JP7216784B2 - 電子ビーム装置 - Google Patents
電子ビーム装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7216784B2 JP7216784B2 JP2021155115A JP2021155115A JP7216784B2 JP 7216784 B2 JP7216784 B2 JP 7216784B2 JP 2021155115 A JP2021155115 A JP 2021155115A JP 2021155115 A JP2021155115 A JP 2021155115A JP 7216784 B2 JP7216784 B2 JP 7216784B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- aperture
- deflector
- aperture stop
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 150
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000005078 molybdenum compound Substances 0.000 description 2
- 150000002752 molybdenum compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000006719 Cassia obtusifolia Nutrition 0.000 description 1
- 235000014552 Cassia tora Nutrition 0.000 description 1
- 244000201986 Cassia tora Species 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000010339 dilation Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
- G03F1/86—Inspecting by charged particle beam [CPB]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/21—Means for adjusting the focus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/0203—Protection arrangements
- H01J2237/0213—Avoiding deleterious effects due to interactions between particles and tube elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/045—Diaphragms
- H01J2237/0451—Diaphragms with fixed aperture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/049—Focusing means
- H01J2237/0492—Lens systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
- H01J2237/1505—Rotating beam around optical axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24592—Inspection and quality control of devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Extrusion Of Metal (AREA)
Description
本願は、2016年1月9日付米国暫定特許出願第62/276824号に基づく優先権を主張する出願であるので、当該暫定特許出願の開示内容をこの参照を以て繰り入れるものとする。
q=(BE×BC)/(0.25πd2) 等式1
Vx(t)=A(t)cos((2π/T)t) 等式2
Vy(t)=A(t)sin((2π/T)t) 等式3
A(t) =Am[1-exp(-t/τ)] 等式4
Claims (20)
- それを介し電子ビームが投射される開口を画定する開口絞りと、
その電子ビームを上記開口に向かって集束させるよう構成されたレンズと、
その電子ビームを上記開口絞り上で偏向させるよう構成されたデフレクタであり、複数枚のプレートを有するデフレクタと、
複数個の電源モジュールであり、上記開口全体を取り巻くパターンをなし電子ビームが上記開口絞りに向かい、上記電子ビームが上記開口の周囲をスキャンするように上記プレートをバイアスするよう構成され、上記電子ビームの上記開口の周囲の軌跡は上記開口の形状と調和するような閉じた可変軌跡であり、上記閉じた可変軌跡と上記開口との距離が時間周期的に変動する、電源モジュールと、
を備える電子ビーム装置。 - 請求項1に記載の電子ビーム装置であって、上記デフレクタが上記プレートを4枚有する電子ビーム装置であり、上記電源モジュールを4個有する電子ビーム装置。
- 請求項1に記載の電子ビーム装置であって、上記デフレクタが上記プレートを少なくとも8枚有する電子ビーム装置。
- 請求項1に記載の電子ビーム装置であって、更に、その電子ビームの経路沿いでウェハを保持するよう構成されたステージを備える電子ビーム装置。
- 請求項1に記載の電子ビーム装置であって、その電子ビームの焦点が上記開口の中心から距離を置いたところにある電子ビーム装置。
- 請求項1に記載の電子ビーム装置であって、上記レンズがガンレンズである電子ビーム装置であり、更に、
ビーム制限開口を画定するプレートと、
コンデンサレンズと、
対物レンズと、
を備える電子ビーム装置。 - 請求項1に記載の電子ビーム装置であって、上記電源モジュールが、上記プレートをバイアスすることで電子ビームを上記開口絞りに向かわせその電子ビームに上記開口の周囲を継続的にスキャンさせるよう構成されている電子ビーム装置。
- 開口内に電子ビームを向かわせるステップであり、その開口が開口絞りにより画定されていて、その開口絞りの周囲には複数枚のプレートを有するデフレクタが配されているステップと、
上記デフレクタ内のプレートのうち少なくとも1枚をバイアスするステップと、
上記開口全体を取り巻くパターンをなして上記電子ビームが上記開口絞りへと向かい、上記電子ビームが上記開口の周囲をスキャンするように、上記デフレクタを用い上記電子ビームを偏向させるステップと、
を有し、上記パターンは上記開口の形状と調和するような閉じた可変パターンであり、上記閉じた可変パターンと上記開口との距離が時間周期的に変動する、方法。 - 請求項8に記載の方法であって、上記パターンが円である方法。
- 請求項8に記載の方法であって、上記パターンが正方形である方法。
- 請求項8に記載の方法であって、上記パターンが多角形である方法。
- 請求項8に記載の方法であって、上記パターンが対開口可変軌跡を呈し、そのパターンが円、正方形又は多角形である方法。
- それを介し電子ビームが投射される開口を画定する開口絞りと、
その電子ビームを上記開口に向かって集束させるよう構成されたレンズと、
その電子ビームを上記開口絞り上で偏向させるよう構成されたデフレクタであり、複数枚のプレートを有するデフレクタと、
上記プレートに接続された複数個の電源モジュールと、
上記プレートのうち少なくとも1枚に対するバイアスを制御するよう編成されており、それにより、上記開口全体を取り巻くパターンをなし電子ビームを上記開口絞りへと向かい、上記電子ビームが上記開口の周囲をスキャンさせるコントローラと、
を備え、上記電子ビームの上記開口の周囲の軌跡は上記開口の形状と調和するような閉じた可変軌跡であり、上記閉じた可変軌跡と上記開口との距離が時間周期的に変動する、電子ビーム装置。 - 請求項13に記載の電子ビーム装置であって、上記コントローラが、更に、上記電源モジュールの電圧を制御することで上記プレートのうち少なくとも1枚をバイアスするよう、編成されている電子ビーム装置。
- 請求項13に記載の電子ビーム装置であって、上記コントローラが、更に、その電子ビームを円、正方形又は多角形をなし向かわせるよう、編成されている電子ビーム装置。
- 請求項13に記載の電子ビーム装置であって、上記コントローラが、更に、対開口可変軌跡を呈するように電子ビームを向かわせるよう、編成されている電子ビーム装置。
- 請求項13に記載の電子ビーム装置であって、上記デフレクタが上記プレートを4枚有する電子ビーム装置であり、上記電源モジュールを4個有する電子ビーム装置。
- 請求項13に記載の電子ビーム装置であって、上記デフレクタが上記プレートを少なくとも8枚有する電子ビーム装置。
- 請求項13に記載の電子ビーム装置であって、更に、その電子ビームの経路沿いでウェハを保持するよう構成されたステージを備える電子ビーム装置。
- 請求項13に記載の電子ビーム装置であって、上記電源モジュールが、上記プレートをバイアスすることで電子ビームを上記開口絞りに向かわせその電子ビームに上記開口の周囲を継続的にスキャンさせるよう、構成されている電子ビーム装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662276824P | 2016-01-09 | 2016-01-09 | |
US62/276,824 | 2016-01-09 | ||
US15/255,314 | 2016-09-02 | ||
US15/255,314 US9881764B2 (en) | 2016-01-09 | 2016-09-02 | Heat-spreading blanking system for high throughput electron beam apparatus |
JP2018535303A JP2019503051A (ja) | 2016-01-09 | 2017-01-05 | 高スループット電子ビーム装置用熱拡散型ブランキングシステム |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018535303A Division JP2019503051A (ja) | 2016-01-09 | 2017-01-05 | 高スループット電子ビーム装置用熱拡散型ブランキングシステム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021193682A JP2021193682A (ja) | 2021-12-23 |
JP7216784B2 true JP7216784B2 (ja) | 2023-02-01 |
Family
ID=59273928
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018535303A Pending JP2019503051A (ja) | 2016-01-09 | 2017-01-05 | 高スループット電子ビーム装置用熱拡散型ブランキングシステム |
JP2021155115A Active JP7216784B2 (ja) | 2016-01-09 | 2021-09-24 | 電子ビーム装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018535303A Pending JP2019503051A (ja) | 2016-01-09 | 2017-01-05 | 高スループット電子ビーム装置用熱拡散型ブランキングシステム |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9881764B2 (ja) |
EP (1) | EP3400608B1 (ja) |
JP (2) | JP2019503051A (ja) |
KR (1) | KR102468977B1 (ja) |
CN (2) | CN113990728B (ja) |
IL (1) | IL259967B (ja) |
SG (1) | SG11201804756RA (ja) |
TW (1) | TWI707376B (ja) |
WO (1) | WO2017120373A1 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001028337A (ja) | 1999-06-16 | 2001-01-30 | Nikon Corp | 電子ビーム露光システムでの高安定性対称的ブランキング |
JP2005277046A (ja) | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 電子ビームのブランキング装置及びブランキング方法 |
JP2008042049A (ja) | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Fujitsu Ltd | 伝送線路型ブランキング装置及び電子ビーム露光装置 |
JP2012178347A (ja) | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Fei Co | 荷電粒子ビーム・システムにおいて大電流モードと小電流モードとを高速に切り替える方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4199689A (en) * | 1977-12-21 | 1980-04-22 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Electron beam exposing method and electron beam apparatus |
JPS59201416A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-15 | Jeol Ltd | 荷電粒子線ブランキング装置 |
JPS60130040A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Toshiba Mach Co Ltd | 荷電ビ−ム光学鏡筒 |
JPS62170139A (ja) | 1986-01-22 | 1987-07-27 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム・ブランキング装置 |
JPS62180946A (ja) * | 1986-02-01 | 1987-08-08 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム・パルスゲ−ト |
US6278124B1 (en) * | 1998-03-05 | 2001-08-21 | Dupont Photomasks, Inc | Electron beam blanking method and system for electron beam lithographic processing |
JP2000251815A (ja) | 1999-03-03 | 2000-09-14 | Nikon Corp | ブランキング装置 |
US6521896B1 (en) | 2000-06-01 | 2003-02-18 | Applied Materials, Inc. | Blanker assembly employing dielectric material |
JP2001345258A (ja) | 2000-06-02 | 2001-12-14 | A & D Co Ltd | 電子ビーム装置 |
TWI288424B (en) * | 2000-06-27 | 2007-10-11 | Ebara Corp | Inspection apparatus and inspection method |
US6855929B2 (en) | 2000-12-01 | 2005-02-15 | Ebara Corporation | Apparatus for inspection with electron beam, method for operating same, and method for manufacturing semiconductor device using former |
JP2002217088A (ja) | 2001-01-17 | 2002-08-02 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び半導体デバイスの製造方法 |
KR20050072101A (ko) * | 2002-10-28 | 2005-07-08 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 전자선 노광 방법 및 전자선 노광 장치 |
JP2005032837A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Canon Inc | 荷電粒子描画方法及び該方法を用いたデバイス製造方法 |
JP4015626B2 (ja) * | 2004-01-14 | 2007-11-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム露光装置 |
GB2414857B (en) | 2004-06-03 | 2009-02-25 | Nanobeam Ltd | Apparatus for blanking a charged particle beam |
JP2006005133A (ja) | 2004-06-17 | 2006-01-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線描画装置 |
ATE503265T1 (de) * | 2005-09-06 | 2011-04-15 | Zeiss Carl Smt Gmbh | Teilchenoptische anordnung mit teilchenoptischer komponente |
JP5273495B2 (ja) * | 2005-12-13 | 2013-08-28 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | クラスター成膜装置及び成膜方法、並びにクラスター生成装置及び生成方法 |
CN102017052B (zh) * | 2008-02-26 | 2013-09-04 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 投影透镜装置 |
JP5484808B2 (ja) * | 2008-09-19 | 2014-05-07 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置及び描画方法 |
DE102008062450B4 (de) | 2008-12-13 | 2012-05-03 | Vistec Electron Beam Gmbh | Anordnung zur Beleuchtung eines Substrats mit mehreren individuell geformten Partikelstrahlen zur hochauflösenden Lithographie von Strukturmustern |
JP5970213B2 (ja) * | 2012-03-19 | 2016-08-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5851352B2 (ja) | 2012-06-15 | 2016-02-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
US9269542B2 (en) * | 2013-11-01 | 2016-02-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma cathode charged particle lithography system |
JP6215061B2 (ja) * | 2014-01-14 | 2017-10-18 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光装置 |
-
2016
- 2016-09-02 US US15/255,314 patent/US9881764B2/en active Active
-
2017
- 2017-01-05 CN CN202111286513.XA patent/CN113990728B/zh active Active
- 2017-01-05 CN CN201780005788.7A patent/CN108431939A/zh active Pending
- 2017-01-05 KR KR1020187022825A patent/KR102468977B1/ko active IP Right Grant
- 2017-01-05 EP EP17736363.7A patent/EP3400608B1/en active Active
- 2017-01-05 SG SG11201804756RA patent/SG11201804756RA/en unknown
- 2017-01-05 JP JP2018535303A patent/JP2019503051A/ja active Pending
- 2017-01-05 WO PCT/US2017/012386 patent/WO2017120373A1/en active Application Filing
- 2017-01-09 TW TW106100564A patent/TWI707376B/zh active
-
2018
- 2018-06-12 IL IL259967A patent/IL259967B/en unknown
-
2021
- 2021-09-24 JP JP2021155115A patent/JP7216784B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001028337A (ja) | 1999-06-16 | 2001-01-30 | Nikon Corp | 電子ビーム露光システムでの高安定性対称的ブランキング |
JP2005277046A (ja) | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 電子ビームのブランキング装置及びブランキング方法 |
JP2008042049A (ja) | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Fujitsu Ltd | 伝送線路型ブランキング装置及び電子ビーム露光装置 |
JP2012178347A (ja) | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Fei Co | 荷電粒子ビーム・システムにおいて大電流モードと小電流モードとを高速に切り替える方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113990728B (zh) | 2024-03-26 |
JP2021193682A (ja) | 2021-12-23 |
IL259967B (en) | 2022-04-01 |
WO2017120373A1 (en) | 2017-07-13 |
EP3400608A1 (en) | 2018-11-14 |
JP2019503051A (ja) | 2019-01-31 |
TWI707376B (zh) | 2020-10-11 |
US20170200581A1 (en) | 2017-07-13 |
TW201735087A (zh) | 2017-10-01 |
KR20180093098A (ko) | 2018-08-20 |
CN108431939A (zh) | 2018-08-21 |
US9881764B2 (en) | 2018-01-30 |
SG11201804756RA (en) | 2018-07-30 |
IL259967A (en) | 2018-07-31 |
CN113990728A (zh) | 2022-01-28 |
EP3400608A4 (en) | 2019-08-21 |
EP3400608B1 (en) | 2022-12-28 |
KR102468977B1 (ko) | 2022-11-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1645548B (zh) | 一种带电粒子束装置 | |
TWI475601B (zh) | 形成時間平均線影像之系統及方法 | |
TWI767813B (zh) | 多射束工具及用於檢測樣品之方法 | |
TWI544522B (zh) | 光纖雷射之雷射尖峰退火系統及其方法 | |
US9780004B2 (en) | Methods and apparatus for optimization of inspection speed by generation of stage speed profile and selection of care areas for automated wafer inspection | |
JPH0513368B2 (ja) | ||
JP6128744B2 (ja) | 描画装置、描画方法、および、物品の製造方法 | |
US9607802B2 (en) | Apparatus and methods for aberration correction in electron beam based system | |
KR20190074192A (ko) | 제막 처리 방법 및 장치 | |
CN107665821B (zh) | 一种激光退火装置及方法 | |
JP7216784B2 (ja) | 電子ビーム装置 | |
US9406515B2 (en) | Laser annealing device including tunable mask and method of using the same | |
US9488921B2 (en) | Lithography apparatus, an apparatus for providing setpoint data, a device manufacturing method, a method of calculating setpoint data and a computer program | |
JP2001028337A (ja) | 電子ビーム露光システムでの高安定性対称的ブランキング | |
JP2015207608A (ja) | リソグラフィ装置、および物品の製造方法 | |
JP7443042B2 (ja) | 光スポット像照射装置および転写装置 | |
KR20210157964A (ko) | 레이저 절단 장치 | |
TW202206936A (zh) | 掃描基板之方法 | |
JP2022109735A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP2001313244A (ja) | 荷電粒子線転写装置及びこれを用いたパタン転写方法 | |
KR20140129122A (ko) | 리소그래피 장치 및 시스템, 리소그래피 장치를 캘리브레이션하는 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210924 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220825 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220906 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230120 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7216784 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |