JP7153509B2 - 光モジュール、光伝送装置、及び配線基板 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る光伝送装置1及び光送受信モジュール2の構成を示す模式図である。光伝送装置1は、プリント回路基板11とIC12を備えている。光伝送装置1は、例えば、大容量のルータやスイッチである。光伝送装置1は、例えば交換機の機能を有しており、基地局などに配置される。光伝送装置1に、複数の光送受信モジュール2が搭載されており、光送受信モジュール2より受信用のデータ(受信用の電気信号)を取得し、IC12などを用いて、どこへ何のデータを送信するかを判断し、送信用のデータ(送信用の電気信号)を生成し、プリント回路基板11を介して、該当する光送受信モジュール2へそのデータを伝達する。
図8Aは本発明の第2の実施形態に係るフィードスルー36の金属上層ULの構造を示す模式図であり、図8Bは当該実施形態に係るフィードスルー36の第2金属内側層IL2の構造を示す模式図である。当該実施形態に係るフィードスルー36の多層構造は、金属上層ULと、金属中間層MLと、金属下層LLと、第2金属内側層IL2と、からなる4層構造である。図8Aに示す当該実施形態に係る金属上層ULは、図5Aに示す第1の実施形態に係る金属上層ULと、第1信号パッド部82Bの構造が異なっている以外、同じ構造を有している。第1の実施形態に係る第1信号パッド部82Bの先端部が、第1接地パッド部81B,81Cの先端部より手前に留まっているのに対して、当該実施形態に係る第1信号パッド部82Bの先端部は、第1接地パッド部81B,81Cの先端部と、y軸方向において同じ位置となっている。当該実施形態に係る金属中間層ML(中間接地層90)及び金属下層LL(下側接地層95)の構造は、第1の実施形態と同じである。当該実施形態に係るフィードスルー36の多層構造は、第1の実施形態と異なり、第2金属内側層IL2をさらに含んでおり、第2金属内側層IL2に第2内側接地層99が配置される。第2内側接地層99は、平面視して金属上層ULに配置される第1信号パッド部82Bと重畳している。また、平面視して金属下層LLに配置される下側接地層95とも重畳している。第2内側接地層99は、一様に広がる接地導体層であり、平面視して下側開口部98Bと重畳する領域にも金属層が形成されている。
本発明の第3の実施形態に係るフィードスルー36の多層構造は、図8Aに示す金属上層ULと、図5Cに示す金属下層LLと、図5Cに示す下側接地層95と同じ構造の第1内側接地層を有する第1金属内側層IL1と、図8Bに示す第2金属内側層IL2と、からなる4層構造である。当該実施形態に係るフレキシブル基板32は、第1及び第2の実施形態と同じ構造を有している。
Claims (11)
- 表面に配置され第1接続部が形成される金属上層と、積層方向に沿って内部に配置される金属下層とを含む、多層構造を有する、第1基板と、
前記第1基板の第1接続部と電気的に接続される第2接続部が裏面に形成される、第2基板と、
を備える光モジュールであって、
前記第1基板の前記第1接続部は、前記第2基板の前記第2接続部と対向するとともに、平面視して前記第2接続部と重畳して物理的に接続され、
一定の線幅で延伸する部分を含む第1信号線導体ストリップと、前記第1信号線導体ストリップに物理的に接続し第1の方向に延伸し前記第1接続部に形成される第1信号端子と、前記第1信号端子の両側それぞれに前記第1信号端子と離間して前記第1の方向にそれぞれ延伸し前記第1接続部に形成される1対の第1接地端子と、が前記第1基板の前記金属上層に配置され、
下側接地層が前記第1基板の前記金属下層に配置され、
前記第1信号端子と平面視して重畳して物理的に接続され前記第1の方向に延伸し前記第2接続部に形成される裏面信号端子と、前記1対の第1接地端子と平面視して重畳して物理的に接続され前記第1の方向に延伸し前記第2接続部に形成される1対の裏面接地端子と、が前記第2基板の裏面に配置され、
前記第1基板の前記下側接地層は、平面視して前記1対の第1接地端子と重畳し前記第1の方向に延伸するとともに前記1対の第1接地端子と電気的に接続される1対の第2接地端子と、前記第1の方向に交差する第2の方向に延伸し前記1対の第2接地端子の先端部を物理的にかつ電気的に接続する下側接続接地部と、を含み、
前記1対の第2接地端子それぞれの内縁及び前記下側接続接地部の内縁を含んで、内側に金属層が形成されない下側開口部が形成され、
前記下側開口部は、平面視して、前記第1信号線導体ストリップの、前記一定の線幅で延伸する部分と重畳する、
ことを特徴とする、光モジュール。 - 請求項1に記載の光モジュールであって、
前記第1基板の前記多層構造は、前記金属上層と前記金属下層との間に配置される、1又は複数の金属中間層を含み、
中間接地層が、前記1又は複数の金属中間層それぞれに配置され、
前記中間接地層は、平面視して前記1対の第1接地端子及び前記1対の第2接地端子と重畳し前記第1の方向に延伸するとともに前記1対の第1接地端子及び前記1対の第2接地端子と電気的に接続される1対の第3接地端子、を含み、
前記1対の第3接地端子それぞれの内縁を含んで、内側に金属層が形成されない中間層開口部を形成するとともに、前記中間層開口部は前記1対の第3接地端子の先端部に及ぶ、
ことを特徴とする、光モジュール。 - 請求項1又は2に記載の光モジュールであって、
前記第1信号端子の先端部は、平面視して前記下側接地層の前記下側接続接地部の一部と重畳する、
ことを特徴とする、光モジュール。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の光モジュールであって、
前記第1基板の前記多層構造は、前記金属下層より前記金属上層とは反対側に配置される、1又は複数の第1金属内側層を含み、
第1内側接地層が、前記1又は複数の第1金属内側層それぞれに配置され、
前記第1内側接地層は、平面視して前記1対の第1接地端子及び前記1対の第2接地端子と重畳し前記第1の方向に延伸するとともに前記1対の第2接地端子と電気的に接続される1対の第4接地端子と、前記第2の方向に延伸し前記1対の第4接地端子の先端部を物理的に接続する内側接続接地部と、を含み、
前記1対の第4接地端子それぞれの内縁及び前記内側接続接地部の内縁を含んで、内側に金属層が形成されない内側開口部を形成する、
ことを特徴とする、光モジュール。 - 請求項1乃至4のいずれかに記載の光モジュールであって、
前記第1基板の前記多層構造は、前記金属下層より前記金属上層とは反対側に配置される、1又は複数の第2金属内側層を含み、
第2内側接地層が、前記1又は複数の第2金属内側層それぞれに配置され、
前記第2内側接地層は、平面視して前記下側開口部の内側と重畳する領域にも金属層が形成される、
ことを特徴とする、光モジュール。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載の光モジュールであって、
1又は複数の光素子を、さらに備え、
前記第1基板は、前記1又は複数の光素子と電気的に接続される配線基板である、
ことを特徴とする、光モジュール。 - 請求項6に記載の光モジュールであって、
前記第2基板は、フレキシブル基板である、
ことを特徴とする、光モジュール。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載の光モジュールであって、
前記第1基板は、セラミック回路基板である、
ことを特徴とする、光モジュール。 - 請求項1乃至8のいずれかに記載の光モジュールであって、
前記第1基板が搭載される光サブアセンブリと、
他の光サブアセンブリと、
をさらに備え、
前記光サブアセンブリと、前記他の光サブアセンブリのいずれか一方が光送信器であり、他方が光受信器である、
ことを特徴とする、光モジュール。 - 請求項1乃至9のいずれかに記載の光モジュールが搭載される、光伝送装置。
- 1又は複数の光素子と電気的に接続される配線基板であって、
前記配線基板は、表面に第1接続部が形成される金属上層と、積層方向に沿って内部に位置する金属下層とを含む多層構造を有し、前記第1接続部が他の基板の第2接続部と電気的に接続され、
前記配線基板の前記第1接続部は、前記他の基板の前記第2接続部と対向するとともに、平面視して前記第2接続部と重畳して物理的に接続され、
一定の線幅で延伸する部分を含む第1信号線導体ストリップと、前記第1信号線導体ストリップに物理的に接続し第1の方向に延伸し前記第1接続部に形成される第1信号端子と、前記第1信号端子の両側それぞれに前記第1信号端子と離間して前記第1の方向にそれぞれ延伸し前記第1接続部に形成される1対の第1接地端子と、が前記配線基板の前記金属上層に配置され、
下側接地層が前記配線基板の前記金属下層に配置され、
前記下側接地層は、平面視して前記1対の第1接地端子と重畳し前記第1の方向に延伸するとともに前記1対の第1接地端子と電気的に接続される1対の第2接地端子と、前記第1の方向に交差する第2の方向に延伸し前記1対の第2接地端子の先端部を物理的に接続する下側接続接地部と、を含み、
前記1対の第2接地端子それぞれの内縁及び前記下側接続接地部の内縁を含んで、内側に金属層が形成されない下側開口部が形成され、
前記下側開口部は、平面視して、前記第1信号線導体ストリップの、前記一定の線幅で延伸する部分と重畳する、
ことを特徴とする、配線基板。
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