JP7201117B1 - 研磨用組成物、シリコンウェーハの研磨方法、及び研磨装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の研磨用組成物は、砥粒として平均粒子径100nm以下のシリカ、及び陽イオン界面活性剤を含むものであり、かつ、前記研磨用組成物は、pHが9.0以上であり、かつ、ゼータ電位が±30mV以内のものである研磨用組成物である。
本発明の研磨用組成物においては、砥粒として、平均粒子径100nm以下のシリカを用いる。
本発明では、研磨レート促進剤として、陽イオン界面活性剤を用いる。陽イオン界面活性剤としては特に制限はないが、例えば、第4級アンモニウムが親水基の界面活性剤であり、特に、疎水基に炭素数14以上、好ましくは炭素数14~20のアルキル基を有している構造のブロモ化物のものが好ましい。
シリカと陽イオン界面活性剤のほか、研磨用組成物には水溶性高分子を含んでいても良い。水溶性高分子を添加することで欠陥低減や粗さ改善の効果がある。水溶性高分子の例としては、セルロース誘導体などが良く用いられ、さらにはヒドロキシエチルセルロースや、プロピオニルエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、カルボキシエチルセルロースなどが用いられる。
さらに本発明では、シリコンウェーハを研磨するための研磨装置であって、前記研磨装置は、シリコンウェーハを研磨するための研磨布、及び上述の研磨用組成物を供給するための供給装置を有するものである研磨装置を提供する。
また、本発明では、シリコンウェーハの研磨方法であって、上述の研磨用組成物を用いてシリコンウェーハを研磨するシリコンウェーハの研磨方法を提供する。
35nmコロイダルシリカを1wt%含む砥粒にアンモニアを加えpHを9.0以上に調整した研磨用組成物に対して、研磨レート促進剤を種類及び濃度を変えて添加し、表1に示す組成の研磨用組成物を調製した。実施例では、研磨レート促進剤として、陽イオン界面活性剤としてテトラデシルトリメチルアンモニウム=ブロミド、及びステアリルトリメチルアンモニウム=ブロミドを用いた。比較例では、研磨レート促進剤を無添加のもの、またエチレンオキシド-プロピレンオキシドブロック共重合体、ヘキシルトリメチルアンモニウム=ブロミド、アミノエチルピペラジン、エチレンジアミンを用いた。
[1]:研磨用組成物であって、砥粒として平均粒子径100nm以下のシリカ、及び陽
イオン界面活性剤を含むものであり、かつ、前記研磨用組成物は、pHが9.0
以上であり、かつ、ゼータ電位が±30mV以内のものであることを特徴とする
研磨用組成物。
[2]:前記陽イオン界面活性剤が、親水基が第4級アンモニウムで、疎水基に炭素数1
4以上のアルキル基を有している構造の界面活性剤であることを特徴とする上記
[1]に記載の研磨用組成物。
[3]:前記陽イオン界面活性剤が、テトラデシルトリメチルアンモニウム=ブロミド
(TMAB)であることを特徴とする上記[1]又は上記[2]に記載の研磨用
組成物。
[4]:シリコンウェーハの研磨方法であって、上記[1]、上記[2]、又は上記
[3]に記載の研磨用組成物を用いてシリコンウェーハを研磨することを特徴と
するシリコンウェーハの研磨方法。
[5]:シリコンウェーハを研磨するための研磨装置であって、前記研磨装置は、シリコ
ンウェーハを研磨するための研磨布、及び上記[1]、上記[2]、又は上記
[3]に記載の研磨用組成物を供給するための供給装置を有するものであること
を特徴とする研磨装置。
5…研磨パッド、 6…研磨ヘッド、 7…ノズル。 W…ウェーハ。
Claims (4)
- シリコンウェーハを研磨するための研磨用組成物であって、
砥粒として平均粒子径100nm以下のシリカ、及び陽イオン界面活性剤を含むものであり、かつ、
前記研磨用組成物は、pHが9.0以上であり、かつ、ゼータ電位が±30mV以内のものであり、かつ、
前記陽イオン界面活性剤が、親水基が第4級アンモニウムで、疎水基に炭素数14以上のアルキル基を有している構造の界面活性剤であることを特徴とする研磨用組成物。 - 前記陽イオン界面活性剤が、テトラデシルトリメチルアンモニウム=ブロミド(TMAB)であることを特徴とする請求項1に記載の研磨用組成物。
- シリコンウェーハの研磨方法であって、
請求項1又は請求項2に記載の研磨用組成物を用いてシリコンウェーハを研磨することを特徴とするシリコンウェーハの研磨方法。 - シリコンウェーハを研磨するための研磨装置であって、
前記研磨装置は、シリコンウェーハを研磨するための研磨布、及び請求項1又は請求項2に記載の研磨用組成物を供給するための供給装置を有するものであることを特徴とする研磨装置。
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