JP7206754B2 - 増幅装置、無線通信装置及び増幅装置の制御方法 - Google Patents
増幅装置、無線通信装置及び増幅装置の制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7206754B2 JP7206754B2 JP2018182637A JP2018182637A JP7206754B2 JP 7206754 B2 JP7206754 B2 JP 7206754B2 JP 2018182637 A JP2018182637 A JP 2018182637A JP 2018182637 A JP2018182637 A JP 2018182637A JP 7206754 B2 JP7206754 B2 JP 7206754B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amplifier
- gate bias
- signal
- amplifiers
- output signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 238000004891 communication Methods 0.000 title claims description 26
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims description 40
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 24
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 21
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 21
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 70
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 32
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
- H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
- H01P5/18—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0261—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0288—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3241—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits
- H03F1/3247—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits using feedback acting on predistortion circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/602—Combinations of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/04—Circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/04—Circuits
- H04B1/0475—Circuits with means for limiting noise, interference or distortion
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/04—Circuits
- H04B1/0483—Transmitters with multiple parallel paths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/36—Isolators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/18—Indexing scheme relating to amplifiers the bias of the gate of a FET being controlled by a control signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/192—A hybrid coupler being used at the input of an amplifier circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/198—A hybrid coupler being used as coupling circuit between stages of an amplifier circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/204—A hybrid coupler being used at the output of an amplifier circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/04—Circuits
- H04B2001/0408—Circuits with power amplifiers
- H04B2001/0425—Circuits with power amplifiers with linearisation using predistortion
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/04—Circuits
- H04B2001/0408—Circuits with power amplifiers
- H04B2001/0433—Circuits with power amplifiers with linearisation using feedback
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/04—Circuits
- H04B2001/0408—Circuits with power amplifiers
- H04B2001/045—Circuits with power amplifiers with means for improving efficiency
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
入出力が並列に接続される第1増幅器と第2増幅器とを含む複数の増幅器であって、前記第1増幅器及び前記第2増幅器は、それぞれ、キャリア増幅器とピーク増幅器とを有するドハティ増幅器である複数の増幅器と、
前記複数の増幅器の各々の出力信号を取り出す複数の方向性結合器と、
前記複数の方向性結合器に含まれる第1方向性結合器から取り出された信号の位相を反転させる移相器と、
前記移相器の出力信号と前記複数の方向性結合器に含まれる第2方向性結合器から取り出された信号とを合成する合成回路と、
前記合成回路の出力信号が最小になるように前記第2増幅器の前記ピーク増幅器のゲートバイアスを調整し、前記合成回路の出力信号が最小になるように調整された前記第2増幅器の前記ピーク増幅器のゲートバイアスを固定した状態で、前記合成回路の出力信号が最小になるように前記第1増幅器の前記ピーク増幅器のゲートバイアスを調整する制御部とを備える、増幅装置を提供する。
増幅装置と、前記増幅装置により増幅された後の信号を送信するアンテナとを備える無線通信装置であって、
前記増幅装置は、
入出力が並列に接続される第1増幅器と第2増幅器とを含む複数の増幅器であって、前記第1増幅器及び前記第2増幅器は、それぞれ、キャリア増幅器とピーク増幅器とを有するドハティ増幅器である複数の増幅器と、
前記複数の増幅器の各々の出力信号を取り出す複数の方向性結合器と、
前記複数の方向性結合器に含まれる第1方向性結合器の出力信号の位相を反転させる移相器と、
前記移相器の出力信号と前記複数の方向性結合器に含まれる第2方向性結合器の出力信号とを合成する合成回路と、
前記合成回路の出力信号が最小になるように前記第2増幅器の前記ピーク増幅器のゲートバイアスを調整し、前記合成回路の出力信号が最小になるように調整された前記第2増幅器の前記ピーク増幅器のゲートバイアスを固定した状態で、前記合成回路の出力信号が最小になるように前記第1増幅器の前記ピーク増幅器のゲートバイアスを調整する制御部とを備える、無線通信装置を提供する。
入出力が並列に接続される第1増幅器と第2増幅器とを含む複数の増幅器であって、前記第1増幅器及び前記第2増幅器は、それぞれ、キャリア増幅器とピーク増幅器とを有するドハティ増幅器である複数の増幅器と、前記複数の増幅器の各々の出力信号を取り出す複数の方向性結合器と、前記複数の方向性結合器に含まれる第1方向性結合器から取り出された信号の位相を反転させる移相器と、前記移相器の出力信号と前記複数の方向性結合器に含まれる第2方向性結合器から取り出された信号とを合成する合成回路とを備える増幅装置の制御方法であって、
制御部は、前記合成回路の出力信号が最小になるように前記第2増幅器の前記ピーク増幅器のゲートバイアスを調整し、前記合成回路の出力信号が最小になるように調整された前記第2増幅器の前記ピーク増幅器のゲートバイアスを固定した状態で、前記合成回路の出力信号が最小になるように前記第1増幅器の前記ピーク増幅器のゲートバイアスを調整する、増幅装置の制御方法を提供する。
増幅器10から出力される送信波aは、第1方向性結合器1の結合ポートから出力され、増幅器20から出力される送信波bは、第1方向性結合器1の結合ポートから出力される。一方、第1方向性結合器1の取り出しポートから取り出された送信波dは、移相器3によって、位相が反転される。合成回路4は、位相が送信波dに対して反転した送信波eと、第2方向性結合器2の取り出しポートから取り出された送信波fとを合成することで、各々の送信波をキャンセルする処理を行う。
合成回路4で完全にキャンセルできなかった送信波は、差分波gとして取り出される。差分波gは、その差分波g以外のノイズをカットするためのフィルタ5を経由して、ADコンバータ6に入力される。アナログの差分信号(差分波g)は、ADコンバータ6によってデジタル変換される。
差分信号演算部7は、ADコンバータ6から出力される差分信号hが常に最小になるようにゲートバイアスを変化させるパラメータiをゲートバイアス演算部8に指示する。差分信号演算部7は、パラメータiの演算処理を行う場合、ゲートバイアスの変化量の調整方法を粗調整から微調整に移行させることで、差分信号hを最小にするパラメータi(言い換えれば、ゲートバイアス)の最適値を探索する。
ドハティ増幅器の場合、キャリア増幅器のゲートバイアスを変更する場合に比べて、ピーク増幅器のゲートバイアスを変更する方が、ドハティ増幅器から出力される信号の振幅及び位相を大きく変化させやすい。この特性を活かし、差分信号演算部7及びゲートバイアス演算部8は、差分波gが常に最小になるように第2増幅器20のピーク増幅器22のゲートバイアスjを例えば0.2Vの調整ステップで調整し、第2増幅器20の位相及び振幅を変化させる。その結果、送信波bの位相及び振幅が送信波aに近づき、最適な合成後送信波cが得られる(図5参照)。
(付記1)
入出力が並列に接続される複数の増幅器と、
前記複数の増幅器の各々の出力信号を取り出す複数の方向性結合器と、
前記複数の方向性結合器に含まれる第1方向性結合器から取り出された信号の位相を反転させる移相器と、
前記移相器の出力信号と前記複数の方向性結合器に含まれる第2方向性結合器から取り出された信号とを合成する合成回路と、
前記合成器の出力信号が最小になるように前記複数の増幅器のうち少なくとも一つの増幅器のゲートバイアスを制御する制御部とを備える、増幅装置。
(付記2)
前記複数の増幅器は、入出力が並列に接続される第1増幅器と第2増幅器とを含み、
前記制御部は、前記合成回路の出力信号が最小になるように前記第2増幅器のゲートバイアスを制御する、付記1に記載の増幅装置。
(付記3)
前記制御部は、前記合成回路の出力信号が最小になるように前記第2増幅器のゲートバイアスを制御して、前記第2増幅器のゲートバイアスを固定した状態で、前記合成回路の出力信号が最小になるように前記第1増幅器のゲートバイアスを制御する、付記2に記載の増幅装置。
(付記4)
前記第1増幅器及び前記第2増幅器は、それぞれ、キャリア増幅器とピーク増幅器とを有するドハティ増幅器であり、
前記制御部は、前記合成回路の出力信号が最小になるように前記ピーク増幅器のゲートバイアスを制御する、付記2又は3に記載の増幅装置。
(付記5)
前記制御部は、山登り法を用いて、前記合成器の出力信号が最小になるように前記複数の増幅器のうち少なくとも一つの増幅器のゲートバイアスを制御する、付記1から4のいずれか一項に記載の増幅装置。
(付記6)
増幅装置と、前記増幅装置により増幅された後の信号を送信するアンテナとを備える無線通信装置であって、
前記増幅装置は、
入出力が並列に接続される複数の増幅器と、
前記複数の増幅器の各々の出力信号を取り出す複数の方向性結合器と、
前記複数の方向性結合器に含まれる第1方向性結合器の出力信号の位相を反転させる移相器と、
前記移相器の出力信号と前記複数の方向性結合器に含まれる第2方向性結合器の出力信号とを合成する合成回路と、
前記合成回路の出力信号が最小になるように前記複数の増幅器のうち少なくとも一つの増幅器のゲートバイアスを制御する制御部とを備える、無線通信装置。
(付記7)
前記複数の増幅器は、入出力が並列に接続される第1増幅器と第2増幅器とを含み、
前記制御部は、前記合成回路の出力信号が最小になるように前記第2増幅器のゲートバイアスを制御する、付記6に記載の無線通信装置。
(付記8)
前記制御部は、前記合成回路の出力信号が最小になるように前記第2増幅器のゲートバイアスを制御して、前記第2増幅器のゲートバイアスを固定した状態で、前記合成回路の出力信号が最小になるように前記第1増幅器のゲートバイアスを制御する、付記7に記載の無線通信装置。
(付記9)
前記第1増幅器及び前記第2増幅器は、それぞれ、キャリア増幅器とピーク増幅器とを有するドハティ増幅器であり、
前記制御部は、前記合成回路の出力信号が最小になるように前記ピーク増幅器のゲートバイアスを制御する、付記7又は8に記載の無線通信装置。
(付記10)
前記制御部は、山登り法を用いて、前記合成器の出力信号が最小になるように前記複数の増幅器のうち少なくとも一つの増幅器のゲートバイアスを制御する、付記6から9のいずれか一項に記載の無線通信装置。
(付記11)
入出力が並列に接続される複数の増幅器と、前記複数の増幅器の各々の出力信号を取り出す複数の方向性結合器と、前記複数の方向性結合器に含まれる第1方向性結合器から取り出された信号の位相を反転させる移相器と、前記移相器の出力信号と前記複数の方向性結合器に含まれる第2方向性結合器から取り出された信号とを合成する合成回路とを備える増幅装置の制御方法であって、
制御部は、前記合成回路の出力信号が最小になるように前記複数の増幅器のうち少なくとも一つの増幅器のゲートバイアスを制御する、増幅装置の制御方法。
(付記12)
前記複数の増幅器は、入出力が並列に接続される第1増幅器と第2増幅器とを含み、
前記制御部は、前記合成回路の出力信号が最小になるように前記第2増幅器のゲートバイアスを制御する、付記11に記載の増幅装置の制御方法。
(付記13)
前記制御部は、前記合成回路の出力信号が最小になるように前記第2増幅器のゲートバイアスを制御して、前記第2増幅器のゲートバイアスを固定した状態で、前記合成回路の出力信号が最小になるように前記第1増幅器のゲートバイアスを制御する、付記12に記載の増幅装置の制御方法。
(付記14)
前記第1増幅器及び前記第2増幅器は、それぞれ、キャリア増幅器とピーク増幅器とを有するドハティ増幅器であり、
前記制御部は、前記合成回路の出力信号が最小になるように前記ピーク増幅器のゲートバイアスを制御する、付記12又は13に記載の増幅装置の制御方法。
(付記15)
前記制御部は、山登り法を用いて、前記合成器の出力信号が最小になるように前記複数の増幅器のうち少なくとも一つの増幅器のゲートバイアスを制御する、付記11から14のいずれか一項に記載の増幅装置の制御方法。
2 第2方向性結合器
3 移相器
4 合成回路
10 第1増幅器
11,21,51 キャリア増幅器
12,22,52 ピーク増幅器
20 第2増幅器
21 キャリア増幅器
22 ピーク増幅器
30,130 増幅部
31 増幅回路
32 分配器
33 合成器
34 結合器
35 アイソレータ
36 フィルタ部
37 アンテナ
38 DAコンバータ
39 アップコンバータ
40,140 デジタル信号処理部
50 第3増幅器
53 第3方向性結合器
54 スイッチ回路
100,101,102 無線通信装置
111,112 増幅装置
Claims (3)
- 入出力が並列に接続される第1増幅器と第2増幅器とを含む複数の増幅器であって、前記第1増幅器及び前記第2増幅器は、それぞれ、キャリア増幅器とピーク増幅器とを有するドハティ増幅器である複数の増幅器と、
前記複数の増幅器の各々の出力信号を取り出す複数の方向性結合器と、
前記複数の方向性結合器に含まれる第1方向性結合器から取り出された信号の位相を反転させる移相器と、
前記移相器の出力信号と前記複数の方向性結合器に含まれる第2方向性結合器から取り出された信号とを合成する合成回路と、
前記合成回路の出力信号が最小になるように前記第2増幅器の前記ピーク増幅器のゲートバイアスを調整し、前記合成回路の出力信号が最小になるように調整された前記第2増幅器の前記ピーク増幅器のゲートバイアスを固定した状態で、前記合成回路の出力信号が最小になるように前記第1増幅器の前記ピーク増幅器のゲートバイアスを調整する制御部とを備える、増幅装置。 - 増幅装置と、前記増幅装置により増幅された後の信号を送信するアンテナとを備える無線通信装置であって、
前記増幅装置は、
入出力が並列に接続される第1増幅器と第2増幅器とを含む複数の増幅器であって、前記第1増幅器及び前記第2増幅器は、それぞれ、キャリア増幅器とピーク増幅器とを有するドハティ増幅器である複数の増幅器と、
前記複数の増幅器の各々の出力信号を取り出す複数の方向性結合器と、
前記複数の方向性結合器に含まれる第1方向性結合器の出力信号の位相を反転させる移相器と、
前記移相器の出力信号と前記複数の方向性結合器に含まれる第2方向性結合器の出力信号とを合成する合成回路と、
前記合成回路の出力信号が最小になるように前記第2増幅器の前記ピーク増幅器のゲートバイアスを調整し、前記合成回路の出力信号が最小になるように調整された前記第2増幅器の前記ピーク増幅器のゲートバイアスを固定した状態で、前記合成回路の出力信号が最小になるように前記第1増幅器の前記ピーク増幅器のゲートバイアスを調整する制御部とを備える、無線通信装置。 - 入出力が並列に接続される第1増幅器と第2増幅器とを含む複数の増幅器であって、前記第1増幅器及び前記第2増幅器は、それぞれ、キャリア増幅器とピーク増幅器とを有するドハティ増幅器である複数の増幅器と、前記複数の増幅器の各々の出力信号を取り出す複数の方向性結合器と、前記複数の方向性結合器に含まれる第1方向性結合器から取り出された信号の位相を反転させる移相器と、前記移相器の出力信号と前記複数の方向性結合器に含まれる第2方向性結合器から取り出された信号とを合成する合成回路とを備える増幅装置の制御方法であって、
制御部は、前記合成回路の出力信号が最小になるように前記第2増幅器の前記ピーク増幅器のゲートバイアスを調整し、前記合成回路の出力信号が最小になるように調整された前記第2増幅器の前記ピーク増幅器のゲートバイアスを固定した状態で、前記合成回路の出力信号が最小になるように前記第1増幅器の前記ピーク増幅器のゲートバイアスを調整する、増幅装置の制御方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018182637A JP7206754B2 (ja) | 2018-09-27 | 2018-09-27 | 増幅装置、無線通信装置及び増幅装置の制御方法 |
US16/563,602 US10622953B1 (en) | 2018-09-27 | 2019-09-06 | Amplification device, radio communication apparatus, and amplification control method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018182637A JP7206754B2 (ja) | 2018-09-27 | 2018-09-27 | 増幅装置、無線通信装置及び増幅装置の制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020053890A JP2020053890A (ja) | 2020-04-02 |
JP7206754B2 true JP7206754B2 (ja) | 2023-01-18 |
Family
ID=69946622
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018182637A Active JP7206754B2 (ja) | 2018-09-27 | 2018-09-27 | 増幅装置、無線通信装置及び増幅装置の制御方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10622953B1 (ja) |
JP (1) | JP7206754B2 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001185967A (ja) | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波電力増幅器 |
JP2002124840A (ja) | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | ドハティ型増幅器 |
JP2006135528A (ja) | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Nec Network & Sensor Systems Ltd | 電力増幅器および電力増幅方法 |
JP2009260658A (ja) | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器 |
JP2010273018A (ja) | 2009-05-20 | 2010-12-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 増幅装置、無線基地局、及び増幅装置の制御方法 |
JP2011048893A (ja) | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | ヘッド・ジンバル・アセンブリ |
JP2011151787A (ja) | 2010-01-20 | 2011-08-04 | Pohang Univ Of Science & Technology Academy-Industry Cooperation | 分布ドハティ電力増幅器 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6799020B1 (en) | 1999-07-20 | 2004-09-28 | Qualcomm Incorporated | Parallel amplifier architecture using digital phase control techniques |
WO2003003569A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | Remec, Inc. | Balanced distortion reduction circuit |
KR100553252B1 (ko) | 2002-02-01 | 2006-02-20 | 아바고테크놀로지스코리아 주식회사 | 휴대용 단말기의 전력 증폭 장치 |
CN102577104B (zh) * | 2009-10-23 | 2015-01-14 | 日本碍子株式会社 | 多赫蒂放大器用合成器 |
US9225291B2 (en) | 2013-10-29 | 2015-12-29 | Freescale Semiconductor, Inc. | Adaptive adjustment of power splitter |
EP3235202A4 (en) * | 2014-12-19 | 2018-08-15 | ZTE Corporation | Efficient output power combining digital microwave radio system |
US9564932B1 (en) * | 2015-07-16 | 2017-02-07 | LGS Innovations LLC | Software defined radio front end |
JP6258386B2 (ja) | 2016-03-24 | 2018-01-10 | 日本電信電話株式会社 | 電力増幅装置および電力増幅制御方法 |
JP2018050167A (ja) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅モジュール |
US10630242B2 (en) * | 2016-12-29 | 2020-04-21 | Nxp Usa, Inc. | Doherty amplifiers with passive phase compensation circuits |
-
2018
- 2018-09-27 JP JP2018182637A patent/JP7206754B2/ja active Active
-
2019
- 2019-09-06 US US16/563,602 patent/US10622953B1/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001185967A (ja) | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波電力増幅器 |
JP2002124840A (ja) | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | ドハティ型増幅器 |
JP2006135528A (ja) | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Nec Network & Sensor Systems Ltd | 電力増幅器および電力増幅方法 |
JP2009260658A (ja) | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器 |
JP2010273018A (ja) | 2009-05-20 | 2010-12-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 増幅装置、無線基地局、及び増幅装置の制御方法 |
JP2011048893A (ja) | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | ヘッド・ジンバル・アセンブリ |
JP2011151787A (ja) | 2010-01-20 | 2011-08-04 | Pohang Univ Of Science & Technology Academy-Industry Cooperation | 分布ドハティ電力増幅器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020053890A (ja) | 2020-04-02 |
US20200106402A1 (en) | 2020-04-02 |
US10622953B1 (en) | 2020-04-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7170344B2 (en) | Multi-band predistorter using power series representation | |
JP7279391B2 (ja) | 電力増幅回路及びアンテナ装置 | |
JP2007053540A (ja) | ドハティ型増幅器 | |
EP3648343B1 (en) | Doherty amplifier and amplification circuit | |
KR20140147023A (ko) | 증폭 장치 | |
JP3985649B2 (ja) | 送信方法及び送信装置 | |
JPH09246873A (ja) | 歪み補償回路 | |
JPWO2018199233A1 (ja) | 送信機、通信システム、送信機の制御方法及びプログラム | |
JP7206754B2 (ja) | 増幅装置、無線通信装置及び増幅装置の制御方法 | |
JP5754362B2 (ja) | 増幅器 | |
US6720829B2 (en) | Distortion-compensated amplifying circuit | |
JP4441239B2 (ja) | 電圧制御可変移相器 | |
US6940346B2 (en) | Feedforward amplifier, communication apparatus, feedforward amplification method, program and medium | |
JP2014017670A (ja) | 送信装置、及び送信方法 | |
KR100371531B1 (ko) | 에러 피드백을 이용한 피드포워드 선형 전력 증폭기 | |
JP4500671B2 (ja) | 歪生成器及び低歪増幅器 | |
JP4628175B2 (ja) | 増幅器 | |
JP2010226249A (ja) | 増幅装置 | |
JP2001094359A (ja) | 歪み補償増幅器 | |
JP5153666B2 (ja) | フィードフォワード歪補償増幅器 | |
JP2002374129A (ja) | プリディストーション歪み補償回路、プリディストーション歪み補償方法、プログラム、および媒体 | |
JP2005151185A (ja) | 高出力広帯域信号を合成する方法及び増幅器 | |
JP2001284975A (ja) | フィードフォワード増幅器 | |
JP2005236875A (ja) | フィードフォワード型歪補償増幅器 | |
JPH0832359A (ja) | 電力制御回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210610 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220520 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220531 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220801 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221219 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7206754 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |