承液部202。其中，“从处理槽61洒出的蚀刻液”，是指由于从内槽101或外槽102溢出、飞散、漏出而从内槽101或外槽102跑到外面的蚀刻液。
第一承液部201配置在处理槽61的下方。第一承液部201承接例如因从处理槽61溢出或漏出而从处理槽61滴落的蚀刻液。
第一承液部201的侧面下部与用于从第一承液部201排出由第一承液部201承接到的蚀刻液的第一排出管211连接。在图3所示的例子中，第一排出管211与第一承液部201的X轴正方向侧的侧面下部连接。
第二承液部202具有比第一承液部201大的容积，在内部收纳处理槽61和第一承液部201。第二承液部202承接例如因沸腾而从处理槽61飞散出来的蚀刻液。
第一承液部201的底面201a向第一排出管211倾斜。即，第一承液部201的底面201a以X轴负方向侧比X轴正方向侧高的方式形成。
由此，能够有效地将由第一承液部201承接到的蚀刻液从第一承液部201排出。另外，能够抑制蚀刻液残留在第一承液部201内。
第二承液部202的侧面下部与用于从第二承液部202排出由第二承液部202承接到的蚀刻液的第二排出管212连接。在图3所示的例子中，第二排出管212与第二承液部202的X轴正方向的侧面下部连接。
承液部排出管210将承液部200和冷却箱230连接，将由承液部200承接到的蚀刻液向冷却箱230排出。承液部排出管210在上游侧分支为上述的第一排出管211和第二排出管212，第一排出管211连接到第一承液部201，第二排出管212连接到第二承液部202。
另外，承液部排出管210也可以独立地具有第一排出管211和第二排出管212。
处理槽排出管220与处理槽61连接，具体而言，将内槽101和冷却箱230连接，将贮存于内槽101的蚀刻液从内槽101排出到冷却箱230。在处理槽排出管220的中途部设置有开闭处理槽排出管220的开闭阀221。
冷却箱230经由承液部排出管210与第一承液部201和第二承液部202连接。并且，冷却箱230经由处理槽排出管220与处理槽61连接。冷却箱230临时贮存从处理槽61、第一承液部201和第二承液部202排出的蚀刻液。
冷却箱230与将贮存于冷却箱230的蚀刻液从冷却箱230排出的冷却箱排出管231连接。在冷却箱排出管231设置有开闭冷却箱排出管231的开闭阀232。
从处理槽61、第一承液部201和第二承液部202排出的蚀刻液，通过在冷却箱230中贮存而冷却了之后，经由冷却箱排出管231被排出基片处理装置1的外部。
清洗部240对承液部200供给用于清洗承液部200、承液部排出管210、冷却箱230和冷却箱排出管231的清洗液。
清洗部240包括DIW供给源241和HF供给源242。DIW供给源241供给DIW。HF供给源242供给HF(液态的氟化氢)。
另外，清洗部240包括：DIW供给管243、HF供给管244、DIW流量调节器245、HF流量调节器246、第一DIW开闭阀247a、第二DIW开闭阀247b、第一HF开闭阀248a和第二HF开闭阀248b。另外，清洗部240包括：第一混合部249a、第二混合部249b、第一释放管250a和第二释放管250b。
DIW供给管243与DIW供给源241连接。DIW供给管243在中途部分支为第一DIW供给管243a和第二DIW供给管243b。第一DIW供给管243a经由第一DIW开闭阀247a与第一混合部249a连接。第二DIW供给管243b经由第二DIW开闭阀247b与第二混合部249b连接。
HF供给管244与HF供给源242连接。HF供给管244在中途部分支为第一HF供给管244a和第二HF供给管244b。第一HF供给管244a经由第一HF开闭阀248a与第一混合部249a连接。第二HF供给管244b经由第二HF开闭阀248b与第二混合部249b连接。
DIW流量调节器245设置在DIW供给管243的比第一DIW供给管243a与第二DIW供给管243b的分支点靠上游侧处，调节在DIW供给管243中流动的DIW的流量。HF流量调节器246设置在HF供给管244的比第一HF供给管244a与第二HF供给管244b的分支点靠上游侧处，调节在HF供给管244中流动的HF的流量。
第一DIW开闭阀247a设置在第一DIW供给管243a的中途，开闭第一DIW供给管243a。第二DIW开闭阀247b设置在第二DIW供给管243b的中途，开闭第二DIW供给管243b。第一HF开闭阀248a设置在第一HF供给管244a的中途，开闭第一HF供给管244a。第二HF开闭阀248b设置在第二HF供给管244b的中途，开闭第二HF供给管244b。
第一混合部249a在上游侧与第一DIW供给管243a和第一HF供给管244a连接。第一混合部249a将从DIW供给源241经由第一DIW供给管243a供给的DIW与从HF供给源242经由第一HF供给管244a供给的HF混合。
第二混合部249b在上游侧与第二DIW供给管243b和第二HF供给管244b连接。第二混合部249b将从DIW供给源241经由第二DIW供给管243b供给的DIW与从HF供给源242经由第二HF供给管244b供给的HF混合。
第一释放管250a在上游侧与第一混合部249a连接，将由第一混合部249a生成的DIW和HF的混合液即DHF(稀氢氟酸)向第一承液部201的底面201a释放。此外，在第一DIW开闭阀247a打开，第一HF开闭阀248a关闭的情况下，第一释放管250a能够释放DIW。另外，在第一DIW开闭阀247a关闭，第一HF开闭阀248a打开的情况下，第一释放管250a能够释放HF。
第二释放管250b在上游侧与第二混合部249b连接，将由第二混合部249b生成的DHF向第二承液部202的底面202a释放。此外，在第二DIW开闭阀247b打开，第二HF开闭阀248b关闭的情况下，第二释放管250b能够释放DIW。另外，在第二DIW开闭阀247b关闭，第二HF开闭阀248b打开的情况下，第二释放管250b能够释放HF。
清洗液所含的HF，能够溶解从蚀刻液析出的SiO2。因此，通过对承液部200供给作为清洗液的DHF，能够使附着于承液部200的SiO2溶解从而将其从承液部200除去。此外，被供给到承液部200的清洗液，在承液部排出管210、冷却箱230和冷却箱排出管231中流通。因此，能够使附着于承液部排出管210、冷却箱230和冷却箱排出管231的SiO2溶解从而将其从承液部排出管210、冷却箱230和冷却箱排出管231除去。
如上所述，实施方式的蚀刻处理装置60通过对承液部200供给包含HF的清洗液，能够使附着于承液部200、承液部排出管210、冷却箱230和冷却箱排出管231的SiO2溶解。因此，依照实施方式的蚀刻处理装置60，能够抑制蚀刻液在排出路径中的堵塞。
＜蚀刻处理装置的具体动作＞
图4是表示实施方式的清洗处理的流程的流程图。此外，蚀刻处理装置60按照控制部7的控制执行图4所示的处理流程。
如图4所示，蚀刻处理装置60首先对承液部200释放DHF(步骤S001)。具体而言，蚀刻处理装置60打开第一DIW开闭阀247a、第二DIW开闭阀247b、第一HF开闭阀248a和第二HF开闭阀248b。由此，对第一混合部249a供给DIW和HF，将由第一混合部249a混合成的DHF从第一释放管250a供给到第一承液部201。而且，对第二混合部249b供给DIW和HF，将由第二混合部249b混合成的DHF从第二释放管250b供给到第二承液部202。
接着，蚀刻处理装置60关闭第一HF开闭阀248a和第二HF开闭阀248b，以对承液部200释放DIW(步骤S002)。之后，蚀刻处理装置60关闭第一DIW开闭阀247a和第二DIW开闭阀247b，由此停止对承液部200释放DIW，结束清洗处理。
如上所述，蚀刻处理装置60也可以在对承液部200释放DHF之后，对承液部200释放DIW，然后结束清洗处理。由此，能够抑制在承液部200、承液部排出管210、冷却箱230和冷却箱排出管231中残留DHF。
＜清洗处理的变形例＞
在此，参照图5～图7，对上述清洗处理的另一例进行说明。图5是表示第一变形例的清洗处理的流程的流程图。图6是表示第二变形例的清洗处理的流程的流程图。图7是表示第三变形例的清洗处理的流程的流程图。此外，蚀刻处理装置60按照控制部7的控制执行图5～图7所示的处理流程。
如图5所示，蚀刻处理装置60首先打开各开闭阀247a、247b、248a、248b，来对第一承液部201和第二承液部202释放第一浓度的DHF(步骤S101)。第一浓度的DHF是通过使用DIW流量调节器245和HF流量调节器246调节DIW和HF的流量而得到的。
接着，蚀刻处理装置60将比第一浓度低的第二浓度的DHF释放到第一承液部201和第二承液部202(步骤S102)。例如，蚀刻处理装置60通过使用DIW流量调节器245和HF流量调节器246改变DIW和HF的流量比，能够生成第二浓度的DHF。
如上所述，蚀刻处理装置60也可以在将HF浓度较高的第一浓度的DHF释放到承液部200之后，将HF浓度较低的第二浓度的DHF释放到承液部200。由此，能够抑制HF的消耗量，并且有效地清洗承液部200、承液部排出管210、冷却箱230和冷却箱排出管231。
接着，蚀刻处理装置60关闭第一HF开闭阀248a和第二HF开闭阀248b，以对第一承液部201和第二承液部202释放DIW(步骤S103)。之后，蚀刻处理装置60关闭第一DIW开闭阀247a和第二DIW开闭阀247b，由此停止对第一承液部201和第二承液部202释放DIW(步骤S104)，结束清洗处理。
作为另一例，如图6所示，蚀刻处理装置60首先打开各开闭阀247a、247b、248a、248b，以对第一承液部201和第二承液部202释放DHF(步骤S201)。之后，蚀刻处理装置60关闭各开闭阀247a、247b、248a、248b，以停止对第一承液部201和第二承液部202释放DHF(步骤S202)。
接着，蚀刻处理装置60判断是否将步骤S201、S202的处理反复进行了设定的次数(步骤S203)。在该处理中，在反复进行步骤S201、S202的处理的次数没有达到设定的次数的情况下(步骤S203，否(No))，蚀刻处理装置60使处理返回到步骤S201，反复进行步骤S201、S202的处理。
另一方面，在步骤S203中，判断为将步骤S201、S202的处理反复进行了设定的次数(步骤S203，是(Yes))。在该情况下，蚀刻处理装置60关闭第一HF开闭阀248a和第二HF开闭阀248b，以对第一承液部201和第二承液部202释放DIW(步骤S204)。之后，蚀刻处理装置60关闭第一DIW开闭阀247a和第二DIW开闭阀247b，由此停止对第一承液部201和第二承液部202释放DIW(步骤S205)，结束清洗处理。
如上所述，蚀刻处理装置60也可以对承液部200断续地释放DHF。由此，与持续地释放DHF的情况相比，能够使DHF的流动混乱。因此，能够提高从承液部200等剥离SiO2等异物的物理力。
另外，蚀刻处理装置60也可以将步骤S204、S205的处理反复进行设定的次数。即，蚀刻处理装置60也可以不仅断续地释放DHF还断续地释放DIW。在这种情况下，蚀刻处理装置60可以使从停止释放DIW起至再次开始释放DIW的间隔比从停止释放DHF起再次开始释放DHF的间隔短。由此，能够更可靠地抑制在承液部200、承液部排出管210、冷却箱230和冷却箱排出管231中残留DHF。
作为另一例，如图7所示，蚀刻处理装置60首先打开第一HF开闭阀248a和第二HF开闭阀248b，以对第一承液部201和第二承液部202释放HF(步骤S301)。然后，蚀刻处理装置60关闭第一HF开闭阀248a和第二HF开闭阀248b，以停止对第一承液部201和第二承液部202释放HF(步骤S302)。
接着，蚀刻处理装置60关闭第一HF开闭阀248a和第二HF开闭阀248b，打开第一DIW开闭阀247a和第二DIW开闭阀247b。由此，蚀刻处理装置60对第一承液部201和第二承液部202释放DIW(步骤S303)。之后，蚀刻处理装置60关闭第一DIW开闭阀247a和第二DIW开闭阀247b，以停止对第一承液部201和第二承液部202释放DIW(步骤S304)。
接着，蚀刻处理装置60判断是否将步骤S301～S304的处理反复进行了设定的次数(步骤S305)。在该处理中，在反复进行步骤S301～S304的处理的次数没有达到设定的次数的情况下(步骤S305，否)，蚀刻处理装置60使处理返回到步骤S301，反复进行步骤S301～S304的处理。另一方面，在步骤S305中，在判断为将步骤S301～S304的处理反复进行了设定的次数(步骤S305，是)的情况下，蚀刻处理装置60结束清洗处理。
如上所述，蚀刻处理装置60也可以交替地对承液部200释放HF和DIW。在这种情况下，通过在承液部200混合HF和DIW，能够在承液部200中生成DHF。
另外，此处，在对承液部200释放了HF之后释放DIW，但蚀刻处理装置60也可以在对承液部200释放了DIW之后释放HF。在这种情况下，可以在步骤S305中判断为反复进行了设定次数之后，对承液部200释放一定时间的DIW，然后结束清洗处理。
＜第一排出管的变形例＞
下面，参照图8和图9，对清洗部的变形例进行说明。图8是表示第四变形例的清洗部的结构的图。图9是表示第五变形例的清洗部的结构的图。
如图8所示，第四变形例的清洗部240A包括释放部251。释放部251与第一释放管250a的下游侧端部连接。
释放部251配置在第一承液部201的倾斜的底面201a的上部侧，换言之，配置在设置第一排出管211的一侧的相反侧的上方。通过配置在上述位置，能够使DHF等沿作为倾斜面的底面201a流动，因此能够提高DHF等的流速。这样一来，通过提高DHF等的流速，能够更有效地除去附着于第一承液部201等的异物。
释放部251包括多个释放口251a。多个释放口251a沿倾斜的底面201a的宽度方向(与倾斜延伸的水平方向正交的水平方向，在此为Y轴方向)并排地配置。像这样，通过沿底面201a的宽度方向配置多个释放口251a，能够使DHF等充分地遍布到第一承液部201。
如图9所示，第五变形例的清洗部240B包括多个释放部252。多个释放部252与第一释放管250a的下游侧端部连接。图9所示的例子中，清洗部240B包括两个释放部252。两个释放部252中的一者配置在靠底面201a的宽度方向两侧中的一侧，两个释放部252中的另一者配置在靠底面201a的宽度方向两侧中的另一侧。
释放部252包括多个释放口252a。多个释放口252a沿底面201a的倾斜延伸的水平方向(倾斜方向的水平成分)并排地配置，此处沿X轴方向并排地配置。像这样，通过沿作为倾斜面的底面201a的倾斜方向配置多个释放口252a，能够更有效地清洗第一承液部201。
如上所述，实施方式的基片处理装置(作为一例，蚀刻处理装置60)包括：处理槽(作为一例，处理槽61)、承液部(作为一例，承液部200)、承液部排出管(作为一例，承液部排出管210)、贮存部(作为一例，冷却箱230)、第一液供给管(作为一例，DIW供给管243)、第二液供给管(作为一例，HF供给管244)、释放管(作为一例，第一释放管250a和第二释放管250b)、第一液流量调节部(作为一例，DIW流量调节器245)和第二液流量调节部(作为一例，HF流量调节器246)。处理槽能够收纳多个基片(作为一例，晶片W)，贮存处理液(作为一例，蚀刻液)的处理。承液部承接从处理槽洒出的处理液。承液部排出管从承液部排出处理液。贮存部经由承液部排出管与承液部连接，贮存从承液部排出的处理液。第一液供给管供给清洗液的第一液，该清洗液含有第一液(作为一例，DIW)和第二液(作为一例，HF)，用于除去来自处理液的析出物(作为一例，SiO2)。第二液供给管供给第二液。释放管与第一液供给和第二液供给管连接，将清洗液、第一液或第二液承液部供给到承液部。第一液流量调节部设置于第一液供给管，调节在第一液供给管中流动的第一液的流量。第二液流量调节部设置于第二液供给管，调节在第二液供给管中流动的第二液的流量。
因此，依照实施方式的基片处理装置，在进行批处理的基片处理装置中，能够抑制排液管路的堵塞。
第一液可以为纯水，第二液可以为氟化氢。此外，处理液可以含有磷酸和溶解的含硅化合物。清洗液即稀氢氟酸中所含的氟化氢，能够溶解从处理液析出的SiO2。因此，通过对承液部供给作为清洗液的稀氢氟酸，能够使附着于承液部的SiO2溶解从而将其从承液部除去。另外，被供给到承液部的清洗液，在承液部排出管和贮存部流通。因此，能够使附着于承液部排出管和贮存部的SiO2溶解从而将其从承液部排出管和贮存部除去。
实施方式的基片处理装置可以还包括控制第一液流量调节部和第二液流量调节部的控制部。在这种情况下，控制部可以通过控制第一液流量调节部和第二液流量调节部来调节清洗液的浓度。由此，能够实现更有效的清洗处理。
承液部可以包含配置于处理槽的下方的第一承液部(作为一例，第一承液部201)以及收纳处理槽和第一承液部的第二承液部(作为一例，第二承液部202)。此外，承液部排出管可以包括：与第一承液部连接的第一排出管(作为一例，第一排出管211)，其从第一承液部排出处理液；和与第二承液部连接的第二排出管(作为一例，第二排出管212)，其从第二承液部排出处理液。另外，第一承液部可以具有向第一排出管倾斜的底面(作为一例，底面201a)。
由此，能够有效地将由第一承液部承接到的处理液从第一承液部排出。而且，能够抑制处理液残留在第一承液部内。
释放管可以包括具有沿底面的宽度方向配置的多个释放口(作为一例，释放口251a)的释放部(作为一例，释放部251)。通过沿底面的宽度方向配置多个释放口，能够使清洗液等充分遍布到第一承液部。
释放管可以包括具有沿底面的倾斜方向配置的多个释放口(作为一例，释放口252a)的释放部(作为一例，释放部252)。通过沿作为倾斜面的底面的倾斜方向配置多个释放口，能够更有效地清洗第一承液部。
另外，实施方式的装置清洗方法，是对实施方式的基片处理装置(作为一例，蚀刻处理装置60)进行清洗的装置清洗方法，其包括进行供给的工序和进行调节的工序。进行供给的工序中，从释放管(作为一例，第一释放管250a和第二释放管250b)对承液部(作为一例，第一承液部201和第二承液部202)供给清洗液(作为一例，蚀刻液)、第一液(作为一例，DIW)或第二液(作为一例，HF)。进行调节的工序中，用第一液流量调节部(作为一例，DIW流量调节器245)和第二液流量调节部(作为一例，HF流量调节器246)调节第一液和第二液的流量。因此，依照实施方式的装置清洗方法，在进行批处理的基片处理装置中，能够抑制排液管路的堵塞。
第一液可以为纯水，第二液可以为氟化氢。在这种情况下，进行供给的工序中，可以在将通过进行调节的工序调节为第一浓度的清洗液供给到承液部之后，将通过进行调节的工序调节为比第一浓度低的第二浓度的清洗液供给到承液部。由此，能够抑制第二液的消耗量，并且有效地清洗承液部、承液部排出管、贮存部。
进行供给的工序中，可以断续地对承液部供给清洗液。由此，与持续地释放清洗液的情况相比，能够使清洗液的流动混乱。因此，能够提高从承液部剥离析出物的物理力。
进行供给的工序中，可以反复进行将从第一液供给管供给的第一液供给到承液部的处理和将从第二液供给管供给的第二液供给到承液部的处理。在这种情况下，通过在承液部混合第一液和第二液，能够在承液部中生成清洗液。
应当认为，本发明公开的实施方式在所有方面均是例示，而并非限定性的。实际上，上述实施方式能够用各种各样的实施方式来实现。此外，上述实施方式在不脱离权利要求书及其主旨的情况下能够以各种方式进行省略、替换、改变。

Claims (10)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
能够收纳多个基片的贮存处理液的处理槽；
承接从所述处理槽洒出的所述处理液的承液部；
从所述承液部排出所述处理液的承液部排出管；
贮存部，其经由所述承液部排出管与所述承液部连接，贮存从所述承液部排出的所述处理液；
供给清洗液的第一液的第一液供给管，其中所述清洗液含有所述第一液和第二液，用于除去来自所述处理液的析出物；
供给所述第二液的第二液供给管；
释放管，其与所述第一液供给管和所述第二液供给管连接，向所述承液部释放所述清洗液、所述第一液或所述第二液；
第一液流量调节部，其设置于所述第一液供给管，调节在所述第一液供给管中流动的所述第一液的流量；以及
第二液流量调节部，其设置于所述第二液供给管，调节在所述第二液供给管中流动的所述第二液的流量。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第一液为纯水，所述第二液为氟化氢，
所述处理液含有磷酸和溶解的含硅化合物。
3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
还包括控制所述第一液流量调节部和所述第二液流量调节部的控制部，
所述控制部通过控制所述第一液流量调节部和所述第二液流量调节部来调节所述清洗液的浓度。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述承液部包括：
配置于所述处理槽的下方的第一承液部；以及
收纳所述处理槽和所述第一承液部的第二承液部，
所述承液部排出管包括：
与所述第一承液部连接的第一排出管，其从所述第一承液部排出所述处理液；和
与所述第二承液部连接的第二排出管，其从所述第二承液部排出所述处理液，
所述第一承液部具有向所述第一排出管朝下倾斜的底面。
5.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：
所述释放管包括具有沿所述底面的宽度方向配置的多个释放口的释放部。
6.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：
所述释放管包括具有沿所述底面的倾斜方向配置的多个释放口的释放部。
7.一种清洗如权利要求1所述的基片处理装置的装置清洗方法，其特征在于，包括：
从所述释放管对所述承液部供给所述清洗液、所述第一液或所述第二液的工序；以及
用所述第一液流量调节部和所述第二液流量调节部调节所述第一液和所述第二液的流量的工序。
8.如权利要求7所述的装置清洗方法，其特征在于：
所述第一液为纯水，
所述第二液为氟化氢，
所述进行供给的工序中，在将通过所述进行调节的工序调节为第一浓度的所述清洗液供给到所述承液部之后，将通过所述进行调节的工序调节为比所述第一浓度低的第二浓度的所述清洗液供给到所述承液部。
9.如权利要求7或8所述的装置清洗方法，其特征在于：
所述进行供给的工序中，断续地对所述承液部供给所述清洗液。
10.如权利要求7所述的装置清洗方法，其特征在于：
所述进行供给的工序中，反复进行将从所述第一液供给管供给的所述第一液供给到所述承液部的处理和将从所述第二液供给管供给的所述第二液供给到所述承液部的处理。
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