KR102351842B1 - 웨이퍼 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 일측(1)에 복수의 디바이스(27)를 갖는 디바이스 영역(2)을 갖는 웨이퍼(W)를 처리하는 방법에 관한 것이다. 방법은 보호 필름(4)을 제공하는 것 및 보호 필름(4)의 정면(4a)의 적어도 중앙 영역이 웨이퍼(W)의 일측(1) 또는 일측(1)에 반대쪽에 있는 웨이퍼(W)의 측(6)과 직접 접촉하도록, 웨이퍼(W)의 일측(1)에 또는 일측(1)에 반대쪽에 있는 웨이퍼(W)의 측(6)에 보호 필름(4)을 도포하는 것을 포함한다. 방법은 보호 필름(4)의 주연부의 적어도 일부가 웨이퍼(W)의 전체 원주를 따라 웨이퍼(W)의 측방향 에지(5)의 적어도 일부에 부착되도록, 웨이퍼(W)의 일측(1)에 또는 일측(1)에 반대쪽에 있는 웨이퍼(W)의 측(6)에 보호 필름(4)을 부착하는 것을 더 포함한다. 웨이퍼(W)의 측방향 에지(5)는 웨이퍼(W)의 일측(1)으로부터 일측(1)에 반대쪽에 있는 웨이퍼(W)의 측(6)으로 연장한다. 더욱이, 방법은 웨이퍼(W)의 일측(1) 및/또는 일측(1)에 반대쪽에 있는 웨이퍼(W)의 측(6)을 처리하는 것을 포함한다.

Description

웨이퍼 처리 방법 {METHOD OF PROCESSING A WAFER}
본 발명은 일측에 복수의 디바이스를 갖는 디바이스 영역을 갖는, 반도체 웨이퍼와 같은 웨이퍼를 처리하는 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 제조 프로세스에서, 통상적으로 복수의 분할선에 의해 분할되어 있는 복수의 디바이스를 갖는 디바이스 영역을 갖는 웨이퍼가 개별 다이로 분할된다. 이 제조 프로세스는 일반적으로 웨이퍼 두께를 조정하기 위한 연삭 단계 및 개별 다이를 얻기 위해 분할선을 따라 웨이퍼를 절단하는 절단 단계를 포함한다. 연삭 단계는 디바이스 영역이 형성되는 웨이퍼 정면측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 이면측으로부터 수행된다. 더욱이, 또한 연마 및/또는 에칭과 같은 다른 처리 단계가 웨이퍼의 이면측 상에 수행될 수도 있다. 웨이퍼는 그 정면측 또는 그 이면측으로부터 분할선을 따라 절단될 수도 있다.
예를 들어, 파괴, 변형 및/또는 부스러기(debris), 연삭수(grinding water) 또는 절단수(cutting water)에 의한 오염으로부터, 웨이퍼 이면측 또는 정면측, 특히 디바이스 영역 내에 형성된 디바이스를 보호하기 위해, 웨이퍼의 처리 중에, 보호 필름 또는 시팅(sheeting)이 처리 전에 웨이퍼의 이면측 또는 정면측에 도포될 수도 있다.
웨이퍼 이면측 또는 정면측, 특히 디바이스의 이러한 보호는, 웨이퍼의 각각의 측, 예를 들어 디바이스 영역이 불균일한 표면 구조체를 가지면 특히 중요하다.
예를 들어, 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지(Wafer Level Chip Scale Package: WLCSP)와 같은 공지의 반도체 디바이스 제조 프로세스에서, 웨이퍼의 디바이스 영역은 웨이퍼의 평면 표면으로부터 돌출하는 범프(bump)와 같은 복수의 돌기를 갖고 형성된다. 이들 돌기는 예를 들어, 휴대폰 및 퍼스널 컴퓨터와 같은 전자 장비 내에 다이를 합체할 때, 예를 들어 개별 다이 내의 디바이스와 전기 콘택트를 설정하기 위해 사용된다.
또한, 공지의 웨이퍼에서, 디바이스 영역 내의 디바이스들은 평면 웨이퍼 표면으로부터 돌출할 수도 있다. 이들 디바이스들을 분할하는 분할선은 디바이스들 사이에 적어도 약간의 홈(groove) 또는 트렌치(trench)를 형성할 수도 있어, 따라서 불균일한 표면 프로파일을 생성한다.
종래 공지된 연삭 프로세스 전의 다이싱(dicing)에서, 웨이퍼는 먼저 웨이퍼의 두께의 단지 일부만을 따라 그 정면측으로부터 분할선을 따라 부분적으로 절단된다. 그 후에, 웨이퍼 이면측은 개별 칩 또는 다이 내의 분할선을 따라 웨이퍼를 분할하기 위해, 웨이퍼가 절단되지 않은 웨이퍼 두께의 나머지 부분을 따라 연삭된다. 또한, 이러한 부분 절단부는 웨이퍼 정면측을 불균일하게 하는 표면 프로파일을 도입한다.
이러한 불균일한 웨이퍼 표면에 보호 필름 또는 시팅을 종래의 방식으로 부착할 때, 예를 들어, 홈, 트렌치 또는 돌기의 존재에 기인하여, 표면이 효율적으로 보호되지 않는 문제점이 발생한다. 특히, 보호 필름은 주연 웨이퍼부에서 웨이퍼 표면을 신뢰적으로 밀봉하지 않을 수도 있어, 부스러기, 연삭수 또는 절단수와 같은 오염물이 표면에 진입하여 오염시키게 할 수 있다.
휴대폰 및 퍼스널 컴퓨터와 같은 전자 장비의 크기 감소를 성취하기 위해, 반도체 디바이스는 크기가 감소되어야 한다. 따라서, 디바이스가 그 위에 형성되어 있는 웨이퍼는 ㎛ 범위의, 예를 들어 20 내지 100 ㎛의 범위의 두께로 상기에 언급된 연삭 단계에서 연삭된다. 바람직하게는, 이러한 연삭 프로세스는 웨이퍼 처리 효율을 향상시키기 위해, 고속으로 수행된다.
공지의 반도체 디바이스 제조 프로세스에서, 특히, 고속에서, 이러한 작은 두께로 웨이퍼의 연삭의 프로세스의 중에 문제점이 발생할 수도 있다. 특히, 연삭 프로세스는 웨이퍼 칩핑(chipping) 및 파괴를 위한 시작점으로서 작용하여, 따라서 최종 칩 또는 다이의 품질에 상당한 영향을 미치는 날카로운 웨이퍼 에지의 형성을 유발할 수도 있다. 또한, 블레이드(blade) 또는 쏘우(saw)와 같은 연삭 후에 웨이퍼를 분할하기 위해 사용되는 장비는 주연 웨이퍼부에 배열된 산개한(loose) 소형 크기의 칩에 의해 충돌되는 것에 의해 손상될 수도 있다. 이러한 날카로운 웨이퍼 에지는 또한 연삭된 웨이퍼의 보관 및/또는 운송에 있어서, 예를 들어 웨이퍼 카세트 등과 같은, 이들 웨이퍼 에지가 수용되는 용기를 손상하는 문제점을 유도할 수도 있다.
박형 웨이퍼 연삭에 관련된 전술된 문제점을 처리하기 위해, 웨이퍼를 연삭하기 전에 웨이퍼 정면측에 에지 트리밍 프로세스(edge trimming process)를 수행하는 것이 공지되어 있다. 이 프로세스에서, 웨이퍼의 정면측의 외주부의 적어도 일부는, 웨이퍼 원주를 따라, 단차부, 예를 들어 환형 단차부를 얻기 위해 절단된다. 이러한 단차부를 제공함으로써, 연삭 단계에서 날카로운 웨이퍼 에지의 형성이 회피될 수 있다. 그러나, 부가의 에지 트리밍 단계의 요구는 웨이퍼 처리 방법을 더 복잡하게 하고 처리 효율을 감소시킨다.
따라서, 웨이퍼의 오염 및 손상의 임의의 위험이 최소화되게 하는, 디바이스 영역을 갖는 웨이퍼를 처리하는 효율적이고 신뢰적인 방법에 대한 요구가 남아 있다.
이에 따라, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 오염 및 손상의 임의의 위험이 최소화되게 하는, 디바이스 영역을 갖는 웨이퍼를 처리하는 효율적이고 신뢰적인 방법을 제공하는 것이다. 이 목적은 청구항 1의 기술적 특징들을 갖는 웨이퍼 처리 방법에 의해 성취된다. 본 발명의 바람직한 실시예는 종속 청구항으로부터 이어진다.
본 발명은 일측에 복수의 디바이스를 갖는 디바이스 영역을 갖는 웨이퍼를 처리하는 방법을 제공한다. 방법은 보호 필름을 제공하는 것 및 보호 필름의 정면의 적어도 중앙 영역이 웨이퍼의 일측 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측과 직접 접촉하도록, 웨이퍼의 일측에 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측에 보호 필름을 도포하는 것을 포함한다. 방법은 보호 필름의 주연부의 적어도 일부가 웨이퍼의 전체 원주를 따라 웨이퍼의 측방향 에지의 적어도 일부에 부착되도록, 웨이퍼의 일측에 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측에 보호 필름을 부착하는 것을 더 포함하고, 웨이퍼의 측방향 에지는 웨이퍼의 일측으로부터 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측으로 연장한다. 더욱이, 방법은 웨이퍼의 일측 및/또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측을 처리하는 것을 포함한다.
보호 필름은 보호 필름의 정면의 적어도 중앙 영역이 웨이퍼의 일측 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측과 직접 접촉하도록, 웨이퍼의 일측에, 즉 웨이퍼 정면측에, 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측에, 즉 웨이퍼 이면측에 도포된다. 따라서, 어떠한 재료도, 특히 어떠한 접착제도 보호 필름의 정면의 적어도 중앙 영역과 웨이퍼의 일측 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측 사이에 존재하지 않는다.
따라서, 예를 들어 웨이퍼 상의 접착층 또는 접착제 잔류물의 접착력에 기인하는 웨이퍼의 가능한 오염 또는 손상의 위험이 상당히 감소되거나 심지어 제거될 수 있다.
웨이퍼의 측방향 에지는 웨이퍼의 일측으로부터 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측으로, 즉 웨이퍼 정면측으로부터 웨이퍼 이면측으로 연장한다. 측방향 웨이퍼 에지는 따라서 웨이퍼의 원주방향 측면을 형성한다. 측방향 웨이퍼 에지는 실질적으로 직선형 표면 프로파일 또는 만곡된, 특히 반경방향 외향으로 만곡된, 예를 들어 볼록 표면 프로파일을 가질 수도 있다. 측방향 웨이퍼 에지는 웨이퍼 정면측의 표면 평면으로부터 웨이퍼 이면측의 표면 평면으로 연장한다. 측방향 웨이퍼 에지는 예를 들어, 반경방향 외향으로 만곡된 주연 웨이퍼 표면부와 같은, 웨이퍼 정면측 및 이면측의 표면 평면들로부터 일탈하거나 교차하는 연장 방향을 갖는 주연 웨이퍼 표면부를 포함한다.
보호 필름이 부착되는 웨이퍼의 측의 표면은 실질적으로 편평한 균일한 표면 또는 편평한 균일한 표면일 수도 있다. 대안적으로, 웨이퍼의 두께 방향을 따라 평면 웨이퍼 표면으로부터 돌출하는 돌기 또는 돌출부 및/또는 홈 또는 트렌치와 같은 오목부가 웨이퍼의 각각의 측에 존재할 수도 있다.
보호 필름은, 보호 필름의 주연부의 적어도 일부가 웨이퍼의 전체 원주를 따라 웨이퍼의 측방향 에지의 적어도 일부에 부착되도록, 웨이퍼의 일측에 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측에 부착된다. 따라서, 보호 필름이 도포되는 웨이퍼의 측은 홈, 트렌치, 돌기 또는 돌출부와 같은 표면 불균일부의 존재에서도, 특히 오염으로부터 효율적으로 보호된다. 특히, 보호 필름의 주연부의 적어도 일부가 웨이퍼의 전체 원주를 따라 웨이퍼의 측방향 에지의 적어도 일부에 부착되기 때문에, 보호 필름은 주연 웨이퍼부에서 각각의 웨이퍼 표면을 신뢰적으로 밀봉하여, 부스러기, 연삭수 또는 절단수와 같은 오염물이 웨이퍼 표면에 진입하여 오염시키는 것을 방지한다.
또한, 보호 필름은 특히, 이면측 연삭과 같은, 웨이퍼 정면측 및/또는 이면측의 처리 중에, 손상, 예를 들어 웨이퍼 칩핑 또는 파괴로부터 주연 웨이퍼부를 신뢰적으로 보호한다. 따라서, 예를 들어, 웨이퍼는 웨이퍼의 손상의 위험을 최소화하면서, 고속으로 작은 두께로 연삭될 수 있다. 날카로운 웨이퍼 에지가 연삭 프로세스 중에 형성되면, 이는 보호 필름에 의해 안전하게 보호된다. 따라서, 웨이퍼, 웨이퍼의 분할 후에 발생하는 칩 또는 다이, 웨이퍼를 분할하기 위해 사용된 장비 및 웨이퍼를 보관 및/또는 운송하기 위해 사용된 장비가 이들의 완전성이 손상되지 않는 것이 신뢰적으로 보장될 수 있다. 연삭 전에 웨이퍼의 에지 트리밍과 같은 부가의 처리 단계가 요구되지 않아, 높은 처리 효율이 성취될 수 있게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 오염 및 손상의 임의의 위험이 최소화되게 하는, 디바이스 영역을 갖는 웨이퍼를 처리하는 효율적이고 신뢰적인 방법을 제공하는 것이다.
웨이퍼 정면측 또는 이면측에 보호 필름을 부착한 후에, 웨이퍼 정면측 및/또는 웨이퍼 이면측은 처리될 수도 있다.
보호 필름은, 보호 필름의 주연부의 적어도 일부가 웨이퍼의 두께, 특히 연삭 전 웨이퍼의 두께의 약 5% 이상, 10% 이상, 15% 이상, 20% 이상, 25% 이상, 또는 30% 이상을 따라 웨이퍼의 측방향 에지의 적어도 일부에 부착되도록 웨이퍼 정면측 또는 이면측에 부착될 수도 있다.
보호 필름은, 보호 필름의 주연부의 적어도 일부가 웨이퍼의 두께, 특히 연삭 전 웨이퍼의 두께의 30% 이하, 25% 이하, 20% 이하, 15% 이하, 10% 이하, 또는 5% 이하를 따라 웨이퍼의 측방향 에지의 적어도 일부에 부착되도록 웨이퍼 정면측 또는 이면측에 부착될 수도 있다.
특히 바람직하게는, 보호 필름의 주연부의 적어도 일부는 웨이퍼의 두께, 즉 연삭에 의해 또는 연삭 및 연마에 의해 얻어질 웨이퍼의 두께와 같거나 작은 연삭전 웨이퍼 두께, 즉 연삭 후 또는 연삭 및 연마 후의 웨이퍼 두께의 일부를 따라 웨이퍼의 측방향 에지의 적어도 일부에 부착된다. 이 방식으로, 연삭휠과 같은 연삭 장비, 및 연마 단계가 연삭 후에 수행되면, 연마 장비가 측방향 웨이퍼 에지에 부착된 보호 필름과 접촉하게 되지 않는 것이 보장될 수 있다. 따라서, 연삭 또는 연마휠의 막힘과 같은 이러한 장비로의 임의의 손상이 신뢰적으로 방지될 수 있다.
웨이퍼의 일측에 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측에 보호 필름을 부착하는 것은, 웨이퍼의 일측에 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측에 보호 필름을 도포하는 중에 그리고/또는 후에 보호 필름에 외부 자극을 인가하는 것을 포함할 수도 있다. 이 경우에, 보호 필름을 웨이퍼 상의 제위치에 유지하는, 보호 필름과 웨이퍼 사이의 부착력이 외부 자극의 인가를 통해 발생된다. 따라서, 웨이퍼의 일측 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측에 보호 필름을 부착하기 위해 부가의 접착 재료가 필요하지 않다.
특히, 보호 필름에 외부 자극을 인가함으로써, 포지티브 끼워맞춤부(positive fit)와 같은 형상 끼워맞춤부(form fit) 및/또는 접착제 접합부와 같은 재료 접합부가 보호 필름과 웨이퍼 사이에 형성될 수도 있다. 용어 "재료 접합부" 및 "접착제 접합부"는 이들 2개의 구성요소 사이에 작용하는 원자력 및/또는 분자력에 기인하는 보호 필름과 웨이퍼 사이의 부착부 또는 연결부를 정의한다.
용어 "접착제 접합부"는 웨이퍼에 보호 필름을 부착하거나 접착하기 위해 작용하는 이들 원자력 및/또는 분자력의 존재에 관련되고, 보호 필름과 웨이퍼 사이의 부가의 접착제의 존재를 암시하지 않는다. 오히려, 보호 필름의 정면의 적어도 중앙 영역은 상기에 상세히 설명된 바와 같이, 웨이퍼의 일측 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측과 직접 접촉한다.
이 방식으로 보호 필름을 웨이퍼에 부착함으로써, 웨이퍼, 특히 디바이스 영역에 형성된 디바이스로의 오염 및 손상의 임의의 위험이 더 최소화될 수 있다.
보호 필름에 외부 자극을 인가하는 것은 보호 필름을 가열하는 것 및/또는 보호 필름을 냉각하는 것 및/또는 보호 필름에 진공을 인가하는 것 및/또는 예를 들어, 레이저빔을 사용하여, 광과 같은 방사선을 보호 필름에 조사하는 것을 포함하거나 이들로 이루어질 수도 있다.
외부 자극은 화학 화합물 및/또는 전자 또는 플라즈마 조사 및/또는 기계적 처리, 예로서 압력, 마찰 또는 초음파 인가, 및/또는 정전기일 수도 있고 또는 이들을 포함할 수도 있다.
특히 바람직하게는, 보호 필름에 외부 자극을 인가하는 것은 보호 필름에 압력을 인가하는 것 및/또는 보호 필름을 가열하는 것을 포함하거나 이루어진다.
예를 들어, 보호 필름에 외부 자극을 인가하는 것은 보호 필름을 가열하는 것 및 보호 필름에 진공을 인가하는 것을 포함하거나 이들로 이루어질 수도 있다. 이 경우에, 진공은 보호 필름을 가열하는 중에 그리고/또는 전에 그리고/또는 후에 보호 필름에 인가될 수도 있다.
보호 필름에 외부 자극을 인가하는 것이 보호 필름을 가열하는 것을 포함하거나 이루어지면, 방법은 가열 프로세스 후에 보호 필름이 냉각되게 하는 것을 더 포함할 수도 있다. 특히, 보호 필름은 그 초기 온도로, 즉 가열 프로세스 전의 그 온도로 냉각되도록 허용될 수도 있다. 보호 필름은 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼 정면측 및/또는 웨이퍼 이면측을 처리하기 전에, 예를 들어 그 초기 온도로 냉각되도록 허용될 수도 있다.
보호 필름과 웨이퍼 사이의 부착력은 가열 프로세스를 통해 발생된다. 웨이퍼로의 보호 필름의 부착은 가열 프로세스 자체에서 그리고/또는 보호 필름이 냉각되게 하는 후속의 프로세스에서 야기될 수도 있다.
보호 필름은 예를 들어, 보호 필름이 부착되는 웨이퍼의 측 상의 웨이퍼 표면에 합치하여, 예를 들어 웨이퍼 토포그래피(topography)를 흡수하기 위해 가열 프로세스에 의해 연화될 수도 있다. 예를 들어, 그 초기 온도로 냉각시에, 보호 필름은 예를 들어, 웨이퍼로의 형상 끼워맞춤부 및/또는 재료 접합부를 생성하기 위해 재경화될 수도 있다.
보호 필름은 180℃ 이상의 온도까지, 바람직하게는 220℃ 이상의 온도까지, 더 바람직하게는 250℃ 이상의 온도까지, 더욱 더 바람직하게는 300℃ 이상의 온도까지 열저항성이 있을 수도 있다.
보호 필름은 30℃ 내지 250℃, 바람직하게는 50℃ 내지 200℃, 더 바람직하게는 60℃ 내지 150℃ 및 더욱 더 바람직하게는 70℃ 내지 110℃의 범위의 온도로 가열될 수도 있다. 특히 바람직하게는, 보호 필름은 대략 80℃의 온도로 가열된다.
보호 필름은 웨이퍼 정면측 또는 이면측에 보호 필름을 도포하는 중 및/또는 후에, 30초 내지 10분, 바람직하게는 1분 내지 8분, 더 바람직하게는 1분 내지 6분, 더욱 더 바람직하게는 1분 내지 4분, 또한 더 바람직하게는 1분 내지 3분의 범위의 기간에 걸쳐 가열될 수도 있다.
보호 필름에 외부 자극을 인가하는 것이 보호 필름을 가열하는 것을 포함하거나 이루어지면, 보호 필름은 직접 및/또는 간접 가열될 수도 있다.
보호 필름은 예를 들어, 가열된 스탬프, 가열된 롤러 등과 같은 열 인가 수단, 또는 열 방사 수단을 사용하여, 그에 열을 직접 인가함으로써 가열될 수도 있다. 보호 필름 및 웨이퍼는 진공 챔버와 같은 리셉터클(receptacle) 또는 챔버 내에 배치될 수도 있고, 리셉터클 또는 챔버의 내부 체적은 보호 필름을 가열하기 위해 가열될 수도 있다. 리셉터클 또는 챔버는 열 방사 수단을 구비할 수도 있다.
보호 필름은 예를 들어 웨이퍼 정면측 또는 이면측에 보호 필름을 도포하기 전 및/또는 중 및/또는 후에 웨이퍼를 가열함으로써 간접 가열될 수도 있다. 예를 들어, 웨이퍼는 척 테이블과 같은 지지체 또는 캐리어 상에 웨이퍼를 배치하고 지지체 또는 캐리어를 가열함으로써 가열될 수도 있다.
예를 들어, 척 테이블과 같은 지지체 또는 캐리어는 30℃ 내지 250℃, 바람직하게는 50℃ 내지 200℃, 더 바람직하게는 60℃ 내지 150℃ 및 더욱 더 바람직하게는 70℃ 내지 110℃의 범위의 온도로 가열될 수도 있다. 특히 바람직하게는, 지지체 또는 캐리어는 대략 80℃의 온도로 가열될 수도 있다.
이들 접근법은 예를 들어, 가열된 스탬프, 가열된 롤러 등과 같은 열 인가 수단, 또는 보호 필름을 직접 가열하기 위한 열 방사 수단을 사용함으로써, 그리고 또한 웨이퍼를 통해 보호 필름을 간접 가열함으로써 조합될 수도 있다.
보호 필름에 외부 자극을 인가하는 것이 보호 필름을 가열하는 것을 포함하거나 이루어지면, 보호 필름은 그 가열된 상태에 있을 때 유연성, 탄성, 가요성, 연신성, 연성 및/또는 압축성인 것이 바람직하다. 이 방식으로, 보호 필름이 보호 필름이 도포되는 웨이퍼의 측 상의 웨이퍼 표면에 합치하여, 예를 들어 웨이퍼 토포그래피를 흡수하는 것이 특히 신뢰적으로 보장될 수 있다. 이는 홈, 트렌치, 범프, 광학 요소 등과 같은 표면 불균일부 또는 조면화부(roughness)가 웨이퍼의 각각의 측 상에 존재하면 특히 유리하다.
바람직하게는, 보호 필름은 냉각된 상태에서 더 강성 및/또는 강인성이 되게 하기 위해, 냉각시에 적어도 소정 정도로 경화하거나 경직화된다. 이 방식으로, 웨이퍼를 연삭 및/또는 절단하는 것과 같은, 웨이퍼의 후속의 처리 중에 웨이퍼의 특히 신뢰적인 보호가 보장될 수 있다.
방법은 웨이퍼 정면측 또는 이면측에 보호 필름을 도포하는 중 및/또는 후에, 그 정면에 반대쪽에 있는 보호 필름의 이면에 압력을 인가하는 것을 포함할 수도 있다. 이 방식으로, 보호 필름의 정면은 웨이퍼의 각각의 측에 대해 가압된다. 따라서, 보호 필름이 웨이퍼에 신뢰적으로 부착되는 것이 특히 효율적으로 보장될 수 있다.
보호 필름에 외부 자극을 인가하는 것이 보호 필름을 가열하는 것을 포함하면, 보호 필름을 가열하기 전 및/또는 중 및/또는 후에 압력이 보호 필름의 이면에 인가될 수도 있다. 압력은 웨이퍼의 정면측 및/또는 이면측을 처리하기 전에 보호 필름의 이면에 인가될 수도 있다.
압력은 스탬프, 롤러, 멤브레인 등과 같은 압력 인가 수단에 의해 보호 필름의 이면에 인가될 수도 있다.
특히 바람직하게는, 가열된 스탬프 또는 가열된 롤러와 같은 조합형 열 및 압력 인가 수단이 사용될 수도 있다. 이 경우에, 압력은 동시에 보호 필름을 가열하면서 보호 필름의 이면에 인가될 수 있다.
압력은 이하에 더 상세히 설명되는 바와 같이, 진공 챔버 내에서 보호 필름의 이면에 인가될 수도 있다. 보호 필름의 주연부의 적어도 일부는 웨이퍼의 전체 원주를 따라 웨이퍼의 측방향 에지의 적어도 일부에 부착되기 때문에, 보호 필름이 부착되는 웨이퍼 표면은 신뢰적으로 밀봉되어, 주연 웨이퍼부에서의 임의의 진공 누설이 방지되게 된다.
보호 필름은 감압 분위기에서, 특히 진공 하에서 웨이퍼의 정면측 또는 이면측에 도포되고 그리고/또는 부착될 수도 있다. 이 방식으로, 공극(void) 및/또는 공기 기포가 보호 필름과 웨이퍼 사이에 존재하지 않는 것이 신뢰적으로 보장될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 이러한 공기 기포가 가열 프로세스에서 팽창하는 것에 기인하는, 그 정면측 및/또는 이면측을 처리하는 중에 웨이퍼 상의 임의의 응력 또는 스트레인이 회피된다.
예를 들어, 웨이퍼의 정면측 또는 이면측에 보호 필름을 도포하고 그리고/또는 부착하는 단계 또는 단계들이 진공 챔버 내에서 수행될 수도 있다. 특히, 보호 필름은 진공 라미네이터(vacuum laminator)를 사용하여 웨이퍼의 각각의 측에 도포되고 그리고/또는 부착될 수도 있다. 이러한 진공 라미네이터에서, 웨이퍼는 보호 필름이 도포되고 그리고/또는 부착될 웨이퍼의 측이 상향으로 배향되고 웨이퍼의 다른 측이 척 테이블의 상부면과 접촉하고 있는 상태에서 진공 챔버 내에서 척 테이블 상에 배치된다. 척 테이블은 예를 들어, 가열된 척 테이블일 수도 있다.
웨이퍼 정면측 또는 이면측에 도포될 보호 필름은 환형 프레임에 의해 그 주연부에 유지되고 진공 챔버 내에서 각각의 웨이퍼측 위에 배치된다. 척 테이블 및 환형 프레임 위에 위치된 진공 챔버의 상부 부분은 팽창성 고무 멤브레인에 의해 폐쇄된 공기 입구 포트를 구비한다.
웨이퍼 및 보호 필름이 진공 챔버 내에 로딩된 후에, 챔버는 진공배기되고(evacuated) 공기가 공기 입구 포트를 통해 고무 멤브레인에 공급되어, 고무 멤브레인이 진공배기된 챔버 내로 팽창하게 한다. 이 방식으로, 고무 멤브레인은 웨이퍼 정면측 또는 이면측에 대해 보호 필름을 압박하여, 주연 웨이퍼부를 보호 필름으로 밀봉하고 웨이퍼에 대해 필름을 가압하기 위해 진공 챔버 내에서 하향으로 이동된다. 따라서, 보호 필름은 이러한 돌기 또는 돌출부가 존재하면, 예를 들어 돌기 또는 돌출부의 윤곽을 따르도록, 웨이퍼 정면측 또는 이면측에 밀접하게 도포될 수 있다.
보호 필름은 예를 들어, 척 테이블을 가열함으로써, 웨이퍼의 정면측 또는 이면측으로의 그 도포 중 및/또는 후에 가열될 수도 있다.
그 후에, 진공 챔버 내의 진공은 해제되고, 보호 필름은 가열 프로세스를 통해 발생된 부착력 및 진공 챔버 내의 양의 압력에 의해 웨이퍼 정면측 또는 이면측 상에서 제위치에 유지된다.
대안적으로, 고무 멤브레인은 스탬프 또는 롤러, 예를 들어 가열된 스탬프 또는 가열된 롤러로 대체될 수 있다. 특히, 연성 스탬프 또는 연성 롤러가 사용될 수도 있다.
방법은 그 정면측 및/또는 이면측을 처리한 후에 웨이퍼로부터 보호 필름을 제거하는 것을 더 포함할 수도 있다. 웨이퍼로부터 보호 필름의 제거 전 및/또는 중에, 열과 같은 외부 자극이 보호 필름에 인가될 수도 있다. 이 방식으로, 제거 프로세스가 용이해질 수 있다.
웨이퍼는 디바이스를 갖지 않고 디바이스 영역 주위에 형성되어 있는 주연 가장자리 영역을, 그 정면측에 더 가질 수도 있다.
웨이퍼는 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 유리 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼, 알루미나(Al2O3) 세라믹 웨이퍼와 같은 세라믹 웨이퍼, 석영 웨이퍼, 지르코니아 웨이퍼, PZT(납 지르코네이트 티타네이트) 웨이퍼, 폴리카보네이트 웨이퍼, 금속(예를 들어, 구리, 철, 스테인레스강, 알루미늄 등) 또는 금속화된 재료 웨이퍼, 페라이트 웨이퍼, 광학 결정 재료 웨이퍼, 수지, 예를 들어, 에폭시 수지 코팅된 또는 성형된 웨이퍼 등일 수도 있다.
특히, 웨이퍼는 예를 들어, Si 웨이퍼, GaAs 웨이퍼, GaN 웨이퍼, GaP 웨이퍼, InAs 웨이퍼, InP 웨이퍼, SiC 웨이퍼, SiN 웨이퍼, LT(리튬 탄탈레이트) 웨이퍼, LN(리튬 니오베이트) 웨이퍼 등일 수도 있다.
웨이퍼는 단일의 재료, 또는 상이한 재료의 조합, 예를 들어 전술된 재료의 2개 이상으로 제조될 수도 있다. 예를 들어, 웨이퍼는 Si로 제조된 웨이퍼 요소가 유리로 제조된 웨이퍼 요소에 접합되는 Si 및 유리 접합 웨이퍼일 수도 있다.
웨이퍼는 임의의 유형의 형상을 가질 수도 있다. 그 평면도에서, 웨이퍼는 예를 들어, 원형 형상, 난형 형상(oval shape), 타원형 형상 또는 직사각형 형상 또는 정사각형 형상과 같은 다각형 형상을 가질 수도 있다.
보호 필름은 임의의 유형의 형상을 가질 수도 있다. 그 평면도에서, 보호 필름 또는 시트는 예를 들어, 원형 형상, 난형 형상, 타원형 형상 또는 직사각형 형상 또는 정사각형 형상과 같은 다각형 형상을 가질 수도 있다.
보호 필름은 웨이퍼와 실질적으로 동일한 형상 또는 동일한 형상을 가질 수도 있다.
보호 필름은 웨이퍼의 외경보다 큰 외경을 가질 수도 있다. 이 방식으로, 웨이퍼의 처리, 취급 및/또는 운송이 용이해질 수 있다. 특히, 보호 필름의 주연부의 반경방향 최외측부는 이하에 상세히 설명되는 바와 같이, 환형 프레임에 부착될 수 있다.
보호 필름은 웨이퍼의 외경과 실질적으로 동일한 외경을 가질 수도 있다.
보호 필름은 웨이퍼의 외경보다 작은 외경을 가질 수도 있다. 예를 들어, 측방향 웨이퍼 에지는 반경방향 외향으로 만곡된 표면 프로파일을 가질 수도 있다. 이 경우에, 웨이퍼의 외경은 만곡된 표면의 정점에 결정된다. 보호 필름의 주연부의 적어도 일부가 웨이퍼의 두께의 단지 일부만을 따라 웨이퍼의 측방향 에지의 적어도 일부에 부착되어야 하면, 보호 필름의 외경은 웨이퍼의 외경보다 작도록 선택될 수도 있다.
보호 필름은 디바이스의 영역의 외경보다 크지만 웨이퍼의 외경보다 작은 외경을 가질 수도 있다.
방법은 보호 필름을 절단하는 것을 더 포함할 수도 있다. 보호 필름은, 웨이퍼의 외경보다 큰 또는 웨이퍼의 외경보다 작은 또는 웨이퍼의 외경과 실질적으로 동일한 외경을 갖도록 절단될 수도 있다.
보호 필름을 절단하는 단계는 웨이퍼에 보호 필름을 도포하기 전 또는 후에 수행될 수도 있다.
보호 필름을 절단하는 단계는 웨이퍼에 보호 필름을 부착하기 전 또는 후에 수행될 수도 있다.
보호 필름을 절단하는 단계는 예를 들어, 기계적 절단에 의해, 예를 들어 블레이드 또는 쏘우를 사용하여, 레이저 절단 또는 플라즈마 절단에 의해 수행될 수도 있다.
특히, 방법은 웨이퍼의 원주를 넘어 반경방향으로 연장하는 보호 필름의 부분을 절단 제거하는 단계를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 이 단계는 웨이퍼 이면측을 연삭하기 전에 수행될 수도 있다. 이들 부분을 절단 제거하는 것은 후속의 처리 단계, 특히 이면측 연삭에서 웨이퍼의 취급을 용이하게 할 수 있다. 이 방식으로, 연삭 프로세스를 위해 요구된 처리 공간이 감소될 수 있어, 따라서 처리 효율을 더 향상시킨다.
웨이퍼의 원주를 넘어 반경방향으로 연장하는 보호 필름의 부분은, 보호 필름의 주연부의 적어도 일부가 웨이퍼의 전체 원주를 따라 웨이퍼의 측방향 에지의 적어도 일부에 부착 유지되도록 절단 제거될 수도 있다. 이 방식으로, 웨이퍼가 또한 후속 처리 프로세스에서 안전하게 보호되는 것이 신뢰적으로 보장될 수 있다.
방법은 환형 프레임에 보호 필름의 주연부의 반경방향 최외측부를 부착하는 것을 더 포함할 수도 있다. 특히, 이 부분은 환형 프레임에 부착될 수도 있어, 보호 필름이 환형 프레임의 중앙 개구, 즉 환형 프레임의 내경 내부의 영역을 폐쇄하게 된다. 이 방식으로, 보호 필름에, 특히 그 중앙부에 부착된 웨이퍼는 보호 필름을 통해 환형 프레임에 의해 유지된다. 따라서, 웨이퍼, 보호 필름 및 환형 프레임을 포함하는 웨이퍼 유닛이 형성되어, 웨이퍼의 처리, 취급 및/또는 운송을 용이하게 한다.
보호 필름의 주연부의 반경방향 최외측부는 예를 들어, 접착제에 의해, 복수의 클램프 등과 같은 기계적 고정 수단에 의해, 또는 프레임으로의 보호 필름의 열 용접에 의해 환형 프레임에 부착될 수도 있다.
환형 프레임에 보호 필름의 주연부의 반경방향 최외측부를 부착하는 단계는 웨이퍼에 보호 필름을 도포하기 전 또는 후에 수행될 수도 있다.
환형 프레임에 보호 필름의 주연부의 반경방향 최외측부를 부착하는 단계는 웨이퍼에 보호 필름을 부착하기 전 또는 후에 수행될 수도 있다.
환형 프레임에 보호 필름의 주연부의 반경방향 최외측부를 부착하는 단계는 웨이퍼의 정면측 및/또는 이면측을 처리하기 전 또는 후에 수행될 수도 있다.
적어도 하나의 분할선이 웨이퍼의 일측 상에 형성될 수도 있다. 복수의 분할선이 웨이퍼의 일측 상에 형성될 수도 있다. 하나 이상의 분할선은 디바이스 영역에 형성된 디바이스들을 분할한다.
적어도 하나의 분할선의 폭은 30 ㎛ 내지 200 ㎛, 바람직하게는 30 ㎛ 내지 150 ㎛, 더 바람직하게는 30 ㎛ 내지 100 ㎛의 범위일 수도 있다.
방법은 웨이퍼의 일측, 즉 웨이퍼 정면측을 처리하는 것을 포함할 수도 있다. 웨이퍼의 일측을 처리하는 것은 적어도 하나의 분할선을 따라 웨이퍼 재료를 제거하는 것을 포함하거나 이루어질 수도 있다. 복수의 분할선이 웨이퍼의 일측 상에 형성되면, 웨이퍼의 일측을 처리하는 것은 복수의 분할선의 각각을 따라 웨이퍼 재료를 제거하는 것을 포함하거나 이루어질 수도 있다.
웨이퍼 재료는 웨이퍼의 일측에 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측에 보호 필름을 도포하기 전에, 웨이퍼의 일측으로부터 적어도 하나의 분할선을 따라 제거될 수도 있다.
웨이퍼 재료는 웨이퍼의 전체 두께 전체에 걸쳐 적어도 하나의 분할선을 따라 제거될 수도 있다. 이 경우에, 웨이퍼는 웨이퍼 재료 제거 프로세스에 의해 복수의 칩 또는 다이로 적어도 하나의 분할선을 따라 분할된다.
대안적으로, 웨이퍼 재료는 웨이퍼의 두께의 일부만을 따라 적어도 하나의 분할선을 따라 제거될 수도 있다. 예를 들어, 웨이퍼 재료는 웨이퍼의 두께의 20% 이상, 30% 이상, 40% 이상, 50% 이상, 60% 이상, 70% 이상, 80% 이상, 또는 90% 이상을 따라 제거될 수도 있다.
이 경우에, 웨이퍼를 분할하는, 즉 완전히 분할하는 프로세스는 예를 들어, 파괴 프로세스를 채택하고, 예를 들어 팽창 테이프를 사용하여, 웨이퍼에 외력을 인가함으로써, 또는 기계적 절단 또는 다이싱 프로세스, 레이저 절단 또는 다이싱 프로세스 또는 플라즈마 절단 또는 다이싱 프로세스와 같은, 절단 또는 다이싱 프로세스를 채택함으로써 수행될 수도 있다. 예를 들어, 보호 필름을 반경방향으로 팽창함으로써, 즉 팽창 테이프로서 보호 필름을 사용함으로써, 외력이 웨이퍼에 인가될 수도 있다. 또한, 이들 프로세스의 2개 이상의 조합이 또한 채용될 수도 있다.
더욱이, 웨이퍼는 이하에 더 상세히 설명되는 바와 같이, 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측을 연삭함으로써 분할될 수도 있다.
적어도 하나의 분할선을 따라 웨이퍼 재료를 제거하는 프로세스는, 웨이퍼의 평면에서, 웨이퍼 재료가 웨이퍼의 측방향 에지로 줄곧 제거되도록, 또는 웨이퍼 재료가 웨이퍼의 주연부에서, 예를 들어 주연 가장자리 영역에서 제거되지 않도록 수행될 수도 있다.
적어도 하나의 분할선을 따른 웨이퍼 재료의 부분 제거는 웨이퍼 표면 내의 적어도 하나의 홈 또는 트렌치의 형성을 야기한다. 통상적으로, 이러한 홈 또는 트렌치는, 특히 이들이 웨이퍼의 측방향 에지로 줄곧 연장하면, 이면측 연삭과 같은 후속의 웨이퍼 처리 단계에서 문제점을 야기할 수 있다. 적어도 하나의 홈 또는 트렌치의 존재에 기인하여, 이러한 부분 웨이퍼 재료 제거 후에 통상의 방식으로 처리된 웨이퍼 표면에 부착된 보호 필름은 주연 웨이퍼부에서 웨이퍼 표면을 신뢰적으로 밀봉하지 않을 수도 있어, 적어도 하나의 홈 또는 트렌치가 존재하는 주연 웨이퍼 영역 또는 영역들에 부스러기, 연삭수 또는 절단수와 같은 오염물이 진입하여 웨이퍼 표면을 오염시킬 수 있다. 본 발명의 방법에서, 보호 필름의 주연부의 적어도 일부가 웨이퍼의 전체 원주를 따라 웨이퍼의 측방향 에지의 적어도 일부에 부착되기 때문에, 보호 필름은 심지어 이러한 홈 또는 트렌치의 존재시에도, 주연 웨이퍼부에서 각각의 웨이퍼 표면을 신뢰적으로 밀봉하여, 웨이퍼의 오염을 안전하게 방지한다.
방법은 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측을 처리하는 것을 포함할 수도 있다. 보호 필름은 웨이퍼의 일측에 도포되고 부착될 수도 있다. 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측을 처리하는 것은, 웨이퍼 두께를 조정하기 위해 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측을 연삭하는 것을 포함할 수도 있다.
본 발명의 방법은 상기에 상세히 설명된 바와 같이, 이러한 연삭 프로세스에서 웨이퍼의 특히 신뢰적이고 효율적인 보호를 제공한다. 특히, 웨이퍼 정면측은 보호 필름에 의해 안전하게 밀봉되어, 연삭 부스러기 및 연삭수와 같은 오염물의 진입을 방지한다. 또한, 보호 필름은 예를 들어, 웨이퍼 칩핑 또는 파괴와 같은 손상으로부터 주연 웨이퍼부를 신뢰적으로 보호한다. 따라서, 웨이퍼는 웨이퍼의 손상의 위험을 최소화하면서, 고속으로 작은 두께로 연삭될 수 있다. 날카로운 웨이퍼 에지가 연삭 프로세스 중에 형성되면, 이는 보호 필름에 의해 안전하게 보호된다.
웨이퍼 재료는 상기에 상세히 설명된 바와 같이, 웨이퍼의 일측에 보호 필름을 도포하기 전에, 웨이퍼의 두께의 단지 일부만을 따라 웨이퍼의 일측으로부터 적어도 하나의 분할선을 따라 제거될 수도 있다. 그 후에, 웨이퍼의 일측에 보호 필름을 부착한 후에, 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측이 연삭될 수도 있다. 이 연삭 단계는 적어도 하나의 분할선을 따라 웨이퍼를 분할하기 위해, 웨이퍼 재료가 제거되지 않은 웨이퍼의 두께의 나머지 부분을 따라 수행될 수도 있다.
이 방식으로 연삭 단계에서 웨이퍼를 분할함으로써, 웨이퍼는 특히 신뢰적이고 정확하고 효율적인 방식으로 처리될 수 있다. 특히, 적어도 하나의 분할선을 따라 웨이퍼 재료를 제거하는 단계는 연삭 전에, 즉 그 두께의 감소 전에 웨이퍼 상에 수행된다. 따라서, 적어도 하나의 분할선을 따른, 재료 제거 중에, 예를 들어 절단 중에 웨이퍼 왜곡 등과 같은, 웨이퍼의 임의의 변형이 회피될 수 있다. 또한, 적어도 하나의 분할선을 따른 웨이퍼 재료 제거 중에 웨이퍼에 인가된 응력은 상당히 감소되어, 증가된 다이 강도를 갖는 칩 또는 다이가 얻어지게 한다. 균열 또는 이면측 칩핑과 같은 최종 칩 또는 다이의 임의의 손상이 방지될 수 있다.
더욱이, 웨이퍼 재료는 웨이퍼 두께의 단지 일부만을 따라 적어도 하나의 분할선을 따라 제거되기 때문에, 웨이퍼 재료 제거 프로세스의 효율, 특히 처리 속도가 향상된다. 또한, 웨이퍼 재료 단계를 위해 사용된 수단, 예를 들어 절단 수단의 서비스 수명이 연장된다.
웨이퍼 재료는 적어도 하나의 분할선을 따라 기계적으로 제거될 수도 있다. 특히, 웨이퍼 재료는 예를 들어, 블레이드 다이싱 또는 소잉(sawing)에 의해, 적어도 하나의 분할선을 따라 웨이퍼를 기계적으로 절단함으로써 적어도 하나의 분할선을 따라 제거될 수도 있다. 이 경우에, 웨이퍼는 그 정면측으로부터 절단된다.
대안적으로 또는 게다가, 웨이퍼 재료는 레이저 절단에 의해 그리고/또는 플라즈마 절단에 의해 적어도 하나의 분할선을 따라 제거될 수도 있다.
웨이퍼는 단일의 기계적 절단 단계, 단일의 레이저 절단 단계 또는 단일의 플라즈마 절단 단계에서 절단될 수도 있다. 대안적으로, 웨이퍼는 기계적 절단 및/또는 레이저 절단 및/또는 플라즈마 절단 단계의 시퀀스에 의해 절단될 수도 있다.
레이저 절단은 예를 들어, 어블레이션(ablation) 레이저 절단에 의해 그리고/또는 스텔스(stealth) 레이저 절단에 의해, 즉 이하에 더 상세히 설명되는 바와 같이, 레이저빔의 인가에 의해 웨이퍼 내에 개질 구역(modified region)을 형성함으로써, 그리고/또는 레이저빔의 인가에 의해 웨이퍼 내에 복수의 구멍 구역을 형성함으로써 수행될 수도 있다. 이들 구멍 구역의 각각은 개질 구역 및 웨이퍼의 표면으로 개방되어 있는 개질 구역 내의 공간으로 구성될 수도 있다.
웨이퍼, 예를 들어 웨이퍼 이면측에 부착된 보호 필름을 가짐으로써, 절단 단계 중에 인가된 압력이 절단 중에 웨이퍼 전체에 걸쳐 더 균일하게 그리고 균질하게 분포되고, 따라서 절단 단계에서, 웨이퍼의 손상, 예를 들어 최종 칩 또는 다이의 측벽의 균열의 임의의 위험을 감소시키거나 또는 심지어 최소화하는 것이 보장될 수 있다.
방법은 웨이퍼의 일측을 처리하는 것을 포함할 수도 있고, 웨이퍼의 일측을 처리하는 것은 웨이퍼의 일측으로부터 웨이퍼에 펄스화된 레이저빔을 인가하는 것을 포함하거나 이루어지고, 웨이퍼는 펄스화된 레이저빔에 투명한 재료로 제조되고, 펄스화된 레이저빔은, 펄스화된 레이저빔의 초점이 웨이퍼의 일측으로부터 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측을 향한 방향에서 웨이퍼의 일측으로부터 소정 거리에 위치되어 있는 상태에서, 적어도 하나의 분할선을 따른 적어도 복수의 위치에서 웨이퍼에 인가되어, 적어도 하나의 분할선을 따라 웨이퍼 내에 복수의 개질 구역을 형성한다.
이 경우에, 웨이퍼는 펄스화된 레이저빔에 투명한 재료로 제조된다. 따라서, 복수의 개질 구역이 웨이퍼를 통한 레이저빔의 투과를 허용하는 파장을 갖는 펄스화된 레이저빔의 인가에 의해 웨이퍼 내에 형성된다. 예를 들어, 웨이퍼가 Si 웨이퍼이면, 펄스화된 레이저빔은 1.0 ㎛ 이상의 파장을 가질 수도 있다.
보호 필름은 웨이퍼 정면측 또는 이면측에 부착될 수도 있다. 보호 필름이 웨이퍼 정면측에 부착되면, 펄스화된 레이저빔이 보호 필름을 통해 웨이퍼에 인가된다. 따라서, 펄스화된 레이저빔에 투명한 재료로 제조된 보호 필름이 사용된다.
펄스화된 레이저빔은 예를 들어 1 ns 내지 300 ns의 범위의 펄스폭을 가질 수도 있다.
개질 구역은 균열이 형성되어 있는 비결정질 구역 또는 구역들을 포함할 수도 있고, 또는 균열이 형성되어 있는 비결정질 구역 또는 구역들일 수도 있다. 특히 바람직한 실시예에서, 개질 구역은 비결정질 구역을 포함하거나 비결정질 구역이다.
각각의 개질 구역은 웨이퍼 재료 내부에 공간, 예를 들어 캐비티를 포함할 수도 있고, 공간은 균열이 형성되어 있는 비결정질 구역 또는 구역들에 의해 둘러싸인다.
각각의 개질 구역은 웨이퍼 재료 내부에 공간, 예를 들어 캐비티 및 공간을 둘러싸는 균열이 형성되어 있는 비결정질 구역 또는 구역들로 구성될 수도 있다.
개질 구역이 균열이 형성되는, 즉 균열이 형성되어 있는 구역을 포함하거나 이러한 구역이면, 균열은 미세균열일 수도 있다. 균열은 ㎛ 범위의 치수, 예를 들어 길이 및/또는 폭을 가질 수도 있다. 예를 들어, 균열은 5 ㎛ 내지 100 ㎛의 범위의 폭 및/또는 100 ㎛ 내지 1000 ㎛의 범위의 길이를 가질 수도 있다.
이 방법에 따르면, 펄스화된 레이저빔은 적어도 하나의 분할선을 따라 웨이퍼 내에 복수의 개질 구역을 형성하기 위해, 적어도 하나의 분할선을 따른 적어도 복수의 위치에서 웨이퍼의 일측으로부터 웨이퍼에 인가된다. 이들 개질 구역을 형성함으로써, 개질 구역이 형성되어 있는 그 영역 내의 웨이퍼의 강도가 감소된다. 따라서, 복수의 개질 구역이 형성되어 있는 적어도 하나의 분할선을 따른 웨이퍼의 분할이 매우 용이해진다. 이러한 웨이퍼 분할 프로세스에서, 웨이퍼의 디바이스 영역에 제공된 개별 디바이스는 칩 또는 다이로서 얻어진다.
방법은 웨이퍼 내에 복수의 개질 구역을 형성한 후에, 적어도 하나의 분할 라인을 따라 웨이퍼를 분할하는 것을 포함할 수도 있다. 웨이퍼를 분할하는 프로세스는 예를 들어, 파괴 프로세스를 채택하고, 예를 들어 팽창 테이프를 사용하여, 웨이퍼에 외력을 인가함으로써, 또는 기계적 절단 또는 다이싱 프로세스, 레이저 절단 또는 다이싱 프로세스 또는 플라즈마 절단 또는 다이싱 프로세스와 같은, 절단 또는 다이싱 프로세스를 채택함으로써 다양한 방식으로 수행될 수도 있다. 예를 들어, 보호 필름을 반경방향으로 팽창함으로써, 즉 팽창 테이프로서 보호 필름을 사용함으로써, 외력이 웨이퍼에 인가될 수도 있다. 또한, 이들 프로세스의 2개 이상의 조합이 또한 채용될 수도 있다.
방법은 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측을 처리하는 것을 포함할 수도 있다. 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측을 처리하는 것은 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측으로부터 웨이퍼에 펄스화된 레이저빔을 인가하는 것을 포함하거나 이루어질 수도 있고, 웨이퍼는 펄스화된 레이저빔에 투명한 재료로 제조되고, 펄스화된 레이저빔은, 펄스화된 레이저빔의 초점이 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측으로부터 웨이퍼의 일측을 향한 방향에서 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측으로부터 소정 거리에 위치되어 있는 상태에서, 적어도 하나의 분할선을 따른 적어도 복수의 위치에서 웨이퍼에 인가되어, 적어도 하나의 분할선을 따라 웨이퍼 내에 복수의 개질 구역을 형성한다.
보호 필름은 웨이퍼 정면측 또는 이면측에 부착될 수도 있다. 보호 필름이 웨이퍼 이면측에 부착되면, 펄스화된 레이저빔이 보호 필름을 통해 웨이퍼에 인가된다. 따라서, 펄스화된 레이저빔에 투명한 재료로 제조된 보호 필름이 사용된다.
웨이퍼의 이면측으로부터 인가된 펄스화된 레이저빔은 웨이퍼의 정면측으로부터 인가된 것과 동일한 펄스화된 레이저빔 또는 상이한 펄스화된 레이저빔일 수도 있다.
웨이퍼의 이면측으로부터 펄스화된 레이저빔을 인가함으로써 형성된 개질 구역은 웨이퍼의 정면측으로부터 펄스화된 레이저빔을 인가함으로써 형성된 개질 구역과 실질적으로 동일한 방식으로 형성될 수도 있다.
보호 필름은 웨이퍼의 일측에 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측에 도포될 수도 있어, 보호 필름의 정면이 웨이퍼의 일측 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측과 접촉하는 전체 구역에서, 보호 필름의 정면이 웨이퍼의 일측 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측과 직접 접촉하게 된다. 따라서, 어떠한 재료도, 특히 어떠한 접착제도 보호 필름의 정면과 웨이퍼의 일측 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측 사이에 존재하지 않는다.
이 방식으로, 예를 들어 웨이퍼 상의 접착층 또는 접착제 잔류물의 접착력에 기인하는 웨이퍼의 가능한 오염 또는 손상의 위험이 신뢰적으로 제거될 수 있다.
대안적으로, 보호 필름은 접착층을 구비할 수도 있고, 접착층은 단지 보호 필름의 정면의 주연 영역에만 제공되고, 주연 영역은 보호 필름의 정면의 중앙 영역을 둘러싸고, 보호 필름은 웨이퍼의 일측에 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측에 도포되어, 접착층이 웨이퍼의 일측의 주연부 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측의 주연부와만 그리고/또는 웨이퍼의 측방향 에지의 적어도 일부와만 접촉하게 된다. 웨이퍼의 일측의 주연부는 주연 가장자리 영역일 수도 있다. 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측의 주연부는 웨이퍼의 일측 상에 형성된 주연 가장자리 영역에 대응할 수도 있다.
접착층은 웨이퍼의 일측의 주연부 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측의 주연부와 그리고 웨이퍼의 측방향 에지의 적어도 일부와만 접촉하게 될 수도 있다. 접착층은 웨이퍼의 측방향 에지의 적어도 일부와만 접촉하게 될 수도 있다.
이 방식으로, 웨이퍼로의 보호 필름의 부착이 더 향상될 수 있다. 접착층은 보호 필름의 정면의 주연 영역에만 제공되기 때문에, 보호 필름 및 웨이퍼가 접착층에 의해 서로 부착되어 있는 영역은, 접착층이 보호 필름의 전체 정면 상에 제공되는 경우에 비교하여 상당히 감소된다. 따라서, 보호 필름은 웨이퍼로부터 더 용이하게 탈착될 수 있고, 웨이퍼의, 특히 그 정면측 또는 이면측에 형성된 돌기의 손상의 위험이 상당히 감소된다.
접착층의 접착제는 열, UV 방사선, 전기장 및/또는 화학제와 같은 외부 자극에 의해 경화 가능할 수도 있다. 이 방식으로, 보호 필름은 처리 후에 웨이퍼로부터 특히 용이하게 제거될 수 있다. 외부 자극은 그 접착력을 저하시켜, 따라서 보호 필름의 용이한 제거를 허용하기 위해, 접착제에 인가될 수도 있다.
예를 들어, 접착층은 실질적으로 환형 형상, 개방 직사각형 형상 또는 개방 정사각형 형상, 즉 접착층의 중심에 개구를 갖는 직사각형 또는 정사각형 형상을 각각 가질 수도 있다.
보호 필름은 팽창성일 수도 있다. 보호 필름은 웨이퍼의 일측에 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측에 도포될 때 팽창될 수도 있다. 돌기 또는 돌출부가 웨이퍼의 각각의 측에 존재하면, 보호 필름은 이들 돌기의 윤곽을 밀접하게 또는 적어도 부분적으로 따르도록 웨이퍼에 도포될 때 팽창될 수도 있다.
특히, 보호 필름은 그 원래 크기의 2배 이상, 바람직하게는 그 원래 크기의 3배 이상, 더 바람직하게는 그 원래 크기의 4배 이상으로 팽창 가능할 수도 있다. 이 방식으로, 특히, 그 원래 크기의 3배 또는 4배 이상으로의 팽창의 경우에, 보호 필름이 돌기의 윤곽을 따르는 것이 신뢰적으로 보장될 수 있다.
보호 필름이 팽창 가능하면, 이는 디바이스들을 서로로부터 분리하기 위해 사용될 수도 있다. 특히, 방법은, 웨이퍼의 일측 및/또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측을 처리한 후에, 디바이스들을 서로로부터 분리하기 위해 보호 필름을 반경방향으로 팽창하는 것을 더 포함할 수도 있다.
예를 들어, 웨이퍼는 예를 들어, 기계적 절단 프로세스, 레이저 절단 프로세스 또는 플라즈마 절단 프로세스에 의해, 또는 연삭 프로세스 전에 다이싱에 의해 완전히 분할될 수도 있다. 그 후에, 칩 또는 다이의 형태일 수도 있는 완전히 분할된 디바이스는 보호 필름을 반경방향으로 팽창함으로써 서로로부터 이격하여 이동될 수도 있어, 이에 의해 인접한 디바이스들 사이의 거리를 증가시킨다.
대안적으로, 웨이퍼는 스텔스 프로세스, 즉 개질 구역이 전술되어 있는 바와 같이, 레이저빔의 인가에 의해 웨이퍼 내에 형성되는 프로세스를 받게 될 수도 있다. 그 후에, 웨이퍼는 개질 구역이 보호 필름을 반경방향으로 팽창함으로써 형성되는 적어도 하나의 분할선을 따라 분할될, 예를 들어 파단될 수도 있어, 이에 의해 개별 칩 또는 다이를 얻는다.
보호 필름을 반경방향으로 팽창하는 것에 대안으로서, 개별 팽창 테이프는 예를 들어, 보호 필름을 제거한 후에 웨이퍼 이면측에 부착될 수도 있다. 그 후에, 디바이스는 팽창 테이프를 반경방향으로 팽창함으로써 서로로부터 분리될 수도 있다.
보호 필름은 단일의 재료, 특히 단일의 균질 재료로 제조될 수도 있다.
보호 필름은 폴리머와 같은 플라스틱 재료로 제조될 수도 있다. 특히 바람직하게는, 보호 필름은 폴리올레핀으로 제조된다. 예를 들어, 보호 필름은 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP) 또는 폴리부틸렌(PB)으로 제조될 수도 있다.
폴리올레핀 필름은, 특히 외부 자극이 보호 필름에 인가되고 외부 자극을 인가하는 것이 보호 필름을 가열하는 것을 포함하거나 이루어지면, 본 발명의 웨이퍼 처리 방법에 사용을 위해 특히 유리한 재료 특성을 갖는다. 폴리올레핀 필름은 예를 들어, 60℃ 내지 150℃의 범위의 온도로 가열될 때, 가열된 상태에서 유연성, 연신성 및 연성이다. 따라서, 보호 필름이 보호 필름이 도포되는 웨이퍼의 측 상의 웨이퍼 표면에 합치하여, 예를 들어 웨이퍼 토포그래피를 흡수하는 것이 특히 신뢰적으로 보장될 수 있다. 이는 각각의 웨이퍼측이 웨이퍼의 평면 표면으로부터 돌출하는 돌기 또는 돌출부를 갖고 형성되면 특히 유리하다.
또한, 폴리올레핀 필름은 냉각된 상태에서 더 강성 및 강인성이 되게 하기 위해, 냉각시에 경화하고 경직화한다. 따라서, 웨이퍼를 연삭 및/또는 절단하는 것과 같은, 웨이퍼의 후속의 처리 중에 웨이퍼의 특히 신뢰적인 보호가 보장될 수 있다.
보호 필름은 5 내지 200 ㎛, 바람직하게는 8 내지 100 ㎛, 더 바람직하게는 10 내지 80 ㎛, 더욱 더 바람직하게는 12 내지 50 ㎛의 범위의 두께를 가질 수도 있다. 특히 바람직하게는, 보호 필름은 80 내지 150 ㎛의 범위의 두께를 갖는다.
이 방식으로, 보호 필름은 이러한 돌기가 존재하면 보호 필름이 도포되는 웨이퍼측 상에 형성된 돌기의 윤곽에 충분히 합치하도록 충분히 가요성이고 유연성이며, 동시에 그 정면측 및/또는 이면측을 처리하는 중에 웨이퍼를 신뢰적으로 그리고 효율적으로 보호하기 위해 충분한 두께를 나타내는 것이 특히 신뢰적으로 보장될 수 있다.
완충층이 그 정면에 반대쪽에 있는 보호 필름의 이면에 부착될 수도 있다.
이 접근법은, 표면 불균일부 또는 조면화부, 범프, 광학 요소, 예를 들어 광학 렌즈, 다른 구조체 등과 같은 돌기 또는 돌출부가 보호 필름이 도포되는 웨이퍼의 측으로부터 돌출하고, 연장하거나 튀어나오면 특히 유리하다. 이 경우에, 돌기 또는 돌출부는 각각의 웨이퍼측의 표면 구조 또는 토포그래피를 규정하여, 이 측을 불균일하게 한다.
이러한 돌기 또는 돌출부, 예를 들어 특히 웨이퍼 정면측 상의 범프는 예를 들어, 휴대폰 및 퍼스널 컴퓨터와 같은 전자 장비 내에 칩 또는 다이를 합체할 때, 예를 들어 웨이퍼가 분할된 후에 개별 칩 또는 다이 내의 디바이스와 전기 콘택트를 설정하기 위해 사용될 수도 있다.
돌기는 불규칙적으로 배열되거나 규칙적 패턴으로 배열될 수도 있다. 돌기의 단지 일부만이 규칙적 패턴으로 배열될 수도 있다.
돌기는 임의의 유형의 형상을 가질 수도 있다. 예를 들어, 돌기의 일부 또는 모두는 구, 반구, 기둥 또는 칼럼의 형상, 예를 들어 원형, 타원형 또는 삼각형, 정사각형 등과 같은 다각형 단면 또는 베이스 영역, 원추, 절두 원추 또는 단차부를 갖는 기둥 또는 칼럼의 형상일 수도 있다.
돌기의 적어도 일부는 웨이퍼의 평면 표면 상에 형성된 요소로부터 발생할 수도 있다. 돌기의 적어도 일부는 예를 들어, 스루 실리콘 비아(through silicon via: TSV)의 경우에, 그 두께 방향에서 웨이퍼를 부분적으로 또는 완전히 관통하는 요소로부터 발생할 수도 있다. 이들 후자의 요소는 웨이퍼 두께의 부분을 따라 또는 전체 웨이퍼 두께를 따라 연장할 수도 있다.
돌기는 20 내지 500 ㎛, 바람직하게는 30 내지 400 ㎛, 더 바람직하게는 40 내지 250 ㎛, 더욱 더 바람직하게는 50 내지 200 ㎛ 및 또한 더욱 더 바람직하게는 70 내지 150 ㎛의 범위의 웨이퍼의 두께 방향에서의 높이를 가질 수도 있다.
모든 돌기는 실질적으로 동일한 형상 및/또는 크기를 가질 수도 있다. 대안적으로, 돌기의 적어도 일부는 형상 및/또는 크기가 서로 상이할 수도 있다.
완충층이 보호 필름의 이면에 부착되면, 이러한 돌기 또는 돌출부는 완충층 내에 매립될 수 있다. 따라서, 연삭 및/또는 절단과 같은 후속 웨이퍼 처리 단계에서 돌기의 존재로부터 발생하는 표면 불균일부의 임의의 부정적인 영향이 제거될 수 있다. 특히, 완충층은 연삭 및 절단 프로세스 중에 압력의 특히 균일하고 균질한 분포를 성취하는 것에 상당히 기여할 수 있다.
완충층 내에 돌기를 매립함으로써, 예를 들어 범프, 광학 요소 또는 다른 구조체와 같은 돌기는 웨이퍼 처리 중에, 예를 들어 후속의 연삭 또는 절단 단계에서 임의의 손상으로부터 신뢰적으로 보호된다.
또한, 웨이퍼가 연삭 단계에서 작은 두께, 예를 들어 ㎛ 범위의 두께로 연삭되면, 웨이퍼의 정면측에, 예를 들어 디바이스 영역에 존재하는 돌기는 연삭 프로세스에서 웨이퍼의 감소된 두께 및 그에 인가된 압력에 기인하여, 웨이퍼 이면측의 변형을 유발할 수도 있다. 이 후자의 효과는, 웨이퍼 정면측의 돌기의 패턴이 웨이퍼 이면측에 전사되고, 웨이퍼의 이면의 바람직하지 않은 불균일성을 야기하여, 따라서 최종 칩 또는 다이의 품질을 손상시키기 때문에, "패턴 전사"라 칭한다.
보호 필름 및 완충층은 웨이퍼 정면측과 예를 들어 웨이퍼 정면측이 웨이퍼 이면측을 처리, 예를 들어 연삭 및/또는 연마하는 중에 놓이는 지지체 또는 캐리어 사이의 완충부 또는 버퍼로서 작용하고, 따라서 처리 중에 압력의 균일하고 균질한 분포를 성취하는 데 기여한다. 따라서, 그 이면측을 처리, 특히 연삭하는 중에 웨이퍼의 패턴 전사 또는 파괴가 특히 신뢰적으로 방지될 수 있다.
완충층의 재료는 특히 한정되는 것은 아니다. 특히, 완충층은 웨이퍼의 두께 방향을 따라 돌출하는 돌기가 그 내에 매립되게 하는 임의의 유형의 재료로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 완충층은 수지, 접착제, 겔 등으로 형성될 수도 있다.
완충층은 UV 방사선, 열, 전기장 및/또는 화학제와 같은 외부 자극에 의해 경화 가능할 수도 있다. 이 경우에, 완충층은 외부 자극의 인가시에 적어도 소정 정도로 경화한다. 예를 들어, 완충층은 경화성 수지, 경화성 접착제, 경화성 겔 등으로 형성될 수도 있다.
완충층은 그 경화 후에 소정 정도의 압축성, 탄성 및/또는 가요성을 나타내도록, 즉 경화 후에 압축성, 탄성 및/또는 가요성이 되도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 완충층은 경화에 의해 고무형 상태로 되도록 이루어질 수도 있다. 대안적으로, 완충층은 경화 후에 강성, 경성 상태에 도달하도록 구성될 수도 있다.
본 발명의 방법에서 완충층으로서 사용을 위한 UV 경화성 수지의 바람직한 예는 DISCO Corporation에 의한 ResiFlat 또는 DENKA에 의한 TEMPLOC이다.
방법은 웨이퍼를 처리하기, 예를 들어 연삭 또는 절단하기 전에, 완충층을 경화하도록 완충층에 외부 자극을 인가하는 것을 더 포함할 수도 있다. 이 방식으로, 연삭 및/또는 절단 중에 웨이퍼의 보호 및 연삭 및/또는 절단 정확도가 더 향상될 수 있다.
완충층은 180℃ 이상의 온도까지, 바람직하게는 220℃ 이상의 온도까지, 더 바람직하게는 250℃ 이상의 온도까지, 더욱 더 바람직하게는 300℃ 이상의 온도까지 열저항성이 있을 수도 있다.
완충층은 10 내지 300 ㎛, 바람직하게는 20 내지 250 ㎛, 더 바람직하게는 50 내지 200 ㎛의 범위의 두께를 가질 수도 있다.
완충층은 웨이퍼의 일측에 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측에 보호 필름을 도포하기 전에 보호 필름의 이면에 부착될 수도 있다.
이 경우에, 보호 필름 및 완충층은 먼저 적층될 수도 있어, 완충층 및 완충층에 부착된 보호 필름을 포함하는 보호 시팅을 형성한다. 이 방식으로 형성된 보호 시팅은 이후에 웨이퍼의 일측에 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측에 도포될 수도 있어, 예를 들어 웨이퍼의 평면 표면으로부터 돌출하는 돌기 또는 돌출부가 보호 필름에 의해 커버되고 보호 필름 및 완충층 내에 매립되게 된다. 보호 시팅은 완충층의 이면이 보호 시팅이 도포되는 웨이퍼측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측에 실질적으로 평행하도록 도포될 수도 있다. 보호 필름의 정면은, 보호 시팅이 웨이퍼의 일측에 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측에 도포될 때, 웨이퍼의 일측에 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측에 도포된다.
이 방식으로, 웨이퍼 처리 방법은 특히 간단하고 효율적인 방식으로 수행될 수 있다. 예를 들어, 보호 시팅은 미리 준비되고, 이후의 사용을 위해 보관되고, 요구될 때 웨이퍼 처리를 위해 사용될 수 있다. 보호 시팅은 따라서 대량으로 제조될 수도 있어, 그 제조를 시간 및 비용의 모두의 견지에서 특히 효율적이게 한다.
완충층은 웨이퍼의 일측에 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측에 보호 필름을 도포한 후에 또는 부착한 후에 보호 필름의 이면에 부착될 수도 있다.
이 경우에, 보호 필름은 웨이퍼의 일측에 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측에 먼저 도포되거나 도포되어 부착되고, 보호 필름이 그에 도포되어 있는 웨이퍼측은 이후에 완충층의 정면에 부착되어, 예를 들어 웨이퍼의 평면 표면으로부터 돌출하는 돌기 또는 돌출부가 보호 필름 및 완충층 내에 매립되게 되고, 완충층의 이면이 보호 필름 및 완충층이 부착되는 웨이퍼측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측에 실질적으로 평행하게 된다. 이 접근법은 특히 웨이퍼의 평면 표면으로부터 돌출하는 돌기 또는 돌출부에 관하여, 특히 고도의 정확도로 웨이퍼의 일측에 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측에 보호 필름이 부착되게 한다.
완충층은 웨이퍼의 일측에 또는 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측에 보호 필름을 부착하기 전 및/또는 중 및/또는 후에 보호 필름의 이면에 부착될 수도 있다.
방법은 웨이퍼로부터 보호 필름 및 완충층을 제거하는 것을 더 포함할 수도 있다. 보호 필름 및 완충층은 웨이퍼를 연삭 및/또는 절단하는 것과 같이, 처리한 후에 웨이퍼로부터 제거될 수도 있다.
완충층 및 보호 필름은 개별적으로, 즉 차례로 제거될 수도 있다. 예를 들어, 완충층이 먼저 제거될 수도 있고, 이어서 보호 필름의 제거가 이어진다. 대안적으로, 완충층 및 보호 필름은 함께 제거될 수도 있다.
베이스 시트가 보호 필름에 부착되는 그 정면에 반대쪽에 있는 완충층의 이면에 부착될 수도 있다.
베이스 시트의 재료는 특히 한정되는 것은 아니다. 베이스 시트는 예를 들어, 폴리염화비닐(PVC), 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA) 또는 폴리올레핀과 같은, 예를 들어 폴리머 재료와 같은 연성 또는 유연성 재료로 제조될 수도 있다.
대안적으로, 베이스 시트는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 및/또는 실리콘 및/또는 유리 및/또는 스테인레스강(SUS)과 같은 강성 또는 경성 재료로 제조될 수도 있다.
예를 들어, 베이스 시트가 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 또는 유리로 제조되고 완충층이 외부 자극에 의해 경화 가능하면, 완충층은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)를 통해 투과 가능한 방사선, 예를 들어 UV 방사선으로 경화될 수도 있다. 베이스 시트가 실리콘 또는 스테인레스강(SUS)으로 제조되면, 비용 효율적인 베이스 시트가 제공된다.
또한, 베이스 시트는 상기에 열거된 재료의 조합으로 형성될 수도 있다.
베이스 시트는 180℃ 이상의 온도까지, 바람직하게는 220℃ 이상의 온도까지, 더 바람직하게는 250℃ 이상의 온도까지, 더욱 더 바람직하게는 300℃ 이상의 온도까지 열저항성이 있을 수도 있다.
베이스 시트는 30 내지 1500 ㎛의 범위, 바람직하게는 40 내지 1200 ㎛, 더 바람직하게는 50 내지 1000 ㎛의 범위의 두께를 가질 수도 있다.
완충층 및 베이스 시트는 웨이퍼의 정면측 또는 이면측에 보호 필름을 도포하기 전 또는 후에 보호 필름의 이면에 부착될 수도 있다. 특히, 보호 필름, 완충층 및 베이스 시트는 먼저 적층될 수도 있어, 베이스 시트, 완충층 및 완충층에 부착된 보호 필름을 포함하는 보호 시팅을 형성한다. 이 방식으로 형성된 보호 시팅은 이후에 웨이퍼 정면측 또는 이면측에 도포될 수도 있다.
베이스 시트의 정면은 완충층의 이면과 접촉할 수도 있고, 그 정면에 반대쪽에 있는 베이스 시트의 이면은 보호 필름, 완충층 및 베이스 시트가 도포되는 웨이퍼측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측에 실질적으로 평행할 수도 있다. 따라서, 웨이퍼를 처리할, 예를 들어 연삭 및/또는 절단할 때, 적합한 역압(counter pressure)이 예를 들어, 척 테이블 상에 이 이면을 배치함으로써, 베이스 시트의 이면에 인가될 수 있다.
이 경우에, 베이스 시트의 평면 이면은 보호 필름, 완충층 및 베이스 시트가 도포되는 웨이퍼측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측에 실질적으로 평행하기 때문에, 예를 들어, 연삭 장치의 연삭휠에 의한 그리고/또는 절단 장치의 절단 또는 다이싱 블레이드에 의한, 연삭 및/또는 절단 프로세스와 같은 처리 중에 웨이퍼에 인가된 압력은 웨이퍼에 걸쳐 더 균일하고 균질하게 분포되어, 따라서 웨이퍼의 파괴의 임의의 위험을 최소화한다. 또한, 베이스 시트의 편평한 균일한 이면과 웨이퍼의 각각의 측의 실질적으로 평행한 정렬은 고도의 정밀도로 연삭 및 절단 단계가 수행되게 하여, 따라서 양호하게 규정된 형상 및 크기를 갖는 고품질의 다이 또는 칩의 제조를 성취한다.
방법은 특히, 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측을 연삭한 후에, 일측에 반대쪽에 있는 웨이퍼의 측을 연마 및/또는 에칭, 예를 들어 플라즈마 에칭하는 것을 더 포함할 수도 있다.
이하, 본 발명의 비한정적인 예가 도면을 참조하여 설명된다.
도 1은 본 발명의 방법에 의해 처리될 웨이퍼를 도시하고 있는 단면도.
도 2는 도 1에 도시되어 있는 웨이퍼의 사시도.
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼를 처리하는 방법에서 웨이퍼 재료를 제거하는 단계의 결과를 도시하고 있는 단면도.
도 4a는 웨이퍼 재료를 제거하는 변형된 단계의 결과를 도시하고 있는 웨이퍼의 평면도.
도 4b는 도 3에 도시되어 있는 웨이퍼의 평면도.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼를 처리하는 방법에서 도 1 내지 도 3 및 도 4b에 도시되어 있는 웨이퍼에 보호 필름을 도포하는 단계를 도시하고 있는 단면도.
도 6은 제1 실시예에 따른 방법에서 웨이퍼에 보호 필름을 부착하는 단계를 도시하고 있는 단면도.
도 7은 도 6에 도시되어 있는 부착 단계의 결과를 도시하고 있는 단면도.
도 8은 제1 실시예에 따른 방법에서 보호 필름의 부분을 절단 제거하는 단계를 도시하고 있는 단면도.
도 9는 제1 실시예의 변형예에 따른 방법에서 보호 필름의 부분을 절단 제거하는 단계를 도시하고 있는 단면도.
도 10a는 도 6에 도시되어 있는 부착 단계 후에 웨이퍼의 주연부를 도시하고 있는 확대 단면도.
도 10b는 변형된 부착 단계 후에 웨이퍼의 주연부를 도시하고 있는 확대 단면도.
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 방법에서 웨이퍼에 보호 필름을 부착하는 단계를 도시하고 있는 단면도.
도 12는 도 11에 도시되어 있는 부착 단계의 결과를 도시하고 있는 단면도.
본 발명의 바람직한 실시예들이 이제 첨부 도면을 참조하여 설명될 것이다. 바람직한 실시예들은 웨이퍼(W)를 처리하는 방법에 관한 것이다(도 1 및 도 2 참조).
웨이퍼(W)는 예를 들어, 그 정면측(1)의 표면 상에 형성된 MEMS 디바이스를 갖는 MEMS 웨이퍼일 수 있다(도 1 참조). 그러나, 웨이퍼(W)는 MEMS 웨이퍼에 한정되는 것은 아니고, 또한 그 정면측(1) 상에 형성된, 바람직하게는 솔리드-스테이트 촬상 디바이스로서 CMOS 디바이스를 갖는 CMOS 웨이퍼 또는 정면측(1) 상에 다른 유형의 디바이스를 갖는 웨이퍼일 수도 있다.
웨이퍼(W)는 반도체, 예를 들어 실리콘(Si)으로 제조될 수도 있다. 이러한 실리콘 웨이퍼(W)는 실리콘 기판 상에, IC(integrated circuit: 집적 회로) 및 LSI(large scale integration: 고밀도 집적 회로)와 같은 디바이스를 포함할 수 있다. 대안적으로, 웨이퍼는 예를 들어, 세라믹, 유리 또는 사파이어의 무기 재료 기판 상에, LED(light emitting diode: 발광 다이오드)와 같은 광학 디바이스를 형성함으로써 구성된 광학 디바이스 웨이퍼일 수도 있다. 웨이퍼(W)는 이에 한정되는 것은 아니고, 임의의 다른 방식으로 형성될 수 있다. 더욱이, 또한 전술된 예시적인 웨이퍼 디자인의 조합이 가능하다.
웨이퍼(W)는 ㎛ 범위의, 바람직하게는 625 내지 925 ㎛의 범위의 연삭전 두께를 가질 수 있다.
웨이퍼(W)는 바람직하게는 원형 형상을 나타낸다. 그러나, 웨이퍼(W)의 형상은 특히 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 웨이퍼(W)는 예를 들어, 난형 형상, 타원형 형상 또는 직사각형 형상 또는 정사각형 형상과 같은 다각형 형상을 가질 수도 있다.
웨이퍼(W)는 그 정면측(1) 상에 형성된, 스트리트(street)라 또한 명명되는 복수의 교차 분할선(11)(도 2 참조)을 구비하여, 이에 의해 전술된 것들과 같은 디바이스(27)가 각각 형성되어 있는 복수의 직사각형 구역으로 웨이퍼(W)를 분할한다. 이들 디바이스(27)는 웨이퍼(W)의 디바이스 영역(2)에 형성된다. 원형 웨이퍼(W)의 경우에, 디바이스 영역(2)은 바람직하게는 원형이고 웨이퍼(W)의 외주와 동심으로 배열된다. 웨이퍼(W)는 정면측(1)(도 1 참조)에 반대쪽에 있는 이면측(6)을 더 갖는다.
더욱이, 웨이퍼(W)는 정면측(1)으로부터 이면측(6)으로 연장하여, 따라서 웨이퍼(W)의 원주방향 측면을 형성하는 측방향 에지(5)(도 1 및 도 2 참조)를 갖는다. 측방향 에지(5)는 도 1에 도시된 바와 같이, 반경방향 외향으로 만곡된, 즉 볼록 표면 프로파일을 갖는다. 특히, 측방향 에지(5)는 정면측(1)의 표면 면으로부터 이면측(6)의 표면 평면으로 만곡 방식으로 연장한다. 측방향 에지(5)의 연장 방향은 따라서 웨이퍼(W)의 정면측(1) 및 이면측(6)의 표면 평면으로부터 일탈하고 교차한다.
디바이스 영역(2)은 도 2에 개략적으로 도시되어 있는 바와 같이, 환형 주연 가장자리 영역(3)에 의해 둘러싸인다. 이 주연 가장자리 영역(3)에는, 디바이스가 형성되지 않는다. 주연 가장자리 영역(3)은 바람직하게는 디바이스 영역(2) 및/또는 웨이퍼(W)의 외주에 동심으로 배열된다. 주연 가장자리 영역(3)의 반경방향 연장폭은 mm 범위일 수 있고, 바람직하게는 1 내지 3 mm의 범위이다.
웨이퍼(W)의 디바이스 영역(2)은 웨이퍼(W)의 평면 표면으로부터 돌출하는 복수의 돌기(24)를 갖고 형성된다(도 1 참조). 돌기(24)는 예를 들어, 분리된 칩 또는 다이 내의 다이 영역(2)의 디바이스(27)와 전기 콘택트를 설정하기 위한 범프일 수도 있다. 웨이퍼(W)의 두께 방향에서 돌기(24)의 높이는 예를 들어, 20 내지 500 ㎛의 범위일 수도 있다. 도 2에서, 돌기(24)는 더 양호한 제시성을 위해 생략되어 있다.
이하, 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼(W)를 처리하는 방법이 도 1 내지 도 10b를 참조하여 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 방법에 의해 처리될 웨이퍼(W)의 단면도를 도시하고 있다. 도 2는 도 1에 단면도로 도시되어 있는 웨이퍼(W)의 사시도를 도시하고 있다.
본 실시예의 방법에 있어서, 제1 단계로서, 웨이퍼 재료는 웨이퍼(W)의 정면측(1)으로부터 분할선(11)(도 4a 및 도 4b 참조)을 따라 제거된다. 이 프로세스에서, 웨이퍼 재료는 도 3, 도 4a 및 도 4b에 도시되어 있는 바와 같이, 분할선(11)을 따라 연장하는 홈(28)을 형성하기 위해 웨이퍼(W)의 두께의 단지 일부만을 따라 제거된다.
웨이퍼 재료는 상기에 상세히 설명된 방식으로 분할선(11)을 따라 제거될 수도 있다. 특히, 웨이퍼 재료는 분할선(11)을 따라 기계적으로 제거될 수도 있다. 예를 들어, 웨이퍼 재료는 예를 들어, 블레이드 다이싱 또는 소잉에 의해, 분할선(11)을 따라 웨이퍼(W)를 기계적으로 절단함으로써 분할선(11)을 따라 제거될 수도 있다. 대안적으로 또는 게다가, 웨이퍼 재료는 레이저 절단, 예를 들어 어블레이션 레이저 그루빙(ablation laser grooving)에 의해 그리고/또는 플라즈마 절단에 의해 분할선(11)을 따라 제거될 수도 있다.
도 4a에 도시되어 있는 바와 같이, 분할선(11)을 따라 웨이퍼 재료를 제거하는 프로세스는 홈(28)이 웨이퍼(W)의 측방향 에지(5)로 줄곧 연장하지 않도록 수행될 수도 있다. 이 경우에, 웨이퍼(W)의 주연부에서 웨이퍼 재료가 제거되지 않는 데, 즉 주연부는 미절단 유지된다. 이 미절단된 주연 웨이퍼부의 연장폭은 예를 들어, 웨이퍼(W)의 반경방향에서 대략 3 내지 5 mm일 수도 있다. 이 방식으로, 디바이스 영역(2)은 오염에 대해 특히 신뢰적으로 보호될 수 있다. 특히, 보호 필름은 웨이퍼 표면에 특히 밀접하게 접촉하여 웨이퍼(W)의 주연부에 부착될 수 있어, 따라서 디바이스 영역(2)의 밀봉 효율을 향상시킨다.
그러나, 이 방식으로 웨이퍼 재료를 제거하는 프로세스를 수행하는 것은, 미절단된 주연 웨이퍼부의 존재에 기인하여, 특히 작은 크기를 갖는 칩 또는 다이의 경우에, 웨이퍼(W)로부터 얻어질 수 있는 칩 또는 다이의 수의 감소를 야기할 수도 있다. 더욱이, 이하에 상세히 설명되는 바와 같이, 웨이퍼(W)가 연삭 프로세스에 의해 분할되면, 미절단된 주연 웨이퍼부는 연삭 후에 남아 있고, 부가의 처리 단계에서 제거되어야 하며, 따라서 처리 효율에 영향을 미친다.
따라서, 상기 고려 사항의 견지에서, 도 4b에 도시되어 있는 바와 같이, 홈(28)이 웨이퍼(W)의 측방향 에지(5)로 줄곧 연장하도록 분할선(11)을 따라 웨이퍼 재료를 제거하는 프로세스를 수행하는 것이 바람직하다. 이 방식으로, 정면측(1)의 표면적이 최대로 활용될 수 있어, 웨이퍼(W)로부터 얻어질 수 있는 칩 또는 다이의 수가 최대화되게 한다. 또한, 웨이퍼(W)는 임의의 부가의 처리 단계의 필요 없이, 후속의 연삭 프로세스에서 완전히 분할될 수 있다.
종래의 웨이퍼 처리 방법에서, 측방향 웨이퍼 에지(5)까지의 홈(28)의 연장은 이면측 연삭과 같은, 후속 처리 단계에서 문제점들을 야기할 수도 있다. 특히, 이들 홈(28)은 부스러기, 연삭수 또는 절단수와 같은 오염물을 위한 진입점을 제공할 수도 있다. 따라서, 정면측(1), 특히 디바이스 영역(2)은 웨이퍼(W)의 추가의 처리 중에 오염될 수도 있고, 따라서 최종 칩 또는 다이의 품질에 영향을 미친다. 이들 문제점들은 상기에 상세히 설명되고 제1 실시예에 대해 이하에 더 설명될 것인 바와 같이, 본 발명의 처리 방법에 의해 극복된다.
제1 실시예의 방법에서, 웨이퍼 재료는 분할선(11)을 따라 제거되어, 홈(28)이 웨이퍼(W)의 측방향 에지(5)까지 줄곧 연장하게 된다(도 4b 참조). 그러나, 제1 실시예의 변형예로서, 웨이퍼 재료는 도 4a에 도시되어 있는 방식으로 제거될 수도 있다. 또한, 이 후자의 경우에, 본 발명의 방법은 오염 및 손상에 대한 웨이퍼(W)의 특히 효율적이고 신뢰적인 보호를 제공한다.
상기에 상세히 설명되고 도 3 및 도 4b에 도시되어 있는 방식으로 분할선(11)을 따라 웨이퍼 재료를 제거한 후에, 웨이퍼(W) 상의 디바이스(27)를 커버하기 위한 보호 필름(4)이 웨이퍼(W)의 정면측(1)에 도포된다(도 5 참조). 접착층(9)이 그 이면(4b)에 반대쪽에 있는 보호 필름(4)의 정면(4a)의 부분에 도포된다. 특히, 접착층(9)은 환형 형상을 갖고, 보호 필름(4)의 정면(4a)의 원주 또는 주연 영역에만 제공된다. 원주 또는 주연 영역은 접착제가 존재하지 않는 보호 필름(4)의 정면(4a)의 중앙 영역을 둘러싼다. 접착층(9)은 간단화를 위해 도 7 내지 도 10b에서 생략되어 있다.
도 5에 도시되어 있는 바와 같이, 보호 필름(4)은 웨이퍼(W)의 외경보다 큰 외경을 갖는다. 환형 접착층(9)은 환형 프레임(25)의 내경보다 큰 외경을 갖는다. 또한, 환형 접착층(9)은 웨이퍼(W)의 외경보다 작지만 디바이스 영역(2)의 외경보다 큰 내경을 갖는다. 따라서, 접착층(9)의 접착제는 웨이퍼(W)의 정면측(1)의 주연 가장자리 영역(3)과 그리고 측방향 웨이퍼 에지(5)의 부분과만 접촉하게 되는 것이 신뢰적으로 보장될 수 있다.
웨이퍼(W)에 보호 필름(4)을 도포하기 전에, 보호 필름(4)의 주연부의 최외측 부분은 환형 프레임(25) 상에 장착된다. 보호 필름(4)의 이 부분은 접착층(9)에 의해 환형 프레임(25)에 부착된다. 웨이퍼(W)의 이면측(6)은 웨이퍼 정면측(1)이 상향으로 배향되도록 척 테이블(20)(도 5 참조) 상에 배치된다. 바람직하게는, 척 테이블(20)은 보호 필름(4)이 진공 하에서 웨이퍼(W)에 도포되어 부착될 수 있도록 진공 챔버(도시 생략) 내에 배열된다. 척 테이블(20)은 척 테이블(20)의 주연부에 배열된 환형 스페이서(21)를 구비한다. 환형 스페이서(21)는, 도 5에 실선 화살표에 의해 지시되어 있는 바와 같이, 예를 들어 모터 또는 스프링 기구(도시 생략)에 의해 수직 방향으로 상하 이동 가능하다. 웨이퍼(W)는 환형 스페이서(21)의 중앙 개구 내부에 배치되도록 척 테이블(20) 상에 배치된다. 웨이퍼(W)는 예를 들어, 진공 흡착에 의해 척 테이블(20) 상에 유지될 수도 있다.
그 후에, 도 5에 화살표에 의해 지시되어 있는 바와 같이, 보호 필름(4)은 척 테이블(20) 상에 배치된 웨이퍼(W)의 정면측(1)에 도포되어, 이에 의해 보호 필름(4)의 정면(4a)을 정면측(1)에 그리고 측방향 웨이퍼 에지(5)의 부분에 도포한다. 보호 필름(4)은, 보호 필름(4)의 정면(4a)의 중앙 영역, 즉 환형 접착층(9) 내부의 정면(4a)의 영역이 정면측(1)과 직접 접촉하도록 웨이퍼 정면측(1)에 도포된다. 따라서, 어떠한 재료도, 특히 어떠한 접착제도 보호 필름(4)의 정면(4a)의 중앙 영역과 웨이퍼(W)의 정면측(1) 사이에 존재하지 않는다.
보호 시팅(4)은 도 6에 상부 화살표에 의해 도시되어 있는 바와 같이, 보호 시팅(4)의 이면(4b)에 압력을 인가하여, 이에 의해 보호 필름(4)을 정면측(1) 및 측방향 웨이퍼 에지(5)의 부분에 대해 가압함으로써 웨이퍼 정면측(1)에 부착된다. 이 목적으로, 가압 스탬프(22)(도 6 및 도 7 참조)의 형태의 압력 인가 수단이 사용된다. 바람직하게는, 가압 스탬프(22)는 척 테이블(20)과 함께 진공 챔버(도시 생략) 내에 배열된다.
가압 스탬프(22)는 정면측(1) 및 측방향 웨이퍼 에지(5)의 부분에 대해 보호 시팅(4)을 가압하기 위한 환형 가압 돌기(23)를 갖는다. 환형 가압 돌기(23)는 측방향 웨이퍼 에지(5)의 부분에 대해 보호 시팅(4)을 특히 효율적으로 가압하기 위한 라운딩된 또는 테이퍼진 내주부(26)를 갖는다.
또한, 선택적으로, 가압 스탬프(22)는 보호 필름(4)에 외부 자극을 인가하기 위한 자극 인가 수단(29)을 구비할 수도 있다. 예를 들어, 자극 인가 수단(29)은 보호 필름(4)에 열을 인가하기 위한 열 방사 수단 및/또는 광과 같은 방사선을 보호 필름에 조사하기 위한 조사 수단일 수도 있다.
웨이퍼(W)에 대해 보호 필름(4)을 가압함으로써, 보호 필름(4)은 접착층(9)에 의해 주연 가장자리 영역(3)에 그리고 측방향 웨이퍼 에지(5)의 부분에 부착된다. 구체적으로, 보호 필름(4)의 주연부의 부분은 웨이퍼(W)의 전체 원주를 따라 측방향 에지(5)의 부분에 부착된다. 또한, 웨이퍼(W)의 정면측(1) 상에 돌출하는 돌기(24)는 보호 필름(4) 내에 매립된다. 이 부착 단계의 결과는 도 7에 도시되어 있다.
상기에 상세히 설명된 부착 단계에서, 가압 스탬프(22)의 환형 가압 돌기(23)는 환형 스페이서(21)와 협동한다. 특히, 환형 스페이서(21)의 상부면은, 보호 필름(4)이 가압 스탬프(22)에 의해 웨이퍼(W)에 대해 가압될 때 보호 필름(4)의 주연부의 부분을 위한 지지부로서 역할을 한다. 환형 스페이서(21)는 수직 방향으로 상하 이동 가능하기 때문에, 상부 스페이서면의 수직 위치는 처리될 웨이퍼(W)의 두께 및 형상으로 적합하게 조정될 수 있다. 바람직하게는, 보호 필름(4)의 접착층(9)과 접촉하게 되는 스페이서(21)의 상부면은 비점착성 코팅을 구비하여, 보호 필름(4)이 웨이퍼(W)로의 부착 후에 스페이서(21)로부터 특히 용이하게 제거될 수 있게 된다.
보호 필름(4)은 돌기(24)를 커버하고, 따라서 손상 또는 오염에 대해 이들을 보호한다. 또한, 보호 필름(4)은 이하에 상세히 설명되는 바와 같이, 후속의 연삭 단계에서 부가의 완충부 또는 버퍼로서 작용한다. 보호 필름(4)의 주연부의 부분은 웨이퍼(W)의 전체 원주를 따라 측방향 에지(5)의 부분에 부착되기 때문에, 보호 필름(4)은 주연 웨이퍼부에서 웨이퍼 정면측(1)을 신뢰적으로 밀봉한다. 따라서, 홈(28)이 측방향 에지(5)로 줄곧 연장하는 것에도 불구하고, 부스러기, 연삭수 또는 절단수와 같은 오염물이 정면측(1), 특히 디바이스 영역(2)에 진입하여 오염시키는 것이 방지된다.
접착층(9)을 형성하는 접착제는 열, UV 방사선, 전기장 및/또는 화학제와 같은 외부 자극에 의해 경화 가능할 수도 있다. 이 방식으로, 보호 필름(4)은 처리 후에 웨이퍼(W)로부터 특히 용이하게 제거될 수 있다.
특히, 접착제는 아크릴 수지 또는 에폭시 수지일 수도 있다. 접착제를 위한 UV 경화성 수지의 바람직한 예는 예를 들어, 우레탄 아크릴레이트 올리고머이다. 또한, 접착제는 예를 들어, 수용성 수지일 수도 있다.
보호 필름(4)은 폴리올레핀으로 제조된다. 예를 들어, 보호 필름(4)은 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP) 또는 폴리부틸렌(PB)으로 제조될 수도 있다. 보호 필름(4)은 5 내지 200 ㎛의 범위의 두께를 가질 수도 있다.
보호 필름(4)은 유연성이고, 그 원래 직경의 대략 3배까지 확장 가능하다. 웨이퍼(W)에 보호 필름(4)을 도포할 때, 보호 필름(4)은 돌기(24)의 윤곽을 따르기 위해, 예를 들어 그 원래 직경의 대략 3배까지 팽창된다.
또한, 선택적으로, 웨이퍼(W)의 정면측(1)에 보호 필름(4)을 도포하는 중에 그리고/또는 후에, 외부 자극이 보호 필름(4)에 인가될 수도 있어 보호 필름(4)이 정면측(1)에 완전히 부착되게 된다. 특히, 이 단계는 존재하면, 자극 인가 수단(29)에 의해 수행될 수도 있다.
보호 필름(4)에 외부 자극을 인가하는 것은 보호 필름(4)을 가열하는 것 및/또는 보호 필름(4)을 냉각하는 것 및/또는 보호 필름(4)에 진공을 인가하는 것 및/또는 예를 들어, 광 조사 수단의 형태의 자극 인가 수단(29)을 사용하여, 광과 같은 방사선을 보호 필름(4)에 조사하는 것을 포함하거나 이들로 이루어질 수도 있다.
외부 자극은 화학 화합물 및/또는 전자 또는 플라즈마 조사 및/또는 기계적 처리, 예로서 압력, 마찰 또는 초음파 인가, 및/또는 정전기일 수도 있고 또는 이들을 포함할 수도 있다.
특히 바람직하게는, 보호 필름(4)에 외부 자극을 인가하는 것은 보호 필름(4)을 가열하는 것을 포함하거나 이루어진다. 예를 들어, 보호 필름(4)에 외부 자극을 인가하는 것은 보호 필름(4)을 가열하는 것 및 예를 들어, 진공 챔버(도시 생략) 내에서 보호 필름(4)에 진공을 인가하는 것을 포함하거나 이들로 이루어질 수도 있다. 이 경우에, 진공은 보호 필름(4)을 가열하는 중에 그리고/또는 전에 그리고/또는 후에 보호 필름(4)에 인가될 수도 있다.
특히, 보호 필름(4)은 예를 들어, 60℃ 내지 150℃의 범위의 온도로 척 테이블(20)(도 5 내지 도 7 참조)을 가열함으로써 가열될 수도 있다. 특히 바람직하게는, 척 테이블(20)은 대략 80℃의 온도로 가열된다. 척 테이블(20)은 예를 들어, 1분 내지 10분의 범위의 기간에 걸쳐 가열될 수도 있다. 가열된 척 테이블(20)을 통해 보호 필름(4)을 가열하는 것에 추가하여, 또는 그 대안으로서, 열이 열 인가 수단, 특히 열 방사 수단의 형태의 자극 인가 수단(29)을 사용하여 보호 필름(4)에 인가될 수도 있다.
보호 필름(4)을 가열함으로써, 가열된 척 테이블(20) 및/또는 자극 인가 수단(29)을 사용하여, 보호 필름(4)은 웨이퍼(W)의 정면측(1)에 완전히 부착된다.
특히, 보호 필름(4)의 정면(4a)의 중앙 영역과 웨이퍼(W)의 정면측(1) 사이의 부착력은 가열 프로세스를 통해 발생된다. 특히, 보호 필름(4)을 가열함으로써, 형상 끼워맞춤부 및/또는 재료 접합부가 이 중앙 영역에서 보호 필름(4)과 웨이퍼(W) 사이에 형성된다.
또한, 보호 필름(4)의 정면(4a)의 주연 영역은 접착층(9)에 의해 웨이퍼(W)의 정면측(1)의 주연부에 그리고 측방향 웨이퍼 에지(5)의 부분에 접착되어, 따라서 높은 밀봉 효율을 갖고 보호 필름(4)의 특히 강인한 신뢰적인 부착을 보장한다.
제1 실시예의 변형예에서, 접착층(9)은 생략될 수도 있다. 이 경우에, 보호 필름(4)은 웨이퍼(W)의 정면측(1)에 도포되어, 보호 필름(4)의 정면(4a)이 웨이퍼 정면측(1) 및 측방향 웨이퍼 에지(5)와 접촉하게 되는 전체 구역에서, 보호 필름(4)의 정면(4a)이 정면측(1) 및 측방향 에지(5)와 직접 접촉하게 된다. 따라서, 어떠한 재료도, 특히 어떠한 접착제도 보호 필름(4)의 정면(4a)과 정면측(1)과 측방향 에지(5) 사이에 존재하지 않는다. 이 방식으로, 예를 들어 웨이퍼(W) 상의 접착층 또는 접착제 잔류물의 접착력에 기인하는 웨이퍼(W)의 가능한 오염 또는 손상의 위험이 특히 신뢰적으로 제거될 수 있다. 이 경우에, 보호 필름(4)은 상기에 상세히 설명된 바와 같이, 외부 자극의 인가에 의해 웨이퍼(W)에 부착될 수도 있다.
도 6 및 도 7에 도시되어 있는 방식으로 웨이퍼(W)에 보호 필름(4)을 부착한 후에, 웨이퍼(W)의 원주를 넘어 반경방향으로 연장하는 보호 필름(4)의 부분은 도 8에 점선에 의해 지시되어 있는 바와 같이, 절단 제거된다. 절단은 기계적 절단에 의해, 예를 들어 블레이드 또는 쏘우를 사용하여, 레이저 절단 또는 플라즈마 절단에 의해 수행될 수도 있다. 이들 부분을 절단 제거하는 것은 후속의 연삭 단계에서 웨이퍼(W)의 취급을 용이하게 한다. 특히, 연삭 프로세스를 위해 요구된 처리 공간이 감소될 수 있어, 따라서 처리 효율을 더 향상시킨다.
웨이퍼(W)의 원주를 넘어 반경방향으로 연장하는 보호 필름(4)의 부분은, 도 10a에 도시되어 있는 바와 같이, 보호 필름(4)의 주연부의 부분이 웨이퍼(W)의 전체 원주를 따라 웨이퍼(W)의 측방향 에지(5)의 부분에 부착 유지되도록 절단 제거된다. 이 방식으로, 웨이퍼(W)가 후속 연삭 프로세스에서 안전하게 보호되는 것이 신뢰적으로 보장된다.
보호 필름(4)의 주연부의 부분은 웨이퍼(W)의 두께의 단지 일부, 즉 웨이퍼(W)의 두께의 대략 20%만을 따라 측방향 에지(5)의 부분에 부착된다(도 10a 참조). 웨이퍼(W)의 두께의 이 부분은, 후속의 연삭 프로세스에서 얻어질 웨이퍼(W)의 두께보다 작도록 선택된다. 따라서, 연삭휠과 같은 연삭 장비(도시 생략)가 연삭 중에 보호 필름(4)과 접촉하게 되지 않는 것이 보장된다. 따라서, 연삭휠의 막힘과 같은 이러한 장비로의 임의의 손상이 신뢰적으로 방지될 수 있다.
도 10b는 제1 실시예의 방법의 변형예에 따른 웨이퍼(W)의 주연부를 도시하고 있다. 이 변형예에서, 보호 필름(4)은 디바이스 영역(2)의 외경보다 크지만 웨이퍼(W)의 외경보다 작은 외경을 갖는다. 따라서, 보호 필름(4)의 주연부의 부분은 도 10a에 도시되어 있는 장치에 비교할 때 웨이퍼(W)의 두께의 더 작은 부분, 즉 웨이퍼(W)의 두께의 대략 10%를 따라 측방향 에지(5)의 부분에 부착된다.
제1 실시예의 방법의 다른 변형예가 도 9에 도시되어 있다. 이 변형예에서, 완충층(13) 및 베이스 시트(7)가 웨이퍼(W)에 보호 필름(4)을 부착한 후에 보호 필름(4)에 부착된다. 구체적으로, 완충층(13)은 보호 필름(4)의 이면(4b)에 부착되고, 베이스 시트(7)는 완충층(13)의 이면에 부착된다. 따라서, 완충층(13)의 정면은 보호 필름(4)의 이면(4b)과 접촉하고, 완충층(13)의 이면은 베이스 시트(7)의 정면과 접촉한다.
베이스 시트(7) 및 완충층(13)은 실질적으로 원형 형상을 갖는다. 베이스 시트(7) 및 완충층(13)의 외경은 웨이퍼(W)의 외경보다 크지만 보호 필름(4)의 외경보다 작다. 베이스 시트(7)의 외경은 완충층(13)의 외경보다 약간 크다.
예를 들어, 베이스 시트(7)는 예를 들어, 500 내지 1000 ㎛의 범위의 두께를 가질 수도 있다. 완충층(13)은 예를 들어, 10 내지 300 ㎛, 바람직하게는 50 내지 200 ㎛의 범위의 두께를 가질 수도 있다.
완충층(13)의 재료는 특히 한정되는 것은 아니다. 특히, 완충층(13)은 돌기(24)가 그 내에 매립되게 하는 임의의 유형의 재료로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 완충층(13)은 수지, 접착제, 겔 등으로 형성될 수도 있다.
베이스 시트(7)의 재료는 특히 한정되는 것은 아니다. 베이스 시트(7)는 예를 들어, 폴리염화비닐(PVC), 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA) 또는 폴리올레핀과 같은, 예를 들어 폴리머 재료와 같은 연성 또는 유연성 재료로 제조될 수도 있다.
대안적으로, 베이스 시트(7)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 및/또는 실리콘 및/또는 유리 및/또는 스테인레스강(SUS)과 같은 강성 또는 경성 재료로 제조될 수도 있다.
완충층(13)은 UV 방사선, 열, 전기장 및/또는 화학제와 같은 외부 자극에 의해 경화 가능하다. 특히, 완충층(13)은 DISCO Corporation에 의한 ResiFlat 또는 DENKA에 의한 TEMPLOC과 같은 경화성 수지로 형성될 수도 있다.
완충층(13) 및 베이스 시트(7)는, 돌기(24)가 완충층(13) 내에 매립되고 베이스 시트(7)의 이면(18)이 웨이퍼(W)의 이면측(6)에 실질적으로 평행하도록 보호 필름(4)에 부착된다(도 9 참조). 완충층(13) 및 베이스 시트(7)를 보호 필름(4)에 부착하는 단계는 예를 들어, 진공 챔버와 같은 진공 장착기 내에서, 예를 들어 보호 필름(4)이 웨이퍼(W)에 부착되어 있는 동일한 진공 챔버 내에서 수행될 수 있다.
완충층(13) 및 베이스 시트(7)를 보호 필름(4)에 부착한 후에, 외부 자극이 완충층(13)을 경화, 특히 경성화하기 위해 완충층(13)에 인가된다. 예를 들어, 열 경화 가능한, 예를 들어 열경화성 완충층(13)의 경우에, 완충층(13)은 가열에 의해 경화될 수도 있다. UV 경화성 완충층(13)의 경우에, PET 또는 유리와 같은, 이 유형의 방사선에 투명한 베이스 시트 재료가 사용되면, 완충층(13)은 UV 방사선의 인가에 의해, 예를 들어 베이스 시트(7)를 통해 경화된다.
따라서, 돌기(24)는 경화된 완충층(13) 내에 견고하게 유지되고, 베이스 시트 이면(18)과 웨이퍼 이면측(6)의 실질적으로 평행한 상대 정렬이 추가의 처리, 특히 이면 연삭 전체에 걸쳐 특히 신뢰적으로 유지된다.
그러나, 전술된 완충층(13)을 경화하는 단계는 선택적이라는 것이 주목되어야 한다. 대안적으로, 완충층(13)은 비경화성 접착제, 비경화성 수지 또는 비경화성 겔과 같은 비경화성 재료로 형성될 수도 있고, 또는 완충층(13)은 경화성 재료로 형성되지만 웨이퍼(W)의 처리 방법에서 경화되지 않을 수도 있다.
보호 필름(4)은 웨이퍼(W)의 정면측(1) 상에 형성된 돌기(24)를 커버하고, 따라서 손상 및 오염으로부터, 예를 들어 또한 완충층(13)을 형성하는 재료의 잔류물로부터 돌기(24)를 보호한다. 더욱이, 보호 필름(4)은 웨이퍼(W)의 정면측(1)과 완충층(13) 사이의 부가의 완충부 또는 버퍼로서 기능하고, 따라서 연삭과 같은 추가의 처리 중에 압력의 균일하고 균질한 분포에 또한 기여한다. 따라서, 연삭 프로세스 중에 웨이퍼(W)의 파괴가 특히 신뢰적으로 방지될 수 있다.
완충층(13) 및 베이스 시트(7)를 보호 필름(4)에 부착한 후에 그리고 완충층(13)을 경화한 후에, 이러한 경화 단계가 수행되면, 도 9에 점선에 의해 지시되어 있는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 원주를 넘어 반경방향으로 연장하는 보호 필름(4), 완충층(13) 및 베이스 시트(7)의 부분은 절단 제거된다. 절단은 기계적 절단에 의해, 예를 들어 블레이드 또는 쏘우를 사용하여, 레이저 절단 또는 플라즈마 절단에 의해 수행될 수도 있다. 이들 부분을 절단 제거하는 것은 상기에 상세히 설명된 바와 같이, 후속의 연삭 단계에서 웨이퍼(W)의 취급을 용이하게 한다.
그 후에, 도 8에 도시되어 있는 바와 같이 보호 필름(4)을 절단한 후에 또는 도 9에 도시되어 있는 바와 같이 보호 필름(4), 완충층(13) 및 베이스 시트(7)를 절단한 후에, 웨이퍼(W)의 이면측(6)은 웨이퍼 두께를 조정하도록 연삭된다. 웨이퍼 이면측(6)을 연삭하는 것은 분할선(11)을 따라 웨이퍼(W)를 분할하여, 이에 의해 개별 칩 또는 다이를 얻기 위해, 웨이퍼 재료가 제거되어 있지 않은 웨이퍼(W)의 두께의 나머지 부분을 따라 수행된다.
보호 필름(4)은 연삭 프로세스에서, 오염 및 손상, 예를 들어 웨이퍼 칩핑 또는 파괴로부터 웨이퍼(W), 특히 주연 웨이퍼부를 신뢰적으로 보호한다. 따라서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼(W)로의 손상의 위험을 최소화하면서, 고속으로 작은 두께로 연삭될 수 있다. 날카로운 웨이퍼 에지가 연삭 프로세스 중에 형성되면, 이는 보호 필름(4)에 의해 안전하게 보호된다. 따라서, 웨이퍼(W), 웨이퍼(W)의 분할 후에 발생하는 칩 또는 다이, 및 웨이퍼(W)를 연삭하기 위해 사용된 장비가 이들의 완전성이 손상되지 않는 것이 신뢰적으로 보장될 수 있다. 연삭 전에 웨이퍼(W)의 에지 트리밍과 같은 부가의 처리 단계가 요구되지 않아, 높은 처리 효율이 성취될 수 있게 된다. 또한, 보호 필름(4)의 주연부의 부분이 웨이퍼(W)의 전체 원주를 따라 웨이퍼(W)의 측방향 에지(5)의 부분에 부착되기 때문에(도 10a 및 도 10b 참조), 보호 필름(4)은 주연 웨이퍼부에서 웨이퍼 정면측(1)을 신뢰적으로 밀봉하고, 따라서 연삭 프로세스 중에 연삭 부스러기 및 연삭수와 같은 오염물이 웨이퍼 표면, 특히 디바이스 영역(2)에 진입하여 오염시키는 것을 방지한다.
웨이퍼(W)의 이면측(6)을 연삭한 후에, 이면측(6)은 연마되고 그리고/또는 에칭될, 예를 들어 플라즈마 에칭될 수도 있다.
후속 단계에서, 팽창 테이프와 같은 팽창성 접착 테이프(도시 생략)가 웨이퍼(W)의 연삭된 이면측(6)에 부착될 수도 있다. 접착 테이프의 주연부는 도 5 내지 도 9에 도시되어 있는 환형 프레임(25)과 같은 환형 프레임 상에 장착될 수도 있다.
접착 테이프가 연삭된 웨이퍼 이면측(6)에 부착된 후에, 보호 필름(4) 또는 보호 필름(4), 완충층(13) 및 베이스 시트(7)는, 후자의 2개의 층이 존재하면, 제거될 수도 있다. 접착 테이프는 이어서, 분할된 칩 또는 다이를 서로로부터 이격하여 이동하여, 이에 의해 인접한 칩들 또는 다이들 사이의 거리를 증가시키기 위해, 예를 들어 팽창 드럼 등을 사용하여 반경방향으로 팽창될 수도 있다. 그 후에, 칩 또는 다이는 예를 들어 픽업 디바이스(도시 생략)를 사용함으로써 픽업될 수도 있다.
대안적으로, 칩 또는 다이는 보호 필름(4)으로부터 직접 픽업될 수도 있다. 이러한 픽업 단계 전에, 베이스 시트(7) 및 완충층(13)은, 존재하면, 분할된 웨이퍼(W)로부터 함께 제거될 수도 있어, 칩 또는 다이가 보호 필름(4) 상에 잔류하게 된다. 이 방식으로, 분리된 다이 또는 칩은 특히 간단하고 효율적인 방식으로 보호 필름(4)으로부터 픽업될 수 있다. 예를 들어, 보호 필름(4)은 팽창 드럼 등을 사용하여 반경방향으로 팽창될 수도 있어, 이에 의해 인접한 칩 또는 다이 사이의 간극을 증가시키고 따라서 픽업 프로세스를 용이하게 한다.
완충층(13)은 경화 후에 소정 정도의 압축성, 탄성 및/또는 가요성, 예를 들어 고무와 같은 거동을 나타낼 수도 있어, 따라서 웨이퍼(W)로부터 그 특히 용이한 제거를 허용한다. 대안적으로 또는 부가적으로, 고온수와 같은 다른 외부 자극이 제거 프로세스를 더 용이하게 하기 위해 경화된 완충층(13)을 연화하기 위해, 그 제거 전에 경화된 완충층(13)에 인가될 수도 있다.
이하, 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼(W)를 처리하는 방법이 도 11 및 도 12를 참조하여 설명될 것이다.
제2 실시예의 설명에 있어서, 제1 실시예들의 것들과 유사하거나 동일한 요소는 동일한 도면 부호로 나타내고 그 반복된 상세한 설명은 생략된다.
제2 실시예에 따른 웨이퍼 처리 방법은 실질적으로 단지, 환형 프레임(25)이 생략되는 점에서(도 11 및 도 12 참조)만 제1 실시예에 따른 웨이퍼 처리 방법과 상이하다. 또한, 제2 실시예에서, 보호 필름(4)의 외경은 제1 실시예에서보다 작다. 특히, 제2 실시예의 보호 필름(4)의 외경은 가압 스탬프(22)의 외경보다 작다. 그러나, 또한 제2 실시예의 보호 필름(4)의 외경은, 도 11 및 도 12에 도시되어 있는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 외경보다 크다. 도 12에서, 접착층(9)은 간단화를 위해 생략되어 있다는 것이 주목되어야 한다.
환형 프레임(25)을 생략하는 것은, 적어도 일부 처리 단계에서, 예를 들어 웨이퍼(W)를 수용하고 그리고/또는 취급하기 위해 더 적은 처리 공간이 요구되고, 따라서 처리 효율을 더 향상시키는 장점을 제공할 수도 있다.
제1 실시예에 따른 웨이퍼 처리 방법의 상기 개시내용은 또한 제2 실시예에 따른 웨이퍼 처리 방법에 완전히 적용된다. 제1 실시예에 대해 전술된 각각의 처리 단계는 또한 제2 실시예의 방법에서 실질적으로 동일한 방식으로 수행될 수도 있다.
제1 및 제2 실시예의 방법들에서, 보호 필름(4)은 웨이퍼 정면측(1)에 도포되고 부착되었지만, 보호 필름(4)은 대신에 실질적으로 동일한 방식으로 웨이퍼 이면측(6)에 도포되고 부착될 수도 있다. 이러한 접근법은, 웨이퍼(W)의 두께 방향을 따라 돌출하는 표면 불균일부 또는 조면화부, 범프, 광학 요소 등과 같은 돌기가 웨이퍼 이면측(6)에 존재하면 특히 유리하다. 또한 보호 필름(4)을 웨이퍼 이면측(6)에 도포하는 경우에, 제1 및 제2 실시예에 따른 웨이퍼 처리 방법의 상기 개시내용이 완전히 적용된다.

Claims (10)

  1. 일측(1)에 복수의 디바이스(27)가 있는 디바이스 영역(2)을 갖는 웨이퍼(W)를 처리하는 방법에 있어서,
    보호 필름(4)을 제공하는 단계;
    상기 보호 필름(4)의 정면(4a)의 적어도 중앙 영역이 상기 웨이퍼(W)의 일측(1) 또는 상기 일측(1)에 반대쪽에 있는 상기 웨이퍼(W)의 측(6)과 직접 접촉하여 접착제가 상기 보호 필름(4)의 정면(4a)의 적어도 중앙 영역과 상기 웨이퍼(W)의 일측(1) 또는 상기 일측(1)에 반대쪽에 있는 상기 웨이퍼(W)의 측(6) 사이에 사용되지 않도록 상기 웨이퍼(W)의 일측(1)에 또는 상기 일측(1)에 반대쪽에 있는 상기 웨이퍼(W)의 측(6)에 상기 보호 필름(4)을 도포하는 단계;
    상기 보호 필름(4)의 주연부의 적어도 일부가 상기 웨이퍼(W)의 전체 원주를 따라 상기 웨이퍼(W)의 측방향 에지(5)의 적어도 일부에 부착되도록, 상기 웨이퍼(W)의 일측(1)에 또는 상기 일측(1)에 반대쪽에 있는 상기 웨이퍼(W)의 측(6)에 상기 보호 필름(4)을 부착하는 단계로서, 상기 웨이퍼(W)의 측방향 에지(5)는 상기 웨이퍼(W)의 일측(1)으로부터 상기 일측(1)에 반대쪽에 있는 상기 웨이퍼(W)의 측(6)으로 연장하는 것인, 상기 보호 필름(4)을 부착하는 단계; 및
    상기 웨이퍼(W)의 일측(1) 및 상기 일측(1)에 반대쪽에 있는 상기 웨이퍼(W)의 측(6) 중의 적어도 하나를 처리하는 단계
    를 포함하고,
    상기 웨이퍼(W)의 일측(1)에 또는 상기 일측(1)에 반대쪽에 있는 상기 웨이퍼(W)의 측(6)에 상기 보호 필름(4)을 부착하는 단계는, 상기 웨이퍼(W)의 일측(1)에 또는 상기 일측(1)에 반대쪽에 있는 상기 웨이퍼(W)의 측(6)에 상기 보호 필름(4)을 도포하는 단계 동안이나 그 단계 후에 또는 둘 다에 상기 보호 필름(4)에 외부 자극을 인가하는 단계를 포함하며, 상기 보호 필름(4)에 외부 자극을 인가하는 단계는 상기 보호 필름(4)의 정면(4a)의 중앙 영역과 상기 웨이퍼(W) 사이에 부착력을 발생시키는 것인 웨이퍼의 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보호 필름(4)에 외부 자극을 인가하는 단계는, 상기 보호 필름(4)을 가열하는 것, 상기 보호 필름(4)을 냉각하는 것, 상기 보호 필름(4)에 진공을 인가하는 것, 상기 보호 필름(4)에 광을 조사하는 것 중의 적어도 하나를 포함하는 것인 웨이퍼의 처리 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 보호 필름(4)은 접착층(9)을 구비하고,
    상기 접착층(9)은 상기 보호 필름(4)의 정면(4a)의 주연 영역에만 제공되고, 상기 주연 영역은 상기 보호 필름(4)의 정면(4a)의 중앙 영역을 둘러싸고,
    상기 보호 필름(4)은, 상기 접착층(9)이, 상기 웨이퍼(W)의 일측(1)의 주연부나 상기 일측(1)에 반대쪽에 있는 상기 웨이퍼(W)의 측(6)의 주연부와만 또는 상기 웨이퍼(W)의 측방향 에지(5)의 적어도 일부와만 접촉하게 되도록, 또는 상기 웨이퍼(W)의 일측(1)의 주연부나 상기 일측(1)에 반대쪽에 있는 상기 웨이퍼(W)의 측(6)의 주연부 및 상기 웨이퍼(W)의 측방향 에지(5)의 적어도 일부와만 접촉하게 되도록, 상기 웨이퍼(W)의 일측(1)에 또는 상기 일측(1)에 반대쪽에 있는 상기 웨이퍼(W)의 측(6)에 도포되는 것인 웨이퍼의 처리 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 접착층(9)은 환형 형상, 개방 직사각형 형상 또는 개방 정사각형 형상을 갖는 것인 웨이퍼의 처리 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    적어도 하나의 분할선(11)이 상기 웨이퍼(W)의 일측(1) 상에 형성되고,
    상기 방법은, 상기 웨이퍼(W)의 일측(1)에 또는 상기 일측(1)에 반대쪽에 있는 상기 웨이퍼(W)의 측(6)에 상기 보호 필름(4)을 도포하는 단계 전에, 상기 웨이퍼(W)의 일측(1)으로부터 상기 적어도 하나의 분할선(11)을 따라 웨이퍼 재료를 제거하는 단계를 포함하고,
    상기 웨이퍼 재료는 상기 웨이퍼(W)의 두께의 단지 일부만을 따라 제거되는 것인 웨이퍼의 처리 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 보호 필름(4)은 상기 웨이퍼(W)의 일측(1)에 도포되어 부착되고,
    상기 방법은, 상기 일측(1)에 반대쪽에 있는 상기 웨이퍼(W)의 측(6)을 처리하는 단계를 포함하고,
    상기 일측(1)에 반대쪽에 있는 상기 웨이퍼(W)의 측(6)을 처리하는 단계는, 웨이퍼 두께를 조정하기 위해 상기 일측(1)에 반대쪽에 있는 상기 웨이퍼(W)의 측(6)을 연삭하는 단계를 포함하고,
    상기 일측(1)에 반대쪽에 있는 상기 웨이퍼(W)의 측(6)을 연삭하는 단계는, 상기 적어도 하나의 분할선(11)을 따라 상기 웨이퍼(W)를 분할하도록, 웨이퍼 재료가 제거되지 않은 상기 웨이퍼(W)의 두께의 나머지 부분을 따라 수행되는 것인 웨이퍼의 처리 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 완충층(13)이, 상기 보호 필름(4)의 정면(4a)에 반대쪽에 있는 상기 보호 필름(4)의 이면(4b)에 부착되는 것인 웨이퍼의 처리 방법.
  8. 제7항에 있어서, 베이스 시트(7)가 상기 완충층(13)의 이면에 부착되는 것인 웨이퍼의 처리 방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 보호 필름(4)은 폴리머로 제조되는 것인 웨이퍼의 처리 방법.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 보호 필름(4)은 폴리올레핀으로 제조되는 것인 웨이퍼의 처리 방법.
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