JP4337637B2 - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 61
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 49
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 117
- 238000005187 foaming Methods 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 21
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 43
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 30
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 17
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 2
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 2
- 240000007320 Pinus strobus Species 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 aluminum (Al) Chemical class 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
図3(図3−1〜図3−3)および図4(図4−1〜図4−4)は、本発明の実施の形態1にかかる製造方法の製造プロセスを示す図である。まず、n−FZウエハー21の表面側に、SiO2等のゲート酸化膜とポリシリコンからなるゲート電極を堆積し、これらを加工する。そして、その表面にBPSG等の層間絶縁膜を堆積し、これを加工することによって、絶縁ゲート構造を作製する。つづいて、p+ベース層を形成し、その中にn+エミッタ層を形成する。
図13は、実施の形態2において接着テープを切断するときの様子を示す断面図である。この切断時の平面図は、図2と同じである。図13に示すように、実施の形態2は、実施の形態1において、ウエハー21の周縁付近の部分に傾斜部211が設けられており、この傾斜部211を有するウエハー21を用いて半導体素子を製造するものである。その他の製造プロセスは、図3−1〜図3−3および図4−1〜図4−4を参照しながら説明した実施の形態1と同じである。従って、実施の形態1と重複する説明については省略し、異なる構成についてのみ説明する。
31 接着テープ
101 テープカッターの刃
211 傾斜部
Claims (3)
- 半導体ウエハーの周縁付近の部分に、該周縁付近の部分が外側へいくに連れて薄くなるようにウエハー表面に対して傾斜した傾斜部を形成する加工工程と、
前記半導体ウエハーの主面全体に加熱発泡により剥離可能な接着テープを貼り付ける貼り付け工程と、
前記半導体ウエハーの周縁にテープカッターの刃を接触させた状態で、前記半導体ウエハーの周縁に対して前記テープカッターの刃を相対的に移動させることにより、前記半導体ウエハーの周縁に沿って前記接着テープを、前記傾斜部の上部に残るように切断し、前記接着テープと前記傾斜部との間に隙間を生じさせる切断工程と、
前記接着テープが貼り付けられた状態で前記半導体ウエハーのウエット処理を行うウエット工程と、
前記接着テープを加熱して発泡させることにより、前記接着テープから前記半導体ウエハーを剥離させる剥離工程と、
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 半導体ウエハーの周縁付近の部分に、該周縁付近の部分が外側へいくに連れて薄くなるようにウエハー表面に対して傾斜した傾斜部を形成する加工工程と、
前記半導体ウエハーの主面全体に加熱発泡により剥離可能な接着テープを貼り付ける貼り付け工程と、
前記半導体ウエハーの中心を中心位置としてテープカッターの刃先を外側に向け、かつ前記半導体ウエハーの周縁に前記テープカッターの刃を接触させた状態で、前記半導体ウエハーの周縁に対して前記テープカッターの刃を相対的に移動させることにより、前記半導体ウエハーの周縁に沿って前記接着テープを、前記傾斜部の上部に残るように切断し、前記接着テープと前記傾斜部との間に隙間を生じさせる切断工程と、
前記接着テープが貼り付けられた状態で前記半導体ウエハーのウエット処理を行うウエット工程と、
前記接着テープを加熱して発泡させることにより、前記接着テープから前記半導体ウエハーを剥離させる剥離工程と、
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記切断工程では、前記半導体ウエハーの周縁の前記接着テープに近い箇所に、前記テープカッターの刃を接触させた状態で、接着テープを切断することを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004167771A JP4337637B2 (ja) | 2004-06-04 | 2004-06-04 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004167771A JP4337637B2 (ja) | 2004-06-04 | 2004-06-04 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005347644A JP2005347644A (ja) | 2005-12-15 |
JP4337637B2 true JP4337637B2 (ja) | 2009-09-30 |
Family
ID=35499702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004167771A Expired - Lifetime JP4337637B2 (ja) | 2004-06-04 | 2004-06-04 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4337637B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007242948A (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Lintec Corp | シート切断装置及び切断方法 |
JP4740927B2 (ja) * | 2007-11-27 | 2011-08-03 | 日東精機株式会社 | 半導体ウエハの保護テープ切断方法およびその装置 |
JP5772670B2 (ja) * | 2012-03-12 | 2015-09-02 | 富士電機株式会社 | 逆阻止型半導体素子の製造方法 |
JP7484798B2 (ja) | 2021-04-05 | 2024-05-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
-
2004
- 2004-06-04 JP JP2004167771A patent/JP4337637B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005347644A (ja) | 2005-12-15 |
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