JP7115850B2 - 被加工物の加工方法および加工装置 - Google Patents

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Description

本発明は、被加工物を加工する被加工物の加工方法および加工装置に関する。
半導体デバイスの製造工程においては、被加工物の表面に格子状にストリートが形成され、ストリートによって区画された領域にIC、LSI等のデバイスが形成される。被加工物は、その裏面が研削されて所定の厚みへと薄化された後、ストリートに沿って切削装置等によって分割されることで個々の半導体デバイスチップが製造される。被加工物を研削して薄化する際には、デバイスを保護するために、被加工物の表面に樹脂を被覆している。被覆した樹脂の厚み精度向上のためには、被加工物の表面に被覆された樹脂を研削して平坦化させる工程が実施されている(例えば、下記の特許文献1を参照)。
特開2009-43931号公報
しかしながら、上記工程を実施して被加工物の表面に被覆した樹脂を研削した後は、別の研削装置にて被加工物の裏面を研削する工程が実施されていることから、研削の工程数が増加するという課題がある。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、研削の工程数を増やすことなく、効率よく被加工物を加工できるようにすることを目的としている。
本発明は、表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインに区画された領域にデバイスが形成された被加工物の加工に用いる加工装置であって、被加工物を保持するチャックテーブルと、研削前の被加工物を所定の位置に位置合わせする位置合わせ手段と、回転可能なスピンナーテーブルを有し、該スピンナーテーブルに保持された被加工物に樹脂を被覆する樹脂被覆手段と、該樹脂被覆手段において樹脂が被覆された被加工物を洗浄する洗浄手段と、表面に樹脂が被覆された被加工物の裏面と該表面に被覆された樹脂とを研削する研削砥石を備える研削ユニットと、該チャックテーブルに対して被加工物を搬入出および該チャックテーブルから搬出した被加工物を表裏反転させる搬送ユニットと、を備え、該搬送ユニットは、被加工物を、該位置合わせ手段から該スピンナーテーブルに搬送するとともに、該スピンナーテーブルから該チャックテーブルに搬送する第1の搬送ユニットと、被加工物を該チャックテーブルから該洗浄手段に搬送する第2の搬送ユニットと、被加工物を該洗浄手段から該第2の搬送ユニットに引き継ぐ表裏反転用搬送ユニットと、を備え、該表裏反転搬送ユニットは、該洗浄手段において洗浄された被加工物の樹脂側を保持し、被加工物の表裏を反転させて被加工物の裏面を上向きとし、該第2の搬送ユニットは、該表裏反転搬送ユニットから該裏面を上向きとした被加工物を引き継いで該チャックテーブルに搬送し、該樹脂側を該チャックテーブルに保持させ、該研削砥石によって被加工物の該裏面を研削する。
上記研削砥石によって研削した後の上記樹脂の樹脂厚みを測定し、被加工物の裏面を所定の厚みへと薄化することを特徴とする。
上記研削砥石に向けて洗浄水を噴射する洗浄ノズルを備え、該研削砥石に付着した上記樹脂を洗浄しながら該研削砥石で該樹脂を研削することを特徴とする。
上記樹脂の研削と被加工物の前記裏面の研削とを同一の研削砥石を使用して実施することを特徴とする。
本発明に係る加工装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、表面に樹脂が被覆された被加工物の裏面と表面に被覆された樹脂とを研削する研削砥石を備える研削ユニットと、チャックテーブルに対して被加工物を搬入出およびチャックテーブルから搬出した被加工物を表裏反転させる搬送ユニットとを備えたため、被加工物の表面に被覆された樹脂の研削と被加工物の裏面の研削とを同一の装置内で実施することができる。したがって、本発明によれば、研削の工程数が増えることがなくなることから、効率よく被加工物の加工を実施することができる。
上記加工装置によれば、上記研削砥石によって研削した後の上記樹脂の樹脂厚みを測定し、被加工物の裏面を所定の厚みへと薄化することが可能となるため、被加工物をより高精度に加工することができる。
上記加工装置は、研削砥石に向けて洗浄水を噴射する洗浄ノズルを備えたため、洗浄ノズルから研削砥石に向けて洗浄水を噴射し、研削砥石に付着した樹脂を洗浄しながら樹脂の研削を実施できるため、被加工物の表面の被覆された樹脂を研削して平坦化させた後においても研削砥石に樹脂が残存しない。そのため、同一の研削砥石を用いて被加工物の裏面を研削することが可能となる。
また、樹脂の研削と被加工物の裏面の研削とを同一の研削砥石を使用して実施することができ、加工効率が向上する。
加工装置の構成を示す斜視図である。 研削手段及び洗浄ノズルの構成を示す断面図である。 樹脂被覆ステップを示す斜視図である。 樹脂硬化ステップを示す斜視図である。 樹脂研削ステップを示す断面図である。 樹脂研削ステップにおける研削砥石の加工点と非加工点とを説明する説明図 である。 被加工物研削ステップを示す断面図である。
1 加工装置
図1に示す加工装置1は、被加工物Wの研削加工に用いる研削装置の一例である。被加工物Wは、円形板状の被加工物の一例であって、その表面Waには格子状に形成された複数の分割予定ラインSによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスDが形成されている。被加工物Wの表面Waと反対側の裏面Wbは、研削加工が施される被加工面となっている。本実施形態に示す被加工物Wは、例えば、シリコンウェーハによって構成されている。
加工装置1は、Y軸方向に延在する装置ベース2を有し、装置ベース2のY軸方向前側には、研削前の被加工物Wを収容するカセット4aと研削後の被加工物Wを収容するカセット4bとが配設されている。カセット4a及びカセット4bの近傍には、カセット4aから研削前の被加工物Wを搬出するとともにカセット4bに研削後の被加工物Wを搬入する搬出入手段5が配設されている。搬出入手段5の可動範囲には、研削前の被加工物Wを所定の位置に位置合わせする位置合わせ手段6と、加工後の被加工物Wを洗浄する洗浄手段7とが配設されている。
加工装置1は、被加工物Wを保持するチャックテーブル8と、被加工物Wの表面Waに樹脂を被覆させる樹脂被覆手段10と、被加工物Wの表面Waに被覆された樹脂を硬化させる樹脂硬化手段20と、チャックテーブル8に対して被加工物Wを搬入出およびチャックテーブル8から搬出した被加工物Wを表裏反転させる搬送ユニット30と、表面Waに樹脂が被覆された被加工物Wの裏面Wbと表面Waに被覆された樹脂とを研削する研削砥石46を備える研削ユニット40と、研削ユニット40を鉛直方向(Z軸方向)に昇降させる昇降手段50とを備えている。
チャックテーブル8の上面は、被加工物Wを吸引保持する保持面8aとなっており、保持面8aには吸引源が接続されている。チャックテーブル8の周囲はカバー9によって覆われている。チャックテーブル8の下方には、Y軸方向にチャックテーブル8を移動させる移動手段が接続されている。なお、図示していないが、実際には、チャックテーブル8の保持面8aは、その中心部分を頂点として外周方向を下方に傾斜させた傾斜面となっている。
樹脂被覆手段10は、被加工物Wを回転可能に保持するスピンナーテーブル11と、スピンナーテーブル11に保持された被加工物Wに対して樹脂を滴下する樹脂ノズル12とを備えている。スピンナーテーブル11の上面は被加工物Wを吸引保持する保持面11aとなっており、保持面11aには吸引源が接続されている。スピンナーテーブル11の下方には、スピンナーテーブル11を回転させる回転手段(図3に示す回転手段13)及びY軸方向にスピンナーテーブル11を移動させる移動手段が接続されている。樹脂ノズル12は、アーム120の一端に配設されている。アーム120の他端には、旋回軸121が接続されており、アーム120が旋回軸121を中心として水平に旋回可能となっている。アーム120が旋回することにより、スピンナーテーブル11の上方において樹脂ノズル12を半径方向に移動させることができる。
樹脂硬化手段20は、樹脂被覆手段10に隣接した位置に配設され、被加工物Wの表面Waに被覆された樹脂に対して紫外線照射処理を施す内部空間を有する処理室200を備えている。処理室200の内部には、例えばUVランプが複数配設されている。処理室200の手前側(Y軸方向手前側)には、スピンナーテーブル11が通過可能な開口201が形成されている。
本実施形態に示す搬送ユニット30は、位置合わせ手段6で所定の位置に位置合わせされた被加工物Wをチャックテーブル8,スピンナーテーブル11に搬入する第1の搬送ユニット31と、チャックテーブル8から研削済みの被加工物Wを搬出する第2の搬送ユニット32と、被加工物Wの表裏面を反転させる表裏反転用搬送ユニット33とを含んで構成されている。
第1の搬送ユニット31は、位置合わせ手段6の近傍に配設され、被加工物Wを保持する搬送パッド310と、搬送パッド310を支持するアーム311と、アーム311を昇降させるとともに水平方向に旋回させる軸部312を有する移動機構と、軸部312の一端に接続されたモータとを備えている。軸部312がZ軸方向に昇降すると、アーム311とともに搬送パッド310をZ軸方向に昇降させることができる。また、軸部312が回転すると、アーム311が水平方向に旋回し、搬送パッド310を水平方向に旋回させることができる。
第2の搬送ユニット32は、第1の搬送ユニット31に隣接して配置され、被加工物Wを保持する搬送パッド320と、搬送パッド320を支持するアーム321と、アーム321を昇降させるとともに水平方向に旋回させる軸部322を有する移動機構と、軸部322の一端に接続されたモータとを備えている。軸部322がZ軸方向に昇降すると、アーム321とともに搬送パッド320をZ軸方向に昇降させることができる。また、軸部322が回転すると、アーム321が水平方向に旋回し、搬送パッド320を水平方向に旋回させることができる。
表裏反転用搬送ユニット33は、洗浄手段7の近傍に配設され、被加工物Wを保持する搬送パッド330と、搬送パッド330を水平に支持する水平支持部331と、水平支持部331において搬送パッド330の表裏を反転させる反転機構332とを少なくとも備えている。反転機構332には、図示していないが、水平支持部331と平行な水平方向に軸心を有する回転軸が含まれている。表裏反転用搬送ユニット33では、搬送パッド330が被加工物Wを保持した状態で水平支持部331において搬送パッド330を回転させることにより、被加工物Wの表裏を反転させることができる。表裏反転用搬送ユニット33についても、第1の搬送ユニット31及び第2の搬送ユニット32と同様に、水平支持部331を昇降させるとともに水平方向に旋回させることができる。なお、本実施形態に示す表裏反転用搬送ユニット33の構成や配設位置は、一形態にすぎず、適宜変更することができる。
装置ベース2のY軸方向後部にコラム3が立設されている。研削ユニット40は、コラム3の前方において昇降手段50によって昇降可能に支持されている。昇降手段50は、Z軸方向に延在するボールネジ51と、ボールネジ51の一端に接続されたモータ52と、ボールネジ51と平行に延在する一対のガイドレール53と、内部に備えたナットがボールネジ51に螺合するとともに側部がガイドレール53に 接する昇降部54とを備えている。そして、モータ52がボールネジ51を回動させることにより、一対のガイドレール53に沿って昇降部54とともに研削ユニット40をZ軸方向に昇降させることができる。
研削ユニット40は、Z軸方向の軸心を有する図2に示すスピンドル41と、スピンドル41の外周を囲繞するスピンドルハウジング42と、スピンドル41の一端に取り付けられたモータ43と、マウント44を介してスピンドル41の下端に装着された研削ホイール45と、研削ホイール45の下部に環状に固着された複数の研削砥石46とを備えている。モータ43がスピンドル41を回転させることにより、研削ホイール45を所定の回転速度で回転させることができる。
研削ユニット40の下方側には、研削砥石46に向けて洗浄水を噴射する洗浄ノズル60を備えている。洗浄ノズル60の上端には噴射口60aが形成されており、研削砥石46の下面側に噴射口60aが向いている。洗浄ノズル60には、洗浄水の供給源61が接続されている。このように構成される洗浄ノズル60は、図1に示した被加工物Wの表面Waに被覆された樹脂を研削砥石46で研削するときに、研削砥石46に付着した樹脂を水洗するために利用される。洗浄ノズル60の配設位置は、特に限定されないが、研削砥石46の直下で、かつ、研削砥石46の加工点(研削砥石46が実際に樹脂や被加工物Wに接触する部分)以外であることが好ましい。
加工装置1は、研削砥石46によって研削した後の樹脂の樹脂厚を測定する測定手段70と、測定手段70によって測定された樹脂の樹脂厚みのデータに基づき、研削ユニット40及び昇降手段50を制御する制御手段とを備えている。図示の例に示す測定手段70は、例えば非接触式で光学系の測定器により構成されているが、これに限定されず、接触式の測定ゲージで構成してもよい。このように、本発明の加工装置1によれば、研削砥石46によって研削した後の樹脂の樹脂厚みを測定し、被加工物の裏面を所定の厚みへと薄化することが可能となるため、被加工物をより高精度に加工することができる。
このように、本発明に係る加工装置1は、被加工物を保持するチャックテーブル8と、表面Waに樹脂が被覆された被加工物Wの裏面Wbと表面Waに被覆された樹脂とを研削する研削砥石46を備える研削ユニット40と、チャックテーブル8に対して被加工物Wを搬入出およびチャックテーブル8から搬出した被加工物Wを表裏反転させる搬送ユニット30とを備えたため、被加工物Wの表面Waに被覆された樹脂の研削と被加工物Wの裏面Wbの研削とを同一の装置内で実施することができる。したがって、本発明によれば、研削の工程数が増えることがなく、効率よく被加工物Wの加工を実施することができる。
また、研削砥石46で被加工物Wの表面Waに被覆された樹脂を研削するときは、洗浄ノズル60から研削砥石46に向けて洗浄水を噴射し、研削砥石46に付着した樹脂を洗浄しながら研削を実施するため、被加工物Wの表面Waの被覆された樹脂を研削して平坦化させても、研削砥石46に樹脂が残存しない。そのため、同一の研削砥石46を用いて被加工物Wの裏面Wbを研削することが可能となる。
2 被加工物の加工方法
次に、被加工物Wの表面Waに被覆した樹脂と、被加工物Wの裏面Wbとに研削を行う被加工物の加工方法について説明する。本実施形態では、上記の加工装置1を用いながら被加工物の加工方法を実施するものとする。加工装置1のカセット4aには、加工前の被加工物Wが複数収容されている。搬出入手段5は、カセット4aから加工前の被加工物Wを引き出し、位置合わせ手段6に搬送し被加工物Wを所定の位置に位置合わせする。
(1)樹脂被覆ステップ
第1の搬送ユニット31は、位置合わせ手段6で所定の位置に位置合わせされた被加工物Wを搬出し、図3に示すように、被加工物Wの裏面Wb側をスピンナーテーブル11の保持面11aに載置して、被加工物Wの表面Waを上向きに露出させる。図示しない吸引源の吸引作用によりスピンナーテーブル11の保持面11aで被加工物Wを吸引保持したら、回転手段13によって、スピンナーテーブル11を例えば矢印A方向に回転させる。
樹脂ノズル12は、スピンナーテーブル11の保持面11aに対して水平方向に旋回し、樹脂ノズル12の先端をスピンナーテーブル11に保持された被加工物Wの表面Waの中央領域上方側に位置づけ、該中央領域に向けて所定量の樹脂100を滴下する。スピンナーテーブル11の回転により発生する遠心力によって被加工物Wの表面Waの中央領域から外周側に樹脂100を流動させて、被加工物Wの表面Waの全面に淀みなくいきわたらせる。このようにして、被加工物Wの表面Waの全面に樹脂100を被覆する。樹脂100としては、例えば紫外線硬化性樹脂を使用することが好ましい。
(2)樹脂硬化ステップ
図1に示したスピンナーテーブル11を樹脂硬化手段20の処理室200の開口201から内部に進入させる。その後、処理室200の内部に配設された複数のUVランプによって樹脂100に向けて紫外線を照射する。紫外線の外的刺激により樹脂100を硬化させることにより、図4に示すように、被加工物Wの表面Waの全面において硬化した樹脂100aを形成する。
(3)樹脂研削ステップ
樹脂硬化ステップを実施した後、図1に示した処理室200からスピンナーテーブル11を退出させる。第1の搬送ユニット31は、スピンナーテーブル11から被加工物Wを搬出し、図5に示すように、被加工物Wの裏面Wb側をチャックテーブル8の保持面8aに載置して、表面Waに被覆された樹脂100aを上向きに露出させる。図示しない吸引源の吸引作用によりチャックテーブル8の保持面8aで被加工物Wを吸引保持したら、チャックテーブル8を例えば矢印A方向に回転させながら、研削ユニット40の下方に移動させる。研削ユニット40は、研削ホイール45を例えば矢印A方向に回転させながら、所定の研削送り速度で下降させ、回転する研削砥石46で樹脂100aを押圧しながら研削して平坦化させる。なお、予めに、チャックテーブル8またはスピンドル41を所定角度傾けることにより、研削砥石46の研削面とチャックテーブル8の保持面8aとが平行な位置関係となるように調整しておくとよい。
樹脂研削ステップでは、洗浄ノズル60の噴射口60aから研削砥石46に向けて洗浄水62を噴射することにより研削砥石46を洗浄しながら樹脂100aの研削を行う。ここで、図6に示すように、矢印A方向に回転する研削砥石46の回転軌跡のうち、研削砥石46が実際に樹脂100aに接触して研削を施す円弧状の加工領域が加工点P1となっており、チャックテーブル8の外側に位置し研削砥石46が樹脂100aに接触していない非加工領域が非加工点P2となっている。樹脂100aの研削中、研削砥石46は常に被加工物Wの中心Woを通過しながら、加工点P1において研削砥石46を接触させて樹脂100aを研削していく。
回転する研削砥石46が加工点P1を通過し非加工点P2に移動した研削砥石46には樹脂100aが付着する。すなわち、図5の部分拡大図に示すように、被加工物Wの表面Waに被覆された樹脂100aに接触していない研削砥石46には、樹脂100aが付着した状態となっている。そのため、樹脂100aの研削中は、常に供給源61を作動させ、洗浄ノズル60の噴射口60aから研削砥石46に向けて洗浄水62を噴射させ、研削砥石46に付着した樹脂100aを洗い流す。洗浄ノズル60の位置は、特に限定されないが、非加工点P2のいずれかの位置に配置すればよい。
樹脂100aを研削して平坦化した後、図1に示した測定手段70を用いて被加工物Wの表面Waに被覆された樹脂100aの樹脂厚みを測定する。測定手段70によって、測定された樹脂100aの樹脂厚みが所定の厚みとなっていれば、樹脂研削ステップが完了し後述の被加工物研削ステップに進む。一方、測定された樹脂100aの樹脂厚みが所定の厚みに達していない場合は、再度研削砥石46で樹脂100aを所定の厚みに達するまで研削するとよい。
(4)被加工物研削ステップ
図1に示した第2の搬送ユニット32によってチャックテーブル8から被加工物Wを洗浄手段7に搬送する。洗浄手段7で被加工物Wを洗浄したのち、表裏反転用搬送ユニット33は、搬送パッド330で被加工物Wの表面Waに被覆された樹脂100a側を保持し、水平支持部331を反転させることで被加工物Wの表裏を反転させ、被加工物Wの裏面Wbを上向きにさせる。かかる状態において、第2の搬送ユニット32は、表裏反転用搬送ユニット33から引き継いで被加工物Wを保持する。
第2の搬送ユニット32は、図7に示すように、被加工物Wの表面Waに被覆された樹脂100a側をチャックテーブル8の保持面8aに載置して、裏面Wbを上向きに露出させる。図示しない吸引源の吸引作用によりチャックテーブル8の保持面8aで被加工物Wを吸引保持したら、チャックテーブル8を例えば矢印A方向に回転させながら、研削ユニット40の下方に移動させる。
被加工物研削ステップでは、樹脂研削ステップで使用したのと同一の研削砥石46を用いて、被加工物Wの裏面Wbを研削する。具体的には、被加工物Wの表面Waの樹脂100a側をチャックテーブル8で吸引保持したら、チャックテーブル8を例えば矢印A方向に回転させつつ、研削ユニット40の下方に移動させる。研削ユニット40は、研削ホイール45を例えば矢印A方向に回転させながら、所定の研削送り速度で下降させ、回転する研削砥石46で被加工物Wの裏面Wbを押圧しながら所定の厚みに至るまで研削する。研削砥石46には、樹脂100aが残存してないため、被加工物Wを良好に薄化することができる。
このように、本発明に係る被加工物の加工方法は、被加工物Wの表面Waに樹脂100を被覆する樹脂被覆ステップと、被覆した樹脂100に紫外線を照射して硬化させる樹脂硬化ステップと、硬化した樹脂100aを研削砥石46で研削して平坦化させる樹脂研削ステップと、平坦化した被加工物Wの樹脂100a側をチャックテーブル8で保持し、被加工物Wの裏面Wbを研削砥石46で研削する被加工物研削ステップとを備え、樹脂研削ステップでは、研削砥石46に付着した樹脂100aを洗浄しながら研削を実施するように構成したため、被加工物Wの表面Waに被覆された樹脂100aと被加工物Wの裏面Wbとを同一の装置内で研削することが可能となる。したがって、本発明によれば、研削の工程数が増えることがなく、効率よく被加工物Wの加工を実施することができる。
また、樹脂研削ステップでは、洗浄ノズル60から研削砥石46に向けて洗浄水62を噴射し、研削砥石46に付着した樹脂100aを洗浄しながら樹脂100aの研削を実施するため、樹脂研削ステップ完了後に研削砥石46に樹脂100aが残存しない。これにより、同一の研削砥石46を用いて被加工物研削ステップを実施することが可能となり、加工効率が向上する。
1:研削装置 2:装置ベース 3:コラム 4a,4b:カセット 5:搬出入手段
6:位置合わせ手段 7:洗浄手段 8:チャックテーブル 9:カバー
10:樹脂被覆手段 11:スピンナーテーブル 12:樹脂ノズル 13:回転手段
20:樹脂硬化手段
30:搬送ユニット 31:第1の搬送ユニット 32:第2の搬送ユニット
33:表裏反転用搬送ユニット
40:研削ユニット 41:スピンドル 42:スピンドルハウジング 43:モータ
44:マウント 45:研削ホイール 46:研削砥石
50:昇降手段 51:ボールネジ 52:モータ 53:ガイドレール 54:昇降部60:洗浄ノズル 61:供給源 62:洗浄水 70:測定手段

Claims (4)

  1. 表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインに区画された領域にデバイスが形成された被加工物の加工に用いる加工装置であって、
    被加工物を保持するチャックテーブルと、
    研削前の被加工物を所定の位置に位置合わせする位置合わせ手段と、
    回転可能なスピンナーテーブルを有し、該スピンナーテーブルに保持された被加工物に樹脂を被覆する樹脂被覆手段と、
    該樹脂被覆手段において樹脂が被覆された被加工物を洗浄する洗浄手段と、
    表面に樹脂が被覆された被加工物の裏面と該表面に被覆された樹脂とを研削する研削砥石を備える研削ユニットと、
    該チャックテーブルに対して被加工物を搬入出および該チャックテーブルから搬出した被加工物を表裏反転させる搬送ユニットと、を備え
    該搬送ユニットは、
    被加工物を、該位置合わせ手段から該スピンナーテーブルに搬送するとともに、該スピンナーテーブルから該チャックテーブルに搬送する第1の搬送ユニットと、
    被加工物を該チャックテーブルから該洗浄手段に搬送する第2の搬送ユニットと、
    被加工物を該洗浄手段から該第2の搬送ユニットに引き継ぐ表裏反転用搬送ユニットと、
    を備え、
    該表裏反転搬送ユニットは、該洗浄手段において洗浄された被加工物の樹脂側を保持し、被加工物の表裏を反転させて被加工物の裏面を上向きとし、
    該第2の搬送ユニットは、該表裏反転搬送ユニットから該裏面を上向きとした被加工物を引き継いで該チャックテーブルに搬送し、
    該樹脂側を該チャックテーブルに保持させ、該研削砥石によって被加工物の該裏面を研削する
    加工装置。
  2. 前記研削砥石によって研削した後の前記樹脂の樹脂厚みを測定し、被加工物の裏面を所定の厚みへと薄化することを特徴とする請求項1に記載の加工装置。
  3. 前記研削砥石に向けて洗浄水を噴射する洗浄ノズルを備え、
    該研削砥石に付着した前記樹脂を洗浄しながら該研削砥石で該樹脂を研削することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の加工装置。
  4. 前記樹脂の研削と被加工物の前記裏面の研削とを同一の研削砥石を使用して実施することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の加工装置。
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US16/216,394 US11574804B2 (en) 2017-12-28 2018-12-11 Workpiece processing and resin grinding apparatus
DE102018222296.7A DE102018222296A1 (de) 2017-12-28 2018-12-19 Werkstückbearbeitungsverfahren und Bearbeitungsvorrichtung
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7081919B2 (ja) * 2017-12-26 2022-06-07 株式会社ディスコ 加工装置
JP7216613B2 (ja) * 2019-05-16 2023-02-01 株式会社ディスコ 加工装置
JP7220648B2 (ja) * 2019-12-20 2023-02-10 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005303214A (ja) 2004-04-16 2005-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体ウェーハの研削方法
JP2007136636A (ja) 2005-11-22 2007-06-07 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2011003611A (ja) 2009-06-16 2011-01-06 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの研削方法および研削装置
JP2012161848A (ja) 2011-02-03 2012-08-30 Disco Corp 研削装置
JP2013103283A (ja) 2011-11-11 2013-05-30 Disco Corp Sawデバイス用ウェーハの研削方法
JP2013118324A (ja) 2011-12-05 2013-06-13 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2014103215A (ja) 2012-11-19 2014-06-05 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体ウエハ加工装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0745569A (ja) * 1993-08-02 1995-02-14 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
US5632667A (en) * 1995-06-29 1997-05-27 Delco Electronics Corporation No coat backside wafer grinding process
KR100286980B1 (ko) * 1998-02-11 2001-04-16 윤종용 웨이퍼 연마 설비 및 웨이퍼 연마 방법
US20020052169A1 (en) * 2000-03-17 2002-05-02 Krishna Vepa Systems and methods to significantly reduce the grinding marks in surface grinding of semiconductor wafers
US6672943B2 (en) * 2001-01-26 2004-01-06 Wafer Solutions, Inc. Eccentric abrasive wheel for wafer processing
US7451941B2 (en) * 2001-03-13 2008-11-18 Jackson David P Dense fluid spray cleaning process and apparatus
DE10208165C1 (de) * 2002-02-26 2003-10-02 Advanced Micro Devices Inc Verfahren, Steuerung und Vorrichtung zum Steuern des chemisch-mechanischen Polierens von Substraten
US20030209310A1 (en) * 2002-05-13 2003-11-13 Fuentes Anastacio C. Apparatus, system and method to reduce wafer warpage
DE602004007418T2 (de) * 2003-02-12 2008-04-30 Nissan Motor Co., Ltd., Yokohama Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächen-Endbearbeitung
JP4523252B2 (ja) * 2003-09-08 2010-08-11 株式会社ディスコ 半導体ウエーハの加工方法および加工装置
JP2007150167A (ja) * 2005-11-30 2007-06-14 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウエーハの平面研削方法および製造方法
JP2009043931A (ja) * 2007-08-08 2009-02-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの裏面研削方法
JP2010034128A (ja) * 2008-07-25 2010-02-12 Sumco Corp ウェーハの製造方法及び該方法により得られたウェーハ
JP2012079910A (ja) * 2010-10-01 2012-04-19 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の加工方法
JP5875224B2 (ja) * 2010-12-21 2016-03-02 株式会社ディスコ 研削装置
JP5887946B2 (ja) * 2012-01-18 2016-03-16 旭硝子株式会社 電子デバイスの製造方法、およびガラス積層体の製造方法
JP5671510B2 (ja) * 2012-06-27 2015-02-18 株式会社岡本工作機械製作所 半導体デバイス基板の研削方法
US9312142B2 (en) * 2014-06-10 2016-04-12 Globalfoundries Inc. Chemical mechanical polishing method and apparatus
JP6350384B2 (ja) * 2015-05-11 2018-07-04 信越半導体株式会社 研削用砥石
US10096460B2 (en) * 2016-08-02 2018-10-09 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor wafer and method of wafer thinning using grinding phase and separation phase
JP6732382B2 (ja) * 2016-10-12 2020-07-29 株式会社ディスコ 加工装置及び被加工物の加工方法
TWI821887B (zh) * 2016-11-29 2023-11-11 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
JP7012454B2 (ja) * 2017-04-27 2022-01-28 株式会社岡本工作機械製作所 静電吸着チャックの製造方法並びに半導体装置の製造方法
JP7081919B2 (ja) * 2017-12-26 2022-06-07 株式会社ディスコ 加工装置
WO2019208359A1 (ja) * 2018-04-27 2019-10-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
US11450578B2 (en) * 2018-04-27 2022-09-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and substrate processing method
JP2020131367A (ja) * 2019-02-20 2020-08-31 株式会社ディスコ 研削装置
JP2022099716A (ja) * 2020-12-23 2022-07-05 株式会社ディスコ 研削装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005303214A (ja) 2004-04-16 2005-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体ウェーハの研削方法
JP2007136636A (ja) 2005-11-22 2007-06-07 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2011003611A (ja) 2009-06-16 2011-01-06 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの研削方法および研削装置
JP2012161848A (ja) 2011-02-03 2012-08-30 Disco Corp 研削装置
JP2013103283A (ja) 2011-11-11 2013-05-30 Disco Corp Sawデバイス用ウェーハの研削方法
JP2013118324A (ja) 2011-12-05 2013-06-13 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2014103215A (ja) 2012-11-19 2014-06-05 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体ウエハ加工装置

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