JP7111031B2 - 感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、及びパターン形成方法 - Google Patents
感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、及びパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7111031B2 JP7111031B2 JP2019040258A JP2019040258A JP7111031B2 JP 7111031 B2 JP7111031 B2 JP 7111031B2 JP 2019040258 A JP2019040258 A JP 2019040258A JP 2019040258 A JP2019040258 A JP 2019040258A JP 7111031 B2 JP7111031 B2 JP 7111031B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- photosensitive resin
- resin composition
- independently
- formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1057—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain
- C08G73/106—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/22—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
- C08G77/26—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen nitrogen-containing groups
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0385—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable using epoxidised novolak resin
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0387—Polyamides or polyimides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/105—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having substances, e.g. indicators, for forming visible images
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0048—Photosensitive materials characterised by the solvents or agents facilitating spreading, e.g. tensio-active agents
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/115—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having supports or layers with means for obtaining a screen effect or for obtaining better contact in vacuum printing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
1.(A)1級アルコール性ヒドロキシ基を1.0×10-7eq/g~8.0×10-3eq/g含むポリイミドシリコーン、
(B)架橋剤、
(C)光酸発生剤、
(D)多官能エポキシ化合物、
(E)(A)成分のポリイミドシリコーン100質量部に対し、1~70質量部の平均粒径が0.01~20.0μmのフィラー、及び
(F)(A)成分のポリイミドシリコーン100質量部に対し、0.01~30質量部の着色剤
を含む感光性樹脂組成物。
2.更に、(G)有機溶剤を含む1の感光性樹脂組成物。
3.(G)有機溶剤が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルイソブチルケトン及びγ-ブチロラクトンからなる群から選ばれる少なくとも1種である1又は2の感光性樹脂組成物。
4.(A)ポリイミドシリコーンが、下記式(1-1)で表される繰り返し単位及び下記式(1-2)で表される繰り返し単位を含むものである1~3のいずれかの感光性樹脂組成物。
Y1は、下記式(3)で表される基である。
X2は、式(2)で表される基以外の4価の有機基である。
p及びqは、正の整数であり、0.01≦p/(p+q)<1を満たす。
破線は、結合手である。]
5.X2が、下記式で表される基から選ばれる基である4の感光性樹脂組成物。
6.(F)着色剤が、カーボンブラックである1~5のいずれかの感光性樹脂組成物。
7.(D)成分が、ビスフェノール骨格を有する多官能エポキシ化合物、フェノールノボラック多官能エポキシ化合物及び多官能エポキシシリコーンからなる群から選ばれる少なくとも1種を含む1~6のいずれかの感光性樹脂組成物。
8.基材フィルム層と、1~7のいずれかの感光性樹脂組成物から得られる感光性樹脂層と、カバーフィルム層とを備える感光性樹脂積層体。
9.(i)1~7のいずれかの感光性樹脂組成物を用いて感光性樹脂膜を基板上に形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂膜を露光する工程、及び
(iii)現像液で現像する工程
を含むパターン形成方法。
10.(i)8の感光性樹脂積層体を用いて感光性樹脂膜を基板上に形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂膜を露光する工程、及び
(iii)現像液で現像する工程
を含むパターン形成方法。
(A)成分として、1級アルコール性ヒドロキシ基を1.0×10-7eq/g~8.0×10-3eq/g含むポリイミドシリコーン、
(B)成分として、架橋剤、
(C)成分として、光酸発生剤、
(D)成分として、多官能エポキシ化合物、
(E)成分として、平均粒径が0.01~20.0μmのフィラー、及び
(F)成分として、着色剤
を含むものである。
(A)成分であるポリイミドシリコーンは、1.0×10-7eq/g~8.0×10-3eq/gの1級アルコール性ヒドロキシ基を含む。前記1級アルコール性ヒドロキシ基の含有量が前記範囲を外れると、現像時に樹脂が基板から剥離したり、未露光部の溶解性が低下したりする。なお、1級アルコール性ヒドロキシ基とは、1級炭素原子に結合しているヒドロキシ基を意味する。すなわち、(A)成分のポリイミドシリコーンは、1級アルコール構造を有するものである。
(B)成分の架橋剤は、(A)成分と架橋反応を起こし、パターンの形成を容易になし得るための成分であるとともに、膜の強度を更に上げるものである。
(C)成分の光酸発生剤は、光照射によって分解し、酸を発生するものであれば特に限定されないが、波長240~500nmの光を照射することによって酸を発生するものが好ましい。前記光酸発生剤は、硬化触媒として機能する。前記光酸発生剤としては、例えばオニウム塩、ジアゾメタン誘導体、グリオキシム誘導体、β-ケトスルホン誘導体、ジスルホン誘導体、ニトロベンジルスルホネート誘導体、スルホン酸エステル誘導体、イミド-イル-スルホネート誘導体、オキシムスルホネート誘導体、イミノスルホネート誘導体、トリアジン誘導体等が挙げられる。
(D)成分の多官能エポキシ化合物は、パターニング後の加熱硬化時にベースポリマー(すなわち(A)成分)と架橋反応を行い、皮膜の信頼性や基板との密着性に寄与する。
(E)成分のフィラーとしては、シリカ、アルミナ、窒化ケイ素、酸化チタン等が挙げられるが、これらに限定されない。前記フィラーは、その表面を改質してもしなくても使用できるが、改質した場合、透明度が上がることが期待できるため、好ましい。フィラーの表面改質は、例えば、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤、有機シリル塩化物によって行うことができる。
(F)成分の着色剤は、具体的には、顔料や染料等であり、レーザーマーキング性の点から、カーボンブラックが好ましい。(F)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対し、0.01~30質量部であるが、0.1~10質量部が好ましく、0.8~5質量部が更に好ましい。(F)成分の含有量が、0.01質量部未満だと着色剤の効果が低く、30質量部より多いと光透過率が大きく低下して、露光時に十分に硬化できなかったり、副反応を起こし、架橋反応を阻害したりするおそれがある。(F)成分は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
本発明の感光性樹脂組成物は、必要に応じ、(G)成分として有機溶剤を含んでもよい。前記有機溶剤としては、(A)成分、(B)成分、(C)成分及び(D)成分が溶解可能であって、かつ(E)成分と(F)成分とが分散可能なものが好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物には、前記各成分以外に、更にその他の成分を添加してもよい。その他の成分としては、界面活性剤、密着助剤等が挙げられる。
本発明の感光性樹脂組成物は、フィルム状に加工して使用することができる。フィルムとする場合、基材フィルム層上に前述した感光性樹脂組成物を用いて感光性樹脂膜を形成し、その上にカバーフィルム層を形成するのが好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物を用いて基板上にパターンを形成する方法は、以下の工程を含むものである。
(i)前述した感光性樹脂組成物又は感光性樹脂積層体を用いて感光性樹脂膜を基板上に形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂膜を露光する工程、及び
(iii)現像液で現像する工程。
[合成例1]
攪拌機、温度計及び窒素置換装置を備えたフラスコに、4,4'-オキシジフタル酸二無水物62.0g(0.2モル)、酸無水物変性シリコーン(S-1)302.3g(0.3モル)及びN-メチル-2-ピロリドン800gを仕込んだ。そこへ、反応系の温度が50℃を超えないように調節しながら、2,2-ビス(4-アミノ-3-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン183.1g(0.5モル)を加えた。その後、更に室温で10時間攪拌した。次に、前記フラスコに水分受容器付き還流冷却器を取り付けた後、キシレン120gを加え、170℃に昇温してその温度を6時間保持したところ、褐色の溶液が得られた。前記褐色溶液を室温(25℃)まで冷却した後、フェノール性ヒドロキシ基を有するポリイミドシリコーン溶液を得た。
攪拌機、温度計及び窒素置換装置を備えたフラスコに、4,4'-ヘキサフルオロプロピリデンビスフタル酸二無水物111.1g(0.25モル)、酸無水物変性シリコーン(S-2)264.0g(0.25モル)及びγ-ブチロラクトン800gを仕込んだ。そこへ、反応系の温度が50℃を超えないように調節しながら、2,2-ビス(4-アミノ-3-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン183.1g(0.5モル)を加えた。その後、更に室温で10時間攪拌した。次に、前記フラスコに水分受容器付き還流冷却器を取り付けた後、キシレン200gを加え、170℃に昇温してその温度を6時間保持したところ、褐色の溶液が得られた。前記褐色溶液を室温(25℃)まで冷却した後、フェノール性ヒドロキシ基を有するポリイミドシリコーン溶液を得た。
攪拌機、温度計及び窒素置換装置を備えたフラスコに、4,4'-オキシジフタル酸二無水物62.0g(0.2モル)、酸無水物変性シリコーン(S-3)325.0g(0.2モル)及びγ-ブチロラクトン800gを仕込んだ。そこへ、反応系の温度が50℃を超えないように調節しながら、2,2-ビス(4-アミノ-3-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン73.3g(0.2モル)及び1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン58.5g(0.2モル)を加えた。その後、p-アミノフェノール1.1g(0.01モル)を加え、更に室温で10時間攪拌した。次に、前記フラスコに水分受容器付き還流冷却器を取り付けた後、キシレン250gを加え、170℃に昇温してその温度を6時間保持したところ、褐色の溶液が得られた。前記褐色溶液を室温(25℃)まで冷却した後、フェノール性ヒドロキシ基を有するポリイミドシリコーン溶液を得た。
攪拌機、温度計及び窒素置換装置を備えたフラスコに、4,4'-オキシジフタル酸二無水物91.6g(0.25モル)、酸無水物変性シリコーン(S-3)406.2g(0.25モル)及びγ-ブチロラクトン1000gを仕込んだ。そこへ、反応系の温度が50℃を超えないように調節しながら、2,2-ビス(4-アミノ-3-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン146.5g(0.40モル)及び1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン29.2g(0.10モル)を加えた。その後、p-アミノフェノール2.7g(0.025モル)を加え、更に室温で10時間攪拌した。次に、前記フラスコに水分受容器付き還流冷却器を取り付けた後、キシレン300gを加え、170℃に昇温してその温度を6時間保持したところ、褐色の溶液が得られた。前記褐色溶液を室温(25℃)まで冷却した後、フェノール性ヒドロキシ基を有するポリイミドシリコーン溶液を得た。
攪拌機、温度計及び窒素置換装置を備えたフラスコに、4,4'-オキシジフタル酸二無水物62.0g(0.2モル)、無水物変性シリコーン(S-1)302.3g(0.3モル)及びN-メチル-2-ピロリドン800gを仕込んだ。そこへ、反応系の温度が50℃を超えないように調節しながら、2,2-ビス(4-アミノ-3-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン183.1g(0.5モル)を加えた。その後、更に室温で10時間攪拌した。次に、前記フラスコに水分受容器付き還流冷却器を取り付けた後、キシレン120gを加え、170℃に昇温してその温度を6時間保持したところ、褐色の溶液が得られた。前記褐色溶液を室温(25℃)まで冷却した後、メタノール中に投入し、析出した沈殿を濾過し、乾燥後、目的とするフェノール性ヒドロキシ基を有するポリイミドシリコーンA'-1を得た。GPC分析の結果、ポリイミドシリコーンA'-1のMwは、17,800であった。
[実施例1~16、比較例1~8]
表1及び2に記載した組成になるように、(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)、(E)成分、(F)成分及び(G)成分を配合して、攪拌、混合し、感光性樹脂組成物を調製した。表1及び2中、各成分は以下のとおりである。
ポリイミドシリコーンA-1~A-4、A'-1
D-1:エピコート828(三菱ケミカル(株)製)2官能エポキシ樹脂
D-2:セロキサイド(登録商標)2021P((株)ダイセル製)2官能エポキシ樹脂
E-1:(株)アドマテックス製シリカ(平均粒径0.5μm)
E-2:(株)アドマテックス製シリカ(平均粒径8.0μm)
E-3:(株)アドマテックス製シリカ(平均粒径20.0μm)
顔料として、F-1:カーボンブラック(三菱ケミカル(株)製)
染料として、F-2:VALIFAST(登録商標)1821(オリヱント化学工業(株)製)
G-1:シクロペンタノン
G-2:プロピレングリコールモノメチルエーテル
表1及び2に記載された各感光性樹脂組成物を、厚さ100μmのPETフィルム上にブレードナイフを使用してコーティングし、その後、100℃の乾燥機で10分間加熱して、PETフィルム上に膜厚50μmの感光性樹脂層を形成した。前記感光性樹脂層上にポリエチレンのカバーフィルムをラミネートすることで、感光性樹脂積層体を作製した。評価は以下の方法にて行った。なお、樹脂厚みは、接触式厚み計によって測定した。
前記感光性樹脂積層体のカバーフィルムを剥がし、フィルムラミネータで8インチシリコンウエハにラミネートした後、基材のPETフィルムを剥離して、シリコンウエハ上に感光性樹脂層を転写した。ホットプレートで90℃、2分間加熱して乾燥させた後、ズース社製マスクアライナーMA8(光源波長:ブロードバンド)を用いて、直径200μmのホールを等間隔に有する石英製マスクを介して、ブロードバンドの紫外線を2,000mJ/cm2で照射した。照射後、ホットプレートで90℃、2分間加熱し、冷却後、2.38質量%TMAH水溶液に5分間浸し、未露光部を溶解除去し、パターンを形成した。パターンが形成され、ホール部分が底まで開口していた場合を「○」、底まで達していなかった場合を「×」とした。結果を表3及び4に示す。
前記感光性樹脂積層体のカバーフィルムを剥がし、フィルムラミネータで8インチシリコンウエハにラミネートした後、PETフィルムを剥離することによって、シリコンウエハ上に感光性樹脂層を転写した。ホットプレートで90℃、2分間加熱して乾燥させた後、マスクを使用せず、ウエハ全面に、波長365nmの光を露光量800mJ/cm2で照射した。照射後、90℃で2分間加熱し、冷却後、200℃で2時間加熱して硬化させた。その後、レーザーマーキング装置MD-V9900((株)キーエンス製)を用いて、1,064nmで5W、0.6秒での照射条件でレーザーマークを施し、レーザーマークを視認できるか確認した。確認できた場合を「○」、視認できなかったり、刻印されても薄い等の理由により読みづらかったりした場合を「×」とした。結果を表3及び4に示す。
前記感光性樹脂積層体を外径8.5cmのプラスチック製の円筒に巻きつけ、10秒間静置後、前記積層体を元に戻し、前記積層体に異常がないか確認した。変化がない場合を「○」、割れ等が発生していた場合を「×」とした。結果を表3及び4に示す。
(株)日立ハイテクサイエンス製U-3900H形分光光度計を用いて、前記感光性樹脂積層体の感光性樹脂層の波長365nmの光の透過率を測定した。結果を表3及び4に示す。
フィルムをそのまま露光し、オーブンで90℃で2分間加熱し、その後、オーブンで200℃で2時間加熱し、硬化させた。その後、硬化したフィルムを粘弾性測定装置((株)日立ハイテクサイエンス製DMA7100)を用いて、-10~320℃の範囲で昇温測定し、25℃の弾性率を読み取った。結果を表3及び4に示す。
Claims (10)
- (A)1級アルコール性ヒドロキシ基を1.0×10-7eq/g~8.0×10-3eq/g含むポリイミドシリコーン、
(B)架橋剤、
(C)光酸発生剤、
(D)多官能エポキシ化合物、
(E)(A)成分のポリイミドシリコーン100質量部に対し、1~70質量部のレーザー光回折法による平均粒径が0.01~20.0μmのフィラー、及び
(F)(A)成分のポリイミドシリコーン100質量部に対し、0.01~30質量部の着色剤
を含む感光性樹脂組成物。 - 更に、(G)有機溶剤を含む請求項1記載の感光性樹脂組成物。
- (G)有機溶剤が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルイソブチルケトン及びγ-ブチロラクトンからなる群から選ばれる少なくとも1種である請求項1又は2記載の感光性樹脂組成物。
- (A)ポリイミドシリコーンが、下記式(1-1)で表される繰り返し単位及び下記式(1-2)で表される繰り返し単位を含むものである請求項1~3のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物。
Y1は、下記式(3)で表される基である。
X2は、式(2)で表される基以外の4価の有機基である。
p及びqは、正の整数であり、0.01≦p/(p+q)<1を満たす。
破線は、結合手である。] - (F)着色剤が、カーボンブラックである請求項1~5のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物。
- (D)成分が、ビスフェノール骨格を有する多官能エポキシ化合物、フェノールノボラック多官能エポキシ化合物及び多官能エポキシシリコーンからなる群から選ばれる少なくとも1種を含む請求項1~6のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物。
- 基材フィルム層と、請求項1~7のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物から得られる感光性樹脂層と、カバーフィルム層とを備える感光性樹脂積層体。
- (i)請求項1~7のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物を用いて感光性樹脂膜を基板上に形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂膜を露光する工程、及び
(iii)現像液で現像する工程
を含むパターン形成方法。 - (i)請求項8記載の感光性樹脂積層体を用いて感光性樹脂膜を基板上に形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂膜を露光する工程、及び
(iii)現像液で現像する工程
を含むパターン形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018056546 | 2018-03-23 | ||
JP2018056546 | 2018-03-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019168680A JP2019168680A (ja) | 2019-10-03 |
JP7111031B2 true JP7111031B2 (ja) | 2022-08-02 |
Family
ID=65817855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019040258A Active JP7111031B2 (ja) | 2018-03-23 | 2019-03-06 | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、及びパターン形成方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11294283B2 (ja) |
EP (1) | EP3553601B1 (ja) |
JP (1) | JP7111031B2 (ja) |
KR (1) | KR20190111797A (ja) |
CN (1) | CN110297398A (ja) |
TW (1) | TWI802667B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210128464A (ko) * | 2019-05-27 | 2021-10-26 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 감광성 수지 조성물 및 유기 el 소자 격벽 |
KR20230095953A (ko) * | 2020-10-26 | 2023-06-29 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 폴리이미드 수지, 폴리이미드 바니시 및 폴리이미드 필름 |
JPWO2022210797A1 (ja) * | 2021-03-29 | 2022-10-06 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006133757A (ja) | 2004-10-07 | 2006-05-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ポリイミド系光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板保護用皮膜 |
JP2011123278A (ja) | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ポリイミド系光硬化性樹脂組成物、パターン形成方法及び基板保護用皮膜 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2931297A1 (de) * | 1979-08-01 | 1981-02-19 | Siemens Ag | Waermebestaendige positivresists und verfahren zur herstellung waermebestaendiger reliefstrukturen |
US4499149A (en) * | 1980-12-15 | 1985-02-12 | M&T Chemicals Inc. | Siloxane-containing polymers |
US4853452A (en) | 1988-02-09 | 1989-08-01 | Occidental Chemical Corporation | Novel soluble polyimidesiloxanes and methods for their preparation using a flourine containing anhydride |
US4829131A (en) | 1988-02-09 | 1989-05-09 | Occidental Chemical Corporation | Novel soluble polymidesiloxanes and methods for their preparation and use |
US5554684A (en) * | 1993-10-12 | 1996-09-10 | Occidental Chemical Corporation | Forming polyimide coating by screen printing |
JP3451128B2 (ja) | 1994-03-31 | 2003-09-29 | 新日鐵化学株式会社 | ポリイミド樹脂及び耐熱接着剤 |
JP3721768B2 (ja) * | 1997-01-24 | 2005-11-30 | 宇部興産株式会社 | 感光性ポリイミドシロキサン組成物および絶縁膜 |
JP3179369B2 (ja) * | 1997-06-16 | 2001-06-25 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 微小領域走査装置 |
JP3865046B2 (ja) * | 2001-05-08 | 2007-01-10 | 信越化学工業株式会社 | 無溶剤型ポリイミドシリコーン系樹脂組成物 |
JP3899861B2 (ja) * | 2001-07-13 | 2007-03-28 | 株式会社日立製作所 | 光ディスク、情報再生方法及び記録方法 |
WO2004109403A1 (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-16 | Toray Industries, Inc. | 感光性樹脂組成物およびそれを用いた電子部品ならびに表示装置 |
US7439285B2 (en) * | 2004-01-23 | 2008-10-21 | Printar Ltd. | Liquid thermosetting ink |
US20070009821A1 (en) * | 2005-07-08 | 2007-01-11 | Charlotte Cutler | Devices containing multi-bit data |
JP4687898B2 (ja) * | 2006-03-14 | 2011-05-25 | 信越化学工業株式会社 | 含フッ素ケイ素化合物、シリコーン樹脂、それを用いたレジスト組成物、及びパターン形成方法 |
KR20110074634A (ko) * | 2007-01-10 | 2011-06-30 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 회로 부재 접속용 접착제 및 이것을 이용한 반도체 장치 |
JP4548855B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2010-09-22 | 信越化学工業株式会社 | 熱硬化性ポリイミドシリコーン樹脂組成物及びその硬化皮膜 |
JP5332419B2 (ja) * | 2007-12-19 | 2013-11-06 | 日立化成株式会社 | 感光性接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
JP4771100B2 (ja) * | 2008-08-27 | 2011-09-14 | 信越化学工業株式会社 | 無溶剤型ポリイミドシリコーン系樹脂組成物及びその硬化物 |
KR20110036749A (ko) * | 2008-08-27 | 2011-04-08 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 감광성 접착제 조성물, 및 그것을 이용한 필름상 접착제, 접착 시트, 접착제 패턴, 접착제층 부착 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치 |
JP5343494B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-11-13 | デクセリアルズ株式会社 | 感光性シロキサンポリイミド樹脂組成物 |
JP5206977B2 (ja) * | 2009-03-12 | 2013-06-12 | 信越化学工業株式会社 | 新規ポリイミドシリコーン及びこれを含有する感光性樹脂組成物並びにパターン形成方法 |
JP5732815B2 (ja) * | 2009-10-30 | 2015-06-10 | 日立化成株式会社 | 感光性接着剤組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、接着剤層付透明基板、及び半導体装置。 |
TWI516527B (zh) * | 2009-12-10 | 2016-01-11 | 信越化學工業股份有限公司 | 光固化性樹脂組成物,圖案形成法和基板保護膜,以及使用該組成物之膜狀黏著劑及黏著片 |
JP4959778B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2012-06-27 | 信越化学工業株式会社 | 光硬化性樹脂組成物、該組成物を用いたフィルム状接着剤及び接着シート |
JPWO2012105658A1 (ja) * | 2011-02-04 | 2014-07-03 | 日立化成株式会社 | 接着物の製造方法、接着剤パターン付き基板の製造方法及び接着剤パターン付き基板 |
WO2014050878A1 (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-03 | 東レ株式会社 | 樹脂組成物、硬化膜、積層フィルム、および半導体装置の製造方法 |
JP2014070111A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Nippon Zeon Co Ltd | 絶縁体、絶縁膜、積層体および積層体の製造方法 |
US10428253B2 (en) * | 2013-07-16 | 2019-10-01 | Hitachi Chemical Company, Ltd | Photosensitive resin composition, film adhesive, adhesive sheet, adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive layer, and semiconductor device |
TWI613517B (zh) * | 2013-07-18 | 2018-02-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | 感光性樹脂組成物、薄膜狀黏著劑、黏著片、黏著劑圖案、附有黏著劑層之半導體晶圓及半導體裝置 |
JP5977717B2 (ja) * | 2013-07-29 | 2016-08-24 | 信越化学工業株式会社 | 半導体封止用基材付封止材、半導体封止用基材付封止材の製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
KR102522739B1 (ko) * | 2015-03-30 | 2023-04-17 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 감광성 수지 조성물, 패턴 형성 방법, 경화막, 절연막, 컬러 필터, 및 표시 장치 |
CN107272342B (zh) * | 2016-03-30 | 2021-03-05 | 东友精细化工有限公司 | 负型感光树脂组合物 |
JP6862277B2 (ja) | 2016-09-26 | 2021-04-21 | 日本化薬株式会社 | 撮像素子用光電変換素子用材料及びそれを含む光電変換素子 |
-
2019
- 2019-03-06 JP JP2019040258A patent/JP7111031B2/ja active Active
- 2019-03-12 US US16/299,702 patent/US11294283B2/en active Active
- 2019-03-15 EP EP19163023.5A patent/EP3553601B1/en active Active
- 2019-03-20 KR KR1020190031591A patent/KR20190111797A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-03-21 TW TW108109698A patent/TWI802667B/zh active
- 2019-03-22 CN CN201910220518.9A patent/CN110297398A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006133757A (ja) | 2004-10-07 | 2006-05-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ポリイミド系光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板保護用皮膜 |
JP2011123278A (ja) | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ポリイミド系光硬化性樹脂組成物、パターン形成方法及び基板保護用皮膜 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3553601A1 (en) | 2019-10-16 |
CN110297398A (zh) | 2019-10-01 |
JP2019168680A (ja) | 2019-10-03 |
US11294283B2 (en) | 2022-04-05 |
US20190294045A1 (en) | 2019-09-26 |
EP3553601B1 (en) | 2020-09-23 |
KR20190111797A (ko) | 2019-10-02 |
TWI802667B (zh) | 2023-05-21 |
TW201945849A (zh) | 2019-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4336999B2 (ja) | シルフェニレン骨格含有高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板回路保護用皮膜 | |
JP5417623B2 (ja) | ポリイミド系光硬化性樹脂組成物、パターン形成方法及び基板保護用皮膜 | |
EP2333015B1 (en) | Photo-curable resin composition, pattern forming method and substrate protecting film, and film-shaped adhesive and adhesive sheet using said composition | |
EP1645909B1 (en) | Photo-curable resin composition comprising a polyimide, a process for forming a pattern therewith, and a substrate protecting film | |
JP4959778B2 (ja) | 光硬化性樹脂組成物、該組成物を用いたフィルム状接着剤及び接着シート | |
JP5206977B2 (ja) | 新規ポリイミドシリコーン及びこれを含有する感光性樹脂組成物並びにパターン形成方法 | |
JP7111031B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、及びパターン形成方法 | |
KR101117023B1 (ko) | 폴리이미드계 광경화성 수지 조성물 및 패턴 형성 방법 및 기판 보호용 피막 | |
JP6981390B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、及びパターン形成方法 | |
JP7063239B2 (ja) | 感光性樹脂組成物及び感光性ドライフィルム | |
JP7247867B2 (ja) | 感光性ポリイミド樹脂組成物、パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP7371566B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220302 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220621 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220704 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7111031 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |