JP7145068B2 - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、配線基板及びその製造方法に関する。
隣接する導体パターン間のイオンマイグレーションを抑制するために、これら導体パターンの間に凹部を形成した配線基板が提案されている（特許文献１）。
特開２０１６－５１８３４号公報
しかしながら、導体パターンの間に凹部を形成した配線基板では、接続不良が生じることがある。
本発明は、接続不良を低減することができる配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
本開示の一形態によれば、絶縁層上に金属層を形成する工程と、前記金属層に、互いに平行に延びる複数の配線を含む第１のパターンと、デガスホールを含む第２のパターンとを形成する工程と、前記第２のパターンを保護膜で覆った状態で、前記複数の配線の間に露出する前記絶縁層をエッチングすることにより、前記絶縁層に溝を形成する工程と、を有する配線基板の製造方法が提供される。
本開示によれば、接続不良を低減することができる。
第１の実施形態に係る配線基板のレイアウトを示す図である。 図１中の微細配線領域及びその近傍を拡大して示す図である。 第１の実施形態に係る配線基板の概略を示す断面図である。 薄膜層の詳細を示す断面図（その１）である。 薄膜層の詳細を示す断面図（その２）である。 第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。 第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。 第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。 第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その４）である。 第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その５）である。 第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その６）である。 第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その７）である。 第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その８）である。 第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その９）である。 第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１０）である。 第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１１）である。 第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１２）である。 第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１３）である。 第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１４）である。 第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１５）である。 第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１６）である。 第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１７）である。 第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１８）である。 第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１９）である。 第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その２０）である。 第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その２１）である。 第３の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。 第３の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。 第３の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。 第３の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その４）である。
本発明者は、接続不良が生じる原因を究明すべく鋭意検討を行った。この結果、導体パターンの周辺に設けられているデガスホールの近傍にボイドが存在し、このボイドを起因とする剥がれが生じていることが判明した。また、ボイドが発生する原因として、導体パターン間に形成された微細溝が形成されるところ、この微細溝と同時にデガスホールの内側にも溝が形成されており、この溝内に適切に絶縁層が形成されていないことも判明した。
以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。
（第１の実施形態）
第１の実施形態について説明する。第１の実施形態は、配線基板に関する。図１は、第１の実施形態に係る配線基板のレイアウトを示す図である。図２は、図１中の微細配線領域及びその近傍を拡大して示す図である。
図１に示すように、第１の実施形態に係る配線基板１は、特定用途向け集積回路（application specific integrated circuit：ＡＳＩＣ）等の半導体集積回路チップが搭載される第１の領域２と、高帯域幅メモリ（high bandwidth memory：ＨＢＭ）等の半導体メモリチップが搭載される第２の領域３Ａ、３Ｂ、３Ｃ及び３Ｄとを有する。第１の領域２は矩形状の平面形状を備えており、その一つの辺５に沿って第２の領域３Ａ及び３Ｂは並んで配置され、辺５に平行な辺６に沿って第２の領域３Ｃ及び３Ｄが並んで配置されている。以下、辺５及び辺６が延びる方向をＹ方向とし、配線基板１の主面に平行な面内でＹ方向に直交する方向をＸ方向とする。
第１の領域２と第２の領域３Ａとの間に微細配線領域４Ａが設けられている。微細配線領域４Ａは、第１の領域２に搭載される半導体集積回路チップと第２の領域３Ａに搭載される半導体メモリチップとを接続する複数の微細配線を有する。第１の領域２と第２の領域３Ｂとの間に微細配線領域４Ｂが設けられている。微細配線領域４Ｂは、第１の領域２に搭載される半導体集積回路チップと第２の領域３Ｂに搭載される半導体メモリチップとを接続する複数の微細配線を有する。第１の領域２と第２の領域３Ｃとの間に微細配線領域４Ｃが設けられている。微細配線領域４Ｃは、第１の領域２に搭載される半導体集積回路チップと第２の領域３Ｃに搭載される半導体メモリチップとを接続する複数の微細配線を有する。第１の領域２と第２の領域３Ｄとの間に微細配線領域４Ｄが設けられている。微細配線領域４Ｄは、第１の領域２に搭載される半導体集積回路チップと第２の領域３Ｄに搭載される半導体メモリチップとを接続する複数の微細配線を有する。
図２には、微細配線領域４Ａ～４Ｄのうちの一例として微細配線領域４Ａ及びその近傍を示してある。図２に示すように、微細配線領域４ＡはＸ方向に延びる複数の微細配線２１を有する。複数の微細配線２１は、例えば、ライン幅及びスペース幅が１μｍ～５μｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）のパターンで形成されている。
第１の領域２、第２の領域３Ａ～３Ｄ、微細配線領域４Ａ～４Ｄの周辺には、接地領域７が設けられている。接地領域７には、接地された、複数、ここでは３の金属層が設けられており、一つ金属層に複数のデガスホール３１Ａが形成され、他の一つの金属層に複数のデガスホール３１Ｂが形成され、他の一つの金属層に複数のデガスホール３１Ｃが形成されている。デガスホール３１Ａの中心部にアンカービア用パッド３２Ａが設けられ、デガスホール３１Ｂの中心部にアンカービア用パッド３２Ｂが設けられ、デガスホール３１Ｃの中心部にアンカービア用パッド３２Ｃが設けられている。平面視で、デガスホール３１Ａとデガスホール３１Ｃとが重なり合い、アンカービア用パッド３２Ａとアンカービア用パッド３２Ｃとが重なり合う。平面視で、デガスホール３１Ｂがデガスホール３１Ａ及び３１Ｃから離間し、アンカービア用パッド３２Ｂがアンカービア用パッド３２Ａ及び３２Ｃから離間している。例えば、デガスホール３１Ａ～３１Ｃの直径は５０μｍ～１５０μｍであり、アンカービア用パッド３２Ａ～３２Ｃの直径は２０μｍ～４０μｍである。
次に、配線基板の断面構造について説明する。図３は、第１の実施形態に係る配線基板の概略を示す断面図である。図４及び図５は、薄膜層の詳細を示す断面図である。図４は、図２中のＩ－Ｉ線に沿った断面図に相当し、図５は、図１中のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図に相当する。
図３に示すように、配線基板１は、ビルドアップ基板１１と、ビルドアップ基板１１の一方の面上に形成された薄膜層１２とを有する。微細配線２１は薄膜層１２に形成されている。以下、ビルドアップ基板１１の薄膜層１２が形成された側を搭載側、その反対側を非搭載側ということがある。
図４に示すように、薄膜層１２は、ビルドアップ基板１１上に形成された第１の微細配線層５１と、第１の微細配線層５１を覆う第３の絶縁層１３０とを有する。第１の微細配線層５１はシード層１２１と金属めっき層１２２とを含む。例えば、シード層１２１は、チタン膜と、その上の銅膜とを有し、金属めっき層１２２は銅めっき層である。第１の微細配線層５１は微細配線２１Ａ、デガスホール３１Ａ及びアンカービア用パッド３２Ａを有する。微細配線２１Ａは微細配線領域４Ａ～４Ｄ内に形成され、デガスホール３１Ａ及びアンカービア用パッド３２Ａは接地領域７内に形成されている。微細配線２１Ａは微細配線２１の一部である。また、微細配線２１Ａを含むＬ／Ｓパターンのスペース部において、ビルドアップ基板１１の表面に微細溝１５１が形成されている。一方、デガスホール３１Ａの内側では、ビルドアップ基板１１の表面が微細溝１５１の底面より上方にあり、好ましくは、微細配線２１Ａとビルドアップ基板１１との界面と面一である。第３の絶縁層１３０は微細溝１５１及びデガスホール３１Ａを埋めるように形成されている。例えば、デガスホール３１Ａ及びアンカービア用パッド３２Ａの平面形状は円形である。金属めっき層１２２は金属層の一例であり、金属めっき層１２２の微細配線領域４Ａ～４Ｄ内のパターンが第１のパターンの一例であり、金属めっき層１２２の接地領域７内のパターンが第２のパターンの一例である。微細配線２１Ａは配線の一例であり、微細溝１５１は溝の一例である。
薄膜層１２は、第３の絶縁層１３０上に形成された第２の微細配線層５２と、第２の微細配線層５２を覆う第４の絶縁層１４０とを有する。第２の微細配線層５２はシード層１３１と金属めっき層１３２とを含む。例えば、シード層１３１は、チタン膜と、その上の銅膜とを有し、金属めっき層１３２は銅めっき層である。第２の微細配線層５２は微細配線２１Ｂ、デガスホール３１Ｂ及びアンカービア用パッド３２Ｂを有する（図２参照）。微細配線２１Ｂは微細配線領域４Ａ～４Ｄ内に形成され、デガスホール３１Ｂ及びアンカービア用パッド３２Ｂは接地領域７内に形成されている。微細配線２１Ｂは微細配線２１の一部である。また、微細配線２１Ｂを含むＬ／Ｓパターンのスペース部において、第３の絶縁層１３０の表面に微細溝１５２が形成されている。一方、デガスホール３１Ｂの内側では、第３の絶縁層１３０の表面が微細溝１５２の底面より上方にあり、好ましくは、微細配線２１Ｂと第３の絶縁層１３０との界面と面一である。第４の絶縁層１４０は微細溝１５２及びデガスホール３１Ｂを埋めるように形成されている。例えば、デガスホール３１Ｂ及びアンカービア用パッド３２Ｂの平面形状は円形である。金属めっき層１３２は金属層の一例であり、金属めっき層１３２の微細配線領域４Ａ～４Ｄ内のパターンが第１のパターンの一例であり、金属めっき層１３２の接地領域７内のパターンが第２のパターンの一例である。微細配線２１Ｂは配線の一例であり、微細溝１５２は溝の一例である。
薄膜層１２は、第４の絶縁層１４０上に形成された第３の微細配線層５３と、第３の微細配線層５３を覆う第５の絶縁層１５０とを有する。第３の微細配線層５３はシード層１４１と金属めっき層１４２とを含む。例えば、シード層１４１は、チタン膜と、その上の銅膜とを有し、金属めっき層１４２は銅めっき層である。第３の微細配線層５３は微細配線２１Ｃ、デガスホール３１Ｃ及びアンカービア用パッド３２Ｃを有する。微細配線２１Ｃは微細配線領域４Ａ～４Ｄ内に形成され、デガスホール３１Ｃ及びアンカービア用パッド３２Ｃは接地領域７内に形成されている。微細配線２１Ｃは微細配線２１の一部である。また、微細配線２１Ｃを含むＬ／Ｓパターンのスペース部において、第４の絶縁層１４０の表面に微細溝１５３が形成されている。一方、デガスホール３１Ｃの内側では、第４の絶縁層１４０の表面が微細溝１５３の底面より上方にあり、好ましくは、微細配線２１Ｃと第４の絶縁層１４０との界面と面一である。第５の絶縁層１５０は微細溝１５３及びデガスホール３１Ｃを埋めるように形成されている。例えば、デガスホール３１Ｃ及びアンカービア用パッド３２Ｃの平面形状は円形である。金属めっき層１４２は金属層の一例であり、金属めっき層１４２の微細配線領域４Ａ～４Ｄ内のパターンが第１のパターンの一例であり、金属めっき層１４２の接地領域７内のパターンが第２のパターンの一例である。微細配線２１Ｃは配線の一例であり、微細溝１５３は溝の一例である。
第４の絶縁層１４０にはマイクロビアホール１４０Ａが形成されており、アンカービア用パッド３２Ｃはマイクロビアホール１４０Ａを通じて第２の微細配線層５２に金属接合されている。また、第３の絶縁層１３０にはマイクロビアホール１３０Ａが形成されており（図５参照）、アンカービア用パッド３２Ｂは接地領域７内のマイクロビアホール１３０Ａを通じて第１の微細配線層５１に金属接合されている。従って、第１の微細配線層５１、第２の微細配線層５２及び第３の微細配線層５３は、接地領域７内で互いに金属接合されている。従って、アンカー効果により強い接合強度が得られる。
図５に示すように、薄膜層１２は、微細配線２１の端部に接続され、第５の絶縁層１５０から突出する接続端子６１、６２及び６３を有する。接続端子６１は第１の微細配線層５１の微細配線２１Ａに電気的に接続され、接続端子６２は第２の微細配線層５２の微細配線２１Ｂに電気的に接続され、接続端子６３は第３の微細配線層５３の微細配線２１Ｃに電気的に接続されている。接続端子６１～６３はシード層１６１と金属めっき層１６２とを含む。例えば、シード層１６１は、チタン膜と、その上の銅膜とを有し、金属めっき層１６２は銅めっき層である。
配線基板１によれば、隣り合う微細配線２１Ａの間に微細溝１５１が形成され、隣り合う微細配線２１Ａの間でのイオンマイグレーションを抑制することができる。同様に、隣り合う微細配線２１Ｂの間に微細溝１５２が形成され、隣り合う微細配線２１Ｃの間に微細溝１５３が形成されているため、隣り合う微細配線２１Ｂの間でのイオンマイグレーション、隣り合う微細配線２１Ｃの間でのイオンマイグレーションを抑制することができる。
また、デガスホール３１Ａ～３１Ｃの内側に溝が形成されていないため、第３の絶縁層１３０、第４の絶縁層１４０、第５の絶縁層１５０にはボイドが発生しにくい。従って、薄膜層１２内での剥がれを抑制し、剥がれに伴う接続不良を抑制することができる。
（第２の実施形態）
第２の実施形態について説明する。第２の実施形態は、第１の実施形態に係る配線基板１の製造方法に関する。図６～図２６は、第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。第２の実施形態では、まず、ビルドアップ基板１１を形成し、その後に、ビルドアップ基板１１上に薄膜層１２を形成する。図６～図８は、ビルドアップ基板の形成方法を示す断面図である。図９～図２６は、薄膜層の形成方法を示す断面図である。図９（ａ）～図２６（ａ）には、図２中のＩ－Ｉ線に沿った断面図に相当する部分を示し、図９（ｂ）～図２６（ｂ）には、図１中のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図に相当する部分を示す。
まず、図６（ａ）に示すように、支持体としてコア配線基板１０１を準備する。コア配線基板１０１はコア基板１０２及び第１の配線層１０４を備えている。コア基板１０２には厚さ方向に貫通するスルーホール１０３Ａが形成されており、スルーホール１０３Ａ内に貫通導体１０３が設けられている。例えば、スルーホール１０３Ａはドリルやレーザを用いた加工等により形成することができ、貫通導体１０３及び第１の配線層１０４はめっき法及びフォトリソグラフィ等により形成することができる。なお、コア配線基板１０１としては、配線基板１が複数個取れる大判の基板が使用される。つまり、コア配線基板１０１は、配線基板１に対応する構造体が形成される複数の領域を有している。
次いで、図６（ｂ）に示すように、コア基板１０２の両側に未硬化の樹脂フィルムを貼付し、加熱処理して硬化させることにより、第１の絶縁層１０５を形成する。第１の絶縁層１０５は、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂等の絶縁樹脂から形成される。液状樹脂を塗布することにより、第１の絶縁層１０５を形成してもよい。その後、コア基板１０２の両側の第１の絶縁層１０５をレーザで加工することにより、第１の配線層１０４の接続部に到達するビアホール１０６を第１の絶縁層１０５に形成する。
続いて、図７（ａ）に示すように、コア基板１０２の両側において、ビアホール１０６内のビア導体を介して第１の配線層１０４に接続される第２の配線層１０７を第１の絶縁層１０５上に形成する。第２の配線層１０７はセミアディティブ法によって形成することができる。
第２の配線層１０７の形成後、図７（ｂ）に示すように、コア基板１０２の両側において、第１の絶縁層１０５上に、第２の配線層１０７の接続部上にビアホール１０９が設けられた第２の絶縁層１０８を形成する。第２の絶縁層１０８は、第１の絶縁層１０５と同様の方法で形成することができる。
更に、同じく図７（ｂ）に示すように、コア基板１０２の両側において、ビアホール１０９内のビア導体を介して第２の配線層１０７に接続される第３の配線層１１０を第２の絶縁層１０８上に形成する。第３の配線層１１０は、第２の配線層１０７と同様の方法に、セミアディティブ法によって形成することができる。但し、コア基板１０２の搭載側では、第２の絶縁層１０８上で第３の配線層１１０に配線パターンを形成せずに、第３の配線層１１０をべた状に形成することができる。
次いで、図８に示すように、コア基板１０２の非搭載側において、第２の絶縁層１０８上にソルダレジスト層１１１を形成する。その後、ソルダレジスト層１１１に第３の配線層１１０の接続部に達する開口部１１２を形成する。
ソルダレジスト層１１１は、感光性のエポキシ樹脂又はアクリル樹脂等の絶縁樹脂から形成される。樹脂フィルムの貼り付け又は液状樹脂の塗布により、ソルダレジスト層１１１を形成してもよい。開口部１１２は、露光及び現像により形成することができる。ソルダレジスト層１１１に非感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂等の絶縁樹脂を用いてもよい。この場合、開口部１１２は、レーザ加工又はブラスト処理により形成することができる。
このようにして、ビルドアップ基板１１を形成することができる。
次いで、図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、化学機械的研磨（chemical mechanical polishing）法によりビルドアップ基板１１の搭載側の表面を研磨し、第２の絶縁層１０８を露出させる。
その後、図１０（ａ）及び（ｂ）に示すように、第２の絶縁層１０８とビアホール１０９内の第３の配線層１１０との上にシード層１２１を形成する。シード層１２１の形成では、例えば、スパッタ法によりチタン膜及び銅膜を順次形成する。
続いて、図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、シード層１２１上に第１の微細配線層５１を形成する部分に開口部が設けられためっきレジスト層１９１を形成する。例えば、めっきレジスト層１９１は、微細配線２１Ａを形成する部分及びアンカービア用パッド３２Ａを形成する部分に開口部を有し、デガスホール３１Ａを形成する部分を覆う。
次いで、図１２（ａ）及び（ｂ）に示すように、シード層１２１をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、めっきレジスト層１９１の開口部に銅等からなる金属めっき層１２２を形成する。
その後、図１３（ａ）及び（ｂ）に示すように、めっきレジスト層１９１を除去する。
続いて、図１４（ａ）及び（ｂ）に示すように、金属めっき層１２２をマスクにしてシード層１２１をウェットエッチングにより除去する。第１の微細配線層５１に、微細配線２１Ａ、デガスホール３１Ａ及びアンカービア用パッド３２Ａが形成される。このように、第１の微細配線層５１はセミアディティブ法により形成することができる。
次いで、図１５（ａ）及び（ｂ）に示すように、微細配線２１Ａを含む第１の微細配線層５１のＬ／Ｓパターンのスペース部に開口部が設けられた保護膜１８１を形成する。保護膜１８１は、例えば感光性のエポキシ樹脂等の絶縁樹脂から形成される。
その後、図１６（ａ）及び（ｂ）に示すように、保護膜１８１と、第２の絶縁層１０８の保護膜１８１から露出する部分とのエッチングを行う。この結果、微細配線２１Ａを含むＬ／Ｓパターンのスペース部において、第２の絶縁層１０８に微細溝１５１が形成される。その一方で、保護膜１８１による被覆のために、デガスホール３１Ａから露出していた第２の絶縁層１０８には、溝が形成されない。
続いて、図１７（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１の微細配線層５１及び第２の絶縁層１０８上に、第１の微細配線層５１の一部上にマイクロビアホール１３０Ａが設けられた第３の絶縁層１３０を形成する。第３の絶縁層１３０は、例えば感光性のエポキシ樹脂等の絶縁樹脂から形成される。マイクロビアホール１３０Ａは、例えばフォトリソグラフィ技術により形成する。
次いで、図１８（ａ）及び（ｂ）に示すように、マイクロビアホール１３０Ａ内のビア導体を介して第１の微細配線層５１に接続される第２の微細配線層５２を第３の絶縁層１３０上に形成する。第２の微細配線層５２は、第１の微細配線層５１と同様に、セミアディティブ法により形成することができ、シード層１３１と金属めっき層１３２とを含む。第２の微細配線層５２に、微細配線２１Ｂ、デガスホール３１Ｂ及びアンカービア用パッド３２Ｂが形成される（図２参照）。
その後、図１９（ａ）及び（ｂ）に示すように、微細配線２１Ｂを含む第２の微細配線層５２のＬ／Ｓパターンのスペース部に開口部が設けられた保護膜１８２を形成する。保護膜１８２は、例えば感光性のエポキシ樹脂等の絶縁樹脂から形成される。
続いて、図２０（ａ）及び（ｂ）に示すように、保護膜１８２と、第３の絶縁層１３０の保護膜１８２から露出する部分とのエッチングを行う。この結果、微細配線２１Ｂを含むＬ／Ｓパターンのスペース部において、第３の絶縁層１３０に微細溝１５２が形成される。その一方で、保護膜１８２による被覆のために、デガスホール３１Ｂから露出していた第３の絶縁層１３０には、溝が形成されない。
次いで、図２１（ａ）及び（ｂ）に示すように、第２の微細配線層５２及び第３の絶縁層１３０上に、第２の微細配線層５２の一部上にマイクロビアホール１４０Ａが設けられた第４の絶縁層１４０を形成する。第４の絶縁層１４０は、例えば感光性のエポキシ樹脂等の絶縁樹脂から形成される。マイクロビアホール１４０Ａは、例えばフォトリソグラフィ技術により形成する。
その後、図２２（ａ）及び（ｂ）に示すように、マイクロビアホール１４０Ａ内のビア導体を介して第２の微細配線層５２に接続される第３の微細配線層５３を第３の絶縁層１３０上に形成する。第３の微細配線層５３は、第１の微細配線層５１と同様に、セミアディティブ法により形成することができ、シード層１４１と金属めっき層１４２とを含む。第３の微細配線層５３に、微細配線２１Ｃ、デガスホール３１Ｃ及びアンカービア用パッド３２Ｃが形成される。
続いて、図２３（ａ）及び（ｂ）に示すように、微細配線２１Ｃを含む第３の微細配線層５３のＬ／Ｓパターンのスペース部に開口部が設けられた保護膜１８３を形成する。保護膜１８３は、例えば感光性のエポキシ樹脂等の絶縁樹脂から形成される。
次いで、図２４（ａ）及び（ｂ）に示すように、保護膜１８３と、第４の絶縁層１４０の保護膜１８３から露出する部分とのエッチングを行う。この結果、微細配線２１Ｃを含むＬ／Ｓパターンのスペース部において、第４の絶縁層１４０に微細溝１５３が形成される。その一方で、保護膜１８３による被覆のために、デガスホール３１Ｃから露出していた第４の絶縁層１４０には、溝が形成されない。
その後、図２５（ａ）及び（ｂ）に示すように、第３の微細配線層５３及び第４の絶縁層１４０上に、第３の微細配線層５３の一部上にマイクロビアホール１５０Ａが設けられた第５の絶縁層１５０を形成する。第５の絶縁層１５０は、例えば感光性のエポキシ樹脂等の絶縁樹脂から形成される。マイクロビアホール１５０Ａは、例えばフォトリソグラフィ技術により形成する。
続いて、図２６（ａ）及び（ｂ）に示すように、マイクロビアホール１５０Ａ内のビア導体を介して第３の微細配線層５３に接続される接続端子６１～６３を形成する。接続端子６１～６３は、第１の微細配線層５１と同様に、セミアディティブ法により形成することができ、シード層１６１と金属めっき層１６２とを含む。
次いで、図２６（ａ）及び（ｂ）に示す構造体を切断線（図示せず）に沿ってスライサー等により切断する。これにより、配線基板１に対応する構造体が個片化され、大判のコア配線基板１０１から第１の実施形態に係る配線基板１が複数得られる。このようにして、第１の実施形態に係る配線基板１を製造することができる。
この製造方法では、保護膜１８１によってデガスホール３１Ａを覆った状態で微細溝１５１を形成するため、デガスホール３１Ａの内側に溝が形成されない。このため、第３の絶縁層１３０によって微細溝１５１及びデガスホール３１Ａを適切に埋めることができ、ボイドの発生を防ぐことができる。保護膜１８２によってデガスホール３１Ｂを覆った状態で微細溝１５２を形成するため、デガスホール３１Ｂの内側に溝が形成されない。このため、第４の絶縁層１４０によって微細溝１５２及びデガスホール３１Ｂを適切に埋めることができ、ボイドの発生を防ぐことができる。保護膜１８３によってデガスホール３１Ｃを覆った状態で微細溝１５３を形成するため、デガスホール３１Ｃの内側に溝が形成されない。このため、第５の絶縁層１５０によって、微細溝１５３及びデガスホール３１Ｃを適切に埋めることができ、ボイドの発生を防ぐことができる。従って、ボイドに起因する剥がれ及び接続不良を抑制することができる。
（第３の実施形態）
第３の実施形態について説明する。第３の実施形態は、第１の実施形態に係る配線基板１の他の製造方法に関する。以下、第２の実施形態との相違点について説明する。図２７～図３０は、第３の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。
第３の実施形態では、図２７（ａ）及び（ｂ）に示すように、第２の実施形態と同様にしてめっきレジスト層１９１の除去までの処理を行う。次いで、シード層１２１を除去せずに、保護膜１８１を形成する。
次いで、図２８（ａ）及び（ｂ）に示すように、保護膜１８１から露出している金属めっき層１２２をマスクにしてシード層１２１をウェットエッチングにより除去する。
その後、図２９（ａ）及び（ｂ）に示すように、保護膜１８１と、第２の絶縁層１０８の保護膜１８１から露出する部分とのエッチングを行う。この結果、微細配線２１Ａを含むＬ／Ｓパターンのスペース部において、第２の絶縁層１０８に微細溝１５１が形成される。その一方で、保護膜１８１により被覆され、また、シード層１２１が残存しているために、デガスホール３１Ａの内側では第２の絶縁層１０８に溝が形成されない。
続いて、図３０（ａ）に示すように、金属めっき層１２２をマスクにしてシード層１２１をウェットエッチングにより除去する。第１の微細配線層５１に、微細配線２１Ａ、デガスホール３１Ａ及びアンカービア用パッド３２Ａが形成される。
このように、第３の実施形態では、シード層１２１をデガスホール３１Ａの内側に残した状態で微細溝１５１を形成する。従って、デガスホール３１Ａの内側での第２の絶縁層１０８への溝の形成をより確実に抑制することができる。
その後、同様の処理を繰り返して第２の微細配線層５２及び第３の微細配線層５３を形成する。すなわち、シード層１３１をデガスホール３１Ｂの内側に残した状態で微細溝１５２を形成し、シード層１４１をデガスホール３１Ｃの内側に残した状態で微細溝１５３を形成する。
そして、第５の絶縁層１５０や接続端子６１～６３等を形成し、スライサー等による切断を行う。これにより、配線基板１に対応する構造体が個片化され、大判のコア配線基板１０１から第１の実施形態に係る配線基板１が複数得られる。このようにして、第１の実施形態に係る配線基板１を製造することができる。
第３の実施形態によっても、ボイドに起因する剥がれ及び接続不良を抑制することができる。
以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。例えば、上述の実施形態ではビルドアップ基板が用いられているが、ビルドアップ基板に代えて支持基板が用いられてもよい。
１ 配線基板
４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄ 微細配線領域
７ 接地領域
１１ ビルドアップ基板
１２ 薄膜層
２１、２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄ 微細配線
３１Ａ、３１Ｂ、３１Ｃ デガスホール
３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃ アンカービア用パッド
５１、５２、５３ 微細配線層
６１、６２、６３ 接続端子
１５１、１５２、１５３ 微細溝

Claims (9)

  1. 絶縁層上に金属層を形成する工程と、
    前記金属層に、互いに平行に延びる複数の配線を含む第１のパターンと、デガスホールを含む第２のパターンとを形成する工程と、
    前記第２のパターンを保護膜で覆った状態で、前記複数の配線の間に露出する前記絶縁層をエッチングすることにより、前記絶縁層に溝を形成する工程と、
    を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
  2. 前記金属層を形成する工程の前に、前記絶縁層上にシード層を形成する工程を有し、
    前記溝を形成する工程の前に、前記シード層にも前記デガスホールを形成する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
  3. 前記金属層を形成する工程の前に、前記絶縁層上にシード層を形成する工程を有し、
    前記溝を形成する工程の後に、前記シード層にも前記デガスホールを形成する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
  4. 前記複数の配線を、ライン幅及びスペース幅が１μｍ～５μｍのラインアンドスペースのパターンで形成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
  5. 前記デガスホールの平面形状は円形であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
  6. 前記第１のパターンと前記第２のパターンとを形成する工程において、前記金属層に前記デガスホールの内側のパッドを形成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
  7. 絶縁層と、
    前記絶縁層上に形成され、互いに平行に延びる複数の配線を含む第１のパターンと、デガスホールを含む第２のパターンとを有する金属層と、
    を有し、
    前記複数の配線の間に露出する前記絶縁層に溝が形成され、
    前記デガスホールの内側では、前記絶縁層の表面が前記溝の底面より上方にあることを特徴とする配線基板。
  8. 前記デガスホールの内側では、前記絶縁層の表面が前記複数の配線と前記絶縁層との界面と面一であることを特徴とする請求項７に記載の配線基板。
  9. 前記複数の配線が、ライン幅及びスペース幅が１μｍ～５μｍのラインアンドスペースのパターンで形成されていることを特徴とする請求項７又は８に記載の配線基板。
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