JP4861061B2 - ウエーハの外周部に形成される環状補強部の確認方法および確認装置 - Google Patents

ウエーハの外周部に形成される環状補強部の確認方法および確認装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4861061B2
JP4861061B2 JP2006154334A JP2006154334A JP4861061B2 JP 4861061 B2 JP4861061 B2 JP 4861061B2 JP 2006154334 A JP2006154334 A JP 2006154334A JP 2006154334 A JP2006154334 A JP 2006154334A JP 4861061 B2 JP4861061 B2 JP 4861061B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
annular reinforcing
outer peripheral
reinforcing portion
grinding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2006154334A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007320001A (ja
Inventor
一馬 関家
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2006154334A priority Critical patent/JP4861061B2/ja
Priority to CN2007101065501A priority patent/CN101083219B/zh
Publication of JP2007320001A publication Critical patent/JP2007320001A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4861061B2 publication Critical patent/JP4861061B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Description

本発明は、表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハの裏面における該デバイス領域を研削して所定厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における該外周余剰領域に対応する領域が残存して形成された環状の補強部の幅寸法を確認する方法および確認装置に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
上述したように分割されるウエーハは、ストリートに沿って切断する前に裏面を研削またはエッチングによって所定の厚さに形成される。近年、電気機器の軽量化、小型化を達成するためにウエーハの厚さを50μm以下に形成することが要求されている。
しかるに、ウエーハの厚さを50μm以下に形成すると破損し易くなり、ウエーハの搬送等の取り扱いが困難になるという問題がある。
上述した問題を解消するために本出願人は、ウエーハの裏面におけるデバイス領域に対応する領域を研削してデバイス領域の厚さを所定厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における外周余剰領域を残存させて環状の補強部を形成することにより、薄くなったウエーハの搬送等の取り扱いを容易にしたウエーハの加工方法を特願2005−165395号として提案した。
而して、ウエーハの外周余剰領域はその幅が外周縁から2mm前後と狭いため、研削装置によってウエーハの裏面におけるデバイス領域に対応する領域を研削する際に、ウエーハを保持するチャックテーブルの回転中心とウエーハの中心とが合致していないと、均一な幅の環状の補強部を形成することができない。ウエーハの外周余剰領域に形成する環状の補強部が均一な幅でない場合には、環状の補強部の幅が大きい領域においてはデバイス領域の厚さが所定の厚さに研削されないという問題がある。従って、環状の補強部の幅が許容範囲内に形成されているか否か確認できることが望ましい。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハの外周余剰領域に形成された環状の補強部の幅が許容範囲内に形成されているか否かを容易に確認することができる外周部に形成される環状補強部の確認方法および確認装置を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハの裏面における該デバイス領域に対応する領域を研削して所定厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における該外周余剰領域に対応する領域が残存して形成された環状の補強部の幅寸法を確認するウエーハの外周部に形成される環状補強部の確認方法であって、
裏面に環状の補強部が形成されたウエーハの表面側を回転可能に構成された保持テーブルに保持し、該保持テーブルを所定角度回動する毎に撮像手段によって環状の補強部を撮像し、環状の補強部の幅が許容範囲より大きい領域が存在するか否かを確認する、
ことを特徴とするウエーハの外周部に形成される環状補強部の確認方法が提供される。
また、本発明によれば、表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハの裏面における該デバイス領域に対応する領域を研削して所定厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における該外周余剰領域に対応する領域が残存して形成された環状の補強部の幅寸法を確認するウエーハの外周部に形成される環状補強部の確認装置において、
ウエーハを保持し回転可能に構成された保持テーブルと該保持テーブルの回動位置を検出するテーブル位置検出手段を備えた保持テーブル機構と、
該保持テーブルに保持されたウエーハの外周領域を撮像する撮像手段と、
該撮像手段によって撮像された画像情報に基づいてウエーハの外周領域に形成された環状の補強部の幅寸法を求め、該幅寸法が許容範囲より大きい領域が存在するか否かを判定する制御手段と、具備している、
ことを特徴とするウエーハの外周部に形成される環状補強部の確認装置が提供される。
本発明によれば、ウエーハの外周部に形成される環状の補強部の幅が許容範囲より大きい領域が存在するか否かを確認することができるので、環状の補強部の幅寸法が許容範囲より大きい領域が存在する場合には、デバイス領域の一部が所定の厚さに形成されていないので、不良品と判定し、再度研削して修正することができる。従って、デバイスの不良品の発生を防止することができる。
以下、本発明によるウエーハの外周部に形成される環状補強部の確認方法および確認装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。
図1には、本発明に従って構成されたウエーハの外周部に形成される環状補強部の確認装置を装備した研削装置の斜視図が示されている。
図示の実施形態における研削装置は、略直方体状の装置ハウジング2を具備している。装置ハウジング2の図1において右上端には、静止支持板21が立設されている。この静止支持板21の内側面には、上下方向に延びる2対の案内レール22、22および23、23が設けられている。一方の案内レール22、22には荒研削手段としての荒研削ユニット3が上下方向に移動可能に装着されており、他方の案内レール23、23には仕上げ研削手段としての仕上げ研削ユニット4が上下方向に移動可能に装着されている。
荒研削ユニット3は、ユニットハウジング31と、該ユニットハウジング31の下端に回転自在に装着されたホイールマウント32に装着された研削ホイール33と、該ユニットハウジング31の上端に装着されホイールマウント32を矢印32aで示す方向に回転せしめる電動モータ34と、ユニットハウジング31を装着した移動基台35とを具備している。研削ホイール33は、環状の砥石基台331と、該砥石基台331の下面に装着された荒研削用の研削砥石332とによって構成されている。移動基台35には被案内レール351、351が設けられており、この被案内レール351、351を上記静止支持板21に設けられた案内レール22、22に移動可能に嵌合することにより、荒研削ユニット3が上下方向に移動可能に支持される。図示の形態における荒研削ユニット3は、上記移動基台35を案内レール22、22に沿って移動させ研削ホイール33を研削送りする研削送り機構36を具備している。研削送り機構36は、上記静止支持板21に案内レール22、22と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド361と、該雄ねじロッド361を回転駆動するためのパルスモータ362と、上記移動基台35に装着され雄ねじロッド361と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ362によって雄ねじロッド361を正転および逆転駆動することにより、荒研削ユニット3を上下方向(後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向)に移動せしめる。
上記仕上げ研削ユニット4も荒研削ユニット3と同様に構成されており、ユニットハウジング41と、該ユニットハウジング41の下端に回転自在に装着されたホイールマウント42に装着された研削ホイール43と、該ユニットハウジング41の上端に装着されホイールマウント42を矢印42aで示す方向に回転せしめる電動モータ44と、ユニットハウジング41を装着した移動基台45とを具備している。研削ホイール43は、環状の砥石基台431と、該砥石基台431の下面に装着された仕上げ研削用の研削砥石432とによって構成されている。
上記移動基台45には被案内レール451、451が設けられており、この被案内レール451、451を上記静止支持板21に設けられた案内レール23、23に移動可能に嵌合することにより、仕上げ研削ユニット4が上下方向に移動可能に支持される。図示の形態における仕上げ研削ユニット4は、上記移動基台45を案内レール23、23に沿って移動させ研削ホイール43を研削送りする研削送り送り機構46を具備している。研削送り送り機構46は、上記静止支持板21に案内レール23、23と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド461と、該雄ねじロッド461を回転駆動するためのパルスモータ462と、上記移動基465に装着され雄ねじロッド461と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ462によって雄ねじロッド461を正転および逆転駆動することにより、仕上げ研削ユニット4を上下方向(後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向)に移動せしめる。
図示の実施形態における研削装置は、上記静止支持板21の前側において装置ハウジング2の上面と略面一となるように配設されたターンテーブル5を具備している。このターンテーブル5は、比較的大径の円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によって矢印5aで示す方向に適宜回転せしめられる。ターンテーブル5には、図示の実施形態の場合それぞれ120度の位相角をもって3個のチャックテーブル6が水平面内で回転可能に配置されている。このチャックテーブル6は、円盤状の基台61とポーラスセラミック材によって円盤状に形成され吸着保持チャック62とからなっており、吸着保持チャック62上(保持面)に載置されたウエーハを図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持する。このように構成されたチャックテーブル6は、図1に示すように図示しない回転駆動機構によって矢印6aで示す方向に回転せしめられる。ターンテーブル5に配設された3個のチャックテーブル6は、ターンテーブル5が適宜回転することによりウエーハ搬入・搬出域A、荒研削加工域B、および仕上げ研削加工域Cおよびウエーハ搬入・搬出域Aに順次移動せしめられる。
図示の研削装置は、ウエーハ搬入・搬出域Aに対して一方側に配設され研削加工前のウエーハをストックする第1のカセット7と、ウエーハ搬入・搬出域Aに対して他方側に配設され研削加工後のウエーハをストックする第2のカセット8と、第1のカセット7とウエーハ搬入・搬出域Aとの間に配設され第1のカセット7から搬出されたウエーハを載置する保持テーブル機構9と、該保持テーブル機構9の上方に配置され保持テーブル機構9に保持されたウエーハを撮像する撮像手段11と、ウエーハ搬入・搬出域Aと第2のカセット8との間に配設されたスピンナー洗浄手段12と、第1のカセット7内に収納されたウエーハを保持テーブル機構9に搬出するとともにスピンナー洗浄手段12で洗浄されたウエーハを第2のカセット8に搬送するウエーハ搬送手段13と、保持テーブル9上に載置されたウエーハをウエーハ搬入・搬出域Aに位置付けられたチャックテーブル6上に搬送するウエーハ搬入手段14と、ウエーハ搬入・搬出域Aに位置付けられたチャックテーブル6上に載置されている研削加工後のウエーハを洗浄手段12に搬送するウエーハ搬出手段15を具備している。
上記第1のカセット7には、図2に示す半導体ウエーハが収容される。図2に示す半導体ウエーハ10は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面10aに複数のストリート101が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート101によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス102が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ10は、デバイス102が形成されているデバイス領域104と、該デバイス領域104を囲繞する外周余剰領域105を備えている。なお、外周余剰領域105の幅は、2〜3mmに設定されている。このように構成された半導体ウエーハ10は、図3に示すように表面10aに保護部材100が貼着された状態で第1のカセット7に複数枚収容される。このとき、半導体ウエーハ10は、裏面10bを上側にして収容される。
上記保持テーブル機構9は、図4に示すように上面が保持面91aとして機能する保持テーブル91と、該保持テーブル91の下面中心に設けられた回転軸92と、該回転軸92を回転せしめるパルスモータ93とからなっており、該パルスモータ93の駆動軸931と回転軸92が伝動連結されている。なお、保持テーブル91には保持面91aに開口する吸引孔911が設けられており、この吸引孔911が図示しない吸引手段に連通されている。保持テーブル機構9を構成するパルスモータ93の駆動軸931には、保持テーブル91の回動位置を検出するテーブル位置検出手段としてのロータリーエンコーダ94が装着されており、このロータリーエンコーダ94はその検出信号を制御手段200に送る。
上記撮像手段11は、図1に示すように保持テーブル機構9に隣接して配設された支持部材110に取り付けられている。この撮像手段11は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子(CCD)等を備え、保持テーブル91の保持面91a上に載置されたウエーハの外周部を撮像するようになっている。このように構成された撮像手段11は、図4に示すように撮像した画像情報を制御手段200に送る。
図4を参照して説明を続けると、制御手段200は、上記撮像手段11やロータリーエンコーダ94からの検出信号に基づいて後述するようにウエーハの外周部に形成される環状の補強部の幅が許容範囲内に形成されているか否かを確認制御を実行する。また、制御手段200は、上記保持テーブル機構9のパルスモータ93、スピンナー洗浄手段12、ウエーハ搬送手段13、ウエーハ搬出手段15、荒研削ユニット3、ウエーハ搬入手段14、仕上げ研削ユニット4、ターンテーブル5、チャックテーブル6等を制御するとともに、表示手段16に上記確認結果を表示する。
図示の実施形態における研削装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
第1のカセット7に収容された研削加工前の半導体ウエーハ10はウエーハ搬送手段13の上下動作および進退動作により保持テーブル機構9を構成する保持テーブル91の保持面91a上に載置される。次に、ウエーハ搬入手段14を作動し保持テーブル9の保持面91a上に載置された半導体ウエーハ10を保持して、ウエーハ搬入・搬出域Aに位置付けられたチャックテーブル6の吸着保持チャック62上に載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ10をチャックテーブル6上に吸引保持する。
上述したように、ウエーハ搬入・搬出域Aに位置付けられたチャックテーブル6の上面(保持面)に半導体ウエーハ10を吸引保持したならば、ターンテーブル5を図示しない回転駆動機構によって矢印5aで示す方向に120度回動せしめて、半導体ウエーハ10を載置したチャックテーブル6を荒研削加工域Bに位置付ける。ここで、チャックテーブル6に保持された半導体ウエーハ10と研削ホイール33を構成する荒研削用の研削砥石332の関係について、図5を参照して説明する。チャックテーブル6の回転中心P4と研削砥石332の回転中心P5は偏芯しており、研削砥石332の外径は、半導体ウエーハ10のデバイス領域104と余剰領域105との境界線106の直径より小さく境界線106の半径より大きい寸法に設定され、環状の研削砥石332がチャックテーブル6の回転中心P4(半導体ウエーハ10の中心P2)を通過するようになっている。
次に、図5に示すようにチャックテーブル6を矢印6aで示す方向に300rpmで回転しつつ、研削砥石332を矢印32aで示す方向に6000rpmで回転せしめるとともに、研削送り機構36を作動して研削ホイール33の研削砥石332を半導体ウエーハ10の裏面に接触させる。そして、研削ホイール33を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。この結果、半導体ウエーハ10の裏面には、図6に示すようにデバイス領域104に対応する領域が荒研削除去されて所定厚さ(例えば30μm)より僅かに厚い円形状の凹部104bに形成されるとともに、外周余剰領域105に対応する領域が残存されて環状の補強部105bに形成される(凹部荒研削工程)。
なお、この間にウエーハ搬入・搬出域Aに位置付けられた次のチャックテーブル6上には、研削加工前の半導体ウエーハ10が上述したように中心位置合わせされて載置される。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ10をチャックテーブル6上に吸引保持する。次に、ターンテーブル5を矢印5aで示す方向に120度回動せしめて、荒研削加工された半導体ウエーハ10を保持しているチャックテーブル6を仕上げ研削加工域Cに位置付け、研削加工前の半導体ウエーハ10を保持したチャックテーブル6を荒研削加工域Bに位置付ける。
このようにして、荒研削加工域Bに位置付けられたチャックテーブル6上に保持された荒研削加工前の半導体ウエーハ10の裏面10bには荒研削ユニット3によって上述した荒研削加工が施され、仕上げ研削加工域Cに位置付けられたチャックテーブル6上に載置され荒研削加工された半導体ウエーハ10の裏面10bには仕上げ研削ユニット4によって仕上げ研削加工が施される。
ここで、仕上げ研削加工について、図7を参照して説明する。
仕上げ研削用の研削砥石432の外径は、上記荒研削用の研削砥石332と同一寸法に形成されている。そして、図7に示すように仕上げ研削用の研削砥石432をチャックテーブル6の回転中心P4(半導体ウエーハ10の中心P2)を通過するように位置付ける。このとき、研削砥石432の外周縁は、上記荒研削加工によって形成された環状の補強部105bの内周面に接触するように位置付けられる。
次に、図7に示すようにチャックテーブル6を矢印6aで示す方向に300rpmで回転しつつ、仕上げ研削用の研削砥石432を矢印42aで示す方向に6000rpmで回転せしめるとともに、研削送り機構46を作動して研削ホイール43の研削砥石432を半導体ウエーハ10の裏面に形成された円形状の凹部104bの底面に接触させる。そして、研削ホイール43を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。この結果、半導体ウエーハ10の裏面に形成された円形状の凹部104bの底面が仕上げ研削され、デバイス領域104に対応する領域は所定厚さ(例えば30μm)に形成される(凹部仕上げ研削工程)。
上述したように、荒研削加工域Bにおいて荒研削加工された半導体ウエーハ10を保持したチャックテーブル6は仕上げ研削加工域Cに、被加工物搬入・搬出域Aにおいて研削加工前の半導体ウエーハ10を保持したチャックテーブル6は荒研削加工域Bにそれぞれ移動せしめられる。なお、荒研削加工域Bおよび仕上げ研削加工域Cを経由して被加工物搬入・搬出域Aに戻ったチャックテーブル6は、ここで仕上げ研削加工された半導体ウエーハ10の吸着保持を解除する。そして、被加工物搬入・搬出域Aに位置付けられたチャックテーブル6上の仕上げ研削加工された半導体ウエーハ10は、被加工物搬出手段15によって洗浄手段12に搬出される。洗浄手段12に搬送された半導体ウエーハ10は、ここで裏面10a(研削面)および側面に付着している研削屑が洗浄除去されるとともに、スピン乾燥される。
洗浄手段12によって洗浄・乾燥された半導体ウエーハ10は、上述したように研削加工によって形成された環状の補強部105bの幅寸法が許容範囲内か否かを確認するために、上記保持テーブル機構9を構成する保持テーブル91に搬送される。即ち、被加工物搬送手段13を作動して、洗浄手段12によって洗浄・乾燥された半導体ウエーハ10を保持テーブル機構9を構成する保持テーブル9の保持面91a上に載置する。そして、図示しない吸引手段を作動して、半導体ウエーハ10を保持テーブル91の保持面91a上に吸引保持する。
保持テーブル機構9を構成する保持テーブル91の保持面91a上に半導体ウエーハ10を吸引保持したならば、図8に示すように撮像手段11を作動して半導体ウエーハ10の外周部を撮像しつつ保持テーブル機構9を構成するパルスモータ93を図8において矢印9aで示す方向に回転する。そして、撮像手段11は、保持テーブル91が所定回転角度回動する都度撮像して、その画像情報を制御手段200に送る(撮像工程)。この撮像工程は、保持テーブル91が1回転する間実施する。なお、このとき、撮像手段11には細いスリット111を備えたマスク110を装着して撮像することが望ましい。
制御手段200は、撮像手段11から送られた画像情報に基づいて、半導体ウエーハ10の外周部に形成された環状の補強部105bの各撮像位置の幅寸法Dを検出する。この幅寸法Dは、撮像手段11から送られた画像情報における上記マスク111に形成されたスリット111a内の環状の補強部105bに位置する画素数によって求めることができる。このようにして、環状の補強部105bの幅寸法Dを検出したならば、制御手段200は幅寸法Dが許容範囲より大きい領域が存在するか否かをチェックする。そして、制御手段200は、環状の補強部105bの各撮像位置の幅寸法Dが全て許容範囲内であれば、環状の補強部105bが形成された半導体ウエーハ10は良品であると判定し、判定結果を表示手段16に表示する。一方、制御手段200は、環状の補強部105bの幅寸法Dが許容範囲より大きい領域が存在する場合には、不良品と判定し、判定結果を表示手段16に表示する。以上のように、保持テーブル機構9と撮像手段11および制御手段200は、ウエーハの裏面における外周部に形成された環状の補強部の幅寸法を確認するための確認装置として機能する。
上述したように、環状の補強部105bが形成された半導体ウエーハ10の良否が確認されたならば、半導体ウエーハ10は被加工物搬送手段13によって第2のカセット8に搬送され収納される。
なお、上述したように研削して半導体ウエーハ10の裏面におけるデバイス領域104に対応する領域を円形状の凹部104bに形成されるとともに、外周余剰領域105に対応する領域を残存させて環状の補強部105bを形成すると、環状の補強部105bの幅寸法Dが許容範囲外である場合には、許容範囲より大きい領域と許容範囲より小さい領域が互いに180度の位相をもって存在することになる。環状の補強部105bの幅寸法Dが許容範囲より小さい領域はデバイス領域104が所定の厚さに形成されているが、環状の補強部105bの幅寸法Dが許容範囲より大きい領域はデバイス領域104の一部が所定の厚さに形成されていない。従って、不良品と判定された半導体ウエーハ10については、上述した研削作業を実施して修正する。この結果、デバイスの不良品の発生を防止することができる。
本発明に従って構成されたウエーハの外周部に形成される環状補強部の確認装置を装備した研削装置の斜視図。 図1に示す研削装置によって加工される半導体ウエーハの斜視図 図2に示す半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着した状態を示す斜視図。 図1に示す研削装置に装備されるウエーハの外周部に形成される環状補強部の確認装置の構成ブロック図。 図1に示す研削装置によって実施される凹部荒研削工程の示す説明図。 図6に示す凹部荒研削工程が実施された半導体ウエーハの拡大断面図。 図1に示す研削装置によって実施される凹部仕上げ研削工程の示す説明図。 図1に示す研削装置によって実施される撮像工程の説明図。
符号の説明
2:装置ハウジング
3:荒研削ユニット
33:研削ホイール
332:研削砥石
4:仕上げ研削ユニット
43:研削ホイール
432:研削砥石
5:ターンテーブル
6:チャックテーブル
7:第1のカセット
8:第2のカセット
9:保持テーブル機構
91:保持テーブル
93:パルスモータ
94:ロータリーエンコーダ
10:半導体ウエーハ
11:撮像手段
12:洗浄手段
13:ウエーハ搬送手段
14:ウエーハ搬入手段
200:制御手段

Claims (2)

  1. 表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハの裏面における該デバイス領域に対応する領域を研削して所定厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における該外周余剰領域に対応する領域が残存して形成された環状の補強部の幅寸法を確認するウエーハの外周部に形成される環状補強部の確認方法であって、
    裏面に環状の補強部が形成されたウエーハの表面側を回転可能に構成された保持テーブルに保持し、該保持テーブルを所定角度回動する毎に撮像手段によって環状の補強部を撮像して、環状の補強部の幅が許容範囲内に形成されているか否かを確認する、
    ことを特徴とするウエーハの外周部に形成される環状補強部の確認方法。
  2. 表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハの裏面における該デバイス領域に対応する領域を研削して所定厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における該外周余剰領域に対応する領域が残存して形成された環状の補強部の幅寸法を確認するウエーハの外周部に形成される環状補強部の確認装置において、
    ウエーハを保持し回転可能に構成された保持テーブルと該保持テーブルの回動位置を検出するテーブル位置検出手段を備えた保持テーブル機構と、
    該保持テーブルに保持されたウエーハの外周領域を撮像する撮像手段と、
    該撮像手段によって撮像された画像情報に基づいてウエーハの外周領域に形成された環状の補強部の幅寸法を求め、該幅寸法が許容範囲内か否かを判定する制御手段と、具備している、
    ことを特徴とするウエーハの外周部に形成される環状補強部の確認装置。
JP2006154334A 2006-06-02 2006-06-02 ウエーハの外周部に形成される環状補強部の確認方法および確認装置 Active JP4861061B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006154334A JP4861061B2 (ja) 2006-06-02 2006-06-02 ウエーハの外周部に形成される環状補強部の確認方法および確認装置
CN2007101065501A CN101083219B (zh) 2006-06-02 2007-06-01 形成在晶片外周部的环状加强部的确认方法及确认装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006154334A JP4861061B2 (ja) 2006-06-02 2006-06-02 ウエーハの外周部に形成される環状補強部の確認方法および確認装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007320001A JP2007320001A (ja) 2007-12-13
JP4861061B2 true JP4861061B2 (ja) 2012-01-25

Family

ID=38853218

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006154334A Active JP4861061B2 (ja) 2006-06-02 2006-06-02 ウエーハの外周部に形成される環状補強部の確認方法および確認装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4861061B2 (ja)
CN (1) CN101083219B (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5324232B2 (ja) * 2009-01-08 2013-10-23 日東電工株式会社 半導体ウエハのアライメント装置
CN101973076B (zh) * 2010-10-15 2012-08-15 北京石晶光电科技股份有限公司济源分公司 石英晶片切角大规模精确校正工艺
JP2012121096A (ja) * 2010-12-08 2012-06-28 Disco Corp 研削装置
JP6246533B2 (ja) * 2013-09-06 2017-12-13 株式会社ディスコ 研削装置
JP6791579B2 (ja) * 2016-09-09 2020-11-25 株式会社ディスコ ウェーハ及びウェーハの加工方法
US9891039B1 (en) * 2017-03-14 2018-02-13 Globalfoundries Inc. Method and device for measuring plating ring assembly dimensions
JP7233308B2 (ja) * 2019-05-31 2023-03-06 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58171260A (ja) * 1982-04-02 1983-10-07 Nippon Seiko Kk 定寸制御方法
JPH05121384A (ja) * 1991-10-25 1993-05-18 Nec Kansai Ltd 半導体装置の製造方法
JPH05240620A (ja) * 1992-02-26 1993-09-17 Sumitomo Metal Ind Ltd 管の外径・肉厚測定装置
KR0125307B1 (ko) * 1994-06-27 1997-12-10 김주용 절연막의 깨짐현상을 방지하기 위한 더미 패턴 형성방법
US5935322A (en) * 1997-04-15 1999-08-10 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. Method of pulling up a single crystal semiconductor
JPH11353481A (ja) * 1998-06-05 1999-12-24 Sumitomo Metal Ind Ltd 画像処理方法、画像処理装置及びこれを用いた画像処理システム
JP2000074651A (ja) * 1998-08-27 2000-03-14 Yoshikawa Sangyo Kk コンクリート供試体の測定装置とこれを用いた測定方法
US6162702A (en) * 1999-06-17 2000-12-19 Intersil Corporation Self-supported ultra thin silicon wafer process
JP2001030141A (ja) * 1999-07-23 2001-02-06 Toshiba Corp 薄肉管の加工方法とその装置
JP2004205288A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Mori Seiki Co Ltd 計測装置及びこれを備えた精度解析装置
JP2005123425A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Toshiba Corp 半導体基板の製造方法、半導体基板及び半導体装置の製造方法
JP4310579B2 (ja) * 2003-11-14 2009-08-12 ユアサテクノ株式会社 機上計測装置
JP4456421B2 (ja) * 2004-06-22 2010-04-28 株式会社ディスコ 加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007320001A (ja) 2007-12-13
CN101083219A (zh) 2007-12-05
CN101083219B (zh) 2010-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5073962B2 (ja) ウエーハの加工方法
KR101266373B1 (ko) 절삭장치
JP2009123790A (ja) 研削装置
JP4861061B2 (ja) ウエーハの外周部に形成される環状補強部の確認方法および確認装置
JP5117686B2 (ja) 研削装置
JP5001074B2 (ja) ウエーハの搬送機構
JP2004207606A (ja) ウェーハサポートプレート
JP2008053341A (ja) ウエーハの加工方法
US20200185241A1 (en) Cutting apparatus and wafer processing method using cutting apparatus
JP2000084811A (ja) ウェーハ面取り装置
CN110571147B (zh) 晶片的加工方法和磨削装置
JP5436876B2 (ja) 研削方法
KR20190111764A (ko) 연삭 장치
KR20220080705A (ko) 웨이퍼 제조 장치
JP5373496B2 (ja) 切削溝検出装置および切削加工機
JP2011054808A (ja) ウエーハの加工方法及び該加工方法により加工されたウエーハ
JP4903445B2 (ja) 切削ブレードの切り込み確認方法
JP7408306B2 (ja) 切削装置
JP2012175022A (ja) ウエーハ加工装置
JP5723563B2 (ja) 位置合わせ方法
JP5261125B2 (ja) チャックテーブルの原点高さ位置検出方法
JP2009090402A (ja) 切削装置
JP4342807B2 (ja) アライメント方法およびアライメント装置
JP5654782B2 (ja) 研削加工装置
JP2012169487A (ja) 研削装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090521

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110728

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111011

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111104

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4861061

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141111

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141111

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250