JP2012178347A - 荷電粒子ビーム・システムにおいて大電流モードと小電流モードとを高速に切り替える方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施しようとする加工に応じてFIBカラム内の電極電圧の設定を行い(2608,2624)、小径のビーム画定絞り(BDA)を選択し(2610、2626)、小電流で整列マークを画像化し(2612,2628)、前記マークの位置を決定する。次いで、ミリング用のBDA(大または中間の径)を選択し(2614、2630)、前記位置情報に基づいて大または中の電流でミリングを行う(2616,2632)。前記画像化からミリングへの切換えの際には、BDAだけを変更し、FIBカラム内の電極電圧は変更せず、ビームの位置変更もしない。これにより、電源設定時間に起因する遅延を回避する。
【選択図】図26
Description
図1は、キャッシュ・メモリ106内に欠陥セル110を含む集積回路(IC)100の概略図である。欠陥デバイス(この例ではセル)を含むICのエリアはしばしば「関心領域」(RoI)と呼ばれる。IC100の周囲には一般に多数の接続パッド102がある。IC100の別のエリアが論理回路104または入力/出力回路を含むことがある。製造業者はしばしば、RoI内の欠陥デバイス、この例ではキャッシュ・メモリのセル110を調査することによって、ICの機能不良の原因を突き止めることが必要となる。ICデバイスは、パターニングされた複数の導体層、半導体層および絶縁層を含む3次元構造であるため、この調査工程では、デバイスをミリングして、下にある層を露出させることが必要となることがあり、このミリングではしばしば、図13に示した集束イオン・ビーム(FIB)カラムによって生み出すことができる、Ga+イオン・ビームなどのFIBが使用される。先行技術では、RoIの片側をFIBでミリングし、続いて、露出したデバイス構造を走査型電子顕微鏡(SEM)で調査して、コンタクトとトランジスタ・ゲートの間の汚染、相互接続メタライゼーション層間の不完全なバイア接続など、デバイスの欠陥動作の原因を決定する。ICの寸法は、ムーアの法則の進行に伴って2、3年で約40%ずつ小さくなり続けているため、欠陥デバイスを観察するのに必要な画像化分解能を、SEMを使用して達成することはますます困難になっている。そのため、IC内のRoIを画像化する目的に関して、半導体業界は、SEMよりも空間分解能が高い透過型電子顕微鏡(TEM)にますます注目している。SEMは一般に、2次電子および後方散乱電子を使用して表面を画像化する。そのため、RoIの片側を1回切削することによってデバイス構造を可視化することができる。一方、TEMは、試料を透過した電子を画像化する。そのため、欠陥デバイスのTEM調査では、RoIの両側をミリングして、試料内を下方へ延びる一般に深さ5から15μm、厚さ100nm未満の「ラメラ」すなわち薄い切片を形成する必要がある。
図2および27において、ターゲット内のRoIは、FIBカラムの下に配置されているため、ラメラ作製工程を開始することができる。図4は、先行技術の場合のように厚い保護付着408を形成する、図3Aおよび3BのRoI位置におけるFIB支援付着工程の等角投影概略図400である。ガス噴射器のノズル402を、集束イオン・ビーム(FIB)406がターゲットIC100の表面に衝突する位置の近くに配置する。ノズル402の端部から、付着前駆体ガス404の雲(cloud)が出てくる。その結果、ターゲット表面の欠陥セル110の真上の位置306および位置306の周囲のIC100の表面に、前駆体ガス404が吸着する。ターゲット表面に亘ってFIB406を走査すると、FIB406と前駆体ガス404とが相互に作用して、図5の「X線」上面図に示されているような厚い付着408を形成する。この厚い付着408は一般に、作製するラメラの計画された壁に対して平行な向きに形成される。付着408の2つの端を使用して、図6に示すような基準マークをミリングすることができる。または、その代わりに、付着408の2つの端から離隔した追加の厚い付着(図示せず)を付着させてもよい。付着408の目的は、1)ミリング(図10〜12参照)に使用する集束イオン・ビームの「尾」によって生じることがある意図しないミリングからその下のデバイス層を保護すること、および2)位置基準マークをミリングすることができる材料を提供すること(図6参照)である。
本発明の一実施形態のための変更された付着手順およびミリング手順を図7および8に示す。後に論じるが、本発明のいくつかの実施形態は、基準マークを画像化するのに、より小ビーム電流の集束イオン・ビームを使用することができ、そのため、これに対応して、RoIの上の付着から失われる材料の量が低減すると考えられる。図7は、本発明の一実施形態では薄い保護付着708を形成する、図3Aおよび3BのRoI位置におけるFIB支援付着工程の等角投影概略図700である。ガス噴射器のノズル702を、集束イオン・ビーム(FIB)706がターゲットIC100の表面に衝突する位置の近くに配置する。ノズル702の端部から、付着前駆体ガス704の雲が出てくる。その結果、ターゲット表面の欠陥セル110の真上の位置306および位置306の周囲のIC100の表面に、前駆体ガス704が吸着する。ターゲット表面に亘ってFIB706を走査すると、FIB706と前駆体ガス704とが相互に作用して、薄い付着708を形成する。図5の「X線」上面図で見て、付着708は、図4の先行技術の付着408と同じIC100のエリアを覆うことができる。この薄い付着708は一般に、作製するラメラの計画された壁に対して平行な向きに形成される。付着708の2つの端を使用して、図8に示すような基準マークをミリングすることができる。または、その代わりに、付着708の2つの端から離隔した追加の厚い付着(図示せず)を付着させてもよい。付着708の目的は、先行技術の付着408に対するものと同じであり、1)ミリング(図10〜12参照)に使用する集束イオン・ビームの「尾」によって生じることがある意図しないミリングからその下のデバイス層を保護すること、および2)基準マーク806および808をミリングすることができる材料を提供すること(図8参照)である。
図9は、薄い付着708にFIBによってミリングした基準マーク806および808のFIB画像化工程900を示す。基準マーク806と基準マーク808の両方に亘って、画像化集束イオン・ビーム912を、一般にX−Yラスタ・パターンに従って走査する(マーク806の走査が図示されている)。マーク806に亘ってFIBを走査すると、2次電子(secondary electron)(SE)が放出され、この2次電子をSE検出器によって集めて画像を形成する。次いで、画像処理を使用して、マーク806の正確な位置を知ることができる。マークの位置は例えば、示されている「X」パターンの中心と定義することができる。図10および11のボックス・ミリング工程では、エリア902をミリングによって除去する。
図12は、一般に図10〜11のボックス・ミリング工程の後に実施されるFIBクリーニング工程1200を示す。この工程では、より小さい電流を有するより小さなFIB1208を表面の位置1206に当てて、欠陥デバイスが露出した最終的な壁1214が形成されるまで、壁1114をミリングする。場合によっては、画像化ビームに再び切り替えて、図10〜11のボックス・ミリング工程の場合と同様に基準マーク806および808を再走査することを可能にするために、クリーニング・ミリング工程を1回または数回、中断することができる。このミリング工程では、図11に示したボックス・ミリング工程後に残った突き出た材料1130上で、ビーム1208を前後1210に移動させる。
先行技術では一般に、FIBカラムのパラメータを、画像化とミリングの両方に対して最適化する。この最適化は、カラム内のさまざまな電極電圧の設定、およびビーム画定絞り(BDA)の(機械的または電気的(上記参照))選択を含む。表Iは、カラム設定のタイプ(最適化または非最適化)、および6つのシステム動作モードAからFのそれぞれのモードの用途をまとめたものである。この場合、「最適化」は、カラム電圧とBDAの両方が、ターゲットにおけるビーム直径を最小にすることによってビーム電流密度を最大にするように選択されていることを意味する。「非最適化」は、BDAだけが変更され、カラム電圧は変更されていないこと、したがって、ビーム直径が最適直径よりも大きいために、その結果として生じるビーム電流密度がより低いことを意味する。例えば、本発明のいくつかの実施形態では、粗画像化に対してモードBまたはCを使用することができる。モードBおよびCは、先行技術のモードDほど高い空間分解能は持たないが、カラムの電圧供給が落ち着くのを待つ必要がないため、モード間切替え(A←→またはA←→C)ははるかに高速であると考えられる。同様に、本発明のいくつかの実施形態では、微細ミリングに対して、最適化モードDを、微細画像化用の非最適化モードEと交互に使用することができる。このことは、最適化モードDと最適化モードFを交互に使用し、切替え(D←→F)時にカラム電圧とBDAの変更が必要な先行技術と対照をなす。
本発明の一実施形態を実現する集束イオン・ビーム(FIB)カラム
図13は、本発明の一実施形態の多ステップ式画像化およびミリング工程を実現することができる例示的なFIBカラム1300の側断面図である。X−Y−Z座標系が示されており、X軸1304は、カラム1300の光軸を表すZ軸1302に対して垂直である。Y軸(図示せず)は図の平面に対して垂直である。イオン放出を誘起させるため、源1306と引出し電極1308の間に「引出し」電圧が印加される。源1306が正イオンを放出する液体金属イオン源(LMIS)である場合、このバイアス電圧は一般に−7000から−15000Vである。源1306からの初期イオン放出は一般に、半角が約30°[すなわち立体角がπ(π30°/180°)2≒0.86ステラジアン]の円錐形になる。イオン「銃」は、源1306、抽出器1308、銃集束電極1312および銃出口電極1314を備える。銃出口電極1314内に取り付けられたビーム画定絞り(BDA)1316も銃の部分である。銃集束電極1312に集束電圧が印加され、銃出口電極1314がグランド電位(0V)にバイアスされる。したがって、この例では、ターゲットもグランド電位にバイアスされているため、銃を出たイオンは既に、その最終的なビーム・エネルギーを有する。抽出器1308、集束電極1312および出口電極1314上の異なる電圧は、銃内のカラム軸上およびカラム軸の近くに電界を誘導する。この電界は、図14〜17の軌道図に示されているように、イオン・ビーム1310を偏向させ、集束させる。ある場合、特に、ターゲット位置においてより小さなビームが望ましく、したがってより高い源−ターゲット縮小が必要とされる場合には、銃内において、最小集束(minimal focusing)の効果がある。他の場合には、銃が、概ね平行なビームを形成し、形成されたビームは次いで、主レンズによって、より低い縮小でターゲット上に集束され、より大きな電流を有するより大きなビームを生成する。銃の下方には、電極1318および1320を備えるビーム・ブランカがある。ビームがオンのとき、電極1318および1320はともに一般に0Vであり、したがってビーム1310は、偏向されずにブランカおよびビーム・ブランキング絞り(beam−blanking aperture)(BBA)1322を通過する。ビームをオフにするためには、電極1318に正電圧を、電極1320に負電圧を印加し、それによって、ビーム1310が偏向されて軸を外れ、BBA1322に当たるようにする。一般的なブランキング電圧は5Vから10Vである。
この項において、図14〜17は、本発明のいくつかの実施形態(図14および16)と先行技術(図15および17)の両方に対する集束イオン・ビームのさまざまな軌道を示す。これらの軌道は、先行技術のFIBカラム設定と本発明のいくつかの実施形態のFIBカラム設定の間の動作の違い、具体的には異なるビーム直径(半値全幅「FWHM」とビーム電流の1/2を含む直径「d50」の両方)および源−ターゲット縮小の起源、を理解する基礎を提供する。これらの図は、例示のため同じ図に並置されて示された異なる軌道を示しており、動作時には、それぞれのモードが光軸を中心に対称であることが理解される。また、軌道の線は、特定の荷電粒子数に対応しているわけではなく、そのため、より狭い間隔で描かれた線が、より高い電流密度を示しているわけではない。
この項において、図18〜25は、表Iに概要を示した6つのモードA〜Fのさまざまなシステム動作パラメータを示す。動作パラメータの詳細は表IIIに示されている。表IIには、先行技術と本発明の一実施形態の両方において使用されるモードの組合せの概要が示されている。図14に示すように、本発明のいくつかの実施形態では、バルク・ミリング工程および粗画像化工程に対して、モードAとモードBが交互に使用される。あるいは、本発明のいくつかの実施形態では、バルク・ミリングおよび改良された画像化のために、モードAとモードCが使用される。先行技術では、バルク・ミリング工程に対して、モードAとモードDが交互に使用される(図15)が、モード間でより多くのパラメータ(電極電圧)を変更する必要があるため、ミリング・モード(モードA)と画像化モード(モードD)の間の切替え時間はより長くなる。図16に示すように、本発明の一実施形態では、微細ミリングおよび微細画像化においてモードDとモードEが交互に使用される。先行技術では、微細ミリング工程および最良画像化工程に対して、モードDとモードFが交互に使用される(図17)が、この場合もやはり、切替え時間がより長くなる。図18〜25の全ての図において、グラフ上の点にはモードA〜Fの符号が付けられている。
図26は、本発明の一実施形態に対して使用可能な2ステップ画像化およびミリング工程の流れ図である。最初のステップは、バルク・ミリング工程を構成する粗画像化モードとバルク・ミリング・モードの一連の交互使用を含む。このステップに続いて、微細ミリング工程を構成する微細画像化モードと微細ミリング・モードの一連の交互使用を含む第2のステップを実行する。本発明のこの実施形態のこれらの2つの工程の完了後、後続の研磨ステップを使用して、加工ムラ(curtaining)および完了した画像化モードおよびミリング・モード中に傷ついた層を最終的に除去することができる。
2904 荷電粒子ビーム
2906 絞り
2910 レンズ
2912 集束ビーム
2916 ターゲット(基板)
2926 絞り
2932 集束ビーム
2946 絞り
Claims (21)
- イオン・カラムおよび複数のビーム画定絞りを備える集束イオン・ビーム・システムを使用して、1つまたは複数の基準マークを関心領域の近くに含むターゲット内の構造をミリングする方法であって、
第1の電流を有するイオン・ビームを生成するための第1のビーム画定絞りを選択するステップと、
前記第1の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ集束させるように、前記イオン・カラム内の電極電圧を設定するステップと、
前記第1の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ導くステップと、
前記イオン・カラムの軸に対する前記基準マークの位置を決定するために、前記第1の電流を有する前記イオン・ビームを前記基準マークに亘って走査するステップと、
前記第1の電流よりも大きい第2の電流を有するイオン・ビームを生成するための第2のビーム画定絞りを選択するステップと、
前記イオン・カラム内の前記電極電圧を再設定せずに、前記第2の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ導くステップと、
前記第2の電流を有する前記イオン・ビームを所定のパターンに従って偏向させて、前記関心領域においてミリング工程を実行するステップであり、このビーム偏向が、前記第1の電流を有する前記イオン・ビームによって決定した前記イオン・カラムの軸に対する前記基準マークの位置を考慮して行われるステップと
を含む方法。 - 前記第2の電流を有する前記イオン・ビームを所定のパターンに従って偏向させて前記関心領域においてミリング工程を実行した後に、前記第1の電流を有する前記イオン・ビームを生成するための前記第1のビーム画定絞りを再び選択して、前記ターゲットを画像化するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のビーム電流よりも小さい第3の電流を有するイオン・ビームを生成するための第3のビーム画定絞りを選択するステップと、
前記第3の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ集束させるように、前記イオン・カラム内の前記電極電圧を設定するステップと、
前記第3の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ導くステップと、
前記イオン・カラムの軸に対する前記基準マークの位置を決定するために、前記第3の電流を有する前記イオン・ビームを前記基準マークに亘って走査するステップであり、前記第3の電流を有する前記イオン・ビームの前記位置決定が、前記第1の電流を有する前記イオン・ビームの前記位置決定よりも正確なステップと、
前記第3の電流よりも大きく、前記第1の電流よりも小さい第4の電流を有するイオン・ビームを生成するための第4のビーム画定絞りを選択するステップと、
前記イオン・カラム内の前記電極電圧を再設定せずに、前記第4の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ導くステップと、
前記第4の電流を有する前記イオン・ビームを所定のパターンに従って偏向させて、前記関心領域において微細ミリング工程を実行するステップであり、このビーム偏向が、前記第3の電流を有する前記イオン・ビームによって決定した前記イオン・カラムの軸に対する前記基準マークの位置を考慮して行われるステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第4の電流を有する前記イオン・ビームを所定のパターンに従って偏向させて前記関心領域において前記微細ミリング工程を実行した後に、前記第3の電流を有する前記イオン・ビームを生成するための前記第3のビーム画定絞りを再び選択して、前記ターゲットを画像化するステップをさらに含む、請求項3に記載の方法。
- 第1のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、前記複数の絞りのうちの第1の絞りを前記イオン・カラムの軸上に機械的に移動させるステップを含み、
第2のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、前記複数の絞りのうちの第2の絞りを前記イオン・カラムの軸上に機械的に移動させるステップを含む、
請求項1に記載の方法。 - 第1のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、前記複数の絞りのうちの第1の絞りを前記イオン・カラムの軸上に機械的に移動させるステップを含み、
第2のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、前記複数の絞りのうちの第2の絞りを前記イオン・カラムの軸上に機械的に移動させるステップを含み、
第3のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、前記複数の絞りのうちの第3の絞りを前記イオン・カラムの軸上に機械的に移動させるステップを含み、
第4のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、前記複数の絞りのうちの第4の絞りを前記イオン・カラムの軸上に機械的に移動させるステップを含む、
請求項3に記載の方法。 - 前記複数のビーム画定絞りの上方に第1の偏向器を配置するステップと、
前記複数のビーム画定絞りの下方に第2の偏向器を配置するステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 第1のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、
前記イオン・ビームを、前記複数のビーム画定絞りのうちの第1の絞り上へ偏向させるように、前記第1の偏向器を作動させるステップと、
前記イオン・ビームを、前記イオン・カラムの軸上へ、かつ、前記イオン・カラムの軸に対して平行に偏向させるように、前記第2の偏向器を作動させるステップと
を含み、
第2のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、
前記イオン・ビームを、前記複数のビーム画定絞りのうちの第2の絞り上へ偏向させるように、前記第1の偏向器を作動させるステップと、
前記イオン・ビームを、前記イオン・カラムの軸上へ、かつ、前記イオン・カラムの軸に対して平行に偏向させるように、前記第2の偏向器を作動させるステップと
を含む、請求項7に記載の方法。 - 前記複数のビーム画定絞りの上方に第1の偏向器を配置するステップと、
前記複数のビーム画定絞りの下方に第2の偏向器を配置するステップと
をさらに含む、請求項3に記載の方法。 - 第1のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、
前記イオン・ビームを、前記複数のビーム画定絞りのうちの第1の絞り上へ偏向させるように、前記第1の偏向器を作動させるステップと、
前記イオン・ビームを、前記イオン・カラムの軸上へ、かつ、前記イオン・カラムの軸に対して平行に偏向させるように、前記第2の偏向器を作動させるステップと
を含み、
第2のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、
前記イオン・ビームを、前記複数のビーム画定絞りのうちの第2の絞り上へ偏向させるように、前記第1の偏向器を作動させるステップと、
前記イオン・ビームを、前記イオン・カラムの軸上へ、かつ、前記イオン・カラムの軸に対して平行に偏向させるように、前記第2の偏向器を作動させるステップと
を含み、
第3のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、
前記イオン・ビームを、前記複数のビーム画定絞りのうちの第3の絞り上へ偏向させるように、前記第1の偏向器を作動させるステップと、
前記イオン・ビームを、前記イオン・カラムの軸上へ、かつ、前記イオン・カラムの軸に対して平行に偏向させるように、前記第2の偏向器を作動させるステップと
を含み、
第4のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、
前記イオン・ビームを、前記複数のビーム画定絞りのうちの第4の絞り上へ偏向させるように、前記第1の偏向器を作動させるステップと、
前記イオン・ビームを、前記イオン・カラムの軸上へ、かつ、前記イオン・カラムの軸に対して平行に偏向させるように、前記第2の偏向器を作動させるステップと
を含む、請求項9に記載の方法。 - 前記ミリング工程の後に実行されるイオン・ビーム研磨工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記微細ミリング工程の後に実行されるイオン・ビーム研磨工程をさらに含む、請求項3に記載の方法。
- イオン・カラムおよび複数のビーム画定絞りを備える集束イオン・ビーム・システムを使用して、1つまたは複数の基準マークを関心領域の近くに含むターゲット内の構造をバルク・ミリングし、微細ミリングする方法であって、
第1の電流を有するイオン・ビームを生成するための第1のビーム画定絞りを選択するステップと、
前記第1の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ集束させるように、前記イオン・カラム内の電極電圧を設定するステップと、
前記第1の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ導くステップと、
前記イオン・カラムの軸に対する前記基準マークの位置を決定するために、前記第1の電流を有する前記イオン・ビームを前記基準マークに亘って走査するステップと、
前記第1の電流よりも大きい第2の電流を有するイオン・ビームを生成するための第2のビーム画定絞りを選択するステップと、
前記イオン・カラム内の前記電極電圧を再設定せずに、前記第2の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ導くステップと、
前記第2の電流を有する前記イオン・ビームを所定のパターンに従って偏向させて、前記関心領域においてバルク・ミリング工程を実行するステップであり、このビーム偏向が、前記第1の電流を有する前記イオン・ビームによって決定した前記イオン・カラムの軸に対する前記基準マークの位置を考慮して行われるステップと、
前記バルク・ミリング工程が完了したかどうかを判断し、前記バルク・ミリング工程が完了していない場合に、第1のビーム画定絞りを選択する前記ステップに戻るステップと、
前記第1のビーム電流よりも小さい第3の電流を有するイオン・ビームを生成するための第3のビーム画定絞りを選択するステップと、
前記第3の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ集束させるように、前記イオン・カラム内の前記電極電圧を設定するステップと、
前記第3の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ導くステップと、
前記イオン・カラムの軸に対する前記基準マークの位置を決定するために、前記第3の電流を有する前記イオン・ビームを前記基準マークに亘って走査するステップであり、前記第3の電流を有する前記イオン・ビームの前記位置決定が、前記第1の電流を有する前記イオン・ビームの前記位置決定よりも正確なステップと、
前記第3の電流よりも大きく、前記第1の電流よりも小さい第4の電流を有するイオン・ビームを生成するための第4のビーム画定絞りを選択するステップと、
前記イオン・カラム内の前記電極電圧を再設定せずに、前記第4の電流を有する前記イオン・ビームを前記ターゲット上へ導くステップと、
前記第4の電流を有する前記イオン・ビームを所定のパターンに従って偏向させて、前記関心領域において微細ミリング工程を実行するステップであり、このビーム偏向が、前記第3の電流を有する前記イオン・ビームによって決定した前記イオン・カラムの軸に対する前記基準マークの位置を考慮して行われるステップと、
前記微細ミリング工程が完了したかどうかを判断し、前記微細ミリング工程が完了していない場合に、前記第3のビーム画定絞りを選択する前記ステップに戻るステップと
を含む方法。 - 第1のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、前記複数の絞りのうちの第1の絞りを前記イオン・カラムの軸上に機械的に移動させるステップを含み、
第2のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、前記複数の絞りのうちの第2の絞りを前記イオン・カラムの軸上に機械的に移動させるステップを含み、
第3のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、前記複数の絞りのうちの第3の絞りを前記イオン・カラムの軸上に機械的に移動させるステップを含み、
第4のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、前記複数の絞りのうちの第4の絞りを前記イオン・カラムの軸上に機械的に移動させるステップを含む、
請求項13に記載の方法。 - 前記複数のビーム画定絞りの上方に第1の偏向器を配置するステップと、
前記複数のビーム画定絞りの下方に第2の偏向器を配置するステップと
をさらに含む、請求項13に記載の方法。 - 第1のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、
前記イオン・ビームを、前記複数のビーム画定絞りのうちの第1の絞り上へ偏向させるように、前記第1の偏向器を作動させるステップと、
前記イオン・ビームを、前記イオン・カラムの軸上へ、かつ、前記イオン・カラムの軸に対して平行に偏向させるように、前記第2の偏向器を作動させるステップと
を含み、
第2のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、
前記イオン・ビームを、前記複数のビーム画定絞りのうちの第2の絞り上へ偏向させるように、前記第1の偏向器を作動させるステップと、
前記イオン・ビームを、前記イオン・カラムの軸上へ、かつ、前記イオン・カラムの軸に対して平行に偏向させるように、前記第2の偏向器を作動させるステップと
を含み、
第3のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、
前記イオン・ビームを、前記複数のビーム画定絞りのうちの第3の絞り上へ偏向させるように、前記第1の偏向器を作動させるステップと、
前記イオン・ビームを、前記イオン・カラムの軸上へ、かつ、前記イオン・カラムの軸に対して平行に偏向させるように、前記第2の偏向器を作動させるステップと
を含み、
第4のビーム画定絞りを選択する前記ステップが、
前記イオン・ビームを、前記複数のビーム画定絞りのうちの第4の絞り上へ偏向させるように、前記第1の偏向器を作動させるステップと、
前記イオン・ビームを、前記イオン・カラムの軸上へ、かつ、前記イオン・カラムの軸に対して平行に偏向させるように、前記第2の偏向器を作動させるステップと
を含む、請求項15に記載の方法。 - 前記微細ミリング工程の後に実行されるイオン・ビーム研磨工程をさらに含む、請求項13に記載の方法。
- 保護層の付着ステップをさらに含み、前記付着ステップが前記ミリング工程の前に実行される、請求項1に記載の方法。
- 保護層の付着ステップをさらに含み、前記付着ステップが前記バルク・ミリング工程の前に実行される、請求項13に記載の方法。
- 粒子源と、複数のビーム画定絞りと、少なくとも1つの集束レンズとを有する荷電粒子ビーム・システムを動作させる方法であって、
前記荷電粒子源から荷電粒子を引き出すステップと、
前記荷電粒子をビームに形成するステップと、
第1の直径を有する第1のビーム画定絞りを通過するように前記荷電粒子ビームを導くステップであり、前記第1のビーム画定絞りを出た前記荷電粒子ビームが第1の電流を有するステップと、
ターゲット表面のスポットに前記荷電粒子を収束させるように、前記集束レンズを調整するステップと、
前記第1の直径とは異なる第2の直径を有する第2のビーム画定絞りを通過するように前記荷電粒子ビームを導くステップであり、前記第2のビーム画定絞りを出た前記荷電粒子ビームが第2の電流を有するステップと、
前記集束レンズの集束強度を変更せずに、前記荷電粒子を、前記集束レンズを通過するように導くステップと
を含む方法。 - 前記集束レンズの集束強度を変更せずに、前記荷電粒子を、前記集束レンズを通過するように導くステップが、前記ビームを再整列させることなく、前記荷電粒子を、前記集束レンズを通過するように導くステップを含む、請求項20に記載の方法。
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