JP7114176B2 - 樹脂パッケージ基板の加工方法 - Google Patents

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Description

本発明は、デバイス領域と、デバイス領域の裏面側を覆うモールド樹脂層とを有する樹脂パッケージ基板の加工方法に関する。
携帯電話機やパーソナルコンピュータに代表される電子機器では、電子回路等のデバイスを備えるデバイスチップが必須の構成要素になっている。デバイスチップは、例えば、シリコン等の半導体材料でなるウェーハの表面を複数の切断予定ライン(ストリート)で区画し、各領域にデバイスを形成した後、この切断予定ラインに沿ってウェーハを切断することにより得られる。
上述の方法で得られた複数のデバイスチップ各々は、例えば、QFN(Quad For Non-Lead Package)用の基板に固定され、ワイヤボンディング等の方法で基板に電気的に接続された後にモールド樹脂で封止される。そして、デバイスチップをモールド樹脂で封止した樹脂パッケージ基板を各デバイスチップに対応する切断予定ラインに沿って切断することで、デバイスチップが樹脂で封止されたパッケージデバイスが得られる。
ところで、樹脂パッケージ基板を切断予定ラインに沿って切断する前に、パッケージデバイスの薄型化等を目的として、樹脂パッケージ基板のモールド樹脂を研削する場合がある。例えば、樹脂パッケージ基板のモールド樹脂とは反対側(表面側)をチャックテーブルで吸引保持して、裏面側のモールド樹脂を研削砥石で研削する(例えば、特許文献1参照)。
但し、基板上に配置したデバイスチップをモールド樹脂で封止するときに発生する熱により、封止後の樹脂パッケージ基板に反りが生じる場合がある。また、樹脂パッケージ基板は、表面側に設けられた電極パターン等で形成された凹凸を有することがある。
この場合、樹脂パッケージ基板の反り及び電極パターン等の凹凸に起因して、樹脂パッケージ基板の表面とチャックテーブルのポーラス板の保持面とが接触できないので、樹脂パッケージ基板の表面側をチャックテーブルで吸引保持することが困難となる。
特開2015-85414号公報
本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、反り及び凹凸のある樹脂パッケージ基板の表面側をチャックテーブルで吸引保持した状態でこの樹脂パッケージ基板を加工することを目的とする。
本発明の一態様によれば、凹凸のある電極パターンを有するデバイス領域と該デバイス領域を囲む端材領域とを表面に備える基板と、該デバイス領域に対応して該基板の裏面に設けられ該デバイス領域の裏面側を覆うモールド樹脂層と、を備える樹脂パッケージ基板の加工方法であって、該デバイス領域に対応し粘着層を有しない非粘着領域と、該端材領域に対応し該非粘着領域を囲み該粘着層を有する粘着領域と、を備える粘着テープを準備する粘着テープ準備ステップと、該電極パターンの該凹凸に倣うように該デバイス領域の該表面側に該粘着テープの該非粘着領域を密着させつつ、該端材領域に該粘着領域を貼り付けることにより、該樹脂パッケージ基板の該表面に該粘着テープを貼り付ける粘着テープ貼り付けステップと、刺激を与えることによって硬化させる硬化型液状樹脂が上面に供給されたキャリアシートを平坦なテーブル上に準備するキャリアシート準備ステップと、該キャリアシートの該上面の該硬化型液状樹脂に、一時的に反りが矯正された状態の該樹脂パッケージ基板の該粘着テープ側をめり込ませた後、該硬化型液状樹脂に刺激を与えて硬化させ、該樹脂パッケージ基板と該キャリアシートとを該粘着テープを介して該硬化型液状樹脂で固定する硬化型液状樹脂固定ステップと、該樹脂パッケージ基板の該キャリアシート側をチャックテーブルで吸引して保持し、該樹脂パッケージ基板のモールド樹脂層を研削砥石で研削する研削ステップと、を備える樹脂パッケージ基板の加工方法が提供される。
また、本発明の一態様によれば、該硬化型液状樹脂は紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化型液状樹脂であり、該キャリアシートは紫外線を透過する部材である。
さらに、本発明の一態様によれば、該粘着テープ貼り付けステップでは、該樹脂パッケージ基板が環状フレームの開口で該粘着テープにより支持されるように、該粘着テープは環状フレームに貼り付けられる。
本発明の加工方法によると、硬化型液状樹脂を介して樹脂パッケージ基板の粘着テープ側を平坦なキャリアシートに固定することにより、硬化型液状樹脂のキャリアシート側を平坦にできる。
そして、キャリアシートとチャックテーブルのポーラス板の保持面とを接触させることで、チャックテーブルによりキャリアシートを介して樹脂パッケージ基板を吸引保持できる。これにより、凹凸を有するパッケージ基板を、チャックテーブルで吸引保持した状態で加工できる。加えて、デバイス領域に、粘着層を構成する粘着材が残留しない。
図1(A)は、樹脂パッケージ基板の上面図であり、図1(B)は、樹脂パッケージ基板の側面図であり、図1(C)は、樹脂パッケージ基板の底面図である。 図2(A)は、粘着テープの上面図であり、図2(B)は、図2(A)のII―II断面図である。 樹脂パッケージ基板の表面に粘着テープを貼り付ける粘着テープ貼り付けステップを説明する図である。 被加工物ユニットの斜視図である。 図5(A)は、硬化型液状樹脂が供給されたキャリアシートを準備するステップを示す図であり、図5(B)は、硬化型液状樹脂を介して被加工物ユニットをキャリアシート上に配置する様子を示す図であり、図5(C)は、硬化型液状樹脂を介して被加工物ユニットとキャリアシートとを固定する硬化型液状樹脂固定ステップを示す図である。 図5(C)の領域Rの拡大した断面図である。 樹脂パッケージ基板のモールド樹脂層を研削砥石で研削する研削ステップを示す図である。 樹脂パッケージ基板の加工方法のフロー図である。
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図1(A)は、樹脂パッケージ基板11の上面図であり、図1(B)は、樹脂パッケージ基板11の側面図であり、図1(C)は、樹脂パッケージ基板11の底面図である。
図1(A)、図1(B)及び図1(C)では、切断予定ライン19に沿って切断する前の樹脂パッケージ基板11を示す。樹脂パッケージ基板11は、例えば、複数のデバイスチップ(不図示)が樹脂で封止されてなるパッケージ基板であり、平面視で矩形状に形成された基板13を含む。
基板13は、例えば、42アロイ(鉄とニッケルとの合金)、銅等の金属で構成されており、その表面13a側は、複数(本実施形態では、3個)のデバイス領域15と、各デバイス領域15を囲む端材領域17とに分けられている。各デバイス領域15は、交差する複数の切断予定ライン(ストリート)19で格子状に複数の領域に区画されており、各領域には、ステージ21が形成されている。
各ステージ21の裏面側(基板13の裏面13b側)には、IC(Integrated Circuit)等のデバイスを含むデバイスチップ(不図示)が配置されている。基板13の裏面13b側の各デバイス領域15に対応する領域には、モールド樹脂層23が形成されており、各ステージ21の裏面側に配置されたデバイスチップは、このモールド樹脂層23によって覆われている。
各ステージ21の周囲には、切断される前の基板13の一部であり金属で形成された複数の電極パターン25が、切断予定ライン19に沿って設けられている。電極パターン25は、基板13の表面13aに露出しており、例えば、20μm以上300μm以下の高さとなるように表面13aから突出している。なお、電極パターン25は、基板13に接して形成されためっき層を含んでもよい。
なお、樹脂パッケージ基板11がQFN(Quad For Non-Lead Package)である場合に、電極パターン25は、表面13aから数μm以上数十μm以下の所定の長さだけ突出しており、樹脂パッケージ基板11の側面から数μm以上数十μm以下の所定の長さだけ突出している。
電極パターン25は、表面13aよりも外側に突出する凸部分であり、電極パターン25が設けられていない部分(即ち、表面13aが露出する領域)は、電極パターン25よりも窪んだ凹部分となる。このように、基板13の表面13a側には電極パターン25により凹凸が形成されている。
電極パターン25は、金属ワイヤー(不図示)等を介してデバイスチップの電極に接続されている。1個の電極パターン25には、この電極パターン25を挟んで隣接する2つのステージ21にそれぞれ配置されたデバイスチップの電極が接続される。
例えば、切断予定ライン19に沿って樹脂パッケージ基板11を切断し、デバイスチップが封止されたパッケージデバイスを製造するときには、この電極パターン25も分断される。分断後の電極パターン25は、各パッケージデバイスの電極となる。基板13の端材領域17の表面13a側には、切断予定ライン19の位置を示すための複数のマーカー27が設けられている。
図1(B)では明示していないが、基板13上に配置したデバイスチップをモールド樹脂層23で封止するときに発生する熱により、樹脂パッケージ基板11に反りが生じている場合がある。例えば、各モールド樹脂層23は、図1(B)で表面13aから裏面13bへ向かう方向に凸形状となる様に反る。
なお、本実施形態では、金属の基板13上に固定された複数のデバイスチップがモールド樹脂層23で封止されてなる樹脂パッケージ基板11について説明するが、樹脂パッケージ基板11の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。同様に、デバイスチップ及び電極パターン25の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。
次に、モールド樹脂層23を研削する場合を例に挙げて、樹脂パッケージ基板11の加工方法について図2から図8を用いて説明する。図2では、樹脂パッケージ基板11の表面13a側に貼り付けられる粘着テープ31を説明する。図2(A)は、粘着テープ31の上面図であり、図2(B)は、図2(A)のII―II断面図である。
粘着テープ31は、樹脂パッケージ基板11の表面13a側に貼り付けられ、樹脂パッケージ基板11よりも大きい径を有するテープ(ダイシングテープ)である。本実施形態の粘着テープ31の厚さは、電極パターン25の突出高さよりも小さいが、電極パターン25の突出高さより大きくても電極パターン25の凹凸を吸収しきれない場合がある。
図2(B)に示す様に、粘着テープ31は、離型シート32上に接する基材層34と、基材層34上に接する粘着層36とを有する。粘着領域33bは、端材領域17に対応し、複数の非粘着領域33aは、デバイス領域15に対応する。
粘着テープ31の基材層34の厚さは、例えば5μm以上200μm以下である。粘着テープ31は、ポリオレフィン(PO)、ポリ塩化ビニル(PVC)、エチレン酢酸ビニル(EVA)等の高分子材料で形成されたフィルムである。
円形状の粘着テープ31は、離型シート32上に剥離可能に密着している。離型シート32は、幅方向(第1方向)に比べて幅方向に直交する長さ方向(第2方向)に長い。複数の粘着テープ31は、離型シート32の長さ方向に沿って離散的に設けられるが、図2(A)では1つの粘着テープ31を示す。
粘着テープ31は、第2方向に沿って離散的に設けられた矩形状の複数(本実施形態では、3個)の非粘着領域33aと、円形状であり複数の非粘着領域33aの周囲を囲む様に設けられた粘着領域33bとを含む。
粘着領域33bは粘着層36を有するが、複数の非粘着領域33aの各々は、粘着層36を有しない。それゆえ、樹脂パッケージ基板11から粘着テープ31を剥がした場合に、粘着層36を構成する粘着材が残留しておらず(即ち、残渣が無く)、表面13a側が清浄なデバイス領域15を得ることができる。
上述の粘着テープ31を準備する粘着テープ31準備ステップの後に、樹脂パッケージ基板11に粘着テープ31を貼り付ける。図3は、樹脂パッケージ基板11の表面13aに粘着テープ31を貼り付ける粘着テープ31貼り付けステップを説明する図である。但し、図3では、図1(B)に示した電極パターン25が省略されている。
本実施形態では、開口を有する環状フレーム45の開口中に樹脂パッケージ基板11が位置する様に、環状フレーム45及び樹脂パッケージ基板11を平坦なテーブル42上に配置する。このとき、モールド樹脂層23がテーブル42に接する様に、樹脂パッケージ基板11の裏面13b側をテーブル42に対向させる。
そして、離型シート32の裏面側(即ち、粘着テープ31とは反対側)にローラー40等により圧力を加えて、樹脂パッケージ基板11の表面13a側と環状フレーム45とに粘着テープ31を押し当てる。これにより、離型シート32の表面側(即ち、粘着テープ31側)と、樹脂パッケージ基板11の表面13a側とが密着する。
樹脂パッケージ基板11のデバイス領域15の表面13a側には、粘着テープ31の非粘着領域33aが密着する。それゆえ、粘着テープ31の基材層34は、電極パターン25の凹凸に倣う様に樹脂パッケージ基板11の表面13a側に貼り付けられる。粘着テープ31を樹脂パッケージ基板11に貼り付けることで、表面13a側の電極パターン25等の損傷、汚染等を低減できる。
また、樹脂パッケージ基板11の端材領域17の表面13a側には、粘着領域33bが貼り付けられる。さらに、粘着テープ31の外周部分を環状フレーム45に貼り付けるので、樹脂パッケージ基板11は、環状フレーム45の開口で粘着テープ31により支持される。
なお、表面13aに粘着テープ31を貼り付けるときには、真空下でローラー40等を用いて表面13aに粘着テープ31を貼り付ける装置(真空ラミネータ)を用いてもよい。真空ラミネータを用いることで、これを用いない場合に比べて、粘着テープ31と電極パターン25の凹凸との隙間にエアー、塵、その他の異物及び汚染物質等が入り込むことを防止できる。
本実施形態では、粘着テープ31を介して一体的に固定された樹脂パッケージ基板11及び環状フレーム45を、粘着テープ31と合わせて被加工物ユニット47と称する。図4は、被加工物ユニット47の斜視図である。
上述の様に、粘着テープ31を表面13a側に貼り付けても粘着テープ31の表面側が平坦にならない。そこで、本実施形態では、粘着テープ31の表面側(即ち、樹脂パッケージ基板11とは反対側)に硬化型液状樹脂53及びキャリアシート51を設けて、粘着テープ31の表面に現れる凹凸を解消する。
図5(A)は、硬化型液状樹脂53が供給されたキャリアシート51を準備するステップを示す図である。キャリアシート51は、下面51bが平坦なテーブル54aに接する様にテーブル54a上に配置され、このキャリアシート51の上面51aに、硬化型液状樹脂53が塗布される。
本実施形態では、被加工物ユニット47が硬化型液状樹脂53を介してキャリアシート51に対して押し当てられても、硬化型液状樹脂53がキャリアシート51からはみ出さない程度に、硬化型液状樹脂53の量、押し当て力等が調整される。
本実施形態の硬化型液状樹脂53は、紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化型液状樹脂である。紫外線硬化型液状樹脂は、例えば、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート等である。また、キャリアシート51は、例えば、上述のPO、PVC又はEVA等の樹脂で形成される。なお、キャリアシート51及びテーブル54aの平坦さの程度は、当業者であれば理解できる。平坦なテーブル54a上に配置されたキャリアシート51の上面51aも、勿論、平坦となる。
本実施形態のキャリアシート51及びテーブル54aは、紫外線を透過する部材である。紫外線硬化型液状樹脂を用いることにより数秒間の紫外線照射で樹脂を硬化できるので、他の硬化型液状樹脂に比べて作業時間を短縮できる。
但し、硬化型液状樹脂53は、紫外線以外の可視光等の照射により硬化する光硬化性樹脂であってよく、熱により硬化する熱硬化性樹脂であってもよい。また、主剤と硬化剤とが混ぜ合わされることにより硬化する自然硬化性樹脂であってもよい。
テーブル54aの下方には、硬化型液状樹脂53を硬化させるための刺激となる紫外線を照射して硬化型液状樹脂53を硬化させる光源56と、この光源56を配置するための空洞を有するテーブル台54bとが設けられている。テーブル54a、テーブル台54b及び光源56は、光照射装置52を構成している。
硬化型液状樹脂53を硬化させる前に、移動ユニット58を用いてキャリアシート51上に被加工物ユニット47を移動させる。移動ユニット58は、環状フレーム45を吸着する吸着パッド58aと、樹脂パッケージ基板11の複数のモールド樹脂層23を吸着し且つモールド樹脂層23との接触面が平坦な吸着パッド58bとを有し、被加工物ユニット47を第1方向及び第2方向に垂直な第3方向(例えば、上下方向)に移動させることができる。
上述の様に、樹脂パッケージ基板11には反りが生じているが、移動ユニット58は、吸着パッド58bで複数のモールド樹脂層23を吸引することで、樹脂パッケージ基板11の反りを一時的に平坦に矯正できる。
移動ユニット58は、吸着パッド58bにより樹脂パッケージ基板11の反りを矯正して平坦にした状態で、被加工物ユニット47を硬化型液状樹脂53に向かって移動させる。これにより、キャリアシート51の上面51aの硬化型液状樹脂53に、樹脂パッケージ基板11のモールド樹脂層23側とは反対側の粘着テープ31側をめり込ませる。
図5(B)は、硬化型液状樹脂53を介して被加工物ユニット47をキャリアシート51上に配置する様子を示す図である。なお、図5(B)では、図1(B)に示した電極パターン25が省略されている。なお、図5(C)は、図1(A)に示す切断予定ライン19を通り、基板13の表面13aに垂直な平面で切断した断面図である。
この後、移動ユニット58により樹脂パッケージ基板11の反りを平坦に矯正した状態で、光照射装置52から硬化型液状樹脂53に紫外線を照射して硬化型液状樹脂53を硬化させる。これにより、粘着テープ31を介して樹脂パッケージ基板11及びキャリアシート51を硬化型液状樹脂53で固定する。図5(C)は、硬化型液状樹脂53を介して被加工物ユニットと47キャリアシート51とを固定する硬化型液状樹脂53固定ステップを示す図である。
ここで、硬化型液状樹脂53のキャリアシート51側が平坦化された様子を説明する。反りが生じていた樹脂パッケージ基板11は、粘着テープ31を介して硬化型液状樹脂53に固定されることで、反りが解消された平坦な形状となる(図5(C))。
図6は、図5(C)の領域Rの拡大した断面図である。上述の様に、粘着テープ31はデバイス領域15に対応する領域に粘着層36を有さないので、図6に示す様に、基材層34は電極パターン25の凹凸に倣う様に電極パターン25に接する。
また、硬化型液状樹脂53は、電極パターン25(凸部分)とキャリアシート51との間に入り込んでおり、2つの電極パターン25の間(凹部分)とキャリアシート51との間にも入り込んでいる。
基材層34及び電極パターン25の表面13aからの高さtは、基材層34、電極パターン25及び硬化型液状樹脂53の表面13aからの高さTよりも小さい。また、2つの電極パターン25の間(凹部分)で、基材層34及び硬化型液状樹脂53の表面13aからの高さもTである。
硬化型液状樹脂53のキャリアシート51の上面51a側は、平坦な上面51aの形状に倣い平坦になるので、硬化型液状樹脂53のキャリアシート51側(即ち、キャリアシート51の下面51b)が平坦化される。
このように、硬化型液状樹脂53及びキャリアシート51を用いて樹脂パッケージ基板11の反り及び凹凸を解消することで、樹脂パッケージ基板11のキャリアシート51側をチャックテーブル60で強力に吸引保持できる。
なお、樹脂パッケージ基板11を一般的な粘着テープ(ダイシングテープ)に貼り付ける場合、粘着テープの粘着力が樹脂パッケージ基板11の反りを解消できるほど強くない。それゆえ、粘着テープを介して樹脂パッケージ基板11をチャックテーブル60で吸引保持することは難しい。
また、樹脂パッケージ基板11の反りを解消できるほどの強力な粘着力を有する粘着テープに樹脂パッケージ基板11を貼り付ける場合、加工後に樹脂パッケージ基板11から粘着テープを剥がしても、樹脂パッケージ基板11に粘着テープの粘着層が残るという弊害がある。
これに対して、本実施形態では、硬化型液状樹脂53及びキャリアシート51を用いて樹脂パッケージ基板11の反り及び凹凸を解消することで、樹脂パッケージ基板11をチャックテーブル60に強力に吸引保持できる。加えて、樹脂パッケージ基板11のデバイス領域15と粘着テープ31の非粘着領域33aとを接触させることで、樹脂パッケージ基板11に粘着層が残ることを防ぐことができる。
チャックテーブル60は、細孔を有するポーラスセラミックス等で形成された円盤状のポーラス板62を有する。ポーラス板62の細孔は流路64に接続しており、流路64はバルブ等(不図示)を介して真空ポンプ等の吸引手段(不図示)に接続されている。
吸引手段の負圧により、キャリアシート51を介して樹脂パッケージ基板11は、ポーラス板62の保持面62aに吸引保持される。また、チャックテーブル60には、被加工物ユニット47の環状フレーム45を四方から挟持して固定するクランプ66が設けられている。
研削機構68は、チャックテーブル60の上方に配置される。研削機構68は、上述の第3方向に概ね平行な回転軸の周りに回転するスピンドル78を備えている。このスピンドル78は、昇降機構(不図示)で昇降される。スピンドル78の下端側には、円盤状のホイールマウント76が固定されている。
ホイールマウント76の下面には、ホイールマウント76と略同径の研削ホイール70が装着されている。研削ホイール70は、アルミニウム又はステンレス鋼等の金属材料で形成された環状のホイール基台72を備えている。
ホイール基台72の上面側がホイールマウント76に固定されることで、ホイール基台72はスピンドル78に装着されている。また、ホイール基台72の上面とは反対側の下面には複数の研削砥石74が設けられている。そして、チャックテーブル60がキャリアシート51の下面51bを吸引保持した状態で、樹脂パッケージ基板11の裏面13b側のモールド樹脂層23を研削する。
図7は、樹脂パッケージ基板11のモールド樹脂層23を研削砥石74で研削する研削ステップを示す図である。チャックテーブル60とスピンドル78とを、それぞれ所定の方向に回転させつつ、スピンドル78を下降させ、樹脂パッケージ基板11の裏面13b側のモールド樹脂層23に研削砥石74を押し当てる。これにより、モールド樹脂層23を研削する。
本実施形態では、硬化型液状樹脂53及びキャリアシート51を用いて樹脂パッケージ基板11の反りが解消された状態でモールド樹脂層23を研削砥石74で研削する。それゆえ、デバイス領域15内でのモールド樹脂層23の厚さ(裏面13bからのモールド樹脂層23の高さ)が均一になる様にモールド樹脂層23を研削できる。
本実施形態に係る樹脂パッケージ基板11の加工方法は、図2の粘着テープ31準備ステップ(S10)、図3の粘着テープ31貼り付けステップ(S20)、図5(A)のキャリアシート51準備ステップ(S30)、図5(B)及び図5(C)の硬化型液状樹脂53固定ステップ(S40)、図7の研削ステップ(S50)を有する。図8は、樹脂パッケージ基板11の加工方法のフロー図である。
なお、上述の実施形態では、樹脂パッケージ基板11のモールド樹脂層23を研削する例を説明したが、研削に代えて又は研削に加えて、硬化型液状樹脂53及びキャリアシート51を用いて樹脂パッケージ基板11の反り及び凹凸を解消した状態で、樹脂パッケージ基板11を切削してもよい。その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
11 樹脂パッケージ基板
13 基板
13a 表面
13b 裏面
15 デバイス領域
17 端材領域
19 切断予定ライン(ストリート)
21 ステージ
23 モールド樹脂層
25 電極パターン
27 マーカー
31 粘着テープ
32 離型シート
33a 非粘着領域
33b 粘着領域
34 基材層
36 粘着層
40 ローラー
42 テーブル
45 環状フレーム
47 被加工物ユニット
51 キャリアシート
51a 上面
51b 下面
52 光照射装置
53 硬化型液状樹脂
54a テーブル
54b テーブル台
56 光源
58 移動ユニット
58a,58b 吸着パッド
60 チャックテーブル
62 ポーラス板
62a 保持面
64 流路
66 クランプ
68 研削機構
70 研削ホイール
72 ホイール基台
74 研削砥石
76 ホイールマウント
78 スピンドル

Claims (3)

  1. 凹凸のある電極パターンを有するデバイス領域と該デバイス領域を囲む端材領域とを表面に備える基板と、該デバイス領域に対応して該基板の裏面に設けられ該デバイス領域の裏面側を覆うモールド樹脂層と、を備える樹脂パッケージ基板の加工方法であって、
    該デバイス領域に対応し粘着層を有しない非粘着領域と、該端材領域に対応し該非粘着領域を囲み該粘着層を有する粘着領域と、を備える粘着テープを準備する粘着テープ準備ステップと、
    該電極パターンの該凹凸に倣うように該デバイス領域の該表面側に該粘着テープの該非粘着領域を密着させつつ、該端材領域に該粘着領域を貼り付けることにより、該樹脂パッケージ基板の該表面に該粘着テープを貼り付ける粘着テープ貼り付けステップと、
    刺激を与えることによって硬化させる硬化型液状樹脂が上面に供給されたキャリアシートを平坦なテーブル上に準備するキャリアシート準備ステップと、
    該キャリアシートの該上面の該硬化型液状樹脂に、一時的に反りが矯正された状態の該樹脂パッケージ基板の該粘着テープ側をめり込ませた後、該硬化型液状樹脂に刺激を与えて硬化させ、該樹脂パッケージ基板と該キャリアシートとを該粘着テープを介して該硬化型液状樹脂で固定する硬化型液状樹脂固定ステップと、
    該樹脂パッケージ基板の該キャリアシート側をチャックテーブルで吸引して保持し、該樹脂パッケージ基板のモールド樹脂層を研削砥石で研削する研削ステップと、
    を備えることを特徴とする樹脂パッケージ基板の加工方法。
  2. 該硬化型液状樹脂は紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化型液状樹脂であり、該キャリアシートは紫外線を透過する部材であることを特徴する請求項1に記載の樹脂パッケージ基板の加工方法。
  3. 該粘着テープ貼り付けステップでは、該樹脂パッケージ基板が環状フレームの開口で該粘着テープにより支持されるように、該粘着テープは環状フレームに貼り付けられることを特徴とする請求項1又は2に記載の樹脂パッケージ基板の加工方法。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012151156A (ja) 2011-01-17 2012-08-09 Disco Abrasive Syst Ltd 切削方法
WO2013021644A1 (ja) 2011-08-09 2013-02-14 三井化学株式会社 半導体装置の製造方法およびその方法に用いられる半導体ウエハ表面保護用フィルム
JP2015085414A (ja) 2013-10-29 2015-05-07 株式会社ディスコ パッケージ基板の加工方法
JP2016132056A (ja) 2015-01-19 2016-07-25 株式会社ディスコ 板状ワークの保持方法
JP2016159412A (ja) 2015-03-04 2016-09-05 株式会社ディスコ パッケージ基板の研削方法
US20170062278A1 (en) 2015-08-31 2017-03-02 Disco Corporation Method of processing wafer
JP2017079291A (ja) 2015-10-21 2017-04-27 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012151156A (ja) 2011-01-17 2012-08-09 Disco Abrasive Syst Ltd 切削方法
WO2013021644A1 (ja) 2011-08-09 2013-02-14 三井化学株式会社 半導体装置の製造方法およびその方法に用いられる半導体ウエハ表面保護用フィルム
JP2015085414A (ja) 2013-10-29 2015-05-07 株式会社ディスコ パッケージ基板の加工方法
JP2016132056A (ja) 2015-01-19 2016-07-25 株式会社ディスコ 板状ワークの保持方法
JP2016159412A (ja) 2015-03-04 2016-09-05 株式会社ディスコ パッケージ基板の研削方法
US20170062278A1 (en) 2015-08-31 2017-03-02 Disco Corporation Method of processing wafer
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