JP2017103350A - プリント配線板及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】ボイドの発生を抑制し、めっき膜の均一性を保つことにより、接続信頼性を向上することができるプリント配線板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】プリント配線板1は、導体パッド110を含む導体層11と、導体層11を覆う絶縁層12と、絶縁層12の上に形成される導体層13と、導体層13を取り囲むように絶縁層12の上に積層された絶縁層14と、絶縁層12,14の内部に亘って一体的に形成される導体部材15とを備える。導体部材15は、金属シード層及び無電解めっき層により形成されている。導体部材15は、絶縁層12に貫設されて導体パッド110と電気的に接続する第1部分150と、絶縁層14に貫設されて導体層13と並設する第2部分151とを有する。第2部分151の上表面151aは外部に露出している。
【選択図】図1

Description

本発明は、プリント配線板及びその製造方法に関する。
従来、このような分野の技術として、例えば下記特許文献に記載されるものがある。特許文献1に記載のプリント配線板は、第1導体層を有するコア基板と、該コア基板上に形成されると共に第1及び第2開口部を有する絶縁層とを備えている。第1及び第2開口部のうち、第2開口部はコア基板に最も近く配置され、第1導体層の一部を露出させている。一方、第1開口部は、第2開口部の外側(コア基板から離れる側)に配置され、該第2開口部と連通している。そして、第1開口部には第2導体層が形成され、第2開口部には第1導体層及び第2導体層を電気的に接続するビア導体が形成されている。
特開2007−221089号公報
しかし、上記のプリント配線板では、第2導体層及びビア導体を形成する際に電解めっき法が用いられるため、電流密度分布のばらつき等の原因で第1及び第2開口部の内部にボイドが発生しやすく、形成されるめっき膜が不均一になる可能性があると考えられる。そして、ボイドの発生及びめっき膜の不均一によって、プリント配線板の接続信頼性が損なわれていると推測される。
上記課題を解決する本発明のプリント配線板は、複数の導体層及び絶縁層を有するプリント配線板であって、第1導体パッドを含む第1導体層と、前記第1導体層を覆うように該第1導体層の上に積層される第1絶縁層と、前記第1絶縁層の上に形成され、第2導体パッドを含む第2導体層と、前記第2導体層を取り囲むように前記第1絶縁層の上に積層される第2絶縁層と、前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層の内部に亘り、一体的に形成される導体部材と、を備え、前記導体部材は、金属シード層及び無電解めっき層により形成されており、前記導体部材は、前記第1絶縁層に貫設され、前記第1導体パッドと電気的に接続する第1部分と、前記第2絶縁層に貫設され、前記第2導体層と並設する第2部分と、を有し、前記第2部分の上表面は、外部に露出している。
また、本発明に係るプリント配線板の製造方法は、絶縁材料からなる第1絶縁層を形成する工程と、前記第1絶縁層を貫通する貫通孔を形成し、前記第1絶縁層の表面及び前記貫通孔の内壁面に金属シード層を形成する工程と、前記金属シード層の上にレジスト層を形成し、該レジスト層に露光現像処理を施すことによってレジストパターンと、前記貫通孔を覆い被せるレジストポストと、を形成する工程と、前記レジストパターン及び前記レジストポストが形成されていない部分の前記金属シード層を除去する工程と、前記第1絶縁層の上に、前記レジストパターン及び前記レジストポストを覆う第2絶縁層を積層する工程と、前記第2絶縁層の表面にプラズマを照射することにより前記レジストパターン及び前記レジストポストを露出させ、更にプラズマ照射で前記レジストパターン及び前記レジストポストを除去する工程と、前記レジストパターン及び前記レジストポストの除去により露出された前記金属シード層の上に、無電解めっき層を形成する工程と、を備える。
本発明によれば、ボイドの発生を抑制し、めっき膜の均一性を保つことにより、接続信頼性を向上することができる。
第1実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。 プリント配線板を用いたPOP構造の半導体パッケージを示す説明図である。 第2実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。 プリント配線板を用いたPOP構造の半導体パッケージを示す説明図である。 プリント配線板を用いたPOP構造の半導体パッケージを示す説明図である。 第3実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。 第4実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。 第5実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。
以下、図面を参照して本発明に係るプリント配線板及びその製造方法の実施形態について説明する。図面の説明において同一の要素には同一符号を付し、重複説明は省略する。
<第1実施形態>
図1は第1実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。本実施形態に係るプリント配線板1は、複数の導体層と絶縁層とを交互に積層してなるビルドアップ構造となっており、3層の絶縁層10,12,14と2層の導体層11,13とを備えている。絶縁層10、絶縁層12及び絶縁層14は、層間絶縁層であり、例えば感光性樹脂によって形成され、それぞれの厚みが5〜25μmである。絶縁層10はプリント配線板1の最も下側、絶縁層14はプリント配線板1の最も上側、絶縁層12はこれらの間に配置されている。
絶縁層10の上には、導体層11が形成されている。本発明の導体層は、導体回路を構成する配線層であり、その配置位置によって導体パッドと配線等を含む場合もあれば、導体パッドのみを含む場合もある。導体層11は、特許請求の範囲に記載の「第1導体層」に相当するものであって、複数の導体パッド(第1導体パッド)110と、該導体パッド110の間に配置された複数の配線111とを含むように形成されている。
導体パッド110及び配線111は、それぞれ金属シード層11aと無電解めっき層11bにより形成されている。金属シード層11aは、例えばCuシード層であり、絶縁層10に隣接する側に配置され、その上には無電解めっき層11bが配置されている。また、絶縁層10の内部には、絶縁層10を貫通する貫通孔16が複数形成されている。貫通孔16は、円錐台状を呈し、その直径が絶縁層10から絶縁層12に向かう方向に拡がっている。
貫通孔16の内部には、電極17が形成されている。この電極17は、導体層11と同様に金属シード層11aと無電解めっき層11bにより形成され、絶縁層10から絶縁層12に向かう方向に拡径されている。電極17の上端は導体パッド110と一体的に形成され、下端は外部に露出している。そして、電極17の外部に露出する下表面17aは、絶縁層10の下表面10aと同一平面に位置している。
導体層11の上には、該導体層11を覆うように絶縁層12が積層されている。絶縁層12は、特許請求の範囲に記載の「第1絶縁層」に相当するものであり、その上には導体層13が形成されている。導体層13は、特許請求の範囲に記載の「第2導体層」に相当するものであり、複数の導体パッド(第2導体パッド)130を含んでいる。更に、絶縁層12の上には、絶縁層14が積層されている。この絶縁層14は、特許請求の範囲に記載の「第2絶縁層」に相当するものであり、絶縁層12の上に形成された導体層13を取り囲んでいる。導体層13は、金属シード層13aと無電解めっき層13bにより形成されている。
図1に示すように、プリント配線板1は、更に導体部材15を複数備えている。導体部材15は、絶縁層12及び絶縁層14の内部に亘って一体的に形成され、絶縁層12に貫設される第1部分150と、絶縁層14に貫設される第2部分151とを有する。第1部分150は、絶縁層12に形成された貫通孔18の内部に設けられ、円錐台状を呈しており、絶縁層12から絶縁層14に向う方向に拡径されている。この第1部分150は、貫通孔18の内壁面に沿って形成された金属シード層13aと、金属シード層13aに包まれるように該金属シード層13aの内側に配置される無電解めっき層13bによって形成されている。
一方、第2部分151は、第1部分150の上方に配置され、円柱状に形成されている。この第2部分151は、導体層13と並設し、絶縁層14に取り囲まれている。また、第2部分151は、絶縁層12の表面に形成された金属シード層13aと、該金属シード層13a及び第1部分150の上に配置される無電解めっき層13bによって形成されている。
第1部分150の下端は導体層11の導体パッド110と電気的に接続され、第2部分151の上端(すなわち、第2部分151の上表面151a)は、外部に露出している。また、導体部材15とその下方に配置される電極17とは、絶縁層10,12,14の積層方向に沿って直線状に積み重ねられて、スタック構造をなしている。図1に示すように、第2部分151の上表面151aは、絶縁層14の上表面14aと同一平面に位置している。また、導体パッド130の上表面130aは、絶縁層14の上表面14aと同一平面に位置している。
以上の構造を有するプリント配線板1では、導体部材15の第2部分151の上表面151aが外部に露出し、その第1部分150が導体パッド110と電気的に接続している。従って、この導体部材15を外部の電子部品と実装するための実装パッドとすることができるので、外部の電子部品を容易にプリント配線板1に実装させることが可能になる。
また、導体層11、導体層13、電極17及び導体部材15は金属シード層11a,13a及び無電解めっき層11b,13bにより形成されているため、従来の電解めっき法を用いた場合と比べて、ボイドの発生を抑制することができると共に、形成されるめっき膜を均一に保つことができる。これによって、プリント配線板1の接続信頼性を向上することができる。更に、ボイドの発生を抑制でき、且つめっき膜の均一性を保つことができる以上、設計通りの配線幅及び配線間隔を得ることが可能になる。従って、微細な配線や高密度の導体回路を容易に形成することができ、プリント配線板1の導体回路の微細化を図りやすくなる。
更に、導体部材15の第2部分151の上表面151a、導体パッド130の上表面130a及び絶縁層14の上表面14aは同一平面に位置しているので、これらの上表面の平坦性を保つことができる。従って、これらの上表面を介して他の電子部品と実装する際に、実装性を向上する効果も期待できる。
なお、本実施形態では、導体層11、導体層13、電極17及び導体部材15は、全て金属シード層と無電解めっき層により形成されているが、これに限らない。例えば、導体回路の微細化等がそれほど要求されない場合には、導体層13及び導体部材15を金属シード層と無電解めっき層により形成されるものとしつつ、導体層11及び電極17をシード層と電解めっき層によって形成されるものとしても良い。あるいは、同じ導体層において、シード層と電気めっき層により形成される部分と、シード層及び無電解めっき層により形成される部分とを混在させるように使い分けても良い。
<プリント配線板1の製造方法>
以下、図2A〜図4Eを参照し、プリント配線板1の製造方法について説明する。初めに、支持板20を用意する。支持板20には、例えば、低熱膨張率を有する平坦なガラス板が用いられる。なお、ガラス板のほか、Si、金属板、銅張り積層基板等が用いられても良い。続いて、支持板20の上に剥離層21を形成する(図2A参照)。剥離層21に用いられる剥離剤として、例えば、ブリューワサイエンス社のWafer Bondが挙げられる。
次に、剥離層21の上に感光性ポリイミド樹脂からなる層間絶縁材を塗布して、絶縁層10を形成する。続いて、剥離層21と絶縁層10に加熱処理を施すことでこれらを接着させる。その後、絶縁層10の所定の位置にマスクを用いて露光処理を行い、更に現像処理を行うことにより、絶縁層10に円錐台状の貫通孔16を複数形成する(図2B参照)。形成される貫通孔16は、支持板20から絶縁層10に向かう方向(すなわち、図1に示す絶縁層10から絶縁層12に向かう方向)に拡径されている。貫通孔16の深さは、剥離層21の表面まで達している。
続いて、絶縁層10の上表面、貫通孔16の内壁面及び貫通孔16によって露出された剥離層21にパラジウムなどの触媒を付与させ、次亜リン酸を有する無電解めっき液に5〜60分間浸漬させることにより、これらの場所に厚さが0.1〜1μmの金属シード層11aを形成する(図2C参照)。
次に、金属シード層11aの上にレジスト層を塗布し、該レジスト層にフォトマスクフィルムを載置して露光した後に、炭酸ナトリウムで現像処理し、所定のレジストパターン22を形成する。続いて、無電解めっき法を用いて、レジストパターン22が形成されていない金属シード層11aの上に無電解めっき層11bを形成する(図2D参照)。このとき、貫通孔16の内部には、無電解めっき層11bが充填される。
次に、モノエタノールアミンを含む溶液でレジストパターン22を除去し、更に、除去によって露出された金属シード層11aをエッチング処理で除去する。そして、絶縁層10に残された金属シード層11a及び無電解めっき層11bは導体層11を形成し、貫通孔16の内部に残された金属シード層11a及び無電解めっき層11bは電極17を形成する(図2E参照)。
次に、導体層11及び絶縁層10上に、これらを覆うように絶縁層12を形成する(図3A参照)。絶縁層12は、絶縁層10と同様に、感光性ポリイミド樹脂からなる層間絶縁材を塗布することにより形成されている。続いて、絶縁層12の電極17に対応する位置に露光現像処理を行うことにより、円錐台状の貫通孔18を複数形成する(図3B参照)。なお、貫通孔18は、上述の貫通孔16と同様に、絶縁層10から絶縁層12に向かう方向に拡径されている。
次に、上述の方法で絶縁層12の上表面及び貫通孔18の内壁面に触媒を付与させ、更に絶縁層12の上表面及び貫通孔18の内壁面、並びに貫通孔18によって露出された導体層11の上に厚さが0.1〜1μmの金属シード層13aを形成する(図3C参照)。
続いて、金属シード層13aの上にレジスト層23を形成する(図3D参照)。ここでは、例えばレジストフィルムを金属シード層13aの上にラミネートすることでレジスト層23を形成する。続いて、上述した方法でレジスト層23に露光現像処理を施すことにより、金属シード層13aの上に所定のレジストパターン24と、貫通孔18の上方に該貫通孔18を覆い被せるレジストポスト27とを形成する(図4A参照)。
次に、レジストパターン24及びレジストポスト27が形成されていない部分の金属シード層13aをエッチングして除去する(図4B参照)。続いて、絶縁層12の上に、レジストパターン24及びレジストポスト27を覆う絶縁層14を形成する(図4C参照)。
次に、絶縁層14の表面にプラズマ照射することにより、絶縁層14に埋設されたレジストパターン24及びレジストポスト27を露出させる。このとき、形成される絶縁層14の上表面14aがレジストパターン24及びレジストポスト27の上表面と同一平面に位置するように、プラズマ照射を行う必要がある。その後、更にプラズマ照射でレジストパターン24及びレジストポスト27のみを除去する(図4D参照)。これによって、絶縁層12及び貫通孔18の内壁面に形成された金属シード層13aが再び露出することになる。なお、プラズマ照射には、Oプラズマ又はHプラズマが用いられる。
図4Dに示すように、レジストパターン24の除去により、絶縁層14には金属シード層13aを露出させる空間S1が複数形成されている。一方、レジストポスト27の除去により、絶縁層14には金属シード層13aを露出させる空間S2が複数形成されている。これらの空間S1及び空間S2は、略円柱状になっている。また、レジストポスト27の除去によって、貫通孔18は再び露出することになる。
次に、絶縁層14の内部に形成された空間S1及び空間S2並びに貫通孔18の内部、すなわち、レジストパターン24及びレジストポスト27の除去により露出された金属シード層13aの上に、無電解めっき法を用いて無電解めっき層13bを形成する。このとき、形成される無電解めっき層13bの上表面と絶縁層14の上表面14aとを同一平面上に揃えるように、該無電解めっき層13bの形成を行う(図4E参照)。そして、空間S1に形成された無電解めっき層13b及びその下方の金属シード層13aは、導体層13を形成する。一方、空間S2及び貫通孔18の内部に形成された無電解めっき層13b並びにその下方の金属シード層13aは、導体部材15を形成する。
なお、無電解めっき層13bを形成する前に、絶縁層14の内部に形成された空間S1及び空間S2の周壁に粗化処理を施しても良い。このようにすれば、形成された無電解めっき層13bと絶縁層14との密着性を高めることができる。
次に、支持板20及び剥離層21を加熱し、剥離層21を軟化させてプリント配線板1から支持板20を取り外す。そして、支持板20を取り外した後に、プリント配線板1に残留した剥離層21をきれいに除去すれば、図1に示すプリント配線板1を得られる。
上述の製造方法では、金属シード層11a,13aの上に無電解めっき法で無電解めっき層11b,13bを形成するので、従来の電解めっき法と比べて、ボイドの発生を抑制することができると共に、形成されるめっき膜を均一に保つことができる。このため、プリント配線板1の接続信頼性を向上することができる。
また、導体層13及び導体部材15を形成する際に、レジストパターン24及びレジストポスト27のない部分の金属シード層13aをエッチングで先に除去し、その後に無電解めっき層13bを形成する。このようにすれば、無電解めっき層を先に形成しその後に不要となる金属シード層をエッチングで除去する場合と比べて、エッチング処理による導体層へのダメージを低減することができる。従って、設計通りの配線回路を確保することができ、導体回路の微細化を図ることが可能になる。
更に、上述の製造方法では、プラズマ照射を用いて絶縁層14の部分除去、レジストパターン24及びレジストポスト27の除去を行うので、従来の溶解液を用いる場合と比べて、作業の効率を高めることができ、生産性の向上を図ることが可能になる。
このように作製されたプリント配線板1は、単体として使用できるほか、他の基板などと組み合わせて使用することも可能である。図5は、プリント配線板1をPOP(パッケージオンパッケージ)構造の半導体パッケージに用いる例を示している。
図5に示す半導体パッケージは、プリント配線板1と、該プリント配線板1に実装される半導体チップ3及び他のプリント配線板4とを備えている。半導体チップ3と他のプリント配線板4は、上下方向(すなわち、絶縁層10、12、14の積層方向)に積み重ねるように配置されている。半導体チップ3の端子又は電極は、半田バンプ28を介してプリント配線板1の導体部材15の一部(図5においては、絶縁層14の中央部に位置する導体部材15)と電気的に接続されている。
一方、他のプリント配線板4は、半導体チップ3を跨ぐように半導体チップ3の上方に配置され、半田バンプ29を介してプリント配線板1の導体部材15の他の一部(図5においては、絶縁層14の外縁部に位置する導体部材15)と電気的に接続されている。なお、半導体チップ3と電気的に接続するための導体部材15と、他のプリント配線板4と電気的に接続するための導体部材15とは、同じ配置ピッチ及び面積であっても良く、半導体チップ3及び他のプリント配線板4の端子や電極の位置、大きさに合わせて、異なる配置ピッチや面積であっても良い。
<第2実施形態>
図6は第2実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。本実施形態に係るプリント配線板2と第1実施形態との相違点は、絶縁層10に電極17が形成されていないことである。プリント配線板2は、第1実施形態と同様な効果を得られる。
このような構造を有するプリント配線板2をPOP構造の半導体パッケージに用いる際に、絶縁層10に電極17を設けていないので、外部と導通するための工夫が必要である。例えば、図7に示すように、絶縁層10には、導体パッド110を露出させるための開口部25が複数形成されている。そして、外部の電子部品と電気的に接続する際に、該開口部25に挿入される外部の電子部品の端子や電極と導体パッド110とを半田バンプを介して接続すれば良い。
或いは、図8に示すように、絶縁層10に開口部25を形成した後に、例えばセミアディティブ法(Semi Additive Process:SAP)を用いて、開口部25の内部及び絶縁層10の下表面10aに無電解めっき層と電解めっき層からなる電極26を更に形成し、該電極26を介して外部の電子部品の端子や電極と電気的に接続しても良い。
<第3実施形態>
図9は第3実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。本実施形態に係るプリント配線板5と第1実施形態との相違点は、導体部材15の第2部分151の上表面151a及び導体パッド130の上表面130aが絶縁層14の上表面14aより低く形成されることである。なお、第2部分151の上表面151aと導体パッド130の上表面130aとは、同一平面に位置している。
このような構造を有するプリント配線板5は、第1実施形態と同様な効果を得られるほか、更に以下の効果を得られる。すなわち、第2部分151の上表面151a及び導体パッド130の上表面130aが絶縁層14の上表面14aより低いため、絶縁層14はソルダーレジスト層のような役割を果たし、これらの上表面130a,151aを保護することができる。また、第2部分151の上表面151aが絶縁層14の上表面14aより低いので、これらの上表面の間に段差が形成される。そして、第2部分151の上表面151aに半田バンプを形成する際に、この段差は半田バンプが周辺に流れることを制限し、隣接する導体パッド130との間に電気的な短絡の発生を防止することができる。
<第4実施形態>
図10は第4実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。本実施形態に係るプリント配線板6は、第1ビルドアップ層6Aと、第1ビルドアップ層6Aの下方に配置されると共に、該第1ビルドアップ層6Aと一体的に形成される第2ビルドアップ層6Bとを備えている。第1ビルドアップ層6Aは、上述したプリント配線板1と同様な構造を有するものである。
第2ビルドアップ層6Bは、真中に配置されたコア基板60を挟むように、該コア基板60の両側にそれぞれ導体層61と絶縁層62とを交互に積層してなるビルドアップ配線板である。コア基板60の内部には、該コア基板60を貫通するスルーホール導体66が設けられている。
導体層61は、複数の導体パッド63と、該導体パッド63の間に配置された配線64とを含むように形成されている。絶縁層62の内部には、積層方向に隣接する導体パッド63同士を電気的に接続するビア導体65が複数形成されている。そして、導体層61及びビア導体65は、それぞれ無電解めっき層61aと電解めっき層61bにより形成されている。なお、この場合には、導体層61及びビア導体65が上述の導体部材15と同様に、金属シード層と無電解めっき層によって形成されても良い。一方、絶縁層62は、例えば硬化性樹脂によって形成されている。
第1ビルドアップ層6Aは、第2ビルドアップ層6Bの最上層に位置する絶縁層62の上に積層されている。第1ビルドアップ層6Aの導体パッド110は、絶縁層10の内部に形成されたビア導体19を介して、第2ビルドアップ層6Bの最上層に位置する導体パッド63と電気的に接続されている。
また、積層方向において、第1ビルドアップ層6Aの導体部材15及びビア導体19と、第2ビルドアップ層6Bのビア導体65とは、直線状に積み重ねられてスタック構造をなしている。本実施形態では、導体部材15及びビア導体19,65は、全てスタック構造をなしているが、応力集中を避けるために、例えば積層方向に沿って導体部材15及びビア導体19,65の位置をずらしながら積み重ねてオフセット構造をなしても良く、あるいは一部がスタック構造、他の一部がオフセット構造をなしても良い。
また、本実施形態では、第1ビルドアップ層6Aは、第2ビルドアップ層6Bよりも高密度の導体回路を有する。具体的には、第1ビルドアップ層6Aの配線111の幅(L)及び間隔(S)は、第2ビルドアップ層6Bの配線64のL及びSよりも小さい。好ましくは、第1ビルドアップ層6Aの配線111のL/Sが1μm/1μm〜10μm/10μmである。
このように構成されたプリント配線板6は、第1ビルドアップ層6Aが上述したプリント配線板1と同様な構造を有するため、第1実施形態と同様な作用効果を得られる。なお、本実施形態のプリント配線板6は、例えば以下の方法で作製される。すなわち、コア基板60を先に用意し、コア基板60の上下の主面に、セミアディティブ法で絶縁層62と導体層61を積層することで第2ビルドアップ層6Bを作製する。次に、作製された第2ビルドアップ層6Bを支持板として用いて、上述のプリント配線板1と同じ方法で該第2ビルドアップ層6Bの上に第1ビルドアップ層6Aを作製する。
<第5実施形態>
図11は第5実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。本実施形態に係るプリント配線板7は、第1ビルドアップ層7Aと、第1ビルドアップ層7Aの下方に配置されると共に、該第1ビルドアップ層7Aと一体的に形成される第2ビルドアップ層7Bとを備えている。第1ビルドアップ層7Aは、上述したプリント配線板1と同様な構造を有するものである。
第2ビルドアップ層7Bは、いわゆるコア基板を有しないコアレス基板であり、複数の導体層71と絶縁層72とを一方向に交互に積層することにより形成されている。導体層71は、複数の導体パッド73と、該導体パッド73の間に配置された配線74とを含むように形成されている。絶縁層72の内部には、絶縁層72の積層方向に隣接する導体パッド73同士を電気的に接続するビア導体75が複数形成されている。そして、導体層71及びビア導体75は、それぞれ無電解めっき層71aと電解めっき層71bにより形成されている。なお、この場合には、導体層71及びビア導体75が上述の導体部材15と同様に、金属シード層と無電解めっき層によって形成されても良い。一方、絶縁層72は、例えば硬化性樹脂によって形成されている。
第1ビルドアップ層7Aは、第2ビルドアップ層7Bの最上層に位置する絶縁層72の上に積層されている。第1ビルドアップ層7Aの導体パッド110は、絶縁層10の内部に形成されたビア導体19を介して、第2ビルドアップ層7Bの最上層に位置する導体パッド73と電気的に接続されている。
また、積層方向において、第1ビルドアップ層7Aの導体部材15及びビア導体19と、第2ビルドアップ層7Bのビア導体75とは、直線状に積み重ねられてスタック構造をなしている。なお、応力集中を避けるために、導体部材15及びビア導体19,75はオフセット構造をなしても良い。また、本実施形態では、第1ビルドアップ層7Aは、第2ビルドアップ層7Bよりも高密度の導体回路を有する。第1ビルドアップ層7Aの配線111のL及びSは、第2ビルドアップ層7Bよりも小さい。好ましくは、第1ビルドアップ層7Aの配線111のL/Sが1μm/1μm〜10μm/10μmである。
このように構成されたプリント配線板7は、第1ビルドアップ層7Aが上述したプリント配線板1と同様な構造を有するため、第1実施形態と同様な作用効果を得られる。なお、本実施形態のプリント配線板7は、例えば以下の方法で作製される。すなわち、板状の支持部材の上にセミアディティブ法で第2ビルドアップ層7Bを先に作製し、作製された第2ビルドアップ層7Bを支持板として用いて、上述のプリント配線板1と同じ方法で該第2ビルドアップ層7Bの上に第1ビルドアップ層7Aを作製し、最後に支持部材を剥離する。
以上、本発明の実施形態について詳述したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の設計変更を行うことができるものである。例えば、金属シード層11a,13aは、上述した無電解めっき法のほか、スパッタリング法によって形成されても良い。
1,2,5,6,7 プリント配線板
10 絶縁層
11 導体層(第1導体層)
11a,13a 金属シード層
11b,13b 無電解めっき層
12 絶縁層(第1絶縁層)
13 導体層(第2導体層)
14 絶縁層(第2絶縁層)
14a 上表面
15 導体部材
16,18 貫通孔
17 電極
20 支持板
21 剥離層
22,24 レジストパターン
23 レジスト層
27 レジストポスト
110 導体パッド(第1導体パッド)
130 導体パッド(第2導体パッド)
150 第1部分
151 第2部分
151a 上表面
S1,S2 空間

Claims (11)

  1. 複数の導体層及び絶縁層を有するプリント配線板であって、
    第1導体パッドを含む第1導体層と、
    前記第1導体層を覆うように該第1導体層の上に積層される第1絶縁層と、
    前記第1絶縁層の上に形成され、第2導体パッドを含む第2導体層と、
    前記第2導体層を取り囲むように前記第1絶縁層の上に積層される第2絶縁層と、
    前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層の内部に亘り、一体的に形成される導体部材と、
    を備え、
    前記導体部材は、金属シード層及び無電解めっき層により形成されており、
    前記導体部材は、前記第1絶縁層に貫設され、前記第1導体パッドと電気的に接続する第1部分と、前記第2絶縁層に貫設され、前記第2導体層と並設する第2部分と、を有し、
    前記第2部分の上表面は、外部に露出している。
  2. 請求項1に記載のプリント配線板において、
    前記導体部材の前記第2部分の上表面は、前記第2絶縁層の上表面と同一平面に位置している。
  3. 請求項1に記載のプリント配線板において、
    前記導体部材の前記第2部分の上表面は、前記第2絶縁層の上表面よりも低い。
  4. 請求項1〜3のいずれか一項に記載のプリント配線板において、
    前記第1導体層は、金属シード層及び無電解めっき層により形成されている。
  5. 請求項1〜3のいずれか一項に記載のプリント配線板において、
    前記第1導体層は、シード層及び電解めっき層により形成されている。
  6. 請求項1〜5のいずれか一項に記載のプリント配線板において、
    前記第2絶縁層は、層間絶縁層である。
  7. プリント配線板の製造方法であって、
    絶縁材料からなる第1絶縁層を形成する工程と、
    前記第1絶縁層を貫通する貫通孔を形成し、前記第1絶縁層の表面及び前記貫通孔の内壁面に金属シード層を形成する工程と、
    前記金属シード層の上にレジスト層を形成し、該レジスト層に露光現像処理を施すことによってレジストパターンと、前記貫通孔を覆い被せるレジストポストと、を形成する工程と、
    前記レジストパターン及び前記レジストポストが形成されていない部分の前記金属シード層を除去する工程と、
    前記第1絶縁層の上に、前記レジストパターン及び前記レジストポストを覆う第2絶縁層を積層する工程と、
    前記第2絶縁層の表面にプラズマを照射することにより前記レジストパターン及び前記レジストポストを露出させ、更にプラズマ照射で前記レジストパターン及び前記レジストポストを除去する工程と、
    前記レジストパターン及び前記レジストポストの除去により露出された前記金属シード層の上に、無電解めっき層を形成する工程と、
    を備える。
  8. 請求項7に記載のプリント配線板の製造方法において、
    前記無電解めっき層を形成する工程の前に、前記レジストパターン及び前記レジストポストの除去によって前記第2絶縁層の内部に形成された空間の周壁に粗化処理を施す工程を更に備える。
  9. 請求項7又は8に記載のプリント配線板の製造方法において、
    前記無電解めっき層を形成する工程では、形成される無電解めっき層の上表面と前記第2絶縁層の上表面とを同一平面上に揃えるように、前記無電解めっき層を形成する。
  10. 請求項7〜9のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法において、
    前記プラズマ照射には、Oプラズマ又はHプラズマを用いる。
  11. 請求項7〜10のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法において、
    前記金属シード層は、無電解めっき法又はスパッタリング法によって形成されている。
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