JP7266398B2 - 切削装置及び切削装置を用いたウエーハの加工方法 - Google Patents

切削装置及び切削装置を用いたウエーハの加工方法 Download PDF

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Description

本発明は、切削装置及び切削装置を用いたウエーハの加工方法に関する。
近年、電子機器の軽薄短小化の要求に伴い、半導体デバイスが形成された半導体ウエーハ(以下ウエーハという)の薄化が進んでいる。この種のウエーハの外周縁は表面から裏面に亘りR形状に面取りされているため、ウエーハの裏面を研削して薄化すると、外周縁が所謂ナイフエッジ状態となり、研削中のウエーハの外周縁に欠けが発生しやすいという問題がある。この問題を解決するために、予めウエーハのデバイス面側に外周縁に沿った環状溝を形成するエッジトリミング技術が開発されている(例えば、特許文献1参照)。
一方、この種のエッジトリミングでは、所定の幅にウエーハの外周縁が除去されていないと、R形状が残ってしまう恐れがあるため、外周縁の環状溝の幅を検出する機能を備えた切削装置が考案されている(例えば、特許文献2参照)。
特開2007-152906号公報 特開2013-149822号公報
しかしながら、従来の技術は、撮像手段を用いてウエーハの外周縁の環状溝を所定角度間隔で撮影し、この撮影画像に基づいて環状溝の幅の要否を検査していたため、ウエーハの外周縁の所定ポイントを撮像手段の下方にその都度位置づける必要があり、検査に要する時間が長くなっていた。また、所定角度間隔ごとに撮影しているため、環状溝を全周に亘って検査することができず、検査効率の向上が要望されていた。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ウエーハの外周縁全周に形成された環状溝の検査効率の向上を図った切削装置及び切削装置を用いたウエーハの加工方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る切削装置は、切削ブレードが装着されるスピンドルを有しウエーハの外周縁を切削して環状溝を形成する切削ユニットと、ウエーハを回転可能に保持する保持部と、一列に並ぶ受光素子が該保持部に保持された該ウエーハの該環状溝に対面し該環状溝の幅方向に沿って配置されるラインスキャンカメラと、該保持部を回転させながら該環状溝を撮像した該ラインスキャンカメラが出力する信号から該ウエーハの外周縁全周の該環状溝の画像を構成し、該画像から該環状溝の幅及び欠けを検出する検査部と、該検査部の検査結果が予め登録した許容範囲を外れた場合に警告情報を発信する警告部と、を備え、該保持部が、該ウエーハの外周縁を保持した状態で該ウエーハを回転自在に保持するとともに、該ウエーハの周方向に間隔をあけて複数備えられ、該ラインスキャンカメラが、該複数の保持部と該ウエーハの周方向に間隔あけて配置されているとともに、該受光素子が該環状溝の幅方向と該ウエーハの表面とに沿って複数配置され、一部の受光素子が該ウエーハの表面と該表面に直交する方向に対向して該ウエーハの該環状溝の上方に延在する撮像時の位置と、該ウエーハの上方から退避する位置と亘って進退自在に構成されているものである。
また、本発明は、上記切削装置を用いて、表面から裏面に至る面取り部が外周縁に形成されたウエーハの外周縁を切削するウエーハの加工方法であって、該ウエーハを保持面で保持し、該ウエーハの外周縁に該切削ブレードを切り込ませながら該保持部を回転させ、該外周縁に該環状溝を形成する円形切削ステップと、該円形切削ステップの実施後、ウエーハを回転可能に保持する保持部に保持された該ウエーハの該環状溝に対面する位置に該ラインスキャンカメラを位置付け、該ウエーハを撮影しつつ該保持部を回転させ、該ウエーハ外周縁全周の画像を撮影する撮影ステップと、該撮影ステップで撮影した該画像を該検査部で検査し、該検査部の検査結果が予め登録した許容範囲を外れた結果が出た場合警告情報を発信する検査ステップと、を備えるものである。
前記ウエーハの加工方法は、該検査ステップを実施した後、該ウエーハのノッチを基準に該許容範囲内に入らなかった該幅及び該欠けの位置を該切削装置の記憶部に記憶してもよい。
本発明によれば、ラインスキャンカメラを用いて環状溝を撮影することで、保持部を回転させながらウエーハの外周縁全周の環状溝を短時間で撮影することが可能であり、環状溝を全周に亘って効率的に検査することができる。
図1は、本実施形態に係る切削装置の一例を示す斜視図である。 図2は、ウエーハを保持したチャックテーブルを示す断面図である。 図3は、ウエーハの外周縁を保持したエッジクランプと外周縁を撮影するラインスキャンカメラとを模式的に示す平面図である。 図4は、本実施形態に係るウエーハの加工方法の手順を示すフローチャートである。 図5は、円形切削ステップを示す側断面図である。 図6は、洗浄ステップを示す側断面図である。 図7は、撮影ステップを示す側断面図である。 図8は、撮影ステップにおける撮影領域の一例を示す図である。 図9は、撮影された複数の画像情報から形成されたウエーハの外周縁全周分の画像の一例を示す図である。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
本実施形態に係る切削装置を図面に基づいて説明する。図1は、本実施形態に係る切削装置の一例を示す斜視図である。図2は、ウエーハを保持したチャックテーブルを示す断面図である。図3は、ウエーハの外周縁を保持したエッジクランプと外周縁を撮影するラインスキャンカメラとを模式的に示す平面図である。なお、図3では、ウエーハの表面に形成されるデバイスなどを省略している。
ウエーハ100は、例えば、シリコン、サファイア、SiC(炭化ケイ素)又はガリウムヒ素などを母材とする円板形状の半導体デバイスウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハ100は、図1及び図2に示すように、上面(表面)101に格子状に形成された分割予定ライン102を有し、この分割予定ラインで区画された各領域にIC、LSI等のデバイス103が形成されている。また、図2に示すように、ウエーハ100の外周縁104は、上面101から下面(裏面)105に亘って円弧状(R形状)に面取りされている。ウエーハ100の外周縁104の一部には、結晶方位の識別マークであるノッチ106が形成されている。
本実施形態に係る切削装置1は、ウエーハ100の面取りされた外周縁104の上面101側に外周縁104に沿った環状溝を形成(エッジトリミング加工)するとともに、形成された環状溝の幅が所定の基準範囲内にあるか否かを検査する機能を備える装置である。切削装置1は、図1に示すように、装置本体2を有し、この装置本体2の上面2aにはカセット載置台3を備えている。カセット載置台3は昇降可能となっており、このカセット載置台3にはウエーハ100が複数収容されるカセット4を載置可能となっている。
装置本体2のX軸方向前部には、カセット4に対してウエーハ100の搬出及び搬入を行う搬送ロボット6が設けられている。搬送ロボット6は、ウエーハ100を保持するロボットハンド6aと、ロボットハンド6aを所望の位置に移動させるアーム部6bとを備えている。搬送ロボット6は、図示しない搬送機構によりY軸方向に移動可能となっている。
装置本体2の上面2aのX軸方向後部には、X軸方向に移動可能な移動基台7が設けられており、この移動基台7の経路を跨ぐようにして門型フレーム5が立設されている。移動基台7には、後述する切削ブレード18の先端形状を平坦にドレスするためのドレスボードを保持するドレスボード保持手段8と、ウエーハ100を保持し自転可能なチャックテーブル(保持部)10と、チャックテーブル10をX軸方向に加工送りする加工送り手段13とが設けられている。
チャックテーブル10は、その周縁部においてウエーハ100の下面105の外周縁104側を保持するリング状の保持面11を有しており、図2に示すように、保持面11の内側の領域がウエーハ100の下面105と接触しない凹状の空間12となっている。チャックテーブル10には、保持面11に開口した吸引口14が形成されており、この吸引口14はバルブ15を介して吸引源16に接続されている。加工送り手段13は、図示は省略するが、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじと、このボールねじを軸心回りに回転させる周知のモータと、チャックテーブル10をX軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレールとを備えて構成される。
また、切削装置1は、図1に示すように、チャックテーブル10に保持されたウエーハ100の外周縁104をそれぞれ切削する一対の切削ユニット17a,17bを備える。これら切削ユニット17a,17bは、チャックテーブル10を挟んで対向配置されている。一方の切削ユニット17aは、ウエーハ100の上面101を外周縁104に沿って切削して、外周縁104に後述する環状溝107を形成する切削ブレード18と、Y軸方向の軸心を有し切削ブレード18を回転させるスピンドル19とを少なくとも有している。他方の切削ユニット17bも切削ユニット17aと同様の構成となっている。なお、ウエーハ100を切削する際に、2つの切削ユニット17a,17bを同時に稼働させなくてもよいが、同時に稼働させることもできる。
門型フレームのX軸方向前方には、切削ユニット17aをZ軸方向に切り込み送りする切り込み手段20aと、切削ユニット17aをY軸方向に割り出し送りする割り出し送り手段25aと、切削ユニット17bをZ軸方向に切り込み送りする切り込み送り手段20bと、切削ユニット17bをY軸方向に割り出し送りする割り出し送り手段25bとが儲かられている。切り込み送り手段20aは、Z軸方向に延びるボールねじ21と、ボールねじ21の一端に接続されたモータ22と、ボールねじ21と平行にのびる一対のガイドレール23と、切削ユニット17aに連結された昇降板24とを備えている。昇降板24の一方の面には一対のガイドレール23が摺接し、昇降板24の中央部に形成された図示しないナットにボールねじ21が螺合している。そして、モータ22がボールねじ21を回動させることにより、昇降板24と共に切削ユニット17aを所定の送り速度でZ軸方向に昇降させることができる。なお、切り込み送り手段20bも切り込み送り手段20aと同様の構成となっているため、切り込み送り手段20bを構成する各部位には切り込み送り手段20aと同一の符号を付し、その説明を省略する。
割り出し送り手段25a及び割り出し送り手段25bは、それぞれY軸方向に延びるボールねじ26と、それぞれのボールねじ26に接続されたモータ27と、ボールねじ26と平行にのびるガイドレール28と、一方の面に切り込み送り手段20aと切り込み送り手段20bとが連結されるとともに切削ユニット17a及び切削ユニット17bをそれぞれY軸方向に移動させる移動板29と、を備えている。移動板29の他方の面には一対のガイドレール28が摺接し、移動板29の中央部に形成された図示しないナットにボールねじ26が螺合している。モータ27によって駆動されボールねじ26が回動すると、移動板29と共に切削ユニット17a及び切削ユニット17bをY軸方向に割り出し送りすることができる。
切削装置1は、加工後のウエーハ100を洗浄する洗浄手段30と、チャックテーブル10から洗浄手段30へ加工後のウエーハ100を搬送する搬送パッド9とが配設されている。洗浄手段30は、ウエーハ100を保持し自転するとともに昇降可能なスピンナーテーブル31と、洗浄水をスピンナーテーブル31に保持されたウエーハに供給する洗浄水ノズル32とを少なくとも備えている。
装置本体2の上面2aの中央部には、カセット載置台3と洗浄手段30との間に、ウエーハ100の外周縁に形成された環状溝の幅(溝幅)を検査する検査領域200が設けられている。この検査領域200において、切削装置1は、ウエーハ100の外周縁104をクランプ(保持)する複数(少なくとも3つ)のエッジクランプ(保持部)40と、エッジクランプ40に保持された加工後のウエーハ100の外周縁104に形成された環状溝107を撮像するラインスキャンカメラ50とを備えている。
複数のエッジクランプ40のすべて又はどれかは、図3に示すように、ウエーハ100の外周縁104付近にて半径方向に移動自在に設けられている。また、エッジクランプ40は、略円柱状に形成されて高さ方向の中央部が周方向に横向きV字状に窪んでいる。また、エッジクランプ40は、装置本体2の上面2a上にそれぞれ水平面内で回転駆動自在に支持されており、ウエーハ100の厚みに関係なく外周縁104を点接触状態でクランプ可能に構成されている。従って、エッジクランプ40は、ウエーハ100の外周縁104をクランプした状態で回転自在に保持することができる。
ラインスキャンカメラ50は、図3に示すように、ウエーハ100の上方に外周縁104の環状溝107と対面して配置される細長い筐体50Aを備え、この筐体50Aの長手方向はエッジクランプ40に保持されたウエーハ100の半径方向に沿って延在する。この筐体50Aの長手方向には、複数のCCDイメージセンサやCMOSイメージセンサなどの撮像素子(受光素子)が一列横並びに内蔵される。このため、ラインスキャンカメラ50の複数の撮像素子はウエーハ100の環状溝107の幅方向に沿って配置され、ラインスキャンカメラ50は、エッジクランプ40に保持されたウエーハ100を回転させつつ、ウエーハ100の環状溝107を1ラインずつ撮影する。ラインスキャンカメラ50は、少なくとも環状溝107の幅よりも長いものが用いられている。また、ラインスキャンカメラ50は、上記した半径方向に進退自在に構成され、撮影時にはウエーハ100の環状溝107の上方に延在し、エッジクランプ40に対するウエーハ100の着脱時にはウエーハ100の上方から退避するのが好ましい。また、ラインスキャンカメラ50は、撮影時に環状溝107を照射する光源51を備える。ラインスキャンカメラ50で撮影された複数の画像情報(信号)は、切削装置1が備える制御ユニット60に出力される。
制御ユニット60は、図1に示すように、演算処理部61と、記憶部62と、検査部63と、警告部64とを備える。演算処理部61は、CPU(central processing unit)のようなマイクロプロセッサを備えて構成され、コンピュータプログラムを実行して、切削装置1の動作を制御するため、及び、環状溝107の検査動作を制御するための各種制御信号を生成する。生成された制御信号は入出力インタフェース(不図示)を介して切削装置1の各構成要素に出力される。記憶部62は、各種情報、特に、ラインスキャンカメラ50から出力された画像情報を記憶する。ラインスキャンカメラ50は、回転するウエーハ100の外周縁104の全周に亘って環状溝107を撮影し、これら画像情報を順次出力するため、記憶部62は、少なくとも外周縁104全周分の画像情報を記憶する。
検査部63は、演算処理部61の制御下で、記憶部62に記憶された画像情報からウエーハ100の外周縁104全周分の画像を形成し、この画像から環状溝107の幅や環状溝107の領域の欠け(チッピング)の有無、大きさを検査する。警告部64は、検査部63が検査した環状溝107の幅や欠けの大きさを予め登録された許容範囲と比較する。そして、警告部64は、環状溝107の幅や欠けの大きさが許容範囲内にあれば正常に加工されていると判定する。また、警告部64は、演算処理部61の制御下で、環状溝107の幅や欠けの大きさが許容範囲を外れた場合には正常に加工されていないと判定して警告情報を発信する。警告情報としては、例えば、警告ランプを点灯したり警告音を発報したりする。また、切削装置1が備える操作パネル上に加工異常のメッセージを表示してもよい。
次に、上記した切削装置1を用いてウエーハ100を加工する加工方法について説明する。図4は、本実施形態に係るウエーハの加工方法の手順を示すフローチャートである。本実施形態に係るウエーハの加工方法は、ウエーハ100の外周縁104に環状溝107を形成し、この環状溝107を検査するものである。ウエーハの加工方法は、図4に示すように、円形切削ステップST1と、洗浄ステップST2と、撮影ステップST3と、検査ステップST4とを備える。
(円形切削ステップ)
図5は、円形切削ステップを示す側断面図である。円形切削ステップST1は、チャックテーブル10に保持されたウエーハ100の外周縁104に切削ブレードを切り込ませながらチャックテーブル10を回転させ、外周縁104に環状溝107を形成するステップである。本実施形態では、一方の切削ユニット17aのみで環状溝107を形成する場合について説明する。
まず、ウエーハ100をチャックテーブル10に保持する。この場合、図1に示す搬送ロボット6を用いて、カセット4から加工前のウエーハ100を取り出し、このウエーハ100の下面105をチャックテーブル10の保持面11に載置する。続いて、図2に示すバルブ15を開くとともに吸引源16の吸引力を保持面11に作用させ、保持面11でウエーハ100を吸引保持する。このとき、空間12に面したウエーハ100の下面105は非接触のため、ゴミ等が付着することがない。
ウエーハ100がチャックテーブル10に保持されると、移動基台7(図1)を用いて、チャックテーブル10を切削ユニット17aの下方に移動させ、図5に示すように、ウエーハ100の外周縁104に環状溝107を形成する。具体的には、切削ユニット17aの下方に移動したチャックテーブル10を例えば矢印A方向に回転させる。切削ユニット17aは、スピンドル19を回転させることにより、切削ブレード18を例えば矢印E方向に所定の回転速度で回転させながら、切り込み送り手段20a(図1)を用いて、切削ユニット17aをZ軸方向に下降させ、チャックテーブル10に保持されたウエーハ100の外周縁104に回転する切削ブレード18を切り込ませる。こうして切削ブレード18によってウエーハ100の外周縁104に円弧状に形成された面取りの一部を除去して所望の幅及び深さの環状溝107を形成する。なお、切削ユニット17aをZ軸方向に下降させて切削ブレード18をウエーハ100の外周縁104切り込ませる他、予め切削ユニット17aを所定の切り込み高さに位置づけた後、チャックテーブル10をX軸方向に移動させて切削ブレード18をウエーハ100の外周縁104切り込ませてもよい。
(洗浄ステップ)
図6は、洗浄ステップを示す側断面図である。洗浄ステップST2は、環状溝107が切削加工されたウエーハ100を洗浄するステップである。円形切削ステップST1を実施した後、搬送パッド9は、チャックテーブル10から加工後のウエーハ100を洗浄手段30のスピンナーテーブル31に搬送する。図6に示すように、スピンナーテーブル31にウエーハ100を載置したら、バルブ15aを開き、吸引源16aの吸引力によってウエーハ100をスピンナーテーブル31の保持面31aにおいて吸引保持する。その後、スピンナーテーブル31を所定の回転速度で、例えば矢印B方向に回転させながら、スピンナーテーブル31に保持されたウエーハ100に向けて洗浄水ノズル32から洗浄水33を供給し、ウエーハ100の洗浄を行う。洗浄終了後は、スピンナーテーブル31を洗浄時より高速で回転させ、高圧エアーを噴出するなどして、ウエーハ100を乾燥させる。なお、洗浄ステップST2では、洗浄水ノズル32をウエーハ100の上面(表面)101上を移動させて該上面101全面に洗浄水を供給してもよい。
(撮影ステップ)
図7は、撮影ステップを示す側断面図である。図8は、撮影ステップにおける撮影領域の一例を示す図である。撮影ステップST3は、ラインスキャンカメラ50を用いて、ウエーハ100を回転させながら該ウエーハ100の外周縁104全周分の環状溝107の画像を撮影するステップである。
洗浄ステップST2を実施した後、環状溝107が所望の溝幅となっているかどうかを検査するために、搬送ロボット6を用いてスピンナーテーブル31から洗浄後のウエーハ100を搬出し、このウエーハ100を検査領域200に搬送する。ウエーハ100が検査領域200に搬送されると、図3に示すように、各エッジクランプ40が半径方向に縮小するように移動し、ウエーハ100の外周縁104をクランプして固定する。また、エッジクランプ40がそれぞれ回転し、ウエーハ100を例えば図中矢印方向に回転させる。
次に、ラインスキャンカメラ50は、図3及び図7に示すように、ウエーハ100の半径方向に移動されて、環状溝107と対面する位置に位置付けられる。各エッジクランプ40を回転駆動させてウエーハ100を回転させつつ、ラインスキャンカメラ50は、例えば、ノッチ106(図3)から再びノッチ106が到達するまで外周縁104全周分の環状溝107を撮影する。ラインスキャンカメラ50は、筐体50A内に一列に並んだ複数の撮像素子50Bを備え、これら撮像素子50Bは、ウエーハ100の半径方向に並んでいる。このため、ラインスキャンカメラ50は、図8に示すように、ウエーハ100の回転に合わせて、撮像素子50Bの1ラインに相当する撮影領域80ずつ環状溝107を順次撮影する。この撮影領域80は、環状溝107の半径方向に延在し、少なくとも環状溝107の溝内周エッジ107Aとウエーハ100の外周縁104との間の溝底107Bを含む。各撮影領域80に対応する画像情報は記憶部62に出力され、記憶部62は外周縁104全周分の画像情報を記憶する。
(検査ステップ)
検査ステップST4は、記憶部62に記憶された画像情報からウエーハ100の外周縁104全周分の画像を形成し、この画像から環状溝107の幅や環状溝107の領域の欠けの有無、大きさを検査するステップである。図9は、撮影された複数の画像情報から形成されたウエーハの外周縁全周分の画像の一例を示す図である。ウエーハ100の外周縁104全周分の画像90は、図9に示すように、撮影領域80に対応する画像情報を繋げて形成される。この画像90に基づいて、検査部63は、環状溝107の幅Lや環状溝107の領域の欠け108の有無、及び欠け108の大きさを検査する。環状溝107の幅Lは、環状溝107の溝内周エッジ107Aとウエーハ100の外周縁104との間の半径方向の長さをいう。また、環状溝107の領域の欠け108は、例えば、環状溝107の溝内周エッジ107Aに生じた欠損箇所であり、欠け108の大きさDは、欠け108の半径方向の長さをいう。
検査部63は、環状溝107の幅Lが予め登録された許容範囲内であるかどうかを判断する。具体的には、検査部63は、ウエーハ100の環状溝107の幅Lの最大値と最小値とを全周分の値から読み出し、この最大値及び最小値が許容範囲内であるかどうかを判断する。また、検査部63は、環状溝107の領域に欠け108が生じているか否か、生じている場合には、欠け108の大きさDが予め登録された許容範囲内であるかどうかを判断する。この欠け108の大きさDは、ウエーハ100(環状溝107)の径方向だけでなく、周方向の長さ(大きさ)を含んでもよい。
これらの判断において、環状溝107の幅Lや欠け108の大きさDが許容範囲を外れた場合には、環状溝107が正常に加工されていないと判定し、警告部64は警告情報を発信する。警告情報としては、例えば、警告ランプを点灯したり警告音を発報したりする。また、切削装置1が備える操作パネル上に加工異常のメッセージを表示してもよい。環状溝107の幅Lや欠け108の大きさDが許容範囲を外れた場合には、切削ブレード18の先端形状に偏磨耗が発生している可能性があるため、図1に示したドレスボード保持手段8に保持されたドレスボードに回転する切削ブレード18を切り込ませてドレスを行って目立てをしたり、フラットドレスによって切削ブレード18の先端の形状を整えることができる。また、切削ブレード18の偏磨耗の程度によっては、新品の切削ブレード18に交換してもよい。
検査ステップST4を実施した後、搬送ロボット6によって検査領域200からウエーハ100を搬出し、このウエーハ100をカセット4に収容する。なお、検査ステップST4を実施して、環状溝107の幅Lや欠け108の大きさDが許容範囲内に入らなかったウエーハ100は、不良のウエーハとしてカセット4の何段目に収容されたかを切削装置1の記憶部62に記憶させておく。あわせてノッチ106を基準にどの位置の幅Lや欠け108の大きさDが許容範囲内に入らなかったのかについても記憶することができる。また、環状溝107の幅Lや欠け108の大きさDが許容範囲内に入らなかったウエーハ100を元々収容されていたカセット4とは別のカセットに収容してもよい。
以上、説明したように、本実施形態に係る切削装置1は、切削ブレード18が装着されるスピンドル19を有しウエーハ100の外周縁104を切削して環状溝107を形成する切削ユニット17a、17bと、ウエーハ100を回転可能に保持するエッジクランプ40と、一列に並ぶ撮像素子50Bがエッジクランプ40に保持されたウエーハ100の環状溝107に対面し、環状溝107の幅方向に沿って配置されるラインスキャンカメラ50と、エッジクランプ40を回転させながら環状溝107を撮像したラインスキャンカメラ50が出力する信号からウエーハ100の外周縁104全周の環状溝107の画像90を構成し、この画像90から環状溝107の幅L及び欠け108の有無や大きさDを検出する検査部63と、検査部63の検査結果が予め登録した許容範囲を外れた場合に警告情報を発信する警告部64とを備える。この構成によれば、ラインスキャンカメラ50を用いて環状溝107を撮影することで、エッジクランプ40を回転させながらウエーハ100の外周縁104の全周の環状溝107を短時間で撮影することが可能であり、環状溝107を全周に亘って効率的に検査することができる。
発明者の実験によれば、従来のエリアカメラを用いて、環状溝107を所定角度間隔で複数個所(例えば36カ所)撮影する場合には、所定の撮影ポイントをエリアカメラの下方にその都度位置づける必要があるため、36カ所を撮影するのに150秒要していた。また、この構成では、所定角度間隔ごとに撮影するため、外周縁104の全周の環状溝107を検査することができなかった。これに対して、ラインスキャンカメラ50を用いた本実施形態の構成によれば、エッジクランプ40を用いて、ウエーハ100を所定速度(5mm/s)で回転させた場合に、外周縁104の全周の環状溝107を12.6秒という従来の1/10以下の時間で撮影することができた。
これにより、ウエーハ100ごとに環状溝107の幅Lや欠け108の大きさDが許容範囲内であるかどうかを判断してウエーハ100が不良であるかどうかを簡単、かつ、迅速に検出できるため、製品の生産性をより向上させることができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、上記実施形態では、ウエーハ100はエッジクランプ40で回転させた状態でラインスキャンカメラ50によって、外周縁104の全周を撮影したが、チャックテーブル(保持部)10にウエーハ100を保持した状態でラインスキャンカメラ50がウエーハ100の環状溝107に対面するように移動する構成としてもよい。
すなわち、切削ユニット17a、17bを用いて、ウエーハ100の外周縁104に環状溝107を形成する円形切削ステップST1の後、ウエーハ100を移動させることなく、チャックテーブル10(ウエーハ100)を回転させた状態で、ウエーハ100の環状溝107に対面するようにラインスキャンカメラ50を移動させて外周縁104の全周を撮影してもよい。この構成によれば、ウエーハ100を移動させずに、切削後にそのままチャックテーブル10上で検査することができるため、検査の時間的効率がよい。
1 切削装置
10 チャックテーブル(保持部)
17a、17b 切削ユニット
18 切削ブレード
30 洗浄手段
40 エッジクランプ(保持部)
50 ラインスキャンカメラ
50A 筐体
50B 撮像素子(受光素子)
60 制御ユニット
63 検査部
64 警告部
80 撮影領域
90 画像
100 ウエーハ
101 上面(表面)
104 外周縁
105 下面(裏面)
107 環状溝
108 欠け
200 検査領域

Claims (4)

  1. 切削ブレードが装着されるスピンドルを有しウエーハの外周縁を切削して環状溝を形成する切削ユニットと、
    ウエーハを回転可能に保持する保持部と、
    一列に並ぶ受光素子が該保持部に保持された該ウエーハの該環状溝に対面し該環状溝の幅方向に沿って配置されるラインスキャンカメラと、
    該保持部を回転させながら該環状溝を撮像した該ラインスキャンカメラが出力する信号から該ウエーハの外周縁全周の該環状溝の画像を構成し、該画像から該環状溝の幅及び欠けを検出する検査部と、
    該検査部の検査結果が予め登録した許容範囲を外れた場合に警告情報を発信する警告部と、を備え、
    該保持部が、該ウエーハの外周縁を保持した状態で該ウエーハを回転自在に保持するとともに、該ウエーハの周方向に間隔をあけて複数備えられ、
    該ラインスキャンカメラが、該複数の保持部と該ウエーハの周方向に間隔あけて配置されているとともに、該受光素子が該環状溝の幅方向と該ウエーハの表面とに沿って複数配置され、一部の受光素子が該ウエーハの表面と該表面に直交する方向に対向して該ウエーハの該環状溝の上方に延在する撮像時の位置と、該ウエーハの上方から退避する位置と亘って進退自在に構成されている切削装置。
  2. 該ウエーハのノッチを基準に該許容範囲内に入らなかった該幅及び該欠けの位置を記憶する記憶部を備える請求項1に記載の切削装置。
  3. 請求項1又は請求項2に記載の切削装置を用いて、表面から裏面に至る面取り部が外周縁に形成されたウエーハの外周縁を切削するウエーハの加工方法であって、
    該ウエーハを保持面で保持し、該ウエーハの外周縁に該切削ブレードを切り込ませながら該保持部を回転させ、該外周縁に該環状溝を形成する円形切削ステップと、
    該円形切削ステップの実施後、ウエーハを回転可能に保持する保持部に保持された該ウエーハの該環状溝に対面する位置に該ラインスキャンカメラを位置付け、該ウエーハを撮影しつつ該保持部を回転させ、該ウエーハ外周縁全周の画像を撮影する撮影ステップと、
    該撮影ステップで撮影した該画像を該検査部で検査し、該検査部の検査結果が予め登録した許容範囲を外れた結果が出た場合に警告情報を発信する検査ステップと、を備える切削装置を用いたウエーハの加工方法。
  4. 該検査ステップを実施した後、該ウエーハのノッチを基準に該許容範囲内に入らなかった該幅及び該欠けの位置を該切削装置の記憶部に記憶する請求項3に記載のウエーハの加工方法。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210125726A (ko) * 2020-04-09 2021-10-19 삼성전자주식회사 웨이퍼 트리밍 장치
TWM600933U (zh) * 2020-05-07 2020-09-01 鈦昇科技股份有限公司 晶圓裝卸機
EP3919578A1 (en) 2020-06-02 2021-12-08 Nitto Denko Corporation Pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor processing
JP2022042948A (ja) * 2020-09-03 2022-03-15 ダイア アンド コー インコーポレイテッド 原石を100面体にカッティングして高強度の宝石を取得するシステム
JP2022148902A (ja) * 2021-03-24 2022-10-06 Towa株式会社 加工装置、及び加工品の製造方法
TWI756142B (zh) * 2021-06-15 2022-02-21 博磊科技股份有限公司 基板切斷裝置及基板切斷裝置的作動方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007096091A (ja) 2005-09-29 2007-04-12 Disco Abrasive Syst Ltd ウェハ加工方法
JP2010030007A (ja) 2008-07-30 2010-02-12 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置及びスクラッチ検出装置
JP2011009626A (ja) 2009-06-29 2011-01-13 Olympus Corp 基板検査方法および基板検査装置
JP2015023239A (ja) 2013-07-23 2015-02-02 株式会社ディスコ 加工装置
JP2018161733A (ja) 2017-03-27 2018-10-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3662130B2 (ja) * 1998-11-19 2005-06-22 東芝セラミックス株式会社 半導体インゴット切断装置およびこれを用いた切断方法
JP4252740B2 (ja) * 2001-06-04 2009-04-08 東京エレクトロン株式会社 膜形成方法及び膜形成装置
TW559937B (en) * 2002-10-21 2003-11-01 Uni Tek System Inc Dicing process flow with forced rotation of wafer
JP2004179211A (ja) * 2002-11-25 2004-06-24 Nec Kansai Ltd レジスト塗布装置のエッジリンス機構
JP4774286B2 (ja) 2005-12-08 2011-09-14 株式会社ディスコ 基板の切削加工方法
TWI478272B (zh) * 2007-08-15 2015-03-21 尼康股份有限公司 A positioning device, a bonding device, a laminated substrate manufacturing device, an exposure device, and a positioning method
DE102007042271B3 (de) * 2007-09-06 2009-02-05 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zur Bestimmung der Lage der Entlackungskante eines scheibenförmigen Objekts
JP2009194346A (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 Kenichi Kojima 単軸駆動アライナー
JP4918537B2 (ja) * 2008-12-11 2012-04-18 日東電工株式会社 半導体ウエハの保護テープ剥離方法および保護テープ剥離装置
JP2013149822A (ja) 2012-01-20 2013-08-01 Disco Abrasive Syst Ltd エッジトリミング方法
DE102013219468B4 (de) * 2013-09-26 2015-04-23 Siltronic Ag Verfahren zum gleichzeitigen Trennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Werkstück
JP6255238B2 (ja) * 2013-12-27 2017-12-27 株式会社ディスコ 切削装置
JP6654435B2 (ja) * 2016-01-07 2020-02-26 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
CN113290484B (zh) * 2018-02-08 2023-04-25 株式会社东京精密 切割装置、切割方法以及切割带

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007096091A (ja) 2005-09-29 2007-04-12 Disco Abrasive Syst Ltd ウェハ加工方法
JP2010030007A (ja) 2008-07-30 2010-02-12 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置及びスクラッチ検出装置
JP2011009626A (ja) 2009-06-29 2011-01-13 Olympus Corp 基板検査方法および基板検査装置
JP2015023239A (ja) 2013-07-23 2015-02-02 株式会社ディスコ 加工装置
JP2018161733A (ja) 2017-03-27 2018-10-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

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