JP7319017B2 - ウェハの処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、複数のデバイスを備えたデバイス領域を一面に有する、半導体ウェハのようなウェハを処理する方法に関する。

技術的背景

半導体デバイス製造処理では、複数の分割ラインによって区切られた複数のデバイスを備えたデバイス領域と、そのデバイス領域の周りにデバイスが形成されない周辺限界領域とを一面に有するウェハが個々のダイに分割される。この製造処理は、一般的に、ウェハの厚さを調整する研削ステップと、個々のダイを得る為に分割ラインに沿ってウェハを切断する切断ステップとを有する。研削ステップは、デバイス領域が形成されるウェハ表面の反対側にあるウェハ裏面から行われる。さらに、研磨および／またはエッチングのような他の処理ステップも、ウェハの裏面から実行されてもよい。ウェハは、その表面または裏面から分割ラインに沿って切断されてもよい。

ウェハの裏面又は表面、特に、デバイス領域に形成されるデバイスを、例えば、破壊、変形および／または破片、研削水または切断水による汚染から保護するため、保護フィルム又はシーティングが、処理前に、ウェハの裏面又は表面に加えられてもよい。

ウェハの裏面又は表面の、そのような保護は、ウェハのそれぞれの面（例えば、デバイス領域）が不均一表面構造を有する場合、特に重要である。

たとえば、ウェハーレベルチップスケールパッケージ（ＷＬＣＳＰ）のような既知の半導体デバイス製造方法において、ウェハのデバイス領域は、ウェハの平坦面から突出するバンプのような複数の突出部を備えて形成される。これらの突出部は、例えば、携帯電話やパーソナルコンピュータのような電気機器にダイを組み入れるときに、例えば、個々のダイにおけるデバイスとの電気的接触を確立する為に使用される。

さらに、既知のウェハにおいて、デバイス領域内のデバイスは、平坦なウェハの面から突出してもよい。これらのデバイスを区切る分割ラインは、デバイス間に少なくとも僅かな溝またはトレンチを形成するので、不均一な表面プロファイルが生じる。

従来から知られた研削処理前のダイシングにおいて、ウェハは、ウェハの厚さの一部のみに沿って、その表面から分割ラインに沿って最初に部分的に切断される。その後、ウェハの裏面が、ウェハが切断されていないウェハの厚さの残部に沿って研削され、分割ラインに沿ってウェハを、分離されたチップ又はダイに分割する。そのような部分的切断は、ウェハの表面を不均一にする表面プロファイルをもたらす。

従来の方法で、そのような不均一なウェハの面に保護フィルム又はシーティングを付けるとき、例えば溝、トレンチ又は突出部の存在のため、表面が効率良く保護されないという問題が生じる。特に、保護フィルムは、ウェハの周辺部分でウェハの面を信頼性良く密封せず、破片、研削水または切断水のような汚染物質が、その面に侵入し汚染することを許容する。

携帯電話やパーソナルコンピュータのような電気機器の小型化を達成するには、半導体デバイスの大きさを減少しなければならない。このため、表面にデバイスが形成されたウェハは、前述された研磨ステップで、μｍ範囲の厚さまで（例えば、２０－１００μｍの範囲で）研削される。望ましくは、そのような研削処理は、ウェハ処理の効率が改善する為に高速で行われる。

知られた半導体デバイス製造処理において、特に、高速で、そのような小さな厚さまでウェハを研削する処理中に問題が生じる。特に、研削処理は、ウェハチッピング及び破壊の為の開始地点として作用するウェハの鋭い縁部の形成を引き起こす可能性があるので、結果として生じるチップ又はダイの品質に著しい影響を与える。さらに、ブレード又は鋸のよう、な研削後にウェハを分割する為に使用される機器は、ウェハの周辺部分に配置される緩い、小型のチップの影響を受けて、損傷を受ける場合がある。そのような鋭いウェハ縁部も、研削済みのウェハの貯蔵および／または運搬で問題にあり、例えば、ウェハカセットなどのように、それらが受容される容器を損傷する。

薄いウェハ研削に関連した上記問題に取り組む為に、ウェハを研削する前にウェハの表面で縁部トリミング処理を行うことが知られている。この処理では、ウェハの表面の外部周辺部分の少なくとも一部を切断して、ウェハ周囲に沿って、段差部分（例えば、環状の段差部分）を得る。そのような段差部分を設けることによって、研削処理において、鋭いウェハ縁部の形成を避けることができる。しかしながら、追加の縁部トリミングステップは、ウェハ処理方法を、より複雑にし、処理効率を下げる。

このため、ウェハに対する汚染および損傷の危険性を最小限に抑えることを可能にする、デバイス領域を有するウェハの、効率および信頼性の良い処理方法が依然として必要である。

したがって、本発明は、ウェハに対する汚染および損傷の危険性を最小限に抑えることを可能にする、効率および信頼性の良い、デバイス領域を有するウェハの処理方法を提供することを目的とする。この目標は、請求項１の技術的特徴を備えたウェハ処理方法によって達成される。本発明の好ましい実施形態は、従属形式請求項から続く。

本発明は、複数のデバイスを備えたデバイス領域を一面に有するウェハを処理する方法を提供する。当該方法は、保護フィルムを準備するステップと、ウェハの一面またはウェハの一面に対して反対側にあるウェハの面に保護フィルムを加えるステップとを含み、保護フィルムの表の面の少なくとも中央領域が、ウェハの一面または一面に対して反対側になるウェハの面と直接接触する。当該方法は、ウェハの一面または一面に対して反対側にあるウェハの面に保護フィルムを付けるステップを更に含み、保護フィルムの周辺部分の少なくとも一部は、ウェハの全周に沿って、ウェハの側方縁部の少なくとも一部に付けられ、ウェハの側方縁部は、ウェハの一面から、一面に対して反対側にあるウェハの面まで延びている。さらに、当該方法は、ウェハの一面および／または一面に対して反対側にある面を処理するステップを含む。

保護フィルムは、ウェハの一面（即ち、ウェハの表面）または、一面に対して反対側にあるウェハの面（即ち、ウェハの裏面）に加えられ、保護フィルムの表の面の少なくとも中央領域は、ウェハの一面または一面に対して反対側にあるウェハの面と直接接触する。そのため、保護フィルムの表の面の少なくとも中央領域およびウェハの一面または一面に対して反対側にあるウェハの面の間には材料、特に、接着材が何も存在しない。

したがって、例えば、ウェハ上の接着層または接着材残渣の接着力による、ウェハの可能な汚染またはウェハに対する可能な損傷の危険性が著しく減少され、排除すら可能である。

ウェハの側方縁部は、ウェハの一面から、一面に対して反対側にあるウェハの面まで（即ち、ウェハの表面からウェハの裏面まで）延びている。そのため、側方縁部は、ウェハの周側面を形成する。ウェハの側方縁部は、実質的に直線面プロファイルまたは湾曲した、特に、径方向外側に湾曲した（例えば、凸）面プロファイルを有してもよい。ウェハ側方縁部は、ウェハの表面の平面（surface plane）から、ウェハ裏面の平面まで延びている。ウェハ側方縁部は、周辺ウェハ面部分を含み、この部分は、たとえば、径方向に外側に湾曲した周辺ウェハ面部分のような、ウェハの表面および裏面から反れ、或いは、ウェハの表面および裏面と交差する延在方向を有する。

保護フィルムが付けられるウェハの面の外観は、実質的に平らな均一面、または平らな均一面である。あるいは、ウェハの厚さ方向に沿って平坦なウェハ面から突出する突出部又は突起および／または溝又はトレンチのような凹んだ部分が、ウェハのそれぞれの面に存在する場合がある。

保護フィルムは、保護フィルムの周辺部分の少なくとも一部が、ウェハの全周に沿ってウェハの側方縁部の少なくとも一部に付けられるように、ウェハの一面または一面に対して反対側にあるウェハの面に付けられる。したがって、保護フィルムが付けられるウェハの面は、たとえ、溝、トレンチのような表面ムラ、突出部、突起が存在しても、特に汚染から効率良く保護される。特に、保護フィルムの周辺部分の少なくとも一部がウェハの全周に沿って、ウェハの側方縁部の少なくとも一部に付けられることから、保護フィルムは、ウェハの周辺部分で、それぞれのウェハの面を効率良く密封し、破片、研削水、切断水のような汚染物質がウェハ面に侵入して汚染することを防止する。

さらに、保護フィルムは、裏面研削のような、特に、ウェハの表面および／または裏面の処理中、損傷（例えば、ウェハチッピングまたは破壊）からウェハ周辺部分を信頼性良く保護する。そのため、たとえば、ウェハは、高速で小さな厚さまで研削されると同時に、ウェハに対する損傷の危険性を最小限に抑える。鋭いウェハ縁部が、研削処理中に形成される場合、それは、保護フィルムによって安全に保護される。このため、ウェハ、ウェハの分割後に生じるチップ又はダイ、ウェハの分割の為に使用される機器、ウェハの貯蔵および／または輸送の為に使用される機器は、それらの完全性が危険にさらされないことが信頼性良く確保される。研削前のウェハの縁部トリミングのような追加処理ステップは不要であり、高速処理効率を達成できる。

このため、本発明は、デバイス領域を有するウェハを処理する、効率および信頼の良い方法を提供するが、これは、ウェハに対する汚染および損傷の危険性を最小限に抑えることを可能にする。

保護フィルムをウェハの表面または裏面に付けた後、ウェハ表面および／またはウェハ裏面が処理されてもよい。

保護フィルムは、保護フィルムの周辺部分の少なくとも一部が、ウェハの厚さ、特に、研削前のウェハの厚さの５％以上、１０％以上、１５％以上、２０％以上、２５％以上、３０％以上に沿って、ウェハの側方縁部の少なくとも一部に付けられるように、ウェハの表面または裏面に付けられてもよい。

保護フィルムは、保護フィルムの周辺部分の少なくとも一部が、ウェハの厚さ、特に、研削前のウェハの厚さの３０％以下、２５％以下、２０％以下、１５％以下、１０％以下、５％以下に沿って、ウェハの側方縁部の少なくとも一部に付けられるように、ウェハの表面または裏面に付けられてもよい。

特に好ましくは、保護フィルムの周辺部分の少なくとも一部は、ウェハの厚さの一部、即ち、研削前のウェハの厚さの一部に沿って、ウェハの側方縁部に付けられるが、これは、研削によって、或いは、研削および研磨によって得られるウェハの厚さ、即ち、研削、或いは、研削および研磨後のウェハの厚さに等しいか、これより小さい。このように、研削ホィールのような研削機器、および研磨機器（研磨ステップが研削後に行われる場合）がウェハの側方縁部に付けられた保護フィルムに接触するようにならないことが確保されている。このため、この機器に対する、研削又は研磨ホィールの詰まりのような、どのような損傷も信頼性良く避けられる。

保護フィルムをウェハの一面に、或いは、一面に対して反対側にあるウェハの面に付けるステップは、保護フィルムをウェハの一面または一面に対して反対側にあるウェハの面に加える間および／または加えた後で、保護フィルムに外部刺激を加える工程を含んでもよい。この場合、保護フィルムおよびウェハの間の付ける力は、保護フィルムをウェハ上の位置で保持するが、この力は、外部刺激を加える工程を通じて発生される。このため、ウェハの一面または一面に対して反対側にあるウェハの面に保護フィルムを付けるのに必要な追加の接着材が不要である。

特に、保護フィルムに外部刺激を加えることによって、保護フィルムとウェハとの間に、積極嵌合のような形態嵌合及び／又は接着結合のような材料結合が形成されてもよい。用語「材料結合」と「接着結合」は、保護フィルムとウェハとの間を、これら２つのコンポーネント間に作用する原子及び／又は分子力によって付けること又は接続することを定める。

用語「接着結合」は、これらの原子及び／又は分子力の存在に関し、これらが、保護フィルムをウェハに付ける又は接着するように作用し、保護フィルムとウェハとの間に追加の接着の存在を意味しない。むしろ、保護フィルムの表の面の少なくとも中央領域は、前述されてきたように、ウェハの一面、或いは、一面に対して反対側にあるウェハの面と直接接触する。

このように保護フィルムをウェハに付けることによって、ウェハ、特に、デバイス領域に形成されるデバイスに対する汚染および損傷の危険性を更に最小限に抑えることができる。

保護フィルムに外部刺激を加えるステップは、保護フィルムを加熱する工程および／または保護フィルムを冷却する工程および／または保護フィルムに真空を加える工程および／または、例えば、レーザビームを使用することによって、光のような放射線で保護フィルムを照射する工程を含んでもよく、或いは、これらの工程から成り得る。

外部刺激は、化学的化合物および／または電子又はプラズマ照射および／または、圧力、摩擦、超音波を加えることのような機械的処置、および／または静電気を含み、あるいは、これらでもよい。

特に好ましくは、保護フィルムに外部刺激を加えるステップは、保護フィルムに圧力を加える工程および／または保護フィルムを加熱する工程を含んでもよく、或いは、これらの工程から成り得る。

たとえば、保護フィルムに外部刺激を加えるステップは、保護フィルムを加熱する工程および保護フィルムに真空を加える工程を含んでもよく、或いは、これらの工程から成り得る。この場合、真空は、保護フィルムを加熱する間および／または加熱する前および／または加熱した後に加えられてもよい。

保護フィルムに外部刺激を加えるステップは、保護フィルムを加熱する工程を含み、或いはこの工程から成り、当該方法は、加熱処理の後、保護フィルムが冷却することを可能にする工程を更に含んでもよい。特に、保護フィルムは、その初期温度、即ち、加熱処理の前の温度まで冷却することが可能であってもよい。保護フィルムは、ウェハの表面および／またはウェハの裏面を処理する前に、例えば、その初期温度まで冷却することが可能であってもよい。

保護フィルムおよびウェハの間の付ける力は、加熱処理を通して発生される。ウェハ自体の加熱処理で、さらに／または、保護フィルムを冷却させる後の処理で、保護フィルムをウェハに付けてもよい。

たとえば、ウェハのトポグラフィを吸収し、例えば、保護フィルムが加えられるウェハの面上のウェハの面に適合するように、保護フィルムが加熱処理によって柔らかくされてもよい。例えば、その初期温度まで冷却する際、例えば、ウェハに対する形態嵌合および／または材料結合を作るように、保護フィルム又はシートが再び硬化されてもよい。

保護フィルムは、１８０℃以上の温度まで、好ましくは２２０℃以上の温度まで、より好ましくは２５０℃以上の温度まで、もっと更に好ましくは３００℃以上の温度まで耐熱性があってもよい。

保護フィルム又はシートは、３０℃～２５０℃、好ましくは５０℃～２００℃、より好ましくは６０℃～１５０℃、更により好ましくは７０℃～１１０℃の範囲内の温度まで加熱されてもよい。特に好ましくは、保護フィルムは、およそ８０℃の温度まで加熱される。

保護フィルムは、ウェハの表面または裏面に保護フィルムを加える間および／または加えた後、３０秒～１０分、好ましくは１分～８分、より好ましくは１分～６分、更により好ましくは１分～４分、もっと更により好ましくは１分～３分の時間にわたって加熱されてもよい。

保護フィルムに外部刺激を加えるステップが保護フィルムの加熱工程を含み、或いは、この工程から成る場合、保護フィルムは、直接および／または間接的に加熱されてもよい。

保護フィルムは、例えば、加熱されたローラ、加熱されたスタンプなどのような熱を加える手段、或いは、熱放射手段を使用して、それに直接熱を加えることによって加熱されてもよい。保護フィルムおよびウェハは、真空チャンバのようなレセプタクル又はチャンバ内に置かれてもよく、レセプタクル又は、保護フィルムを加熱する為にチャンバの内容積が加熱されてもよい。レセプタクル又はチャンバには、熱放射手段が備えられてもよい。

保護フィルムは、例えば、ウェハの表面または裏面に保護フィルムを加える前および／または加える間および／または加えた後にウェハを加熱することによって、間接的に加熱されてもよい。たとえば、チャックテーブルのような支持体またはキャリアにウェハを配置し、その支持体またはキャリアを加熱することによって、ウェハが加熱されてもよい。

たとえば、チャックのような支持体又はキャリアは、３０℃～２５０℃、好ましくは５０素～２００℃、より好ましくは６０℃～１５０℃、更により好ましくは７０℃～１１０℃の範囲内の温度まで加熱されてもよい。特に好ましくは、支持体又はキャリアは、およそ８０℃の温度まで加熱されてもよい。

例えば、加熱されたスタンプ、加熱されたローラ等のような熱を加える手段と、あるいは、保護フィルムの直接加熱およびウェハを通した保護フィルムの間接加熱の為に熱放射手段とを使用することによって、これらの方法が組み合わされてもよい。

保護フィルムに外部刺激を加えるステップが保護フィルムの加熱工程を含み、或いは、この工程から成る場合、保護フィルムは、加熱された状態にあるとき、しなやかであり、弾性があり、柔軟性があり、伸ばすことができ、柔らかく、さらに／または、圧縮性があるのが好ましい。このように、保護フィルムが、保護フィルムが加えられウェハの面上のウェハ面に適合し、例えば、ウェハトポグラフィを吸収することが特に信頼性良く確保できる。ウェハのそれぞれの面に、溝、トレンチ、バンプ、光学素子などのような表面ムラまたは粗さが存在する場合、これは特に有利である。

好ましくは、保護フィルムは、冷却の際、ある程度まで硬くされ、或いは、堅くされ、冷却状態で、より剛性があり、さらに／または頑丈になる。このように、ウェハの研削および／または切断のようなウェハの後処理中に、特に信頼性の良いウェハの保護が確保できる。

この方法は、ウェハの表面又は裏面に保護フィルムを加える間および／または加えた後、保護フィルムの表の面に対して反対側の保護フィルムの裏の面に圧力を加えるステップを更に含んでもよい。このように、保護フィルムの表の面はウェハの、それぞれの面に押し付けられる。そのため、保護フィルムが信頼性良くウェハに付けられることを特に効率良く確保できる。

保護フィルムに外部刺激を加えるステップが、保護フィルムを加熱する工程を含む場合、保護フィルムを加熱する前および／または加熱する間および／または加熱した後、保護フィルムの裏の面に圧力が加えられてもよい。圧力は、ウェハの表面および／または裏面を処理する前に、保護フィルムの裏の面に加えられてもよい。

圧力は、スタンプ、ローラ、膜などのような圧力を加える手段によって、保護フィルムの裏の面に加えられてもよい。

特に好ましくは、加熱されたスタンプまたは加熱されたローラのような組み合わされた熱および圧力を加える手段が使用されてもよい。この場合、圧力を、保護フィルムの裏の面に加えることができ、同時に、保護フィルムを加熱する。

圧力は、更に詳細に後述されるように、真空チャンバ内で、保護フィルムの裏の面に加えられてもよい。保護フィルムの周辺部分の少なくとも一部が、ウェハの全周に沿って、ウェハの側方縁部の少なくとも一部に付けられることから、保護フィルムが付けられるウェハの面は、信頼性良く密封され、ウェハの周辺部分において、どのような真空漏れも防止される。

保護フィルムは、減圧雰囲気、特に、真空下で、ウェハの表面又は裏面に加えられ、さらに／または、付けられてもよい。このように、保護フィルムとウェハとの間に何も空洞及び／又は気泡が存在しないことが確保できる。このため、ウェハの表面および／または裏面を処理する間に、例えば、加熱処理に膨張するそのような気泡によるウェハの応力又は歪が避けられる。

たとえば、保護フィルムを、ウェハの表面又は裏面に加えるステップおよび／または付けるステップは、真空チャンバ内で実行されてもよい。特に、保護フィルムは、真空ラミネート装置を使用することによって、ウェハの、それぞれの面に加え、更に／又は、付けられてもよい。そのような真空ラミネート装置において、ウェハは、保護フィルムが加えられ、更に／又は、付けられるウェハの面が上方で、ウェハの保管お面がチャックテーブルの上面と接触した状態で、真空チャンバ内のチャックテーブル上に置かれる。チャックテーブルは、たとえば、加熱されたチャックテーブルであってもよい。

ウェハの表面又は裏面に加えられる保護フィルムは、環状フレームによって、その周辺部分で保持され、真空チャンバ内で、それぞれのウェハの面上に置かれる。チャックテーブルの上方に位置される真空チャンバの上部と環状フレームには、拡張可能なゴム製膜によって閉じられる空気入口ポートが設けられる。

ウェハおよび保護フィルムが真空チャンバにロードされた後、チャンバは排気され、空気がゴム製膜に空気入口ポートを通って供給され、ゴム製膜を排気済みチャンバに拡張させる。このように、ゴム製膜は、保護フィルムをウェハ表面又は裏面に押しつけるように真空チャンバ内を下方に移動され、ウェハの周辺部分を保護フィルムで密封し、フィルムをウェハ裏面に押し付ける。このため、そのような突出部又は突起が存在する場合、例えば、突出部又は突起の外形に追従するように、保護フィルムをウェハ表面又は裏面に密着させることができる。

保護フィルムは、ウェハの表面又は裏面に、保護フィルムを加える間および／または加えた後に、例えば、チャックテーブルを加熱することによって、保護フィルムが加熱されてもよい。

続いて、真空チャンバ内の真空が解除され、保護フィルムは、真空チャンバ内の正圧および加熱処理を経て発生される付ける力によって、ウェハの表面又は裏面上の、その位置に保持される。

あるいは、スタンプまたはローラ（例えば、加熱されたスタンプ又は加熱されたローラ）によってゴム製膜を置き換えることができる。特に、柔らかいスタンプ又は柔らかいローラが視用されてもよい。

この方法は、ウェハの表面および／または裏面を処理した後、ウェハから保護フィルムを取り外すステップを更に含んでもよい。ウェハから保護フィルムを取り外す前および／または取り外す間、熱のような外部刺激が保護フィルムに加えられてもよい。このように、取外し処理を容易にできる。

何もデバイスを持たず、デバイス領域の周りに形成される周辺限界領域をウェハは更に有してもよい。

ウェハは、例えば、半導体ウェハ、ガラスウェハ、サファイヤウェハ、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）のようなセラミックウェハ、石英ウェハ、ジルコニアウェハ、ＰＺＴ（ジルコン酸チタン酸鉛）ウェハ、ポリカーボネートウェハ、金属（例えば、銅、鉄、鋼、アルミニウムなど）または金属で被覆された材料のウェハ、フェライトウェハ、光学的結晶ウェハ、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）、被覆または成形されたウェハなどでもよい。

特に、ウェハは、例えば、Ｓｉウェハ、ＧａＡｓウェハ、ＧａＮウェハ、ＧａＰウェハ、ＩｎＡｓウェハ、ＩｎＰウェハ、ＳｉＣウェハ、ＳｉＮウェハ、ＬＴ（タンタル酸リチウム）ウェハ、ＬＮ（ニオブ酸リチウム）ウェハなどでもよい。

ウェハは、単一材料で形成されてもよく、或いは、異なる材料の組合せ（例えば、２種以上の上記識別された材料）で形成されてもよい。たとえば、ウェハは、Ｓｉで形成されたウェハ要素がガラスで形成されたウェハ要素に結合されるＳｉ・ガラス結合ウェハでもよい。

ウェハは、どのような種類の形状を有してもよい。

その上面視において、ウェハは、たとえば、円形状、楕円形状、矩形又は正方形のような多角形状を有してもよい。

保護フィルムは、どのような形状を有してもよい。その上面視において、保護フィルム又はシートは、たとえば、円形状、楕円形状、矩形又は正方形のような多角形状を有してもよい。

保護フィルムは、ウェハと実質的に同一または同一の形状を有してもよい。

保護フィルムは、ウェハの外径より大きな外径を有してもよい。このように、ウェハの処理、取扱いおよび／または搬送が容易になり得る。特に、保護フィルムの周辺部分の径方向最外部を、後述するように、環状フレームに付けることができる。

保護フィルムは、ウェハの外径と実質的に同一である外径を有してもよい。

保護フィルムは、ウェハの外径より小さい外径を有してもよい。たとえば、ウェハ側方縁部は、径方向外側に湾曲した面プロファイルを有してもよい。この場合、ウェハの外径は、湾曲面の頂点で決定される。保護フィルムの周辺部分の少なくとも一部が、ウェハの厚さの一部のみに沿って、ウェハの側方縁部の少なくとも一部に付けられる場合、保護フィルムの外径は、ウェハの外径より小さくなるように選択されてもよい。

保護フィルムは、デバイス領域の外径より大きく、ウェハの外径より小さい外径を有してもよい。

この方法は、保護フィルムを切断するステップを更に含んでもよい。保護フィルムは、ウェハの外径より大きい、又は、ウェハの外径より小さい、或いは、ウェハの外径と実質的に同一の外径を有するように切断されてもよい。

保護フィルムを切断するステップは、ウェハに保護フィルムを加える前または加えた後に行われてもよい。

保護フィルムを切断するステップは、ウェハに保護フィルムを付ける前または付けた後に行われてもよい。

保護フィルムを切断するステップは、たとえば、（例えば、ブレード又は鋸を使用して）機械的切断、レーザ切断またはプラズマ切断によって、行われてもよい。

特に、この方法は、ウェハの周囲を超えて径方向に延びる保護フィルムの切り離しステップを含んでもよい。たとえば、このステップは、ウェハの裏面を研削する前に実行されてもよい。これらの部分を切り離す工程は、後の処理ステップ、特に裏面研削において、ウェハの取扱いを容易にすることができる。このように、研削ステップに必要な処理空間を減少させることができるので、処理効率を更に高めることができる。

ウェハの周囲を超えて径方向に延びる保護フィルムの部分が切り離され、保護フィルムの周辺部分の少なくとも一部が、ウェハの全周に沿って、ウェハの側方縁部の少なくとも一部に付けられたままであってもよい。このように、ウェハが後の処理ステップにおいても安全に保護されることが信頼性良く確保できる。

この方法は、環状フレームに、保護フィルムの周辺部分の径方向最外部を付けるステップを更に含んでもよい。特に、この部分は、環状フレームに付けられ、保護フィルムが環状フレームの中央開口（即ち、環状フレームの内径の内側領域）を閉鎖する。このように、保護フィルム、特に、その中央部分に付けられるウェハは、保護フィルムを通じて環状フレームによって保持される。そのため、ウェハ、保護フィルム、環状フレームから構成されるウェハユニットが形成され、ウェハの処理、取扱いおよび／または運搬が容易にされる。

保護フィルムの周辺部分の径方向最外部は、たとえば、接着テープによって、複数のクランプなどのような機械的固着手段によって、保護フィルムをフレームに熱溶着することによって、環状フレームに付けられてもよい。

環状フレームに保護フィルムの周辺部分の径方向最外部を付けるステップは、ウェハに保護フィルムを加える前または加えた後に行われてもよい。

環状フレームに保護フィルムの周辺部分の径方向最外部を付けるステップは、ウェハに保護フィルムを付ける前または付けた後に行われてもよい。

環状フレームに保護フィルムの周辺部分の径方向最外部を付けるステップは、ウェハの表面および／または裏面を処理する前または処理した後に行われてもよい。

少なくとも一つの分割ラインが、ウェハの一面に形成されてもよい。複数の分割ラインが、ウェハの一面に形成されてもよい。一つ又は複数の分割ラインが、デバイス領域に形成されたデバイスを区切っている。

少なくとも一つの分割ラインの幅は、３０μｍ～２００μｍの範囲、好ましくは、３０μｍ～１５０μｍの範囲、より好ましくは３０μｍ～１００μｍの範囲内でもよい。

この方法は、ウェハの一面（即ち、ウェハの表面）を処理するステップを含んでもよい。ウェハの一面の処理は、少なくとも一つの分割ラインに沿って、ウェハ材料を除去する工程を含んでもよく、或いは、この工程から成り得る。複数の分割ラインがウェハの一面に形成される場合、ウェハの一面を処理するステップは、複数の分割ラインの各々に沿ってウェハの材料を除去する工程を含み、或いは、この工程から成り得る。

ウェハの一面あるいは一面に対して反対側にあるウェハの面に保護フィルムを加える前に、少なくとも一つの分割ラインに沿ってウェハの一面からウェハ材料が除去されてもよい。

ウェハの材料は、ウェハの厚さ全体にわたって少なくとも一つの分割ラインに沿って除去されてもよい。この場合、ウェハは、ウェハの材料を除去する工程によって、少なくとも一つの分割ラインに沿って、複数のチップ又はダイへと分割される。

あるいは、ウェハの材料は、ウェハの厚さの一部だけに沿って、少なくとも一つの分割ラインに沿って除去されてもよい。たとえば、ウェハの材料は、ウェハの厚さの２０％以上に沿って、３０％以上に沿って、４０％以上に沿って、５０％以上に沿って、６０％以上に沿って、７０％以上に沿って、８０％以上に沿って、９０％以上に沿って、除去されてもよい。

この場合、ウェハを分割する処理、即ち完全に分割する処理は、たとえば、破壊処理を採用することによって、ウェハに外力を加えること（例えば拡張テープの使用）によって、機械的切断又はダイシング処理、レーザ切断又はダイシング処理またはプラズマ切断又はダイシング処理のような切断またはダイシング処理を採用することによって、実行されてもよい。たとえば、外力は、径方向に保護フィルムを拡張させることによって、即ち、保護フィルムを拡張テープとして使用することによって、ウェハに加えられてもよい。さらに、２つ以上の、これらの処理の組合せが使用されてもよい。

さらに、ウェハは、以下に更に詳述されるように、ウェハの一面に対して反対側にあるウェハの面を研削することによって分割されてもよい。

少なくとも一つの分割ラインに沿ってウェハ材料を除去する処理は、ウェハの面において、ウェハ材料が、ウェハの側方縁部まで完全に除去されるように、或いは、ウェハの周辺部分で（たとえば、周辺限界領域で）ウェハ材料が除去されないように、行われてもよい。

少なくとも一つの分割ラインに沿ってウェハ材料を部分的に除去することによって、ウェハ面に少なくとも一つの溝またはトレンチを形成する。従来、そのような溝又はトレンチは、特に、それらがウェハの側方縁部の経路暫定に伸びる場合、裏面研削のような続くウェハ処理ステップにおいて、問題を生じ得る。そのような部分的ウェハ材料除去の後、少なくとも一つの溝又はトレンチの存在のため、従来の方法で処理済みウェハの面に付けられた保護フィルムは、ウェハの周辺部分においてウェハの面を信頼性良く密封しない場合があり、これが、破片、研削水または切断水のような汚染物質が、少なくとも一つの溝又はトレンチが存在するウェハの周辺領域又は複数の領域に侵入すること、ウェハの面を汚染することを許容する。本発明の方法において、保護フィルムの周辺部分の少なくとも一部が、ウェハの全周に沿って、ウェハの側方縁部の少なくとも一部に付けられることから、保護フィルムは、ウェハの周辺部分において、たとえ、そのような溝又はトレンチが存在しても、それぞれのウェハの面を信頼性良く密封し、ウェハの汚染を安全に防止する。

この方法は、一面に対して反対側にあるウェハの面を処理するステップを含んでもよい。保護フィルムは、ウェハの一面に加えられて付けられてもよい。ウェハの一面に対して反対側にあるウェハの面を処理するステップは、ウェハの厚さを調整する為に、一面に対して反対側にあるウェハの面を研削する工程を含んでもよい。

本発明の方法は、前述されてきたように、研削処理のようなウェハの特に信頼性および効率の良い保護を提供する。特に、ウェハの表面は、保護フィルムによって安全に密封され、研削破片および研削水のような汚染物質の進入を防止する。さらに、保護フィルムは、損傷（例えばウェハチッピングまたは破壊）からウェハの周辺部分を信頼性良く保護する。そのため、ウェハを高速で小さな厚さまで研削することができ、これが、ウェハに対する損傷の危険性を最小限に抑える。鋭いウェハ縁部が研削処理中に形成される場合、それは、保護フィルムによって安全に保護される。

ウェハ材料は、詳細に説明されてきたように、ウェハの一面に保護フィルムを加える前に、ウェハの厚さの一部のみに沿ってウェハの一面から少なくとも一つの分割ラインに沿って除去されてもよい。続いて、ウェハの一面に保護フィルムを付けた後、ウェハの一面に対して反対側にあるウェハの面が研削されてもよい。この研削ステップは、少なくとも一つの分割ラインに沿ってウェハを分割するように、ウェハ材料が何も除去されなかった場所でウェハの厚さの残部に沿って行われてもよい。

このように、研削ステップにおいてウェハを分割することによって、ウェハを、特に信頼性、精度および効率良く、処理することができる。特に、少なくとも一つの分割ラインに沿ってウェハ材料を除去するステップは、ウェハ上で、研削する前、即ち、その厚さを減少させる前に、行われる。このため、少なくとも一つの分割ラインに沿って、材料除去中に（例えば切断中に）、ウェハの反りのようなウェハの変形を信頼性良く避けることができる。さらに、少なくとも一つの分割ラインに沿って、ウェハ材料除去の間にウェハに加えられる応力は、著しく減少され、増加されたダイ強度を備えたチップ又はダイを得ることができる。割れの形成又は裏面チッピングのような、結果として生じるダイ又はチップに対する損傷を避けることができる。

さらに、ウェハ材料がウェハの厚さの一部に沿ってのみ、少なくとも一つの分割ラインに沿って除去されることから、ウェハ材料除去処理の効率、特に処理速度が高められる。また、ウェハ材料除去ステップの為に使用される手段（例えば、切断手段）の運用寿命が延びる。

ウェハ材料は、少なくとも一つの分割ラインに沿って、機械的に除去されてもよい。特に、ウェハの材料は、例えばブレード又は鋸によって少なくとも一つの分割ラインに沿ってウェハを機械的に切断することによって、少なくとも一つの分割ラインに沿って除去されてもよい。この場合、ウェハは、その表面から切断される。

代替または追加で、ウェハ材料は、レーザ切断および／またはプラズマ切断によって、少なくとも一つの分割ラインに沿って除去されてもよい。

ウェハは、単一の機械的切断ステップ、単一のレーザ切断ステップ、単一のプラズマ切断ステップで切断されてもよい。あるいは、ウェハは、連続した機械的切断ステップおよび／またはレーザ切断ステップおよび／またはプラズマ切断ステップによって切断されてもよい。

レーザ切断は、更に後述されるように、たとえば、アブレーションレーザ切断によって、および／またはステルスレーザ切断によって、即ち、レーザビームを加えることによってウェハ内部に改質区域を形成することによって、および／またはレーザビームを加えることによってウェハ内に複数のホール区域を形成することによって、行われてもよい。これらのホール区域の各々は、ウェハの表面に開いた改質区域内の空間と改質区域とから構成されてもよい。

保護フィルムをウェハ（例えば、ウェハ裏面）に付けることによって、切断ステップ中に加えられる圧力が、切断中にウェハの至る所で、一様かつ均質に分布されることが確保されるので、切断ステップにおいて、ウェハに対する損傷（例えば、結果として生じるチップ又はダイの側壁の割れ）の危険性を減少または排除さえする。

この方法は、ウェハの一面を処理するステップを含み、ウェハの一面を処理するステップは、ウェハの一面からウェハにパルスレーザビームを加える工程を含み、或いは、この工程から成り、ウェハはパルスレーザに対して透過性である材料から形成され、パルスレーザビームは、一定の状態で、少なくとも分割ラインに沿って、少なくとも複数の位置でウェハに加えられ、その状態は、ウェハの一面から、一面に対して反対側にあるウェハの面に向かう方向で、ウェハの一面から一定の距離に、パルスレーザの焦点が置かれる状態であり、少なくとも一つの分割ラインに沿ってウェハには複数の改質区域を形成する。

この場合、ウェハは、パルスレーザビームに対して透過性である材料から形成される。そのため、複数の改質区域が、ウェハを通してレーザビームの透過を可能にする波長を有するパルスレーザビームを加えることによって、ウェハに形成される。たとえば、ウェハがＳｉウェハである場合、パルスレーザビームは、１．０μｍ以上の波長を有してもよい。

保護フィルムは、ウェハの表面又は裏面に付けられてもよい。保護フィルムがウェハの表面に付けられる場合、パルスレーザは、保護フィルムを通してウェハに加えられる。そのため、保護フィルムは、パルスレーザビームに対して透過性のある材料で形成されるものが使用される。

パルスレーザは、たとえば１ｎｓ～３００ｎｓの範囲内のパルス波長を有してもよい。

改質区域は、アモルファス区域、または割れが形成された区域を含んでもよく、或いは、アモルファス区域、または割れが形成された区域であってもよい。特に好ましい実施形態において、改質区域は、アモルファス区域を含み、或いは、アモルファス区域である。

各々の改質区域は、空間（例えば空洞）をウェハ材料の内側に含んでもよく、空間は、アモルファス区域または割れが形成された区域によって囲まれる。

各々の改質区域は、ウェハ材料の内側の空間（例えば空洞）から構成され、アモルファス区域、または割れが形成された区域は、空間を囲んで形成される。

改質区域が、割れが形成される区域、即ち、割れが形成されていた区域を含み、或いは、これらの区域である場合、これらの割れは、微細割れでもよい。割れの寸法（例えば長さおよび／または幅）は、μｍ範囲内であろう。たとえば、割れは、５μｍ～１００μｍの範囲内の幅および／または１００μｍ～１０００μｍの範囲内の長さを有するであろう。

この方法によると、パルスレーザビームは、少なくとも一つの分割ラインに沿って、少なくとも複数の位置で、ウェハの一面からウェハに加えられるので、少なくとも一つの分割ラインに沿って、ウェハに複数の改質区域を形成する。これらの改質区域を形成することによって、改質区域が形成される領域において、ウェハの強度が減少される。このため、複数の改質区域が形成された場所で少なくとも一つの分割ラインに沿って、ウェハの分割が大いに容易にされる。そのようなウェハ分割処理において、ウェハのデバイス領域に設けられた個々のデバイスは、チップ又はダイとして得られる。

この方法は、ウェハに複数の改質区域を形成した後、少なくとも一つの分割ラインに沿ってウェハを分割するステップを更に含む。ウェハを分割する処理は、様々な方法で実行されてもよく、例えば、破壊処理の採用、たとえば、拡張テープを使用してウェハに外力を加えること、あるいは、機械的切断又はダイシング処理、レーザ切断又はダイシング処理、プラズマ切断又はダイシング処理のような切断又はダイシング処理の採用がある。たとえば、外力は、保護フィルムを径方向に拡張させること、即ち、拡張テープとして保護フィルムを使用することによって、ウェハに加えられてもよい。さらに、２つ以上の、これらの処理が使われてもよい。

この方法は、一面に対して反対側にあるウェハの面を処理するステップを含んでもよい。一面に対して反対側にあるウェハの面を処理するステップは、ウェハの一面に対して反対側にあるウェハの面から、ウェハにパルスレーザビームを加える工程を含み、或いは、この工程から成り、ウェハは、パルスレーザビームに対して透過性の材料から形成され、パルスレーザビームは、一定の状態で、少なくとも一つの分割ラインに沿って、少なくとも複数の位置で、ウェハに加えられ、この状態は、ウェハの一面に対して反対側にある面から、ウェハの一面に向かう方向で、ウェハの一面に対して反対側にある面から一定の距離に、パルスレーザの焦点が置かれる状態であり、少なくとも一つの分割ラインに沿ってウェハに複数の改質区域を形成する。

保護フィルムは、ウェハの表面又は裏面に付けられてもよい。保護フィルムがウェハの裏面に付けられる場合、パルスレーザビームは、保護フィルムを通してウェハに加えられる。そのため、保護フィルムは、パルスレーザビームに対して透過性のある材料から形成されたものが使用される。

ウェハの裏面から加えられるパルスレーザビームは、ウェハの表面から加えられるパルスレーザビームと同一のパルスレーザビームでもよく、或いは、異なるパルスレーザビームでもよい。

ウェハの裏面からパルスレーザビームを加えることによって形成された改質区域は、ウェハの表面からパルスレーザビームを加えることによって形成される改質区域と実質的に同一の方法で形成されてもよい。

保護フィルムは、ウェハの一面または一面に対して反対側にあるウェハの面に加えられてもよく、一面または一面に対して反対側にあるウェハの面に保護フィルムの前の面が接触する全体区域において、保護フィルムの前の面は、ウェハの一面または一面に対して反対側にあるウェハの面と直接接触する。そのため、保護フィルムの前の面およびウェハの一面または一面に対して反対側にあるウェハの面の間には、材料、特に、接着材が何も存在しない。

このように、例えば、ウェハ上の接着層又は接着材残渣によるウェハの可能な汚染、ウェハに対する可能な損傷を信頼性良く排除できる。

あるいは、保護フィルムには接着層が設けられてもよく、接着層は、保護フィルムの前の面の周辺領域にのみ設けられ、周辺領域は保護フィルムの前の面の中央領域を囲み、保護フィルムは、ウェハの一面または一面に対して反対側にあるウェハの面に加えられるので、接着層は、ウェハの一面の周辺部分または一面に対して反対側にあるウェハの面の周辺部分および／またはウェハの側方縁部の少なくとも一部とだけ接触するようになる。ウェハの一面の周辺部分は、周辺限界領域でもよい。ウェハの一面に対して反対側にあるウェハの面の周辺部分は、ウェハの一面に形成された周辺限界領域に対応してもよい。

接着層は、ウェハの一面の周辺部分または一面に対して反対側にあるウェハの面の周辺部分およびウェハの側方縁部の少なくとも一部とだけ接触するようになってもよい。接着層は、ウェハの側方縁部の少なくとも一部とだけ接触するようになってもよい。

このように、保護フィルムをウェハに付けるステップは、更に改善される。接着層は保護フィルムの表の面の周辺領域だけに設けられることから、接着層によって保護フィルムおよびウェハが互いに付けられる領域は、接着層が保護フィルムの前の面の全体に設けられる場合と比較して、著しく減少される。そのため、保護フィルムは、より簡単にウェハから剥がすことができ、ウェハ、特に、その表面又は裏面に形成された突出部に対する損傷は、相当に減少される。

接着層の接着材は、熱、ＵＶ線、電界および／または化学剤のような外部刺激によって硬化可能であってもよい。このように、処理の後、ウェハから保護フィルムを特に簡単に除去できる。外部刺激は、接着材に、その接着力を低減するように、即ち、保護フィルムの簡単な除去を可能にする為に、加えられてもよい。

たとえば、接着層は、実質的に環状形状、開いた（open）矩形の形状または開いた正方形の形状（即ち、接着層の中央に開口を備えた矩形又は正方形の形状）を有してもよい。

保護フィルムは、拡張可能である。

保護フィルムは、ウェハの一面又は一面に対して反対側にあるウェハの面に加えられるときに拡張されてもよい。突出部又は突起が、ウェハのそれぞれの面に存在する場合、保護フィルムは、ウェハに加えられるときに、これらの突出部の外形に密着または少なくとも部分的に追従するように拡張されてもよい。

特に、保護フィルムは、その当初の大きさの２倍以上、好ましくは、その当初の大きさの３倍以上、より好ましくは、その当初の大きさの４倍以上まで拡張可能であってもよい。このように、特に、その当初の大きさの３倍または４倍以上の拡張の場合、保護フィルムが突出部の外径に追従することが信頼性良く確保できる。

保護フィルムが拡張可能である場合、デバイスを互いに分離する為に使用されてもよい。特に、当該方法は、ウェハの一面および／または一面に対して反対側にあるウェハの面を処理した後、デバイスを互いに分離する為に、保護フィルムを径方向に拡張させるステップを更に含んでもよい。

たとえば、ウェハは、例えば、機械的切断処理、レーザ切断処理またはプラズマ切断処理によって、あるいは、研削処理前のダイシングによって、完全に分割されてもよい。その後、完全に分割されたデバイスは、チップ又はダイの形でもよいが、これらは、保護フィルムを径方向に拡張させることによって、お互いから遠ざかるように移動されてもよく、これによって、隣接したデバイス間の距離が増加する。

あるいは、ウェハは、ステルスダイシング処理、即ち、前述されてきたように、レーザビームを加えることによって改質区域がウェハ内部に形成される処理を受けてもよい。その後、ウェハは、保護フィルムを径方向に拡張させることによって改質区域が形成された場所で、少なくとも分割ラインに沿って、分割（例えば破壊）されてもよく、これによって、個々のチップ又はダイを得る。

保護フィルムを径方向に拡張させるステップの代替として、別個の拡張テープが、例えば、保護フィルムを除去した後に、ウェハの裏面に付けられてもよい。その後、デバイスは、径方向に拡張テープを拡張させることによって、お互いから分離されてもよい。

保護フィルムは、単一の材料、特に、単一の均質な材料から形成されてもよい。

保護フィルムは、高分子のようなプラスチック材料から形成されてもよい。特に好ましくは、保護フィルムはポリオレフィンから形成される。たとえば、保護フィルムは、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）又はプリブチレン（ＰＢ）で形成されてもよい。

特に、外部刺激が保護フィルムに加えられ場合、外部刺激を加えるステップが、保護フィルムの加熱工程を含み、或いは、この工程から成る場合、ポリオレフィンフィルムは、本発明のウェハ処理方法で使用する為に特に有利な材料特性を有する。ポリオレフィンは、６０℃～１５０℃の範囲内の温度まで加熱された状態のとき、しなやかで、伸ばすことができ、柔らかい。そのため、保護フィルムが加えられるウェハの面に保護フィルムが適合すること（たとえば、ウェハのトポグラフィを吸収すること）が特に信頼性良く確保できる。それぞれのウェハの面が、ウェハの平坦面から突出する突出部又は突起で形成される場合、これは特に有利である。

さらに、ポリオレフィンフィルムは、冷却された状態で、より剛性があり、頑丈になるように、冷却の際に硬化し堅くなる。このため、ウェハの研削および／または切断のようなウェハの後処理中、特に信頼性の良いウェハの保護を確保できる。

保護フィルムは、５～２００μｍ、好ましくは８～１００μｍ、より好ましくは１０～８０μｍ、更により好ましくは１２～５０μｍの範囲の厚さを有してもよい。特に好ましくは、保護フィルム又はシートは、８０～１５０μｍの範囲の厚さを有する。

このように、保護フィルムが加えられるウェハの面上に形成された突出部の外形と有効に適合するのに十分な柔軟性としなやかさを保護フィルムが有し、そのような突出部が存在する場合、同時に、ウェハの表面および／または裏面を処理する間、ウェハを信頼性および効率良く保護する為に、十分な厚さを呈することが、特に信頼性良く確保できる。

クッション層は、保護フィルムの前の面に対して反対側の保護フィルムの裏の面に付けられてもよい。

表面ムラまたは粗さ、バンプ、光学素子（例えば、光学レンズ）、他の構造体などのような突出部又は突起が、保護フィルムが加えられるウェハの面から延びまたは突出する場合、このアプローチは特に有利である。この場合、突出部又は突起は、ウェハ裏面のトポグラフィ又は表面構造体を定め、この面を不均一にする。

特に、ウェハ表面上の、そのような突出部又は突起（例えば、バンプ）は、ウェハが分割された後（例えば、携帯電話やパーソナルコンピュータのような電気機器にチップ又はダイを組み入れるとき）たとえば、個々のチップ又はダイにおけるデバイスとの電気的接触を確立する為に使用されてもよい。

突出部は、不規則的に配置され、或いは、規則正しいパターンで配置される。一部の突出部だけが規則正しいパターンで配置されてもよい。

突出部は、どのような種類の形状を有してもよい。たとえば、一部または全部の突出部が球、半球、支柱（pillars）、円柱（columns）、例えば、円形を備えた支柱または円柱、楕円、多角形（例えば、三角、四角など）、横断面または底面積、円錐、円錐台、段状の形状でもよい。

少なくとも一部の突出部は、ウェハの平坦面に形成された要素から起き上がってもよい。スルーシリコンビア（ＴＳＶ）の場合、少なくとも一部の突出部は、ウェハの厚さ方向にウェハを部分的または全体的に貫通する要素から持ち上がってもよい。これら後者の要素は、ウェハ厚さの一部に沿って延びてもよく、或いは、全体のウェハ厚さに沿って延びてもよい。

突出部は、２０－５００μｍ、好ましくは３０－４００μｍ、より好ましくは４０－２５０μｍ、更により好ましくは５０－２００μｍ、もっと更により好ましくは７０－１５０μｍの範囲で、ウェハの厚さ方向の高さを有してもよい。

突出部の全ては、実質的に同一形状および／または大きさを有してもよい。あるいは、突出部の少なくとも一部は、互いに形状および／または大きさが異なってもよい。

クッション層が保護フィルムの裏の面に付けられる場合、そのような突出部又は突起をクッション層内に埋め込むことができる。このため、研削および／または切断のような後のウェハ処理ステップにおいて、突出部の存在から起こる表面ムラの否定的影響を排除できる。特に、クッション層は、研削および切断処理中、圧力の特に一様かつ均質な分布を達成するのに著しく寄与し得る。

クッション層に突出部を埋め込むことによって、たとえば、バンプ、光学素子、他の構造体のような突出部は、ウェハ処理中、たとえば、後の研削又は切断ステップ中、どのような損傷からも信頼性良く保護される。

さらに、ウェハが小さな厚さ（例えば、μｍ範囲の厚さ）まで研削される場合、ウェハの表面（例えば、デバイス領域内）に存在する突出部は、ウェハ厚さの減少と、研削処理で加えられる圧力のため、ウェハ裏面の変形の原因になる。ウェハ表面上の突出部のパターンは、ウェハ裏面に転写されることから、この後者の影響は「パターン転写」と呼ばれ、ウェハ裏面側の望ましくないムラが生じるので、結果として生じるダイの品質を危うくする。

保護フィルムおよびクッション層は、ウェハ表面と、ウェハ裏面の処理（研削及び／又は研磨））中にウェハ表面が置かれる支持体又はキャリアとの間の緩衝物あるいはクッションとして作用するので、処理中の圧力の一様かつ均質分布を達成するのに役立つ。このため、ウェハ裏面の処理中、特に研削中、ウェハの破壊またはパターン転写を特に信頼性良く避けることができる。

クッション層の材両は、特に限定されない。特に、ウェハの厚さ方向に沿って突出する突出部が内部に埋め込まれることを可能にする材料の種類からクッション層が形成されてもよい。たとえば、クッション層は、樹脂、接着材、ゲルなどから形成されてもよい。

クッション層は、ＵＶ線、熱、電界および／または化学剤のような外部刺激によって硬化可能であってもよい。この場合、クッション層は、外部刺激を加える際、少なくとも一定の程度まで硬くなる。たとえば、クッション層は、硬化性樹脂、硬化性接着材、硬化性ゲルなどで形成されてもよい。

クッション層は、硬化後、ある程度の圧縮性、弾性および／または柔軟性を呈するように、即ち、圧縮性、弾性および／または柔軟性を持つように構成されてもよい。たとえば、クッション層は、硬化によってゴムのような状態にもたらされるものでもよい。あるいは、クッション層は、硬化後、剛性があり、硬い状態に達するように構成されてもよい。

本発明の方法においてクッション層として使用されるＵＶ硬化性樹脂の好ましい実施例は、DISCO株式会社によるResiFlatとDENKAによるTEMPLOCである。

本発明の方法は、ウェハの処理（例えば、研削又は切断）前に、クッション層を硬化させるようにクッション層に外部刺激を加えるステップを更に含んでもよい。このように、研削および／または切断中のウェハの保護および研削および／または切断精度を更に改善できる。

クッション層は、１８０℃以上の温度まで、好ましくは２２０℃以上の温度まで、より好ましくは２５０℃以上の温度まで、更により好ましくは３００℃の温度まで耐熱性があってもよい。

クッション層は、１０～３００μｍ、好ましくは２０～２５０μｍ、より好ましくは５０～２００μｍの範囲の厚さを有してもよい。

クッション層は、ウェハの一面に対して反対側にあるウェハの面に保護フィルムを加える前に保護フィルムの裏の面に付けられてもよい。

この場合、保護フィルムおよびクッション層は、最初に積層され、クッション層と、クッション層に付けられた保護フィルムとを備える保護シーティングを形成してもよい。このように形成された保護シーティングは、例えば、ウェハの平坦面から突出する突出部又は突起が保護フィルムによって覆われ、保護フィルム及びクッション層に埋め込まれるように、ウェハの一面又は一面に対して反対側にあるウェハの面に後で付けられてもよい。保護シーティングは、保護シーティングが加えられるウェハの面に対して反対側にあるウェハの面に対してクッション層の裏の面が実質的に平行になるように、加えられてもよい。保護フィルムの表の面は、ウェハの一面または一面に対して反対側にあるウェハの面に保護シーティングが加えられるとき、ウェハの一面または一面に対して反対側にあるウェハの面に加えられる。

このように、ウェハ処理法を、特に単純かつ効率良い方法で実行できる。たとえば、保護シーティングは、予め準備され、後の使用の為に貯蔵され、必要なときにウェハ処理の為に使用できる。そのため、保護シーティングは、大量に製造されてもよく、その生産を、時間および費用の点で特に効率良くさせる。

クッション層は、ウェハの一面または一面に対して反対側にあるウェハの面に保護フィルムを加えた後または付けた後、保護フィルムの裏の面に付けられてもよい。

この場合、例えば、ウェハの平坦面から突出する突出部又は突起が保護フィルムおよびクッション層に埋め込まれ、クッション層の裏の面が、保護フィルムおよびクッション層が付けられるウェハの面に対して反対側にあるウェハの面と実質的に平行になるように、最初に、ウェハの一面または一面に対して反対側にあるウェハの面に保護フィルムが加えられ、その後、保護フィルムが加えられたウェハの面は、クッション層の表の面に付けられる。このアプローチは、特に、ウェハの平坦面から突出する突出部又は突起に関して、保護フィルムが、特に高精度で、ウェハの一面または一面に対して反対側にあるウェハの面に付けられることを可能にする。

クッション層は、ウェハの一面または一面に対して反対側にあるウェハの面に保護フィルムを付ける前および／または付ける間および／または付けた後に、保護フィルムの裏の面に付けられてもよい。

この方法は、ウェハから保護フィルムおよびクッション層を取り外すステップを更に含んでもよい。保護フィルムおよびクッション層は、ウェハの、研削および／または切断のような処理の後にウェハから取り外されてもよい。

クッション層および保護フィルムは、個々に（即ち、次々と）取り外されてもよい。たとえば、クッション層が最初に取り外され、その後、保護フィルムが取り外されてもよい。あるいは、クッション層および保護フィルムが一緒に取り外されてもよい。

保護フィルムに付けられたクッション層の表の面に対して反対側のクッション層の裏の面に、ベースシートが付けられてもよい。

ベースシートの材料は、特に限定されない。ベースシートは、たとえば、高分子材料のような、柔らかく、しなやかな材料（たとえば、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、エチレン酢酸ビニルコポリマ（ＥＶＡ）又はポリオレフィン）で形成されてもよい。

あるいは、ベースシートは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）および／またはシリコンおよび／またはガラスおよび／またはステンレス鋼（ＳＵＳ）のような剛性又は硬い材料で形成されてもよい。

たとえば、ベースシートがポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）またはガラスで形成され、クッション層が外部刺激によって硬化可能である場合、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）又はガラスを透過可能な放射線（例えば、ＵＶ線）でクッション層が硬化されてもよい。ベースシートがシリコン又はステンレス鋼（ＳＵＳ）で形成される場合、費用効果に優れたベースシートが設けられる。

また、ベースシートは、前述した材料の組合せで形成されてもよい。

ベースシートは、１８０℃以上の温度まで、好ましくは２２０℃以上の温度まで、より好ましくは２５０℃以上の温度まで、更により好ましくは３００℃以上の温度まで、耐熱性があってもよい。

ベースシートは、３０～１５００μｍ、好ましくは４０～１２００μｍ、より好ましくは５０～１０００μｍの範囲の厚さを有してもよい。

クッション層およびベースシートは、保護フィルムをウェハの表面又は裏面に加える前または加えた後に、保護フィルムの裏の面に付けられてもよい。特に、保護フィルムおよびクッション層およびベースシートを最初に積層し、ベースシート、クッション層、クッション層に付けられた保護フィルムを備える保護シーティングを形成してもよい。このように形成された保護シーティングは、その後、ウェハの表面又は裏面に加えられてもよい。

ベースシートの表の面は、クッション層の裏の面に接触してもよく、ベースシートの表の面に対して反対側にあるベースシートの裏の面は、保護フィルム、クッション層およびベースシートが加えられるウェハ面に対して反対側にあるウェハの面と実質的に平行であってもよい。そのため、ウェハの一面を処理（例えば切断）するとき、例えば、この裏の面をチャックテーブル上に配置することによって、最適なカウンタ圧力をベースシートの裏の面に加えることができる。

この場合、ベースシートの平坦な裏の面は、保護フィルム、クッション層およびベースシートが加えられるウェハ面に対して反対側にあるウェハの面と実質的に平行になっていることから、研削及び／又は切断処理のような処理中（例えば、研削装置の研削ホィール及び／又は切断装置の切断又はダイシングブレードによって）ウェハに加えられる圧力は、ウェハにわたって、均一かつ均質に分布されるので、ウェハ破壊の危険性を最小にする。さらに、ウェハの、それぞれの面およびベースシートの平らな均一な裏の面との実質的に平行な整列は、高精度で研削及び切断ステップを実行することを可能にするので、良好に規定された形状およびサイズの高品質ダイ又はチップの生産を達成する。

この方法は、特に、ウェハの一面に対して反対側にあるウェハの面を研削した後、一面に対して反対側にあるウェハの面を、研磨および／またはエッチング（例えばプラズマエッチング）するステップを更に含んでもよい。

以下、添付図面を参照して、本発明の非限定的実施例を説明する。
図１は、本発明の方法によって処理されるウェハを示す横断面図である。 図２は、図１に示されたウェハの斜視図である。 図３は、本発明に従うウェハを処理する方法における、ウェハ材料を除去するステップの結果を示す横断面図である。 図４Ａは、ウェハ材料を除去する修正ステップの結果を示すウェハの上面図である。 図４Ｂは、図３に示されたウェハの上面図である。 図５は、本発明の第１実施形態に従うウェハの処理方法における、図１～図３および図４Ｂに示されたウェハに保護フィルムを加えるステップを例示する横断面図である。 図６は、第１実施形態に従う方法における、ウェハに保護フィルムを付けるステップを例示する横断面図である。 図７は、図６に示された付けるステップの結果を示す横断面図である。 図８は、第１実施形態に従う方法における、保護フィルムの一部分を切り離すステップを例示する横断面図である。 図９は、第１実施形態の変形実施例に従う方法における、保護フィルムの一部分を切り離すステップを例示する横断面図である。 図１０Ａは、図６に示された付けるステップの後のウェハの周辺部分を示す拡大された横断面図である。 図１０Ｂは、修正された付けるステップの後のウェハの周辺部分を示す拡大された横断面図である。 図１１は、本発明の第２実施形態に従う方法における、ウェハに保護フィルムを付けるステップを例示する横断面図である。 図１２は、図１１に示された付けるステップの結果を示す横断面図である。

好ましい実施形態の詳細な説明

以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施形態を説明する。好ましい実施形態は、ウェハ（Ｗ）の処理方法に関する（図１，図２を参照）。

ウェハＷは、たとえば、ＭＥＭＳデバイスがウェハの表面１の面に形成されたＭＥＭＳウェハでもよい。しかしながら、ウェハＷは、ＭＥＭＳウェハに限定されるものではなく、好ましくは固体撮像装置のようなＣＭＯＳデバイスがパターン面１に形成されたＣＭＯＳウェハ、またはパターン面１上の他の型式のデバイスを備えたウェハでもよい。

ウェハＷは、半導体（例えば、シリコン）で形成されてもよい。そのようなシリコンウェハＷは、シリコン基板上の、ＩＣ（集積回路）やＬＳＩ（大規模集積回路）のようなデバイスを含んでもよい。あるいは、ウェハは、セラミック、ガラス、サファイヤの有機材料基板上にＬＥＤ（発光ダイオード）のような光学デバイスを形成することによって構成される光学デバイスウェハでもよい。ウェハＷは、これに限定されるものではなく、他の方法で形成可能である。さらに、前述された例示的ウェハ設計の組合せも可能である。

ウェハＷは、研削の前に、μｍの範囲、好ましくは、６２５～９２５μｍの範囲の厚さを有してもよい。

ウェハＷは、好ましくは、円形状を呈する。しかしながら、ウェハＷの形状は、特に限定されない。他の実施形態において、ウェハＷの形状は、たとえば、楕円形状、長円形状、矩形状又は四角形状のような多角形状でもよい。

ウェハＷには、その表面１に形成されたストリートとも呼ばれる複数の交差分割ライン１１（図２を参照）が設けられ、それによって、前述されたようなデバイス２７がそれぞれ形成される複数の矩形区域にウェハＷが区切られる。これらのデバイス２７は、ウェハＷのデバイス領域２に形成される。円形ウェハＷの場合、このデバイス領域２は、好ましくは、円形であり、ウェハＷの外周と同心で配置される。ウェハＷは、表面１に対して反対側の裏面を更に有する（図１を参照）。

さらに、ウェハＷは、側方縁部５（図１，図２を参照）を有し、側方縁部５は、表面１から裏面６まで延びているので、ウェハＷの周側面を形成する。側方縁部５は、図１に示されるように、径方向外側に湾曲した表面プロファイル、即ち、凸部を有する。特に、側方縁部５は、湾曲した態様で、表面１の面の平面から、裏面６の面の平面まで延びている。そのため、側方縁部５の延在方向は、ウェハＷの表面１および裏面６の面の平面から外れて、これらの面の平面と交差する。

デバイス領域２は、図２に概略的に示されるように、環状周辺限界領域３によって囲まれている。この周辺限界領域３には、何もデバイスが形成されていない。周辺限界領域３は、好ましくは、ウェハＷの外周および／またはデバイス領域２に対して同心で配置される。周辺限界領域３の径方向延在部は、ｍｍ範囲、好ましくは、１－３ｍｍである。

ウェハＷのデバイス領域２は、複数の突出部２４で形成され、突出部２４は、ウェハＷの平坦な面から突出している（図１を参照）。突出部２４は、例えば、分離されたダイにおけるデバイス領域のデバイス２７と電気的接触を確立する為のバンプでもよい。ウェハＷの厚さ方向における突出部２４の高さは、２０－５００μｍの範囲でもよい。

図２において、突出部２４は、より見やすくするために省略されている。

以下、図１～図１０Ｂを参照して、本発明の第１実施形態に従うウェハＷを処理する方法を説明する。

図１は、本発明の方法によって処理されるウェハＷの横断面図を示す。図２は、図１の横断面に示されたウェハＷの斜視図を示す。

この実施形態の方法において、第１ステップとして、ウェハは、ウェハＷの表面１から分割ライン１１（図４Ａ、図４Ｂを参照）に沿って除去される。この処理において、ウェハ材料は、図３，図４Ａ、図４Ｂに示されるように、分割ライン１１に沿って伸びる溝２８を形成するように、ウェハＷの厚さの一部のみに沿って、除去される。

ウェハ材料は、前述した方法で、分割ライン１１に沿って除去されてもよい。特に、ウェハ材料は、分割ライン１１に沿って、機械的に除去されてもよい。たとえば、ウェハ材料は、例えばブレードダイシング又は鋸により分割ライン１１に沿ってウェハＷを機械的に切断することによって、分割ライン１１に沿って除去されてもよい。代替または追加で、ウェハ材料は、レーザ切断（例えば、アブレーションレーザ溝削り）によって、さらに／またはプラズマ切断によって、分割ライン１１に沿って除去されてもよい。

図４Ａに示されるように、分割ライン１１に沿ってウェハ材料を除去する処理は、溝２８がウェハＷの側方縁部５までの経路の全てに伸びないように行われてもよい。この場合、ウェハＷの周辺部分ではウェハ材料が除去されない、即ち、周辺部分は切断されずに残る。この切断されないウェハ周辺部分の延在部は、たとえば、ウェハＷの径方向において、およそ３～５ｍｍである。このように、デバイス領域２を汚染から特に信頼性良く保護できる。特に、保護フィルムを、ウェハ面に特に密着させてウェハＷの周辺部分に付けることができるので、デバイス領域２を密封する効率を改善する。

しかしながら、この方法でウェハ材料を除去する処理を行うことにより、特に、小さな大きさのチップ又はダイの場合、切断されない周辺ウェハ部分の存在のため、ウェハＷから得られるチップ又はダイの数を減少させ得る。さらに、ウェハＷが研削処理によって分割される場合、後述されるように、研削後、切断されない周辺ウェハ部分が残り、追加の処理ステップで除去されなければならないので、処理効率に影響する。

そのため、上記考察の観点から、図４Ｂに示されるように、ウェハＷの側方縁部５までの経路の全てに溝２８が伸びるように、分割ライン１１に沿って、ウェハ材料を除去する処理を行うことが好ましい。このように、表面１の表面積を十分に活用することができ、ウェハＷから得られるチップ又はダイの数を最大にすることができる。さらに、ウェハＷを、どのような追加の処理ステップを要することなく、後の研削処理で完全に分割することができる。

従来のウェハ処理方法において、溝２８をウェハ側方縁部５まで伸ばすことは、裏面研削のような以下の処理ステップで問題を引き起こす場合がある。特に、これらの溝２８は、破片、研削水または切断水のような汚染の為の侵入点を提供する場合がある。このため、表面１、特に、デバイス領域２は、ウェハＷの更なる処理中に汚染されるので、結果として生じるチップ又はダイの品質に影響する。これらの問題は、前述されてきたように、本発明の処理方法によって克服されるが、以下、第１実施形態を更に説明する。

第１実施形態の方法において、ウェハ材料は、分割ライン１１に沿って除去され、溝２８は、ウェハＷの側方縁部５までの経路の全てで伸びている（図４Ｂを参照）。しかしながら、この第１実施形態の変形実施例として、ウェハ材料は、図４Ａに示された方法で除去されてもよい。この後者の場合も同様に、本発明の方法は、汚染および損傷に対してウェハＷの特に効率良く、信頼性の良い保護を提供する。

前述および図３及び図４Ｂで例示された方法で、ウェハ材料を分割ライン１１に沿って除去した後、保護フィルム４は、ウェハＷ上のデバイスを覆う為に、ウェハＷの表面１に加えられる（図５を参照）。接着層９は、保護フィルム４の裏の面に対して反対側の保護フィルムの表の面４ａの一部に加えられる。接着層９は、環状形状を有し、保護フィルム４の表の面４ａの周囲または周辺領域だけに設けられる。周囲または周辺領域は、保護フィルム４の表の面４ａの中央領域を囲み、保護フィルム４の表の面４ａの中央領域には接着材が存在しない。接着層９は、簡略化の為に図７～図１０Ｂから省略されている。

図５に示されるように、保護フィルム４は、ウェハＷの外径より大きな外径を有する。環状の接着層９は、環状フレーム２５の内径より大きな外径を有する。さらに、環状の接着層９は、ウェハＷの外径より小さく、デバイス領域２の外径より大きい内径を有する。このため、接着層９の接着材がウェハＷの表面１上の周辺限界領域３およびウェハの側方縁部だけと接触するようになることが、信頼性良く確保できる。

保護フィルム４をウェハＷに加える前に、保護フィルム４の周辺部分の最外部が環状フレーム２５に装着される。保護フィルム４の、この部分は、接着層９によって、環状フレーム２５に付けられる。ウェハＷの裏面６は、ウェハの表面１が上方に向けられるようにチャックテーブル２０（図５を参照）上に置かれる。好ましくは、チャックテーブル２０は、真空チャンバ（図示せず）に配置され、保護フィルム４を、真空下でウェハＷに加えて付けることができる。チャックテーブル２０には、環状スペーサ２１が設けられ、環状スペーサ２１は、チャックテーブル２０の周辺部分に配置される。環状スペーサ２１は、例えばモータ又はバネ機構（図示せず）によって、図５の実線矢印で表示されるように、垂直方向において上下に移動可能である。ウェハＷは、環状スペーサ２１の中央開口部の内側に設けられるようにチャックテーブル２０上に置かれる。ウェハＷは、たとえば、真空吸引によって、チャックテーブル２０上に保持されてもよい。

その後、図５の矢印によって表示されるように、保護フィルム４が、チャックテーブル２０上に置かれたウェハＷの表面１に加えられ、これによって、保護フィルム４の表の面４ａを、表面１およびウェハの側方縁部５に加える。保護フィルム４は、ウェハ表面１に加えられ、保護フィルム４の表の面４ａの中央領域、即ち、環状接着層９の内側の表の面４ａの領域は、表面１と直接接触する。そのため、保護フィルム４の表の面４ａの中央領域およびウェハＷの表面１の間には、材料、特に接着材が何も存在しない。

保護シーティング４は、図６の上部矢印に例示されるように、保護シーティング４の裏の面４ｂに圧力を加えることによって、ウェハの表面１に加えられ、これによって、保護フィルム４を、表面１およびウェハ側方縁部５の一部に押し付ける。このため、加圧スタンプ２２（図６及び図７を参照）形式の圧力を加える手段が使用される。好ましくは、加圧スタンプ２２は、チャックテーブル２０と共に真空チャンバ（図示せず）内に配置される。

加圧スタンプ２２は、保護シーティング４を表面１およびウェハ側方縁部５の一部に押し付ける為に、環状の加圧突出部２３を有する。環状の加圧突出部２３は、保護シーティング４を特に効率良くウェハ側方縁部５の一部に押し付ける為に、丸くなった又はテーパが付けられた内周部分２６を有する。

さらに、任意で、加圧スタンプ２２には、保護フィルム４に外部刺激を加える為に、刺激を加える手段２９が設けられてもよい。たとえば、刺激を加える手段２９は、保護フィルム４に熱を加える為の熱照射手段および／または光のような放射線で保護フィルム４を照射する為の照射手段でもよい。

ウェハＷに保護フィルム４を押し付けることによって、保護フィルム４は、接着層９によって、周辺限界領域３およびウェハ側方縁部５に付けられる。特に、保護フィルム４の周辺部分の一部は、ウェハＷの全周に沿って、側方縁部５の一部に付けられる。さらに、ウェハＷの表面１上で突出する突出部２４は、保護フィルム４に埋め込まれる。この付けるステップの結果が、図７に示されている。

前述された付けるステップにおいて、加圧スタンプ２２の環状加圧突出部２３は、環状スペーサ２１と協働する。特に、環状スペーサ２１の上面は、保護フィルム４が加圧スタンプ２２によってウェハＷに押し付けられるとき、保護フィルム４の周辺部分の一部の為の支持体として役立つ。環状スペーサ２１は垂直方向に上下に移動できることから、スペーサの上面の垂直位置を、処理されるウェハＷの厚さ及び形状に合わせて調節できる。好ましくは、スペーサ２１の上面は、保護フィルム４の接着層９と接触するようになるが、ここには、非粘着性被覆が設けられるので、保護フィルム４は、ウェハＷに付けられた後、スペーサ２１から特に簡単に取り外すことができる。

保護フィルム４は、突出部２４を覆うので、それらを損傷または汚染から保護する。さらに、保護フィルム４は、後述されるように、後の研削ステップにおいて、追加のクッションまたは緩衝物として作用する。保護フィルム４の周辺部分の一部はウェハＷの全周の一部に付けられることから、保護フィルム４は、ウェハの周辺部分でウェハの表面１を信頼性良く密封する。このため、側方縁部５までの経路の全てで溝２８が伸びているにもかかわらず、破片、研削水または切断水のような汚染物質が、表面１，特に、デバイス領域２に侵入して汚染することが防止される。

接着層９を形成する接着材は、熱、ＵＶ線、電界および／または化学剤のような外部刺激によって硬化可能であってもよい。このように、処理後、保護フィルム４をウェハＷから、特に簡単に取り外すことができる。

特に、接着材は、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂でもよい。接着材の為のＵＶ硬化型樹脂の好ましい実施例は、例えば、ウレタンアクリレートオリゴマーである。

さらに、接着材は、例えば、水溶性樹脂でもよい。

保護フィルム４は、ポリオレフィンで形成される。たとえば、保護フィルム４は、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）またはポリブチレン（ＰＢ）で形成されてもよい。保護フィルム４は、５～２００μｍの範囲内の厚さを有してもよい。

保護フィルム４は、しなやかで、当初の直径の約３倍まで拡張可能である。保護フィルム４をウェハＷに加えるとき、保護フィルム４は拡張、例えば、その当初の直径の約３倍まで拡張されるので、突出部２４の外形に追従する。

さらに、任意で、保護フィルム４をウェハＷの表面１に加える間および／または加えた後、保護フィルム４が表面１に完全に付けられるように外部刺激が保護フィルム４に加えられてもよい。特に、このステップは、存在する場合、刺激を加える手段２９によって行われてもよい。

保護フィルム４に外部刺激を加えるステップは、保護フィルム４を加熱する工程および／または保護フィルム４を冷却する工程および／または保護フィルム４に真空を加える工程および／または、例えば、光照射手段の形式で刺激を加える手段２９を使用することによって、光のような放射線で保護フィルム４を照射する工程を含んでもよく、或いは、これらの工程から成り得る。

外部刺激は、化学的化合物および／または電子又はプラズマ照射および／または、圧力、摩擦、超音波を加えるような機械的処置、および／または静電気を含んでもよく、或いは、これらであってもよい。

特に好ましくは、保護フィルム４に外部刺激を加えるステップは、保護フィルム４を加熱する工程を含み、或いは、この工程から成る。たとえば、保護フィルム４に外部刺激を加えるステップは、保護フィルム４を加熱する工程と、例えば真空チャンバ（図示せず）内で、保護フィルム４に真空を加える工程とを含んでもよく、或いは、これらの工程から成り得る。この場合、真空は、保護フィルム４を加熱する間および／または加熱する前および／または加熱した後、保護フィルム４に加えられてもよい。

特に、保護フィルム４は、例えば、６０℃～１５０℃の範囲内の温度までチャックテーブル２０（図５～図７を参照）を加熱することによって、加熱されてもよい。特に好ましくは、チャックテーブル２０は、およそ８０℃の温度まで加熱される。チャックテーブル２０は、たとえば、１分～１０分の範囲内の時間にわたって加熱されてもよい。加熱されたチャックテーブル２０を通して保護フィルム４を加熱することに加えて、或いは、その代替として、熱を加える手段、特に、熱照射手段の形式で、刺激を加える手段２９を使用することによって、保護フィルム４に熱が加えられてもよい。

加熱されたチャックテーブル２０および／または刺激を加える手段２９を使用して保護フィルム４を加熱することによって、保護フィルム４は、ウェハＷの表面１に完全に付けられる。

特に、保護フィルム４の表の面４ａの中央領域およびウェハＷの表面１の間の付ける力は、加熱処理を通して発生される。特に、保護フィルム４を加熱することによって、この中央領域において、保護フィルム４とウェハＷとの間に形態嵌合及び／又は材料結合が形成される。

さらに、保護フィルム４の表の面４ａの周辺領域は、接着層９によって、ウェハの表面１の周辺部分およびウェハの側方縁部５の一部に付けられるので、高い密封効率で、保護フィルム４を特に頑丈かつ信頼性良く付けることが確保される。

第１実施形態の変形実施例において、接着層９は省略されてもよい。この場合、保護フィルム４はウェハＷの表面１に加えられ、保護フィルム４の表の面４ａがウェハの表面１およびウェハの側方縁部５と接触しる全区域において、保護フィルム４の表の面４ａは、表面１および側方縁部５と直接接触する。そのため、保護フィルム４の表の面４ａおよび側方縁部５の間には材料、特に、接着材が何も存在しない。このように、例えば、ウェハＷ上の接着層または接着材残渣の接着力による、ウェハＷの可能な汚染またはウェハＷに対する可能な損傷の危険性を、特に信頼性良く排除できる。この場合、保護フィルム４は、前述されてきたように、外部刺激を加えることによって、ウェハＷに付けられてもよい。

図６、図７に例示された方法で、保護フィルム４をウェハＷに加えた後、ウェハＷの周囲を超えて径方向に拡張する保護フィルム４の部分は、図８の点線によって表示されるように、切り離される。この切断ステップは、例えば、ブレード又は鋸を使用した機械的切断、レーザ切断またはプラズマ切断によって、行われてもよい。これらの部分を切り離す工程は、後の研削ステップにおいて、ウェハＷの取扱いを容易にする。特に、研削処理に必要な空間を処理する工程を減少させることができるので、処理効率を更に高める。

ウェハＷの周囲を超えて径方向に拡張する保護フィルム４の部分は、図１０Ａで示されるように、ウェハＷの全周に沿って、保護フィルム４の周辺部分の一部がウェハＷの側方縁部５の一部に付けられたままであるように切り離される。このように、続く研削処理において、ウェハＷが安全に保護されることが信頼性良く確保される。

保護フィルム４の周辺部分の一部は、ウェハＷの厚さの一部だけに沿って、側方縁部５の一部、すなわち、ウェハＷの厚さのほぼ２０％に付けられる（図１０Ａを参照）。ウェハＷの厚さの、この一部は、後の研削処理において得られるべきウェハＷの厚さより小さくなるように選択される。そのため、研削ホィールのような研削機器（図示せず）が、研削中、保護フィルム４と接着するようにならないことが確保される。このため、研削ホィールの詰まりのような、この機器に対する損傷を信頼性良く避けることができる。

図１０Ｂは、第１実施形態の方法の変形実施例に従うウェハＷの周辺部分を示す。この変形実施例において、保護フィルム４は、デバイス領域２の外径より大きく、ウェハＷの外径より小さい外径を有する。そのため、保護フィルム４の周辺部分の一部は、図１０Ａに示された配置（すなわち、ウェハＷの厚さのほぼ１０％）と比較すると、ウェハＷの厚さの、より小さい部分に沿って側方縁部５の一部に付けられている。

第１実施形態の方法の更なる変形実施例が図９に示されている。この変形実施例において、クッション層１３およびベースシート７は、保護フィルム４をウェハＷに付けた後、保護フィルム４に付けられる。特に、クッション層１３は、保護フィルム４の裏の面４ｂに付けられ、ベースシート７は、クッション層１３の裏の面に付けられる。そのため、クッション層１３の表の面は、保護フィルム４の裏の面４ｂと接触し、クッション層１３の裏の面は、ベースシート７の表の面と接触する。

ベースシート７およびクッション層１３は、実質的に円形の形状を有する。ベースシート７及びクッション層１３の外径は、ウェハＷの外径より大きいが、保護フィルム４の外径より小さい。ベースシート７の外径は、クッション層１３の外径より僅かに大きい。

たとえば、ベースシート７は、５００～１０００μｍの範囲内の厚さを有してもよい。クッション層１３は、一定の厚さ、例えば、１０～３００μｍの範囲内、好ましくは５０～２００μｍの範囲内の厚さを有してもよい。

クッション層１３の材料は、特に限定されない。特に、クッション層１３は、内部に突出部２４が埋め込まれることを可能にする、どんな形式の材料で形成されてもよい。たとえば、クッション層１３は、樹脂、接着材、ゲルなどで形成されてもよい。

ベースシート７の材料は、特に限定されない。ベースシート７は、たとえば、高分子材料のような、柔らかく、しなやかな材料（例えば、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、エチレン酢酸ビニルコポリマ（ＥＶＡ）又はポリオレフィン）で形成されてもよい。

あるいは、ベースシート７は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）および／またはシリコンおよび／またはガラスおよび／またはステンレス鋼（ＳＵＳ）のような剛性又は硬い材料で形成されてもよい。

クッション層１３は、ＵＶ線、熱、電界および／または化学剤のような外部刺激によって硬化可能である。特に、クッション層１３は、DISCO株式会社によるResiFlat、DENKAによるTEMPLOCのような硬化性樹脂で形成されてもよい。

クッション層１３およびベースシート７は、保護フィルム４に付けられ、突出部２４は、クッション層１３に埋め込まれ、ベースシート７の裏の面１８は、ウェハＷの裏面６と実質的に平行になる（図９を参照）。クッション層１３およびベースシート７を保護フィルム４に付けるステップは、真空チャンバ（例えば、内部でウェハＷに保護フィルム４が付けられた同一の真空チャンバ）のような、たとえば真空マウンタ（図示せず）内で実行されてもよい。

クッション層１３およびベースシート７を保護フィルム４に付けた後、クッション層１３を硬化、特に硬くするように、クッション層１３に外部刺激が加えられる。たとえば、熱で硬化可能な（例えば、熱硬化性）クッション層１３の場合、クッション層１３は、加熱によって硬化されてもよい。ＵＶ硬化性クッション層１３の場合、クッション層１３は、ＰＥＴ又はガラスのような、この形式の放射に透過性のベースシート材料が使用される場合、例えばベースシート７を通して、ＵＶ放射を加えることによって硬化される。

このため、突出部２４は、硬化されたクッション層１３内でしっかりと保持され、ベースシートの裏の面１８およびウェハの裏面６の実質的に平行な相対的整列は、更なるウェハ処理、特に裏面研削の最初から最後まで信頼性良く維持される。

しかしながら、前述したクッション層１３を硬化するステップは任意的である点に留意されたい。あるいは、クッション層１３は、非硬化性接着材、非硬化性樹脂または非硬化性ゲルのような非硬化性材料で形成されてもよく、或いは、クッション層１３は、硬化性材料で形成されてもよいが、ウェハＷを処理する方法において硬化されなくてもよい。

保護フィルム４は、ウェハＷの表面１上に形成された突出部を覆うので、損傷および汚染から（例えば、クッション層１３を形成する材料の残渣からも）突出部２４を保護する。さらに、保護フィルム４は、ウェハＷの表面１とクッション層１３との間の追加のクッション又は緩衝物として機能するので、研削のような更なる処理中、圧力の一様かつ均質分布に更に寄与する。このため、研削処理中のウェハＷの破壊は、特に信頼性良く避けられる。

クッション層１３およびベースシート７を保護フィルム４に付けた後、更に、そのような硬化ステップが行われる場合、クッション層１３を硬化した後、ウェハＷの周囲を超えて径方向に拡張する、保護フィルム４、クッション層１３およびベースシートの部分は、図９において点線で表示されるように、切り離される。この切断処理は、たとえば、（例えば、ブレード又は鋸を使用した）機械的切断、レーザ切断またはプラズマ切断によって、行われてもよい。これらの部分の切り離しは、前述されてきたように、後の研削ステップにおいて、ウェハＷの取扱いを容易にする。

その後、図８に示されたように、保護フィルム４を切断した後、或いは、図９に示されたような保護フィルム４、クッション層１３およびベースシート７を切断した後、ウェハＷの裏面６は、ウェハの厚さを調整する為に研削される。ウェハの裏面６の研削は、分割ライン１１に沿ってウェハＷを分割し、それによって、個々のチップ又はダイを得るように、ウェハ材料が除去されなかったウェハＷの厚さの残部に沿って行われる。

保護フィルム４は、研削処理において、汚染および損傷（例えば、ウェハチッピング又は破壊）から、ウェハＷ、特に、ウェハの周辺部分を信頼性良く保護する。そのため、ウェハＷは、小さな厚さまで高速で研削可能であり、同時に、ウェハＷに対する損傷の危険性を最小限に抑える。研削処理中に鋭いウェハ縁部が形成される場合、それは、保護フィルム４によって、安全に保護される。このため、ウェハＷ、ウェハＷの分割後に結果として生じるチップ又はダイ、ウェハＷを研削する為に使用される機器は、それらの完全性が危険にさらされないことが信頼性良く確保される。研削前にウェハＷの縁部トリミングのような追加処理が不要なので、高速処理効率が達成できる。さらに、保護フィルム４の一部はウェハＷの全周に沿ってウェハＷの側方縁部５の一部に付けられることから（図１０Ａ、図１０Ｂを参照）、保護フィルム４は、ウェハの周辺部分でウェハの表面１を信頼性良く密封し、そのため、研削処理中、研削破片、研削水のような汚染物質が、ウェハ面、特にデバイス領域２に侵入し、汚染することを防止する。

ウェハＷの裏面６を研削した後、裏面６は、研磨され、さらに／またはエッチング（例えば、プラズマエッチング）されてもよい。

後のステップにおいて、拡張テープのような拡張可能な接着テープ（図示せず）が、ウェハＷの、研削された裏面６に付けられてもよい。接着テープの周辺部分は、図５～図９に示された環状フレーム２５のような環状フレームに装着されてもよい。

接着テープが、研削されたウェハの裏面６に付けられた後、保護フィルム４または（クッション層１３、ベースシート７が存在する場合）保護フィルム４，クッション層１３、ベースシート７が取り外されてもよい。その後、分割されたチップ又はダイを互いに遠くに移動させ、これによって、隣接したチップ又はダイの間の距離を増加するため、接着テープは、例えば、拡張ドラムなどを使用することによって、径方向に拡張されてもよい。その後、チップ又はダイは、例えば、ピックアップデバイス（図示せず）を使用することによって、ピックアップされてもよい。

あるいは、チップ又はダイは、保護フィルム４から直接ピックアップされてもよい。そのようなピックアップステップの前に、ベースシート７および（存在する場合には）クッション層１３が、分割されたウェハＷから一緒に取り外され、チップ又はダイが保護フィルム４に残ってもよい。このように、分離されたダイ又はチップは、特に単純かつ効率良い方法で、保護フィルム４からピックアップされる。たとえば、保護フィルム４は、拡張ドラムなどを使用して、径方向に拡張されてもよく、これによって、隣接したチップ又はダイの間の隙間を増加し、ピックアップ処理を容易にする。

クッション層１３は、硬化後、ある程度の圧縮性、弾性および／または柔軟性（例えば、ゴム状性質）を呈するので、ウェハＷからの、特に簡単な取り外しを可能にする。代替または追加で、更なる容易な取外し処理の為に、硬化されたクッション層１３を軟らかくするように、熱湯のような他の外部刺激が、取外しの前に硬化されたクッション層１３に加えられてもよい。

以下、図１１および図１２を参照して、本発明の第２実施形態に従うウェハＷを処理する方法を説明する。

第２実施形態の説明において、第１実施形態の要素と類似または同一である要素を同一の参照符合によって示し、重複した詳細な説明を省略する。

第２実施形態に従うウェハ処理方法は、環状フレーム２５が省略されている点で、第１実施形態に従うウェハ処理方法と実質的に異なる（図１１及び図１２を参照）。さらに、第２実施形態において、保護フィルム４の外径は、第１実施形態のものより小さい。

特に、第２実施形態の保護フィルム４の外径は、加圧スタンプ２２の外径より小さい。しかしながら、第２実施形態の保護フィルム４の外径も、図１１及び図１２に示されるように、ウェハＷの外径より大きい。図１２において、接着層９は簡略化の為に省略されていることに留意されたい。

環状フレーム２５の省略の利点は、少なくとも幾つかの処理ステップについて、例えば、ウェハＷを収容および／または取り扱う為に必要とされる処理スペースが少なくなるので、処理効率を更に向上させることができることである。

第１実施形態に従うウェハの処理方法の上記開示は、第２実施形態に従うウェハ処理方法にも完全に適用される。第１実施形態の為に説明された処理ステップの各々も、第２実施形態の方法において、同様の方法で実質的に行われてもよい。

第１実施形態および第２実施形態の方法において、保護フィルム４がウェハの表面１に加えられて付けられるが、保護フィルム４は、それよりも、実質的に同一の方法でウェハ裏面６に加えられて付けられてもよい。そのようなアプローチは、特に有利であるのは、ウェハＷの厚さ方向に沿って突出する表面ムラまたは粗さ、バンプ、光学素子などのような突出部がウェハ裏面６に存在する場合、特に有利である。また、保護フィルム４をウェハ裏面６に加える場合、第１実施形態および第２実施形態に従うウェハ処理方法の上記開示を完全に適用する。

Claims (10)

1. 複数のデバイス（２７）を備えたデバイス領域（２）を一面（１）に有するウェハ（Ｗ）を処理する方法において、
   保護フィルム（４）を準備するステップと、
   前記保護フィルム（４）を、前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）または前記一面（１）に対して反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の面（６）に加えるステップであって、前記保護フィルム（４）の表の面（４ａ）の少なくとも中央領域は、前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）または前記一面（１）に対して反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の前記面（６）と直接接触し、前記保護フィルムの前記表の面（４ａ）の前記中央領域と前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）または前記一面に対して反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の前記面（６）との間には接着材が存在しない、前記ステップと、
   前記保護フィルム（４）を、前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）または前記一面（１）に対して反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の前記面（６）に付けるステップであって、前記保護フィルム（４）の周辺部分の少なくとも一部は、前記ウェハ（Ｗ）の全周に沿って、前記ウェハ（Ｗ）の側方縁部（５）の少なくとも一部に付けられ、前記ウェハ（Ｗ）の前記側方縁部（５）は、前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）から、前記一面（１）に対して反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の前記面（６）まで延びる、前記ステップと、
   前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）および／または前記一面（１）に対して反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の前記面（６）を処理するステップと、
   を含み、
   前記保護フィルム（４）を、前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）または前記一面（１）に対して反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の前記面（６）に付けるステップは、前記保護フィルム（４）を、前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）または前記一面（１）に対して反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の前記面（６）に加える間および／または加えた後、前記保護フィルム（４）に外部刺激を加える工程を含み、
   前記保護フィルム（４）に外部刺激を加える工程は、前記保護フィルム（４）の前記表の面（４ａ）の前記中央領域および前記ウェハ（Ｗ）の間に付ける力を発生させ、
   前記保護フィルム（４）の周辺部分の少なくとも一部は、前記ウェハ（Ｗ）の厚さの少なくとも一部に沿って、前記ウェハの全周に沿って、前記ウェハ（Ｗ）の側方縁部（５）の少なくとも一部に付けられ、
   前記保護フィルム（４）は、拡張可能であり、前記保護フィルム（４）は、前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）又は前記一面（１）に対して反対側にある前記ウェハの前記面（６）に加えられるときに拡張される、方法。
2. 複数のデバイス（２７）を備えたデバイス領域（２）を一面（１）に有するウェハ（Ｗ）を処理する方法において、
   保護フィルム（４）を準備するステップと、
   前記保護フィルム（４）を、前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）または前記一面（１）に対して反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の面（６）に加えるステップであって、前記保護フィルム（４）の表の面（４ａ）の少なくとも中央領域は、前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）または前記一面（１）に対して反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の前記面（６）と直接接触する、前記ステップと、
   前記保護フィルム（４）を、前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）または前記一面（１）に対して反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の前記面（６）に付けるステップであって、前記保護フィルム（４）の周辺部分の少なくとも一部は、前記ウェハ（Ｗ）の全周に沿って、前記ウェハ（Ｗ）の側方縁部（５）の少なくとも一部に付けられ、前記ウェハ（Ｗ）の前記側方縁部（５）は、前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）から、前記一面（１）に対して反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の前記面（６）まで延びる、前記ステップと、
   前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）および／または前記一面（１）に対して反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の前記面（６）を処理するステップと、
   を含み、
   前記保護フィルム（４）を、前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）または前記一面（１）に対して反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の前記面（６）に付けるステップは、前記保護フィルム（４）を、前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）または前記一面（１）に対して反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の前記面（６）に加える間および／または加えた後、前記保護フィルム（４）に外部刺激を加える工程を含み、
   前記保護フィルム（４）に外部刺激を加える工程は、前記保護フィルム（４）の前記表の面（４ａ）の前記中央領域および前記ウェハ（Ｗ）の間に付ける力を発生させ、前記保護フィルム（４）の周辺部分の少なくとも一部は、前記ウェハ（Ｗ）の厚さの少なくとも一部に沿って、前記ウェハの全周に沿って、前記ウェハ（Ｗ）の側方縁部（５）の少なくとも一部に付けられ、
   前記保護フィルム（４）には、接着層（９）が設けられ、前記接着層（９）は、前記保護フィルム（４）の前記表の面（４ａ）の周辺領域だけに設けられ、前記周辺領域は、前記保護フィルム（４）の前記表の面（４ａ）の前記中央領域を囲み、前記保護フィルム（４）は、前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）または前記一面（１）に対して反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の前記面（６）に加えられ、前記接着層（９）は、前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）の周辺部分または前記一面（１）に対して反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の前記面（６）の周辺部分のみと、さらに／または前記ウェハ（Ｗ）の前記側方縁部（５）の少なくとも一部のみと接触するようになる、方法。
3. 前記保護フィルム（４）に前記外部刺激を加える工程は、前記保護フィルム（４）の加熱および／または前記保護フィルム（４）の冷却および／または前記保護フィルム（４）に真空を加えることおよび／または光で前記保護フィルム（４）を照射することを含む、請求項１に記載の方法。
4. 前記保護フィルム（４）には、接着層（９）が設けられ、
   前記接着層（９）は、前記保護フィルム（４）の前記表の面（４ａ）の周辺領域だけに設けられ、前記周辺領域は、前記保護フィルム（４）の前記表の面（４ａ）の前記中央領域を囲み、
   前記保護フィルム（４）は、前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）または前記一面（１）に対して反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の前記面（６）に加えられ、前記接着層（９）は、前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）の周辺部分または前記一面（１）に対して反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の前記面（６）の周辺部分のみと、さらに／または前記ウェハ（Ｗ）の前記側方縁部（５）の少なくとも一部のみと接触するようになる、請求項１又は３に記載の方法。
5. 前記接着層（９）は、実質的に環状形状、開いた矩形の形状または開いた正方形の形状を有する、請求項４に記載の方法。
6. 少なくとも一つの分割ライン（１１）が前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）に形成され、
   前記方法は、前記保護フィルム（４）を前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）または前記一面（１）に対して反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の前記面（６）に加える前に、前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）から、前記少なくとも一つの分割ライン（１１）に沿って、ウェハ材料を除去するステップを含み、
   前記ウェハ材料は、前記ウェハ（Ｗ）の厚さの一部だけに沿って除去される、前記ステップを含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の方法。
7. 前記保護フィルム（４）は、前記ウェハ（Ｗ）の前記一面（１）に加えられて付けられ、
   前記方法は、前記一面（１）に対して反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の前記面（６）を処理するステップを含み、
   前記一面（１）に対して反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の前記面（６）を処理するステップは、前記ウェハの厚さを調整するように、前記一面（１）に対して反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の前記面（６）を研削する工程を含み、
   前記一面（１）に対して反対側にある前記ウェハ（Ｗ）の前記面（６）を研削する工程は、前記少なくとも一つの分割ライン（１１）に沿って、前記ウェハ（Ｗ）を分割するように、ウェハ材料が除去されなかった前記ウェハ（Ｗ）の前記厚さの残部に沿って行われる、請求項６に記載の方法。
8. クッション層（１３）が、前記保護フィルム（４）の表の面（４ａ）に対して反対側の前記保護フィルム（４）の裏の面に付けられる、請求項１～７のいずれか一項に記載の方法。
9. ベースシート（７）が、前記クッション層（１３）の裏の面に付けられる、請求項８に記載の方法。
10. 前記保護フィルム（４）が、高分子、特に、ポリオレフィンで形成される、請求項１～９のいずれか一項に記載の方法。