JP7135352B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
実施の形態にかかる半導体装置の製造方法により作製(製造)される半導体装置の一例としてSBD(Schottky Barrier Diode:ショットキーバリアダイオード)の構造について説明する。図1は、実施の形態にかかる半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の一例を示す断面図である。図1に実施の形態にかかる半導体装置は、炭化珪素(SiC)を半導体材料とした半導体チップ10’を用いて作製されたSBDである。半導体チップ10’は、SiCからなるn+型出発基板1’のおもて面上にn-型SiC層2’をエピタキシャル成長させてなるエピタキシャル基板である。
次に、半導体ウエハ10の単位枚数あたりのダイシング所要時間、および、半導体チップ10’の曲げ破壊強度について検証した。図8は、半導体ウエハの単位枚数あたりのダイシング所要時間および半導体チップの曲げ破壊強度との関係を示す図表である。図8には、ダイシング条件も示す。図8に示す半導体チップ10’の曲げ破壊強度(図8には「チップ曲げ破壊強度」と図示)の平均値は、1枚の半導体ウエハ10から切断された半導体チップ10’を当該半導体ウエハ10の複数箇所からそれぞれ4つずつ抜き取って、当該抜き取ったすべての半導体チップ10’で測定した曲げ破壊強度の平均値である。半導体ウエハ10から半導体チップ10’を抜き取った箇所は、半導体ウエハ10の中央部の1箇所と、当該半導体ウエハ10の中央部を中心として中心角90°ごとに位置する4箇所と、の計5か所である。
1' n+型出発基板
2,2' n-型SiC層
3 p型領域
4 第1電極膜
5 第2電極膜
10 半導体ウエハ
10' 半導体チップ
10a' 半導体チップのおもて面
10b' 半導体チップの裏面
10c' 半導体チップの側面
11 活性領域
12 ダイシングライン
14 切削溝
21 ダイシングテープ
22 ダイシングテープの基材
23 ダイシングテープの接着剤層
31 第1のダイシングで用いる第1ダイシングブレード
32 第1ダイシングブレードを固定する第1ブレードホーン
33 第1のダイシングにおいて半導体ウエハが載置されたステージの移動方向
34 第1ダイシングブレードの回転方向
35 ダイシング装置のノズル
36 ノズルから吐出される冷却水
41 第2のダイシングで用いる第2ダイシングブレード
42 第2ダイシングブレードを固定する第2ブレードホーン
43 第2のダイシングにおいて半導体ウエハが載置されたステージの移動方向
44 第2ダイシングブレードの回転方向
t1 ダイシングテープの厚さ
w1 第1ダイシングブレードの刃幅
w11 第1ダイシングブレードによる切削溝の幅
w2 第2ダイシングブレードの刃幅
X ダイシングラインが直線状に延びる方向(第1方向)
Y ダイシングラインが直線状に延びる方向で、かつ第1方向と直交する方向第2方向
Z 半導体ウエハの厚さ方向
φ 半導体ウエハの直径
Claims (14)
- 半導体チップとなる領域の周囲を囲む所定レイアウトのダイシングラインが第1主面に形成された炭化珪素からなる半導体ウエハを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記半導体ウエハの第2主面をステージに対向させた状態で、前記半導体ウエハを前記ステージに固定する載置工程と、
第1ダイシングブレードにより前記ダイシングラインに沿って前記半導体ウエハに第1主面から第2主面に達する切削溝を形成し、前記切削溝により前記半導体ウエハを切断して、前記切削溝に周囲を囲まれた前記半導体チップに分割する切断工程と、
前記切削溝の内部に挿入した第2ダイシングブレードにより、前記ダイシングラインに沿って前記半導体チップの側面である前記切削溝の側壁を研磨する研磨工程と、
を含み、
前記切断工程では、前記第1ダイシングブレードに超音波振動を与え、前記半導体ウエハの第1主面と直交する方向に振動させた前記第1ダイシングブレードにより前記切削溝を形成し、
前記研磨工程では、
前記第1ダイシングブレードよりも刃幅の広い前記第2ダイシングブレードを用い、
前記第1ダイシングブレードに与える超音波振動未満の超音波振動を前記第2ダイシングブレードに与えた状態か、または前記第2ダイシングブレードに超音波振動を与えない状態で、前記第2ダイシングブレードにより前記切削溝の側壁を研磨することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記研磨工程では、前記第1ダイシングブレードよりも平均粒径の小さい砥粒からなる前記第2ダイシングブレードを用いることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記切断工程では、平坦な側面を有する前記半導体チップに分割することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記研磨工程では、前記第2ダイシングブレードの回転数を、前記切断工程における前記第1ダイシングブレードの回転数よりも高くすることを特徴とする請求項1~3のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記研磨工程では、前記第2ダイシングブレードの切削速度を、前記切断工程における前記第1ダイシングブレードの切削速度と同じにすることを特徴とする請求項1~4のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記研磨工程では、前記第2ダイシングブレードの切削速度を、前記切断工程における前記第1ダイシングブレードの切削速度よりも下げることを特徴とする請求項1~4のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記研磨工程では、前記切削溝の側壁を鏡面に近づけることを特徴とする請求項1~6のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2ダイシングブレードの刃幅は、前記第1ダイシングブレードの刃幅よりも+2μm以上+15μm以下の範囲で広いことを特徴とする請求項1~7のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2ダイシングブレードの刃幅は、前記第1ダイシングブレードの刃幅よりも+3μm以上+7μm以下の範囲で広いことを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1ダイシングブレードの粒度は、#1500以上#2500以下であり、
前記第2ダイシングブレードの粒度は、#3000以上#4000以下であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記切断工程では、ダイヤモンド砥粒からなる前記第1ダイシングブレードを用いることを特徴とする請求項1~10のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記研磨工程では、ダイヤモンド砥粒からなる前記第2ダイシングブレードを用いることを特徴とする請求項1~11のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記載置工程は、
前記半導体ウエハの第2主面を、ダイシングテープを介してダイシングフレームに貼り付ける工程と、
前記半導体ウエハを、前記ダイシングフレームを介して前記ステージに固定する工程と、
を含み、
前記切断工程では、前記ダイシングテープに前記第1ダイシングブレードによる切り込みが入るまで前記切削溝の深さを深くすることを特徴とする請求項1~12のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記載置工程の前に、
前記半導体チップとなる領域に所定の素子構造を形成する工程と、
前記ダイシングラインを前記半導体ウエハの第1主面に形成する工程と、
前記半導体ウエハの第1主面において前記半導体チップとなる領域に第1電極膜を選択的に形成する工程と、
前記半導体ウエハの第2主面の全面に第2電極膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項1~13のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
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